CN103109382A - 光电子半导体芯片 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 287
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 titanium tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 267
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910003086 Ti–Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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Abstract
具体说明了一种光电子半导体芯片，其包括半导体层序列（2）和载体基底（10），其中，第一电接触层（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基底（10）与半导体层序列（2）之间的区域中并且通过电绝缘层（9）而互相电绝缘；以及包括布置在半导体层序列（2）与载体基底（10）之间的镜面层（6）。镜面层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中，邻接镜面层（6）的电绝缘层（9）的部分区域（19）以其不邻接光电子半导体芯片（1）的周围介质这样的方式，由第二电接触层（8）所覆盖。半导体层序列（2）具有切断（17），在切断（17）中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。
Description
技术领域
本发明涉及一种光电子半导体芯片。
本专利申请要求德国专利申请102010045784.l的优先权，其公开内容通过引用并入于此。
背景技术
文献WO2009/106069A1公开了一种光电子半导体芯片，其中，第一电接触层和第二电接触层布置在半导体层序列与载体基底（carriersubstrate）之间。在这种情况下，第一电接触层和第二电接触层借助于电绝缘层而互相绝缘。在这类半导体芯片的情况下，在面对载体基底侧处的镜面层（mirror layer）可以邻接（adjoin）半导体层序列，以将有源区（activezone）在载体的方向上所发射的辐射偏转至位于载体基底对面的辐射耦合输出区域。
在这类半导体芯片的情况下，可能存在如下风险：潮湿从半导体芯片的边缘穿过电绝缘层恰好传输至镜面层区域，其将导致镜面层的退化，并且因此导致辐射效率降低。
发明内容
本发明基于确定改进的光电子半导体芯片的目的，在该光电子半导体芯片中，有效地保护镜面层免受潮湿的进入的影响，并且同时以相对小的生产成本获得半导体芯片的非常有效的电接触连接。
借助于包括专利权利要求1的特征的光电子半导体芯片而实现此目标。从属权利要求涉及本发明的有利的配置和开发。
依照一个配置，光电子半导体芯片包括半导体层序列，该半导体层序列具有第一导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域以及布置在第一半导体区域与第二半导体区域之间的有源区。
此外，光电子半导体芯片包括载体基底，其中，半导体层序列具有面对载体基底的第一主区域（main area）和位于对面的第二主区域。第一电接触层和第二电接触层至少布置在载体基底与半导体层序列的第一主区域之间的区域中，其中，第二电接触层被引导通过第一半导体区域和有源区中的贯通（breakthrough）到达半导体区域。第一电接触层和第二电接触层通过电绝缘层而互相绝缘。
镜面层布置在半导体层序列与载体基底之间。具体地，在第一主区域处的镜面层可以邻接半导体层序列。镜面层有利地将有源区在载体基底的方向上所发射的辐射反射至半导体层序列的第二主区域，所述第二主区域用作辐射耦合输出区域。
镜面层邻接第一电接触层的部分区域和电绝缘层的部分区域，其中，面对载体基底的镜面层的界面的主要部分（predominant part）由第一电接触层所覆盖。
邻接镜面层的电绝缘层的部分区域以其不邻接光电子半导体芯片的周围介质这样的方式，有利地由第二电接触层所覆盖。
半导体层序列优选地具有切断（cutout），在该切断中第一电接触层未被覆盖以形成连接接触。
凭借面对载体基底的镜面层的界面的主要部分由第一电接触层所覆盖的事实，镜面层的主要部分与电绝缘层分离，并且因此保护镜面层的主要部分免受可以从半导体芯片的侧面（side flank）穿透电绝缘层的潮湿的影响。以这样的方式有利地降低了镜面层的可能的退化。
凭借邻接镜面层的电绝缘层的部分区域以其不邻接光电子半导体芯片的周围介质这样的方式由第二电接触层所覆盖的事实，镜面层不与电绝缘层延伸至半导体芯片的侧面的部分区域接触。因此，镜面层由第一电接触层和第二电接触层密封地封装，并且保护镜面层免受潮湿的进入的影响。
第一电接触层和第二电接触层有利地用于如下方面：首先用于半导体芯片的电接触连接，并且其次用于保护镜面层免受腐蚀的影响。具体地，第一电接触层形成布置在半导体层序列的切断中的连接接触。在切断中，半导体层序列被移除直至第一电接触层，使得在那里第一电接触层可以被外部地接触连接。具体地，连接接触可以形成接合片，该接合片可以连接至接合线。
第一电接触层优选地包含或包括金、钛、铬、氮化钛、氮化钛钨或镍。有利地，这些材料有利地特征在于：首先良好的电导率，并且其次其作为扩散式叠层的适用性。
镜面层优选地包含或包括银、铝或银或铝的合金。银和铝的特征在于在可见光谱范围中的高的反射率。此外，这些材料具有良好的电导率并且形成具有低接触电阻的金属-半导体接触。这是有利的，因为镜面层有利地邻接半导体层序列，并且以这样的方式将第一半导体区域电传导地连接至第一电接触层。
类似于镜面层，第二电接触层优选地包含或包括银、铝、或银或铝的合金。在可见光谱范围中的高反射率和良好的电导率对于第二电接触层是有利的，因为第二电接触层还至少在一些区域中邻接半导体层序列，并且以这样的方式与第二半导体区域电接触。
使第一电接触层与第二电接触层互相绝缘的电绝缘层优选地包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。
在一个有利的配置中，第一电接触层直接邻接布置在连接接触旁的半导体层序列的第一半导体区域的部分区域。因此，在此配置中，第一电接触层不仅经由镜面层连接至半导体层序列，而且还至少部分地直接邻接半导体层序列。具体地，第一电接触层可以在连接接触周围形成与半导体层序列的周向延伸接触。由第一电接触层直接邻接的第一半导体区域的部分区域可以例如以环形方式、或以矩形或正方形的形式围绕连接接触。
在另一有利的配置中，第二半导体区域的至少一个部分区域侧向地突出超过第一半导体区域。第二半导体区域因此优选地具有比半导体层序列的第一半导体区域更大的侧向范围。侧向突出超过第一半导体区域的第二半导体区域的至少一个部分区域优选地邻近半导体芯片的侧面。
第二电接触层优选地在如下区域中至少部分地直接邻接第二半导体：在该区域中第二半导体区域侧向地突出超过第一半导体区域。这具有如下优点：第二电接触层不仅在贯通中而且还在第二半导体区域侧向地突出超过第一半导体区域的区域中与第二半导体区域接触，其中，通过该贯通、第二电接触层被引导通过第一半导体区域和有源区到达第二半导体区域。
具体地，第二电接触层可以形成到半导体层序列的第二区域的周向延伸接触。在这种情况下，“周向延伸”接触应理解为被完全地引导在第一半导体区域周围的接触，因为该接触例如以环形或矩形的方式围绕第一半导体区域。
在一个优选的配置中，连接接触布置在半导体芯片的中心的外部。具体地，连接接触的中点比离开半导体层序列的至少一个侧面更远地离开半导体层序列的中点。具体地，连接接触有利地布置在半导体芯片的拐角附近，其中，连接接触的中点有利地比离开半导体芯片的中点更近地离开半导体芯片的至少两个侧面。凭借连接接触在边缘区域或具体地优选地在半导体层序列的拐角附近的布置，半导体芯片的中心区域有利地未由连接接触所遮蔽，并且因此增加了半导体芯片的效率。
在一个优选的配置中，连接接触不直接邻接半导体层序列的侧面或拐角，而是在所有侧上由半导体层序列的一部分在侧向方向上围绕。这具有如下优点：能够实现第一电接触层与半导体层序列的第一区域之间的直接接触，所述直接接触在连接接触周围周向地延伸。以这样的方式获得在半导体芯片中的良好的电流效果（impression）。
在一个优选的实施例中，第一半导体区域是p型半导体区域并且第二半导体区域是n型半导体区域。因此，在此配置中，镜面层邻接p型半导体区域，并且第二电接触层被引导通过贯通到达n型半导体区域。p型半导体区域面对载体基底，并且n型半导体区域面对半导体层序列的第二主区域，所述第二区域用作辐射出口区域。
位于载体基底对面的第二半导体区域的表面优选地无接触连接。这具有如下优点：辐射可以通过除半导体层序列的切断中的连接接触之外的半导体层序列的第二主区域的表面的整个区域而耦合输出。具体地，半导体层序列的第二主区域可以设置有粗化（roughening）或耦合输出结构以进一步改进辐射的耦合输出。
在另一有利的配置中，光电子半导体芯片的半导体层序列不具有生长基底。在这种情况下，半导体芯片是所谓的薄膜发光二极管芯片，其中，用于半导体层序列的外延生长的生长基底在半导体层序列连接至载体基底之后被剥离。
半导体芯片优选地借助于焊层（solder layer）连接至载体基底。具体地，半导体芯片可以在位于原始生长基底对面的侧处连接至载体基底。
将基于结合图1至图3的示例性实施例在下面对本发明进行更详细的说明。
附图说明
在附图中：
图1A示出了穿过依照一个示例性实施例的光电子半导体芯片的横截面的示意图，
图1B示出了图1A所示的光电子半导体芯片的俯视图的示意图，
图2A至2M示出了用于基于中间步骤来产生图1A和图1B所示的光电子半导体芯片的方法的示意图，
图3A示出了穿过依照另一示例性实施例的光电子半导体芯片的横截面的示意图，以及
图3B示出了图3A所示的光电子半导体芯片的俯视图的示意图。
在附图的每种情况下，相同的或发挥相同作用的构成部件设置有相同的附图标记。所示的构成部件以及构成部件之间的尺寸关系不应被认为忠于比例。
具体实施方式
图1A的横截面和图1B的俯视图中所示的光电子半导体芯片1包含半导体层序列2，半导体层序列2具有第一导电类型的第一半导体区域3以及第二导电类型的第二半导体区域5。优选地，第一半导体区域3是p型半导体区域，并且第二半导体区域5是n型半导体区域。有源区4布置在第一半导体区域3与第二半导体区域5之间。
具体地，光电子半导体芯片1的有源区4可以是适合于发射辐射的有源区。在这种情况下，光电子半导体芯片1是发光二极管，具体地是LED。替选地，还可以想到有源区4为辐射检测层，其中，在这种情况下光电子半导体芯片1是检测器组件。例如，有源区4可以实现为pn结、双异质结、单量子阱结构或多量子阱结构。
半导体芯片1的半导体层序列2优选地基于III-V化合物半导体材料，具体地基于砷化物、氮化物或磷化物化合物半导体材料。以示例的方式，半导体层序列2可以包含InxAlyGa1-x-yN，InxAlyGa1-x-yP或InxAlyGa1-x-yAs，在每种情况下，其中，0≤x≤1，0≤y≤1以及x+y≤1。在这种情况下，III-V化合物半导体材料不必必要地具有根据以上分子式中的一个的数学上精确的组分。而且，其可以包括基本上不改变材料的物理属性的一个或多个掺杂剂和额外的构成物。然而，出于简要的目的，即使这些构成物可以被小量的其它物质所部分取代，上述分子式也仅包括晶格的主要构成物。
半导体芯片1通过连接层21连接至载体基底10，具体地，连接层21可以是由金属或金属合金所构成的焊层。
对于电接触连接，半导体芯片1具有第一电接触层7和第二电接触层8。第一电接触层7电传导地连接至第一半导体区域3，并且第二电接触层8电传导地连接至第二半导体区域5。
第一电接触层7和第二电接触层8两者至少布置在半导体层序列2的第一主区域11和载体基底10之间的区域中，所述第一主区域面对载体基底10。第一电接触层7和第二电接触层8借助于电绝缘层9而互相电绝缘。电绝缘层9优选地包含或包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝。替选地，电绝缘层9还可以包含其它氧化物或氮化物。
半导体层序列2的第二主区域12用作光电子半导体芯片1的辐射耦合输出区域并且有利地无电接触层，所述第二主区域位于载体基底10对面。为了改进辐射的耦合输出，第二主区域12可以设置有耦合输出结构23或粗化。
为了改进光电子半导体芯片的辐射效率，镜面层6布置在半导体层序列2与载体基底10之间。镜面层6布置于在面对载体基底10侧的第一半导体区域3的下游，并且具体地可以邻接半导体层序列2的第一主区域11。还能够将中间层（例如，薄的粘合力促进剂层）布置在第一半导体区域3与镜面层6之间。镜面层6具体地包含银、铝或包括银或铝的金属合金。这些材料的特征在于在可见光谱范围中的良好的反射率和良好的电导率。首先，镜面层6具有将有源区4在载体基底10的方向上所发射的辐射反射至辐射耦合输出区域12的功能。此外，镜面层6还用于第一半导体区域3的电接触连接。具体地，镜面层6在面对载体基底10的侧处邻接第一电接触层7，并且因此电传导地连接至第一电接触层7。
第一电接触层7优选地覆盖面对载体基底10的镜面层的界面16的主要部分。第一电接触层7优选地包含或包括金、钛、铬、氮化钛、氮化钛钨或镍。这些材料的特征在于其为电传导的并且为另外化学惰性的事实。以这样的方式，有利地保护镜面层6在由第一电接触层7所覆盖的区域中免受腐蚀的影响。
此外，镜面层6邻接使第一电接触层7与第二电接触层8互相绝缘的电绝缘层9的部分区域19。邻接镜面层6的电绝缘层9的部分区域19以其不邻接光电子半导体芯片1的周围介质这样的方式有利地由第二电接触层8所覆盖。邻接镜面层6的电绝缘层9的部分区域19以使得具体地潮湿不从半导体芯片1的侧面通过电绝缘层9到达镜面层6这样的方式被密封地封装。以这样的方式防止潮湿敏感的镜面层6的腐蚀。
半导体层序列2具有切断17，在切断17中半导体层序列2被移除直至第一电接触层7。结果，第一电接触层7形成布置在切断17中的外部可到达的连接接触14。具体地，连接接触14可以是针对接合线的连接而设置的接合片。切断17可以借助于蚀刻方法而产生，并且具有例如倾斜的侧面28。
例如，第二电接触层8可以经由半导体芯片1的背部、具体地经由电传导载体基底10和焊层21电学地连接至外部。阻挡层22可以布置在焊层21与第二电接触层8之间，具体地，所述阻挡层防止焊层的构成物扩散进入第二电接触层8，反之亦然。
第二电接触层8通过穿过第一半导体区域3和有源区4的贯通18来电传导地连接至第二半导体区域5。在贯通18的区域中，有源区4、第一半导体区域3、镜面层6以及第一电接触层7借助于电绝缘层9而与第二电接触层8绝缘。
有利地，第二半导体区域5的部分区域15在侧向方向上突出超过第一半导体区域3。在其中第二半导体区域5侧向地突出超过第一半导体区域3的部分区域15优选地邻近半导体芯片1的侧面。优选地，第二电接触层8的至少一些区域在部分区域15中直接邻接第二半导体区域5，在部分区域15中第二半导体区域5侧向地突出超过第一半导体区域3。具体地，以这样的方式，第二电接触层8产生与第二半导体区域5的直接接触，所述直接接触在半导体芯片1的边缘周向地延伸。因此，第二电接触层8与第二半导体区域5之间的电传导连接首先存在于贯通18的区域中，并且其次存在于部分区域15中，在部分区域15中第二半导体区域5侧向地突出超过第一半导体区域3。以这种方式获得进入半导体芯片1的尤其有效的电流效果。
有利地，第二电连接层8中的其直接邻接第二半导体区域5的部分区域15的区域不仅用作接触层而且还用作反射层，该反射层将在载体基底10的方向上所发射的辐射的一部分朝向半导体层序列2的第二主区域12进行反射，所述第二主区域用作反射出口区域。因此，第二电连接层有利地包括具有高反射率的金属或金属合金，具体地，包括银、铝或包括银或铝的合金。
此外，如果第一接触层7也至少在一些区域中直接邻接第一半导体区域3，则其是有利的。具体地，这可以凭借如下事实而实现：镜面层6不覆盖面对载体基底10的第一半导体区域3的整个界面，而是可以从第一半导体区域3的至少一个部分区域13中省略镜面层6。在未由镜面层所覆盖的第一半导体区域3的部分区域13中，第一电接触层7直接邻接第一半导体区域3。优选地，直接邻接第一电接触层7的第一半导体区域3的部分区域13布置在连接接触14旁。以这种方式获得从连接接触14到第一半导体区域13的尤其有效的电流效果。
在其中第一电接触层7直接邻接第一半导体区域3的部分区域13具体地可以是在连接接触14周围周向地延伸的区域，即，可以具体地以环形或框架形的方式引导部分区域13在连接接触14周围。
连接接触14优选地布置在半导体芯片1的中心的外部。如可以在图1B的俯视图中看出，连接接触14优选地布置在半导体芯片1的拐角附近。
如果连接接触14不直接邻接半导体层序列2的侧面24，则其是有利的。优选地，从在侧向方向上看出，连接接触14在所有侧上由半导体层序列2的一部分围绕。这使得第一电接触层7与第一半导体区域3的部分区域13之间的接触能够以在连接接触14周围周向地延伸的方式实现，以获得进入第一半导体区域3的尤其有效的电流效果。
在下面的图2A至图2M中，对用于产生光电子半导体芯片的方法的示例实施例进行描述。光电子半导体芯片的独立构成部件的上述有利配置以相同的方式适用于下述方法，反之亦然。
在图2A所示的方法的中间步骤中，半导体层序列2生长在生长基底20上，半导体层序列2包括第一半导体区域3、有源区4以及第二半导体区域5。生长优选地外延地实现，具体地，借助于MOVPE而实现。半导体层序列2可以例如包含氮化物化合物半导体材料，并且生长基底20可以是蓝宝石基底。第一半导体区域3优选地是p型半导体区域，并且第二半导体区域5优选地是n型半导体区域。
在图2B所示的方法步骤中，氧化物层25（例如，氧化硅层）被施加至第二半导体区域5。氧化物层25用于在随后的光刻和蚀刻处理期间保护第一半导体区域3。
在图2C所示的中间步骤中，具体地，借助于反应离子蚀刻（RIE）对半导体层序列2光刻法地进行图案化，其中，半导体层序列2在部分区域被恰好移除至第二半导体区域5，即，在这些区域中完全地移除第一半导体区域3和有源区4。第二半导体区域5的以这样的方式在部分区域未被覆盖的表面可以由电感耦合等离子蚀刻（ICP）进行处理以为之后施加连接接触进行准备。
在图2D所示的方法步骤中，例如，通过借助于缓冲氢氟酸（BOE-缓冲氧化物蚀刻）的蚀刻来再次移除之前所施加的氧化物层。此外，金属化26被施加至之前所图案化的半导体层序列2，所述金属化优选地包含银或铝并且形成完成的半导体芯片中镜面层和第二电接触层的区域。有利地，保护层（例如Pt-Ti-Pt层序列（未示出））被施加至包含银或铝的金属化26。
在图2E所示的方法步骤中，例如借助于光刻，对金属化26进行图案化以形成用于第一半导体区域3和第二半导体区域5的分离的接触。布置在第一半导体区域3上的图案化之后的金属化的部分区域形成了完成的半导体芯片中的镜面层6。布置在第二半导体区域5上的金属化的区域8a形成了完成的半导体芯片中的第二电接触层。
在图2F所示的中间步骤中，电绝缘层9施加至以这种方式所产生的结构。具体地，电绝缘层9可以是氧化硅层或氮化硅层。
在图2G所示的中间步骤中，具体地，在电绝缘层9中产生开口以不覆盖镜面层6。开口可以借助于光刻而产生，其中，具体地，可以实现借助于BOE的蚀刻步骤。这使得能够在之后的方法步骤中，接触层可以被施加至远离半导体层序列2的镜面层6的界面16。电绝缘层9在一些区域中被移除直至第一半导体区域3的部分区域13。
在图2H所示的中间步骤中，施加第一电接触层7并且对其光刻法地进行图案化。第一电接触层7覆盖镜面层6的表面，并且以这样的方式，首先产生至第一半导体区域3的电连接，以及其次用作用于镜面层6的材料的封装。第一电接触层7可以具体地包含或包括金、钛、铬、氮化钛、氮化钛钨或镍。第一电接触层7还能够包括多个部分层。以示例的方式，第一电接触层7可以包括钛层和随后的金层。
在图2I所示的中间步骤中，施加电绝缘层9以使之前所施加的第一电接触层7绝缘。
在图2J所示的中间步骤中，在电绝缘层9中产生开口以不覆盖之前所施加的第二电接触层的部分区域8a。例如，这可以结合BOE蚀刻而光刻地被实现。
在图2K所示的中间步骤中，之前所生产的整个层结构由第二电接触层8所覆盖。第二电接触层8优选地包含银、铝或包括银或铝的合金。第二电接触层8用于与第二半导体区域5进行电接触，具体地，第二半导体区域5可以是n型半导体区域。为了产生与第二半导体区域5的接触，首先，第二电接触层8在穿过第一半导体区域3和有源区4的贯通18中邻接第二半导体区域5。此外，第二电接触层8在第二半导体区域5沿半导体芯片1的边缘穿行的部分区域15中邻接第二半导体区域5。具体地，以此方式实现第二电接触层8与第二半导体区域5之间的接触，所述接触在半导体芯片1的边缘周围完全周向地延伸。以这种方式获得进入半导体芯片1的尤其有效的电流效果。
在图2L所示的中间步骤中，半导体芯片1在远离生长基底20侧处借助于焊层21而连接至载体基底10。在载体基底10连接至半导体芯片1之前，阻挡层22优选地施加至第二电接触层8以优选地保护包含银或铝的第二电接触层8免受焊层21的构成物的扩散的影响。具体地，焊层21可以包含AuSn。阻挡层22例如可以包含TiWN（钛钨氮化物）。
载体基底10优选地是电传导基底，例如由硅或锗构成的掺杂半导体晶片。
在图2M所示的中间步骤中，将生长基底20从半导体芯片1剥离。与之前的附图相比，以旋转180度的方式示出半导体芯片1，因为现在位于原始生长基底对面的载体基底10被用作半导体芯片1的单独载体。生长基底（具体地，蓝宝石基底）可以借助于例如激光剥离处理而从半导体层序列2剥离。在图2M所示的中间步骤中，例如通过使用KOH的蚀刻，使已经从其剥离了生长基底20的半导体芯片1的主区域12额外地设置有耦合输出结构23。这是有利的，因为半导体芯片1的第二主区域12用作完成的光电子半导体芯片1中的辐射耦合输出区域。
在另一方法步骤中，如图1A所示，第二半导体区域5设置有台面结构，以使得半导体芯片1具体地可以在第二半导体区域5中具有倾斜的侧面24。此外，在第二半导体区域5中生产切断17，在该切断中第二半导体区域5被移除直至第一电接触层7。切断17可以具有倾斜的侧面28。台面结构和切断17可以借助于湿法化学蚀刻处理或借助于干法蚀刻而产生。凭借在切断17中第一电接触层7未被覆盖的事实，第一电接触层7在该处形成外部可到达的电连接接触14，其具体地可以用作用于产生线连接的接合片。可以优选地在电传导的载体基底10的背部设置另一电连接从而以这样的方式电连接第二电接触层8。
以这样的方式产生如图1A所示的光电子半导体芯片1的示例性实施例。
如图3A的横截面和图3B的俯视图所示的光电子半导体芯片的第二示例性实施例与图1A所示的第一示例性实施例的不同之处在于：半导体层序列2中的切断17引导通过整个半导体层序列2直至第一电接触层7。连接接触14因此位于半导体层序列2的原始表面级。
通过与图1A所示的示例性实施例进行比较，图3A所示的示例性实施例具有以下优点：在图1A所示的示例性实施例中，第一电接触层7成形在邻接连接接触14的边缘区域的电绝缘层9的部分区域上，并且在部分区域19中与镜面层6接触的电绝缘层9的该区域顺次成形在所述第一电接触层上。如果电接触层7仅不充分地成形在由邻接连接接触的电绝缘层9的区域所形成的台阶（step）上，则存在电绝缘层9的这些部分区域将与布置在其上的电绝缘层9接触的风险，并且以这样的方式存在潮湿穿过邻接周围介质的电绝缘层9的部分区域直至镜面层6的风险。
因为未在与镜面层6接触的电绝缘层9上成形与周围介质接触的另外的电绝缘层，所以在图3A所示的示例性实施例中避免了上述风险。然而，在图3A所示的示例性实施例中，另外的电绝缘层27需要至少施加至切断17的侧面28以保护在那里未被覆盖的有源区4。此额外的电绝缘层27例如可以施加至除连接接触14之外的、半导体芯片1的远离载体基底10的整个第二主区域12。
本发明不由基于示例性实施例的说明书所限制。相反，本发明包含任何新颖的特征并且还包含特征的任何组合，其具体地包括专利的权利要求中的特征的任何组合，即使此特征或此组合自身未在专利的权利要求或示例性实施例中明确地说明。
Claims (15)
1.一种光电子半导体芯片（1），包括：
半导体层序列（2），所述半导体层序列（2）具有第一导电类型的第一半导体区域（3）、第二导电类型的第二半导体区域（5）以及有源区（4），所述有源区（4）布置在所述第一半导体区域（3）与所述第二半导体区域（5）之间，
载体基底（10），其中，所述半导体层序列（2）具有面对所述载体基底（10）的第一主区域（11）和位于对面的第二主区域（12），
第一电接触层（7）和第二电接触层（8），所述第一电接触层（7）和所述第二电接触层（8）至少布置在所述载体基底（10）与所述半导体层序列（2）的所述第一主区域（11）之间的区域中，其中，所述第二电接触层（8）被引导通过所述第一半导体区域（3）和所述有源区（4）中的贯通（18）到达所述第二半导体区域（5），
电绝缘层（9），所述电绝缘层（9）使所述第一电接触层（7）与所述第二电接触层（8）互相绝缘，以及
镜面层（6），所述镜面层（6）布置在所述半导体序列（2）与所述载体基底（10）之间，
其中，
所述镜面层（6）邻接所述第一电接触层（7）的部分区域和所述电绝缘层（9）的部分区域（19），其中，面对所述载体基底（10）的所述镜面层（6）的界面（16）的主要部分由所述第一电接触层（7）所覆盖，
邻接所述镜面层（6）的所述电绝缘层（9）的所述部分区域（19）以其不邻接所述光电子半导体芯片（1）的周围介质这样的方式，由所述第二电接触层（8）所覆盖，以及
所述半导体层序列（2）具有切断（17），在所述切断（17）中，所述第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第一电接触层（7）包含金、钛、铬、氮化钛、氮化钛钨或镍。
3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述镜面层（6）包含银、铝或银或铝的合金。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第二电接触层（8）包含银、铝或银或铝的合金。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述电绝缘层（9）包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第一电接触层（7）直接邻接布置在所述连接接触（14）旁的所述第一半导体区域（3）的部分区域（13）。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第二半导体区域（5）的部分区域（15）侧向地突出超过所述第一半导体区域（3）。
8.根据权利要求7所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第二电接触层（8）在所述部分区域（15）中至少部分地直接邻接所述第二半导体区域（5），在所述部分区域（15）中所述第二半导体区域（5）侧向地突出超过所述第一半导体区域（3）。
9.根据权利要求8所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第二电接触层（8）形成到所述半导体层序列（2）的所述第二半导体区域（5）的周向延伸接触，所述周向延伸接触被完全地引导在所述第一半导体区域（3）周围。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述连接接触（14）布置在所述半导体芯片（1）的中心的外部。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，如在侧向方向上看出，所述连接接触（14）在所有侧上由所述半导体层序列（2）的一部分围绕。
12.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第一半导体区域（3）是p型半导体区域。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述第二半导体区域（5）是n型半导体区域。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述半导体层序列（2）不具有生长基底（20）。
15.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，
其中，所述半导体芯片（1）借助于焊层（21）连接至所述载体基底（10）。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010045784.1A DE102010045784B4 (de) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| DE102010045784.1 | 2010-09-17 | ||
| PCT/EP2011/064386 WO2012034828A1 (en) | 2010-09-17 | 2011-08-22 | Optoelectronic semiconductor chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103109382A true CN103109382A (zh) | 2013-05-15 |
| CN103109382B CN103109382B (zh) | 2016-10-19 |
Family
ID=44509350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180044299.5A Expired - Fee Related CN103109382B (zh) | 2010-09-17 | 2011-08-22 | 光电子半导体芯片 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8866175B2 (zh) |
| EP (1) | EP2617068A1 (zh) |
| JP (1) | JP5759004B2 (zh) |
| KR (1) | KR101590235B1 (zh) |
| CN (1) | CN103109382B (zh) |
| DE (1) | DE102010045784B4 (zh) |
| TW (1) | TWI451568B (zh) |
| WO (1) | WO2012034828A1 (zh) |
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- 2010-09-17 DE DE102010045784.1A patent/DE102010045784B4/de not_active Expired - Fee Related
-
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- 2011-08-22 CN CN201180044299.5A patent/CN103109382B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-22 JP JP2013528584A patent/JP5759004B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-22 EP EP11746249.9A patent/EP2617068A1/en not_active Withdrawn
- 2011-08-22 US US13/821,554 patent/US8866175B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-22 KR KR1020137008958A patent/KR101590235B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-08-22 WO PCT/EP2011/064386 patent/WO2012034828A1/en active Application Filing
- 2011-09-05 TW TW100131880A patent/TWI451568B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI451568B (zh) | 2014-09-01 |
| DE102010045784B4 (de) | 2022-01-20 |
| TW201230319A (en) | 2012-07-16 |
| KR20130054416A (ko) | 2013-05-24 |
| DE102010045784A1 (de) | 2012-03-22 |
| JP2013537369A (ja) | 2013-09-30 |
| US20130228819A1 (en) | 2013-09-05 |
| EP2617068A1 (en) | 2013-07-24 |
| WO2012034828A1 (en) | 2012-03-22 |
| US8866175B2 (en) | 2014-10-21 |
| KR101590235B1 (ko) | 2016-01-29 |
| CN103109382B (zh) | 2016-10-19 |
| JP5759004B2 (ja) | 2015-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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