JP2000338198A - 電位測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型・安価で被測定物や電気光学素子を破壊
することなく、高周波で被測定物の電位を測定すること
のできる電位測定装置を提供する。 【解決手段】 電界により光学的性質が変化する電気光
学素子１の表面に少なくとも２つの電極２，３を形成
し、電極２，３を被測定配線基板５の電極６，７に電気
的に接続する。レーザダイオードパルス光源１２からの
光の電気光学素子１による光学的性質の変化を光検出部
２０で光強度変化に変換して検出する。高速信号に対応
した安価で被測定物や電気光学素子を破壊することのな
い電位測定装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被測定物の電位を
光プローブで測定する電位測定装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】集積回路などの被測定物の所定部分の電
圧を測定する場合、通常はプローブを所定箇所に電気的
に接触させて測定する。この方法を図７に示す。図７に
おいて、３６は被測定基板、３７、３８は被測定基板上
の電極、３９、４０、４１は集積回路である。集積回路
３９、４０、４１上のＦＥＴを電極３７、３８に電気的
に接続することにより、ＦＥＴには電極３７、３８の電
圧に対応した電圧が加わり、ＦＥＴのドレイン・ソース
間にはそれに対応した電流が流れる。しかしながら、こ
の方法では高周波信号を測定するに際し、ＦＥＴの容量
や配線のインダクタンスが無視できなくなり、測定精度
が悪化する。また、ＦＥＴを電気的に接触させることに
より被測定物の電位に影響を与え、正しい電位が測定で
きないなどの悪影響を及ぼす傾向がある。特にそれらの
影響は高周波において顕著である。

【０００３】これに対し、電気光学素子を用いて電気的
に非接触で被測定物の電位を測定する方法が、例えば特
開平６−６６８４０号公報に開示されている。この方法
では、ニオブ酸リチウムなどの電気光学結晶を被測定物
に近接させ、電界強度に応じた複屈折率の変化を検出す
ることで電位を測定している。

【０００４】図８にこの方法を示す。

【０００５】図８において、４２はニオブ酸リチウム、
４３はレーザーダイオードパルス光源、４４は偏光子、
４５はハーフミラー、４６は対物レンズ、３６は被測定
基板、４７は台座、４８は支持体、４９はソレイユ・バ
ビネ補償板、５０は光検出部である。

【０００６】電気光学素子４２が取り付けられた支持体
４８の先端を被測定基板３６の電界内に位置させて、電
気光学素子４２内に直線偏光ビームを照射する。この光
ビームは電気光学素子４２の被測定基板３６側の端面で
反射され、光検出部５０で受光される。電気光学素子４
２で反射された光ビームの偏光状態は、被測定基板３６
による電気光学素子４２内部の電界強度に応じて変化す
る。このため、光検出部５０の出力により被測定基板３
６の電位が測定される。

【０００７】この電位測定装置の検出感度は、電気光学
素子４２と被測定基板３６との間の距離に大きく依存し
ており、また、一般的にこの距離が短くなるほど高い検
出感度を得ることができる。しかしながら、検出感度を
上げるために電気光学素子４２と被測定基板３６の距離
を短くすると、電気光学素子４２および被測定基板３６
を破損する危険性が高まるため、圧電素子等をもちい、
距離を制御する機構が必要になる。この他には、バネを
用いて電気光学素子４２と被測定基板３６を接触させる
手法などがあるが、電気光学素子４２と被測定基板３６
間に圧力が加わり破損する危険性が高いことに変わりは
ない。

【０００８】このように、どの手法においても電気光学
素子４２と被測定基板３６を破壊することなく近接させ
るには、複雑な制御系を有するという欠点が存在する。
また、この結果、測定装置が大きくなる、測定距離が大
きくなり測定精度が低下する、コストが高くなる、など
の欠点を有する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、上述の
従来の電位測定装置は、被測定基板の高周波信号の電位
を測定することを目的としているが、ＦＥＴの容量が悪
影響を与える、配線のインダクタンスが影響する、被測
定基板を破壊する可能性がある、また、電気光学素子を
破壊する、などの欠点を有する。

【００１０】本発明は、電位測定装置の上記欠点を克服
するものであり、小型・安価で被測定物や電気光学素子
を破壊することなく、高周波で被測定物の電位を安定に
測定することのできる電位測定装置を提供することを目
的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電位測定装置は以下の構成とする。

【００１２】すなわち、本発明の電位測定装置は、電界
により光学的性質が変化する電気光学素子と、前記電気
光学素子の表面に形成された少なくとも２つの電極と、
前記電極を被測定配線基板に電気的に接続することによ
り発生する前記電気光学素子の光学的性質の変化を光強
度変化に変換して検出する光検出部とを有することを特
徴とする。本発明によれば、電気光学素子の表面に、被
測定配線基板と電気的に接続する電極を有しているの
で、高速信号に対応し、被測定物や電気光学素子を破壊
することなく、安価に高精度に電位を測定できる電位測
定装置を提供することができる。

【００１３】上記の構成において、前記電気光学素子が
前記配線基板に固着されていることが好ましい。かかる
好ましい構成によれば、従来の測定装置では必要であっ
た電気光学素子の位置制御装置が不要となり、装置の小
型化と構造の簡素化が実現でき、安価に製造することが
できる。

【００１４】また、上記の構成において、前記電気光学
素子と前記電極と前記光検出部とが１つのパッケージと
して一体化されていることが好ましい。かかる好ましい
構成によれば、被測定配線基板の任意の位置にパッケー
ジを取り付けることで、任意の電極の電位を測定するこ
とができ、測定の自由度と、電位測定装置の取り扱い性
が向上する。

【００１５】また、上記の構成において、前記配線基板
に固定した際、前記配線基板の表面の法線方向に複数個
の光検出部が積層されることが好ましい。かかる好まし
い構成によれば、複数の電位を同時に容易に測定可能な
小型の電位測定装置を提供することができる。しかも、
電気光学的に電位を測定するために伝達される信号の遅
延時間の増大や伝送波形の劣化が生じず、高精度な測定
を行なうことができる。

【００１６】また、上記の構成において、前記電気光学
素子の前記配線基板への固定は、導電性を有する接着
剤、金属粒子を混合した有機材料、又は導電性を有する
金属化合物を用いて行なうことができる。ここで、導電
性を有する接着剤としては、たとえば、アセチレン系導
電性高分子、電荷移動錯体（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）、ポリ
フェニレン等を用いることができる。また、金属粒子を
混合した有機材料としては、たとえば、金属粒子として
銀、ニッケル、金、白金等、有機材料としてエポキシ
系、フェノール系の材料を用いたもの、例えばドータイ
ト等を用いることができる。また、導電性を有する金属
化合物としては、たとえば、鉛系半田、銀・すず系半田
等を用いることができる。特に、導電性を有する金属化
合物が半田であると、パッケージングのための接着剤が
不要となるので好ましい。

【００１７】また、上記の構成において、前記電気光学
素子が、ニオブ酸リチウム、又は亜鉛とテルルの化合物
からなるのが好ましい。かかる好ましい構成によれば、
電気光学効果が大きく、微小な電圧変化を測定すること
ができる。

【００１８】また、上記の構成において、前記電極に加
えられる電圧変化が、位相が１８０度異なる電位である
と、外部の電界、磁界の影響を受けにくくなり、微小な
電圧変化を測定することができるので好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１から図６を用いて説明する。

【００２０】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１にかかる電位測定装置の概略構成を示す正面図であ
る。

【００２１】図１において、１は電気光学素子、２、３
は電気光学素子１上に形成された電極、５は被測定基
板、６、７は被測定基板５上に形成された電極、９、１
０は導電性接着剤、１２はレーザーダイオードを用いた
ＬＤパルス光源、１３は偏光子、１４は対物レンズ、１
５はハーフミラー、１６はソレイユ・バビネ補償板、１
７、１８はＰＩＮフォトダイオード、１９は偏光ビーム
スプリッタである。また、２０はソレイユ・バビネ補償
板１６及びＰＩＮフォトダイオード１７、１８、及び偏
光ビームスプリッタ１９からなる光検出部である。

【００２２】電気光学素子１上に形成された電極２、３
はそれぞれ導電性接着剤９、１０をもちいて被測定基板
５上に形成された電極６、７に電気的に接続されてい
る。そのため、電気光学素子１上の電極２、３は被測定
基板５上に形成された電極６、７と同電位であり、電気
光学素子１内部に電極６、７の電位差に応じた電界が生
じている。この電界の大きさは、電極２、３が電気光学
素子１上に形成されているため、電極２、３が空間を介
して電気光学素子１と相対している場合より大きな値を
とる。

【００２３】ＬＤパルス光源１２から出た光は偏光子１
３を通過し直線偏光され、対物レンズ１４を通過した
後、電気光学素子１に入射する。この光は電気光学素子
１上の電極２で反射した後、ハーフミラー１５で反射さ
れ、ソレイユ・バビネ補償板１６、ＰＩＮフォトダイオ
ード１７、１８、偏光ビームスプリッタ１９からなる光
検出部２０に入射し、複屈折率の変化が電圧変化量とし
て検出される。

【００２４】実際に電気光学素子１として、大きさを１
０ｍｍ角、厚み１００μｍのニオブ酸リチウムを用い、
電極６、７の幅および間隔をいずれも１５０μｍとした
場合の電極６、７間の電圧変化を測定した例を図２に示
す。なお、本実施例において電極６、７に振幅１．２
Ｖ、周期２０ｎｓｅｃでそれぞれ位相が１８０度異なる
パルスを与えた。図２より、電極６、７間に従来の測定
系では測定が困難であった数ｎｓｅｃの時間における数
ｍＶの電位差の変化が測定できていることが確認でき
る。従来では電極端等における電気信号の反射は、ＦＥ
Ｔプローブの接触により電極上の電気信号そのものが乱
され、測定できなかった。また、本実施例においては、
ＦＥＴへの電気配線が存在せずインダクタンスの影響が
全く存在しないことは明らかである。この結果、本実施
例の構成を用いることにより、数ｎｓｅｃ以下の時間に
おける数ｍＶの電圧変化が測定できることが明らかにな
った。

【００２５】また、本実施の形態では、従来の測定系で
必要とされた電気光学素子１の位置制御装置がなく、安
価に製造可能であることは明らかである。

【００２６】また、本実施の形態の場合、測定可能な最
小時間単位はＬＤパルス光源１２のパルス幅により決定
されることは明らかであり、よりパルス幅の短い光源を
用いることにより、より短時間での測定が可能になるこ
とは明らかである。さらに、電気光学素子１上の電極２
を光線の反射膜として使用したが、別途光線反射用の膜
を電気光学素子１上に作成しても何ら問題はない。

【００２７】また、本実施の形態においては、直線偏光
を用いたが、楕円偏光や円偏光でもよく、電気光学素子
１の複屈折率の変化を測定できる光学系であれば同様の
効果が得られることは明らかであり、光源もＬＤパルス
光源に限られないことは明らかである。

【００２８】さらに、電気光学素子としてはニオブ酸リ
チウムに限られず、亜鉛−テルルの化合物でもよく、そ
の他、タンタル酸リチウム、砒化ガリウムなど電気光学
的性質を有するものであっても良く、有機分子膜や分子
薄膜等を用いても良い。

【００２９】さらに、電極６、７と電極２、３を電気的
に接続するに際し、導電性接着剤を用いたが、電気的に
導電性を有する材料であれば良く、半田等の材料を用い
ても良いし、金もしくはアルミニウム等からなるワイヤ
を用いて接続しても良いことは明らかである。

【００３０】（実施の形態２）図３は本発明の実施の形
態２にかかる電位測定装置の概略構成を示しており、図
３（Ａ）は正面図、図３（Ｂ）は側面図である。

【００３１】図３において、１は電気光学素子、２、
３、４は電気光学素子１上に形成された電極、５は被測
定基板、６、７、８は被測定基板５上に形成された電
極、９、１０、１１は導電性接着剤、１２はレーザーダ
イオード、２１は偏光板、２２は光検出素子を有する集
積回路、２３、２４、２５はそれぞれ電気光学素子１、
レーザーダオード１２、集積回路２２を固定するための
接着剤である。

【００３２】電気光学素子１上に形成された電極２、
３、４は導電性接着剤９、１０、１１を用いて被測定基
板５上に形成された電極６、７、８に電気的に接続され
ており、電極６、７、８の電圧変化に応じた電界が電気
光学素子１内部に形成される。この時、電極２、３、４
間の容量は、各電極が対向しておらず電極間隔が１０μ
ｍ以上あるために非常に小さく、１００ｆＦ以下であ
る。このため、電極６、７、８と電極２、３、４間の電
圧は検出可能な遅延時間を有さずに同期して変化する。

【００３３】レーザーダイオード１２は電気光学素子１
上に傾斜して固定されており、レーザーダイオード１２
から出た光は偏光板２１により直線偏光された後、電気
光学素子１に斜めに入射し、裏面の電極３により反射さ
れる。このとき、電極２、３、４に対応した電界が電気
光学素子１内部に生じているために、入射光は電界に対
応した複屈折を起こす。この複屈折光は再び偏光板２１
により直線偏光された後、集積回路２２に形成された光
検出素子に入射する。この結果、集積回路２２に電極
２、３、４の電位差に応じた光出力が検出される。

【００３４】実際に電気光学素子１として、大きさを２
０ｍｍ角、厚み１００μｍのニオブ酸リチウムを用い、
電極６、７、８の幅および間隔を１５０μｍとした場合
の電極６、７、８間の電圧変化を測定した例を図４に示
す。なお、本実施例においては電極６、８に振幅１．２
Ｖ、周期２ｎｓｅｃのパルスを、電極７に同振幅、同周
期で位相が１８０度異なるパルスを与えた。図４より電
極６、７、８間に従来の測定系では測定が困難であった
数ｎｓｅｃの時間における数ｍＶの電位差の変化が測定
できていることが確認できる。従来では電極端等におけ
る電気信号の反射は、ＦＥＴプローブの接触により電極
上の電気信号そのものが乱され、測定できなかった。し
かしながら、本実施の形態の構成を用いることにより、
１０ｐｓｅｃ以下の時間における数十ｍＶの電圧変化が
測定できることが明らかになった。

【００３５】また、本実施の形態では、従来の測定系で
必要とされた電気光学素子１の位置制御装置がなく、安
価に製造可能であることは明らかである。

【００３６】また、本実施の形態の場合、測定可能な最
小時間単位はレーザーダイオード１２のパルス幅により
決定されることは明らかであり、よりパルス幅の短い光
源を用いることにより、より短時間での測定が可能にな
ることは明らかである。さらに、電気光学素子１上の電
極３を光線の反射膜として使用したが、別途光線反射用
の膜を電気光学素子１上に作成しても何ら問題はない。

【００３７】また、本実施の形態においては、直線偏光
を用いたが、楕円偏光や円偏光でもよく、電気光学素子
１の複屈折率の変化を測定できる光学系であれば同様の
効果が得られることは明らかであり、光源もレーザーダ
イオードに限られないことは明らかである。

【００３８】さらに、電気光学素子としてはニオブ酸リ
チウムに限られず、亜鉛−テルルの化合物でもよく、そ
の他、タンタル酸リチウム、砒化ガリウムなど電気光学
的性質を有するものであれば良く、有機分子膜や分子薄
膜等を用いても良い。

【００３９】さらに、電極６、７、８と電極２、３、４
を電気的に接続するに際し、導電性接着剤を用いたが、
電気的に導電性を有する材料であれば良く、半田等の材
料を用いても良いし、金もしくはアルミニウム等からな
るワイヤを用いて接続しても良いことは明らかである。

【００４０】さらに、接着剤２３、２４、２５の代わり
に他の固定手段を用いても良く、例えば導電性接着剤
９、１０、１１の代わりに半田を用いた場合、当該半田
が固定手段となるため、特に接着剤２３は必要なくなる
ことも明らかである。

【００４１】図５は本発明の実施の形態２にかかる第２
の電位測定装置の概略構成を示した側面図である。

【００４２】図５において、１は電気光学素子、２、
３、４は電気光学素子１上に形成された電極、２６はキ
ャリア基板、２７、２８はキャリア基板上下のランド電
極、２９はキャリア基板２６の上下面を電気的に接続す
るビア、５は被測定基板、３０はキャリア基板２６と被
測定基板５を接続する半田ボール、６、７、８は被測定
基板５上に形成された電極、９、１０、１１は導電性接
着剤、１２はレーザーダイオード、２１は偏光板、２２
は光検出素子を有する集積回路、２３、２５は電気光学
素子１、レーザーダオード１２、集積回路２２を固定す
るための接着剤、３１は内部に電気光学素子１、レーザ
ーダオード１２、集積回路２２を含む電子部品パッケー
ジである。

【００４３】本実施の形態において、電気光学素子１、
レーザーダオード１２、集積回路２２は、キャリア基板
２６上で一括して接着剤２３および２５を用いて封止さ
れている。

【００４４】キャリア基板２６の両面のランド電極２
７，２８はビア２９を用いて電気的に接続され、またキ
ャリア基板２６の下面のランド電極２８は半田ボール３
０を用いて被測定基板５上の電極６、７、８と電気的に
接続されている。被測定基板５上の電極６、７、８は、
図３（Ａ）に示したのと同様に、図５の紙面垂直方向に
相互に独立して配置されており、これらに対応するよう
に、半田ボール３０、ランド電極２７，２８、及びビア
２９がそれぞれ相互に絶縁して形成されている。以上の
結果、電極６、７、８の電位は、キャリア基板２６上の
対応するランド電極２７、２８を介して電気光学素子１
上に形成された電極２，３，４とそれぞれ同電位であ
り、電極６、７、８の電位が電気光学的に測定できるこ
とは上記図３においてすでに示した。

【００４５】また、本実施の形態の構造を用いることに
より、半田接続をもちいて被測定基板５上の任意の電極
の電位を測定することが可能になり、より自由度が大き
な構成をとることができる。また、電子部品パッケージ
３１として構成することにより、被測定基板５上に光学
回路が存在せず、取り扱いが容易が容易になる。光学回
路が電子部品パッケージ内部に一体化されていれば同様
の効果が得られることは明らかであり、電子部品パッケ
ージの構成としては、他に、ＱＦＰなどの樹脂封止パッ
ケージや、ハーメチックシールを用いたカンパッケー
ジ、セラミック基板を用いたＰＧＡパッケージなどが考
えられる。

【００４６】（実施の形態３）図６は本発明の実施の形
態３にかかる電位測定装置の概略構成を示しており、図
６（Ａ）は正面図、図６（Ｂ）は側面図である。

【００４７】図６において、１は電気光学素子、２、
３、４は電気光学素子１上に形成された電極、５は被測
定基板、６、７、８は被測定基板５上に形成された電
極、９、１０、１１は導電性接着剤、１２はレーザーダ
イオード、２１は偏光板、３２ａ、３２ｂ、３２ｃは光
検出素子を有する集積回路、３４、３５は電気光学素子
１、レーザーダオード１２、集積回路３１、３１、３１
を固定するための接着剤である。

【００４８】本実施の形態においてレーザーダイオード
１２は３つの発光素子を有し、それぞれ電気光学素子１
の電極２，３，４で反射した後、集積回路３２ａ、３２
ｂ、３２ｃに形成された受光素子に入射する。この結
果、電極６、７、８の電位差が電気光学的に測定できる
ことは実施の形態２においてすでに示した。従来の電気
的なプローブを用いた回路では、電極６、７、８に直接
電気的にＦＥＴを接続する必要があるため、多数のＦＥ
Ｔを同一の電極もしくはラインに接続すると、容量が増
加し、遅延時間の増大や伝送波形の劣化を招くという欠
点があった。しかしながら、本実施の形態のように電気
光学的測定手段を用いることにより、多数の集積回路に
同一の信号を遅延時間の増大や伝送波形の劣化を招くこ
となしに伝達することが可能になる。

【００４９】また、多数の集積回路を鉛直方向に多数積
み上げた従来の構造においては、上段の集積回路を電極
６、７、８に接続するための線路（例えば金ワイヤな
ど）は長くなり、下段の集積回路を電極６、７、８に接
続するための線路は短くなり、インダクタンスが各集積
回路により異なるなどの欠点を有した。しかしながら、
本実施の形態においては、電気光学的な測定であるた
め、これらの劣化は存在しないという長所があり、従来
不可能であった、高周波における集積回路の多段接続が
可能になる。実際に本実施の形態における構造を作成
し、測定した結果、従来の電気的測定方法では、伝送波
形の劣化を招くことなしには接続できなかった多段の集
積回路を伝送波形の劣化を招くことなしに集積回路を接
続できた。

【００５０】また、本実施の形態では、従来の測定系で
必要とされた電気光学素子１の位置制御装置がなく、安
価に製造可能であることは明らかである。

【００５１】また、本実施の形態の場合、測定可能な最
小時間単位はレーザーダイオード１２のパルス幅により
決定されることは明らかであり、よりパルス幅の短い光
源を用いることにより、より短時間での測定が可能にな
ることは明らかである。さらに、電気光学素子１上の電
極２，３，４を光線の反射膜として使用したが、別途光
線反射用の膜を電気光学素子１上に作成しても何ら問題
はない。

【００５２】また、本実施の形態においては、直線偏光
を用いたが、楕円偏光や円偏光でもよく、電気光学素子
１の複屈折率の変化を測定できる光学系であれば同様の
効果が得られることは明らかであり、光源もレーザーダ
イオードに限られないことは明らかである。

【００５３】さらに、電気光学素子としてはニオブ酸リ
チウムに限られず、亜鉛−テルルの化合物でもよく、そ
の他、タンタル酸リチウム、砒化ガリウムなど電気光学
的性質を有するものであれば良く、有機分子膜や分子薄
膜等を用いても良い。

【００５４】さらに、電極６、７、８と電極２、３、４
を電気的に接続するに際し、導電性接着剤を用いたが、
電気的に導電性を有する材料であれば良く、半田等の材
料を用いても良いし、金もしくはアルミニウム等からな
るワイヤを用いて接続しても良いことは明らかである。

【００５５】さらに、接着剤３４、３５のかわりに他の
固定手段を用いても良く、例えば導電性接着剤９、１
０、１１の代わりに、半田を用いた場合、当該半田が固
定手段となるため、特に接着剤３４は必要なくなること
も明らかである。

【００５６】

【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明によれば、電気光学素子の表面に、被測定配線基板と
電気的に接続する電極を有しているので、高速信号に対
応し、被測定物や電気光学素子を破壊することなく、安
価に高精度に電位を測定できる電位測定装置を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１にかかる電位測定装置
の概略構成を示す正面図

【図２】 本発明の実施の形態１による電位測定結果の
一例を示す図

【図３】 本発明の実施の形態２にかかる電位測定装置
の概略構成を示した図であり、図３（Ａ）は正面断面
図、図３（Ｂ）は側面断面図

【図４】 本発明の実施の形態２による電位測定結果の
一例を示す図

【図５】 本発明の実施の形態２にかかる電位測定装置
の別の構成例の概略構成を示した側面断面図

【図６】 本発明の実施の形態３にかかる電位測定装置
の概略構成を示した図であり、図６（Ａ）は正面断面
図、図６（Ｂ）は側面断面図

【図７】 従来の電位測定の方法を説明するための被測
定基板の概略構成を示した斜視図

【図８】 従来の電位測定装置の概略構成を示した正面
図

【符号の説明】

１・・・・・電気光学素子 ２、３、４・・・・・電気光学素子上の電極 ５・・・・・被測定基板 ６、７、８・・・・・被測定基板上の電極 ９、１０、１１・・・・・導電性接着剤 １２・・・・・レーザーダイオードパルス光源 １３・・・・・偏光子 １４・・・・・対物レンズ １５・・・・・ハーフミラー １６・・・・・ソレイユ・バビネ補償板 １７、１８・・・・・ＰＩＮフォトダイオード １９・・・・・偏光ビームスプリッタ ２０・・・・・光検出部 ２１・・・・・偏光板 ２２・・・・・光検出素子を有する集積回路 ２３、２４、２５・・・・・接着剤 ２６・・・・・キャリア基板 ２７、２８・・・・・キャリア基板上下のランド電極 ２９・・・・・ビア ３０・・・・・半田ボール ３１・・・・・電子部品パッケージ ３２ａ、３２ｂ、３２ｃ・・・・・光検出素子を有する
集積回路 ３４、３５・・・・・接着剤 ３６・・・・・被測定基板 ３７、３８・・・・・被測定基板上の電極 ３９、４０、４１・・・・・集積回路 ４２・・・・・ニオブ酸リチウム ４３・・・・・レーザーダイオードパルス光源 ４４・・・・・偏光子 ４５・・・・・ハーフミラー ４６・・・・・対物レンズ ４７・・・・・台座 ４８・・・・・支持体 ４９・・・・・ソレイユ・バビネ補償板 ５０・・・・・光検出部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田口 豊 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 別所 芳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2G011 AB01 AC06 AC32 AE01 AF06 2G032 AB01 AE04 AF07 AK03 2G035 AA13 AC11 AD36 AD37 AD38 AD43 4M106 AA20 BA05 CA08 DH01 DH12 DH32 DH37 DH40

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電界により光学的性質が変化する電気光
   学素子と、 前記電気光学素子の表面に形成された少なくとも２つの
   電極と、 前記電極を被測定配線基板に電気的に接続することによ
   り発生する前記電気光学素子の光学的性質の変化を光強
   度変化に変換して検出する光検出部とを有することを特
   徴とする電位測定装置。
2. 【請求項２】 前記電気光学素子が前記配線基板に固着
   されている請求項１に記載の電位測定装置。
3. 【請求項３】 前記電気光学素子と前記電極と前記光検
   出部とが１つのパッケージとして一体化されている請求
   項１に記載の電位測定装置。
4. 【請求項４】 前記配線基板に固定した際、前記配線基
   板の表面の法線方向に複数個の光検出部が積層される請
   求項１〜３のいずれかに記載の電位測定装置。
5. 【請求項５】 前記電気光学素子が導電性を有する接着
   剤で前記配線基板に固定されている請求項２に記載の電
   位測定装置。
6. 【請求項６】 前記電気光学素子が金属粒子を混合した
   有機材料で前記配線基板に固定されている請求項２に記
   載の電位測定装置。
7. 【請求項７】 前記電気光学素子が導電性を有する金属
   化合物で前記配線基板に固定されている請求項２に記載
   の電位測定装置。
8. 【請求項８】 導電性を有する金属化合物が半田である
   請求項７に記載の電位測定装置。
9. 【請求項９】 前記電気光学素子がニオブ酸リチウムか
   らなる請求項１〜８のいずれかに記載の電位測定装置。
10. 【請求項１０】 前記電気光学素子が亜鉛とテルルの化
    合物からなる請求項１〜８のいずれかに記載の電位測定
    装置。
11. 【請求項１１】 前記電極に加えられる電圧変化が、位
    相が１８０度異なる電位である請求項１〜４のいずれか
    に記載の電位測定装置。