JPH07314772A - Ｌｅｄヘッドの製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄヘッドの製造方法Info
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- JPH07314772A JPH07314772A JP10683294A JP10683294A JPH07314772A JP H07314772 A JPH07314772 A JP H07314772A JP 10683294 A JP10683294 A JP 10683294A JP 10683294 A JP10683294 A JP 10683294A JP H07314772 A JPH07314772 A JP H07314772A
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- array chip
- electrode wiring
- driving
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＥＤヘッドの配線の信頼性の向上を図る。
【構成】 半導体ウエハに、発光領域としての拡散層を
覆うが電極配線のパッド部は露出するように保護膜を形
成後、半導体ウエハを分割して得た複数のＬＥＤアレイ
チップを、絶縁性基板上に駆動用ＩＣと共に配列した状
態で各ＬＥＤアレイチップのパッド部と駆動用ＩＣとの
間にワイヤボンデイングを施す。
覆うが電極配線のパッド部は露出するように保護膜を形
成後、半導体ウエハを分割して得た複数のＬＥＤアレイ
チップを、絶縁性基板上に駆動用ＩＣと共に配列した状
態で各ＬＥＤアレイチップのパッド部と駆動用ＩＣとの
間にワイヤボンデイングを施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤヘッドに関し、
特に、ＬＥＤチップのパッド部と駆動用ＩＣとの間の電
気的接続の信頼性を向上させたＬＥＤヘッドの製造方法
に関する。
特に、ＬＥＤチップのパッド部と駆動用ＩＣとの間の電
気的接続の信頼性を向上させたＬＥＤヘッドの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ファクシミリ、ページプリン
タ、ラベルプリンタ等の電子写真式のプリンタとして、
ＬＥＤヘッドが広く用いられている。従来のＬＥＤヘッ
ドは、図に示すように、例えばガラスエポキシ系の絶縁
性基板の表面にアレイ状に配列された発光素子としての
複数のＬＥＤアレイチップと、これらのＬＥＤアレイチ
ップに対応して搭載されそれぞれのＬＥＤアレイチップ
を電気的に駆動するための駆動用のＩＣと、から構成さ
れている。この種のＬＥＤヘッドでは、印字のための電
気信号を駆動用ＩＣを介してＬＥＤアレイチップの発光
領域に印加することにより発光領域からの発光を生ぜし
め、この発光をセルフォックレンズアレイ等でドラムに
集光させることにより印字を行っている。
タ、ラベルプリンタ等の電子写真式のプリンタとして、
ＬＥＤヘッドが広く用いられている。従来のＬＥＤヘッ
ドは、図に示すように、例えばガラスエポキシ系の絶縁
性基板の表面にアレイ状に配列された発光素子としての
複数のＬＥＤアレイチップと、これらのＬＥＤアレイチ
ップに対応して搭載されそれぞれのＬＥＤアレイチップ
を電気的に駆動するための駆動用のＩＣと、から構成さ
れている。この種のＬＥＤヘッドでは、印字のための電
気信号を駆動用ＩＣを介してＬＥＤアレイチップの発光
領域に印加することにより発光領域からの発光を生ぜし
め、この発光をセルフォックレンズアレイ等でドラムに
集光させることにより印字を行っている。
【０００３】この種の従来のＬＥＤヘッドに用いられて
いるＬＥＤアレイチップは、図６にその平面視が示され
並びに図７にそのパッド部におけるワイヤボンデイング
の状態が模式的に示されているが、例えばＮ型の導電型
から成る半導体基板２１と、半導体基板２１の表面に形
成された被覆膜２２と、被覆膜２２に設けられた複数の
開口２３を介してＺｎ等の不純物が導入されたＰ型の導
電型の複数の発光領域２４と、各発光領域２４の表面に
駆動用ＩＣからの電気信号を印加するために被覆膜上に
導電体により形成された電極配線２５と、から構成され
ている。この電極配線２５は発光領域２４の表面に信号
電圧を印加するために一端に形成された電極部２５ａと
図示しない駆動用ＩＣとの間でワイヤボンデイングを施
すために他端に形成されたパッド部２５ｂとから成って
いる。ＬＥＤアレイチップ２０の表面、即ち、電極配線
２５並びに被覆膜２２上には、更に、図６中で斜線で示
されているように、ＬＥＤアレイチップ２０の表面を保
護するための保護膜２６が形成されているのだが、この
保護膜２６の電極配線２５のパッド部２５ｂ上の部分は
駆動用ＩＣとの間のワイヤリード２７によるワイヤボン
デイングを可能にするために開口２８が形成されてい
る。
いるＬＥＤアレイチップは、図６にその平面視が示され
並びに図７にそのパッド部におけるワイヤボンデイング
の状態が模式的に示されているが、例えばＮ型の導電型
から成る半導体基板２１と、半導体基板２１の表面に形
成された被覆膜２２と、被覆膜２２に設けられた複数の
開口２３を介してＺｎ等の不純物が導入されたＰ型の導
電型の複数の発光領域２４と、各発光領域２４の表面に
駆動用ＩＣからの電気信号を印加するために被覆膜上に
導電体により形成された電極配線２５と、から構成され
ている。この電極配線２５は発光領域２４の表面に信号
電圧を印加するために一端に形成された電極部２５ａと
図示しない駆動用ＩＣとの間でワイヤボンデイングを施
すために他端に形成されたパッド部２５ｂとから成って
いる。ＬＥＤアレイチップ２０の表面、即ち、電極配線
２５並びに被覆膜２２上には、更に、図６中で斜線で示
されているように、ＬＥＤアレイチップ２０の表面を保
護するための保護膜２６が形成されているのだが、この
保護膜２６の電極配線２５のパッド部２５ｂ上の部分は
駆動用ＩＣとの間のワイヤリード２７によるワイヤボン
デイングを可能にするために開口２８が形成されてい
る。
【０００４】従来のＬＥＤヘッドでは、上述のような構
成のＬＥＤアレイチップをガラスエポキシ系の基板上に
複数配列し、各ＬＥＤアレイチップの電極配線のパッド
部と駆動用ＩＣとの間をワイヤリードをワイヤボンデイ
ングすることにより電気的接続を行っている。
成のＬＥＤアレイチップをガラスエポキシ系の基板上に
複数配列し、各ＬＥＤアレイチップの電極配線のパッド
部と駆動用ＩＣとの間をワイヤリードをワイヤボンデイ
ングすることにより電気的接続を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のＬＥＤヘ
ッドによれば、電気的接続のためのワイヤボンデイング
は、ＬＥＤアレイチップ２０側にて、保護膜２６に形成
された開口２８を介して電極配線２５のパッド部２５ｂ
上に行っている。しかし、ＬＥＤアレイチップ２０の各
発光領域２４はそのピッチｐが概略１２５μｍ程度に設
けられるのでパッド部の幅ｗは約１００μｍ程度に制限
される。そのため、保護膜２６に形成された開口２８の
径を、パッド部２５ｂの幅ｗより大きく設けた場合に
は、エッチングにより保護膜２６に開口２８を形成する
際に、保護膜２６の下層の被覆膜２２もエッチングされ
てしまい、ワイヤボンデイングによりパッド部２５ｂと
半導体基板２１の表面が電気的に接続されてしまう可能
性がある。また、反対に、開口２８をパッド部２５ｂの
幅ｗに対して小さい寸法、例えば８０μｍの径、に形成
した場合は、パッド部２５ｂの中心位置に正確にワイヤ
ボンデイングを行うことは難しく、図７に示すように、
ボンデイングの位置がパッド中心からずれてワイヤリー
ド２７の先端が開口２８の縁部に跨った状態でボンデイ
ングされる事態を招き易く、パッド２５ｂ部とワイヤリ
ード２７との間の電気的接続の信頼性、ひいてはＬＥＤ
ヘッドの動作上の信頼性が損なわれる虞れがある。
ッドによれば、電気的接続のためのワイヤボンデイング
は、ＬＥＤアレイチップ２０側にて、保護膜２６に形成
された開口２８を介して電極配線２５のパッド部２５ｂ
上に行っている。しかし、ＬＥＤアレイチップ２０の各
発光領域２４はそのピッチｐが概略１２５μｍ程度に設
けられるのでパッド部の幅ｗは約１００μｍ程度に制限
される。そのため、保護膜２６に形成された開口２８の
径を、パッド部２５ｂの幅ｗより大きく設けた場合に
は、エッチングにより保護膜２６に開口２８を形成する
際に、保護膜２６の下層の被覆膜２２もエッチングされ
てしまい、ワイヤボンデイングによりパッド部２５ｂと
半導体基板２１の表面が電気的に接続されてしまう可能
性がある。また、反対に、開口２８をパッド部２５ｂの
幅ｗに対して小さい寸法、例えば８０μｍの径、に形成
した場合は、パッド部２５ｂの中心位置に正確にワイヤ
ボンデイングを行うことは難しく、図７に示すように、
ボンデイングの位置がパッド中心からずれてワイヤリー
ド２７の先端が開口２８の縁部に跨った状態でボンデイ
ングされる事態を招き易く、パッド２５ｂ部とワイヤリ
ード２７との間の電気的接続の信頼性、ひいてはＬＥＤ
ヘッドの動作上の信頼性が損なわれる虞れがある。
【０００６】従って、本発明はＬＥＤアレイチップと駆
動用ＩＣとの間のワイヤボンデイングの信頼性を向上さ
せたＬＥＤヘッドを提供することを目的とする。
動用ＩＣとの間のワイヤボンデイングの信頼性を向上さ
せたＬＥＤヘッドを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
本発明によれば、半導体ウエハの表面に選択的に不純物
を導入して拡散領域を形成し、拡散領域に電気的に接続
され且つ被覆膜上にパッド部を有する電極配線を形成
し、拡散領域の表面を覆うがパッド部は露出するように
保護膜を形成後、半導体ウエハを分割して複数の個別Ｌ
ＥＤアレイチップを得、複数の個別ＬＥＤアレイチップ
を駆動用ＩＣと共に絶縁性基板上に配列した状態で前記
ＬＥＤアレイチップの電極配線のパッド部と駆動用ＩＣ
の対応するものとの間をリードワイヤにて電気的に接続
することから成ることを特徴とするＬＥＤヘッドの製造
方法が提供される。
本発明によれば、半導体ウエハの表面に選択的に不純物
を導入して拡散領域を形成し、拡散領域に電気的に接続
され且つ被覆膜上にパッド部を有する電極配線を形成
し、拡散領域の表面を覆うがパッド部は露出するように
保護膜を形成後、半導体ウエハを分割して複数の個別Ｌ
ＥＤアレイチップを得、複数の個別ＬＥＤアレイチップ
を駆動用ＩＣと共に絶縁性基板上に配列した状態で前記
ＬＥＤアレイチップの電極配線のパッド部と駆動用ＩＣ
の対応するものとの間をリードワイヤにて電気的に接続
することから成ることを特徴とするＬＥＤヘッドの製造
方法が提供される。
【０００８】
【作用および効果】ＬＥＤヘッドのＬＥＤアレイチップ
の表面の保護膜を、拡散層の表面、電極配線の電極部、
等を覆い且つ電極配線のパッド部が露出するように形成
するので、外部からの水分や汚染物質等により損傷を受
けがちな拡散層の表面、電極配線の電極部等はこれらに
よる影響から確実に防止されると共に、駆動用ＩＣとの
間でワイヤリードによりワイヤボンデイングが施される
ＬＥＤアレイチップの電極配線のパッド部は保護膜１２
から露出した状態で設けることができる。従って、電極
配線上へのワイヤボンデイング位置の自由度が向上し、
ボンデイング位置に多少のずれが生じた場合でも、ワイ
ヤリードと電極配線間の電気的接続に影響を及ぼす虞が
ほとんど無い状態でワイヤボンデイングを施すことが可
能になる。このため、従来のＬＥＤヘッドにおけるよう
な、パッド部上の保護膜の開口縁に跨ってワイヤボンデ
イングがなされるようなボンデイング不良は有効に防止
される。
の表面の保護膜を、拡散層の表面、電極配線の電極部、
等を覆い且つ電極配線のパッド部が露出するように形成
するので、外部からの水分や汚染物質等により損傷を受
けがちな拡散層の表面、電極配線の電極部等はこれらに
よる影響から確実に防止されると共に、駆動用ＩＣとの
間でワイヤリードによりワイヤボンデイングが施される
ＬＥＤアレイチップの電極配線のパッド部は保護膜１２
から露出した状態で設けることができる。従って、電極
配線上へのワイヤボンデイング位置の自由度が向上し、
ボンデイング位置に多少のずれが生じた場合でも、ワイ
ヤリードと電極配線間の電気的接続に影響を及ぼす虞が
ほとんど無い状態でワイヤボンデイングを施すことが可
能になる。このため、従来のＬＥＤヘッドにおけるよう
な、パッド部上の保護膜の開口縁に跨ってワイヤボンデ
イングがなされるようなボンデイング不良は有効に防止
される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明によるＬＥＤヘッドの製造方法
を図１乃至図５を参照しながら実施例に従い詳細に説明
する。図１は本発明方法により製造されたＬＥＤヘッド
の斜視概略図を示し、ガラスエポキシ系基板１上に複数
のＬＥＤアレイチップ２が規則的にダイボンデイングさ
れている。基板１上には各ＬＥＤアレイチップ２に対応
して駆動用ＩＣが搭載され、各ＬＥＤアレイチップ２と
対応する駆動用ＩＣ３との間はワイヤリード４を用いた
ワイヤボンデイングにより電気的に接続されている。
を図１乃至図５を参照しながら実施例に従い詳細に説明
する。図１は本発明方法により製造されたＬＥＤヘッド
の斜視概略図を示し、ガラスエポキシ系基板１上に複数
のＬＥＤアレイチップ２が規則的にダイボンデイングさ
れている。基板１上には各ＬＥＤアレイチップ２に対応
して駆動用ＩＣが搭載され、各ＬＥＤアレイチップ２と
対応する駆動用ＩＣ３との間はワイヤリード４を用いた
ワイヤボンデイングにより電気的に接続されている。
【００１０】図２は本発明方法の実施例によるＬＥＤア
レイチップの要部の拡大平面を示し、図３は図２中線Ｘ
−Ｘに沿う断面を示す。本実施例のＬＥＤアレイチップ
２は、ＧａＡｓから成る基体５上に例えばＮ型の導電型
のＧａＡｓＰから成るエピタキシャル層６が成長形成さ
れた半導体基板７と、半導体基板７の表面に開口８が形
成されＳｉ3Ｎ4から成る被覆膜９と、Ｎ型エピタキシャ
ル層６の開口８に臨む表面領域に形成された発光領域と
してのＰ型の導電型から成る拡散層１０と、被覆膜８上
に延び一端部にて拡散層８に電気的に接続され他端部に
てワイヤボンデイング用のパッド部１１ｂが形成された
電極配線１１が各拡散領域１０に対応して設けられてい
る。
レイチップの要部の拡大平面を示し、図３は図２中線Ｘ
−Ｘに沿う断面を示す。本実施例のＬＥＤアレイチップ
２は、ＧａＡｓから成る基体５上に例えばＮ型の導電型
のＧａＡｓＰから成るエピタキシャル層６が成長形成さ
れた半導体基板７と、半導体基板７の表面に開口８が形
成されＳｉ3Ｎ4から成る被覆膜９と、Ｎ型エピタキシャ
ル層６の開口８に臨む表面領域に形成された発光領域と
してのＰ型の導電型から成る拡散層１０と、被覆膜８上
に延び一端部にて拡散層８に電気的に接続され他端部に
てワイヤボンデイング用のパッド部１１ｂが形成された
電極配線１１が各拡散領域１０に対応して設けられてい
る。
【００１１】被覆膜９及び電極配線１１上には、図２中
に斜線で示されるように、ＳｉＮｘから成る保護膜１２
が拡散層１０の表面、電極配線１１の電極部１１ａ、等
を被覆保護し且つ電極配線１１のパッド部を露出させた
状態で被覆されている。従って、外部からの水分や汚染
物質等により損傷を受けがちな拡散層１０の表面、電極
配線１１の電極部１１ａ等はこれらによる影響から確実
に防止されると共に、駆動用ＩＣとの間でワイヤリード
によりワイヤボンデイングが施される電極配線１１のパ
ッド部１１ｂは保護膜１２から露出されているので、従
来のＬＥＤヘッドにおけるようなパッド部におけるボン
デイング不良は有効に防止される。
に斜線で示されるように、ＳｉＮｘから成る保護膜１２
が拡散層１０の表面、電極配線１１の電極部１１ａ、等
を被覆保護し且つ電極配線１１のパッド部を露出させた
状態で被覆されている。従って、外部からの水分や汚染
物質等により損傷を受けがちな拡散層１０の表面、電極
配線１１の電極部１１ａ等はこれらによる影響から確実
に防止されると共に、駆動用ＩＣとの間でワイヤリード
によりワイヤボンデイングが施される電極配線１１のパ
ッド部１１ｂは保護膜１２から露出されているので、従
来のＬＥＤヘッドにおけるようなパッド部におけるボン
デイング不良は有効に防止される。
【００１２】本実施例のＬＥＤヘッドの製造に際して、
複数のＬＥＤアレイチップ２が、図４に示すような、Ｇ
ａＡｓの基体５の上面にＮ型の導電型のＧａＡｓＰから
成るエピタキシャル層６が成長形成された半導体ウエハ
７に複数個所定の配列状態で形成される。即ち、上述の
ような半導体ウエハ１の表面に、まず、熱ＣＶＤ法によ
り窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）膜を約１５００オングストロー
ムの層厚になるように形成し、この窒化珪素膜を部分的
にエッチングすることにより拡散層１０を形成するため
の開口８を矩形状に形成する。次いで、開口８が形成さ
れた被覆膜９をマスクとして開口８を介して半導体ウエ
ハ７のエピタキシャル層６の表面領域にＺｎ等を拡散さ
せることによりＰ型の導電型の拡散層１０を形成する。
Ｚｎ等が導入された拡散層１０は、Ｎ型のエピタキシャ
ル層６との間にＰＮ接合を形成し、各ＬＥＤアレイチッ
プの発光領域として機能する。拡散層１０の形成後、Ａ
ｌ等の導電性金属膜を蒸着し、これを所要のパターンに
エッチングすることにより一端にて拡散層１０の表面に
電気的に接続された電極部１１ａと他端にてワイヤボン
デイングを可能にする約１００μｍの正方形状のパッド
部１１ｂとを有する電極配線１１を形成する。このよう
に電極配線１１を形成したら、被覆膜９及び電極配線１
１上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘから成る保護膜
１２を、拡散層１０の表面、電極配線１１の電極部１１
ａ、等を被覆保護し且つ電極配線１１のパッド部が露出
するように形成する。この保護膜１２はその層厚が約１
０００オングストローム程度になるように形成される。
複数のＬＥＤアレイチップ２が、図４に示すような、Ｇ
ａＡｓの基体５の上面にＮ型の導電型のＧａＡｓＰから
成るエピタキシャル層６が成長形成された半導体ウエハ
７に複数個所定の配列状態で形成される。即ち、上述の
ような半導体ウエハ１の表面に、まず、熱ＣＶＤ法によ
り窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）膜を約１５００オングストロー
ムの層厚になるように形成し、この窒化珪素膜を部分的
にエッチングすることにより拡散層１０を形成するため
の開口８を矩形状に形成する。次いで、開口８が形成さ
れた被覆膜９をマスクとして開口８を介して半導体ウエ
ハ７のエピタキシャル層６の表面領域にＺｎ等を拡散さ
せることによりＰ型の導電型の拡散層１０を形成する。
Ｚｎ等が導入された拡散層１０は、Ｎ型のエピタキシャ
ル層６との間にＰＮ接合を形成し、各ＬＥＤアレイチッ
プの発光領域として機能する。拡散層１０の形成後、Ａ
ｌ等の導電性金属膜を蒸着し、これを所要のパターンに
エッチングすることにより一端にて拡散層１０の表面に
電気的に接続された電極部１１ａと他端にてワイヤボン
デイングを可能にする約１００μｍの正方形状のパッド
部１１ｂとを有する電極配線１１を形成する。このよう
に電極配線１１を形成したら、被覆膜９及び電極配線１
１上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘから成る保護膜
１２を、拡散層１０の表面、電極配線１１の電極部１１
ａ、等を被覆保護し且つ電極配線１１のパッド部が露出
するように形成する。この保護膜１２はその層厚が約１
０００オングストローム程度になるように形成される。
【００１３】このように、半導体ウエハ７に複数のＬＥ
Ｄアレイチップ２を形成したら、図５に示すように、ダ
イシングブレード１３を用いて半導体ウエハ７を所定の
分割領域に沿って切断することにより個別のＬＥＤアレ
イチップ２に分割することにより、複数の個別ＬＥＤア
レイチップ２が得られる。この場合、ダイシングブレー
ド１３によるダイシングを容易にするために、ダイシン
グを施す領域上の被覆膜及び／または保護膜は途中の工
程にて除去しておくことが望ましい。
Ｄアレイチップ２を形成したら、図５に示すように、ダ
イシングブレード１３を用いて半導体ウエハ７を所定の
分割領域に沿って切断することにより個別のＬＥＤアレ
イチップ２に分割することにより、複数の個別ＬＥＤア
レイチップ２が得られる。この場合、ダイシングブレー
ド１３によるダイシングを容易にするために、ダイシン
グを施す領域上の被覆膜及び／または保護膜は途中の工
程にて除去しておくことが望ましい。
【００１４】得られた個別ＬＥＤアレイチップを、図１
に示すように、ガラスエポキシ系の基板上に所定の配列
状態にダイボンデイングすると共に、これらのＬＥＤア
レイチップに対応するように駆動用ＩＣを搭載し、金か
ら成るワイヤリードを用いてＬＥＤアレイチップ２のパ
ッド部１１ｂと駆動用ＩＣとの間にワイヤボンデイング
による電気的接続を施すことにより、本実施例のＬＥＤ
ヘッドが製造される。各ＬＥＤアレイチップ２と駆動用
ＩＣとの間のワイヤボンデイングに際しては、上述のよ
うに、ＬＥＤアレイチップ２の各電極配線１１のパッド
部１１ｂは保護膜１２から完全に露出された状態で設け
られているので、従来のＬＥＤヘッドにおけるようなワ
イヤボンデイングの不良は確実に防止される。
に示すように、ガラスエポキシ系の基板上に所定の配列
状態にダイボンデイングすると共に、これらのＬＥＤア
レイチップに対応するように駆動用ＩＣを搭載し、金か
ら成るワイヤリードを用いてＬＥＤアレイチップ２のパ
ッド部１１ｂと駆動用ＩＣとの間にワイヤボンデイング
による電気的接続を施すことにより、本実施例のＬＥＤ
ヘッドが製造される。各ＬＥＤアレイチップ２と駆動用
ＩＣとの間のワイヤボンデイングに際しては、上述のよ
うに、ＬＥＤアレイチップ２の各電極配線１１のパッド
部１１ｂは保護膜１２から完全に露出された状態で設け
られているので、従来のＬＥＤヘッドにおけるようなワ
イヤボンデイングの不良は確実に防止される。
【図１】本発明方法により製造されたＬＥＤヘッドの斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明方法の実施例によるＬＥＤアレイチップ
の要部の平面図である。
の要部の平面図である。
【図３】図２のＬＥＤアレイチップの線Ｘ−Ｘに沿う断
面図である。
面図である。
【図４】本発明方法によるＬＥＤアレイチップが形成さ
れた半導体ウエハの平面概略図である。
れた半導体ウエハの平面概略図である。
【図５】図４の半導体ウエハのダイシングブレードによ
る分割を示す説明図である。
る分割を示す説明図である。
【図６】従来のＬＥＤヘッドに用いられているＬＥＤア
レイチップの平面図である。
レイチップの平面図である。
【図７】図６のＬＥＤアレイチップにおけるパッド部の
ワイヤボンデイング不良を示す説明図である。
ワイヤボンデイング不良を示す説明図である。
１ 半導体ウエハ ２ ＬＥＤアレイチップ ３ 駆動用ＩＣ ４ ワイヤリード ５ ウエハ基体 ６ エピタキシャル層 ７ 半導体基板 ８ 開口 ９ 被覆膜 １０ 拡散層 １１ 電極配線 １２ 保護膜 １３ ダイシングブレード １４ 分割溝
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハの表面に選択的に不純物を導
入して拡散領域を形成し、前記拡散領域に電気的に接続
され且つ前記被覆膜上にパッド部を有する電極配線を形
成し、前記拡散領域の表面を覆うが前記パッド部は露出
するように保護膜を形成後、前記半導体ウエハを分割し
て複数の個別ＬＥＤアレイチップを得、複数の個別ＬＥ
Ｄアレイチップを駆動用ＩＣと共に絶縁性基板上に配列
した状態で前記ＬＥＤアレイチップの前記電極配線のパ
ッド部と前記駆動用ＩＣの対応するものとの間をリード
ワイヤにて電気的に接続することから成ることを特徴と
するＬＥＤヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10683294A JPH07314772A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | Ｌｅｄヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10683294A JPH07314772A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | Ｌｅｄヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07314772A true JPH07314772A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=14443719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10683294A Pending JPH07314772A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | Ｌｅｄヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07314772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677970B1 (en) | 1998-02-20 | 2004-01-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-emitting diode array and optical print head |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP10683294A patent/JPH07314772A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677970B1 (en) | 1998-02-20 | 2004-01-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-emitting diode array and optical print head |
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