DE112017000332B4 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

Info

Publication number
DE112017000332B4
DE112017000332B4 DE112017000332.6T DE112017000332T DE112017000332B4 DE 112017000332 B4 DE112017000332 B4 DE 112017000332B4 DE 112017000332 T DE112017000332 T DE 112017000332T DE 112017000332 B4 DE112017000332 B4 DE 112017000332B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
recess
semiconductor layer
contact
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE112017000332.6T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112017000332A5 (de
Inventor
Lutz Höppel
Dominik Scholz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE112017000332A5 publication Critical patent/DE112017000332A5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112017000332B4 publication Critical patent/DE112017000332B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
    • H01L31/03048—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP comprising a nitride compounds, e.g. InGaN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • H01L31/1848—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P comprising nitride compounds, e.g. InGaN, InGaAlN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1852—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising a growth substrate not being an AIIIBV compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend:- eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Halbleiterschicht (11), einer im Betrieb elektromagnetische Strahlung emittierenden oder absorbierenden aktiven Schicht (13), einer zweiten Halbleiterschicht (12) und einer Oberseite (14), welche in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind,- eine auf die erste Halbleiterschicht (11) aufgebrachte erste Kontaktschicht (31), über die im Betrieb die erste Halbleiterschicht (11) elektrisch kontaktiert ist,- eine auf der Oberseite (14) angeordnete Spiegelschicht (4), über die im Betrieb die zweite Halbleiterschicht (12) elektrisch kontaktiert ist,- eine Aussparung (2) in der Halbleiterschichtenfolge (1), die sich von der Oberseite (14) aus durch die gesamte zweite Halbleiterschicht (12) und die aktive Schicht (13) erstreckt und in die erste Halbleiterschicht (11) mündet, wobei- die Aussparung (2) im Bereich der ersten Halbleiterschicht (11) eine Bodenfläche (20) aufweist, die in lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht (13), durch zumindest eine quer zur aktiven Schicht (13) verlaufende Seitenwand (21) begrenzt ist,- die Bodenfläche (20) und die Seitenwand (21) der Aussparung (2) durch die Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet sind,- die erste Kontaktschicht (31) direkt auf die Bodenfläche (20) aufgebracht ist,- in Draufsicht auf die Oberseite (14) gesehen die Spiegelschicht (4) einen Teil der Aussparung (2) überdeckt,- die erste Kontaktschicht (31) in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt zu einem Kontaktstift (33) steht,- der Kontaktstift (33) sich von der ersten Kontaktschicht (31) in Richtung Oberseite (14) der Halbleiterschichtenfolge (1) erstreckt und die Oberseite (14) überragt, und- der Kontaktstift (33) die geometrische Form eines Zylinders aufweist.

Description

  • Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
  • Aus dem Dokument US 2016 / 0 005 927 A1 sind ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements bekannt.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, bei dem ein möglichst großer Bereich einer aktiven Schicht zur Strahlungserzeugung genutzt wird. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden unter anderem durch den Gegenstand und das Verfahren der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Das optoelektronische Bauelement umfasst eine Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst eine erste Schicht, eine im bestimmungsgemäßen Betrieb Strahlung emittierende oder absorbierende aktive Schicht, eine zweite Halbleiterschicht und eine Oberseite. Die Schichten sind in der angegebenen Reihenfolge übereinander angeordnet. Die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht sind also zwischen der Oberseite und der ersten Halbleiterschicht angeordnet. Die aktive Schicht ist zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet.
  • Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht können beispielsweise Einzelschichten sein. Alternativ ist es aber auch möglich, dass die erste und/oder die zweite Halbleiterschicht eine Mehrzahl von übereinandergestapelten Einzelschichten umfasst. Insbesondere grenzt die zweite Halbleiterschicht sowohl an die Oberseite als auch an die aktive Schicht. Die erste Halbleiterschicht grenzt bevorzugt an die aktive Schicht und an eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite. Sowohl die Oberseite als auch die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge sind beispielsweise Grenzflächen der Halbleiterschichtenfolge. Bevorzugt sind die Oberseite und die Unterseite Hauptseiten, also Seiten mit der größten lateralen Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge. Die aktive Schicht verläuft bevorzugt im Wesentlichen parallel zur Oberseite und/oder Unterseite.
  • Die erste Halbleiterschicht kann beispielsweise n-leitend sein, die zweite Halbleiterschicht kann p-leitend sein. Aber auch eine umgekehrte Dotierung ist möglich.
  • Die Halbleiterschichtenfolge basiert beispielsweise auf einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial, wie AlnIn1-n-mGamN, oder um ein Phosphid-Verbindungs-Halbleitermaterial, wie AlnIn1-n-mGamP, oder auch um ein Arsenid-Verbindungs-Halbleitermaterial, wie AlnIn1-n-mGamAs, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und m + n ≤ 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN.
  • Die aktive Schicht weist beispielsweise wenigstens einen pn-Übergang und/oder eine Quantentopfstruktur in Form eines einzelnen Quantentopfs, kurz SQW, oder in Form einer Multiquantentopfstruktur, kurz MQW, auf. Bevorzugt emittiert die aktive Schicht im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung im nahen UV-Bereich und/oder im sichtbaren Bereich und/oder im nahen infraroten Bereich.
  • Bei dem optoelektronischen Bauelement handelt es sich beispielsweise um einen Halbleiterchip, wie einen Dünnfilm-Halbleiterchip oder einen Flip-Chip. Unter einem Halbleiterchip wird dabei ein solches Bauelement verstanden, welches durch Vereinzelung eines Wafers entsteht. Insbesondere sind die Abmessungen des Halbleiterchips also durch Trennungslinien in dem Wafer definiert. Spuren eines Vereinzelungsprozesses aus dem Wafer können dann an Seitenflächen des Bauelements noch sichtbar sein.
  • Das Bauelement umfasst eine auf die erste Halbleiterschicht angeordnete erste Kontaktschicht, über die im bestimmungsgemäßen Betrieb die erste Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert ist. Das heißt, über die erste Kontaktschicht werden im bestimmungsgemäßen Betrieb erste Ladungsträger, wie Elektronen, in die erste Halbleiterschicht injiziert.
  • Bevorzugt basiert die erste Kontaktschicht auf einem anderen Material oder besteht aus einem anderen Material als die Halbleiterschichtenfolge. Insbesondere ist die erste Kontaktschicht nicht aus einem Halbleitermaterial gebildet. Beispielsweise weist die erste Kontaktschicht ein Metall, wie Al oder Ag, oder ein transparent leitfähiges Oxid, kurz TCO, wie Indium-Zinn-Oxid, kurz ITO, oder Zinkoxid, wie ZnO, auf oder besteht daraus. Die erste Kontaktschicht kann selber eine Mehrzahl von übereinander angeordneten Einzelschichten umfassen. Zum Beispiel umfasst die erste Kontaktschicht eine Einzelschicht aus TCO und eine Einzelschicht aus Ag oder besteht daraus.
  • Das Bauelement umfasst eine auf der Oberseite angeordnete Spiegelschicht. Über die Spiegelschicht wird im bestimmungsgemäßen Betrieb die zweite Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert. Insbesondere werden über die Spiegelschicht zweite Ladungsträger, wie Löcher, in die zweite Halbleiterschicht injiziert. Die Spiegelschicht kann beispielsweise eine metallische Schicht sein und weist beispielsweise Al oder Ag oder Rh auf oder besteht daraus. Die erste Spiegelschicht weist beispielsweise eine im Rahmen der Herstellungstoleranz konstante Dicke zwischen einschließlich 100 nm und 1 um oder zwischen einschließlich 200 nm und 600 nm auf.
  • Die erste Spiegelschicht kann direkt auf die Oberseite, insbesondere direkt auf die zweite Halbleiterschicht, aufgebracht sein. Alternativ ist es aber auch möglich, dass die Spiegelschicht von der Oberseite, insbesondere von der zweiten Halbleiterschicht, durch eine Zwischenschicht beabstandet ist.
  • Das optoelektronische Bauelement umfasst eine Aussparung in der Halbleiterschichtenfolge. Bei der Aussparung kann es sich um ein Loch oder um einen Graben in der Halbleiterschichtenfolge handeln. Insbesondere bildet die Aussparung einen Bereich in der Halbleiterschichtenfolge, in dem eine Durchkontaktierung angeordnet ist. Die erste Kontaktschicht ist insbesondere ein Teil der Durchkontaktierung
  • Die Aussparung erstreckt sich von der Oberseite aus durch die gesamte zweite Halbleiterschicht und die gesamte aktive Schicht, bis hinein in die erste Halbleiterschicht. Die Aussparung mündet in die erste Halbleiterschicht und durchdringt diese nicht vollständig.
  • Die Aussparung weist im Bereich der ersten Halbleiterschicht eine Bodenfläche auf, die in lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht, durch zumindest eine quer zur aktiven Schicht verlaufende Seitenwand begrenzt ist. Die Bodenfläche verläuft beispielsweise im Wesentlichen parallel zur aktiven Schicht. Die Seitenwand verläuft senkrecht oder unter einem Winkel zwischen einschließlich 45° und 90° zur aktiven Schicht. Beispielsweise ist die Aussparung als zylinderförmiges Loch in die Halbleiterschichtenfolge eingebracht. Die Bodenfläche der Aussparung ist dann durch die Bodenfläche des Zylinders gebildet. Die Seitenwand der Aussparung ist durch die Mantelfläche des Zylinders gebildet.
  • Alternativ ist es aber auch möglich, dass die Aussparung mehrere Seitenwände umfasst. Beispielsweise ist die Bodenfläche in lateraler Richtung ringsum vollständig von Seitenwänden der Aussparung umgeben. In diesem Fall ist die Aussparung beispielsweise als Loch mit rechteckiger Querschnittsform in der Halbleiterschichtenfolge gebildet. Ist die Aussparung andererseits als Graben gebildet, so umfasst die Aussparung beispielsweise zwei einander gegenüberliegende Seitenwände.
  • Die im Folgenden gemachten Ausführungen beziehen sich stets auf den Fall von nur einer Seitenwand. Umfasst die Aussparung mehrere Seitenwände, so können alle Merkmale, die für die eine Seitenwand offenbart sind, auch für die anderen Seitenwände offenbart sein.
  • Sowohl die Bodenfläche als auch die Seitenwand der Aussparung sind durch die Halbleiterschichtenfolge gebildet. Die Seitenwand und die Bodenfläche bestehen also aus dem Material der Halbleiterschichtenfolge. Anders ausgedrückt ist die Aussparung in lateraler Richtung und in Richtung weg von der Oberseite durch die Halbleiterschichtenfolge begrenzt.
  • Die erste Kontaktschicht ist direkt auf die Bodenfläche der Aussparung aufgebracht. Insbesondere ist die erste Kontaktschicht im Bereich der Bodenfläche direkt auf die erste Halbleiterschicht aufgebracht. Die erste Kontaktschicht bedeckt die Bodenfläche teilweise oder vollständig. Die erste Kontaktschicht ist im Bereich der Aussparung bevorzugt einfach zusammenhängend ausgebildet. Beispielsweise umfasst die erste Kontaktschicht eine Schicht aus einem oben genannten TCO, welche in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht ist.
  • In Draufsicht auf die Oberseite gesehen ist ein Teil der Aussparung von der Spiegelschicht überdeckt. Insbesondere ragt die erste Spiegelschicht also in lateraler Richtung teilweise über die Aussparung hinweg. Anders ausgedrückt bildet die Spiegelschicht einen Vorsprung, der über die Aussparung ragt. Der Teil der Spiegelschicht, der über die Aussparung ragt, wird beispielsweise durch ein dielektrisches Material in der Aussparung stabilisiert und so vor einem Abknicken bewahrt.
  • Anders ausgedrückt weist die Oberseite eine durch die Aussparung gebildete Öffnung auf, von der aus sich die Aussparung in die Halbleiterschichtenfolge hinein erstreckt. Die durch die Aussparung gebildete Öffnung in der Oberseite ist in Draufsicht auf die Oberseite teilweise, beispielsweise zu zumindest 2 % oder zumindest 4 % oder zumindest 10 % oder zumindest 14 % von der Spiegelschicht überdeckt.
  • Die Spiegelschicht ist bevorzugt zusammenhängend ausgebildet und weist ein Loch auf. Das Loch der Spiegelschicht kann in seiner lateralen Ausdehnung kleiner als die laterale Ausdehnung der Aussparung oder Öffnung sein. In Draufsicht auf die Oberseite ist das Loch der Spiegelschicht zum Beispiel vollständig im Bereich der Aussparung angeordnet. Insbesondere können das Loch in der Spiegelschicht und die durch die Aussparung gebildete Öffnung in der Oberseite in Draufsicht konzentrische angeordnete Kreise darstellen.
  • Ist die Aussparung beispielsweise als Graben in der Halbleiterschichtenfolge gebildet, so kann die Spiegelschicht einen Spalt aufweisen, der in Draufsicht zum Beispiel vollständig im Bereich des Grabens angeordnet ist. Die Spaltbreite ist bevorzugt kleiner als die Breite der durch den Graben gebildeten Öffnung in der Oberseite.
  • Das optoelektronische Bauelement umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht, einer im Betrieb elektromagnetische Strahlung emittierenden oder absorbierenden aktiven Schicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einer Oberseite, welche in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Auf die erste Halbleiterschicht ist eine erste Kontaktschicht aufgebracht, über die im bestimmungsgemäßen Betrieb die erste Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert ist. Auf der Oberseite ist eine Spiegelschicht angeordnet, über die im Betrieb die zweite Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert ist. Das Bauelement umfasst ferner eine Aussparung in der Halbleiterschichtenfolge, die sich von der Oberseite aus durch die gesamte zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht erstreckt und in die erste Halbleiterschicht mündet. Die Aussparung weist im Bereich der ersten Halbleiterschicht eine Bodenfläche auf, die in lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht, durch zumindest eine quer zur aktiven Schicht verlaufende Seitenwand begrenzt ist. Dabei sind die Bodenfläche und die Seitenwand der Aussparung durch die Halbleiterschichtenfolge gebildet. Die erste Kontaktschicht ist direkt auf der Bodenfläche der Aussparung aufgebracht. In Draufsicht auf die Oberseite gesehen überdeckt die Spiegelschicht einen Teil der Aussparung.
  • Der hier beschriebenen Erfindung liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass optoelektronische Bauelemente mit Durchkontaktierungen im Bereich der Durchkontaktierung selber keine Strahlung emittieren. Zusätzlich wird aber auch der Bereich unmittelbar rings um die Durchkontaktierung nicht zur Strahlungsemission genutzt. Dies liegt zum Beispiel daran, dass die Spiegelschicht auf der Oberseite herstellungsbedingt von der durch die Aussparung gebildeten Öffnung in der Oberseite lateral zurückgezogen ist. Zwischen der Durchkontaktierung und der Spiegelschicht ist dann ein Abstand vorhanden, in dessen Bereich die aktive Schicht keine elektromagnetische Strahlung emittiert.
  • Bei der hier beschriebenen Erfindung wird dagegen die Spiegelschicht zumindest teilweise in die Öffnung oder Aussparung hineingezogen, wodurch der nicht strahlungsemittierende Bereich der aktiven Schicht reduziert wird. Das Hineinziehen der Spiegelschicht in die Öffnung oder Aussparung ist zum Beispiel durch das im Weiteren beschriebene Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Bauelement ermöglicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Spiegelschicht zusammenhängend und bevorzugt einstückig ausgebildet. Beispielsweise weist die Spiegelschicht im Bereich lateral neben der Aussparung eine Haupterstreckung in die laterale Richtung auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Spiegelschicht im Bereich der Aussparung in Richtung Bodenfläche gezogen und verläuft zumindest teilweise quer zur aktiven Schicht. In Draufsicht auf die Seitenwand ist ein Teil der Seitenwand dabei von der Spiegelschicht überdeckt. Im Bereich der Aussparung verläuft die Spiegelschicht also zumindest teilweise parallel oder nahezu parallel zur Seitenwand.
  • Anders ausgedrückt weist die Spiegelschicht im Bereich der Aussparung einen Knick auf, an dem eine laterale Haupterstreckung der Spiegelschicht in eine quer zur aktiven Schicht verlaufende Haupterstreckung übergeht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Spiegelschicht im Bereich der Aussparung zumindest so weit in Richtung Bodenfläche gezogen, dass in Draufsicht auf die Seitenwand die Seitenwand auf Höhe der aktiven Schicht von der Spiegelschicht überdeckt ist. Mit anderen Worten reicht die erste Spiegelschicht also zumindest bis zur aktiven Schicht in die Aussparung hinein. Auf diese Weise kann die erste Spiegelschicht als seitliche Verspiegelung der Aussparung genutzt werden, sodass von der aktiven Schicht im Bereich neben der Aussparung erzeugte elektromagnetische Strahlung von der Aussparung weg reflektiert wird. Dies erhöht die Effizienz des Bauelements.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdeckt die Spiegelschicht in Draufsicht auf die Seitenwand betrachtet zumindest 25 % oder zumindest 35 % oder zumindest 45 % der Seitenwand.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappen in Draufsicht auf die Oberseite gesehen die erste Kontaktschicht und die Spiegelschicht teilweise miteinander. In Draufsicht auf die Oberseite gesehen ist ein Loch in der Spiegelschicht beispielsweise vollständig in dem von der ersten Kontaktschicht bedeckten Bereich der Bodenfläche angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Spiegelschicht eine Reflektivität für eine von der aktiven Schicht im bestimmungsgemäßen Betrieb emittierte Strahlung von zumindest 80 % oder zumindest 90 % oder zumindest 95 % auf. Die Reflektivität wird dabei beispielsweise bei der Wellenlänge gemessen, bei der die emittierte Strahlung ein Intensitätsmaximum aufweist. Insbesondere weist die erste Spiegelschicht eine Reflektivität von zumindest 80 % im sichtbaren Spektralbereich auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt die Tiefe der Aussparung, gemessen von der Oberseite bis zur Bodenfläche, zumindest 200 nm oder zumindest 500 nm oder zumindest 700 nm. Alternativ oder zusätzlich ist die Tiefe höchstens 1000 nm oder 800 nm oder 500 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt der Abstand zwischen der aktiven Schicht und der Oberseite, insbesondere die Dicke der zweiten Halbleiterschicht, zumindest 50 nm oder zumindest 80 nm oder zumindest 120 nm. Alternativ oder zusätzlich beträgt der Abstand höchstens 180 nm oder höchstens 150 nm oder höchstens 120 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt die Dicke der ersten Kontaktschicht höchstens 300 nm oder höchstens 200 nm oder höchstens 150 nm. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Dicke der ersten Kontaktschicht zumindest 50 nm oder zumindest 100 nm oder zumindest 150 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen der Spiegelschicht und der Halbleiterschichtenfolge eine erste Zwischenschicht angeordnet. Die erste Zwischenschicht kann dabei überall zwischen der Spiegelschicht und der Halbleiterschichtenfolge, insbesondere im Bereich der Oberseite, angeordnet sein. Ist die Spiegelschicht beispielsweise in die Aussparung hineingezogen und überdeckt einen Teil der Seitenwand, so kann die erste Zwischenschicht auch zwischen der Seitenwand und der Spiegelschicht angeordnet sein.
  • Die erste Zwischenschicht umfasst insbesondere ein für die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung transparentes Material. Zum Beispiel umfasst die erste Zwischenschicht ein Siliziumoxid, wie SiO2, oder ein Siliziumnitrid, wie SiN, oder ein Aluminiumoxid, wie Al2O3, oder ein Titanoxid, wie TiO2, oder ein Nioboxid, wie Nb2O5. Auch ein Mehrschichtaufbau aus den genannten Materialien ist möglich für die Zwischenschicht. Die erste Zwischenschicht weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 50 nm und 1000 nm, bevorzugt zwischen einschließlich 50 nm und 300 nm, auf.
  • Die erste Zwischenschicht ist zumindest in Bezug auf die zweite Halbleiterschicht elektrisch isolierend. Das heißt, die erste Zwischenschicht leitet im bestimmungsgemäßen Betrieb keinen signifikanten Strom von der Spiegelschicht zur zweiten Halbleiterschicht. Bezüglich der ersten Halbleiterschicht kann die erste Zwischenschicht ebenfalls elektrisch isolierend wirken.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt die erste Zwischenschicht die Seitenwand in der Aussparung und formt diese formschlüssig nach. Bevorzugt bedeckt die erste Zwischenschicht die gesamte Seitenwand bis hin zur Bodenfläche. Insbesondere ist die erste Zwischenschicht im Bereich der Aussparung in direktem mechanischem Kontakt mit der Seitenwand und der Spiegelschicht. Die erste Zwischenschicht ist zum Beispiel zusammenhängend ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen der ersten Zwischenschicht und der Oberseite, also insbesondere zwischen der ersten Zwischenschicht und der zweiten Halbleiterschicht, eine zweite Kontaktschicht angeordnet. Die zweite Kontaktschicht kann ein Metall oder bevorzugt ein TCO, wie ITO, aufweisen oder daraus bestehen. Insbesondere ist die zweite Kontaktschicht in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt mit der ersten Zwischenschicht und mit der Halbleiterschichtenfolge, bevorzugt mit der zweiten Halbleiterschicht. Die zweite Kontaktschicht reicht bevorzugt bis an die durch die Aussparung gebildete Öffnung in der Oberseite und schließt in lateraler Richtung bündig mit der Seitenwand der Aussparung ab.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die zweite Kontaktschicht und die Spiegelschicht über Durchkontakte in der ersten Zwischenschicht elektrisch leitend miteinander verbunden. Die Durchkontakte können beispielsweise Löcher in der ersten Zwischenschicht sein, die mit dem Material der Spiegelschicht und/oder dem Material der zweiten Kontaktschicht aufgefüllt sind. Im Bereich der Durchkontakte stehen also die zweite Kontaktschicht und die Spiegelschicht in direktem mechanischem Kontakt zueinander.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die gesamte Bodenfläche der Aussparung von der ersten Kontaktschicht bedeckt. Die erste Kontaktschicht grenzt im Bereich der Seitenwand direkt an die Halbleiterschichtenfolge. Zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der ersten Kontaktschicht ist im Bereich der Seitenwand dann kein weiteres Material oder keine weitere Schicht angeordnet. Das heißt, die erste Kontaktschicht füllt einen unteren, der ersten Halbleiterschicht zugewandten Bereich der Aussparung vollständig aus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Dicke der ersten Kontaktschicht so gewählt, dass die erste Kontaktschicht die aktive Schicht in Richtung weg von der Bodenfläche nicht überragt. Insbesondere ist die erste Kontaktschicht nur im Bereich der ersten Halbleiterschicht in direktem mechanischem Kontakt mit der Seitenwand.
  • Die erste Kontaktschicht ist in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt zu einem Kontaktstift. Der Kontaktstift erstreckt sich von der ersten Kontaktschicht bis zur Oberseite der Halbleiterschichtenfolge und besonders bevorzugt sogar darüber hinaus. Der Kontaktstift weist beispielsweise ein Metall wie Ag, Al, Au, Pt, Pd, Cu, W, Ti, Rh oder Legierungen daraus auf. Der Kontaktstift dient im bestimmungsgemäßen Betrieb zum Transport von Ladungsträgern von der Oberseite bis zur ersten Kontaktschicht. Der Kontaktstift ist zum Beispiel Teil einer Durchkontaktierung. Der Kontaktstift hat die geometrische Form eines Zylinders, wobei bevorzugt die Bodenfläche des Zylinders kleiner ist als die Fläche der ersten Kontaktschicht gewählt ist.
  • Insbesondere braucht der Kontaktstift nicht auf seine optischen Eigenschaften, wie reflektierende Eigenschaften, hin optimiert zu sein, wenn zum Beispiel die Spiegelschicht in die Aussparung hineingezogen ist. Der Kontaktstift kann dann lediglich in Bezug auf gute elektrische Eigenschaften, beispielsweise einen guten Anschlusskontakt, zur ersten Kontaktschicht hin optimiert sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Kontaktstift in einem die Aussparung auffüllenden elektrisch isolierenden Füllmaterial eingebettet und zum Beispiel in direktem Kontakt mit dem Füllmaterial. Der zweite Kontaktstift ist durch das Füllmaterial zumindest von der zweiten Halbleiterschicht und der Spiegelschicht elektrisch isoliert. Das Füllmaterial weist beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid oder ein Siliziumoxid, wie SiO2, oder ein Siliziumnitrid, wie SiN, oder ein Aluminiumoxid, wie Al2O3, oder ein Titanoxid, wie TiO2, oder ein Nioboxid, wie Nb2O5, auf oder besteht daraus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Füllmaterial innerhalb der Aussparung direkt auf die Spiegelschicht aufgebracht. Die Spiegelschicht ist zum Beispiel im Bereich der Seitenwand von dem Füllmaterial überdeckt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Füllmaterial an der Oberseite direkt auf die Spiegelschicht aufgebracht und bildet eine Schicht auf der Spiegelschicht. Die Dicke der durch das Füllmaterial an der Oberseite gebildeten Schicht beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 50 nm und 500 nm. Die Dicke dieser Schicht auf der Spiegelschicht ist zum Beispiel im Rahmen der Herstellungstoleranz konstant.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform steht das Füllmaterial im Bereich der Aussparung in direktem Kontakt zur Halbleiterschichtenfolge. Die Spiegelschicht ist dann zum Beispiel im Bereich der Aussparung auf das Füllmaterial aufgebracht. Eine erste Zwischenschicht ist in diesem Fall bevorzugt nicht verwendet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform verläuft die Spiegelschicht überall im Bereich der Aussparung im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsrichtung der Oberseite. Insbesondere ist die Spiegelschicht in diesem Fall im Bereich der Aussparung nicht in Richtung Bodenfläche gezogen und ragt nicht in die Aussparung hinein, sondern ändert ihre Haupterstreckungsrichtung vom Bereich neben der Aussparung zum Bereich in der Aussparung nicht. Anders ausgedrückt verläuft die Spiegelschicht überall oberhalb der durch die Aussparung gebildeten Öffnung in der Oberseite parallel oder nahezu parallel zur Oberseite. Die Spiegelschicht weist dann im Bereich der Aussparung also auch keinen Knick auf, an dem sich die Erstreckungsrichtung der Spiegelschicht ändert.
  • Beispielsweise bildet das Füllmaterial in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge eine ebene Fläche, die sich sowohl über den Bereich lateral neben der Aussparung als auch über den Bereich der Aussparung erstreckt. Auf diese ebene Fläche kann die Spiegelschicht aufgebracht sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform verjüngt sich die Aussparung, insbesondere kontinuierlich und/oder stetig, in Richtung Bodenfläche. Das heißt, die Bodenfläche weist eine kleinere laterale Ausdehnung als die durch die Aussparung gebildete Öffnung in der Oberseite auf. Die Öffnung in der Oberseite überdeckt beispielsweise in Draufsicht auf die Oberseite gesehen die Bodenfläche vollständig. Beispielsweise beträgt die laterale Ausdehnung der Bodenfläche höchstens 95 % oder höchstens 90 % oder höchstens 80 % oder höchstens 70 % der lateralen Ausdehnung der Öffnung.
  • Alternativ ist es aber auch möglich, dass sich die Aussparung in Richtung Bodenfläche, insbesondere kontinuierlich und/oder stetig, verbreitert. Die Seitenwände sind zum Beispiel bereichsweise oder überall überhängend ausgebildet. Insbesondere kann dann die Öffnung in der Oberseite in Draufsicht auf die Oberseite gesehen vollständig im Bereich der Bodenfläche angeordnet sein. Beispielsweise beträgt die laterale Ausdehnung der Öffnung höchstens 95 % oder höchstens 90 % oder höchstens 80 % oder höchstens 70 % der lateralen Ausdehnung der Bodenfläche.
  • Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben. Das Verfahren eignet sich insbesondere zur Herstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Bauelements. Alle für das optoelektronische Bauelement offenbarten Merkmale sind damit für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
  • Das Verfahren umfasst einen Schritt A), in dem eine auf einem Substrat aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird. Die Halbleiterschichtenfolge ist zum Beispiel auf dem Substrat aufgewachsen. Bei dem Substrat kann es sich um ein Saphirsubstrat handeln. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine dem Substrat abgewandte Oberseite auf. Ferner weist die Halbleiterschichtenfolge eine dem Substrat zugewandte erste Halbleiterschicht, eine dem Substrat abgewandte zweite Halbleiterschicht und eine zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht auf.
  • In einem Schritt B) wird auf die Oberseite der Halbleiterschichtenfolge eine Maske mit zumindest einer Öffnung aufgebracht. Bei der Maske handelt es sich beispielsweise um eine Fotomaske, wobei die Öffnung in der Maske über einen Lithografieschritt hergestellt sein kann. Die Maske umfasst beispielsweise einen Fotolack oder ist daraus gebildet. Im Bereich der Öffnung ist die Oberseite der Halbleiterschichtenfolge oder eine darauf befindliche zweite Kontaktschicht zunächst freigelegt.
  • In einem Schritt C) wird die Halbleiterschichtenfolge im Bereich der Öffnung teilweise entfernt, sodass eine Aussparung in der Halbleiterschichtenfolge entsteht. Die Aussparung erstreckt sich von der Oberseite aus durch die gesamte zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht und mündet in die erste Halbleiterschicht. Dabei weist die Aussparung im Bereich der ersten Halbleiterschicht eine Bodenfläche auf, die in lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht, durch zumindest eine quer zur aktiven Schicht verlaufende Seitenwand begrenzt ist.
  • In einem Schritt D) wird eine erste Kontaktschicht direkt auf die erste Halbleiterschicht im Bereich der Bodenfläche abgeschieden. Für das Abscheiden der ersten Kontaktschicht wird ein gerichtetes Verfahren, wie Verdampfen oder Niederdruckabscheidung, verwendet. Dadurch wird bevorzugt erreicht, dass die erste Kontaktschicht sich nur auf der Bodenfläche, aber nicht oder nicht merklich auf der Seitenwand der Aussparung abscheidet. Für das Abscheiden der ersten Kontaktschicht wird die gleiche Maske wie für das Erzeugen der Aussparung verwendet. Insbesondere wird keine andere oder zusätzliche Maske für den Abscheideprozess der ersten Kontaktschicht benutzt. Dadurch, dass die gleiche Maske und ein gerichtetes Abscheideverfahren verwendet werden, entfallen mögliche einzuhaltende Justagetoleranzen, sodass ein möglichst großer Bereich der Bodenfläche, bevorzugt die gesamte Bodenfläche, von der ersten Kontaktschicht bedeckt werden kann.
  • In einem Schritt E) wird eine Spiegelschicht auf die Oberseite und im Bereich der Aussparung abgeschieden, wobei die Spiegelschicht elektrisch leitfähig mit der zweiten Halbleiterschicht verbunden wird. Die Spiegelschicht wird dabei beispielsweise auf die Seitenwand und die Bodenfläche der Aussparung aufgebracht. Insbesondere wird die Spiegelschicht als eine einfach zusammenhängende Schicht aufgebracht. Das Aufbringen der Spiegelschicht kann über ein ungerichtetes Verfahren, wie Sputtern, erfolgen.
  • In einem Schritt F) wird die Spiegelschicht im Bereich über der ersten Kontaktschicht, beispielsweise im Bereich der Bodenfläche, entfernt. Dabei wird die erste Kontaktschicht beispielsweise freigelegt. Die Spiegelschicht überdeckt am fertigen Bauelement die Aussparung in Draufsicht auf die Oberseite gesehen teilweise. Die Spiegelschicht wird also insbesondere nicht im gesamten Bereich der Aussparung entfernt, sondern nur in einem Bereich, der kleiner ist als eine durch die Aussparung gebildete Öffnung in der Oberseite.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Schritte A) bis F) als einzelne, aufeinanderfolgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge ausgeführt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Schritt D) und vor dem Schritt E) eine erste Zwischenschicht auf die Oberseite, die Seitenwand und die erste Kontaktschicht aufgebracht. Die erste Zwischenschicht weist beispielsweise im Rahmen der Herstellungstoleranz eine konstante Dicke auf. Insbesondere formt die erste Zwischenschicht die Ausnehmung formschlüssig nach. Die erste Zwischenschicht wird dabei bevorzugt als eine einfach zusammenhängende Schicht aufgebracht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird im Schritt E) die Spiegelschicht formschlüssig auf die erste Zwischenschicht aufgebracht, sodass im Bereich der Aussparung die erste Spiegelschicht zumindest teilweise quer zur aktiven Schicht verläuft und in Draufsicht auf die Seitenwand gesehen zumindest ein Teil der Seitenwand von der Spiegelschicht überdeckt ist. Die Spiegelschicht formt also bevorzugt die erste Zwischenschicht und damit die Form der Aussparung nach.
  • Die Spiegelschicht ist bevorzugt direkt auf die erste Zwischenschicht aufgebracht. Ferner kann die Spiegelschicht im Rahmen der Herstellungstoleranz ebenfalls eine konstante Dicke aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Schritt F) die Ausnehmung vollständig mit einem Füllmaterial aufgefüllt. Das Füllmaterial überragt zum Beispiel die Aussparung in Richtung weg von der Oberseite. Anschließend wird ein Loch in dem Füllmaterial und der ersten Zwischenschicht gebildet, sodass die erste Kontaktschicht freigelegt wird. In einem anschließenden Schritt wird in dem Loch ein Kontaktstift gebildet, der ausgehend von der ersten Kontaktschicht in Richtung Oberseite geführt ist und die Oberseite überragt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird vor dem Schritt E) ein Füllmaterial in die Aussparung gefüllt, das die Aussparung vollständig auffüllt. Das Füllmaterial ist dabei bevorzugt in direktem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge im Bereich der Seitenwand und der Bodenfläche. Nach dem Schritt F) wird ein Loch in dem Füllmaterial gebildet, sodass die erste Kontaktschicht freigelegt wird. In einem anschließenden Schritt wird in dem Loch ein Kontaktstift gebildet, der ausgehend von der ersten Kontaktschicht in Richtung Oberseite geführt ist und die Oberseite überragt.
  • Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement sowie ein hier beschriebenes Verfahren unter Bezugnahme auf Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Es zeigen:
    • 1A bis 1D verschiedene Positionen in einem Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Bauelement,
    • 1E, 1F und 3 Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Bauelements in seitlicher Querschnittsansicht und in Draufsicht,
    • 2A bis 2C verschiedene Positionen in einem weiteren Ausführungsbeispiel eines Herstellungsverfahrens.
  • In 1A ist eine Position in einem Ausführungsbeispiel eines Herstellungsverfahrens für ein optoelektronisches Bauelement 100 gezeigt. Auf einem Substrat 15, beispielsweise einem Saphirsubstrat 15, ist eine Halbleiterschichtenfolge 1 aufgebracht. Bei der Halbleiterschichtenfolge 1 kann es sich um eine GaN-Halbleiterschichtenfolge handeln, die auf dem Substrat 15 aufgewachsen ist. Die Halbleiterschichtenfolge 1 umfasst ausgehend von dem Substrat 15 gesehen eine erste Halbleiterschicht 11, danach eine aktive Schicht 13 und eine zweite Halbleiterschicht 12. Abgeschlossen ist die Halbleiterschichtenfolge 1 durch eine dem Substrat 15 gegenüberliegende Oberseite 14.
  • Die aktive Schicht 13 ist beispielsweise dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung, insbesondere sichtbares Licht, zu emittieren. Die erste Halbleiterschicht 11 ist beispielsweise eine n-leitende GaN-Schicht, die zweite Halbleiterschicht 12 eine p-leitende GaN-Schicht.
  • Die Oberseite 14 ist mit einer zweiten Kontaktschicht 32 bedeckt, die in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht 12 steht. Bei der zweiten Kontaktschicht 32 handelt es sich beispielsweise um eine Schicht aus einem transparent leitfähigen Oxid, wie ITO.
  • In die Halbleiterschichtenfolge 1 ist außerdem eine Aussparung 2 eingebracht, die sich ausgehend von der Oberseite 14 durch die gesamte zweite Halbleiterschicht 12 und die aktive Schicht 13 bis hinein in die erste Halbleiterschicht 11 erstreckt und in die erste Halbleiterschicht 11 mündet. Die Oberseite 14 weist entsprechend eine Öffnung oder Unterbrechung auf, von der aus sich die Aussparung 2 in Richtung erste Halbleiterschicht 11 erstreckt. Im Bereich der ersten Halbleiterschicht 11 weist die Aussprung 2 eine Bodenfläche 20 auf, die im Wesentlichen parallel zur aktiven Schicht 13 verläuft. In lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht 13, ist die Bodenfläche 20 von quer zur aktiven Schicht 13 verlaufenden Seitenwänden 21 begrenzt.
  • Bei der Aussparung 2 handelt es sich vorliegend beispielsweise um ein Loch in der Halbleiterschichtenfolge 1, das in lateraler Richtung vollständig von Seitenwänden 21 umgeben ist.
  • Auf der Bodenfläche 20 der Aussparung 2 ist eine erste Kontaktschicht 31 aufgebracht, die im Bereich der Bodenfläche 20 in direktem mechanischem und elektrischem Kontakt zur ersten Halbleiterschicht 11 steht. Die erste Kontaktschicht 31 bedeckt die Bodenfläche 20 vollständig und steht auch im Bereich der Seitenwände 21 in direktem mechanischem und elektrischem Kontakt zur ersten Halbleiterschicht 11.
  • Die erste Kontaktschicht 31 weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 50 nm und 500 nm auf. Insbesondere umfasst die erste Kontaktschicht 31 beispielsweise eine oder mehrere Einzelschichten. Zum Beispiel ist eine in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 11 befindliche Einzelschicht aus einem transparent leitfähigen Oxid, wie ZnO, gebildet. Eine nachfolgende Einzelschicht der ersten Kontaktschicht 31 ist beispielsweise aus Ag gebildet.
  • Auf der zweiten Kontaktschicht 32 ist außerdem noch eine Maske 6 mit einer Öffnung 60 aufgebracht. Mit Hilfe der Maske 6 und der Öffnung 60 ist die Aussparung 2, beispielsweise über einen Ätzprozess, erzeugt worden. Auch für das Aufbringen der ersten Kontaktschicht 31 wurde die Maske 6 verwendet. Dabei wurde die erste Kontaktschicht 31 zum Beispiel über Verdampfen abgeschieden, wodurch nur die lateral verlaufende Bodenfläche 20 und die der Oberseite 14 abgewandte Seite der Maske 6 von der ersten Kontaktschicht 31 bedeckt wurden. Die Seitenwände 21 wurden durch den gerichteten Abscheideprozess nicht von der ersten Kontaktschicht 31 bedeckt.
  • In der 1B ist eine weitere Position in dem Verfahren gezeigt, bei dem auf die Oberseite 14 und in dem Bereich der Aussparung 2 eine erste Zwischenschicht 51, zum Beispiel aus SiO2, aufgebracht ist. Das Aufbringen der ersten Zwischenschicht 51 ist beispielsweise mittels eines Sputter-Prozesses erfolgt, nachdem die Maske 6 abgelöst wurde.
  • Anschließend wurde die erste Zwischenschicht 51 beispielsweise poliert. Nach dem Polierschritt beträgt die Rauheit der ersten Zwischenschicht 51 beispielsweise höchstens 1 nm, wohingegen ohne den Polierschritt die Rauheit beispielsweise zumindest 5 nm beträgt.
  • Die erste Zwischenschicht 51 ist in 1B als eine einfach zusammenhängende Schicht aufgebracht, die die Oberseite 14 und die Aussparung 2 formschlüssig nachformt und im Rahmen der Herstellungstoleranz eine konstante Dicke aufweist. Insbesondere ist die erste Zwischenschicht 51 in direktem Kontakt mit der Oberseite 14, der Seitenwand 21 und der ersten Kontaktschicht 31.
  • In 1C ist eine weitere Position in dem Verfahren gezeigt, bei dem auf die Oberseite 14 eine Spiegelschicht 4 mit einer im Rahmen der Herstellungstoleranz konstanten Dicke aufgebracht ist. Die Spiegelschicht 4 ist beispielsweise aus einem hochreflektierenden Material, wie Ag oder Al, gebildet. Die Spiegelschicht 4 bedeckt sowohl die Seitenwände 21 als auch die Oberseite 14 der Halbleiterschichtenfolge 1. Im Bereich außerhalb der Aussparung 2 erstreckt sich die Spiegelschicht 4 in lateraler Richtung parallel zur Oberseite 14. Im Bereich der Aussparung 2 weist die Spiegelschicht 4 einen Knick auf und ändert ihre laterale Haupterstreckung in eine Haupterstreckung quer zur aktiven Schicht 13. Die Spiegelschicht 4 ist im Bereich der Aussparung 2 also in Richtung Bodenfläche 20 geführt und überdeckt in Draufsicht auf die Seitenwände 21 gesehen die Seitenwände 21 beispielsweise zu zumindest 25 %. Insbesondere überdeckt die Spiegelschicht 4 die Seitenwände 21 im Bereich oder auf Höhe der aktiven Schicht 13.
  • Die Spiegelschicht 4 ist in direktem Kontakt mit der ersten Zwischenschicht 51. Ein elektrischer Kontakt der Spiegelschicht 4 zu der zweiten Kontaktschicht 32 und damit zur zweiten Halbleiterschicht 12 ist über Durchkontakte 43 in der ersten Zwischenschicht 51 erzeugt. Die Durchkontakte 43 sind dabei Löcher in der ersten Zwischenschicht 51, die mit dem Material der Spiegelschicht 4 aufgefüllt sind.
  • Im Bereich der Bodenfläche 20 ist die Spiegelschicht 4 teilweise entfernt, sodass in Draufsicht auf die Oberseite 14 gesehen ein Teil der Bodenfläche 20 oder der ersten Kontaktschicht 31 nicht von der Spiegelschicht 4 überdeckt ist.
  • In 1D ist eine weitere Position in dem Verfahren gezeigt, bei dem ein Füllmaterial 52 auf die Spiegelschicht 4 und in den Bereich der Aussparung 2 eingebracht ist. Das Füllmaterial 52 besteht beispielsweise aus SiO2. Außerdem ist in das Füllmaterial 52 ein Loch eingebracht, in dem ein Kontaktstift 33, zum Beispiel aus Al, Cu oder Au, geformt ist. Der Kontaktstift 33 steht in direktem Kontakt mit der ersten Kontaktschicht 31 und erstreckt sich von der ersten Kontaktschicht 31 aus in Richtung Oberseite 14 und überragt sowohl die Oberseite 14 als auch die erste Zwischenschicht 51, die Spiegelschicht 4 und das Füllmaterial 52. Durch das Füllmaterial 52 im Bereich der Aussparung 2 und auf der Oberseite 14 ist der Kontaktstift 33 elektrisch von der Spiegelschicht 4 und der zweiten Halbleiterschicht 12 isoliert.
  • In 1E ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100 in seitlicher Querschnittsansicht gezeigt, wie es beispielsweise mit dem vorher beschriebenen Verfahren hergestellt ist. Bei dem Bauelement 100 handelt es sich beispielsweise um einen so genannten Flip-Chip, also um einen Halbleiterchip, bei dem die Strahlungsaustrittsfläche durch das Substrat 15 gebildet ist und elektrische Kontaktelemente 310, 320 für die Zuführung von Elektronen und Löchern auf einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegenden Seite angeordnet sind. Im Unterschied zu dem im Herstellungsprozess befindlichen Bauelement der 1D ist an dem fertigen Bauelement 100 der 1E ein erstes Kontaktelement 310 aufgebracht, das in elektrischem Kontakt mit dem Kontaktstift 33 und damit in elektrischem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 11 steht. Ein zweites Kontaktelement 320 ist in elektrischen Kontakt mit der Spiegelschicht 4 gebracht. Die Kontaktelemente 310, 320 liegen an der dem Aufwachssubstrat 15 gegenüberliegenden Seite frei und bestehen beispielsweise aus Metall.
  • Außerdem ist in 1D zu erkennen, dass das Halbleiterbauelement 100 eine einzige, zusammenhängende aktive Schicht 13 aufweist, die sich nahezu über die gesamte laterale Ausdehnung des Bauelements 100 erstreckt.
  • In 1F ist eine Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement 100 der 1E gezeigt. Gezeigt ist dabei die Draufsicht auf eine Schnittebene AA` der 1E, die parallel zur Oberseite 14 durch die Spiegelschicht 4 gezogen ist. Zu erkennen ist in 1F, dass die durch die Aussparung 2 gebildete Öffnung in der Oberseite 14, angedeutet durch die gestrichelte Linie, eine kreisförmige Grundform aufweist. Die Spiegelschicht 4 ist zusammenhängend ausgebildet und umfasst ebenfalls ein kreisförmiges Loch, das vollständig innerhalb der Öffnung angeordnet ist.
  • Insbesondere überdeckt also in der in 1F dargestellten Draufsicht die Spiegelschicht 4 die Aussparung 2 teilweise, vorliegend beispielsweise zu mehr als 14 %.
  • In dem Loch in der Spiegelschicht 4 ist der Kontaktstift 33 angeordnet, der an der Bodenfläche 20 mit der ersten Spiegelschicht 31, angedeutet durch die gepunktete Linie, in direktem Kontakt steht. Auch die erste Kontaktschicht 31 ist von der Spiegelschicht 4, wie es aus den 1E und 1F hervorgeht, in Draufsicht auf die Oberseite 14 teilweise überdeckt.
  • In 2A ist eine Position in einem weiteren Ausführungsbeispiel eines Herstellungsverfahrens für optoelektronische Bauelemente 100 gezeigt. Die in 2A gezeigte Position schließt sich beispielsweise an die Position der 1A an. Anders als in 1B ist in 2A die Aussparung 2 vollständig mit einem Füllmaterial 52 aufgefüllt, das sowohl die Seitenwände 21 als auch die erste Kontaktschicht 31 bedeckt und mit diesen in direktem Kontakt steht. Im Bereich der Oberseite 14 bildet das Füllmaterial 52 eine Schicht. Die dem Substrat 15 abgewandte Seite des Füllmaterials 52 bildet eine ebene Fläche, die sich über die gesamte Oberseite 14 und auch über die gesamte Aussparung 2 erstreckt.
  • In der Position der 2B ist ein Verfahrensschritt gezeigt, bei dem auf das Füllmaterial 52 eine Spiegelschicht 4 aufgebracht ist, die über Durchkontakte 43 mit der zweiten Kontaktschicht 32 elektrisch leitend verbunden ist. Die Spiegelschicht 4 wird dabei zunächst einfach zusammenhängend auch über den gesamten Bereich der Aussparung 2 aufgebracht. Anschließend wird mit Hilfe einer Maske ein Teil der Spiegelschicht 4 im Bereich der Aussparung 2 wieder freigelegt, sodass die Spiegelschicht 4 die Aussparung 2 in Draufsicht auf die Oberseite 14 nur noch teilweise überdeckt. In dem Bereich, in dem die Spiegelschicht 4 entfernt ist, liegt das Füllmaterial 52 frei.
  • In 2C ist eine Position in dem Verfahren gezeigt, bei dem in dem von der Spiegelschicht 4 befreiten Bereich des Füllmaterials 52 ein Kontaktstift 33 ausgebildet ist, der das Füllmaterial 52 vollständig durchdringt und bis zur ersten Kontaktschicht 31 reicht. Der Kontaktstift 31 dient zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 11.
  • Auf die Position der 2C folgen beispielsweise dieselben Verfahrensschritte, die auch auf die Position der 1D folgen und zur Fertigstellung des Bauelements 100 dienen.
  • In den bisherigen Ausführungsbeispielen verjüngt sich die Aussparung 2 von der Oberseite 14 in Richtung Bodenfläche 20. Die laterale Ausdehnung der Aussparung 2 nimmt dabei kontinuierlich und stetig in Richtung Bodenfläche 20 ab. Jedoch kann sich in allen Ausführungsbeispielen die Aussparung 2 auch in Richtung Bodenfläche verbreitern. Dies ist im Ausführungsbeispiel der 3 gezeigt. Die Seitenwände 21 weisen einen Überhang auf und die Bodenfläche 20 hat eine größere laterale Ausdehnung als die durch die Aussparung 2 gebildete Öffnung in der Oberseite 14.
  • In 3 ist außerdem die Bodenfläche 20 nicht vollständig von der ersten Kontaktschicht 31 bedeckt, sondern ist in dem durch den Überhang gebildeten Schattenwurf auf die Bodenseite 20 frei von der ersten Kontaktschicht 31. Dies kann eine Folge des gerichteten Verfahrens für das Aufbringen der ersten Kontaktschicht 31 sein. Alternativ ist es aber auch möglich, zum Beispiel durch Verwendung eines weniger gerichteten Verfahrens, die gesamte Bodenfläche 20, also auch im Bereich des Schattenwurfs, mit der ersten Kontaktschicht 31 zu bedecken.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleiterschichtenfolge
    2
    Aussparung
    4
    Spiegelschicht
    6
    Maske
    11
    erste Halbleiterschicht
    12
    zweite Halbleiterschicht
    13
    aktive Schicht
    14
    Oberseite
    15
    Substrat
    20
    Bodenfläche der Aussparung 2
    21
    Seitenwand der Aussparung 2
    31
    erste Kontaktschicht
    32
    zweite Kontaktschicht
    33
    Kontaktstift
    43
    Durchkontakte
    51
    erste Zwischenschicht
    52
    Füllmaterial
    100
    optoelektronisches Bauelement
    310
    erstes Kontaktelement
    320
    zweites Kontaktelement

Claims (17)

  1. Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend: - eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Halbleiterschicht (11), einer im Betrieb elektromagnetische Strahlung emittierenden oder absorbierenden aktiven Schicht (13), einer zweiten Halbleiterschicht (12) und einer Oberseite (14), welche in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind, - eine auf die erste Halbleiterschicht (11) aufgebrachte erste Kontaktschicht (31), über die im Betrieb die erste Halbleiterschicht (11) elektrisch kontaktiert ist, - eine auf der Oberseite (14) angeordnete Spiegelschicht (4), über die im Betrieb die zweite Halbleiterschicht (12) elektrisch kontaktiert ist, - eine Aussparung (2) in der Halbleiterschichtenfolge (1), die sich von der Oberseite (14) aus durch die gesamte zweite Halbleiterschicht (12) und die aktive Schicht (13) erstreckt und in die erste Halbleiterschicht (11) mündet, wobei - die Aussparung (2) im Bereich der ersten Halbleiterschicht (11) eine Bodenfläche (20) aufweist, die in lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht (13), durch zumindest eine quer zur aktiven Schicht (13) verlaufende Seitenwand (21) begrenzt ist, - die Bodenfläche (20) und die Seitenwand (21) der Aussparung (2) durch die Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet sind, - die erste Kontaktschicht (31) direkt auf die Bodenfläche (20) aufgebracht ist, - in Draufsicht auf die Oberseite (14) gesehen die Spiegelschicht (4) einen Teil der Aussparung (2) überdeckt, - die erste Kontaktschicht (31) in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt zu einem Kontaktstift (33) steht, - der Kontaktstift (33) sich von der ersten Kontaktschicht (31) in Richtung Oberseite (14) der Halbleiterschichtenfolge (1) erstreckt und die Oberseite (14) überragt, und - der Kontaktstift (33) die geometrische Form eines Zylinders aufweist.
  2. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei - die Spiegelschicht (4) zusammenhängend ausgebildet ist, - die Spiegelschicht (4) im Bereich neben der Aussparung (2) eine Haupterstreckung in lateraler Richtung aufweist, - die Spiegelschicht (4) im Bereich der Aussparung (2) in Richtung Bodenfläche (20) gezogen ist und zumindest teilweise quer zur aktiven Schicht verläuft, sodass in Draufsicht auf die Seitenwand (21) zumindest ein Teil der Seitenwand (21) von der Spiegelschicht (4) überdeckt ist.
  3. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 2, wobei - die Spiegelschicht (4) im Bereich der Aussparung (2) zumindest soweit in Richtung Bodenfläche (20) gezogen ist, dass in Draufsicht auf die Seitenwand (21) die Seitenwand (21) auf Höhe der aktiven Schicht (13) von der Spiegelschicht (4) überdeckt ist, - in Draufsicht auf die Seitenwand (23) betrachtet zumindest 50 % der Seitenwand (21) von der Spiegelschicht (4) überdeckt ist.
  4. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Kontaktschicht (31) und die Spiegelschicht (4) in Draufsicht auf die Oberseite (14) gesehen teilweise miteinander überlappen.
  5. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die erste Kontaktschicht (11) zumindest eines der folgenden Materialien aufweist oder daraus besteht: Metall, transparent leitfähiges Oxid, - die Spiegelschicht (4) ein Metall aufweist oder daraus besteht, - die Spiegelschicht (4) eine Reflektivität für eine von der aktiven Schicht (13) im bestimmungsgemäßen Betrieb emittierte Strahlung von zumindest 80 % aufweist.
  6. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die Tiefe der Aussparung (2), gemessen von der Oberseite (14) bis zur Bodenfläche (20), zwischen einschließlich 200 nm und 1000 nm beträgt, - der Abstand zwischen der aktiven Schicht (13) und der Oberseite (14) zwischen einschließlich 50 nm und 180 nm beträgt, - die Dicke der ersten Kontaktschicht (31) höchstens 300 nm beträgt.
  7. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - zwischen der Spiegelschicht (4) und der Halbleiterschichtenfolge (1) eine erste Zwischenschicht (51) angeordnet ist, die zumindest in Bezug auf die zweite Halbleiterschicht (12) elektrisch isolierend wirkt, - die erste Zwischenschicht (51) die Seitenwand (21) in der Aussparung (2) bedeckt und formschlüssig nachformt, - zwischen der ersten Zwischenschicht (51) und der Oberseite (14) eine zweite Kontaktschicht (32) angeordnet ist, - die zweite Kontaktschicht (32) in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht (12) steht, - die zweite Kontaktschicht (32) und die Spiegelschicht (4) über Durchkontakte (43) in der ersten Zwischenschicht (51) elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  8. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die gesamte Bodenfläche (20) der Aussparung (2) von der ersten Kontaktschicht (31) bedeckt ist, - die erste Kontaktschicht (31) im Bereich der Seitenwand (21) direkt an die Halbleiterschichtenfolge (1) angrenzt, - zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und der ersten Kontaktschicht (31) im Bereich der Seitenwand (21) kein weiteres Material oder keine weitere Schicht angeordnet ist, - die Dicke der ersten Kontaktschicht (31) so gewählt ist, dass die erste Kontaktschicht (31) die aktive Schicht (13) in Richtung weg von der Bodenfläche (20) nicht überragt.
  9. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - der Kontaktstift (33) in einem die Aussparung (2) auffüllenden elektrisch isolierendem Füllmaterial (52) eingebettet ist und durch das Füllmaterial (52) zumindest von der zweiten Halbleiterschicht (12) und der Spiegelschicht (4) elektrisch isoliert ist.
  10. Optoelektronisches Bauelement (100) nach mindestens den Ansprüchen 2 und 9, wobei - das Füllmaterial (52) innerhalb der Aussparung (2) direkt auf die Spiegelschicht (4) aufgebracht ist, - das Füllmaterial (52) an der Oberseite (14) direkt auf die Spiegelschicht (4) aufgebracht ist und eine Schicht auf der Spiegelschicht (4) bildet.
  11. Optoelektronisches Bauelement (100) nach mindestens Anspruch 9, wobei - das Füllmaterial (52) im Bereich der Aussparung (2) in direktem Kontakt zur Halbleiterschichtenfolge (1) steht, - die Spiegelschicht (4) im Bereich der Aussparung (2) auf das Füllmaterial (52) aufgebracht ist, - die Spiegelschicht (4) überall im Bereich der Aussparung (2) im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsrichtung der Oberseite (14) verläuft.
  12. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die Aussparung (2) in Richtung Bodenfläche (20) verjüngt.
  13. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei sich die Aussparung (2) in Richtung Bodenfläche (20) verbreitert.
  14. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100), aufweisend die Schritte: A) Bereitstellen einer auf einem Substrat (15) aufgebrachten Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer dem Substrat (15) abgewandten Oberseite (14), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) eine dem Substrat (15) zugewandte erste Halbleiterschicht (11), eine dem Substrat (15) abgewandte zweite Halbleiterschicht (12) und eine zwischen der ersten (11) und zweiten Halbleiterschicht (12) angeordnete aktive Schicht (13) umfasst; B) Aufbringen einer Maske (6) mit zumindest einer Öffnung (60) auf die Oberseite (14) der Halbleiterschichtenfolge (1); C) teilweises Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (1) im Bereich der Öffnung (60), sodass eine Aussparung (2) in der Halbleiterschichtenfolge (1) entsteht, wobei sich die Aussparung (2) von der Oberseite (14) aus durch die gesamte zweite Halbleiterschicht (12) und die aktive Schicht (13) erstreckt und in die erste Halbleiterschicht (11) mündet, wobei die Aussparung (2) im Bereich der ersten Halbleiterschicht (11) eine Bodenfläche (20) aufweist, die in lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht (13), durch zumindest eine quer zur aktiven Schicht (13) verlaufende Seitenwand (21) begrenzt ist; D) Abscheiden einer ersten Kontaktschicht (31) direkt auf die erste Halbleiterschicht (11) im Bereich der Bodenfläche (20), wobei für das Abscheiden ein gerichtetes Verfahren und dieselbe Maske (6) wie im Schritt C) verwendet wird; E) Abscheiden einer Spiegelschicht (4) auf die Oberseite (14) und im Bereich der Aussparung (2), wobei die Spiegelschicht (4) elektrisch leitfähig mit der zweiten Halbleiterschicht (12) verbunden wird; F) Entfernen der Spiegelschicht (4) im Bereich über der ersten Kontaktschicht (31), wobei die Spiegelschicht (4) am fertigen Bauelement (100) die Aussparung (2) in Draufsicht auf die Oberseite (14) gesehen teilweise überdeckt.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei - nach dem Schritt D) und vor dem Schritt E) eine erste Zwischenschicht (51) auf die Oberseite (14), die Seitenwand (21) und die erste Kontaktschicht (31) aufgebracht wird, die die Ausnehmung (2) formschlüssig nachformt, - im Schritt E) die Spiegelschicht (4) formschlüssig auf die erste Zwischenschicht (51) aufgebracht wird, sodass im Bereich der Aussparung (2) die erste Spiegelschicht (4) zumindest teilweise quer zur aktiven Schicht (13) verläuft und in Draufsicht auf die Seitenwand (21) gesehen zumindest ein Teil der Seitenwand (21) von der Spiegelschicht (4) überdeckt ist.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei - nach dem Schritt F) die Ausnehmung (2) vollständig mit einem Füllmaterial (52) aufgefüllt wird, - anschließend ein Loch in dem Füllmaterial (52) und in der ersten Zwischenschicht (51) gebildet wird, sodass die erste Kontaktschicht (31) freigelegt wird, - anschließend in dem Loch ein Kontaktstift (33) gebildet wird, der ausgehend von der ersten Kontaktschicht (31) in Richtung Oberseite (14) geführt ist und die Oberseite (14) überragt.
  17. Verfahren nach Anspruch 14, wobei - vor dem Schritt E) ein Füllmaterial (52) in die Aussparung (2) gefüllt wird, das die Aussparung (2) vollständig auffüllt, - nach dem Schritt F) ein Loch in dem Füllmaterial (52) gebildet wird, sodass die erste Kontaktschicht (31) freigelegt wird, - anschließend in dem Loch ein Kontaktstift (33) gebildet wird, der ausgehend von der ersten Kontaktschicht (31) in Richtung Oberseite (14) geführt ist und die Oberseite (14) überragt.
DE112017000332.6T 2016-01-11 2017-01-09 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Active DE112017000332B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016100317.4A DE102016100317A1 (de) 2016-01-11 2016-01-11 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102016100317.4 2016-01-11
PCT/EP2017/050330 WO2017121701A1 (de) 2016-01-11 2017-01-09 Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112017000332A5 DE112017000332A5 (de) 2018-09-20
DE112017000332B4 true DE112017000332B4 (de) 2024-03-28

Family

ID=57868215

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016100317.4A Withdrawn DE102016100317A1 (de) 2016-01-11 2016-01-11 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112017000332.6T Active DE112017000332B4 (de) 2016-01-11 2017-01-09 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016100317.4A Withdrawn DE102016100317A1 (de) 2016-01-11 2016-01-11 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10381521B2 (de)
DE (2) DE102016100317A1 (de)
TW (1) TWI636586B (de)
WO (1) WO2017121701A1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016101612A1 (de) * 2016-01-29 2017-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
FR3068514B1 (fr) * 2017-06-30 2019-08-09 Aledia Dispositif optoelectronique
DE102017125105A1 (de) * 2017-10-26 2019-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102018107673A1 (de) 2018-03-15 2019-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Herstellungsverfahren für einen optoelektronischen Halbleiterchip
US11799058B2 (en) * 2018-03-15 2023-10-24 Osram Oled Gmbh Optoelectronic semiconductor chip
CN109638124A (zh) * 2018-12-11 2019-04-16 合肥彩虹蓝光科技有限公司 倒装式发光二极管芯片及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160005927A1 (en) 2014-07-07 2016-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026527B2 (en) 2007-12-06 2011-09-27 Bridgelux, Inc. LED structure
JP4989773B1 (ja) 2011-05-16 2012-08-01 株式会社東芝 半導体発光素子
TWI437737B (zh) * 2011-09-14 2014-05-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
FR3069106B1 (fr) * 2017-07-17 2019-10-18 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Diode electroluminescente comportant un empilement a partie amincie et procede d'elaboration de la diode electroluminescente

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160005927A1 (en) 2014-07-07 2016-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016100317A1 (de) 2017-07-13
TWI636586B (zh) 2018-09-21
DE112017000332A5 (de) 2018-09-20
TW201801348A (zh) 2018-01-01
WO2017121701A1 (de) 2017-07-20
US10381521B2 (en) 2019-08-13
US20190027654A1 (en) 2019-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112017000332B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102015119353B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102012109460B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
EP2612372B1 (de) Leuchtdiodenchip
WO2015121062A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils sowie optoelektronisches halbleiterbauteil
EP2340568B1 (de) Optoelektronischer halbleiterkörper
DE102010034665A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
DE102015100578A1 (de) Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE202014011201U1 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit metallisierten Seitenwänden
EP2057696B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur dessen herstellung
DE102015111492B4 (de) Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
DE112015002379B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips sowie optoelektronischer Halbleiterchip
DE102015114583A1 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2015166001A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102016124860A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
WO2020035498A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102017107198A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102012112771A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2021037568A1 (de) Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement
DE10261364B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer temperbarer Mehrschichtkontaktbeschichtung, insbesondere einer temperbaren Mehrschichtkontaktmetallisierung
WO2020165029A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2020115226A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
WO2021023473A1 (de) Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip
DE102020200621A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
WO2021018884A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033380000

Ipc: H01L0033460000

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division