DE102014101896A1 - Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil Download PDF

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer Vielzahl von Bildpunkten (71, 72) angegeben, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) mit – einer n-leitenden Halbleiterschicht (11), – einer aktiven Zone (13) und – einer p-leitenden Halbleiterschicht (12), b) Aufbringen einer ersten Schichtenfolge (22, 31), wobei die erste Schichtenfolge (22, 31) in eine Vielzahl von Bereichen (61, 62) unterteilt wird, die lateral beabstandet zueinander auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten Deckfläche (12a) der p-leitenden Halbleiterschicht (12) angeordnet sind, c) Aufbringen einer zweiten Isolationsschicht (32) d) teilweises Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und der aktiven Zone (13), derart dass die n-leitende Halbleiterschicht (11) stellenweise freigelegt ist und die p-leitende Halbleiterschicht (12) in einzelne Bereiche (71, 72) aufgeteilt werden, die lateral zueinander beabstandet sind, wobei jeder der Bereiche einen Teil der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und einen Teil der aktiven Zone (13) umfasst.

Description

  • Die Druckschrift WO 2013/092304 A1 beschreibt eine Anzeigevorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer vereinfacht ausgebildeten Kontaktierung anzugeben. Ferner soll ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben werden, welches eine Vielzahl von Bildpunkten aufweist, wobei die Bildpunkte möglichst klein ausbildbar sind.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Bei dem optoelektronischen Halbleiterbauteil kann es sich beispielsweise um ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, zum Beispiel einen Leuchtdiodenchip, handeln. Beispielsweise kann das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest als Teil einer Anzeigevorrichtung und/oder zumindest als Teil einer Lichtquelle vorgesehen sein. Ferner kann es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterbauteil um ein strahlungsdetektierendes Halbleiterbauteil, wie zum Beispiel einen Fotodiodenchip, handeln. Insbesondere kann mit dem optoelektronischen Halbleiterbauteil elektromagnetische Strahlung ortsaufgelöst detektiert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst eine Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine Haupterstreckungsebene auf, in der sie sich in lateralen Richtungen erstreckt. Senkrecht zur Haupterstreckungsebene, in der vertikalen Richtung, weist die Halbleiterschichtenfolge eine Dicke auf. Die Dicke der Halbleiterschichtenfolge ist klein gegen die maximale Erstreckung der Halbleiterschichtenfolge in einer lateralen Richtung. Die Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise durch epitaktisches Wachstum hergestellt sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Halbleiterschichtenfolge eine n-leitende Halbleiterschicht mit einer Bodenfläche. Die Bodenfläche der n-leitenden Halbleiterschicht wird durch eine Hauptebene der Halbleiterschichtenfolge gebildet. Insbesondere kann die Bodenfläche der n-leitenden Halbleiterschicht die Haupterstreckungsebene darstellen. Bei der n-leitenden Halbleiterschicht kann es sich beispielsweise um eine epitaktisch auf einen Aufwachsträger aufgewachsene Halbleiterschicht handeln. Die n-leitende Halbleiterschicht umfasst oder basiert zum Beispiel auf GaN und/oder ist bevorzugt n-dotiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Halbleiterschichtenfolge einen auf einer der Bodenfläche abgewandten Deckfläche der n-leitenden Halbleiterschicht angeordneten aktive Zone. Die aktive Zone ist zur Strahlungserzeugung vorgesehen. Beispielsweise emittiert die aktive Zone sichtbares Licht. Zum Beispiel umfasst oder basiert die aktive Zone auf GaN. Die aktive Zone kann ferner weitere Materialien wie beispielsweise Indium, Aluminium und/oder Phosphor beinhalten, welche das von der Halbleiterschichtenfolge emittierte und/oder detektierte Licht in der Wellenlänge beeinflusst.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Halbleiterschichtenfolge eine auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Seite der aktiven Zone angeordnete p-leitende Halbleiterschicht, die bevorzugt epitaktisch auf der aktiven Zone aufgewachsen ist. Die p-leitende Halbleiterschicht umfasst oder basiert zum Beispiel auf GaN und/oder ist bevorzugt p-dotiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Deckfläche der p-leitenden Halbleiterschicht eine erste Schichtenfolge aufgebracht. Die erste Schichtenfolge umfasst eine p-Kontaktierungsschicht und eine erste Isolationsschicht. Die erste Schichtenfolge ist in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt, die lateral beabstandet zueinander auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Deckfläche der p-leitenden Halbleiterschicht angeordnet sind.
  • Die p-Kontaktierungsschicht steht bevorzugt mit der p-leitenden Halbleiterschicht in direktem Kontakt. Hierbei kann die p-Kontaktierungsschicht als Kontaktschicht für die p-leitende Halbleiterschicht vorgesehen sein. Die p-Kontaktierungsschicht enthält beispielsweise Ag und/oder Rh. Beispielsweise birgt die Verwendung von Rh den Vorteil, dass Rh unter einem Ätzverfahren strukturtreuer sein kann als zum Beispiel Ag. Bevorzugt ist die p-Kontaktierungsschicht reflektierend ausgebildet und weist eine hohe Leitfähigkeit auf. Im Fall einer reflektierend ausgebildeten p-Kontaktierungsschicht wird die von der aktiven Zone emittierte elektromagnetische Strahlung bevorzugt in Richtung der n-leitenden Halbleiterschicht abgestrahlt beziehungsweise reflektiert.
  • Die erste Isolationsschicht ist auf der der p-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Seite der p-Kontaktierungsschicht aufgebracht und steht bevorzugt mit der p-Kontaktierungsschicht in direktem Kontakt. Es ist jedoch auch möglich, dass direkt auf der p-Kontaktierungsschicht eine weitere Kontaktschicht, die beispielsweise ZnO und/oder Ti enthält, angeordnet ist und die erste Isolationsschicht mit dieser Schicht in direktem Kontakt steht. Eine solche Kontaktschicht kann die p-Kontaktierungsschicht in späteren Verfahrensschritten beispielsweise vor einem direkten Kontakt mit anderen Metallen schützen. Die erste Isolationsschicht umfasst beispielsweise SiO2, SiN oder eine andere elektrisch isolierende Komponente.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine zweite Isolationsschicht aufgebracht, die quer zur Haupterstreckungsebene verläuft und alle Seitenflanken der Bereiche der ersten Schichtenfolge zumindest stellenweise bedeckt. Unter „Seitenflanken der ersten Schichtenfolge“ sind hierbei und im Folgenden die quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenflächen der ersten Schichtenfolge zu verstehen.
  • Die zweite Isolationsschicht kann zumindest stellenweise direkt an die erste Isolationsschicht, die p-Kontaktierungsschicht und die p-leitende Halbleiterschicht angrenzen. Die zweite Isolationsschicht ist elektrisch isolierend ausgebildet. Die zweite Isolationsschicht kann beispielsweise SiO2, SiN, Al2O3 oder ein anderes elektrisch isolierendes Material enthalten. Die erste und die zweite Isolationsschicht überdecken die p-Kontaktierungsschicht vollständig. Mit anderen Worten, an den Stellen, an denen die p-Kontaktierungsschicht nicht von der ersten Isolationsschicht bedeckt wird beziehungsweise mit der ersten Isolationsschicht in direktem Kontakt steht, wird die p-Kontaktierungsschicht zumindest von der zweiten Isolationsschicht bedeckt beziehungsweise steht die p-Kontaktierungsschicht mit der zweiten Isolationsschicht in direktem Kontakt und umgekehrt. Dies bedeutet, dass die p-Kontaktierungsschicht nach dem Aufbringen der zweiten Isolationsschicht von außen nicht mehr frei zugänglich wäre, falls keine weiteren Verfahrensschritte folgen würden. Die zweite Isolationsschicht kann dann zur Kapselung der p-Kontaktierungsschicht dienen und/oder die p-Kontaktierungsschicht vor in nachfolgenden Verfahrensschritten verwendeten Chemikalien schützen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die p-leitende Halbleiterschicht und die aktive Zone teilweise entfernt. Dieses Entfernen erfolgt derart, dass die n-leitende Halbleiterschicht anschließend stellenweise freigelegt ist und die p-leitende Halbleiterschicht und die aktive Zone in einzelne Bereiche aufgeteilt werden, die lateral zueinander beabstandet sind. Jeder dieser einzelnen Bereiche umfasst dann einen Teil der p-leitenden Halbleiterschicht und einen Teil der aktiven Zone. Die Bereiche bilden anschließend Bildpunkte, die voneinander elektrisch getrennt sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden eine n-Kontaktierungsschicht und eine Metallisierungsschicht aufgebracht. Die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht verlaufen jeweils entlang, insbesondere ausschließlich entlang, der Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge. Mit anderen Worten, der Verlauf der n-Kontaktierungsschicht und der Metallisierungsschicht erfolgt nicht entlang der Seitenflanken der Bereiche der ersten Schichtenfolge beziehungsweise der zweiten Isolationsschicht und/oder nicht quer zur Halbleiterschichtenfolge.
  • Bevorzugt sind die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht elektrisch voneinander isoliert. Hierzu können die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht voneinander räumlich getrennt sein, das heißt, es ist möglich, dass die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht nicht in direktem Kontakt stehen. Zwischen der n-Kontaktierungsschicht und der Metallisierungsschicht kann beispielsweise ein isolierendes Material, wie beispielsweise Luft, angeordnet sein. Beispielsweise erfolgt das Aufbringen der n-Kontaktierungsschicht und/oder der Metallisierungsschicht mittels gerichteter Abscheidung des Materials der n-Kontaktierungsschicht und/oder der Metallisierungsschicht. Hierbei ist es möglich, dass die Seitenflanken der ersten Schichtenfolge beziehungsweise der zweiten Isolationsschicht frei vom Material der n-Kontaktierungsschicht und/oder der Metallisierungsschicht bleiben. Es ist auch möglich, dass Teile der Seitenflanken mit Spuren des Materials der n-Kontaktierungsschicht und/oder der Metallisierungsschicht beschichtet werden. Diese Spuren des Materials auf den Seitenflanken der Bereiche der ersten Schichtenfolge weisen wesentlich weniger Material auf als die Teile der n-Kontaktierungsschicht und/oder die Metallisierungsschicht, welche auf den parallel zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Außenflächen angebracht sind. Insbesondere bilden die Spuren des Materials bevorzugt keine zusammenhängende Fläche und ein Großteil der Seitenflanken ist frei von Spuren des Materials. Beispielsweise können 80 %, bevorzugt 90 %, der Seitenflanken frei von den Spuren des Materials sein. Bevorzugt kommt beim Aufbringen der n-Kontaktierungsschicht und der Metallisierungsschicht keine Fototechnik zum Einsatz.
  • Die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht sind bevorzugt aus demselben Material gebildet und werden bevorzugt in demselben Verfahrensschritt aufgebracht. Bevorzugt sind die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht reflektierend ausgebildet. Beispielsweise enthalten die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht Silber, Rhodium und/oder ein anderes elektrisch leitfähiges Material.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Metallisierungsschicht und die erste Isolationsschicht teilweise entfernt. Nach dem teilweisen Entfernen ist die p-Kontaktierungsschicht frei zugänglich beziehungsweise freigelegt. Das Entfernen kann beispielsweise mit einem Ätzverfahren erfolgen. Bevorzugt wird für das Ätzverfahren eine erste Maske verwendet, die bevorzugt mittels Fotolithografie auf die erste Isolationsschicht aufgebracht wird und die nach dem Ätzverfahren entfernt werden kann.
  • Hier und im Folgenden ist es jedoch auch möglich, anstelle und/oder zusätzlich zu einem Ätzverfahren ein Lift-off-Verfahren zu verwenden. Beispielsweise kann hierzu zunächst eine Maskenschicht auf die p-leitende Halbleiterschicht aufgebracht werden, die zumindest stellenweise entfernt wird.
  • Die p-Kontaktierungsschicht und die erste Isolationsschicht können dann in den Bereichen auf die p-leitende Halbleiterschicht aufgewachsen werden, in denen die Maskenschicht nicht entfernt wurde. Anschließend kann die Maskenschicht vollständig entfernt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst das Verfahren die folgenden Schritte:
    • a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge mit einer Haupterstreckungsebene, mit – einer n-leitenden Halbleiterschicht mit einer Bodenfläche, – einer aktiven Zone auf einer der Bodenfläche abgewandten Deckfläche der n-leitenden Halbleiterschicht und – einer p-leitenden Halbleiterschicht, die auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Seite der aktiven Zone angeordnet ist.
    • b) Aufbringen einer ersten Schichtenfolge, umfassend eine p-Kontaktierungsschicht und eine erste Isolationsschicht, wobei die erste Schichtenfolge in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt wird, die lateral beabstandet zueinander auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Deckfläche der p-leitenden Halbleiterschicht angeordnet sind,
    • c) Aufbringen einer zweiten Isolationsschicht, die quer zur Haupterstreckungsebene verläuft und alle Seitenflanken der ersten Schichtenfolge zumindest stellenweise bedeckt,
    • d) teilweises Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht und der aktiven Zone, derart, dass die n-leitende Halbleiterschicht stellenweise freigelegt ist und die p-leitende Halbleiterschicht und die aktive Zone in einzelne Bereiche aufgeteilt wird, die lateral zueinander beabstandet sind, wobei jeder der Bereiche einen Teil der p-leitenden Halbleiterschicht und einen Teil der aktiven Zone umfasst,
    • e) Aufbringen einer n-Kontaktierungsschicht und einer Metallisierungsschicht, derart, dass die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht jeweils entlang der Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verlaufen,
    • f) teilweises Entfernen der Metallisierungsschicht und der ersten Isolationsschicht, sodass die p-Kontaktierungsschicht freigelegt ist.
  • Die beschriebenen Verfahrensschritte werden vorzugsweise in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens dienen die erste Isolationsschicht und die zweite Isolationsschicht als Maske für das teilweise Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht und der aktiven Zone. Es werden somit nur die Stellen des p-leitenden Halbleitermaterials entfernt, welche nicht von der ersten und/oder zweiten Isolationsschicht überdeckt sind. Mit anderen Worten, bei dem teilweisen Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht kann es sich um ein selbstjustiertes Entfernen handeln. Es kann somit auf das Aufbringen einer Maske verzichtet werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht und der aktiven Zone mit einem Ätzverfahren. Hierzu kann ein nasschemisches Ätzverfahren mit beispielsweise H3PO4 oder ein trockenchemisches Ätzverfahren mit beispielsweise Chlorplasma verwendet werden. Allgemein kann es sich bei dem trockenchemischen Ätzverfahren beispielsweise um ein reaktives Ionenätzen oder ein reaktives Ionenstrahlätzen handeln.
  • Bei einem hier beschriebenen Verfahren wird insbesondere die Idee verfolgt, dass durch eine selbstjustierte Ätzung, das heißt durch die als Maske dienende erste und zweite Isolationsschicht, die Möglichkeit gegeben ist, Bildpunkte mit einer lateralen Ausdehnung im Bereich weniger Mikrometer zu realisieren. Dies wird insbesondere dadurch ermöglicht, dass ein geringerer Justageaufwand im Vergleich zu einer Fototechnik nötig ist und zudem ein Maskenvorhalten entfällt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in Schritt d), das heißt in dem Schritt, in welchem die p-leitende Halbleiterschicht und die aktive Zone teilweise entfernt werden, zusätzlich die n-leitende Halbleiterschicht stellenweise entfernt. Anschließend weist die n-leitende Halbleiterschicht gedünnte Bereiche auf, in denen der Abstand von der Deckfläche zur Bodenfläche der n-leitenden Halbleiterschicht geringer ist als in anderen, ungedünnten Bereichen der n-leitenden Halbleiterschicht. Mit anderen Worten, die n-leitende Halbleiterschicht ist anschließend nicht mehr gleichmäßig dick, sondern weist dünnere und dickere Bereiche auf. Bei den dünneren Bereichen kann es sich dann um Gräben in der n-leitenden Halbleiterschicht handeln. Bevorzugt dient eine in der n-leitenden Halbleiterschicht enthaltene hochleitfähige Schicht, die hochdotiert sein kann, als Ätzstopp-Schicht. Die Deckfläche der gedünnten Bereiche kann dann nach dem teilweisen Entfernen der n-leitenden Halbleiterschicht durch die hochleitfähige Schicht gebildet werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die erste Schichtenfolge mit den folgenden Verfahrensschritten hergestellt: Zunächst wird die p-Kontaktierungsschicht ganzflächig auf einer der n-leitenden abgewandten Seite der p-leitenden Halbleiterschicht aufgebracht. Nach dem Aufbringen der p-Kontaktierungsschicht wird die erste Isolationsschicht ganzflächig auf der der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Seite der p-Kontaktierungsschicht aufgebracht. „Ganzflächiges Aufbringen“ bezeichnet hier und im Folgenden ein Aufbringen derart, dass die Fläche oder Flächen an der Seite, auf welcher die aufzubringende Schicht aufgebracht wird, vollständig von dieser aufzubringenden Schicht bedeckt wird. Nach diesem Verfahrensschritt kann die erste Schichtenfolge somit eine einfach zusammenhängend ausgebildete p-Kontaktierungsschicht und eine einfach zusammenhängend ausgebildete erste Isolationsschicht umfassen.
  • Die erste Isolationsschicht wird anschließend teilweise entfernt. Hierfür kann eine zweite Maske eingesetzt werden, welche zum Beispiel mittels Fotolithografie auf die erste Isolationsschicht aufgebracht wurde. Die zweite Maske kann insbesondere lateral größere Ausdehnungen als die erste Maske aufweisen. Nach dem teilweisen Entfernen der ersten Isolationsschicht wird die p-Kontaktierungsschicht teilweise entfernt, wobei die erste Isolationsschicht als Maske für das teilweise Entfernen der p-Kontaktierungsschicht dienen kann. Es ist ferner möglich, dass für das teilweise Entfernen der p-Kontaktierungsschicht dieselbe Maske wie für das teilweise Entfernen der ersten Isolationsschicht verwendet wird. Bei der ersten Isolationsschicht kann es sich also um eine Opferschicht handeln, die am Ende des Herstellungsverfahrens abgelöst oder zerstört wird und die p-Kontaktierungsschicht vor beispielsweise in weiteren Verfahrensschritten verwendeten Chemikalien schützen kann.
  • Beispielsweise erfolgt das teilweise Entfernen der ersten Isolationsschicht und der p-Kontaktierungsschicht mit einem Ätzverfahren. Bevorzugt sind die p-Kontaktierungsschicht und die erste Isolationsschicht zueinander selektiv ätzbar, das heißt, dass das für das teilweise Entfernen der ersten Isolationsschicht verwendete Ätzverfahren nicht die p-Kontaktierungsschicht entfernt und umgekehrt. Als Ätzverfahren kann ein nasschemisches und/oder ein trockenchemisches Ätzverfahren verwendet werden. Beispielsweise kann die erste Isolationsschicht nasschemisch mit gepufferter HF-Lösung (englisch: buffered oxide etching, BOE) und/oder trockenchemisch mit Fluorplasma geätzt werden. Die p-Kontaktierungsschicht kann nasschemisch und/oder trockenchemisch mittels beispielsweise Sputtern mit Ar und/oder mit Fluorplasma geätzt werden.
  • Ferner kann für das Ätzverfahren eine gemeinsame Fotolithografie-Maske verwendet werden, die auf die erste Isolationsschicht aufgebracht werden kann und nach oder vor dem Ätzen der p-Kontaktierungsschicht entfernt werden kann. Die p-Kontaktierungsschicht und die erste Isolationsschicht können hierbei eine große Strukturtreue aufweisen, das heißt, dass die zweidimensionale Geometrie der Fotolithografie-Maske sehr genau auf die erste Schichtenfolge übertragen werden kann. Mit anderen Worten, nach dem Ätzvorgang entspricht der Flächeninhalt der Außenfläche der ersten Isolationsschicht, die der Maske zugewandt ist, im Wesentlichen dem Flächeninhalt der Fläche der Maske, welche die Isolationsschicht begrenzt. Beispielsweise unterscheiden sich die Flächeninhalten höchstens um +/–10 %. Nach dem teilweisen Entfernen umfasst die erste Schichtenfolge eine Vielzahl von Bereichen, die lateral zueinander beabstandet auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Deckfläche der p-leitenden Halbleiterschicht angeordnet sind. Die Vielzahl von Bereichen bilden dann die Bildpunkte. Bevorzugt sind die lateralen Ausdehnungen der p-Kontaktierungsschicht und der ersten Isolationsschicht der jeweiligen Bereiche gleich.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zwischen den Schritten d) und e), das heißt zwischen dem teilweisen Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht und der aktiven Zone und dem Aufbringen einer n-Kontaktierungsschicht und der Metallisierungsschicht, eine dritte Isolationsschicht aufgebracht. Diese dritte Isolationsschicht verläuft bevorzugt quer zur Haupterstreckungsebene und steht in direktem Kontakt mit der zweiten Isolationsschicht und der p-leitenden Halbleiterschicht. Es ist ferner möglich, dass die dritte Isolationsschicht in direktem Kontakt mit der n-leitenden Halbleiterschicht steht. Die dritte Isolationsschicht kann elektrisch isolierend ausgebildet sein und beispielsweise SiO2, SiN, Al2O3 oder ein anderes isolierendes Material enthalten. Die dritte Isolationsschicht kann die p-leitende Halbleiterschicht an ihren Seitenflächen, die durch das teilweise Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht im Verfahrensschritt d) entstanden sind, nach außen hin elektrisch isolieren.
  • Bevorzugt ist zumindest die dritte Isolationsschicht strahlungsundurchlässig ausgebildet. Es ist ferner möglich, dass die erste und/oder die zweite Isolationsschicht strahlungsundurchlässig ausgebildet sind. „Strahlungsundurchlässig“ bedeutet, dass die von der aktiven Zone emittierte beziehungsweise absorbierte elektromagnetische Strahlung fast vollständig, also wenigstens zu 75 %, insbesondere zu wenigstens 85 % absorbiert und/oder reflektiert wird. Dies ermöglicht eine optische Trennung der Bildpunkte voneinander. Insbesondere wird dadurch ein Übersprechen zwischen den Bildpunkten verhindert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Herstellung der zweiten und/oder dritten Isolationsschicht mit den folgenden Verfahrensschritten: Zunächst wird die zweite und/oder die dritte Isolationsschicht ganzflächig auf einer der Bodenfläche der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten freiliegenden Außenfläche aufgebracht. Die zweite und/oder dritte Isolationsschicht überdecken dann die Schichten, welche in vorherigen Verfahrensschritten aufgebracht wurden. Anschließend werden die zweite und/oder dritte Isolationsschicht teilweise entfernt, sodass die zweite und/oder dritte Isolationsschicht im Wesentlichen quer zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verlaufen. Mit anderen Worten, die zweite und/oder die dritte Isolationsschicht bedecken nach dem teilweisen Entfernen im Wesentlichen nur die Seitenflanken der in vorherigen Verfahrensschritten aufgewachsenen Schichten. Beispielsweise bleiben 90 %, bevorzugt 95 %, der der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Außenflächen der in vorherigen Verfahrensschritten aufgebrachten Schichten frei vom Material der zweiten und/oder der dritten Isolationsschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das teilweise Entfernen der zweiten und/oder dritten Isolationsschicht mit einem gerichteten Trockenätzverfahren. Beispielsweise kann hierfür reaktives Ionenätzen und/oder reaktives Ionenstrahlätzen zum Einsatz kommen. Insbesondere bei der Herstellung der zweiten Isolationsschicht ist es möglich, dass während des gerichteten Ätzens auch Teile der ersten Isolationsschicht abgetragen werden, wobei die erste Isolationsschicht anschließend in den jeweiligen Bereichen der ersten Schichtenfolge weiterhin zusammenhängend ausgebildet ist und die p-Kontaktierungsschicht vollständig überdeckt. Es ist ferner möglich, dass geringe Teile der zweiten Isolationsschicht auf einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Deckfläche der ersten Isolationsschicht verbleiben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das optoelektronische Halbleiterbauteil zwischen Schritt e) und f), das heißt nach dem Aufbringen der n-Kontaktierungsschicht und der Metallisierungsschicht und vor dem teilweisen Entfernen der Metallisierungsschicht und der ersten Isolationsschicht, für eine vorgebbare Zeitspanne in ein Säurebad getaucht. Das Säurebad kann eine Säure enthalten, welche das Material der n-Kontaktierungsschicht und/oder der Metallisierungsschicht ätzt. Durch das Säurebad können sämtliche auf den der p-Kontaktierungsschicht abgewandten Seitenflanken der Bildpunkte befindlichen Spuren besagten Materials entfernt werden. Es ist jedoch auch möglich, dass geringe Teile besagten Materials an den Seitenflanken verbleiben.
  • Beispielsweise erfolgt das Eintauchen in das Säurebad für eine Zeitspanne von wenigstens zwei bis höchstens zehn Sekunden, bevorzugt in einem Bereich von wenigstens vier bis höchstens sechs Sekunden. Nach dem Säurebad können die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht elektrisch voneinander isoliert sein. Mit anderen Worten, falls Spuren des Materials der n-Kontaktierungsschicht und/oder der Metallisierungsschicht zuvor für eine elektrische Verbindung der n-Kontaktierungsschicht und der Metallisierungsschicht geführt haben, werden durch das Säurebad entfernt. Dadurch kann die Wahrscheinlichkeit für einen Kurzschluss reduziert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zwischen den Schritten e) und f) eine vierte Isolationsschicht ganzflächig auf eine der Bodenfläche der n-leitenden Schicht abgewandten freiliegenden Außenfläche aufgebracht. Bevorzugt bedeckt die vierte Isolationsschicht eine der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Deckfläche der n-Kontaktierungsschicht, die Seitenflanken der Bildpunkte sowie die der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandte Deckfläche der Metallisierungsschicht. Die vierte Isolationsschicht kann mit der n-Kontaktierungsschicht in direktem Kontakt stehen. Es ist jedoch auch möglich, dass direkt auf der p-Kontaktierungsschicht eine weitere Kontaktschicht, die beispielsweise ZnO und/oder Ti enthält, angeordnet ist und die vierte Isolationsschicht mit dieser Schicht in direktem Kontakt steht.
  • Das Aufbringen der ersten, der zweiten, der dritten und/oder der vierten Isolationsschicht kann unter Verwendung eines Precursors erfolgen. Bei dem Precursor kann es sich beispielsweise um ein Tetraethylorthosilicat (TEOS) und/oder um ein Silan handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die vierte Isolationsschicht in und/oder vor Schritt f) an den Stellen, an denen sie über der p-Kontaktierungsschicht angeordnet ist teilweise entfernt. Das Entfernen kann direkt vor dem teilweisen Entfernen der Metallisierungsschicht und der ersten Isolationsschicht erfolgen, es ist jedoch auch möglich, dass das teilweise Entfernen in demselben Verfahrensschritt durchgeführt wird.
  • Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauteil ist vorzugsweise mittels eines der hier beschriebenen Verfahren herstellbar, das heißt, sämtliche für das Verfahren offenbarten Merkmale sind auch für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine Halbleiterschichtenfolge mit einer Haupterstreckungsebene, welche eine n-leitende Halbleiterschicht, die einstückig ausgebildet ist, aufweist. Mit anderen Worten, die n-leitende Halbleiterschicht ist einfach zusammenhängend ausgebildet. Ferner umfasst die Halbleiterschichtenfolge eine aktive Zone und eine p-leitende Halbleiterschicht, die gemeinsam in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt sind, die lateral zueinander beabstandet sind. „Gemeinsam“ kann hierbei und im Folgenden bedeuten, dass die p-leitende Halbleiterschicht und die aktive Zone im Rahmen der Herstellungstoleranzen gleiche oder geometrisch ähnliche laterale Ausdehnungen aufweisen und an einander zugewandten Oberflächen vollständig miteinander in direktem Kontakt stehen. Hierbei bildet jeder Bereich der p-leitenden Halbleiterschicht und der aktiven Zone zusammen mit der n-leitenden Halbleiterschicht genau einen Bildpunkt. Die p-leitende Halbleiterschicht und die aktive Zone sind dementsprechend mehrstückig ausgebildet. Die Bildpunkte sind lateral voneinander beabstandet auf der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnet und bevorzugt elektrisch und/oder optisch voneinander getrennt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine n-Kontaktierungsschicht, die elektrisch leitend ausgebildet ist und deren eine Bodenfläche an die n-leitende Halbleiterschicht direkt angrenzt. Die n-Kontaktierungsschicht ist bevorzugt zur elektrischen Kontaktierung der n-leitenden Halbleiterschicht vorgesehen. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil eine p-Kontaktierungsschicht, die elektrisch leitend ausgebildet ist und deren eine Bodenfläche an die p-leitende Halbleiterschicht angrenzt. Die n-Kontaktierungsschicht und die p-Kontaktierungsschicht sind voneinander elektrisch isoliert. Die p-Kontaktierungsschicht ist bevorzugt zur elektrischen Kontaktierung der p-leitenden Halbleiterschicht vorgesehen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine dritte Isolationsschicht, die elektrisch isolierend ausgebildet ist und im Wesentlichen quer zur Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterschichtenfolge verläuft. Die dritte Isolationsschicht ist zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-Kontaktierungsschicht angeordnet und grenzt direkt an alle Seitenflächen der n-Kontaktierungsschicht und der p-leitenden Halbleiterschicht. Die dritte Isolationsschicht dient vornehmlich der Kapselung der p-leitenden Halbleiterschicht von der n-leitenden Halbleiterschicht. Bevorzugt ist die dritte Isolationsschicht strahlungsundurchlässig ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die n-Kontaktierungsschicht zusammenhängend ausgebildet und umschließt die Bildpunkte rahmenartig. "Rahmenartig" heißt dabei nicht, dass die Bildpunkte an vier rechteckig zueinander angeordneten Seitenflächen umschlossen sein müssen. Die Bildpunkte können in Draufsicht beispielsweise auch dreieckig, vieleckig, oval oder rund ausgebildet sein und werden von der n-Kontaktierungsschicht entsprechend umschlossen. Mit anderen Worten, die n-Kontaktierungsschicht ist mehrfach zusammenhängend ausgebildet, wobei sämtliche n-Kontaktierungsschichten der Bildpunkte miteinander elektrisch verbunden sind. In einer Aufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteil von der Bodenfläche und/oder Deckfläche aus würde die n-Kontaktierungsschicht dann als Gitter oder als Netz, wobei die Bildpunkte von einzelnen Maschen des Gitters oder des Netzes umschlossen sind, erscheinen. Dadurch dass die n-Kontaktierungsschicht zusammenhängend ausgebildet ist, wird eine einfache elektrische Kontaktierung der n-leitenden Halbleiterschicht ermöglicht. Beispielsweise ist die n-Kontaktierungsschicht am Rand des optoelektronischen Halbleiterbauteils nach außen verlängert, wodurch eine einfache Kontaktierung ermöglicht wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist die Deckfläche der n-leitenden Halbleiterschicht im Bereich der Bildpunkte einen größeren Abstand zur Bodenfläche der n-leitenden Halbleiterschicht auf als im Bereich der n-Kontaktierungsschicht. Mit anderen Worten, die n-leitende Halbleiterschicht weist Gräben auf, in welchen sich die n-Kontaktierungsschicht befindet. Mit anderen Worten, die n-leitende Halbleiterschicht weist gedünnte Bereiche auf, an deren Deckfläche jeweils die n-Kontaktierungsschicht angeordnet ist, und ungedünnte Bereiche, an deren Deckflächen jeweils die Bildpunkte angeordnet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine Halbleiterschichtenfolge mit einer Haupterstreckungsebene, aufweisend eine n-leitende Halbleiterschicht, die einstückig ausgebildet ist, eine aktive Zone und eine p-leitende Halbleiterschicht, die in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt sind, die lateral zueinander beabstandet sind, wobei jeder Bereich gemeinsam mit der n-leitenden Halbleiterschicht genau einen Bildpunkt bildet, und eine n-Kontaktierungsschicht, die elektrisch leitend ausgebildet ist und deren eine Bodenfläche an die n-leitende Halbleiterschicht angrenzt, eine p-Kontaktierungsschicht, die elektrisch leitend ausgebildet ist und deren eine Bodenfläche an die p-leitende Halbleiterschicht angrenzt, und eine dritte Isolationsschicht, die elektrisch isolierend ausgebildet ist und quer zur Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterschichtenfolge verläuft, wobei die dritte Isolationsschicht zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-Kontaktierungsschicht angeordnet ist und direkt an alle Seitenflächen der n-Kontaktierungsschicht und der p-leitenden Halbleiterschicht angrenzt, die n-Kontaktierungsschicht zusammenhängend ausgebildet ist und die Bildpunkte rahmenartig umschließt und die Deckfläche der n-leitenden Halbleiterschicht im Bereich der Bildpunkte einen größeren Abstand zur Bodenfläche der n-leitenden Halbleiterschicht aufweist als im Bereich der n-Kontaktierungsschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umschließt die dritte Isolationsschicht die Bildpunkte an allen lateralen Seitenflächen. Mit anderen Worten, die dritte Isolationsschicht dient zur elektrischen und/oder optischen Kapselung der Bildpunkte. Beispielsweise isoliert die dritte Isolationsschicht die Bildpunkte elektrisch von der n-Kontaktierungsschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine zweite Isolationsschicht, die quer zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verläuft und zwischen der dritten Isolationsschicht und der p-Kontaktierungsschicht angeordnet ist. Die zweite Isolationsschicht kann die p-Kontaktierungsschicht elektrisch an deren Seiten isolieren, während die dritte Isolationsschicht die p-leitende Halbleiterschicht elektrisch und/oder optisch an deren Seiten isolieren kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine Metallisierungsschicht, die entlang der senkrechten Richtung zur Haupterstreckungsebene beabstandet zur n-Kontaktierungsschicht und zur p-Kontaktierungsschicht auf den der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Deckflächen der zweiten und/oder dritten Isolationsschicht angeordnet ist. Die Metallisierungsschicht ist im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauteils nicht elektrisch angeschlossen. Die Metallisierungsschicht besteht bevorzugt aus dem gleichen Material wie die n-Kontaktierungsschicht.
  • In einer Aufsicht aus der der Bodenfläche abgewandten Seite der n-leitenden Halbleiterschicht ergibt sich dann eine durchgehende Metallisierungsschicht, welche aus der p-Kontaktierungsschicht, der n-Kontaktierungsschicht und der Metallisierungsschicht gebildet ist. Die p-Kontaktierungsschicht, die n-Kontaktierungsschicht und die Metallisierungsschicht sind jedoch voneinander elektrisch isoliert. Dies kann durch einen unterschiedlichen Abstand dieser drei Schichten zur n-leitenden Halbleiterschicht realisiert werden. Mit anderen Worten, entlang der Hauptebene der Halbleiterschichtenfolge ist stets eine elektrisch leitende Schicht angeordnet, wobei es möglich ist, dass die elektrisch leitende Schicht nicht in einer Ebene liegt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine vierte Isolationsschicht, welche die Bildpunkte an ihren der p-Kontaktierungsschicht abgewandten Seitenflanken vollständig umgibt und direkt an die n-Kontaktierungsschicht, die Metallisierungsschicht und die dritte Isolationsschicht angrenzt. Die vierte Isolationsschicht dient zum Beispiel der elektrischen Isolation des optoelektronischen Halbleiterbauteils nach außen und kann das optoelektronische Halbleiterbauteil vor Kurzschlüssen schützen. Insbesondere wird bei der vierten Isolationsschicht die Idee verfolgt, die n-Kontaktierungsschicht nach außen hin elektrisch zu isolieren. Es ist dementsprechend möglich, dass die n-Kontaktierungsschicht nur an den das optoelektronische Halbleiterbauteil lateral abschließenden Seitenflächen kontaktiert werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht abgewandten Deckfläche der p-Kontaktierungsschicht eine erste Isolationsschicht angeordnet, welche die der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Deckfläche der p-Kontaktierungsschicht dermaßen bedeckt, dass ein Großteil der p-Kontaktierungsschicht frei von der ersten Isolationsschicht bleibt. Beispielsweise können maximal 20 %, bevorzugt maximal 10 %, der Deckfläche der p-Kontaktierungsschicht von der ersten Isolationsschicht bedeckt sein. Hierdurch wird eine elektrische Kontaktierung der p-Kontaktierungsschicht ermöglicht. Beispielsweise kann das fertige Halbleiterbauteil auf einen Silizium-Träger aufgebracht werden, der einzelne Transistoren zur Ansteuerung beinhaltet. Die erste Isolationsschicht kann mit der p-Kontaktierungsschicht und der zweiten Isolationsschicht in direktem Kontakt stehen.
  • Die erste Isolationsschicht kann hierbei rahmenartig auf der p-Kontaktierungsschicht aufgebracht sein. Die erste Isolationsschicht kann im Rahmen der Herstellungstoleranzen symmetrisch ausgebildet sein. Beispielsweise wurde die rahmenartige Ausbildung der ersten Isolationsschicht mit einer Fotolithografie-Technik erzielt. „Im Rahmen der Herstellungstoleranz“ kann dann die Genauigkeit der Fotolithografie-Technik angeben und kann beispielsweise im Bereich von 2 µm liegen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weisen die zweite und die dritte Isolationsschicht an ihren der n-leitenden Halbleiterschicht und der p-Kontaktierungsschicht abgewandten Ecken und/oder Kanten Spuren eines Materialabtrags auf. Diese Spuren eines Materialabtrags können durch das gerichtete Abtragen der zweiten beziehungsweise der dritten Isolationsschicht während des Herstellungsverfahrens bedingt sein. Die Kanten der jeweiligen Schicht sind die Stellen, an denen die quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Seitenflächen der jeweiligen Schicht auf die im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zur Haupterstreckungsebene verlaufende Deckfläche der Schicht treffen. Die Ecken sind die Stellen, an denen zwei Kanten aufeinander treffen. Beispielsweise können die Ecken und/oder Kanten durch den Materialabtrag abgeflacht und/oder abgerundet sein. Es ist insbesondere möglich, dass die Ecken und/oder Kanten der dritten Isolationsschicht dermaßen abgetragen wurden, dass die zweite Isolationsschicht an ihren Ecken und/oder Kanten teilweise freigelegt ist. Das Verfahren zur Herstellung der zweiten und/oder der dritten Isolationsschicht ist dementsprechend an dem fertigen optoelektronischen Halbleiterbauteil nachweisbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weisen die Bildpunkte im Rahmen der Herstellungstoleranzen gleiche geometrische Ausdehnungen entlang der Haupterstreckungsebene auf. Mit anderen Worten, die geometrischen Abmessungen der Bereiche der aktiven Zone der Bildpunkte entlang der Haupterstreckungsebene unterscheiden sich jeweils um maximal 10 %, bevorzugt maximal 5 %. Dies ermöglicht es mitunter, die Bildpunkte als Anzeigevorrichtung zu verwenden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt die laterale geometrische Ausdehnung der n-Kontaktierungsschicht entlang einer gedachten Verbindungslinie zwischen den Mittelpunkten zweier benachbarter Bildpunkte maximal 5 µm. Unter „Mittelpunkt eines Bildpunktes“ kann hierbei und im Folgenden der Punkt auf der Deckfläche der p-leitenden Halbleiterschicht gemeint sein, der in sämtlichen lateralen Richtungen den größten Abstand zu der den Bildpunkt umgebenden zweiten Isolationsschicht und/oder zur n-Kontaktierungsschicht aufweist. Die n-Kontaktierungsschicht ist dementsprechend sehr schmal ausgebildet, wodurch eine große Strahlungsdurchtrittsfläche gewährleistet wird. Diese schmale Ausbildung der n-Kontaktierungsschicht ist insbesondere durch die selbstjustierte Maske des Verfahrens möglich. Die Größe der Strahlungsdurchtrittsfläche eines Bildpunkts ist hierbei im Wesentlichen durch die laterale Ausdehnung der aktiven Zone des Bildpunkts gegeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils beträgt der laterale Abstand zweier benachbarter Bildpunkte entlang einer gedachten Verbindungslinie zwischen den Mittelpunkten dieser benachbarten Bildpunkte maximal 12 µm. Bevorzugt kann der laterale Abstand der Bildpunkte maximal 10 µm betragen. Mit anderen Worten, die Bildpunkte können sehr klein ausgebildet sein, wobei die gesamte Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterbauteils, das heißt die Fläche, welche aus den Strahlungsdurchtrittsflächen sämtlicher Bildpunkte gebildet ist, nur unwesentlich kleiner als die Gesamtfläche des optoelektronischen Halbleiterbauteils entlang der Haupterstreckungsebene sein kann. Mit anderen Worten, die n-Kontaktierungsschicht ist entlang der Haupterstreckungsebene sehr klein ausgebildet im Vergleich zur Größe der Bildpunkte entlang der Haupterstreckungsebene.
  • Im Folgenden werden das hier beschriebene Verfahren sowie das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Die 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel des hier beschriebenen Verfahrens anhand schematischer Schnittdarstellungen.
  • Die 2 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.
  • Die 3 zeigt eine Lichtmikroskop-Aufnahme eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.
  • Die 4 zeigt eine Aufnahme mit einem Rasterelektronenmikroskop eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkendende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1A ist ein erster Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Zunächst wird die Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13, mit der n-leitenden Halbleiterschicht 11 mit der Bodenfläche 11c, bereitgestellt.
  • Auf der Deckfläche 11a sind die aktive Zone 13 und die p-leitende Halbleiterschicht 12 aufgebracht. Ferner wird auf die Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13 die erste Schichtenfolge 22, 31, welche die p-Kontaktierungsschicht 22 und die erste Isolationsschicht 31 umfasst, ganzflächig aufgebracht.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1B ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Die erste Schichtenfolge 22, 31 wird teilweise entfernt. Hierdurch wird die erste Schichtenfolge 22, 31 in eine Vielzahl von Bereichen 61, 62 unterteilt, die lateral beabstandet zueinander auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht 11 abgewandten Deckfläche 12a der p-leitenden Halbleiterschicht 12 angeordnet sind. Die Bereiche 61, 62 sind räumlich voneinander getrennt. Mit anderen Worten, die Bereiche 61, 62 sind nicht miteinander verbunden.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1C ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Auf einer der Bodenfläche 11c der n-leitenden Halbleiterschicht 11 abgewandten freiliegenden Außenfläche wird nun ganzflächig die zweite Isolationsschicht 32 aufgebracht, die in direktem Kontakt mit der p-leitenden Halbleiterschicht 12, der ersten Isolationsschicht 31 und der p-Kontaktierungsschicht 22 steht. Insbesondere bedeckt die zweite Isolationsschicht 32 die Seitenflanken 6b der Bereiche 61, 62 der ersten Schichtenfolge 22, 31.
  • Die 1D beschreibt einen weiteren Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens. Die zweite Isolationsschicht 32 wird teilweise entfernt, sodass anschließend die zweite Isolationsschicht 32 im Wesentlichen quer zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13 verläuft. Die zweite Isolationsschicht bedeckt dann nur noch die Seitenflanken 6b der Bereiche 61, 62 der ersten Schichtenfolge 22, 31 vollständig. Hierbei ist es möglich, dass die zweite Isolationsschicht 32 Spuren von einem Materialabtrag 4 aufweist. Diese Spuren eines Materialabtrags 4 können auch auf der der n-leitenden Halbleiterschicht 11 abgewandten Deckfläche 31a ersten Isolationsschicht 31 vorhanden sein. Die Spuren des Materialabtrags 4 sind durch das gerichtete Ätzverfahren, welches zum teilweisen Entfernen der zweiten Isolationsschicht 32 verwendet wurde, bedingt. Beispielsweise können die Spuren des Materialabtrags zu einer Abflachung beziehungsweise einem Abrunden der Ecken und/oder Kanten 32e der zweiten Isolationsschicht 32 führen.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt, 1E, werden die p-leitende Halbleiterschicht 12, die aktive Zone 13 sowie die n-leitende Halbleiterschicht 11 teilweise entfernt. Das teilweise Entfernen erfolgt beispielsweise mit einem Ätzverfahren, wobei die erste Isolationsschicht 31 und die zweite Isolationsschicht 32 als Maske für das Ätzverfahren dienen.
  • Wie in 1E dargestellt, sind die p-leitende Halbleiterschicht 12 und die aktive Zone 13 nach dem teilweisen Entfernen in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt, die Bildpunkte 71, 72 bilden.
  • Die n-leitende Halbleiterschicht 11 ist nach dem teilweisen Entfernen weiterhin einstückig ausgebildet. Die n-leitende Halbleiterschicht 11 weist nun jedoch Gräben 111 auf, an welchen die n-leitende Halbleiterschicht 11 ausgedünnt ist. Die Deckfläche 11a der n-leitenden Halbleiterschicht 11 weist in den ausgedünnten Bereichen 111 einen geringeren Abstand zu der Bodenfläche 11c der n-leitenden Halbleiterschicht 11 auf als in den Bereichen der Bildpunkte 71, 72. Mit anderen Worten, die Deckfläche 11a der n-leitenden Halbleiterschicht 11 weist im Bereich der Bildpunkte 71, 72 einen größeren Abstand zur Bodenfläche 11c der n-leitenden Halbleiterschicht 11 auf als in den Bereichen der Gräben 111. In den Bereichen der Gräben 111 sind keine Bildpunkte 71, 72 vorhanden und umgekehrt.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1F ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Bei diesem Verfahrensschritt wird eine dritte Isolationsschicht 33 aufgebracht. Hierzu wird, wie bei dem Verfahrensschritt in der 1C, zunächst die dritte Isolationsschicht 33 ganzflächig auf einer der Bodenfläche der n-leitenden Halbleiterschicht 11 abgewandten freiliegenden Außenfläche aufgebracht. Anschließend wird die dritte Isolationsschicht 33 teilweise entfernt, wobei auch hier Spuren eines Materialabtrags 4 an den Ecken und/oder Kanten 33e der dritten Isolationsschicht 33 zurückbleiben können. Die dritte Isolationsschicht 33 verläuft anschließend quer zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13. Die dritte Isolationsschicht 33 kann in direktem Kontakt mit der n-leitenden Halbleiterschicht 11, der p-leitenden Halbleiterschicht 12, der n-Kontaktierungsschicht 22 sowie der zweiten Isolationsschicht 32 stehen.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1G ist ein weiterer Verfahrensschritt zur Herstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. In diesem Verfahrensschritt werden eine n-Kontaktierungsschicht 21 und eine Metallisierungsschicht 23 aufgebracht, wobei die n-Kontaktierungsschicht 21 und die Metallisierungsschicht 23 entlang der Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13 verlaufen. An den der p-Kontaktierungsschicht 22 abgewandten Seitenflanken 7b der Bildpunkte 71, 72 können sich Spuren des Materials 5 der n-Kontaktierungsschicht 21 und/oder der Metallisierungsschicht 23 befinden. Diese Spuren besagten Materials 5 können in einem nachfolgenden Verfahrensschritt, beispielsweise mit einem Säurebad, entfernt werden. Die n-Kontaktierungsschicht 21 steht in direktem Kontakt mit der n-leitenden Halbleiterschicht 11. Die Metallisierungsschicht 23 ist von der n-Kontaktierungsschicht 21 und der p-Kontaktierungsschicht 22 elektrisch isoliert. Die Metallisierungsschicht 23 ist im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauteils nicht elektrisch angeschlossen.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1H ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. In diesem Verfahrensschritt wird ganzflächig eine vierte Isolationsschicht 34 auf den der Bodenfläche 11c der n-leitenden Halbleiterschicht 11 abgewandten Außenflächen aufgebracht. Die vierte Isolationsschicht 34 überdeckt dann die n-Kontaktierungsschicht 21, die dritte Isolationsschicht 33 und die Metallisierungsschicht 23 vollständig. Die vierte Isolationsschicht 34 ist insbesondere dafür vorgesehen, die n-Kontaktierungsschicht 21 elektrisch nach außen hin zu isolieren.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1I ist ein weiterer Verfahrensschritt eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. In diesem Verfahrensschritt werden die vierte Isolationsschicht 34, die erste Isolationsschicht 31 und die Metallisierungsschicht 23 teilweise entfernt, sodass die p-Kontaktierungsschicht 22 anschließend von außen frei zugänglich ist. Es verbleiben Teile der ersten Isolationsschicht 31 an den Bildpunkten 71, 72, welche die p-Kontaktierungsschicht 22 rahmenartig umschließen. Die erste Isolationsschicht 31 bedeckt nun höchstens 10 %, bevorzugt höchstens 5 %, der p-Kontaktierungsschicht 22. Ebenso verbleiben Teile der Metallisierungsschicht 23 an den Bildpunkten 71, 72, welche beabstandet zu der Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13 auf den Deckflächen der ersten 31a, der zweiten 32a und/oder der dritten Isolationsschicht 33a angeordnet sind.
  • Die Bildpunkte 71, 72 sind dann durch den Graben 111 voneinander getrennt. Es ist insbesondere möglich, dass die n-Kontaktierungsschicht 21 reflektierend und/oder die dritte Isolationsschicht 33 strahlungsundurchlässig ausgebildet sind, sodass die Bildpunkte 71, 72 optisch voneinander getrennt sind. Ferner ermöglicht der Graben 111 eine optimale elektrische und/oder optische Trennung der Bildpunkte 71, 72.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 2 ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst eine Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13 mit einer n-leitenden Halbleiterschicht 11, einer aktiven Zone 13 und einer p-leitenden Halbleiterschicht 12. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil eine n-Kontaktierungsschicht 21, die mit der n-leitenden Halbleiterschicht 11 in direktem Kontakt steht und elektrisch leitend ausgebildet ist, sowie eine p-Kontaktierungsschicht 22, die direkt an die p-leitende Halbleiterschicht 12 angrenzt und ebenfalls elektrisch leitend ausgebildet ist. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst zudem eine erste Isolationsschicht 31, eine zweite Isolationsschicht 32, eine dritte Isolationsschicht 33 und eine vierte Isolationsschicht 34. Die dritte Isolationsschicht 33 ist zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht 12 und der n-Kontaktierungsschicht 21 angeordnet und verläuft quer zur Haupterstreckungsebene des optoelektronischen Halbleiterbauteils. Die dritte Isolationsschicht 33 grenzt direkt an alle Seitenflächen der n-Kontaktierungsschicht 21 und der p-leitenden Halbleiterschicht 12. Die dritte Isolationsschicht 33 kann die p-leitende Halbleiterschicht 12 von der n-Kontaktierungsschicht 21 elektrisch und/oder optisch isolieren.
  • Die Breite der n-Kontaktierungsschicht, das heißt ihre Ausdehnung entlang einer gedachten Verbindungslinie zwischen den Mittelpunkten zweier benachbarter Bildpunkte, kann hierbei in einem Bereich von wenigstens 2 µm bis höchstens 10 µm liegen. Ferner kann der laterale Abstand zweier benachbarter Bildpunkte entlang einer gedachten Verbindungslinie zwischen den Mittelpunkten dieser benachbarten Bildpunkte in einem Bereich von wenigstens 5 µm bis höchstens 20 µm liegen.
  • Die zweite 32 und die dritte Isolationsschicht 33 verlaufen jeweils quer zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13. Mit anderen Worten, die zweite und die dritte Isolationsschicht 32, 33 sind jeweils an den Seitenflanken 7b der Bildpunkte 71, 72 angeordnet.
  • Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil eine Metallisierungsschicht, die auf der zweiten 32 und dritten Isolationsschicht 33 angeordnet ist. Die Metallisierungsschicht 23 ist elektrisch nicht mit der Halbleiterschichtenfolge 11, 12, 13, der n-Kontaktierungsschicht 21 und/oder der p-Kontaktierungsschicht 22 verbunden.
  • Das optoelektronische Halbleiterbauteil kann zudem einen Aufwachsträger 7 umfassen. Der Aufwachsträger 7 kann beispielsweise mit Saphir oder einem anderen Material, welches sich zum Aufwachsen von Halbleiterschichtenfolgen 11, 12, 13 eignet, gebildet sein. Es ist jedoch auch möglich, wie beispielsweise in 1H gezeigt, dass das optoelektronische Halbleiterbauteil keinen Träger 7 umfasst. Bevorzugt ist der Aufwachsträger 7 aus einem Material gebildet, das strahlungsdurchlässig für die von der aktiven Zone emittierte elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist. Bevorzugt strahlt das optoelektronische Halbleiterbauteil dann in Richtung des Aufwachsträgers 7 ab.
  • Ferner weisen die zweite Isolationsschicht 32 und/oder die dritte Isolationsschicht 33 zumindest stellenweise Spuren eines Materialabtrags 4 auf. Bei den Spuren des Materialabtrags 4 handelt es sich vorliegend um Abflachungen beziehungsweise Abrundungen der Ecken und/oder Kanten 32e, 33e der zweiten Isolationsschicht 32 und/oder der dritten Isolationsschicht 33.
  • Anhand der Lichtmikroskop-Aufnahme der 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Die Aufsicht erfolgt von der der Bodenfläche 11c abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterbauteils. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst eine Vielzahl von Bildpunkten 71, 72, die lateral zueinander beabstandet angeordnet sind. Die Bildpunkte werden rahmenartig von der n-Kontaktierungsschicht 21 umschlossen. Die n-Kontaktierungsschicht 21 ist mehrfach zusammenhängend ausgeführt und kann die Form eines Gitters annehmen, welches die Bildpunkte 71, 72 umschließt. An den lateralen Außenflächen 21e des optoelektronischen Halbleiterbauteils kann die n-Kontaktierungsschicht 21 elektrisch kontaktiert werden.
  • Ferner sind geschlossene Bildpunkte 8 dargestellt. Bei diesen geschlossenen Bildpunkten 8 wurden die erste Isolationsschicht 31, die Metallisierungsschicht 23 und die vierte Isolationsschicht 34 nicht teilweise entfernt. Die geschlossenen Bildpunkte 8 sind somit noch nicht geöffnet worden und die p-Kontaktierungsschicht 22 der geschlossenen Bildpunkte 8 ist nicht frei zugänglich.
  • Gemäß der Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme der 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Das optoelektronische Halbleiterbauteil weist Gräben 111 auf. Zwischen den Gräben und der p-Kontaktierungsschicht 22 sind die zweite, dritte und vierte Isolationsschicht 32, 33, 34 angeordnet. In den Gräben befindet sich die n-Kontaktierungsschicht 21, die einen Bildpunkt 71, 72 rahmenartig umgibt.
  • Die rahmenartige und einstückige Ausführungsform der n-Kontaktierungsschicht 21 ermöglicht eine einfach ausgebildete Kontaktierung der n-leitenden Halbleiterschicht 11. Insbesondere wird dadurch, dass die n-Kontaktierungsschicht 21 nicht auf der Bodenfläche 11c, sondern auf der Deckfläche 11a der n-leitenden Halbleiterschicht 11 angeordnet ist, ermöglicht, dass die gesamte Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterbauteils im Wesentlichen nicht verkleinert wird. Die n-Kontaktierungsschicht 21 kann durch die selbstjustierte Ätzung des Grabens 111 besonders schmal ausgebildet werden, da die Ungenauigkeiten einer Justage durch beispielsweise eine Fototechnik entfallen. Für die elektrische Isolierung der n-Kontaktierungsschicht 21 von der p-Kontaktierungsschicht 22 werden die erste, zweite, dritte und vierte Isolationsschicht 31, 32, 33, 34 abgeschieden. Zudem wird durch die Einführung des metallisierten Grabens 111 das optische Übersprechen zwischen den Bildpunkten 71, 72 verhindert, wodurch das Kontrastverhältnis verbessert wird und eine gleichmäßige Stromverteilung erzielt wird. Dies ermöglicht insbesondere eine homogene Leuchtdichteverteilung über das gesamte optoelektronische Halbleiterbauteil.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2013/092304 A1 [0001]

Claims (20)

  1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer Vielzahl von Bildpunkten (71, 72), umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) mit einer Haupterstreckungsebene, mit – einer n-leitenden Halbleiterschicht (11) mit einer Bodenfläche (11c), – einer aktiven Zone (13) auf einer der Bodenfläche (11c) abgewandten Deckfläche (11a) der n-leitenden Halbleiterschicht (11) und – einer p-leitenden Halbleiterschicht (12), die auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten Seite der aktiven Zone (13) angeordnet ist, b) Aufbringen einer ersten Schichtenfolge (22, 31), umfassend eine p-Kontaktierungsschicht (22) und eine erste Isolationsschicht (31), wobei die erste Schichtenfolge (22, 31) in eine Vielzahl von Bereichen (61, 62) unterteilt wird, die lateral beabstandet zueinander auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten Deckfläche (12a) der p-leitenden Halbleiterschicht (12) angeordnet sind, c) Aufbringen einer zweiten Isolationsschicht (32), die quer zur Haupterstreckungsebene verläuft und alle Seitenflanken (6b) der ersten Schichtenfolge zumindest stellenweise bedeckt, d) teilweises Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und der aktiven Zone (13), derart dass die n-leitende Halbleiterschicht (11) stellenweise freigelegt ist und die p-leitende Halbleiterschicht (12) und die aktive Zone (13) in einzelne Bereiche (71, 72) aufgeteilt werden, die lateral zueinander beabstandet sind, wobei jeder der Bereiche einen Teil der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und einen Teil der aktiven Zone (13) umfasst, e) Aufbringen einer n-Kontaktierungsschicht (21) und einer Metallisierungsschicht (23), derart dass die n-Kontaktierungsschicht (21) und die Metallisierungsschicht (23) jeweils entlang der Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) verlaufen, f) teilweises Entfernen der Metallisierungsschicht (23) und der ersten Isolationsschicht (31), derart dass die p-Kontaktierungsschicht (22) zumindest stellenweise freigelegt ist.
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die erste Isolationsschicht (31) und die zweite Isolationsschicht (32) als Maske für das teilweise Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und der aktiven Zone (13) in Schritt d) dienen.
  3. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei das teilweise Entfernen der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und der aktiven Zone (13) mit einem Ätzverfahren erfolgt.
  4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei in Schritt d) zusätzlich die n-leitende Halbleiterschicht (11) stellenweise entfernt wird, so dass die n-leitende Halbleiterschicht (11) anschließend gedünnte Bereiche (111) aufweist, in denen der Abstand von der Deckfläche (11a) zur Bodenfläche (11c) der n-leitenden Halbleiterschicht (11) geringer ist als in anderen, ungedünnten Bereichen der n-leitenden Halbleiterschicht (11).
  5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die erste Schichtenfolge (22, 31) mit den folgenden Verfahrensschritten hergestellt wird: – ganzflächiges Aufbringen der p-Kontaktierungsschicht (22) auf der Deckfläche (12a) der p-leitenden Halbleiterschicht (12), – ganzflächiges Aufbringen der ersten Isolationsschicht (31) auf einer der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten Seite der p-Kontaktierungsschicht (12), – teilweises Entfernen der ersten Isolationsschicht (31), – teilweises Entfernen der p-Kontaktierungsschicht (22), wobei die erste Isolationsschicht (31) als Maske dient.
  6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zwischen Schritt d) und e) folgende Verfahrensschritte erfolgen: Aufbringen einer dritten Isolationsschicht (31), die quer zur Haupterstreckungsebene verläuft und in direktem Kontakt mit der zweiten Isolationsschicht (32) und der p-leitenden Halbleiterschicht (12) steht.
  7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Herstellung der zweiten Isolationsschicht (32) und/oder der dritten Isolationsschicht (33) mit den folgenden Verfahrensschritten erfolgt: – ganzflächiges Aufbringen der zweiten Isolationsschicht (32) und/oder der dritten Isolationsschicht (33) auf einer der Bodenfläche (11c) der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten freiliegenden Außenfläche, – teilweises Entfernen der zweiten Isolationsschicht (32) und/oder der dritten Isolationsschicht (33), so dass die zweite Isolationsschicht (32) und/oder die dritte Isolationsschicht (33) im Wesentlichen quer oder quer zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) verläuft.
  8. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei das teilweise Entfernen mit einem gerichteten Trockenätzverfahren erfolgt.
  9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das optoelektronische Halbleiterbauteil zwischen Schritt e) und f) für eine vorgebbare Zeitspanne in ein Säurebad getaucht wird, welches auf den der p-Kontaktierungsschicht (22) abgewandten Seitenflanken (7b) der Bildpunkte (71, 72) befindliche Spuren (5) des Materials der n-Kontaktierungsschicht (21) und/oder der Metallisierungsschicht (23) entfernt.
  10. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zwischen Schritt e) und f) eine vierte Isolationsschicht (34) ganzflächig auf einer der Bodenfläche (11c) der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten freiliegenden Außenfläche aufgebracht wird.
  11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil, umfassend – eine Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) mit einer Haupterstreckungsebene, aufweisend – eine n-leitenden Halbleiterschicht (11), die einstückig ausgebildet ist, – eine aktive Zone (13) und eine p-leitende Halbleiterschicht (12), die in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt sind, die lateral zueinander beabstandet sind, wobei jeder Bereich gemeinsam mit der n-leitenden Halbleiterschicht (11) genau einen Bildpunkt (71, 72) bildet, und – eine n-Kontaktierungsschicht (21), die elektrisch leitend ausgebildet ist und deren eine Bodenfläche (21c) an die Deckfläche (11a) der n-leitenden Halbleiterschicht (11) angrenzt, – eine p-Kontaktierungsschicht, die elektrisch leitend ausgebildet ist und deren eine Bodenfläche (22c) an die Deckfläche (12a) der p-leitenden Halbleiterschicht (12) angrenzt, und – eine dritte Isolationsschicht (33), die elektrisch isolierend ausgebildet ist und im Wesentlichen quer oder quer zur Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) verläuft, wobei – die dritte Isolationsschicht (33) zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht (12) und der n-Kontaktierungsschicht (21) angeordnet ist und direkt an alle Seitenflächen (21b) der n-Kontaktierungsschicht (21) und an alle Seitenflächen (22b) der p-leitenden Halbleiterschicht (12) grenzt, – die n-Kontaktierungsschicht (21) zusammenhängend ausgebildet ist und die Bildpunkte (71, 72) rahmenartig umschließt, und – die Deckfläche (11a) der n-leitenden Halbleiterschicht (11) im Bereich der Bildpunkte (71, 72) einen größeren Abstand zur Bodenfläche (11c) der n-leitenden Halbleiterschicht (11) aufweist als im Bereich der n-Kontaktierungsschicht (21).
  12. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Bildpunkte (71, 72) durch die dritte Isolationsschicht (33) an allen lateralen liegenden Seitenflanken (7b) umschlossen werden.
  13. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, mit einer zweiten Isolationsschicht (32), die quer zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge (11, 12, 13) verläuft und zwischen der dritten Isolationsschicht (33) und der p-Kontaktierungsschicht (22) angeordnet ist.
  14. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, mit einer Metallisierungsschicht (23), die entlang der senkrechten Richtung zur Haupterstreckungsebene beabstandet zur n-Kontaktierungsschicht (21) und zur p-Kontaktierungsschicht (22) auf den der n-leitenden Halbleiterschicht (11) abgewandten Deckflächen (32a, 32b) der zweiten und dritten Isolationsschicht (32, 33) angeordnet ist und reflektierend ausgebildet ist.
  15. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, mit einer vierten Isolationsschicht (34), die die Bildpunkte (71, 72) an ihren der p-Kontaktierungsschicht (22) abgewandten Seitenflanken (7b) vollständig umgibt und direkt an die n-Kontaktierungsschicht (21), die Metallisierungsschicht (23) und die dritte Isolationsschicht (33) angrenzt.
  16. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem auf einer der Deckfläche (12a) der p-Kontaktierungsschicht (12) eine erste Isolationsschicht (31) angeordnet ist, die direkt an die zweite Isolationsschicht (32) angrenzt und maximal 10 % der Deckfläche (12a) bedeckt.
  17. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die zweite und die dritte Isolationsschicht (32, 33) an ihren der n-leitenden Halbleiterschicht (11) und der p-Kontaktierungsschicht (22) abgewandten Ecken und Kanten (32b, 33b) Spuren eines Materialabtrags (4) aufweisen.
  18. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Bildpunkte (71, 72) im Rahmen der Herstellungstoleranzen gleiche geometrische Abmessungen aufweisen.
  19. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die geometrische Ausdehnung der n-Kontaktierungsschicht (21) entlang einer gedachten Verbindungslinie zwischen den Mittelpunkten zweier benachbarter Bildpunkte maximal 5 µm beträgt.
  20. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der laterale Abstand zweier benachbarter Bildpunkte (71, 72) entlang einer gedachten Verbindungslinie zwischen den Mittelpunkten dieser benachbarten Bildpunkte (71, 72) maximal 12 µm beträgt.
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