JP2008047618A - 発光素子アレイ及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板51上に複数の発光素子部を有し、少なくとも一部の隣接する発光素子部間は発光素子部間の電気的分離がされる発光素子アレイにおいて、金属反射層63を基板51上かつ複数の発光素子部下に備えるとともに、発光素子部間の電気的分離のための抵抗層64を複数の発光素子部と金属反射層63との間に備える。複数の発光素子部は複数のブロックに分かれ、各ブロックには複数の発送素子部が設けられ、発光素子部間の電気的分離は、ブロック間の隣接する発光素子部間の電気的分離とすることができる。
【選択図】図1
Description
金属反射層を前記基板上かつ複数の発光素子部下に備えるとともに、発光素子部間の電気的分離のための抵抗層を前記複数の発光素子部と前記金属反射層との間に備えていることを特徴とする。
前記金属層と発光素子間に抵抗層を設けて、該金属層と発光素子とを電気的に分離していることを特徴とするアレイ状光源であることを特徴とする。
前記第1及び第2の発光素子群は、共通の金属層を介して、前記基板に設けられており、
前記第1及び第2の発光素子群と、前記金属層との間には、前記金属層と、該第1及び該第2の発光素子群とを、それぞれ電気的に分離するための分離層を有し、
前記第1の発光素子群と前記第2の発光素子群との間には、両者を電気的に分離するための分離溝を備え、且つ
該分離溝は、前記発光素子側から前記基板側に向かって、前記分離層に達するように設けられていることを特徴とするアレイ状光源であることを特徴とする。
図1は本発明の第1の実施形態を示す発光素子アレイの断面図である。図1に示すように、Si基板51上に、白金層61、金層62、銀層63、アンドープAlGaAs抵抗層(金属層と、第1及び第2の発光素子群とを、それぞれ電気的に分離するための層となる)64を有する。さらにその上に、n型AlGaAs層13、AlGaAs量子井戸活性層14、p型AlGaAs層15、p型GaAsコンタクト層16、p側電極17を有する。19は絶縁膜である。素子分離のためにn型AlGaAs層13まで到達するように第1の分離溝(素子分離用溝)18が形成される。さらにn側共通電極分離のためにアンドープAlGaAs抵抗層64まで到達するように第2の分離溝(n型電極分離用溝)32が形成される。この第2の分離溝32はn側電極間の十分な抵抗をとり、電気的に分離するためのものであり、少なくとも分離溝がアンドープAlGaAs抵抗層64まで到達していれば良い。また、分離溝32が金属反射層となる銀層63まで到達していても良い。分離溝18は隣接する発光素子間を電気的に分離するために設けられ、分離溝32は発光素子をブロック単位で電気的に分離するために設けられる。分離溝32は第1の発光素子群(一のブロック内の複数の発光素子)と第2の発光素子群(他のブロック内の複数の発光素子)との間の、両者を電気的に分離するための分離溝となる。なお、この図1では簡略のためにn側電極が描かれていない(図2にn側電極11として示されている)。
(第2の実施形態)
図5は本発明の第2の実施形態を示す発光素子アレイの断面図である。この実施形態では図1とは異なり、アンドープAlGaAs層の代わりにSiO2膜101が金属反射層(銀層63)上に存在する。このSiO2膜を抵抗層とするため、より絶縁性の高い分離が可能となる。その他の構成部材は図1と同じである。
13 n型AlGaAs層
14 AlGaAs量子井戸活性層
15 p型AlGaAs層
16 p型GaAsコンタクト層
17 p側電極
18 第1の分離溝(素子分離用溝)
19 絶縁膜
21 n型AlGaAs上絶縁膜
22 p型GaAsコンタクト層上絶縁膜
23 発光領域
32 第2の分離溝(n型電極分離用溝)
41 半絶縁性GaAs基板上絶縁膜
51 Si基板
61 白金層
62 金層
63 銀層
64 アンドープAlGaAs抵抗層
81 AlAs選択エッチング分離層
101 SiO2膜
131 SiO2膜上絶縁膜
Claims (22)
- 基板上に複数の発光素子を有し、少なくとも一部の隣接する発光素子間は電気的に分離されている発光素子アレイにおいて、
金属反射層を前記基板と複数の前記発光素子との間に備え、且つ
前記発光素子間の電気的分離のための抵抗層を、複数の前記発光素子と前記金属反射層との間に備えていることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1に記載の発光素子アレイは、前記発光素子を含み構成される複数のブロックを備え、
前記発光素子間の電気的分離とは、互いに異なるブロックに属し、且つ隣接する前記発光素子間の電気的分離であることを特徴とする請求項1記載の発光素子アレイ。 - 電気的に分離される前記隣接する発光素子間には分離溝が設けられ、該分離溝は少なくとも前記抵抗層まで到達していることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の発光素子アレイ。
- 電気的に分離されている前記発光素子間の抵抗の値が、前記発光素子を構成し、前記抵抗層と接する領域の抵抗の値よりも大きくなるように、該抵抗層の抵抗値は設定されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 前記抵抗層が、半導体であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 前記抵抗層が、AlGaAsであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 前記抵抗層がアンドープ層であることを特徴とする請求項5又は6に記載の発光素子アレイ。
- 前記抵抗層はp型であり、p型不純物のドーピング濃度は1×1017cm−3以下であることを特徴とする請求項5又は6に記載の発光素子アレイ。
- 前記抵抗層はn型であり、n型不純物のドーピング濃度は3×1016cm−3以下であることを特徴とする請求項5又は6に記載の発光素子アレイ。
- 少なくとも前記抵抗層の厚さが0.1μm以上1μm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 前記抵抗層が絶縁体であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 前記抵抗層がSiO2、SiN、SiON、AlN、あるいはAl2O3であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 少なくとも前記抵抗層の厚さが0.05μm以上0.5μm以下であることを特徴とする請求項11又は12に記載の発光素子アレイ。
- 前記発光素子を時分割駆動で動作させることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 前記発光素子の発光領域の間隔が40μm以下であることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の発光素子アレイ。
- 画像を読み取る画像読取手段と、該画像読取手段により読み取られた画像に基づいて発光する、請求項1から15のいずれか1項に記載の発光素子アレイと、該発光素子アレイから発せられた光に基づいて画像を形成する画像形成手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
- 基板上に金属層を介して複数の発光素子を有するアレイ状光源であって、
前記金属層と発光素子間に抵抗層を設けて、該金属層と発光素子とを電気的に分離していることを特徴とするアレイ状光源。 - 基板上に、それぞれ、複数の発光素子からなる第1及び第2の発光素子群を有するアレイ状光源であって、
前記第1及び第2の発光素子群は、共通の金属層を介して、前記基板に設けられており、
前記第1及び第2の発光素子群と、前記金属層との間には、前記金属層と、該第1及び該第2の発光素子群とを、それぞれ電気的に分離するための層を有し、
前記第1の発光素子群と前記第2の発光素子群との間には、両者を電気的に分離するための分離溝を備え、且つ
該分離溝は、前記発光素子側から前記基板側に向かって、前記電気的に分離するための層に達するように設けられていることを特徴とするアレイ状光源。 - 前記基板がシリコン基板であり、前記アレイ状光源が有する前記発光素子の発光の制御は、時分割駆動により行われることを特徴とする請求項18に記載のアレイ状光源。
- 前記基板には、前記時分割駆動を行うための制御回路が、設けられていることを特徴とする請求項18あるいは19に記載のアレイ状光源。
- 請求項17から20のいずれか1項に記載のアレイ状光源と、該アレイ状光源を露光部として用いて、静電潜像を形成するための感光体ドラムと、該感光体ドラムに形成された静電潜像を現像するための現像器とを有することを特徴とする画像形成装置。
- 前記アレイ状光源が、円筒状の前記感光体ドラムの内側に配置されていることを特徴とする請求項21に記載の画像形成装置。
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