JP5060965B2 - 通電試験用プローブ、プローブ組立体およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体集積回路のような半導体装置の通電試験に用いるのに好適なプローブ、プローブ組立体およびその製造方法に関する。

半導体ウエハの各チップ領域上に形成された多数の半導体集積回路のような半導体装置は、それぞれが仕様書通りに製造されているか否かを判定するために、通電試験を受ける。この種の通電試験では、一般的にプローブカードと称されるプローブ組立体が用いられる。このプローブ組立体のプローブ基板に設けられた多数のプローブ（接触子）が被検査体の対応する各電極に押し付けられることにより、該プローブ組立体を経て、被検査体が通電試験のためのテスタに接続される。

このプローブ組立体では、そのプローブ基板の配線回路に設けられた各取り付けランド部にプローブが接続されている。

従来のプローブ組立体の製造では、各プローブをプローブ基板の対応する各取り付けランド部に固着するために、例えば１５ないし２５μｍの粒径を有する多数のはんだボールを含む鉛フリーのクリームはんだが、一般的に用いられている。このクリームはんだは、吹き付けによってプローブの接続端部へ供給される。クリームはんだが付着したプローブは、その接続端面がプローブ基板の前記ランド部に当接するように、所定の姿勢に保持される。この保持状態で、プローブの接続端部にレーザ光が照射され、その熱エネルギーによりはんだが溶融し、溶融したはんだの固化によって、各プローブがプローブ基板の対応する前記ランド部に固定される。

しかしながら、吹き付けによって適正量のクリームはんだを各プローブの接続端部に適用することは極めて困難である。図４（ｂ）に示すように、プローブ１と配線ランド部２との結合に、はんだ３の量が不足すると、接続強度が低下し、所望の接続強度を得ることはできない。他方、図４（ｃ）に示すように、配線ランド部２から大きくはみ出す過剰なはんだ３は、隣接するプローブとの短絡を引き起こす原因となり、また周辺に飛散する過剰なはんだはプローブ取り扱い器の汚染問題を引き起こす。このように、過剰なはんだの供給は、種々の不具合を生じる。

そこで、プローブの接続端面にはんだとして錫をメッキし、この錫メッキ層と、プローブ基板の接触子装着面に形成された金メッキ層との溶融によって形成される金属化合物により、プローブをプローブ基板に固定することが提案されている（特許文献１参照）。

これによれば、はんだは、予めプローブの錫メッキ層として各プローブの接続端面に供給されることから、はんだがプローブおよびプローブ基板間に過剰に供給されることはなく、はんだの過剰供給による問題は解消できる。

しかしながら、プローブ接続端面に形成される錫はメッキで形成されることから、その層厚に強い制限を受ける。しかも、前記接続端面の面積は小さいことから、プローブの大型化を招くことなく、前記接続端面を増大させることはできない。そのため、前記特許文献１に記載の技術では、プローブの接続部の端面に、その両側部に適量のはんだを回り込ませるに充分な量のはんだを保留させることはできないことから、プローブとプローブ基板との間に充分な接続強度が得られるほどに、プローブの接続部に充分なはんだを供給することはできない。

特開２００５−５５１９４号公報

そこで、本発明の目的は、過不足なく接続端部にはんだを供給することができ、これにより短絡を生じることなくかつ充分な接続強度を得ることのできるプローブ、プローブ組立体およびその製造方法を提供することにある。

本発明に係る通電試験用プローブは、板状の接続部を有し該接続部の端面がプローブ基板への接続面となるプローブ本体と、前記接続部の少なくとも一方の側面に予め形成されたはんだ層と、前記接続部に形成され、前記はんだ層が形成された前記一方の側面からその他方の側面に前記接続部をその板厚方向へ貫通し、前記はんだ層が溶融したとき、その一部を前記他方の側面に案内する案内部とを有することを特徴とする。

本発明に係る前記プローブでは、はんだが前記接続部の少なくとも一方の側面に予め層状に形成されている。はんだ層が形成される前記接続部の側面は、該接続部が板状であることから、その端面に比較して充分に広い面積を有する。本発明では、この広い面積を有する側面を利用して、前記接続部の側面にはんだ層が形成されることから、過不足のない適正量のはんだを予めプローブ本体に保留させることができる。

また、適正量のはんだを供給できることから、従来のように過剰分が周辺に飛散することはなく、この飛散によって破棄されていた過剰分のはんだを節約することができる。また、過剰なはんだの飛散による従来のような環境汚染を防止することができ、プローブを取り扱う機械、器具の格別な洗浄工程を不要とし、製造工程の簡素化を図ることができる。

しかも、例えば加熱によって溶融したはんだの一部を、前記案内部を経て、プローブ本体の他方の側面に確実に回り込ませることができる。したがって、前記案内部を経る溶融はんだの流れによって溶融はんだ量を前記接続部の両側面でほぼ均等化させることができるので、はんだの過剰供給およびはんだの供給不足を生じることなく、プローブの接続部に、その両側でほぼ均等となるように、適正量のはんだを供給することができる。その結果、過剰供給によるプローブ取り扱い装置のはんだ汚染およびプローブの短絡を防止することができ、またはんだの不足による強度不足が確実に防止される。また、前記はんだ層の面積を適正に選択することにより、溶融はんだの固化によって、プローブ本体の接続部の両側面に、はんだによるほぼ均等かつ適正なフィレットを形成することができる。

はんだ層をプローブ本体の接続部の両側面に設けることができる。この場合、一側面にのみはんだ層を設ける場合に比較して、はんだ層の厚さまたはその面積をほぼ半値にすることができる。はんだの均等化の点で、はんだ層を接続部の両側面に設けることが望ましい。しかし、プローブの製造工程の簡素化の点では、はんだ層をプローブ本体の一方の側面に設けることが望ましい。

前記はんだ層は、錫単体または金、銀、銅およびビスマスのいずれか一種以上を含む錫合金のような溶融可能の金属材料からなる導電性接着剤層で形成することができる。

また、前記はんだ層は、これを例えば電気鋳造技術（エレクトロフォーミング技術）を用いたメッキ法で形成したメッキ層とすることができる。はんだ層をメッキ層で形成することにより、該メッキ層の厚さを正確に制御できることから、供給されるはんだ量をより正確に制御することができる。したがって、このメッキ層は、はんだのはみ出しをより確実に防止できるので、狭ピッチで配置されるプローブに特に有効である。

前記案内部は、前記接続部の前記端面に開放する該端面上の凹溝で形成することができる。

また、前記凹溝は、前記端面上で前記接続部の板厚方向と直角な伸長方向へ連なる波状曲面によって形成することができる。

前記プローブ本体は、ニッケル、その合金または燐青銅によって形成することができ、この場合、前記プローブ本体の前記一方の側面と前記はんだ層との間には、金メッキ層を配置することにより、はんだのプローブ本体への付着力を高めることができる。

本発明に係る通電試験用プローブを用いてプローブ組立体を構成することができる。このプローブ組立体は、複数の取り付けランド部が形成された配線路を有するプローブ基板と、該プローブ基板の前記ランド部に固着される複数のプローブとを備え、該各プローブは、板状の接続部を有し該接続部の端面が前記ランド部に対向して配置されるプローブ本体と、前記接続部の少なくとも一方の側面に形成されたはんだ層と、前記接続部に形成され、前記はんだ層が形成された前記一方の側面からその他方の側面に前記接続部をその板厚方向へ貫通し、前記はんだ層が溶融したとき、その一部を前記他方の側面に案内する案内部とを有し、前記はんだ層の溶融後の固化により前記接続部の前記端面が対応する前記ランド部に固着されていることを特徴とする。

本発明に係る通電試験用プローブの製造方法は、板状の接続部を有し該接続部の端面に前記接続部の一方の側面からその他方の側面に該接続部の板厚方向へ貫通し、前記一方の側面からその他方の側面に溶融はんだを案内する案内部が設けられたプローブ本体をホトリソグラフィを利用して形成するステップと、前記プローブ本体の前記接続部の少なくとも前記一方の側面に溶融可能であり溶融したとき、その一部が前記案内部によって前記他方の面に案内されるはんだ層を形成するステップとを含むことを特徴とする。

本発明に係る前記プローブの製造方法によれば、ホトリソグラフィを利用してプローブ本体を形成することにより、このプローブ本体の形成と同時に前記案内部を形成することができるので、本発明に係るプローブを効率的に製造することができる。

本発明に係る前記製造方法は、通電試験用プローブ組立体の製造に適用することができる。このプローブ組立体の製造方法によれば、本発明に係る前記プローブの前記プローブ本体の前記接続部の前記端面を前記プローブのためのランド部に当接させた状態で前記はんだ層の溶融のためにレーザを前記プローブの接続端部に向けて照射することにより、本発明に係るプローブ組立体を効率的に製造することができる。

また、前記プローブの前記接続部におけると同様に、前記ランド部に予めはんだ層を形成しておくことができ、これにより前記プローブと前記ランド部とのより確実な結合を得ることができる。

本発明によれば、前記したように、はんだが接続部の少なくとも一方の側面に予め層状に形成されており、これにより予め過不足のない適正量のはんだをプローブ本体に保留させることができ、しかも、溶融したはんだの一部を前記案内部を経てプローブ本体の他方の側面に確実に回り込ませることができるので、はんだの過剰供給およびはんだの供給不足を生じることなく、プローブの接続部に、その両側でほぼ均等となるように、適正量のはんだを供給することができる。

本発明に係るプローブを示す斜視図である。 図１に示したプローブの接続部を部分的に拡大して模式的に示す平面図である。 図１に示したプローブの接続部を部分的に拡大して模式的に示す側面図である。 本発明と従来例とのを比較例を示し、（ａ）は配線部への接続後における本発明に係るプローブの接続部の縦断面図であり、（ｂ）および（ｃ）ははんだの過不足による従来例の接続部を示す（ａ）と同様な縦断面図である。 図２と同様な図面であり、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例を示す。 本発明のプローブの製造方法の工程（その１）示す説明図である。 本発明のプローブの製造方法の工程（その２）を示す説明図である。 本発明に係るプローブ組立体を示す底面図である。 本発明に係るプローブ組立体を示す側面図である。 図８に示したプローブ組立体の一部を拡大して示す斜視図である。

本発明に係るプローブ１０は、図１に示されているように、全体に板状のプローブ本体１２を備える。プローブ本体１２は、後述する配線路への接続面となる平坦な矩形の端面１２ａと、該端面から角度的に立ち上がる板状の接続部１４と、該接続部を含む平面上で接続部１４の先端から端面１２ａの長手方向とほぼ平行な方向へ鈍角θで伸長するアーム部１６とを有する。アーム部１６の先端部は、接続部１４の端面１２ａから離れる方向へ立ち上がっており、その先端面には針先１８が形成されている。

針先１８をのぞくプローブ本体１２は、例えばニッケル、その合金あるいは燐青銅のような高靱性を有する金属材料からなり、図示の例では、アーム部１６の可撓性を高めるに、該アーム部の板厚方向に貫通しかつアーム部１６の長手方向に沿って伸長する長穴２０が形成されている。

針先１８をプローブ本体１２と同一金属材料で該プローブ本体と一体的に形成することができる。しかしながら、耐久性の向上の点で、図示のように、角錐状の針先１８をコバルト、ロジウムあるいはそれらの合金のような高硬度金属材料で形成し、この針先１８をアーム部１６の先端部に埋め込むことが好ましい。

プローブ本体１２の前記配線路への結合のために、接続部１４の端面１２ａの近傍部分には、はんだから成るメッキ層２２が形成されており、また端面１２ａには、該端面に開放する凹溝２４が形成されている。プローブ１０のこのはんだメッキ層２２および凹溝２４を含む接続部１４の一部が、図２および図３に拡大して模式的に示されている。

各凹溝２４は、端面１２ａをその幅方向へ横切って、接続部１４の一方の側面１４ａから他方の側面１４ｂに貫通して形成されており、図示の例では、それぞれが平坦な底面を有する３条の凹溝２４が端面１２ａの長手方向へ相互に間隔をおいて形成されている。

はんだメッキ層２２は、図２および図３に示す例では、金メッキ層２６を介して、接続部１４の一方の側面１４ａ上に形成されている。金メッキ層２６は、図３に明確に示されているように、プローブ１０の端面１２ａと、その接続部１４の両側面１４ａ、１４ｂにおける端面１２ａ近傍部分を覆って形成されており、はんだメッキ層２２は、金メッキ層２６の一方の側面１４ａを覆う部分に重なって形成されている。

はんだメッキ層２２の幅寸法Ｗは、約６００μｍであり、その高さ寸法Ｈは約２５０μｍである。したがって、はんだメッキ層２２の面積Ｓは、約６００×２５０μｍ^２である。また、はんだメッキ層２２の厚さ寸法ｔは、３０μｍ±２μｍであり、この場合、はんだメッキ層２２によって各プローブ１０の接続部１４に保留されるはんだ量は、３０ないし３５ｍｇの重量範囲内となる。

はんだメッキ層２２は、錫単体または金、銀、銅およびビスマスのいずれか一種以上を含む錫合金のような加熱によって溶融可能の金属材料からなる導電性接着剤層で形成することができる。

プローブ１０を図４（ａ）に示すように従来と同様な配線ランド部２に結合するために、該配線ランド部上に端面１２ａを載せた状態で、図３に示したように、接続部１４の一方の側面１４ａに形成されたはんだメッキ層２２が加熱によって溶融されると、この液状のはんだ（２２）の一部は、図４（ａ）に示すように、凹溝２４の空所によって構成される通路２４ａを経て、他方の側面１４ｂに案内され、この他方の側面１４ｂに案内された液状のはんだ（２２）は金メッキ層２６上に拡がる。

金メッキ層２６上の液状のはんだ（２２）は、それぞれ重力の影響を受けることから、下方へ向けてたれを生じ、液状のはんだ（２２）はその温度低下に伴って、図４（ａ）に示すようなフィレット状で固化される。この液状のはんだ（２２）は、その固化によって、接続部１４および配線ランド部２に固着することから、前記はんだを介して、プローブ１０が配線ランド部２に固定的に結合される。

図４（ｂ）および（ｃ）に沿って従来技術の項で説明したように、はんだ３に過不足が生じると、強固な接続を確実に得ることはできないが、図４（ａ）に示すような過不足ないフィレット形状を実現することにより、プローブ１０と配線ランド部２との強固な結合を確実に得ることができる。

このような接続部１４の両側面１４ａ、１４ｂでの過不足のない均等な理想的フィレット形状は、接続部１４のはんだメッキ層２２として適正なはんだ量を保留させかつ前記凹溝２４によって構成される前記案内部の大きさを適宜選択することにより、達成することができる。

理想的なフィレット形状を得るために、はんだメッキ層２２でははんだ量に不足が生じる場合、配線ランド部２上に、予めはんだメッキ層２２と同様なはんだ層を形成しておくことができる。

また、接続部１４の両側面１４ａ、１４ｂで金メッキ層２６上にはんだメッキ層２２を形成することができる。

この金メッキ層２６を不要とし、プローブ本体１２上に直接にはんだメッキ層２２を形成することができる。しかしながら、フラックスを用いることなくはんだ（２２）とプローブ本体１２との強い結合を得るために、金メッキ層２６を用いることが望ましい。

プローブ１０の端面１２ａに形成される凹溝２４に代えて、図５（ａ）に示すように、端面１２ａの一部を波状曲面２４−１とすることができる。波状曲面２４−１は、端面１２ａの両端を除く領域で該端面の長手方向すなわち伸長方向へ連続して形成されることにより、各波の谷部分が前記凹溝２４と同様な液状のはんだ（２２）の案内部として機能する。

前記した液状のはんだ（２２）の案内部は、端面１２ａに設ける必要はない。例えば、図５（ｂ）に示すように、それぞれが接続部１４をその厚さ方向へ貫通して、両側面１４ａ、１４ｂに開放する複数の貫通孔２４−２で、前記したと同様な案内部を構成することができる。各貫通孔２４−２は、溶けた液状のはんだ（２２）を両側面１４ａ、１４ｂへ案内し得る高さ位置に設けられるように、接続部１４の端面１２ａ近傍において該端面から間隔をおいて配置されている。

本発明に係るプローブ１０の製造方法を図６および図７に沿って説明する。
図６（ａ）に示すように、平坦面３０ａを有する例えばステンレス製の板部材からなる作業台３０上に、液状の感光材が塗布され、ホトレジスト膜３２が形成されると、該フォトレジスト膜上にプローブ１０の平面パターンに対応した形状を有する露光マスク（図示せず）を用いて、ホトレジスト膜３２が選択露光を受ける。この選択露光後、ホトレジスト膜３２は現像処理を受ける。

この現像処理により、ホトレジスト膜３２には、図６（ｂ）に示すように、作業台３０の平坦面３０ａを露出させる凹所３４が形成される。この凹所３４は、前記した接続部１４、アーム部１６を含むプローブ１０の平面形状に対応しており、凹所３４には、前記した凹溝２４に対応した形状部分も含まれている。

図６（ｃ）に示すように、凹所３４の接続部１４に対応する所望領域に凹所３４を残す厚さの金のメッキ層３６が必要に応じて形成されると、図６（ｄ）に示されているように、たとえば従来よく知られた電気鋳造技術を用いて、前記したニッケル、その合金または燐青銅のような導電性金属材料層３８が凹所３４内に堆積される。導電性金属材料層３８下に金メッキ層３６が形成されている場合には、導電性金属材料層３８はその下の金メッキ層３６と一体的に形成される。

導電性金属材料層３８の堆積後、図６（ｅ）に示すように、ホトレジスト膜３２が除去され、その後、図７（ａ）に示すように、導電性金属材料層３８が所定の板厚となるように、平面研削を受ける。

導電性金属材料層３８の平面研削後、再び前記したと同様な感光材を作業台３０上および導電性金属材料層３８上に塗布したのち、この感光材に前記したと同一の露光マスクを用いた選択露光および現像処理が施される。これにより、図７（ｂ）に示されているように、再び、導電性金属材料層３８を露出させるように該導電性金属材料層３８を縁取るホトレジスト膜４０が形成される。このホトレジスト膜４０は、導電性金属材料層３８を露出させる凹所４２を形成し、該凹所の該導電性金属材料層の表面までの深さは浅い。凹所４２は、また、プローブ１０の平面形状に対応した平面形状を有する。

このホトレジスト膜４０の凹所４２を利用して、図７（ｃ）に示されるように、金メッキ層３６と同様な金メッキ層４４が所望領域に形成される。この金メッキ層４４は、図７（ｃ）には示されていないプローブ本体１２の端面１２ａを覆う部分で先の金メッキ層３６と一体的に連なる。

金メッキ層４４の形成後、ホトレジスト膜４０が除去され、前記感光材が金メッキ層４４を覆うように、塗布された後、はんだメッキ層２２の平面形状に対応した露光マスクを用いて、前記感光材を選択露光する。この選択露光後の現像処理により、図７（ｄ）に示すように、金メッキ層４４を露出させるホトレジスト膜４６が形成される。このホトレジスト膜４６により形成される凹所４８の深さ、すなわち金メッキ層４４の表面までの深さは、はんだメッキ層２２の所望の厚さ寸法ｔにほぼ等しい。

凹所４８内に、前記したような錫単体または金、銀、銅およびビスマスのいずれか一種以上を含む錫合金のような加熱によって溶融可能の金属材料からなる導電性接着剤層５０が、例えば前記したと同様な電気鋳造技術を用いて、金メッキ層４４上にこれと一体的になるように堆積される。その後、導電性接着剤層５０の表面が必要に応じて平面研削を受け、作業台３０からホトレジスト膜４６が除去され、前記積層体（３６、３８、４４および５０）が作業台３０から取り外される。これにより、図７（ｅ）に示すように、前記したプローブ本体１２が形成され、該本体に針先１８が取り付けられて、プローブ１０が完成する。

前記したホトレジスト膜３２、４０、４６を用いるフォトリソグラフィ技術により、プローブ本体１２の形成工程でその端面１２ａに凹溝２４または波状曲面２４−１を形成し、あるいはプローブ本体１２の接続部１４に貫通孔２４−２を形成することができるので、効率的にプローブ１２を形成することができる。

また、フォトリソグラフィを用いて導電性接着剤層５０すなわちはんだメッキ層２２の堆積面積Ｓおよび堆積積厚さｔを高精度で制御することができるので、過不足のない適正かつ正確な量のはんだを接続部１４に保留させることができる。

前記したプローブ１０は、図８ないし図１０に示すプローブ組立体６０に使用することができる。

このプローブ組立体６０は、たとえば図示しないが半導体ウエハ上にマトリクス状に配列された多数の半導体チップのような半導体集積回路の導通試験に適用される。プローブ組立体６０は、図８および図９に示すように、円形の配線基板６２と、該配線基板の下面に配置された矩形のプローブ基板６４とを含む。図８に示すように、配線基板６２の上面には、通電試験のための図示しないテスターに接続される多数のテスターランド６２ａが形成されている。

プローブ基板６４は、図１０に示すように、例えばセラミックのような電気絶縁板６４ａを備え、該絶縁基板の下面には多数の配線路６４ｂが形成されている。各配線路６４ｂは、図示しないが従来よく知られているように、電気絶縁板６４ａの上面に達し、各配線路６４ｂが対応するテスターランド６２ａに電気的に接続されるように、プローブ基板６４はその上面すなわち電気絶縁板６４ａの上面が配線基板６２の下面に対向するように、該配線基板に固定されている。また、各６４ｂに形成されたプローブのための各取り付けランド部６６にプローブ１０、１０′が固着されている。

図１０に示す例では、前記したプローブ１０と、該プローブに類似のプローブ１０′が用いられている。プローブ１０とプローブ１０′との違いは、プローブ１０の接続部１４とアーム部１６との角度θが鈍角であるのに対し、プローブ１０′では、その接続部１４とアーム部１６との角度が鋭角θ′である。その他の構成は、プローブ１０と同一である。

各配線路６４ｂは、仮想直線Ｌを含みかつ電気絶縁板６４ａと直角な垂直面を間にして、その両側にそれぞれ形成されている。各配線路６４ｂは、それぞれ仮想線Ｌの伸長方向を幅方向として、前記垂直面に向けて伸長する。また、仮想直線Ｌの両側でそれぞれの配線路６４ｂは、終端位置が仮想直線Ｌに近いものと、遠いものとが、配線路６４ｂの幅方向へ交互に配列されている。さらに、仮想直線Ｌの一側の各配線路６４ｂの延長線が他側の各配線路６４ｂの間に伸長するように、仮想直線Ｌの両側で各配線路６４ｂの配列に相互にずれが与えられている。

各終端位置に前記ランド部６６（６６ａ、６６ｂ）が形成されており、仮想直線Ｌの各側で、該仮想直線に比較的遠い位置に設けられた取り付けランド部６６ａ上には、プローブ１０′が配置されている。また、取り付けランド部６６ａよりも仮想直線Ｌに近い位置に設けられた取り付けランド部６６ｂ上には、プローブ１０′が配置されている。

各プローブ１０、１０′は、それぞれの針先１８が仮想直線Ｌ上に整列するように、該仮想直線Ｌに沿って交互に配列されている。これら各プローブ１０、１０′は、対応するそれぞれの取り付けランド部６６（６６ａ、６６ｂ）上に各端面１２ａを載せた状態で、各プローブ１０、１０′のはんだメッキ層２２をレーザ光で走査することにより、はんだメッキ層２２を効率的に加熱して溶かし、その温度低下による固化によって、各プローブ１０、１０′をはんだの過不足なしに強固に対応する前記ランド部６６に固着することができる。

また、図１０に示すような各プローブ１０、１０′および配線路６４ｂの配置形態を採用することにより、隣接するプローブ１０、１０′にレーザ光による損傷を与えることを確実に防止し、また、はんだのはみ出しによる短絡を確実に防止すると共に、多数のプローブ１０、１０′の各針先１８を近接して配置することが可能となる。

本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々変更することができる。

１０、１０′ プローブ
１２ プローブ本体
１２ａ プローブ本体の端面
１４ 接続部
１４ａ、１４ｂ 接続部の側面
２２ はんだメッキ層
２４ 凹溝（案内部）
２４−１ 波状曲面（案内部）
２４−２ 貫通孔（案内部）
２６ 金メッキ層

Claims (15)

1. 板状の接続部を有し該接続部の端面がプローブ基板への接続面となるプローブ本体と、前記接続部の少なくとも一方の側面に予め形成されたはんだ層と、前記接続部に形成され、前記はんだ層が形成された前記一方の側面からその他方の側面に前記接続部をその板厚方向へ貫通し、前記はんだ層が溶融したとき、その一部を前記他方の側面に案内する案内部とを有する通電試験用プローブ。
2. 前記はんだ層は、錫単体または金、銀、銅およびビスマスのいずれか一種以上を含む錫合金から成る溶融可能の導電性接着剤層である、請求の範囲１に記載のプローブ。
3. 前記はんだ層はメッキ層である、請求の範囲１に記載のプローブ。
4. 前記案内部は前記接続部の前記端面に開放する該端面上の凹溝で形成されている、請求の範囲１に記載のプローブ。
5. 前記凹溝は、前記端面上で前記接続部の板厚方向と直角な伸長方向へ連なる波状曲面によって形成されている、請求の範囲４に記載のプローブ。
6. 前記プローブ本体は、ニッケル、その合金または燐青銅によって形成され、前記プローブ本体の前記一方の側面と前記はんだ層との間には、金メッキ層が配置されている、請求項１に記載のプローブ。
7. 複数の取り付けランド部が形成された配線路を有するプローブ基板と、該プローブ基板の前記ランド部に固着される複数のプローブとを備え、該各プローブは、板状の接続部を有し該接続部の端面が前記ランド部に対向して配置されるプローブ本体と、前記接続部の少なくとも一方の側面に予め形成されたはんだ層と、前記接続部に形成され、前記はんだ層が形成された前記一方の側面からその他方の側面に前記接続部をその板厚方向へ貫通し、前記はんだ層が溶融したとき、その一部を前記他方の側面に案内する案内部とを有し、前記はんだ層の溶融後の固化により前記接続部の前記端面が対応する前記ランド部に固着されている通電試験用プローブ組立体。
8. 前記はんだ層は、錫単体または金、銀、銅およびビスマスのいずれか一種以上を含む錫合金から成る溶融可能の導電性接着剤層である、請求の範囲７に記載のプローブ組立体。
9. 前記はんだ層はメッキ層である、請求の範囲７に記載のプローブ組立体。
10. 前記案内部は前記接続部の前記端面に開放する該端面上の凹溝で形成されている、請求の範囲７に記載のプローブ組立体。
11. 前記凹溝は前記端面上で前記接続部の板厚方向と直角な伸長方向に連なる波状曲面によって形成されている、請求の範囲１０に記載のプローブ組立体。
12. 板状の接続部を有し該接続部の端面に前記接続部の一方の側面からその他方の側面に該接続部の板厚方向へ貫通する案内部が設けられたプローブ本体をホトリソグラフィを利用して形成するステップと、前記プローブ本体の前記接続部の少なくとも前記一方の側面に溶融可能であり溶融したとき、その一部が前記案内部によって前記他方の面に案内されるはんだ層を形成するステップとを含む、通電試験用プローブの製造方法。
13. 前記プローブ本体の前記接続部の前記一方の側面に前記はんだ層を形成するステップは、前記プローブ本体を形成する前記ステップのホトリソグラフィを利用して形成される、請求の範囲１２に記載の製造方法。
14. 板状の接続部を有し該接続部の端面に前記接続部の一方の側面からその他方の側面に前記接続部の板厚方向へ貫通し、前記一方の側面からその他方の側面に溶融はんだを案内する案内部が設けられたプローブ本体をホトリソグラフィを利用して形成するステップと、前記プローブ本体の前記接続部の少なくとも前記一方の側面にはんだ層を形成するステップと、前記プローブ本体の前記接続部の前記端面を前記プローブ本体のためのランド部に当接させた状態で前記はんだ層の溶融のためにレーザを前記プローブ本体の接続端部に向けて照射するステップとを含むプローブ組立体の製造方法。
15. 前記プローブ本体の前記端部の前記側面に前記はんだ層を形成するステップは、前記プローブ本体を形成する前記ステップのホトリソグラフィを利用して形成される請求の範囲１４に記載の製造方法。

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