JPS63133068A - 回路電圧検出装置 - Google Patents
回路電圧検出装置Info
- Publication number
- JPS63133068A JPS63133068A JP61280498A JP28049886A JPS63133068A JP S63133068 A JPS63133068 A JP S63133068A JP 61280498 A JP61280498 A JP 61280498A JP 28049886 A JP28049886 A JP 28049886A JP S63133068 A JPS63133068 A JP S63133068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- probe
- light
- circuit
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、回路に与える負荷が小さく、かつ検出速度が
速く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な
回路電圧検出装置に関する。
速く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な
回路電圧検出装置に関する。
（従来の技術および発明が
解決しようとする問題点）
回路電圧検出装置として、いわゆる回路テスタのように
極めて軽便なものから、極めてｍ雑な回路電圧検出装置
まで種々の装置が利用されている。
極めて軽便なものから、極めてｍ雑な回路電圧検出装置
まで種々の装置が利用されている。
近年、被測定回路が複雑かつ小形となり極めて微細な部
分の電圧および、高速度の電圧変化を測定じたいという
強い要望がある。
分の電圧および、高速度の電圧変化を測定じたいという
強い要望がある。
特に集積回路においては回路の各部分は、極めて小さく
、外部から各接点の電圧を直接測定することは困難であ
り、外部に引き出された端子から得られる電圧情報のみ
からは内部の動作を分析することは困難である。
、外部から各接点の電圧を直接測定することは困難であ
り、外部に引き出された端子から得られる電圧情報のみ
からは内部の動作を分析することは困難である。
さらに各回路の動作マージンが少ないので外部からプロ
ーブを接触させるだけで動作状況が変わってしまう。
ーブを接触させるだけで動作状況が変わってしまう。
さらに検出器の動作速度が被測定超高速回路に追従でき
ない場合も生じている。
ない場合も生じている。
被接触で回路動作を検出することができる装置として、
電子ビームテスタが知られている。
電子ビームテスタが知られている。
しかし電子ビームテスタを動作させるには、真空を必要
とし、１１定の対象は半導体表面が露出させられている
ものに限られる。
とし、１１定の対象は半導体表面が露出させられている
ものに限られる。
またこの電子ビームテスタによれば、測定対象を電子ビ
ームにより損なうおそれがある。
ームにより損なうおそれがある。
本発明の目的は、前述した従来製品の欠点を解消し、測
定対象の回路に与える負荷が小さく、がつ検出速度が速
く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な回
路電圧検出装置を提供することにある。
定対象の回路に与える負荷が小さく、がつ検出速度が速
く、小形の回路の各部の電圧の検出等に適した新規な回
路電圧検出装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明による回路電圧検出
装置は、細い先端部分に全圧層が設けられている電気光
学効果物体からなる光プローブと、光源と、前記光源か
らの光を前記プローブの前記電気光学効果物体の内部を
通過ないしは反射して通過するように光ビームを入射さ
せる光学手段と、前記プローブの前記全圧層に誘導され
た電位によりＹ響を受けた前記電気光学効果物体の中を
通過ないしは反射して通過することにより変調を受けた
被変調光ビームの変調度を検出する検出手段から構成さ
れている。
装置は、細い先端部分に全圧層が設けられている電気光
学効果物体からなる光プローブと、光源と、前記光源か
らの光を前記プローブの前記電気光学効果物体の内部を
通過ないしは反射して通過するように光ビームを入射さ
せる光学手段と、前記プローブの前記全圧層に誘導され
た電位によりＹ響を受けた前記電気光学効果物体の中を
通過ないしは反射して通過することにより変調を受けた
被変調光ビームの変調度を検出する検出手段から構成さ
れている。
前記変調は被変調光偏波面の回転であり、前記検出手段
は原入射光との比率を出力信号とするように構成するこ
とができる。
は原入射光との比率を出力信号とするように構成するこ
とができる。
前記光プローブの中を通過する光ビームは、電気光学結
晶の中で多数回反射されて通過させられるようにするこ
とができる。
晶の中で多数回反射されて通過させられるようにするこ
とができる。
前記プローブの先端部を絶縁物で覆い、被測定電気回路
の一部に直接接触させるようにすることができる。
の一部に直接接触させるようにすることができる。
前記光源の光ビーム発生源としてレーザダイオードを利
用することができる。
用することができる。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第１図は、本発明による回路電圧検出装置の実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
略円筒状のＬｉＴａｏ３の単結晶の電気光学効果物体１
は光プローブの中心部を形成している。
は光プローブの中心部を形成している。
１ｉＴａ（Ｌ＋の単結晶の代わりにＰＬＺＴの単結晶や
その他の電気光学効果物体を使用することができる。
その他の電気光学効果物体を使用することができる。
光プローブの中心部を形成する前記Ｌ ｉ Ｔ ａ Ｏ
３の単結晶の下端部は円錐状に加工され、最も小さい底
面には全屈薄膜（金属Ｆｉ＋’） ２が被着されてい
る。この金属薄１！ｌ！２が被着された部分が被測定回
路部分に近接される光プローブの尖端部を形成している
。
３の単結晶の下端部は円錐状に加工され、最も小さい底
面には全屈薄膜（金属Ｆｉ＋’） ２が被着されてい
る。この金属薄１！ｌ！２が被着された部分が被測定回
路部分に近接される光プローブの尖端部を形成している
。
またこの金属薄膜２は、電気光学効果物体１の内部に導
入された光ビーム３を反射して戻す反射面としての機能
も備えている。
入された光ビーム３を反射して戻す反射面としての機能
も備えている。
前記金ｇｋ薄膜２に対応して前記電気光学効果物体１の
外周部に導電性電極４が設けられている。
外周部に導電性電極４が設けられている。
この導電性電極４には適当な予定された電位（接地など
）または交流検出のための予定された交流電位またはパ
ルス電位を与えられる。
）または交流検出のための予定された交流電位またはパ
ルス電位を与えられる。
金Ｍ薄膜２の電位は被測定回路部分からの誘導により定
まり、導電性電極４と全屈薄膜２との間に電界を発生す
る。
まり、導電性電極４と全屈薄膜２との間に電界を発生す
る。
なお、光プローブの尖端は、直接電気回路に触れても良
いように、絶縁物で覆われている。
いように、絶縁物で覆われている。
この電界により電気光学効果物体１の内部に導入された
光ビーム３が前記電界に対応する電気光学効果を受ける
。
光ビーム３が前記電界に対応する電気光学効果を受ける
。
光プローブの構造、すなわち電気光学効果物体１、導電
性電極４、全屈ｖｊ膜２の形状構造は、金屈薄Ｐｔ！２
の電位の変化により電気光学効果物体１の内部に電気光
学す１果が有効に生じるように配慮されている。
性電極４、全屈ｖｊ膜２の形状構造は、金屈薄Ｐｔ！２
の電位の変化により電気光学効果物体１の内部に電気光
学す１果が有効に生じるように配慮されている。
さらに、電気光学効果物体１の中を進行する光ビームの
光路ば、電気光学効果の影響を受けやすくするために、
電気光学効果物体１の中の電気光学的変化を受けた部分
の光路長が長くなるように、結晶の中で多数回反射され
るようにすることができる。
光路ば、電気光学効果の影響を受けやすくするために、
電気光学効果物体１の中の電気光学的変化を受けた部分
の光路長が長くなるように、結晶の中で多数回反射され
るようにすることができる。
導電性電極４の電位は絶縁させても良いが、適当な時定
数を与えるために導電性′ｉｒ１極４、金属薄膜２の間
には適当な高抵抗薄膜を設けても良い。
数を与えるために導電性′ｉｒ１極４、金属薄膜２の間
には適当な高抵抗薄膜を設けても良い。
この実施例装置の光源はレーザダイオード７から形成さ
れている。
れている。
前記光源からの光を前記プローブの前記電気光学効果物
体の内部を通過ないしは反射して通過するように光ビー
ムを入射させる光学手段は、偏光子８、ビームスブリッ
ク１３，１０．コリメータ９゜ファイバ６、結合部５か
ら形成されている。
体の内部を通過ないしは反射して通過するように光ビー
ムを入射させる光学手段は、偏光子８、ビームスブリッ
ク１３，１０．コリメータ９゜ファイバ６、結合部５か
ら形成されている。
レーザダイオード７からの光は偏光子８、ビームスプリ
ンタ１３に入射させられる。
ンタ１３に入射させられる。
ビームスプリンタ１３を透過し、さらにビームスプリッ
タ１０を透過した光はコリメータ９でファイバ６に入射
させられる。
タ１０を透過した光はコリメータ９でファイバ６に入射
させられる。
ファイバ６を通過したプローブ光３は結合部５を介して
前述した光プローブの電気光学効果物体１に入射させら
れる。
前述した光プローブの電気光学効果物体１に入射させら
れる。
光プローブはファイバ６が許容する範囲内で、自由に移
動させられ、その範囲内で光プローブの先端を任意の測
定対象に近接させることができる。
動させられ、その範囲内で光プローブの先端を任意の測
定対象に近接させることができる。
金属薄膜２の裏面で反射して戻ってきたプローブ光３は
結合部５、ファイバ６、コリメーク９を逆行し、ビーム
スプリッタ１０に入射させられる。
結合部５、ファイバ６、コリメーク９を逆行し、ビーム
スプリッタ１０に入射させられる。
プローブ光３は電気光学効果物体１により光偏波面が回
転させられる。
転させられる。
この回転の度合が検出手段により検出される。
ビームスプリンタ１０で反射された光は、検光子１１を
介して光電変換素子１２により光電変換される。
介して光電変換素子１２により光電変換される。
ビームスプリンタ１３で反射分岐された光は光電変換素
子１４により光電変換される。
子１４により光電変換される。
光電変換素子１２．１４の出力は比較回路１５により比
較され両者の強度比信号が出力端１６から得られる。
較され両者の強度比信号が出力端１６から得られる。
（変形例）
光ビーム発生源は他の光源、例えばＨｅＮｅレーザでも
良い。
良い。
この手段は、比測定回路信号あるいは金属薄膜２の電位
変化量が必ずしも大きくないため、１１の出力信号は必
ずしも高悪度ではない。
変化量が必ずしも大きくないため、１１の出力信号は必
ずしも高悪度ではない。
強度比信号を使用すると、さらに高いＳＮ比で信号を得
ることができるので、好ましい手段であるが必ずしも不
可欠の条件ではない。
ることができるので、好ましい手段であるが必ずしも不
可欠の条件ではない。
また、１１の代わりに別の素子例えばストリークカメラ
等も使用可能である。
等も使用可能である。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように、本発明による回路電圧検出
装置は、細い先端部分に金属層が設けられている電気光
学効果物体からなる光プローブと、光源と、前記光源か
らの光を前記プローブの前記電気光学効果物体の内部を
通過ないしは反射して通過するように光ビームを入射さ
せる光学手段と、前記プローブの前記金ＫＮに誘導され
た電位により影響を受けた前記電気光学効果物体の中を
通過ないしは反射して通過することにより変調を受けた
被変調光ビームの変調度を検出する検出手段から構成さ
れている。
装置は、細い先端部分に金属層が設けられている電気光
学効果物体からなる光プローブと、光源と、前記光源か
らの光を前記プローブの前記電気光学効果物体の内部を
通過ないしは反射して通過するように光ビームを入射さ
せる光学手段と、前記プローブの前記金ＫＮに誘導され
た電位により影響を受けた前記電気光学効果物体の中を
通過ないしは反射して通過することにより変調を受けた
被変調光ビームの変調度を検出する検出手段から構成さ
れている。
したがって、本発明による装置によれば、前記光プロー
ブの先端で回路の極小部分の電位を検出できる。
ブの先端で回路の極小部分の電位を検出できる。
そのため、望積回路内の電位の検出等に有効である。
また被測定回路に直接接続されることはないので回路の
負荷とならず被測定回路の動作を乱すことはない。
負荷とならず被測定回路の動作を乱すことはない。
さらに、本装置の応答速度は極めて速く、先端部の充放
電時間のみで制限されるがその静電容量は特に小さくな
されるので、従来の装置と比して格段に高速であり、し
かも高いインピーダンスである。
電時間のみで制限されるがその静電容量は特に小さくな
されるので、従来の装置と比して格段に高速であり、し
かも高いインピーダンスである。
以上の説明から明らかなように、極小部分の電位を高速
に検出する装置としては従来にない優れた新しい装置を
本発明は提供するものであり、その効果は極めて大きい
。
に検出する装置としては従来にない優れた新しい装置を
本発明は提供するものであり、その効果は極めて大きい
。
第１図は、本発明による回路電圧検出装置の実施例を示
すブロック図である。 １・・・電気光学効果物体 ２・・・金泥薄膜（全屈Ｊ’ｆｉり ３・・・光ビーム（プローブ光） ４・・・導電性電極 ５・・・結合装置 ６・・・ファイバ ７・・・レーザダイオード ８・・・偏光子 ９・・・コリメータ １０．１３・・・ビームスプリッタ １１・・・検光子 １２．１°４・・・光電変換素子 １５・・・比較回路 １６・・・出力端子 才１図 手続補正書 昭和６２年 ３月１７日
すブロック図である。 １・・・電気光学効果物体 ２・・・金泥薄膜（全屈Ｊ’ｆｉり ３・・・光ビーム（プローブ光） ４・・・導電性電極 ５・・・結合装置 ６・・・ファイバ ７・・・レーザダイオード ８・・・偏光子 ９・・・コリメータ １０．１３・・・ビームスプリッタ １１・・・検光子 １２．１°４・・・光電変換素子 １５・・・比較回路 １６・・・出力端子 才１図 手続補正書 昭和６２年 ３月１７日
Claims (5)
- （１）細い先端部分に金属層が設けられている電気光学
効果物体からなる光プローブと、光源と、前記光源から
の光を前記プローブの前記電気光学効果物体の内部を通
過ないしは反射して通過するように光ビームを入射させ
る光学手段と、前記プローブの前記金属層に誘導された
電位により影響を受けた前記電気光学効果物体の中を通
過ないしは反射して通過することにより変調を受けた被
変調光ビームの変調度を検出する検出手段から構成した
回路電圧検出装置。 - （２）前記変調は被変調光偏波面の回転であり、前記検
出手段は原入射光との比率を出力信号とするものである
特許請求の範囲第１項記載の回路電圧検出装置。 - （３）前記光プローブの中を通過する光ビームは、電気
光学結晶の中で多数回反射されて通過させられる特許請
求の範囲第１項記載の回路電圧検出装置。 - （４）前記プローブの先端部は、被測定電気回路の一部
に直接接触できるように絶縁物で覆われている特許請求
の範囲第１項記載の回路電圧検出装置。 - （５）前記光源の光ビーム発生源はレーザダイオードで
ある特許請求の範囲第１項記載の回路電圧検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280498A JPH0695108B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 回路電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280498A JPH0695108B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 回路電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133068A true JPS63133068A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0695108B2 JPH0695108B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=17625925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61280498A Expired - Fee Related JPH0695108B2 (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 回路電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695108B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055770A (en) * | 1989-04-12 | 1991-10-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Method and apparatus for detecting voltage |
| WO1994024575A1 (en) * | 1993-04-13 | 1994-10-27 | Teratec Corporation | Electrooptic instrument |
| US5479106A (en) * | 1993-09-28 | 1995-12-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electro-optic voltage detector |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4624648B2 (ja) | 2003-02-07 | 2011-02-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電気光学素子用ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161661A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yutaka Ono | Measuring device by use of optical fiber |
| JPS60253878A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-12-14 | ザ・ユニヴア−シテイ−・オブ・ロチエスタ− | サブピコセコンドの分解能を有する電気信号の測定 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61280498A patent/JPH0695108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161661A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Yutaka Ono | Measuring device by use of optical fiber |
| JPS60253878A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-12-14 | ザ・ユニヴア−シテイ−・オブ・ロチエスタ− | サブピコセコンドの分解能を有する電気信号の測定 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055770A (en) * | 1989-04-12 | 1991-10-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Method and apparatus for detecting voltage |
| WO1994024575A1 (en) * | 1993-04-13 | 1994-10-27 | Teratec Corporation | Electrooptic instrument |
| US5583446A (en) * | 1993-04-13 | 1996-12-10 | Teratec Corporation | Electro-optically controlled measurement probe system |
| US5479106A (en) * | 1993-09-28 | 1995-12-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electro-optic voltage detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0695108B2 (ja) | 1994-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100243779B1 (ko) | 전계센서 | |
| JPH0627428A (ja) | 試験中の表面上の多数の位置における画像を観察する装置およびそれらの位置の容量を観察する方法 | |
| JPH0573178B2 (ja) | ||
| EP0293840B1 (en) | Voltage detector | |
| JP3278460B2 (ja) | 電子部品内の電気信号測定用電気光学測定装置 | |
| US4982151A (en) | Voltage measuring apparatus | |
| JPS63133068A (ja) | 回路電圧検出装置 | |
| JP3489701B2 (ja) | 電気信号測定装置 | |
| WO1989009413A1 (en) | Electro-optic probe | |
| GB2340233A (en) | Current measuring method,current sensor,and IC tester using the same current sensor | |
| US5642040A (en) | Electrooptic probe for measuring voltage of an object having a high permittivity film fixed on an end face of a reflecting film fixed on an electrooptic material | |
| JPH0695112B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| JPH0933573A (ja) | 計測器用プローブ | |
| JP2582588B2 (ja) | 多チャンネル電圧検出装置 | |
| JPH0989940A (ja) | 電界検出装置 | |
| JP3018982B2 (ja) | プリント基板の信号波形測定装置 | |
| JP2591347B2 (ja) | 実装ボード検査装置 | |
| JPH01193654A (ja) | 電圧測定プローブ | |
| JP2860323B2 (ja) | 集積回路の回路試験装置 | |
| JPH07134147A (ja) | 信号波形測定装置 | |
| JPH0727806A (ja) | 電磁ノイズまたは電磁漏洩波の検出方法及び電磁ノイズまたは電磁漏洩波の検出装置 | |
| JPS63308586A (ja) | 電圧検出装置の評価装置 | |
| JPH01217273A (ja) | 集積回路の回路試験方法 | |
| JPS63196862A (ja) | 光プロ−ブ装置 | |
| JPH06281707A (ja) | 電圧分布測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |