DE102016220915A1 - Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents

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Alexander Pfeuffer
Britta Göötz
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Abstract

In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte:Bereitstellen einer Primärlichtquelle (2) mit einem Träger (21) und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert wird und der Träger (21) eine Vielzahl von Ansteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst,Bereitstellen einer Konversionseinheit (3, 4), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit (3, 4) zusammenhängend aus einem Halbleitermaterial (31, 41) gewachsen wird,Strukturieren der Konversionseinheit (3, 4), wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials (31, 41) entsprechend den Bildpunkten (24) entfernt werden, undAufbringen der Konversionseinheit (3, 4) auf die Halbleiterschichtenfolge (22), sodass das verbleibende Halbleitermaterial (31, 41) einem Teil der Bildpunkte (24) eindeutig zugeordnet wird.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit vielen Bildpunkten anzugeben, das einstellbar Licht in unterschiedlichen Farben emittiert, und das effizient herstellbar ist.
  • Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren und durch ein Halbleiterbauteil mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen. Dabei können mehrere der Halbleiterbauteile gemeinsam in einem Wafer-Verbund hergestellt werden. Die optoelektronischen Halbleiterbauteile sind zur Erzeugung von farblich abstimmbarem Licht eingerichtet. Die hergestellten Halbleiterbauteile dienen beispielsweise als Anzeigeeinrichtungen, als Displays oder in Scheinwerfern mit abstimmbarer Emissionscharakteristik, beispielsweise in Kraftfahrzeugen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens einer Primärlichtquelle. Die Primärlichtquelle erzeugt über Elektrolumineszenz eine elektromagnetische Strahlung, insbesondere Primärlicht. Bei dem Primärlicht handelt es sich bevorzugt um blaues Licht, beispielsweise mit einer Wellenlänge maximaler Intensität bei mindestens 420 nm oder 435 nm und/oder bei höchstens 480 nm oder 460 nm. Die Primärlichtquelle kann alternativ oder zusätzlich ultraviolette Strahlung erzeugen, beispielsweise mit einer Wellenlänge maximaler Intensität bei mindestens 365 nm und/oder bei höchstens 420 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Primärlichtquelle einen Träger. Der Träger beinhaltet eine Vielzahl von Ansteuereinheiten. Insbesondere handelt es sich bei dem Träger um einen Halbleiterträger auf Basis von Silizium, der Transistoren und/oder Schalteinheiten und/oder Steuereinheiten aufweist. Die Ansteuereinheiten können in CMOS-Technologie erzeugt sein. Der Träger basiert bevorzugt auf einem Halbleitermaterial wie Silizium oder Germanium.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf dem Träger eine Halbleiterschichtenfolge angebracht. Die Halbleiterschichtenfolge ist zur Erzeugung der Primärstrahlung eingerichtet. Hierzu umfasst die Halbleiterschichtenfolge zumindest eine aktive Zone. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamAs oder wie AlnGamIn1-n-mAskP1-k, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1 sowie 0 ≤ k < 1 ist. Bevorzugt gilt dabei für zumindest eine Schicht oder für alle Schichten der Halbleiterschichtenfolge 0 < n ≤ 0,8, 0,4 ≤ m < 1 und n + m ≤ 0,95 sowie 0 < k ≤ 0,5. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Halbleiterschichtenfolge in Draufsicht gesehen in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten strukturiert. Diese Strukturierung erfolgt insbesondere durch eine Wegnahme von Material eines Teils der Halbleiterschichtenfolge. Mit anderen Worten wird die Halbleiterschichtenfolge etwa durch Ätzen strukturiert. Bevorzugt erfolgt eine Materialwegnahme aus der Halbleiterschichtenfolge heraus zwischen benachbarten Bildpunkten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Bildpunkte elektrisch unabhängig voneinander elektrisch kontaktiert und unabhängig voneinander ansteuerbar. Das voneinander unabhängige Ansteuern erfolgt über die Ansteuereinheiten in dem Träger. Bevorzugt ist jedem der Bildpunkte genau eine der Ansteuereinheiten des Trägers zugeordnet und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens einer oder mehrerer Konversionseinheiten. Die mindestens eine Konversionseinheit ist dazu eingerichtet, das Primärlicht teilweise oder vollständig zu absorbieren und in zumindest ein Sekundärlicht umzuwandeln. Die Erzeugung des Sekundärlichts erfolgt über Fotolumineszenz aus dem Primärlicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Konversionseinheit oder werden alle Konversionseinheiten jeweils zusammenhängend aus zumindest einem Halbleitermaterial gewachsen. Insbesondere wird jede Konversionseinheit epitaktisch gewachsen. Die Konversionseinheiten können auf denselben Halbleitermaterialien basieren, wie die Halbleiterschichtenfolge der Primärlichtquelle, oder auf hiervon verschiedenen Halbleitermaterialien.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfassen die Konversionseinheiten zur Erzeugung des Sekundärlichts jeweils eine Einfach-Quantentopfstruktur oder, bevorzugt, eine Mehrfach-Quantentopfstruktur. Das heißt, die Konversionseinheiten können aus einer Abfolge von mehreren Halbleiterschichten zusammengesetzt sein. In einer lateralen Richtung, insbesondere parallel zu einer Hauptausdehnungsrichtung des Trägers, ändert sich eine Zusammensetzung der Konversionseinheiten bevorzugt nicht oder nicht signifikant. Mit anderen Worten setzen sich die Halbleiterschichten der Konversionseinheiten über die gesamte jeweilige Konversionseinheit hinweg fort, bevorzugt in im Rahmen der Herstellungstoleranzen ungeänderter Zusammensetzung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Konversionseinheiten strukturiert. Beim Strukturieren wird in Teilgebieten das Halbleitermaterial, aus dem die Konversionseinheiten sind, entfernt. Bevorzugt wird in den Teilgebieten das Halbleitermaterial vollständig entfernt, sodass in Draufsicht gesehen Ausnehmungen und/oder Löcher in den Konversionseinheiten entstehen. Weiter ist es möglich, dass nur Inseln des Halbleitermaterials der Konversionseinheiten stehen bleiben, die untereinander nicht durch Halbleitermaterial der jeweiligen Konversionseinheit verbunden sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Strukturieren der zumindest einen Konversionseinheit entsprechend den Bildpunkten der Halbleiterschichtenfolge. Beispielsweise wird dasselbe Raster beim Strukturieren des Halbleitermaterials verwendet, mit dem die Halbleiterschichtenfolge in die Bildpunkte strukturiert ist. Somit ist es möglich, zumindest einen Teil der Bildpunkte je einem Bereich des Halbleitermaterials der Konversionseinheit zuzuordnen, sodass der entsprechende Bildpunkt im Betrieb das Sekundärlicht erzeugt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die strukturierte Konversionseinheit auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Hierdurch erfolgt eine Zuordnung des nach dem Strukturieren verbleibenden Halbleitermaterials der Konversionsschichten zu einem Teil der Bildpunkte. Diese Zuordnung ist bevorzugt eineindeutig.
  • In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte, beispielsweise in der angegebenen Reihenfolge:
    • - Bereitstellen einer Primärlichtquelle mit einem Träger und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von Primärlicht, wobei die Halbleiterschichtenfolge in Draufsicht gesehen in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten strukturiert wird und der Träger eine Vielzahl von Ansteuereinheiten zur Ansteuerung der Bildpunkte umfasst,
    • - Bereitstellen zumindest einer Konversionseinheit, die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht in zumindest ein Sekundärlicht umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit zusammenhängend aus wenigstens einem Halbleitermaterial gewachsen wird,
    • - Strukturieren der Konversionseinheit, wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials entsprechend den Bildpunkten entfernt werden, und
    • - Aufbringen der Konversionseinheit auf die Halbleiterschichtenfolge, sodass das verbleibende Halbleitermaterial einem Teil der Bildpunkte eindeutig zugeordnet wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Primärlichtquelle aufgebaut, wie in der Druckschrift DE 10 2014 101 896 A1 oder DE 10 2014 105 999 A1 angegeben. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschriften hinsichtlich der Primärlichtquelle wird durch Rückbezug aufgenommen. Solche Primärlichtquellen, die einen Träger mit Ansteuereinheiten und eine in Bildpunkte strukturierte Halbleiterschichtenfolge umfassen, werden auch als Mikroleuchtdioden, kurz Mikro-LED, bezeichnet.
  • Mikro-LEDs sind meist monochromatisch emittierende Bauteile. Um mit drei monochromatisch emittierenden Mikro-LEDs, also einer Mikro-LED für rotes Licht, einer für grünes Licht und einer für blaues Licht, ein farbiges Bild erzeugen zu können, kann das von den Mikro-LEDs emittierte Licht über ein Prisma zusammengemischt und überlagert werden. Weiterhin ist es möglich, ein farbiges Bild direkt aus der Emission einzelner Pixel zu erzeugen, wobei verschiedenfarbig emittierende, einzelne Bildpunkte aus einem Halbleitermaterial entweder seitlich nebeneinander gesetzt oder vertikal übereinander gestapelt angeordnet werden können. Solche Anordnungen sind jedoch entweder nur sehr aufwendig herzustellen, dadurch bedingt, dass einzelne Bildpunkte einzeln platziert werden müssen, oder weisen zusätzliche optische Komponenten auf.
  • Mit dem hier beschriebenen Verfahren hingegen lässt sich ein Halbleiterbauteil in Form einer Mikro-LED effizient herstellen, wobei die einzelnen Bildpunkte aus einer einzigen Halbleiterschichtenfolge resultieren. Durch das Aufbringen der zumindest einen Konversionseinheit lassen sich in kompakter und effizient herstellbarer Bauweise Bildpunkte erzeugen, die in unterschiedlichen Farben emittieren. Dies wird insbesondere durch die Strukturierung der Konversionseinheiten gemäß der Aufteilung der Halbleiterschichtenfolge in die Bildpunkte erreicht. Dabei sind sowohl die Konversionseinheiten als auch die Halbleiterschichtenfolge auf Wafer-Ebene herstellbar.
  • Durch die Erzeugung von verschiedenen Farben über Fotolumineszenz in den Konversionseinheiten ist es möglich, eine monochromatisch emittierende Primärlichtquelle in Form einer Mikro-LED zu verwenden. Etwa eine Ausgestaltung von elektrischen Kontakten und Passivierungsschichten ist dabei vergleichsweise einfach und effizient, gegenüber anderen Lösungen. Die Verwendung von epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichten für die Konversionseinheiten ermöglicht die Erzeugung eines Schichtenstapels, welcher mehrere Schichten beinhaltet, die in unterschiedlichen Wellenlängen emittieren. Außerdem ist es mit solchen Halbleiterschichten für die Konversionseinheiten möglich, einen hohen Absorptionsgrad insbesondere für blaues Licht einzustellen, so dass eine lokale Vollkonversion des Primärlichts erzielt werden kann. Ferner sind spektral schmalbandige Spektren der jeweiligen Fotolumineszenzstrahlung erzielbar, was zum Beispiel bei Displayanwendungen einen großen Gamut-Bereich erschließt. Da an einem bestimmten Ort oberhalb der Halbleiterschichtenfolge besonders bevorzugt nur eine einzige Konversionseinheit vorhanden ist, sind unerwünschte Absorptionsverluste vermeidbar. Durch die Verwendung von Planarisierungsprozessen zum Erfüllen von Zwischenräumen zwischen Halbleitermaterialbereichen der Konversionseinheiten ist eine mechanische Stabilisierung ermöglicht. Außerdem können die Konversionseinheiten über Direktbonden auf die Primärlichtquelle aufgebracht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt beim Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge zu den Bildpunkten keine Veränderung einer Lage von verbleibenden Gebieten der Halbleiterschichtenfolge relativ zueinander. Mit anderen Worten werden die Bereiche für die einzelnen Bildpunkte nicht erst etwa durch ein nachträgliches Platzierungsverfahren nebeneinandergesetzt, sondern die Bildpunkte entstehen direkt aus der Halbleiterschichtenfolge heraus, ohne ein nachfolgendes Umordnen oder Umplatzieren. Bevorzugt gilt dies auch für die Strukturierung der Konversionseinheiten. Das heißt, auch die verbleibenden Teilgebiete des Halbleitermaterials der Konversionseinheiten werden hinsichtlich ihrer Position und Lage nach dem oder beim Strukturieren relativ zueinander nicht verändert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden auf die Halbleiterschichtenfolge mehrere Konversionseinheiten aufgebracht. Bevorzugt werden genau zwei Konversionseinheiten angebracht. Dabei dient eine erste Konversionseinheit zur Umwandlung von blauem Licht in grünes Licht, und eine zweite Konversionseinheit zur Umwandlung von blauem Licht in rotes Licht. Emittiert die Primärlichtquelle ultraviolette Strahlung und kein oder kaum blaues Licht, so ist bevorzugt eine dritte Konversionseinheit zur Erzeugung von blauem Licht vorhanden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Halbleiterschichten der Konversionseinheiten übereinander auf einem gemeinsamen Wachstumssubstrat aufgewachsen. Mit anderen Worten können die Konversionseinheiten eine gemeinsame, zusammenhängend gewachsene Halbleiterschichtenabfolge darstellen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird eine oder werden mehrere der Konversionseinheiten noch auf dem gemeinsamen Wachstumssubstrat strukturiert. Die Strukturierung erfolgt beispielsweise photolithografisch und über Ätzen. Bevorzugt werden die Konversionseinheiten zeitlich nacheinander strukturiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nur eine der Konversionseinheiten auf dem gemeinsamen Wachstumssubstrat strukturiert. Nach dem Strukturieren dieser Konversionseinheit wird der Verbund aus den Konversionseinheiten und dem gemeinsamen Wachstumssubstrat an der Halbleiterschichtenfolge befestigt, bevorzugt mittels Waferbonden. Anschließend erfolgt ein Ablösen des Wachstumssubstrats, beispielsweise mittels Laser-Behandlung, Ätzen und/oder mechanischen Methoden wie Schleifen. Schließlich wird zumindest eine weitere Konversionseinheit strukturiert, wobei dieses Strukturieren an der Halbleiterschichtenfolge der Primärlichtquelle erfolgt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden mehrere Konversionseinheiten auf der Halbleiterschichtenfolge der Primärlichtquelle aufgebracht. Dabei wird jede der Konversionseinheiten auf einem eigenen Wachstumssubstrat gewachsen. Die Konversionseinheiten stellen also je eine separat hergestellte, eigene Halbleiterschichtenabfolge dar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Strukturieren der Konversionseinheiten auf dem je zugehörigen Wachstumssubstrat. Damit ist eine Strukturierung der Konversionseinheiten direkt an der Halbleiterschichtenfolge vermeidbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Strukturieren der entsprechenden Konversionseinheit eine oder mehrere Planarisierungsschichten aufgebracht. Die Planarisierungsschicht ist aus einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet und besteht bevorzugt aus anorganischen Materialien, beispielsweise aus einem Oxid wie Siliziumoxid oder Aluminiumoxid oder einem Nitrid wie Siliziumnitrid oder Aluminiumnitrid.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden durch die Planarisierungsschicht einzelne inselförmige Bereiche der Konversionseinheiten, die aus dem Strukturieren des Halbleitermaterials resultieren, mechanisch fest miteinander verbunden. Dabei kann sich ein Material für die Planarisierungsschicht direkt an dem Halbleitermaterial der Konversionseinheiten befinden. Alternativ ist es möglich, dass zwischen dem Material der Planarisierungsschicht und dem Halbleitermaterial der Konversionseinheiten eine Beschichtung, insbesondere eine optisch funktionalisierte Beschichtung wie eine optische Isolierung oder ein Spiegel, befindet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdeckt die Planarisierungsschicht eine dem zugehörigen Wachstumssubstrat abgewandte Seite der betreffenden Konversionseinheit teilweise oder vollständig. Dabei kann die Planarisierungsschicht diese Seite dauerhaft oder nur zeitweise während bestimmter Herstellungsschritte bedecken.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Konversionseinheiten je auf separaten Wachstumssubstraten gewachsen. Nachfolgend werden die Konversionseinheiten noch vor dem Ablösen der Wachstumssubstrate aneinander befestigt, insbesondere durch Direktbonden mit oder ohne Zwischenschicht. Hierdurch entsteht eine Schichtenfolge aus den Konversionseinheiten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Schichtenfolge aus den Konversionseinheiten strukturiert, wobei insbesondere nur eine der Konversionseinheiten strukturiert wird. Nachfolgend wird diese Schichtenfolge an der Halbleiterschichtenfolge der Primärlichtquelle befestigt. Hierauf kann das verbleibende Wachstumssubstrat entfernt werden. Danach kann die zuvor noch nicht strukturierte Konversionseinheit strukturiert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Konversionseinheiten untereinander oder die Konversionseinheiten an der Halbleiterschichtenfolge mittels Waferbonden befestigt. Dabei kann es sich um Waferbonden ohne Zwischenschicht handeln, insbesondere um sogenanntes direktes Bonden oder anodisches Bonden. Alternativ kann eine insbesondere oxidische oder nitridische Zwischenschicht verwendet werden und bei dem Waferbonden handelt es sich etwa um ein eutektisches Bonden, ein Glasbonden oder ein adhäsives Bonden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Lichtweg zwischen dem Träger und einer dem Träger abgewandten Lichtaustrittsseite der Konversionseinheiten frei von organischem Material. Mit anderen Worten durchläuft Licht innerhalb des Halbleiterbauteils lediglich anorganische Materialien. Hierdurch ist eine lange Lebensdauer erreichbar und hohe Leistungsdichten insbesondere von blauem Licht sind erzielbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird einigen der Bildpunkte keine der Konversionseinheiten zugeordnet. Von diesen Bildpunkten wird das Primärlicht emittiert, ohne dass eine Wellenlängenumwandlung erfolgt. Weiterhin wird den übrigen Bildpunkten je genau eine der Konversionseinheiten zugeordnet. Somit liegen keine übereinandergestapelten Konversionseinheiten bei den Bildpunkten vor.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden mehrere, insbesondere genau drei, verschiedenfarbig emittierende Bildpunkte zu einem Anzeigebereich zusammengefasst. Solche Anzeigebereiche werden auch als farbige Pixel bezeichnet. Die Anzeigebereiche können einstellbar verschiedenfarbig Licht emittieren. Durch die Anordnung der Bildpunkte in Anzeigebereichen ist es möglich, mit dem Halbleiterbauteil Bilder oder Filme oder variierende Leuchtmuster darzustellen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind benachbarte Bildpunkte und/oder benachbarte Anzeigebereiche mittels einer Zwischenwand optisch voneinander isoliert. Die Zwischenwand kann aus einem oder mehreren lichtundurchlässigen Materialien zusammengesetzt sein. Die Zwischenwand kann absorbierend oder reflektierend für die erzeugte Strahlung sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die Zwischenwand vollständig durch die Konversionseinheit. Dabei ist es möglich, dass die Zwischenwand bündig zur Halbleiterschichtenfolge hin abschließt oder auch die Halbleiterschichtenfolge teilweise oder vollständig durchdringt. Ragt die Zwischenwand in die Halbleiterschichtenfolge hinein, so ist die Zwischenwand beispielsweise aus einem elektrisch isolierenden Material gestaltet oder hin zur Halbleiterschichtenfolge elektrisch isolierend ausgeführt. Alternativ ist es möglich, dass beispielsweise eine n-leitende Seite der Halbleiterschichtenfolge über die Zwischenwände elektrisch kontaktiert ist, es kann durch die Zwischenwand somit ein gemeinsamer elektrischer Kontakt über die Bildpunkte hinweg realisiert sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die Halbleiterschichtenfolge durchgehend und zusammenhängend und bevorzugt auch lückenlos über alle Bildpunkte hinweg. Alternativ ist die Halbleiterschichtenfolge in Bereichen zwischen benachbarten Bildpunkten und/oder Anzeigebereichen vollständig entfernt, sodass die Bildpunkte oder Anzeigebereiche durch Inseln aus der Halbleiterschichtenfolge heraus realisiert sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an einer der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite der Konversionseinheiten wenigstens eine Spiegelschicht aufgebracht. Die eine oder die mehreren Spiegelschichten sind für das in der zugeordneten Konversionseinheit erzeugte Sekundärlicht undurchlässig oder weitgehend undurchlässig. Bevorzugt sind die Spiegelschichten zur Reflexion dieses Sekundärlichts eingerichtet. Insbesondere sind die Spiegelschichten für das Primärlicht durchlässig und etwa durch dichroitische Spiegel realisiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich an einer dem Träger abgewandten Seite der Konversionseinheiten wenigstens eine Filterschicht. Die Filterschicht ist für das Primärlicht undurchlässig und für das Sekundärlicht durchlässig. Dabei kann die Filterschicht absorbierend oder reflektierend für das Primärlicht wirken. Optional ist es möglich, dass die Filterschicht als Antireflexionsschicht für das Sekundärlicht gestaltet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt die Filterschicht und/oder die Spiegelschicht die zugehörige Konversionseinheit vollständig. Alternativ ist die zugehörige Konversionseinheit von der Filterschicht und/oder der Spiegelschicht nur zum Teil bedeckt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist zumindest eine der Konversionseinheiten oder weisen alle Konversionseinheiten und/oder weist die Halbleiterschichtenfolge eine Dicke von mindestens 1 µm oder 2 µm und/oder von höchstens 15 µm oder 10 µm oder 6 µm auf. Mit anderen Worten sind die Konversionseinheiten und die Halbleiterschichtenfolge dünn.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Bildpunkte in Draufsicht gesehen einen mittleren Durchmesser von mindestens 2 µm oder 3 µm oder 10 µm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt der mittlere Durchmesser bei höchstens 300 µm oder 200 µm oder 80 µm. Insbesondere gelten diese Werte nicht nur für den mittleren Durchmesser, sondern auch für eine mittlere Kantenlänge der Bildpunkte, falls diese, in Draufsicht gesehen, quadratisch oder rechteckig geformt sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein Abstand zwischen benachbarten Bildpunkten bei mindestens 0,3 µm oder 0,5 µm oder 1 µm und/oder bei höchstens 10 µm oder 6 µm oder 3 µm. Der Abstand zwischen den Bildpunkten beträgt bevorzugt höchstens 25 % oder 10 % oder 3 % des mittleren Durchmessers der Bildpunkte.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das fertige Halbleiterbauteil mindestens 10 oder 100 oder 1000 der Bildpunkte. Alternativ oder zusätzlich liegt die Zahl der Bildpunkte bei höchstens 108 oder 107 oder 106 oder 105. Gleiches kann für die Anzahl der Anzeigebereiche gelten.
  • Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das Halbleiterbauteil ist bevorzugt mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale für das Verfahren sind daher auch für das Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil eine Primärlichtquelle, die einen Träger und eine darauf angebrachte Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von Primärlicht beinhaltet. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil zumindest eine Konversionseinheit aus wenigstens einem Halbleitermaterial, wobei die Konversionseinheit dazu eingerichtet ist, das Primärlicht über Fotolumineszenz in zumindest ein Sekundärlicht umzuwandeln. Die Halbleiterschichtenfolge und die Konversionseinheit sind separat voneinander hergestellt und nicht zusammenhängend gewachsen. Die Halbleiterschichtenfolge ist, in Draufsicht gesehen, in eine Vielzahl elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten strukturiert. Der Träger weist eine Vielzahl von Ansteuereinheiten zur Ansteuerung der Bildpunkte auf, die bevorzugt in einer 1:1-Zuordnung zu den Bildpunkten vorliegen. Einigen der Bildpunkte ist keine Konversionseinheit zugeordnet, sodass diese Bildpunkte das Primärlicht emittieren und wobei den verbleibenden Bildpunkten je genau eine Konversionseinheit zugeordnet ist. Mehrere verschiedenfarbig emittierende Bildpunkte sind zu einem Anzeigebereich zusammengefasst, der dazu eingerichtet ist, bezüglich der Farbe einstellbares Licht zu emittieren. Ferner ist ein Lichtweg zwischen dem Träger und einer dem Träger abgewandten Lichtaustrittsseite der Konversionseinheit frei von organischen Materialien.
  • Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebenes Halbleiterbauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Es zeigen:
    • 1 bis 3 und 6 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, und
    • 4 und 5 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen.
  • In 1 ist schematisch ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen 1 illustriert. Gemäß 1A wird ein Wachstumssubstrat 5 bereitgestellt. Das Wachstumssubstrat 5 ist beispielsweise ein GaAs-Substrat. Auf das Wachstumssubstrat 5 werden zwei Halbleitermaterialien 31, 41 für zwei Konversionseinheiten 3, 4 aufgewachsen. Dabei wird zuerst ein zweites Halbleitermaterial 41 zur Erzeugung von rotem Licht und daraufhin ein erstes Halbleitermaterial 31 zur Erzeugung von grünem Licht aufgewachsen.
  • Die beiden Halbleitermaterialien 31, 41 basieren etwa auf InGaAlP. Das zweite Halbleitermaterial 41 zur Erzeugung von rotem Licht basiert bevorzugt auf InGaAlP. Alternativ zu InGaAlP kann das erste Halbleitermaterial 31 auch auf InGaN basieren, gewachsen beispielsweise auf einem Saphirsubstrat. Ein solches, lichtdurchlässiges Saphirsubstrat kann abweichend von der Darstellung in 1 auch noch an dem Halbleitermaterial 31 angebracht verbleiben. Es sind die Halbleitermaterialien 31, 41 je aus mehreren Schichten aufgebaut und umfassen bevorzugt eine Multiquantentopfstruktur, mit der über Fotolumineszenz grünes oder rotes Sekundärlicht erzeugbar ist.
  • Eine Multiquantentopfstruktur kann zum Beispiel zehn oder mehr Quantentopfstrukturen umfassen. Die Multiquantentopfstruktur im ersten Halbleitermaterial 31 kann zum Beispiel zwanzig oder mehr Quantentopfstrukturen umfassen. Ferner kann die die Multiquantentopfstruktur im ersten Halbleitermaterial 31 zum Beispiel einhundert oder weniger Quantentopfstrukturen umfassen. Die Multiquantentopfstruktur im zweiten Halbleitermaterial 41 kann zum Beispiel zwanzig oder mehr Quantentopfstrukturen umfassen. Ferner kann die die Multiquantentopfstruktur im zweiten Halbleitermaterial 41 zum Beispiel einhundert oder weniger Quantentopfstrukturen umfassen. Gemäß einer Ausführungsform liegt die Anzahl der Quantentopfstrukturen im ersten und/oder zweiten Halbleitermaterial zwischen zwanzig und fünfzig Quantentopfstrukturen. Die Anzahl der Quantentopfstrukturen im ersten Halbleitermaterial 31 und die Anzahl der Quantentopfstrukturen im zweiten Halbleitermaterial 41 können unterschiedlich sein. Ferner kann die Anzahl der Quantentopfstrukturen im ersten und/oder zweiten Halbleitermaterial 31,41 größer sein, als die Anzahl der Quantentopfstrukturen in der Halbleiterschichtenfolge 22 der Primärlichtquelle 2.
  • Im Verfahrensschritt der 1B ist gezeigt, dass das erste Halbleitermaterial 31 strukturiert wird. Dabei wird, insbesondere über Ätzen, das erste Halbleitermaterial 31 stellenweise vollständig entfernt, sodass bereichsweise das zweite Halbleitermaterial 41 freigelegt wird. Von dieser Strukturierung bleibt das zweite Halbleitermaterial 41 ansonsten unbeeinflusst.
  • Die Strukturierung des ersten Halbleitermaterials 31 erfolgt beispielsweise über nasschemisches oder trockenchemisches Ätzen. Die einzelnen, verbleibenden inselförmigen Bereiche des ersten Halbleitermaterials 31 entsprechen dabei der Größe von Bildpunkten 24 des Halbleiterbauteils 1. Die inselförmigen Bereiche weisen beispielsweise eine Kantenlänge von mindestens 3 µm und/oder von höchstens 200 µm auf. In Draufsicht gesehen sind diese Bereiche beispielsweise quadratisch, rechteckig, rund oder sechseckig. Diese Bereiche können kartesisch in einem rechteckigen Muster oder auch hexagonal angeordnet sein. Entsprechendes gilt auch für das zweite Halbleitermaterial 41 und auch hinsichtlich aller anderen Ausführungsbeispiele.
  • Im Verfahrensschritt der Figur C1 wird flächig eine Planarisierungsschicht 73 abgeschieden. Die Planarisierungsschicht 73 ist bevorzugt aus einem elektrisch isolierenden, dielektrischem Material hergestellt, beispielsweise aus Siliziumdioxid. Durch die Planarisierungsschicht 73 sind Zwischenräume zwischen den inselförmigen, verbliebenen Bereichen des ersten Halbleitermaterials 31 aufgefüllt, sodass insgesamt eine Schicht mit einer gleichbleibenden, konstanten Dicke entsteht. Weiterhin sind durch die Planarisierungsschicht 73 die inselförmigen Bereiche des ersten Halbleitermaterials 31 fest miteinander verbunden. Die Planarisierungsschicht 73 zusammen mit dem ersten Halbleitermaterial 31 bilden die erste Konversionseinheit 3.
  • Gemäß Figur C1 weist die Planarisierungsschicht 73 dieselbe Dicke auf wie das erste Halbleitermaterial 31, sodass das erste Halbleitermaterial 31 und die Planarisierungsschicht 73 in Richtung weg von dem Wachstumssubstrat 5 bündig miteinander abschließen. Demgegenüber ist in Figur C2 illustriert, dass eine Dicke der Planarisierungsschicht 73 größer ist als eine Dicke des ersten Halbleitermaterials 31. An einer dem Wachstumssubstrat 5 abgewandten Seite ist das erste Halbleitermaterial 31 vollständig von der Planarisierungsschicht 73 bedeckt. Die Planarisierungsschicht 73 zusammen mit dem ersten Halbleitermaterial 31 weist wiederum eine gleichbleibende, konstante Dicke auf. Diese Dicke liegt beispielsweise bei mindestens 5 µm und/oder bei höchstens 12 µm, wobei die Planarisierungsschicht 73 das erste Halbleitermaterial 31 bevorzugt um höchstens 5 µm oder 2 µm oder 1 µm überragt. Dies gilt bevorzugt auch in allen anderen Ausführungsbeispielen.
  • Die Varianten hinsichtlich der Planarisierungsschicht 73, wie in den Figuren C1 und C2 illustriert, können entsprechend auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorliegen. Zur Vereinfachung der Darstellung ist nachfolgend je nur noch eine dieser Varianten illustriert.
  • In 1D ist gezeigt, dass der Verbund aus Figur C1, oder alternativ aus Figur C2, an einer Primärlichtquelle 2 angebracht wird. Dieses Anbringen erfolgt bevorzugt über Direktbonden. Dabei kann der Verbund aus Figur C1 unmittelbar mit einer Halbleiterschichtenfolge 22 der Primärlichtquelle 2 in Verbindung gebracht werden, wie in 1D gezeigt. Alternativ ist es möglich, dass eine nicht dargestellte Zwischenschicht, etwa aus Siliziumdioxid, zur Haftvermittlung zwischen der Primärlichtquelle 2 und dem Verbund aus Figur C1 aufgebracht wird. Alternativ kann zu einer Haftvermittlung die Planarisierungsschicht 73 aus Figur C2 herangezogen werden.
  • Die Primärlichtquelle 2 weist zudem einen Träger 21 auf. In dem Träger 21 befindet sich eine Vielzahl von Ansteuereinheiten 23. Der Träger 21 basiert bevorzugt auf Silizium, und die Ansteuereinheiten 23 sind in CMOS-Technologie in dem Träger 21 erzeugt. Die Halbleiterschichtenfolge 22 basiert auf AlInGaN und ist zur Erzeugung von blauem Licht eingerichtet. Dabei ist die Halbleiterschichtenfolge 22 in eine Vielzahl von Bildpunkten 24 unterteilt. Jeder der Bildpunkte 24 ist bevorzugt genau einer der Ansteuereinheiten 23 zugeordnet und umgekehrt.
  • Zwischen benachbarten Bildpunkten 24 befinden sich optional Trennbereiche 26. Über die Trennbereiche 26 ist eine elektrische und/oder optische Isolierung der einzelnen Bildpunkte 24 voneinander erzielbar. Die Halbleiterschichtenfolge 22 ist von den Trennbereichen 26, beispielsweise durch ungefüllte oder gefüllte Gräben realisiert, nur teilweise durchbrochen und erstreckt sich als zusammenhängende Schicht über den gesamten Träger 21 hinweg. In Draufsicht gesehen sind die Bildpunkte 24 beispielsweise rechteckig, quadratisch, rund oder hexagonal gestaltet.
  • Beim Verfahrensschritt der 1E ist das Wachstumssubstrat 5 aus 1D entfernt. Das Ablösen des Wachstumssubstrats 5 erfolgt beispielsweise durch Schleifen, Polieren, Nassätzen oder Trockenätzen, durch Laserabhebeverfahren oder Kombinationen hieraus.
  • Nachfolgend, siehe 1F, wird das zweite Halbleitermaterial 41 in gleicher Weise strukturiert wie zuvor das erste Halbleitermaterial 31, wobei das Strukturieren an der Halbleiterschichtenfolge 22 durchgeführt wird. Die Halbleiterschichtenfolge 22 ist von diesem Strukturieren nicht betroffen. Ebenso erfolgt das Aufbringen einer weiteren Planarisierungsschicht 73. Die weitere Planarisierungsschicht 73 zusammen mit dem zweiten Halbleitermaterial 41 bilden die zweite Konversionseinheit 4.
  • Die inselförmigen, verbliebenen Bereiche der beiden Halbleitermaterialien 31, 41 weisen dieselbe Größe auf wie die Bereiche der Halbleiterschichtenfolge 22 für die Bildpunkte 24. Zum Beispiel ist ein Drittel der Bildpunkte 24 etwa im Falle einer RGB-Einheit oder ein Viertel der Bildpunkte 24 etwa bei einer RGGB-Einheit frei von den Konversionseinheiten 3, 4, sodass aus diesen Bildpunkten 24 unmittelbar ein Primärlicht B, bevorzugt blaues Licht, emittiert wird. Den verbleibenden Bildpunkten 24 ist je nur genau eine der Konversionseinheiten 3, 4 zugeordnet. Über die Konversionseinheiten 3, 4 wird erstes Sekundärlicht G und zweites Sekundärlicht R erzeugt, wobei es sich bevorzugt um grünes und rotes Licht handelt. In den Konversionseinheiten 3, 4 wird das Primärlicht B vollständig oder nahezu vollständig absorbiert.
  • Drei verschiedenfarbig emittierende Bildpunkte 24 sind zu einem Anzeigebereich 6, auch als Pixel bezeichnet, zusammengefasst. Die Pixel sind dazu eingerichtet, einstellbar verschiedenfarbig Licht zu emittieren, das aus dem Primärlicht B und aus dem Sekundärlicht G, R zusammengesetzt ist.
  • In 1 weisen die einzelnen Anzeigebereiche 6 je genau einen Bereich für rotes, grünes und blaues Licht auf, bilden also eine RGB-Einheit. Ebenso können zwei Bereiche für grünes Licht vorhanden sein, sodass eine RGGB-Einheit mit vier Bildpunkten 26 gebildet wird, oder auch eine zusätzliche Einheit für gelbes Licht für eine RGBY-Einheit. Weiterhin ist es möglich, dass zusätzlich eine Einheit mit einem Leuchtstoff zur Erzeugung von weißem Licht vorhanden ist, sodass eine RGBW-Einheit resultiert. Die Erzeugung von weißem oder gelbem Licht erfolgt in einer nicht dargestellten, dritten Konversionseinheit, die über den ersten und zweiten Konversionseinheiten 3, 4 gestapelt angeordnet ist. Die Anzeigebereiche 6 umfassen bevorzugt je genau drei oder vier der Bildpunkte 26. Ebenso kann als Primärquelle 2 eine ultraviolett emittierende Halbleiterschichtenfolge vorhanden sein, die mit drei Leuchtstoffen für rot, blau und grün und optional für gelb oder weiß versehen ist, wobei die einzelnen Leuchtstoffbereiche bevorzugt unabhängig voneinander anregbar sind.
  • Da die Konversionseinheiten 3, 4 an der Halbleiterschichtenfolge 22 nicht überlappen, können die Konversionseinheiten 3, 4 in beliebiger Reihenfolge aufgebracht werden.
  • Neben den Planarisierungsschichten 73 der 1F können auch nicht gezeichnete weitere, insbesondere transparente dünne Schichten als zusätzliche oder alternative Passivierung und/oder Verkapselung zum Einsatz kommen. Die Planarisierungsschichten 73, die optionale Zwischenschicht sowie die Passivierung und/oder Verkapselung können neben Siliziumdioxid auch aus Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Tantalnitrid, transparenten Oxiden oder Nitriden von Zn, Sn, Ta, Ga, Ni, Zr, Hf, Ti oder Metalle der Seltenen Erden hergestellt sein. Dabei können die beiden Planarisierungsschichten 73 aus demselben Material oder auch aus voneinander verschiedenen Materialien hergestellt sein.
  • Um eine aufwändige Justage zwischen den Bildpunkten 24 der Halbleiterschichtenfolge 22 und den strukturierten Konversionseinheiten 3, 4 zu vermeiden, kann die Emission der Primärstrahlung aus der Halbleiterschichtenfolge 22 heraus von bestimmten, aktiv betriebenen Bildpunkten 24 genutzt werden, um Fotolacke lokal auszuhärten oder löslich zu machen. Dies erfolgt beispielsweise bei der Strukturierung der Konversionseinheiten 3, 4 direkt an der Halbleiterschichtenfolge 22, vergleiche etwa 1F.
  • Zu einer verbesserten Lichtauskopplung können die Konversionseinheiten 3, 4 oder die Halbleiterschichtenfolge 22 an einer dem Träger 21 abgewandten Seite jeweils eine Aufrauung aufweisen. Eventuell können hierzu zusätzliche Schutzschichten an einer solchen Aufrauung aufgebracht werden, die optional planarisiert sein können. Weiterhin können auch optional die Planarisierungsschichten 73 oder zumindest eine dem Träger 21 entfernt liegende Planarisierungsschicht 73 mit einer Aufrauung versehen werden.
  • Beim Verfahren der 2 werden, siehe 2A, die Halbleitermaterialien 31, 41 auf zwei verschiedenen Wachstumssubstraten 5 aufgewachsen. Nachfolgend, siehe 2B, werden die Halbleitermaterialien 31, 41 aneinander gebondet und eines der Wachstumssubstrate 5 wird entfernt.
  • Die weiteren Verfahrensschritte können analog zu den 1A bis 1F erfolgen.
  • Beim Verfahren, wie in 3 illustriert, werden die Halbleitermaterialien 31, 41 jeweils auf den separaten Wachstumssubstraten 5 gewachsen und auch auf den Wachstumssubstraten 5 strukturiert, siehe 3A. Daraufhin erfolgt das Aufbringen der Planarisierungsschichten 73, siehe 3B.
  • Nachfolgend werden entweder die beiden Konversionseinheiten 3, 4 erst miteinander verbunden und anschließend an der Halbleiterschichtenfolge 22 angebracht oder es erfolgt ein sequentielles Anbringen der Konversionseinheiten 3, 4 nacheinander auf der Halbleiterschichtenfolge 22, siehe 3C.
  • Beim Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils 1, wie in 4 dargestellt, sind zwischen benachbarten Bildpunkten 24 lichtundurchlässige Zwischenwände 25a, 25b vorhanden. Über diese Zwischenwände 25a, 25b ist eine optische Isolation zwischen den Bildpunkten 24, oder alternativ nur zwischen benachbarten Anzeigebereichen 6, erreichbar und ein optisches Übersprechen wird reduziert oder verhindert. Somit sind gesättigtere Farben darstellbar und ein größerer Gamut-Bereich ist erzielbar.
  • Die Zwischenwände 25a, 25b können mit der Strukturierung der Konversionseinheiten 3, 4 entstehen, zum Beispiel durch metallisches oder dielektrisches Verspiegeln von geätzten Flanken der Halbleitermaterialien 31, 32 vor dem Erzeugen der zugehörigen Planarisierungsschicht 73. Ebenso können die Zwischenwände 25a, 25b nach dem Erzeugen der Planarisierungsschicht 73 beispielsweise durch Ätzen von Gräben und nachfolgendem Auffüllen mit reflektierendem oder absorbierendem Material hergestellt werden.
  • Die Zwischenwände 25a können auf die Konversionseinheiten 3, 4 beschränkt bleiben. Die Zwischenwände 25a reichen nur bis an die Halbleiterschichtenfolge 22 heran, jedoch nicht in die Halbleiterschichtenfolge 22 hinein. Demgegenüber können bei nachträglich, nach dem Strukturieren der Konversionseinheiten 3, 4 erzeugte Zwischenwände 25b bis in die Halbleiterschichtenfolge 22 hineinreichen und die Halbleiterschichtenfolge 22, optional zusammen mit den optional vorhandenen Trennbereichen 26, vollständig durchdringen.
  • Die Zwischenwände 25a, 25b sind beispielsweise aus einem Metall hergestellt. Sind die Zwischenwände 25b aus einem elektrisch leitfähigen Material, so reichen die Zwischenwände 25b besonders bevorzugt nicht bis an eine nicht gezeichnete Metallisierung zwischen den Bildpunkten 24 heran, um elektrische Kurzschlüsse zu vermeiden. Alternativ kann über die Zwischenwände 25a, 25b eine elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 22 an einer dem Träger 21 abgewandten Seite erzielt sein.
  • Es ist möglich, dass einzelne Bildpunkte 24 p-seitig, also insbesondere an einer dem Träger 21 zugwandten Seite, strukturiert sind. Für einen n-Kontakt, insbesondere an einer dem Träger 21 abgewandten Seite, kann die Halbleiterschichtenfolge 22 zwischen benachbarten Bildpunkten 24 teilweise entfernt werden. Zur besseren optischen Isolation der Bildpunkte 24 voneinander kann dann von der n-Seite her, insbesondere bevor die Konversionseinheiten 3, 4 aufgebracht werden, das n-leitende GaN bis zu diesem n-Kontakt entfernt werden. Ebenso können zunächst alle Konversionseinheiten 3, 4 aufgebracht werden, strukturiert und planarisiert werden, und erst anschließend wird ein Graben oder werden Ausnehmungen zwischen den einzelnen Bildpunkten 24 strukturiert, insbesondere lithografisch.
  • Diese mit einem reflektierenden oder absorbierenden Material verfüllten Gräben oder Ausnehmungen können bis in das n-GaN hineinragen.
  • Solche Zwischenwände 25a, 25b können auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein. Bevorzugt sind in dem Halbleiterbauteil 1 nur durchgehend die Zwischenwände 25a der linken Bildhälfte in 4 oder nur die Zwischenwände 25b der rechten Bildhälfte vorhanden.
  • Beim Ausführungsbeispiel der 5 sind zusätzlich Spiegelschichten 71 und/oder Filterschichten 72 vorhanden. Die Spiegelschichten 71, beispielsweise dichroitische und/oder dielektrische Spiegel, befinden sich je an einer der Primärlichtquelle 2 zugewandten Seite der zugehörigen Konversionseinheit 3, 4. Insbesondere sind die Spiegelschichten 71 unmittelbar an dem Halbleitermaterial 31, 41 angebracht. Durch die Spiegelschichten 71 wird erreicht, dass das aus dem Primärlicht erzeugte Sekundärlicht nicht zurück in die Halbleiterschichtenfolge 22 gelangt. Anders als in 5 dargestellt ist es möglich, dass die Spiegelschicht 71 durchgehend direkt an der Halbleiterschichtenfolge 22 erzeugt ist und nicht an dem ersten oder zweiten Halbleitermaterial 31, 41.
  • Alternativ oder zusätzlich zu den Spiegelschichten 71 sind Filterschichten 72 vorhanden. Über die Filterschichten 72 wird verhindert, dass nicht konvertiertes, insbesondere blaues Primärlicht aus den einzelnen Bildpunkten 24 herausgelangt. Die Filterschicht 72 kann durchgehend über mehrere der Bildpunkte 24 aufgebracht sein oder auf einzelne Bildpunkte 24 beschränkt sein.
  • In 6 ist ein Verfahren zur Erzeugung der Zwischenwände 25a illustriert. Gemäß 6A wird auf das strukturierte Halbleitermaterial 31 eine Rohmaterialschicht 27 durchgehend und konform mit konstanter Dicke aufgebracht. Beispielsweise handelt es sich bei der Rohmaterialschicht 27 um eine Metallschicht. Die Rohmaterialschicht 27 wird beispielsweise über chemische Gasphasenabscheidung, physikalische Gasphasenabscheidung, Atomlagenabscheidung oder Sputtern aufgebracht.
  • Nachfolgend, siehe 6B, erfolgt ein anisotropes Ätzen wie Trockenätzen, sodass die Rohmaterialschicht 27 nur an Flanken des Halbleitermaterials 31 verbleibt und so die Zwischenwände 25a bildet.
  • Die Verfahrensschritte der 6 können beispielsweise in den Verfahrensschritten der 1B oder 3A oder 1F zusätzlich erfolgen.
  • Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere hier die Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen und Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    optoelektronisches Halbleiterbauteil
    2
    Primärlichtquelle
    21
    Träger
    22
    Halbleiterschichtenfolge
    23
    Ansteuereinheit
    24
    Bildpunkt
    25
    lichtundurchlässige Zwischenwand
    26
    Trennbereich
    27
    Rohmaterialschicht
    3
    erste Konversionseinheit
    31
    Halbleitermaterial
    4
    zweite Konversionseinheit
    40
    Lichtaustrittsseite
    41
    Halbleitermaterial
    5
    Wachstumssubstrat
    6
    Anzeigebereich (Pixel)
    71
    Spiegelschicht
    72
    Filterschicht
    73
    Planarisierungsschicht
    B
    Primärlicht
    G
    erstes Sekundärlicht
    R
    zweites Sekundärlicht
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102014101896 A1 [0017]
    • DE 102014105999 A1 [0017]

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: - Bereitstellen einer Primärlichtquelle (2) mit einem Träger (21) und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) in Draufsicht gesehen in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert wird und der Träger (21) eine Vielzahl von Ansteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst, - Bereitstellen zumindest einer Konversionseinheit (3, 4), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in zumindest ein Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit (3, 4) zusammenhängend aus wenigstens einem Halbleitermaterial (31, 41) gewachsen wird, - Strukturieren der Konversionseinheit (3, 4), wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials (31, 41) entsprechend den Bildpunkten (24) entfernt werden, und - Aufbringen der Konversionseinheit (3, 4) auf die Halbleiterschichtenfolge (22), sodass das verbleibende Halbleitermaterial (31, 41) einem Teil der Bildpunkte (24) eindeutig zugeordnet wird.
  2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem weder beim Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (22) zu den Bildpunkten noch beim Strukturieren des Halbleitermaterials (31, 41) eine Lage von verbleibenden Gebieten der Halbleiterschichtenfolge (22) oder des Halbleitermaterials (31, 41) relativ zueinander verändert wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) auf AlInGaN, das Halbleitermaterial (31, 41) auf AlInGaN, AlInGaP oder AlInGaAs und der Träger (21) auf Si oder Ge basiert.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens zwei Konversionseinheiten (3, 4) übereinander auf einem gemeinsamen Wachstumssubstrat (5) aufgewachsen werden, wobei mindestens eine der Konversionseinheiten (3, 4) noch auf dem gemeinsamen Wachstumssubstrat (5) strukturiert wird.
  4. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem nur eine der Konversionseinheiten (3) auf dem gemeinsamen Wachstumssubstrat (5) strukturiert wird, wobei nach dem Strukturieren dieser Konversionseinheit (3) ein Befestigen an die Halbleiterschichtenfolge (22) und daraufhin ein Ablösen des Wachstumssubstrats (5) erfolgt und erst danach die mindestens eine weitere Konversionseinheit (3) strukturiert wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem mehrere der Konversionseinheiten (3, 4) je auf einem eigenen Wachstumssubstrat (5) gewachsen werden.
  6. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Konversionseinheiten (3, 4) je auf dem zugehörigen Wachstumssubstrat (5) strukturiert werden, wobei jeweils nach dem Strukturieren eine Planarisierungsschicht (73) aus einem strahlungsdurchlässigen Material aufgebracht wird und die Planarisierungsschicht (73) die Konversionseinheiten (3, 4) an einer dem zugehörigen Wachstumssubstrat (5) abgewandten Seite mindestens zeitweise vollständig bedeckt.
  7. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Konversionseinheiten (3, 4) vor dem Ablösen der Wachstumssubstrate (5) aneinander befestigt werden, wobei nachfolgend eine der Konversionseinheiten (3) strukturiert wird, daraufhin ein Befestigen an die Halbleiterschichtenfolge (22) erfolgt, nachfolgend ein Ablösen des verbliebenen Wachstumssubstrats (5) durchgeführt wird und erst danach die mindestens eine weitere Konversionseinheit (3) strukturiert wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die mindestens eine Konversionseinheit (3, 4) mittels Waferbonden an der Halbleiterschichtenfolge (22) angebracht wird, wobei ein Lichtweg zwischen dem Träger (21) und einer dem Träger (21) abgewandten Lichtaustrittsseite (40) der Konversionseinheit (3, 4) frei von organischen Materialien ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem einigen der Bildpunkte (24) keine Konversionseinheit (3) zugeordnet wird, sodass diese Bildpunkte das Primärlicht (B) emittieren, wobei den verbleibenden Bildpunkten (24) je genau eine Konversionseinheit (3, 4) zugeordnet wird, sodass keine übereinander gestapelten Konversionseinheiten (3) vorliegen, und wobei drei verschiedenfarbig emittierende Bildpunkte (24) zu einem Anzeigebereich (6) zusammengefasst sind, der einstellbar verschiedenfarbiges Licht emittieren kann.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem benachbarte Bildpunkte (24) mittels einer lichtundurchlässigen Zwischenwand (25) optisch voneinander isoliert sind, wobei die Zwischenwand (25) die mindestens eine Konversionseinheit (3, 4) vollständig und die Halbleiterschichtenfolge (22) zumindest zum Teil durchdringt.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich die Halbleiterschichtenfolge (22) durchgehend und zusammenhängend über alle Bildpunkte (24) hinweg erstreckt.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem an einer der Halbleiterschichtenfolge (22) zugewandten Seite der Konversionseinheiten (3, 4) wenigstens eine Spiegelschicht (71) aufgebracht wird und die Spiegelschicht (71) für das in der zugeordneten Konversionseinheit (3, 4) erzeugte Sekundärlicht (G, R) undurchlässig und für das Primärlicht (B) durchlässig ist.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem an einer dem Träger (21) abgewandten Seite der Konversionseinheiten (3, 4) wenigstens eine Filterschicht (72) aufgebracht wird und die Filterschicht (72) für das Primärlicht (B) undurchlässig ist, wobei die Filterschicht (72) die Konversionseinheiten (3, 4) vollständig bedeckt.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Konversionseinheit (3, 4) oder jede der Konversionseinheiten (3, 4) und/oder die Halbleiterschichtenfolge (22) eine Dicke zwischen einschließlich 1 µm und 10 µm aufweisen, wobei die Bildpunkte (24) in Draufsicht einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 3 µm und 200 µm haben, wobei ein Abstand zwischen benachbarten Bildpunkten (24) zwischen einschließlich 0,3 µm und 6 µm liegt, und wobei das fertige Halbleiterbauteil (1) zwischen einschließlich 100 und 107 der Bildpunkte (24) beinhaltet.
  15. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit - einer Primärlichtquelle (2), die einen Träger (21) und eine darauf angebrachte Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), und - zumindest einer Konversionseinheit (3, 4) aus wenigstens einem Halbleitermaterial (31, 41), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in zumindest ein Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (22) und die Konversionseinheit (3, 4) separat voneinander hergestellt und nicht zusammenhängend gewachsen sind, - die Halbleiterschichtenfolge (22) in Draufsicht gesehen in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert ist, - der Träger (21) eine Vielzahl von Ansteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst, - einigen der Bildpunkte (24) keine Konversionseinheit (3) zugeordnet ist, sodass diese Bildpunkte das Primärlicht (B) emittieren, und den verbleibenden Bildpunkten (24) je genau eine Konversionseinheit (3, 4) zugeordnet ist, - mehrere verschiedenfarbig emittierende Bildpunkte (24) zu einem Anzeigebereich (6) zusammengefasst sind, der dazu eingerichtet ist, einstellbar verschiedenfarbiges Licht zu emittieren, und - ein Lichtweg zwischen dem Träger (21) und einer dem Träger (21) abgewandten Lichtaustrittsseite (40) der Konversionseinheit (3, 4) frei von organischen Materialien ist.
DE102016220915.9A 2016-10-25 2016-10-25 Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil Withdrawn DE102016220915A1 (de)

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KR1020247004986A KR20240024361A (ko) 2016-10-25 2017-10-25 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트
KR1020197010680A KR20190047048A (ko) 2016-10-25 2017-10-25 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트
KR1020227023970A KR102638174B1 (ko) 2016-10-25 2017-10-25 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트
KR1020217003459A KR102422146B1 (ko) 2016-10-25 2017-10-25 광전자 반도체 컴포넌트들을 제조하기 위한 방법 및 광전자 반도체 컴포넌트
JP2019521459A JP7003124B2 (ja) 2016-10-25 2017-10-25 オプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体素子
DE112017005374.9T DE112017005374A5 (de) 2016-10-25 2017-10-25 Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil
US17/206,336 US11557700B2 (en) 2016-10-25 2021-03-19 Method of producing optoelectronic semiconductor components and an optoelectronic semiconductor component
US18/082,440 US20230120107A1 (en) 2016-10-25 2022-12-15 Method of producing optoelectronic semiconductor components and an optoelectronic semiconductor component

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018101086A1 (de) 2018-01-18 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierende rgb-einheit und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden rgb-einheit
DE102018101089A1 (de) * 2018-01-18 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE102019101417A1 (de) * 2019-01-21 2020-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils und strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
DE102022122980A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102022122981A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017119872A1 (de) * 2017-08-30 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR102551354B1 (ko) * 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2023099709A1 (en) * 2021-12-03 2023-06-08 Ams-Osram International Gmbh Epitaxially grown converter layer, optoelectronic arrangement and method for producing the same
IL295430A (en) * 2022-08-07 2024-03-01 Ka Dynamic Color Ltd Adaptive look

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014139849A1 (de) * 2013-03-15 2014-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
DE102013109031A1 (de) * 2013-08-21 2015-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102014101896A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102014105999A1 (de) 2014-04-29 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
JP2002217454A (ja) 2001-01-19 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄアレー及びこれを用いたｌｅｄ表示装置
KR101079820B1 (ko) * 2003-09-19 2011-11-04 소니 가부시키가이샤 유기 발광 장치 및 그 제조 방법과 표시 장치
CN101627482A (zh) 2007-03-08 2010-01-13 3M创新有限公司 发光元件阵列
JP2008262993A (ja) 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 表示装置
JP5207812B2 (ja) 2008-04-25 2013-06-12 京セラ株式会社 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
WO2010074987A2 (en) * 2008-12-24 2010-07-01 3M Innovative Properties Company Light generating device having double-sided wavelength converter
CN102318088A (zh) 2008-12-24 2012-01-11 3M创新有限公司 制备双面波长转换器和使用所述双面波长转换器的光产生装置的方法
KR101034211B1 (ko) * 2009-04-16 2011-05-12 (재)나노소자특화팹센터 수직형 발광소자
US8455904B2 (en) 2009-04-20 2013-06-04 3M Innovative Properties Company Non-radiatively pumped wavelength converter
CN102473817A (zh) 2009-06-30 2012-05-23 3M创新有限公司 无镉再发光半导体构造
WO2012042452A2 (en) 2010-09-29 2012-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting device
US9117977B2 (en) * 2010-12-27 2015-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus
JP2012169189A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
TWI467751B (zh) * 2011-12-12 2015-01-01 Sony Corp A solid-state imaging device, a driving method of a solid-state imaging device, and an electronic device
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102012106859B4 (de) 2012-07-27 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
DE102012109460B4 (de) 2012-10-04 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
US9705980B2 (en) 2014-03-05 2017-07-11 Teachers Insurance And Annuity Association Of America Visualization of performance parameters of distributed computer systems
DE102014103620A1 (de) 2014-03-17 2015-09-17 Waldner Laboreinrichtungen Gmbh & Co. Kg Medienversorgungsvorrichtung
DE102014112750A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP3328162B1 (de) * 2015-07-23 2021-10-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung davon
WO2018070666A1 (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014139849A1 (de) * 2013-03-15 2014-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
DE102013109031A1 (de) * 2013-08-21 2015-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102014101896A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102014105999A1 (de) 2014-04-29 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018101086A1 (de) 2018-01-18 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierende rgb-einheit und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden rgb-einheit
DE102018101089A1 (de) * 2018-01-18 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Epitaktisches konversionselement, verfahren zur herstellung eines epitaktischen konversionselements, strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
US10833219B2 (en) 2018-01-18 2020-11-10 Osram Oled Gmbh Epitaxial conversion element, method for producing an epitaxial conversion element, radiation emitting RGB unit and method for producing a radiation emitting RGB unit
DE102019101417A1 (de) * 2019-01-21 2020-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils und strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
DE102022122980A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102022122981A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

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