JP2017510980A - オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 - Google Patents
オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017510980A JP2017510980A JP2016551750A JP2016551750A JP2017510980A JP 2017510980 A JP2017510980 A JP 2017510980A JP 2016551750 A JP2016551750 A JP 2016551750A JP 2016551750 A JP2016551750 A JP 2016551750A JP 2017510980 A JP2017510980 A JP 2017510980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive semiconductor
- semiconductor layer
- type conductive
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 315
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 124
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L31/03044—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds comprising a nitride compounds, e.g. GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1852—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising a growth substrate not being an AIIIBV compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1856—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising nitride compounds, e.g. GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
- H01L33/0016—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions having at least two p-n junctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
a) − ベース表面を有するn型導電性半導体層と、
− ベース表面から反対に面するn型導電性半導体層のカバー表面上の能動ゾーンと、
− n型導電性半導体層から反対に面する能動ゾーンの側に配置されているp型導電性半導体層と
を有し、主延在面を有する半導体層積層体を用意するステップと、
b)p型コンタクト層および第1の絶縁層を含む第1の層積層体を設けるステップであって、第1の層積層体が、n型導電性半導体層から反対に面するp型導電性半導体層のカバー表面上に相互に横方向に離間されて配置されている多数の領域に分割される、第1の層積層体を設けるステップと、
c)主延在面を横切って延び、かつ少なくとも所々に第1の層積層体のすべての側面を覆う第2の絶縁層を設けるステップと、
d)n型導電性半導体層を所々に露出させ、そしてp型導電性半導体層および能動ゾーンを相互に横方向に離間されている個々の領域に分割するように、p型導電性半導体層および能動ゾーンを部分的に除去するステップであって、領域の各々が、p型導電性半導体層の一部および能動ゾーンの一部を含む、p型導電性半導体層および能動ゾーンを部分的に除去するステップと、
e)n型コンタクト層およびメタライゼーション層が半導体層積層体の主延在面に沿ってそれぞれ延びるようにn型コンタクト層およびメタライゼーション層を設けるステップと、
f)p型コンタクト層を露出させるようにメタライゼーション層および第1の絶縁層を部分的に除去するステップと
のステップを含む。
Claims (20)
- 多数の像点(71、72)を有するオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法であって、
a) ベース表面(11c)を有するn型導電性半導体層(11)と、
前記ベース表面(11c)から反対に面する前記n型導電性半導体層(11)のカバー表面(11a)上の能動ゾーン(13)と、
前記n型導電性半導体層(11)から反対に面する前記能動ゾーン(13)の側に配置されているp型導電性半導体層(12)と
を有し、主延在面を有する半導体層積層体(11、12、13)を用意するステップと、
b)p型コンタクト層(22)および第1の絶縁層(31)を含む第1の層積層体(22、31)を設けるステップであり、前記第1の層積層体(22、31)が、前記n型導電性半導体層(11)から反対に面する前記p型導電性半導体層(12)のカバー表面(12a)上に相互に横方向に離間されて配置されている多数の領域(61、62)に分割される、第1の層積層体(22、31)を設けるステップと、
c)前記主延在面を横切って延び、かつ少なくとも所々に前記第1の層積層体のすべての側面(6b)を覆う第2の絶縁層(32)を設けるステップと、
d)前記n型導電性半導体層(11)が所々に露出され、そして前記p型導電性半導体層(12)および前記能動ゾーン(13)が相互に横方向に離間されている個々の領域(71、72)に分割されるように、前記p型導電性半導体層(12)および前記能動ゾーン(13)を部分的に除去するステップであり、前記領域の各々が、前記p型導電性半導体層(12)の一部および前記能動ゾーン(13)の一部を含む、前記p型導電性半導体層(12)および前記能動ゾーン(13)を部分的に除去するステップと、
e)n型コンタクト層(21)およびメタライゼーション層(23)が前記半導体層積層体(11、12、13)の前記主延在面に沿ってそれぞれ延びるように前記n型コンタクト層(21)および前記メタライゼーション層(23)を設けるステップと、
f)前記p型コンタクト層(22)が少なくとも所々に露出するように前記メタライゼーション層(23)および前記第1の絶縁層(31)を部分的に除去するステップと
を含む、方法。 - 前記第1の絶縁層(31)および前記第2の絶縁層(32)が、ステップd)において前記p型導電性半導体層(12)および前記能動ゾーン(13)の前記部分除去用のマスクとして使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記p型導電性半導体層(12)および前記能動ゾーン(13)の前記部分除去が、エッチング方法を使用して行われる、請求項2に記載の方法。
- ステップd)において、前記n型導電性半導体層(11)は、前記n型導電性半導体層(11)の前記カバー表面(11a)と前記ベース表面(11c)との間の距離が前記n型導電性半導体層(11)の他の薄くしない領域よりも小さい薄くした領域(111)を前記n型導電性半導体層(11)がそのときには含むように所々にさらに除去される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の層積層体(22、31)が、
前記p型導電性半導体層(12)の前記カバー表面(12a)の上に全表面にわたって前記p型コンタクト層(22)を設けるステップと、
前記n型導電性半導体層(11)から反対に面する前記p型コンタクト層(12)の側の上に全表面にわたって前記第1の絶縁層(31)を設けるステップと、
前記第1の絶縁層(31)を部分的に除去するステップと、
前記p型コンタクト層(22)を部分的に除去するステップであって、前記第1の絶縁層(31)がマスクとして使用される、前記p型コンタクト層(22)を部分的に除去するステップと
の方法ステップを使用して製造される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記主延在面を横切って延び、かつ前記第2の絶縁層(32)および前記p型導電性半導体層(12)と直接接触している第3の絶縁層(31)を設ける方法ステップが、ステップd)とステップe)との間に実行される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の絶縁層(32)および/または前記第3の絶縁層(33)が、
前記n型導電性半導体層(11)の前記ベース表面(11c)から反対に面する露出した外側表面の上に全表面にわたって前記第2の絶縁層(32)および/または前記第3の絶縁層(33)を設けるステップと、
前記第2の絶縁層(32)および/または前記第3の絶縁層(33)が前記半導体層積層体(11、12、13)の前記主延在面を実質的に横切ってまたは横切って延びるように前記第2の絶縁層(32)および/または前記第3の絶縁層(33)を部分的に除去するステップと
の方法ステップを使用して製造される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記部分除去が、選択的な乾式エッチング方法を使用して行われる、請求項7に記載の方法。
- 前記オプトエレクトロニクス半導体部品が、ステップe)とステップf)との間に、所定の期間にわたり酸薬液槽に浸漬され、これが前記p型コンタクト層(22)から反対に面する前記像点(71、72)の側面(7b)上に位置する前記n型コンタクト層(21)のおよび/または前記メタライゼーション層(23)の微量の材料(5)を除去する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- ステップe)とステップf)との間に、第4の絶縁層34が、前記n型導電性半導体層(11)の前記ベース表面(11c)から反対に面する露出した外側表面の上に全表面にわたって設けられる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 主延在面を有する半導体層積層体(11、12、13)であって、
一体に形成されているn型導電性半導体層(11)と、
相互に横方向に離間されている多数の領域に分割されている能動ゾーン(13)およびp型導電性半導体層(12)であり、各領域が厳密に1つの像点(71、72)を前記n型導電性半導体層(11)とともに形成する、能動ゾーン(13)およびp型導電性半導体層(12)と、
電気的に導電性であるように形成され、かつ1つのベース表面(21c)が前記n型導電性半導体層(11)のカバー表面(11a)に隣接するn型コンタクト層(21)と、
を含む、半導体層積層体(11、12、13)と、
電気的に導電性であるように形成され、かつ1つのベース表面(22c)が前記p型導電性半導体層(12)のカバー表面(12a)に隣接するp型コンタクト層と、
電気的に絶縁性であるように形成され、かつ前記半導体層積層体(11、12、13)の前記主延在面を実質的に横切ってまたは横切って延びる第3の絶縁層(33)と
を備え、
前記第3の絶縁層(33)が、前記p型導電性半導体層(12)と前記n型コンタクト層(21)との間に配置され、かつ前記n型コンタクト層(21)のすべての横方向表面(21b)および前記p型導電性半導体層(12)のすべての横方向表面(22b)に直接隣接し、
前記n型コンタクト層(21)が、連続するように形成され、かつ枠のように前記像点(71、72)を囲み、
前記n型導電性半導体層(11)の前記カバー表面(11a)が、前記像点(71、72)の前記領域内では、前記n型コンタクト層(21)の領域内よりも前記n型導電性半導体層(11)の前記ベース表面(11c)までの距離がより大きいところにある、
オプトエレクトロニクス半導体部品。 - 前記像点(71、72)が、すべての側面(7b)のところで前記第3の絶縁層(33)によって囲まれる、請求項11に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
- 前記半導体層積層体(11、12、13)の前記主延在面を横切って延び、かつ前記第3の絶縁層(33)と前記p型コンタクト層(22)との間に配置されている第2の絶縁層(32)を有する、
請求項11または12に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。 - 前記n型コンタクト層(21)から離間されそして前記n型導電性半導体層(11)から反対に面する前記第2および第3の絶縁層(32、33)のカバー表面(32a、32b)上の前記p型コンタクト層(22)から離間された前記主延在面に垂直な方向に配置され、かつ反射性であるように形成されているメタライゼーション層(23)を有する、
請求項11〜13のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。 - 前記p型コンタクト層(22)から反対に面する前記像点(71、72)の前記側面(7b)のところで前記像点(71、72)を完全に囲み、かつ前記n型コンタクト層(21)、前記メタライゼーション層(23)および前記第3の絶縁層(33)と直接隣接する第4の絶縁層(34)を有する、
請求項11〜14のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。 - 第1の絶縁層(31)が、前記p型コンタクト層(12)の前記カバー表面(12a)上に配置され、前記第2の絶縁層(32)と直接隣接し、かつ前記カバー表面(12a)の最大10%を覆う、
請求項11〜15のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。 - 前記第2および第3の絶縁層(32、33)が、前記n型導電性半導体層(11)および前記p型コンタクト層(22)から反対に面する前記第2および第3の絶縁層(32、33)の角部および端部(32b、33b)のところに材料除去の痕跡(4)を有する、
請求項11〜16のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。 - 前記像点(71、72)が、製造公差の範囲内で同じ幾何学的寸法を有する、
請求項11〜17のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。 - 2つの隣接する像点の中心点間の仮想接続線に沿った前記n型コンタクト層(21)の前記幾何学的寸法が、最大でも5μmである、
請求項11〜18のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。 - 2つの隣接する像点(71、72)の前記中心点間の仮想接続線に沿った前記2つの隣接する像点(71、72)間の横方向の距離が、最大でも12μmである、
請求項11〜19のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014101896.6A DE102014101896A1 (de) | 2014-02-14 | 2014-02-14 | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102014101896.6 | 2014-02-14 | ||
PCT/EP2015/051608 WO2015121062A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-01-27 | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils sowie optoelektronisches halbleiterbauteil |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017510980A true JP2017510980A (ja) | 2017-04-13 |
JP6345261B2 JP6345261B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=52396707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016551750A Active JP6345261B2 (ja) | 2014-02-14 | 2015-01-27 | オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9685591B2 (ja) |
JP (1) | JP6345261B2 (ja) |
KR (1) | KR102305162B1 (ja) |
CN (1) | CN105993075B (ja) |
DE (2) | DE102014101896A1 (ja) |
WO (1) | WO2015121062A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014105999A1 (de) | 2014-04-29 | 2015-10-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102014112750A1 (de) | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102015119353B4 (de) | 2015-11-10 | 2024-01-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
DE102016104381A1 (de) | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Leuchtvorrichtung, Verfahren zum Beleuchten einer Szene, Kamera sowie mobiles Endgerät |
DE102016104383A1 (de) | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren und optoelektronische Leuchtvorrichtung zum Beleuchten eines Gesichts einer Person sowie Kamera und mobiles Endgerät |
DE102016104385A1 (de) | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Projektionsoptik, optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Beleuchtungssystem, Kamera, Endgerät |
DE102016220915A1 (de) | 2016-10-25 | 2018-04-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102019105402A1 (de) | 2019-03-04 | 2020-09-10 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip, strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und scheinwerfer |
DE102020200621A1 (de) * | 2020-01-21 | 2021-07-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
US11942507B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-03-26 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11848402B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer |
US11569415B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-01-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with defined hard mask opening |
US11735695B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-08-22 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with current spreading layer |
DE102020112414A1 (de) | 2020-05-07 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168823A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-06-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2005505133A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-02-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 窒化物−化合物半導体をベースとする半導体デバイスの製造方法 |
JP2005252086A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Sony Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置 |
JP2006041403A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007305708A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具 |
JP2008047618A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Canon Inc | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
US20100219432A1 (en) * | 2007-10-15 | 2010-09-02 | Kim Geun Ho | Light emitting device and method for fabricating the same |
JP2011066053A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
WO2012141031A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012527116A (ja) * | 2009-05-11 | 2012-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
WO2013092304A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung |
JP2013179215A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Toyohashi Univ Of Technology | Ledアレイ及び光電子集積装置 |
JP2013537369A (ja) * | 2010-09-17 | 2013-09-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
US20140014894A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-16 | Invensas Corporation | High performance light emitting diode with vias |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8008683B2 (en) * | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
DE102009023849B4 (de) * | 2009-06-04 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102010025320B4 (de) * | 2010-06-28 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101761385B1 (ko) * | 2010-07-12 | 2017-08-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN102386200B (zh) * | 2010-08-27 | 2014-12-31 | 财团法人工业技术研究院 | 发光单元阵列与投影系统 |
JP5050109B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
DE102011016302A1 (de) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
-
2014
- 2014-02-14 DE DE102014101896.6A patent/DE102014101896A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-01-27 CN CN201580008703.1A patent/CN105993075B/zh active Active
- 2015-01-27 WO PCT/EP2015/051608 patent/WO2015121062A1/de active Application Filing
- 2015-01-27 DE DE112015000814.4T patent/DE112015000814A5/de active Pending
- 2015-01-27 US US15/118,886 patent/US9685591B2/en active Active
- 2015-01-27 JP JP2016551750A patent/JP6345261B2/ja active Active
- 2015-01-27 KR KR1020167023748A patent/KR102305162B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168823A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-06-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2005505133A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-02-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 窒化物−化合物半導体をベースとする半導体デバイスの製造方法 |
JP2005252086A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Sony Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置 |
JP2006041403A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2007305708A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具 |
JP2008047618A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Canon Inc | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
US20100219432A1 (en) * | 2007-10-15 | 2010-09-02 | Kim Geun Ho | Light emitting device and method for fabricating the same |
JP2012527116A (ja) * | 2009-05-11 | 2012-11-01 | クリー インコーポレイテッド | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2011066053A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
JP2013537369A (ja) * | 2010-09-17 | 2013-09-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
WO2012141031A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2013092304A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung |
JP2013179215A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Toyohashi Univ Of Technology | Ledアレイ及び光電子集積装置 |
US20140014894A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-16 | Invensas Corporation | High performance light emitting diode with vias |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112015000814A5 (de) | 2016-11-03 |
CN105993075B (zh) | 2019-09-10 |
JP6345261B2 (ja) | 2018-06-20 |
US20170062661A1 (en) | 2017-03-02 |
DE102014101896A1 (de) | 2015-08-20 |
WO2015121062A1 (de) | 2015-08-20 |
KR102305162B1 (ko) | 2021-09-28 |
US9685591B2 (en) | 2017-06-20 |
KR20160123316A (ko) | 2016-10-25 |
CN105993075A (zh) | 2016-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6345261B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 | |
US10516079B2 (en) | Method for producing an optoelectronic semiconductor component, and optoelectronic semiconductor component | |
TWI377696B (ja) | ||
KR20160113042A (ko) | 발광 다이오드를 포함하는 광전자 디바이스 | |
TWI478391B (zh) | 發光二極體晶片及製造發光二極體晶片之方法 | |
CN111326613A (zh) | 生成具有光发射和/或光接收二极管的器件的方法 | |
JP6084401B2 (ja) | 側面入射型のフォトダイオードの製造方法 | |
KR20120107874A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 | |
JP6256235B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
KR20150036050A (ko) | 광전자 반도체 칩, 그리고 광전자 반도체 칩의 제조 방법 | |
JP2009267263A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2009238963A (ja) | 発光ダイオードチップおよびその製造方法 | |
TW201801348A (zh) | 光電組件及用於製造光電組件之方法 | |
WO2014181665A1 (ja) | 半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法 | |
US20200365764A1 (en) | Optoelectronic semiconductor chip | |
EP2858129A2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
CN110178229B (zh) | 具有提取增强的带有发光二极管的光电设备 | |
CN105580145B (zh) | 光电子半导体芯片、半导体器件以及用于制造光电子半导体芯片的方法 | |
CN109478583B (zh) | 光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 | |
TWI594455B (zh) | Photoelectric semiconductor chip and its manufacturing method | |
KR20230150869A (ko) | 광전자 반도체 구성요소, 및 적어도 하나의 광전자 반도체 구성요소를 생산하기 위한 방법 | |
JP7280354B2 (ja) | 拡大された活性領域を有する構成素子および製造方法 | |
US20220278259A1 (en) | Radiation emitting semiconductor chip and method for producing a radiation emitting semiconductor chip | |
TWI772339B (zh) | 具有增加之提取的包含發光二極體的光電元件 | |
US20220293815A1 (en) | Method for producing a radiation emitting semiconductor chip and radiation emitting semiconductor chip |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6345261 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |