DE10212742A1

DE10212742A1 - Verfahren zum Löten von Kontaktstiften und Kontaktstifte dazu

Info

Publication number: DE10212742A1
Application number: DE10212742A
Authority: DE
Inventors: Shinichi Sugiyama
Original assignee: Ando Electric Co Ltd
Current assignee: Ando Electric Co Ltd
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2002-03-21
Publication date: 2003-12-04
Also published as: US20020146920A1; JP2002283049A

Abstract

Ein Verfahren zum Löten von Kontaktstiften und die Kontaktstifte zum Herstellen einer Sondenkarte, wobei die Kontaktstifte auf einer Oberfläche der Sondenkarte mit engem Abstand angeordnet werden können, und das ausgezeichnet in der Wartung ist, kann bzw. können ausreichend Variationen in der Höhe der Prüfelektroden eines Halbleiterchips absorbieren, so daß der stabile Kontakt zwischen all den Kontaktstiften und den Prüfelektroden des Halbleiterchips sichergestellt ist, und ist in der Lage, Signale mit hoher Geschwindigkeit zu übertragen. Das Verfahren zum Löten von Kontaktstiften zum Aufrechtstellen von Kontaktstiften 10 auf einer Oberfläche einer Leiterkarte 20 einer Sondenkarte, wobei die Kontaktstifte 10 in Kontakt mit Prüfelektroden eines Halbleiterchips gebracht und mit diesen verbunden werden, um elektrische Eigenschaften des Halbleiterchips zu prüfen, weist das Anordnen von Untersätzen 10c zum Löten der Kontaktstifte 10 und von Lötmittelkugeln 30 auf Elektrodenkontaktflächen 21 der Leiterkarte 20 nahe beieinander, das Schmelzen der Lötmittelkugeln 30, um Schichten 31 zwischen den Elektrodenkontaktflächen 21 und den Untersätzen 10c zum Löten zu bilden, so daß die Untersätze 10c zum Löten mit den Elektrodenkontaktflächen 21 verbunden sind, auf.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG

Die Erfindung betrifft Kontaktstifte, die mit Prüfelektroden eines Halbleiterchips zum Prüfen der elektrischen Eigenschaften des Halbleiterchips verbunden sind, und ein Verfahren zum Löten der Kontaktstifte.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Elektronische Vorrichtungen, auf denen integrierte Schaltungen auf Halbleiterbasis angeordnet sind (hiernach als Vorrichtungen bezeichnet), haben in jüngster Zeit einen bemerkenswerten Fortschritt in Richtung auf die Miniaturisierung und geringe Kosten gemacht, und die Nachfrage nach der Miniaturisierung und den geringen Kosten der Vorrichtungen hat sich sehr verstärkt. Zudem, da die starke Nachfrage nach der Miniaturisierung der Vorrichtungen weiter verstärkt ist, hat sich die Art und Weise, wie die Vorrichtungen geliefert werden, geändert. Die Vorrichtungen werden im allgemeinen in der Weise geliefert, daß die Halbleiterchips, die durch Schneiden eines Wafers gebildet werden, mit einem Leiterrahmen durch Drahtbonden verbunden werden, und die Halbleiterchips werden durch Kunststoff oder Keramik versiegelt.
Wenn jedoch eine Technik zum direkten Anbringen von Vorrichtungen auf einer gedruckten Leiterkarte in dem Zustand eines Halbleiterchips an sich, nämlich in einem Zustand, daß die Vorrichtungen aus einem Halbleiterwafer ausgeschnitten sind (hiernach als nackter Chip bezeichnet), entwickelt ist, wird die Lieferung der Vorrichtungen im Zustand nackter Chips zu geringen Kosten nachgefragt. Wenn die Vorrichtungen im Zustand nackter Chips geliefert werden, müssen alle Prüfungen, die nötig sind, für die Vorrichtungen in dem Zustand des Halbleiterwafers durchgeführt werden, um so dessen Qualität zu garantieren. Das heißt, der Halbleiterchip in seinem Zustand als Halbleiterwafer muß einer Voralterungsprüfung (Burn- in-Prüfung) und der Prüfung auf maximale Arbeitsgeschwindigkeit unterworfen werden.
Bei einem normalen Prüfprozeß für Vorrichtungen werden die Vorrichtungen einer Prüfung mit Gleichstrom (DC) und einer Funktionsprüfung für niedrige Geschwindigkeit ausgesetzt, indem ein Halbleiter-Prüfgerät (hiernach als ein IC-Tester bezeichnet) und ein Wafer- Prüfkopf in einer Wafer-Prüfung, die als eine Vorbehandlungsprüfung dient, kombiniert, so daß fehlerhafte Halbleiterchips durch solche Prüfungen systematisch überprüft werden. Nachdem die Vorrichtungen durch Kunststoffe oder Keramik verpackt sind, so daß sie zu endgültigen Vorrichtungen gebildet werden, werden sie einer Voralterungsprüfung als einer Nachbehandlungsprüfung durch eine Halbleiter-Voralterungsprüfvorrichtung (hiernach als ein TBT bezeichnet) unterworfen, so daß anfänglich fehlerhafte Halbleiterchips durch die Voralterungsprüfung überprüft werden. Danach werden die Vorrichtungen einer Hochgeschwindigkeitsfunktionsprüfung (Sortierprüfung) durch den IC-Tester unterworfen, so daß die nicht fehlerhaften Halbleiterchips in der Durchführung sortiert werden.
Um die Vorrichtungen in einem Zustand nackter Chips zu liefern, müssen sowohl die Voralterungsprüfung als auch die Sortierprüfung, die als eine Nachbehandlungsprüfung durchgeführt worden sind, auf eine Prüfung im Zustand des Halbleiterwafers (normale Vorbehandlungsprüfung) übertragen werden. Eine Brennvorrichtung auf Wafer-Ebene (hiernach als eine WLTBT bezeichnet) ist bereits als eine Vorrichtung entwickelt worden, um die Vorrichtungen in dem Zustand des Halbleiterwafers der Voralterungsprüfung auszusetzen, wobei die WLTBT ein System vom Typ der kontinuierlichen Fläche benutzt; es kann nämlich eine Sondenkarte (hiernach als eine Sondenkarte für die WLTBT bezeichnet) zum Schalten von Prüfsignalen von der WLTBT auf Prüfelektroden des Halbleiterchips auf dem Halbleiterwafer alle Prüfelektroden des Halbleiterchips auf Wafer gleichzeitig kontaktieren.
Weiter sind schon verschiedene Systeme oder Arten einer Sondenkarte zum Schalten von Prüfsignalen des IC-Testers auf Prüfelektroden des Halbleiterchips auf dem Halbleiterwafer (hiernach als eine Sondenkarte für den IC-Tester bezeichnet) entwickelt. Herkömmliche Systeme der Sondenkarte werden grob in die folgenden drei Typen klassifiziert, nämlich einen Typ mit Ausleger, einen Typ mit vertikaler Nadel und einen Typ mit Membran. Der Typ mit Ausleger ist üblicherweise oft verwendet worden und besteht aus Kontaktstiften, die durch Biegen langen nadelartigen Metalls (so wie Wolfram) unter einem stumpfen Winkel an dem Abschnitt nahe der Kontaktanschlußseite der Prüfelektroden gebildet sind, und die Kontaktstifte werden mit einer gedruckten Leiterkarte für eine Sondenkarte verbunden und befestigt, während sie seitwärts geneigt ist. Bei dem Typ mit Ausleger können die Kontaktstifte mit geringem gegenseitigen Abstand angeordnet werden, aber sie können nur sehr schwer über einen größeren Bereich der Oberfläche positioniert werden. Weiterhin haben die Kontaktstifte eine große Anschlußlänge, was ein Problem verschlechterter elektronischer Eigenschaften und geringer Geschwindigkeit verursacht.
Andererseits ist der Typ mit vertikaler Nadel ein System zum Herstellen aufrechter nadelartiger Kontaktstifte in vertikaler Richtung, wobei die Kontaktstifte an der oberen Seite des Anschlusses jeweils in einem Loch gehalten werden, das aus keramischem Material oder dergleichen gebildet ist, so daß die Kontaktstifte über einen größeren Bereich der Oberfläche angeordnet werden und leicht mit höherer Geschwindigkeit betrieben werden können, aber sie können wegen der Begrenzung bei der Feinverarbeitung der Keramik praktisch nicht mit engen Abständen angeordnet werden. Der Typ mit Membran ist ein System zum Bilden von Höckern auf einem isolierenden Film, und eine Folie aus elastischem Material wird auf der Rückseite des isolierenden Films zum Empfangen eines Kontaktdruckes, der von jedem Höcker aufgenommen wird, angeordnet. Bei dem Typ mit Membran werden elektrische Signale, die an jeden Höcker angelegt werden sollen, auf jede Kontaktfläche einer Leiterkarte geschaltet, die an der innersten Rückfläche innerhalb der Folie aus elastischem Material über in leitendes Material angeordnet ist. Bei dem Typ mit Membran können die Kontaktstifte über einen größeren Bereich der Oberfläche angeordnet und mit engen Abständen bei hoher Geschwindigkeit eingerichtet werden, jedoch hatte der Typ mit Membran, daß er kaum den Variationen in der Höhe jeder Prüfelektrode folgt.
Noch weiter, da solche herkömmlichen Kontaktstifte an der Leiterkarte durch Schweißen oder dergleichen befestigt sind, können sie von der Leiterkarte nicht entfernt werden, wenn irgendein ungelegener Umstand vorliegt, und die Sondenkarte muß insgesamt durch eine andere ersetzt werden, was ein Problem der Wartung und der Kosteneffizienz hervorruft.
Wie in Einzelheiten oben beschrieben, hat die herkömmliche Sondenkarte ihre Vorteile und Nachteile, und somit kann sie nicht die Oberflächenanordnung bei engen Abständen, Hochgeschwindigkeitsübertragung von Signalen und nachfolgenden Eigenschaften in bezug auf die Variation in der Höhe jeder Prüfelektrode erfüllen. Da jedoch die vorliegenden Halbleiterchips schnell entwickelt werden, was die Miniaturisierung, Geschwindigkeit und Mehrfachstifte betrifft, gibt es eine starke Nachfrage nach einer Sondenkarte, die alle die oben beschriebenen Vorteile hat.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung ist entwickelt worden, um die Probleme der herkömmlichen Sondenkarte zu lösen, und es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Löten von Kontaktstiften zur Verfügung zu stellen, die mit engen Abständen auf der Oberfläche angeordnet werden können, das ausgezeichnet in der Wartung ist und in der Lage ist, ausreichend die Änderungen in der Höhe der Prüfelektroden zu absorbieren, so daß ein stabiler Kontakt zwischen all den Kontaktstiften und Prüfelektroden sichergestellt wird, und womit eine Sondenkarte realisiert wird, die in der Lage ist, Signale bei hoher Geschwindigkeit zu übertragen, und eine weitere Aufgabe ist es, Kontaktstifte zur Verfügung zu stellen.
Um die obige Aufgabe zu lösen, benutzt die Erfindung ein erstes Mittel als ein Verfahren zum Löten von Kontaktstiften zum Aufstellen von Kontaktstiften 10 aufrecht auf einer Oberfläche einer Leiterkarte 20 einer Sondenkarte, wobei die Kontaktstifte 10 in Kontakt mit Prüfelektroden eines Halbleiterchips gebracht und mit ihnen verbunden werden, um elektrische Eigenschaften des Halbleiterchips zu prüfen, wobei das Verfahren die Schritte des Anordnens von Untersätzen 10c zum Löten der Kontaktstifte 10 und Lötmittelkugeln 30 auf Elektrodenkontaktflächen 21 der Leiterkarte 20 nahe beieinander, des Aufschmelzens der Lötmittelkugeln 30, um Ausrundungen 31 zwischen den Elektrodenkontaktflächen 21 und den Untersätzen 10c zum Löten zu bilden, aufweist, so daß die Untersätze 10c zum Löten mit den Elektrodenkontaktflächen 21 verbunden werden.
Die Erfindung benutzt ein zweites Mittel, wobei die Lötmittelkugeln 30 in dem ersten Mittel mit Laserlicht bestrahlt werden, so daß die Lötmittelkugeln 30 aufgeschmolzen werden.
Die Erfindung benutzt ein drittes Mittel, wobei das erste oder das zweite Mittel weiter die Schritte des Bringens der Untersätze 10c zum Löten, auf die vorab Flußmittel 32a aufgebracht worden ist, in Kontakt mit den Elektrodenkontaktflächen 21, um so das Flußmittel 32a auf die Elektrodenkontaktflächen 21 zu überführen, um ein Übertragungsflußmittel 32b zu bilden, des Anordnens des Lötmittelkugeln 31 auf dem Übertragungsflußmittel 32b, so daß die Untersätze 10c zum Löten auf das Übertragungsflußmittel 32b gebracht werden.
Die Erfindung benutzt ein viertes Mittel mit mehreren Kontaktstiften 10, die auf einer Oberfläche einer Leiterkarte 20 einer Sondenkarte angeordnet sind, wobei die Kontaktstifte 10 in Kontakt mit Prüfelektroden eines Halbleiterchips gebracht und mit ihnen verbunden sind, um elektrische Eigenschaften des Halbleiterchips zu prüfen, und Nuten 10d an der Fläche haben, die im Kontakt mit der Leiterkarte 20 ist.
Die Erfindung benutzt ein fünftes Mittel, bei dem die Kontaktstifte 10 in dem vierten Mittel Mikrofederabschnitte 10b zwischen den oberen Enden 10a zum Kontaktieren von Elektroden, die mit den Prüfelektroden des Halbleiterchips verbunden werden sollen, und Untersätzen 10c zum Löten, die mit Elektrodenkontaktflächen 21 der Leiterkarte 20 befestigt sind, haben.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1(A) ist eine Vorderansicht, die die Form eines Kontaktstiftes gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt, und Fig. 1(B) ist dessen Seitenansicht.
Fig. 2(A) ist eine perspektivische Ansicht, die eine Sondenkarte zeigt, auf welcher die Kontaktstifte gemäß der bevorzugten Ausführungsform aufrecht stehen, und
Fig. 2(B) ist eine Draufsicht, die die Abmessungen der Elektrodenkontaktflächen und Untersätze zum Löten zeigt.
Fig. 3(A) ist eine perspektivische Ansicht, die eine Stufe zum Aufbringen von Flußmittel auf den Kontaktstift gemäß der bevorzugten Ausführungsform zeigt, und Fig. 3(B) ist eine vergrößerte Ansicht des Hauptbereiches in Fig. 3(A), nämlich des Untersatzes zum Löten.
Fig. 4(A) ist eine schematische Ansicht, die einen Saugmechanismus zum Bewegen von Lötmittelkugeln zeigt, und Fig. 4(B) ist eine vergrößerte Ansicht des Hauptbereiches in Fig. 4(A), nämlich ein Kopfende des Saugmechanismus.
Fig. 5(A) bis Fig. 5(H) sind Seitenansichten, die ein Verfahren zum Löten des Kontaktstiftes gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigen, wobei Fig. 5(A) eine Ansicht ist, die eine Leiterkarte und eine Elektrodenkontaktfläche zeigt, Fig. 5(B) einen Zustand zeigt, in dem der Untersatz zum Löten in Kontakt mit der Elektrodenkontaktfläche gebracht wird, Fig. 5(C) und Fig. 5(D) Ansichten sind, die einen Zustand zeigen, in dem Flußmittel auf die Elektrodenkontaktfläche gebracht wird, Fig. 5(E) ist eine Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die Lötmittelkugel auf einem Übertragungsflußmittel angeordnet ist, Fig. 5(F) ist eine Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Untersatz zum Löten in der Nähe der Lötmittelkugel angeordnet ist, Fig. 5(G) ist eine Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die Lötmittelkugel durch Laserlicht erhitzt wird, und Fig. 5(H) ist eine Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Untersatz zum Löten an der Elektrodenkontaktfläche befestigt ist, während dazwischen eine Lötmittelauskehlung gebildet ist.

BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG

Eine bevorzugte Ausführungsform von Kontaktstiften gemäß der Erfindung wird nun mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 und Fig. 2 sind Ansichten, die den Aufbau der bevorzugten Ausführungsform zeigen. Eine Sondenkarte wird gebildet, indem Kontaktstifte 10 aufrecht auf der Oberfläche einer Leiterkarte 20 stehen, wie in Fig. 2(A) gezeigt. Alle Einheiten der Zahlenwerte, die in Fig. 1 gezeigt sind, sind in Mikrometer (µm) dargestellt.
Jeder Kontaktstift 10 weist, wie in Fig. 1(A) und in Fig. 1(B) gezeigt, ein oberes Ende 10a zum Kontaktieren einer Elektrode auf, die in Kontakt mit einer Prüfelektrode gebracht und mit dieser verbunden ist, welche auf einem Halbleiterchip gebildet ist, einen Untersatz 10c zum Löten, der an einer Elektrodenkontaktfläche 21 der Leiterkarte 20 befestigt ist, und einen Mikrofederabschnitt 10b zwischen dem oberen Ende 10a zum Kontaktieren einer Elektrode und dem Untersatz 10c zum Löten. Der Untersatz 10c zum Löten hat Nuten 10d, die auf der Kontaktfläche zwischen dem Untersatz 10c zum Löten und der Leiterkarte 20 (Elektrodenkontaktfläche 21) zum Verstärken der Lötmittelverbindung zwischen dem Kontaktstift 10 und der Leiterkarte 20 gebildet sind. Jede der Nuten 10d hat Abmessungen, die auf 10 µm Breite und 30 µm Tiefe eingestellt sind, und die Nuten 10d sind auf einem im wesentlichen mittigen Abschnitt des Untersatzes 10c zum Löten mit Ausnahme beider Endseiten in einem gegebenen Intervall vorgesehen, um die Stabilität des Kontaktstiftes 10 (des Untersatzes 10c zum Löten) sicherzustellen.
Der Kontaktstift 10, der eine solche Form hat, besteht aus leitendem Metall, das durch einen Metall-Ablagerungsprozeß (additiver Prozeß) gebildet ist, wobei zum Beispiel Licht- oder Röntgenstrahl-Lithographietechnik mit hoher Genauigkeit bezüglich der Abmessungen eingesetzt wurde. Das leitende Metall ist beispielsweise reiner Nickel oder auf Nickel basierendes Material, so wie Nickellegierung oder dergleichen. Die gesamte Oberfläche des Kontaktstiftes 10 ist mit einer Goldplattierung zum Verringern eines Kontaktwiderstandes versehen.
Die Leiterkarte 20 weist die Elektrodenkontaktflächen 21 auf ihrer Oberfläche zum Anlöten der Untersätze 10c zum Löten auf und hat eine Schnittstellenfunktion für elektrische Signale relativ zu einer WLTBT oder einem IC-Tester. Die Kontaktstifte 10 werden auf die Elektrodenkontaktflächen 21 gelötet, indem mit Laserlicht bestrahlt und erhitzt wird, wobei Lötmittelkugeln 30 verwendet werden. Gemäß der bevorzugten Ausführungsform wird eine keramische Vielschichtkarte mit superfeinen Teilungen als Leiterkarte 20 benutzt, welche sehr wenig deformiert wird, hervorgerufen durch Wärmeschrumpfen und dergleichen, um die Positionsgenauigkeit der Kontaktstifte 10 sicherzustellen.
Jedes Intervall zum Anordnen der Kontaktstifte 10 wird zum Beispiel auf nicht mehr als 10 µm eingestellt, wie in Fig. 2(B) gezeigt. Andererseits wird jede Breite der Elektrodenkontaktfläche 21 in der Anordnungsrichtung jedes Kontaktstiftes 10 beispielsweise auf nicht mehr als 60 µm eingestellt, während die Breite jedes Untersatzes 10c zum Löten in derselben Anordnungsrichtung zum Beispiel auf nicht mehr als 40 µm eingestellt wird.
Das Verfahren zum Löten von Kontaktstiften gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird nun mit Bezug auf Fig. 3 bis Fig. 5 beschrieben. Zunächst, wie in Fig. 3(A) gezeigt, wird der Untersatz 10c zum Löten in Kontakt mit der Oberfläche einer Platte 40 gebracht, auf die ein Flußmittel 32a in der Dicke von 20 bis 30 µm aufgeschichtet ist. Als ein Ergebnis haftet das Flußmittel 32a an dem Untersatz 10c zum Löten an, wie es in Fig. 3(B) gezeigt ist.
Fig. 5(A) ist eine Seitenansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die Elektrodenkontaktfläche 21 auf der Oberfläche der Leiterkarte 20 gebildet ist. Der Untersatz 10c zum Löten, an dem das Flußmittel 32a anhaftet, wie oben ausgeführt, wird einmal in Kontakt mit der Elektrodenkontaktfläche 21 gebracht, wie in Fig. 5(B) gezeigt, dann wird der erstere von der letzteren entfernt, wie es in Fig. 5(C) gezeigt ist, wodurch das Flußmittel 12a auf die Elektrodenkontaktfläche 21 übertragen wird, so daß ein Übertragungskontaktmittel 32b auf der Elektrodenkontaktfläche 21 gebildet wird (Fig. 5(D)). Bei einem solchen Prozeß kann, zur selben Zeit, wenn das Übertragungsflußmittel 32b auf der Elektrodenkontaktfläche 21 gebildet wird, das Flußmittel 32a vorab an dem Untersatz 10c zum Löten und im Inneren der Nuten 10d anhaften.
Anschließend, wie in Fig. 5(E) gezeigt, wird die Lötmittelkugel 30 auf dem Übertragungsflußmittel 32b angeordnet, beispielsweise durch einen Saugmechanismus 50. Die Lötmittelkugel 30 wird wahrscheinlich nicht in Position angeordnet, da sie an dem Übertragungsflußmittel 32b anhaftet. Der Saugmechanismus 50 ist mit einer Vakuumpumpe 51 verbunden, wie in Fig. 4(A) gezeigt, und saugt die Lötmittelkugel 30 an ihrem Kopfende 52 an, um so die Lötmittelkugel 30 zu bewegen. Die Abmessungen des Kopfendes 52 des Saugmechanismus 50 sind zu einem Ausmaß eingestellt, daß es in der Lage ist, die Lötmittelkugel 30 anzusaugen, die alle einen Durchmesser von ungefähr 100 µm haben, eine nach der anderen, wie in Fig. 4(B) gezeigt. Alle Einheiten von Zahlenwerten, die in Fig. 4(B) gezeigt sind, sind in Mikrometer (µm) dargestellt.
Weiter wird der Untersatz 10c zum Löten auf dem Übertragungsflußmittel 32b angeordnet, um zu vermeiden, daß die Lötmittelkugel 30 auf dem Übertragungsflußmittel 32b angeordnet wird, wie in Fig. 5(F) gezeigt. Als ein Ergebnis sind sowohl die Lötmittelkugel 30 als auch der Untersatz 10c zum Löten auf der Elektrodenkontaktfläche 21 in einem Zustand angeordnet, in dem sie nahe beieinander sind.
In diesem Zustand, wie in Fig. 5(G) gezeigt, wird Laserlicht L mit einem Strahlfleck von ungefähr 100 µm im Durchmesser sowohl auf die Lötmittelkugel 30 als auch auf den Untersatz 10c zum Löten gestrahlt, um sie so zu erhitzen. Als ein Ergebnis wird die Lötmittelkugel 30 aufgeschmolzen, so daß sie eine Lötmittelschicht 31 bildet, die an der Elektrodenkontaktfläche 21 und an dem Untersatz 10c zum Löten durch das Übertragungsflußmittel 32b auf der Elektrodenkontaktfläche 21, und dem Flußmittel 32a, das an dem Untersatz 10c zum Löten anhaftet, anhaftet, so daß der Untersatz 10c zum Löten mit der Elektrodenkontaktfläche 21 verlötet und damit verbunden wird, wie es in Fig. 5(H) gezeigt ist.
Mit den Kontaktstiften 10 der Erfindung wird ein Aufbau zum Befestigen der Kontaktstifte 10 zu der Elektrodenkontaktfläche 21 durch Löten zur Verfügung gestellt, so daß die Kontaktstifte 10 leicht durch andere Kontaktstifte ersetzt werden können, und somit sind sie exzellent, was die Wartung angeht. Insbesondere kann ein Lötmittel in einer Menge, die zum Löten und Verbinden der Kontaktstifte 10 geeignet ist, durch Verwendung der Lötmittelkugel 30 leicht bereitgestellt werden, so daß ein Kurzschluß zwischen benachbarten Kontaktstiften 10 vermieden werden kann. Weiter, wenn das Laserlicht L verwendet wird, kann die Lötmittelkugel 30 konzentriert erhitzt werden, so daß den Kontaktstiften 10 mit engen Abständen eine große Hitzeleistung gegeben werden kann, und die Wärmedeformation der Leiterkarte 20 kann herabgesetzt werden. Noch weiter, da das Flußmittel 32a vorab an den Untersatz 10c zum Löten zum Anhaften gebracht wird und es auf die Elektrodenkontaktfläche 21 übertragen wird, kann das Flußmittel 32a mit einer richtigen Menge leicht an die Elektrodenkontaktfläche 21 gegeben werden, und ebenso kann dasselbe Flußmittel an den Untersatz 10c zum Löten angebracht werden, so daß Verringerung an Arbeit und kürzere Arbeitszeiten bei dem Arbeitsgang realisiert werden.
Weiter sind die Nuten 10d in dem Untersatz 10c zum Löten gebildet, wobei eine Anhafteigenschaft des Flußmittels 32a ausgezeichnet ist, wenn die geschmolzene Lötmittelkugel 30 in das Innere der Nuten 10d eintritt, so daß die Lötmittelverbindung zwischen jedem Kontaktstift 10 und jeder Elektrodenkontaktfläche 21 fest wird, so daß sicher jeder Kontaktstift 10 mit jeder Elektrodenkontaktfläche 21 befestigt wird. Weiter, da jeder Kontaktstift 10 den Mikrofederabschnitt 10b mit einer Mikrofederstruktur hat, können, wenn die Halbleiterchips geprüft werden, während die Leiterkarte 20 so angeordnet ist, daß sie gegenüber jedem der Halbleiterchips bei gegebener Höhe liegt, die Kontaktstifte 10 die Änderungen in der Höhe der Prüfelektroden absorbieren, so daß es möglich wird, daß die oberen Enden 10a zum Kontaktieren von Elektroden sicher im Kontakt mit den Prüfelektroden liegen.
Obwohl die Formen der jeweiligen Komponenten und deren Kombination gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung lediglich beispielhaft dargestellt sind, können sie verschiedentlich geändert werden, basierend auf der Gestaltungsforderung in einem Umfang der Erfindung, ohne daß man sich von einem Geist der Erfindung entfernt. Bei der veranschaulichten Ausführungsform, obwohl der Mikrofederabschnitt 10b mit einer Mikrofederstruktur in einer S-Form gebildet ist, kann sie als Typ einer Faltung gebildet sein, bei der eine U-Form kontinuierlich in die entgegengesetzte Richtung wechselt, und kann als ein Zickzack-Typ gebildet sein, bei dem der Mikrofederabschnitt 10b mit einer verringerten Breite eine elastische Eigenschaft erhalten kann, die der vom Typ der S-Form äquivalent ist, indem die Faltabschnitte in ihrer Anzahl so viel wie möglich vergrößert werden, so daß Kontaktstifte 10 auf der Leiterkarte 20 mit hoher Dichte angeordnet werden können.
Wie oben in Einzelheiten beschrieben ist es gemäß dem Verfahren zum Löten von Kontaktstiften und mit den Kontaktstiften möglich, Kontaktstifte zu realisieren, die sicher mit der Leiterkarte mit engem Abstand befestigt werden können und die Kontaktstifte einfach von der Leiterkarte zu entfernen, so daß die Kontaktstifte ausgezeichnet in der Wartung und der Kosteneffizienz werden. Weiter können die Kontaktstifte sicher in Kontakt mit vielen Prüfelektroden gebracht werden, die auf dem Halbleiterchip mit engen Abständen angeordnet sind, während ausreichend Variationen in der Höhe der Prüfelektroden absorbiert werden, und weiter ist jeder Kontaktstift an sich sehr klein, und seine Gesamtlänge ist sehr klein, so daß die Signale mit hoher Geschwindigkeit übertragen werden können.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in der Zeichnung sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein. BEZUGSZEICHENLISTE 10 Kontaktstift
10a Oberes Ende
10b Mikrofederabschnitte
10c Untersätze zum Löten
10d Nuten
20 Leiterkarte
21 Elektrodenkontaktflächen
30 Lötmittelkugeln
31 Schichten
32a Flußmittel
32b Übertragungsflußmittel

Claims

1. Verfahren zum Löten von Kontaktstiften zum aufrechten Aufstellen von Kontaktstiften (10) auf eine Oberfläche einer Leiterkarte (20) einer Sondenkarte, wobei die Kontaktstifte (10) im Kontakt mit Prüfelektroden eines Halbleiterchips gebracht und mit diesem verbunden werden, um elektrische Eigenschaften des Halbleiterchips zu prüfen, wobei das Verfahren aufweist:

- Anordnen von Untersätzen (10c) zum Löten der Kontaktstifte (10) und von Lötmittelkugeln (30) auf Elektrodenkontaktflächen (21) der Leiterkarte (20) nahe beieinander;

- Schmelzen der Lötmittelkugeln (30), um Schichten (31) zwischen den Elektrodenkontaktflächen (21) und den Untersätzen (10c) zum Löten zu bilden, so daß die Untersätze (10c) zum Löten mit den Elektrodenkontaktflächen (21) befestigt sind.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötmittelkugeln (30) mit Laserlicht bestrahlt werden, so daß die Lötmittelkugeln (30) geschmolzen werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß es weiter aufweist:

- Bringen der Untersätze (10c) zum Löten, auf die vorab Flußmittel (32a) zum Anhaften gebracht ist, in Kontakt mit den Elektrodenkontaktflächen (21), um so das Flußmittel (32a) auf die Elektrodenkontaktflächen (21) zu übertragen, um ein Übertragungsflußmittel (32b) zu bilden,

- Anordnen der Lötmittelkugeln (31) auf dem Übertragungsflußmittel (32b), so daß die Untersätze (10c) zum Löten auf das Übertragungsflußmittel (32b) gebracht werden.

4. Mehrere Kontaktstifte (10), die auf einer Oberfläche einer Leiterkarte (20) einer Sondenkarte angeordnet, wobei die Kontaktstifte (10) in Kontakt mit Prüfelektroden eines Halbleiterchips gebracht und mit diesen verbunden werden, um elektrische Eigenschaften des Halbleiterchips zu prüfen, und wobei sie Nuten (10d) an der Oberfläche aufweisen, die im Kontakt mit der Leiterkarte (20) ist.

5. Kontaktstifte (10) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstifte (10) Mikrofederabschnitte (10b) zwischen oberen Enden (10a) zum Kontaktieren von Elektroden, die mit den Prüfelektroden des Halbleiterchips verbunden werden sollen, und Untersätzen (10c) zum Löten, welche an den Elektrodenkontaktflächen (21) der Leiterkarte (20) befestigt sind, haben.