JP2013537369A - オプトエレクトロニクス半導体チップ - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1A
Description
Claims (15)
- オプトエレクトロニクス半導体チップ(1)であって、
− 第1の導電型の第1の半導体領域(3)と、第2の導電型の第2の半導体領域(5)と、前記第1の半導体領域(3)と前記第2の半導体領域(5)との間に配置されている活性ゾーン(4)と、を有する半導体積層体(2)と、
− キャリア基板(10)であって、前記半導体積層体(2)が、前記キャリア基板(10)の側の第1の主領域(11)と、反対側に位置する第2の主領域(12)とを有する、前記キャリア基板(10)と、
− 第1の電気的接触層(7)および第2の電気的接触層(8)であって、少なくとも一部分が、前記キャリア基板(10)と、前記半導体積層体(2)の前記第1の主領域(11)との間に配置されており、前記第2の電気的接触層(8)が、前記第1の半導体領域(3)および前記活性ゾーン(4)における貫通孔(18)を通じて前記第2の半導体領域(5)まで延在している、前記第1の電気的接触層(7)および前記第2の電気的接触層(8)と、
− 前記第1の電気的接触層(7)と前記第2の電気的接触層(8)を互いに電気的に絶縁している電気的絶縁層(9)と、
− 前記半導体積層体(2)と前記キャリア基板(10)との間に配置されているミラー層(6)と、
を備えており、
− 前記ミラー層(6)が、前記第1の電気的接触層(7)の部分領域と前記電気的絶縁層(9)の部分領域(19)とに隣接しており、前記キャリア基板(10)の側の前記ミラー層(6)の界面(16)の大部分が、前記第1の電気的接触層(7)によって覆われており、
− 前記電気的絶縁層(9)のうち前記ミラー層(6)に隣接している前記部分領域(19)が前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(1)の周囲の媒体にまったく隣接することがないように、前記部分領域(19)が前記第2の電気的接触層(8)によって覆われており、
− 前記半導体積層体(2)が切り取り部(17)を有し、前記切り取り部(17)において、接続コンタクト(14)を形成する目的で前記第1の電気的接触層(7)が露出している、
オプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第1の電気的接触層(7)が、金、チタン、クロム、窒化チタン、窒化チタンタングステン、またはニッケルを含んでいる、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記ミラー層(6)が、銀、アルミニウム、または銀合金あるいはアルミニウム合金を含んでいる、
請求項1または請求項2のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第2の電気的接触層(8)が、銀、アルミニウム、または銀合金あるいはアルミニウム合金を含んでいる、
請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記電気的絶縁層(9)が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または酸化アルミニウムを含んでいる、
請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第1の電気的接触層(7)が、前記第1の半導体領域(3)のうち前記接続コンタクト(14)に並んで配置されている部分領域(13)に、直接隣接している、
請求項1から請求項5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第2の半導体領域(5)の部分領域(15)が、前記第1の半導体領域(3)よりも横方向に突き出している、
請求項1から請求項6のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第2の半導体領域(5)が前記第1の半導体領域(3)よりも横方向に突き出している前記部分領域(15)において、前記第2の電気的接触層(8)の少なくとも一部分が、前記第2の半導体領域(5)に直接隣接している、
請求項7に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第2の電気的接触層(8)が、前記半導体積層体(2)の前記第2の半導体領域(5)との接触部として、前記第1の半導体領域(3)の周囲を完全に囲むように延在する接触部、を形成している、
請求項8に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記接続コンタクト(14)が、前記半導体チップ(1)の中央よりも外側に配置されている、
請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記接続コンタクト(14)が、横方向に見たとき全方向において前記半導体積層体(2)の一部分によって囲まれている、
請求項1から請求項10のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第1の半導体領域(3)がp型半導体領域である、
請求項1から請求項11のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記第2の半導体領域(5)がn型半導体領域である、
請求項1から請求項12のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記半導体積層体(2)が成長基板(20)を備えていない、
請求項1から請求項13のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。 - 前記半導体チップ(1)が、はんだ層(21)によって前記キャリア基板(10)に結合されている、
請求項1から請求項14のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
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