JP2004297052A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents

Abstract

【課題】 発光に寄与しない回り込み電流経路の電流のみを抑制し、発光出力の増大及び低電圧動作が可能なダイオードアレイを提供する。
【解決手段】 基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、各発光部の上面の一部に形成された第一の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第二の電極とを有し、前記第二の電極は複数の前記発光部を動作させる共通電極であり、前記導電層のうち前記発光部への電流経路となる領域を残して隣接する発光部間の領域が除去されていることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は発光出力の大きい発光ダイオードアレイに関し、特に電子写真方式のプリンタ光源に好適に使用できる発光ダイオードアレイに関する。

電子写真方式のプリンタは、画像信号に応じた光により感光ドラム上に静電潜像を形成し、トナーを選択的に付着させて現像した後、紙に転写して画像を得る。潜像を形成するための光源としては、レーザ方式及び発光ダイオードアレイ方式が広く用いられている。特に発光ダイオードアレイ方式の光源は、レーザ方式のように光路を長くとる必要がないため、小型のプリンタや大サイズの印刷に適している。近年は印刷の高速・高画質化やプリンタのさらなる小型化にともない、より高精細で高出力の発光ダイオードアレイが求められている。

一般に、半導体基板と基板上の発光部とを挟んで上面（光取り出し側）及び裏面に一対の電極を有する発光ダイオードが広く知られている。このような構造の発光ダイオードの上面及び裏面電極間に電圧を印加すると、半導体基板に対して垂直方向に電流が流れ、発光部において電子・正孔対が再結合して光が放出される。よって上面電極直下の発光部において光出力が最も大きくなるが、この部分で発生した光は上面電極によって反射・吸収されてしまうので効率良く取り出すことができない。そのため特に光取り出し部の面積を小さくする必要がある600 dpi、1200 dpi等の高解像度プリンタの光源としては、従来の発光ダイオードでは発光出力が充分でないという問題があった。

特許文献１には発光部の両側にアノード電極とカソード電極を形成した発光ダイオードにおいて、発光部の発光面の直下に電流拡散層を形成し、アノード電極の直下に電流阻止層を形成することにより、アノード電極からの電流を電流阻止層により発光面直下に案内し、かつ電流拡散層により発光面直下全体に拡散する発光ダイオードアレイが開示されている。しかしながら、発光部同士を分離するメサエッチング溝部の導電層が、アノード電極から発光部の活性層を通らずにカソード電極に回り込む電流経路となって発光ダイオードの発光出力が低下する。

このような事情に鑑み、本出願人は先に、基板の同一面上にカソード電極及びアノード電極を設けることにより発生した光の取り出し効率を改善した発光ダイオードアレイを提案した（特願2002-004874号）。図８は、このような構造の発光ダイオードアレイを示す上面図であり、図９（a）は図８のうち単一セルのみを表記している。更に図９（b）は図９（a）のC−C断面図であり、図９（c）は図９（a）のD−D断面図である。n型GaAs基板10上に形成されたp型GaAs導電層11の上に所定間隔で複数の発光部２が配置されている。各発光部２は、p型GaAs導電層11の上に順次積層されたp型AlGaAsエッチングストッパ層12、p型AlGaAsクラッド層13、p型AlGaAs活性層14、n型AlGaAsクラッド層15及びn型GaAsキャップ層16からなる。発光部２の発光ダイオード領域は、p型AlGaAsクラッド層13、p型AlGaAs活性層14及びn型AlGaAsクラッド層15からなるダブルヘテロ構造を有する。

各発光部２はエピタキシャル層をメサエッチングにより除去することにより形成されている。メサエッチング溝全体は、発光部２とボンディング部８a，８cとを分離する第一及び第三のメサエッチング溝部21，23と、隣接する発光部２を分離する第二のメサエッチング溝部22とからなる。

各発光部２の上面の一部にカソード電極3が形成されている。発光部２に近接してp型GaAs導電層11上に帯状に設けられているアノード電極４はp型GaAs導電層11の上にそれぞれ金属を蒸着・合金化することにより形成される。カソード電極3及びアノード電極４上のコンタクト孔17c、17aを除いて、発光部２及び露出した導電層11の表面はPSG（リンガラス）からなる絶縁膜17により覆われている。絶縁膜17により覆われていないカソード電極３に一端部が接続するようにAu配線層５cが形成されており、Au配線層５cはボンディング部８cの表面まで延在し、Au配線層５cの他端部にはボンディングパッド６cが形成されている。一方でアノード電極４側にも、一端部が接続するようにAu配線層５aが形成されており、Au配線層５aはボンディング部８aの表面まで延在し、Au配線層５aの他端部にはボンディングパッド６aが形成されている。

このような構造の発光ダイオードアレイにおいて、アノード電極４からカソード電極３に向かう電流経路19は発光部２を通り、その際p型AlGaAs活性層14において光Lが発生する。この光Lは、n型GaAsキャップ層16をエッチングにより除去して設けた光取り出し部９から外部に放出される。この発光ダイオードアレイでは、図９（a），（b），（c）から判るように、発光部２とボンディング部８a，８cを分離する第一及び第三のメサエッチング溝部21，23と、隣接する発光部２を分離する第二のメサエッチング溝部22により、各発光部２は基板10上に島状に存在する。隣接する発光部２の間の第二のメサエッチング溝22のうちp型GaAs導電層11を除去する部分22’によって、電流経路19はアノード電極４から光取り出し部９の下に位置するp型AlGaAs活性層14を介してカソード電極３に直接導かれる。このため発光に寄与しない電流経路を遮断することができ、効率良く、発光出力を得ることができる。

しかしながら、上記の発光ダイオードアレイで、この回り込み電流を完全に遮断してしまうと順方向電流I_Fが電流経路19の電流のみに制限されてしまうため、一定の発光出力を得るためにより大きな動作電圧を要し、近年の低消費電力の要求を満たすことができないという問題があることが分かった。

特開2000-323750号公報

従って本発明の目的は、発光に寄与しない回り込み電流経路の電流のみを抑制し、発光出力の増大及び低電圧動作が可能な発光ダイオードアレイを提供することである。

上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、第二のメサエッチング溝部により導電層のうち発光部への電流経路となる領域を残して隣接する発光部間の領域を除去することにより、発光に寄与しない回り込み電流を抑制すると同時に、光取り出し部上にストライプ電極を配置することにより、発光に寄与する回り込み電流を効率よく各発光ダイオードへ誘引して発光出力を増大させ、かつ低電圧駆動を実現できることを発見し、本発明に想到した。

すなわち、本発明の発光ダイオードアレイは、基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第一の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第二の電極とを有し、前記第二の電極は複数の前記発光部を動作させる共通電極であり、前記導電層のうち前記発光部への電流経路となる領域を残して隣接する発光部間の領域が除去されていることを特徴とする。

本発明の発光ダイオードアレイにおいて、発光部は導電層上に形成したエピタキシャル層をメサエッチング溝により分割してなるのが好ましい。好ましい実施例による発光ダイオードアレイは、個々独立の複数の発光部を形成するために前記発光部とボンディング部とを分離する第一及び第三のメサエッチング溝部と、前記発光部同士を分離する第二のメサエッチング溝部とを有し、前記第二のメサエッチング溝部により前記発光部間の導電層が除去されており、もって前記第一の電極と前記第二の電極との間で発光に寄与しない電流が回り込むことがない。

前記発光部は光取り出し部を有し、前記第二のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分は、前記光取り出し部間の領域を除く隣接発光部間の領域に存在するのが好ましい。

前記第一のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分と、前記第二のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分とが一体的な櫛形の溝を形成しているのが好ましい。

前記第二のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分は、前記第一のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分から各発光部上の前記第一の電極と前記光取り出し部の境界により決まる線まで延在しているのが好ましい。

また発光部の光取り出し部上に第一の電極をストライプ状に配置すれば回り込み電流をも光取り出し部の直下へ誘引することができ、低駆動電圧でも効率よく発光出力を高めることができる。前記ストライプ電極は、連結電極によって相互に連結されることにより網目状に形成されているのが好ましい。前記ストライプ電極は、高濃度半導体層によって形成されているのが好ましい。なお、「高濃度半導体層」とは、不純物を高濃度に添加することにより高い導電性を付与した半導体層を意味する。

本発明の発光ダイオードアレイによれば、第一及び第二の電極間での電流経路を効率良く光取り出し部の直下へ導き、内部発光効率を向上させることができるので、駆動電圧を上昇させることなく発光出力を増大させることができる。

本発明の発光ダイオードアレイは隣接する発光部間の導電層領域がメサエッチング溝により除去され、かつ発光部の光取り出し部にストライプ状の電極が形成されているので、第一及び第二の電極間で発光部を経由する電流を積極的に取りこむことができる。そのため、第一及び第二の電極間での電流経路を効率良く光取り出し部直下へ導き、内部発光部の活性層を通過する電流密度が大きくなり駆動電圧を上げることなく発光出力を増大させることができる。このような発光ダイオードアレイは電子写真方式のプリンタ光源等に好適である。

[1] 発光ダイオードアレイの構造
図1及び図２に示すように、本発明の発光ダイオードアレイは、基板10、基板10上に形成された複数の発光部２、各発光部２の上面に部分的に形成された第一の電極３、及び発光部２に近接する位置で導電層11上に形成された第二の電極４を有する。図示の実施例では、各発光部２は基板10上に均一に形成されたエピタキシャル層にメサエッチング溝を設け、個々独立のエピタキシャル層部としたものである。

(1) 基板
基板10は、発光ダイオード用に使用し得るものであれば特に限定されず、発光部と電気的に絶縁できる構造であればよい。n型基板でもp型基板でも用いることができ、半絶縁性GaAs基板等の半絶縁性基板または絶縁性基板を用いてもよい。基板10と導電層11との間にアンドープGaAs層等の高抵抗層を設けて絶縁することもでき、また導電層11に対して逆の極性を有する半導体層を設けて絶縁することもできる。

(2) 発光部
基板10の導電層11上に積層する化合物半導体の種類や結晶層の厚さは、所望の発光波長及び発光出力により適宜選択する。化合物半導体としては、例えばAlGaAs、AlGaInP等を用いることができる。発光部２は第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層からなるダブルヘテロ構造を有するのが好ましく、導電層上に形成したエピタキシャル層をメサエッチング溝により分割してなるのが好ましい。

図示の実施例では、本発明の発光ダイオードアレイの発光部２は、n型GaAs基板10の上にp型GaAs導電層11を介して順次形成されたp型AlGaAsエッチングストッパ層12、p型AlGaAsクラッド層13、p型AlGaAs活性層14、n型AlGaAsクラッド層15及びn型GaAsキャップ層16からなる。n型GaAsキャップ層16は、光取り出し部９の領域ではエッチングにより除去されている。Au配線層5a, 5cとのショート防止のため、絶縁膜（絶縁性のPSG膜）17がカソード電極３を除いて発光部２の表面全体を覆っている。なお、図1及び図２の上面図においては便宜上絶縁性のPSG膜を省略している。

上記発光部２のうち発光に直接関与する領域は、発光波長に対応するエネルギーバンドギャップを有するp型AlGaAs活性層14を、それよりもエネルギーバンドギャップの大きいp型AlGaAsクラッド層13（第一導電型のクラッド層）及びn型AlGaAsクラッド層15（第二導電型のクラッド層）で挟んだ、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。

(3) 電極及び配線層
第一及び第二の電極の一方がカソード電極で、他方がアノード電極であればよく、例えば第一の電極について言えばカソード電極でもアノード電極でもよい。各電極はボンディング特性、下層とのオーミック接続特性及び密着性が良好であることが要求されるので、複数の金属層で構成されるのが好ましい。また各電極は酸化物層を有してもよく、最上層にはボンディング特性の良いTi／Au，Mo／Au等の金属層を有するのが好ましい。例えばアノード電極にAuZn／Ni／Auの積層電極を使用し、カソード電極にAuGe／Ni／Au等の積層電極を使用することができる。

各電極の金属層は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法等の蒸着法で形成することができ、酸化物層は各種公知の成膜方法で形成することができる。金属層には、オーミック性を付与するために熱処理（合金化）をさらに施すのが好ましい。

図1及び図2に示す実施例では、各発光部２のメサ頂面にカソード電極３が形成されており、光取り出し部９上におけるカソード電極３の形状は複数本のストライプ構造となっている。この発光ダイオードアレイの特徴的な要素は、n型キャップ層16の一部がエッチングにより櫛形に取り除かれて、n型AlGaAsクラッド層15の上面の一部が櫛形状に露出され、光取り出し部９が櫛形状に形成されている点と、櫛形状に残ったn型GaAsキャップ層16の上面にカソード電極３がさらにオーム性接合により櫛形状に形成されている点にある。例えば図１に示すように、カソード電極３は各発光部２上に２本のストライプ電極を有する。このストライプ電極はこの例に限られず、図３に示すように多数本のストライプ、網目状等に配置されても良い。ストライプ電極は上記カソード電極材の他に高濃度半導体により形成しても良い。

各発光部２の側面及びカソード電極3の周辺部は絶縁膜（絶縁性PSG膜）17（図示せず）で覆われている。各発光部２のカソード電極3はAu配線層５cの一端側と接続しており、各Au配線層５cの他端側はボンディング部８cの各ボンディングパッド６cを形成している。一方、各発光部２に近接する位置に共通電極であるアノード電極４がp型GaAs導電層11上に帯状に形成され、オーム接触している。アノード電極４は、Au配線層５aを経由して、ボンディングパッド６aに接続している。

(4) メサエッチング溝
個々独立の発光部２を形成するためメサエッチング溝は、発光部２とボンディング部８a，８cとを分離する第一及び第三のメサエッチング溝部21，23と、隣接する発光部２を分離する第二のメサエッチング溝部22とを有する。第一のメサエッチング溝部21は、発光部２とカソード電極３側のボンディング部８cとの間に形成されており、最も深い部分21’は導電層11を除去している。第三のメサエッチング溝部23は、発光部２とアノード電極４側のボンディング部８aとの間に形成されており、最も深い部分23’は導電層11を除去している。第二のメサエッチング溝部22のうち最も深い部分22’は、隣接する発光部２間の導電層11を除去している。

第一のメサエッチング溝部21のうち導電層11に形成された部分21’は、第二のメサエッチング溝部22のうち導電層11に形成された部分22’と一体的に連結し、全体として櫛形をしている。図示の実施例による発光ダイオードアレイの別の特徴は、第二のメサエッチング溝部22のうち導電層11に形成された部分22’が、隣接する発光部２間のうち光取り出し部９の間の領域を除いた領域に延在していることである。従って、この例では、第二のメサエッチング溝部22のうち導電層11に形成された部分22’の先端は、ほぼ光取り出し部９と第一の電極３の境界により決まる線に位置している。

[2] 発光ダイオードアレイの動作
アノード電極４とオーム接触したp型GaAs導電層11と発光部２の上面に形成されたカソード電極3との間に電位差が生じるので電流経路19は必ず発光部２直下のp型GaAs導電層11を通り、発光領域内のp型AlGaAs活性層14から光Lが発生する。発生した光Lは光取り出し部９から外部に取り出される。

先願の発光ダイオードアレイのようにアノード電極４からカソード電極３に導かれる電流経路のうち、発光に寄与しない回り込み電流経路は、第二のメサエッチング溝部22のうち導電層11に形成された部分22’によって阻止される。一方、ストライプ電極３aによって引き寄せられる回り込み電流20は発光部２を経由するので内部発光効率が向上する。これにより発光部２のp型AlGaAs活性層14を通る電流経路19の電流密度が増大し、それに伴って取り出せる光量も増加する。図示の構造の発光ダイオードアレイでは、駆動電圧を上昇させることなく先願の発光ダイオードアレイの約1.5倍の発光出力を得ることができる。

発光ダイオードアレイの光出力をさらに向上させるため、電流をカソード電極３から光取り出し部９の下部領域に誘引してもよい。この場合、カソード電極３の直下に電流阻止層を設け、光取り出し部９の直下に電流拡散層を設ける。電流拡散層は発光波長の吸収が少なく、比抵抗の小さい化合物により形成する。この構成によれば電流は電流阻止層によってカソード電極３から光取り出し部９の下部領域に案内され、電流拡散層により光取り出し部９の領域全体に均一に拡散されて発光部２を通る。

[3] 発光ダイオードアレイの製造方法
本発明の発光ダイオードアレイは、(a) 第二のメサエッチング溝部22の部分22’により発光部2間の導電層11を除去し、(b) カソード電極３をストライプ状（櫛形状）等の開口形状に残ったn型GaAsキャップ層16の上面に、さらにオーム性接合によりほぼキャップ層16と同形状に形成する以外、先願と同じ方法により製造することができる。好ましい製造例では、まず有機金属気相成長法（MOVPE法）によりn型GaAs基板10の上面に、p型GaAs導電層11（キャリア濃度：4×10¹⁹cm^-3、厚さ：1μm）、p型AlGaAsエッチングストッパ層12（キャリア濃度：3×10¹⁹cm^-3、厚さ：0．1μm）、p型AlGaAsクラッド層13（キャリア濃度：1×10¹⁸cm^-3、厚さ：1μm）、p型AlGaAs活性層14（キャリア濃度：1×10¹⁸cm^-3、厚さ：1μm）、n型AlGaAsクラッド層15（キャリア濃度：2×10¹⁸cm^-3、厚さ：3μm）、及びn型GaAsキャップ層16（キャリア濃度：1×10¹⁸cm^-3、厚さ：0.5μm）を順次成長させる。

形成した結晶層にウェットエッチングを選択的に施す。まずカソード電極３と接触する部分を残して発光部２のn型GaAsキャップ層16を除去し、光取り出し部９を形成する。次に図４(a)〜(c) に示すように、p型GaAs導電層11が露出する深さに第一〜第三のメサエッチング溝21〜23を設けて、p型GaAs導電層11上のエピタキシャル層を複数の発光部２に分割するとともに、発光部２とボンディング部８a、８cとを分離する。

さらに図５(a)〜(c) に示すように、第一のメサエッチング溝部21の一部を深くして、p型GaAs導電層11のうち発光部２とボンディング部８cとの間の領域を除去する溝部21’を形成するとともに、第三のメサエッチング溝部23の一部を深くして、p型GaAs導電層11のうち発光部２とボンディング部８aとの間の領域を除去する溝部23’を形成する。また第二のメサエッチング溝部22のうち光取り出し部９の間を除く領域に延在する部分22’を、導電層11を除去する深さとする。このときn型GaAs基板10も僅かにエッチングされるように第一〜第三のメサエッチング溝部21〜23の最深部21’〜23’の深さを設定すれば、エッチング誤差があっても最深部21’〜23’で導電層11が残留することはない。

発光ダイオードアレイの上面全体を覆うように化学気相成長法（CVD法）によりPSG膜17を成長させた後、カソード電極３及びアノード電極４の部分のみフッ酸により除去し、カソード電極３用のAuGe／Ni／Auを蒸着する。ついでアノード電極4用のAuZn／Ni／Auを蒸着し、カソード電極3及びアノード電極４を形成する。CVD法により絶縁膜（PSG膜）17を成長させた後、カソード電極３、アノード電極４の上部にコンタクト孔17c，17aの部分だけフッ酸により除去し、各ボンディング部8c，8aまで延在するAu配線層5c，5aを形成する。図６(a)〜(c)は各電極を形成した発光ダイオードアレイの単一セルを示すが、簡単化のためにPSG膜17及びAu配線層5a，5cを省略してある。また図７は図６の単一セルを複数有する発光ダイオードアレイの上面を示すが、やはり簡単化のためにPSG膜17及びAu配線層5a，5cを省略してある。図７はストライプ電極3aと、第一及び第二のメサエッチング溝部21及び22の最深部21’及び22’からなる櫛形状の溝の配置を明示している。

本発明の一実施例による発光ダイオードアレイを示す上面図である。 図１の発光ダイオードアレイを構成する単一セルを示し、（a）は単一セルの上面図であり、（b）は（a）のA−A断面図であり、（c）は（a）のB−B断面図である。 本発明による発光ダイオードアレイの発光面・電極構造の応用例を示す上面図である。 個々独立の発光部を形成するために導電層を残してエピタキシャル層を除去するメサエッチング溝部を形成した状態を示し、（a）は単一セルの上面図であり、（b）は（a）のA−A断面図であり、（c）は（a）のB−B断面図である。 さらに第一〜第三のメサエッチング溝部により導電層の一部を除去した状態を示し、（a）は単一セルの上面図であり、（b）は（a）のA−A断面図であり、（c）は（a）のB−B断面図である。 さらに第一及び第二の電極を形成した状態を示し、（a）は単一セルの上面図であり、（b）は（a）のA−A断面図であり、（c）は（a）のB−B断面図である。 本発明の発光ダイオードアレイにおいて第一のメサエッチング溝部と第二のメサエッチング溝部により形成された一体的な櫛形溝を示す上面図である。 先願の発光ダイオードアレイを示す上面図である。 図８の発光ダイオードアレイを構成する単一セルを示し、（a）は単一セルの上面図であり、（b）は（a）のA−A断面図であり、（c）は（a）のB−B断面図である。

符号の説明

２・・・発光部
３・・・カソード電極
３a・・・ストライプ電極
４・・・アノード電極
５c・・・カソード側Au配線層
５a・・・アノード側Au配線層
６c・・・カソード側ボンディングパッド
６a・・・アノード側ボンディングパッド
８・・・ボンディング部
８c・・・カソード側
８a・・・アノード側
９・・・光取り出し部
10・・・（n型GaAs）基板
11・・・（p型GaAs）導電層
12・・・p型AlGaAsエッチングストッパ層
13・・・p型AlGaAsクラッド層
14・・・p型AlGaAs活性層
15・・・n型AlGaAsクラッド層
16・・・n型GaAsキャップ層
17・・・絶縁膜
17c・・・カソード側コンタクト孔
17a・・・アノード側コンタクト孔
19，20・・・電流経路
21・・・第一のメサエッチング溝部
21’・・・第一のメサエッチング溝部のうち導電層に形成された部分
22・・・第二のメサエッチング溝部
22’・・・第二のメサエッチング溝部のうち導電層に形成された部分
23・・・第三のメサエッチング溝部
23’・・・第三のメサエッチング溝部のうち導電層に形成された部分

Claims (8)

1. 基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された個々独立の複数の発光部と、各発光部の上面の少なくとも一部に形成された第一の電極と、前記発光部に近接して前記導電層上に形成された第二の電極とを有し、前記第二の電極は複数の前記発光部を動作させる共通電極であり、前記導電層のうち前記発光部への電流経路となる領域を残して隣接する発光部間の領域が除去されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
2. 請求項１に記載の発光ダイオードアレイにおいて、個々独立の複数の発光部を形成するために前記発光部とボンディング部とを分離する第一及び第三のメサエッチング溝部と、前記発光部同士を分離する第二のメサエッチング溝部とを有し、前記第二のメサエッチング溝部により前記発光部間の導電層が除去されており、もって前記第一の電極と前記第二の電極との間で電流経路を制御することを特徴とする発光ダイオードアレイ。
3. 請求項２に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記発光部は光取り出し部を有し、前記第二のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分は、前記光取り出し部間の領域を除く隣接発光部間の領域に存在することを特徴とする発光ダイオードアレイ。
4. 請求項２又は３に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記第一のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分と、前記第二のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分とが一体的な櫛形の溝を形成していることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
5. 請求項４に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記第二のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分は、前記第一のメサエッチング溝部のうち前記導電層に形成された部分から各発光部上の前記第一の電極と前記光取り出し部の境界により決まる線まで延在していることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記第一の電極の各々は単一又は複数本の所定の幅を有するストライプ電極であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
7. 請求項６に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記ストライプ電極は、連結電極によって相互に連結されることにより網目状に形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
8. 請求項６又は７に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記ストライプ電極は、高濃度半導体層によって形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
   

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