DE102019105402A1 - Strahlungsemittierender halbleiterchip, strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und scheinwerfer - Google Patents

Strahlungsemittierender halbleiterchip, strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und scheinwerfer Download PDF

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Abstract

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, mit:- einer Strahlungsaustrittsfläche (2) umfassend voneinander getrennte Emitterbereiche (3),- einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (4) umfassend aktive Bereiche (5), wobei jeder aktive Bereich (5) dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung von jeweils einem Emitterbereich (3) auszusenden, und- einer Montagefläche (6), die der Strahlungsaustrittsfläche (2) gegenüberliegt, wobei die Montagefläche (6) eine Vielzahl von ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) und eine zweite lötfähige Kontaktfläche (8) umfasst,wobei- jeder aktive Bereich (5) mit jeweils einer ersten lötfähigen Kontaktfläche (7) und der zweiten lötfähigen Kontaktfläche (8) bestrombar ist,- die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) in einem Innenbereich der Montagefläche (9) angeordnet sind, und- die zweite lötfähige Kontaktfläche (8) in einem Randbereich der Montagefläche (10) angeordnet ist.Weiterhin werden ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (20) und ein Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip (1) angegeben.

Description

  • Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben. Darüber hinaus werden ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und ein Scheinwerfer angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip anzugeben, der besonders kompakt ist. Außerdem sollen ein kompaktes strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und ein Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterbauelement angegeben werden.
  • Diese Aufgaben werden durch einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, durch ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 18 und durch einen Scheinwerfer mit dem Merkmal des Patentanspruchs 19 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen des strahlungsemittierenden Halbleiterchips, des Halbleiterbauelements und des Scheinwerfers sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine Strahlungsaustrittsfläche umfassend voneinander getrennte Emitterbereiche. Die Strahlungsaustrittsfläche weist bevorzugt eine Haupterstreckungsebene auf. Eine laterale Richtung ist bevorzugt parallel zur Strahlungsaustrittsfläche ausgerichtet und eine vertikale Richtung ist bevorzugt senkrecht zu der lateralen Richtung ausgerichtet. Die Emitterbereiche sind bevorzugt Teil der Strahlungsaustrittsfläche und erstrecken sich in lateraler Richtung. Weiterhin sind die Emitterbereiche bevorzugt in einer gemeinsamen Ebene angeordnet.
  • Gemäß einer Ausführungsform sind die Emitterbereiche gleichartig ausgebildet. Beispielsweise weisen die Emitterbereiche einen gleichen Flächeninhalt und/oder eine gleiche Form auf.
  • Die Emitterbereiche sind bevorzugt in lateraler Richtung beabstandet voneinander angeordnet. Die Emitterbereiche sind bevorzugt matrixartig, das heißt entlang von Spalten und Zeilen angeordnet. Bevorzugt sind die Emitterbereiche an Gitterpunkten eines zweiten regelmäßigen Gitters angeordnet. Das zweite regelmäßige Gitter kann bevorzugt ein polygonales Gitter, wie beispielsweise ein hexagonales Gitter oder ein orthogonales Gitter, sein.
  • Die Emitterbereiche weisen jeweils bevorzugt eine dreieckige, eine viereckige, eine sechseckige, eine runde Form, eine ovale Form oder eine elliptische Form auf. Eine maximale Ausdehnung in lateraler Richtung jedes Emitterbereichs ist bevorzugt jeweils mindestens 15 Mikrometer und höchstens 50 Mikrometer, besonders bevorzugt zwischen 25 Mikrometer und höchstens 35 Mikrometer.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge, umfassend aktive Bereiche, wobei jeder aktive Bereich dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung von jeweils einem Emitterbereich auszusenden.
  • Die Halbleiterschichtenfolge basiert beispielsweise auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem III-V-Verbindungshalbleitermaterial handelt es sich beispielsweise um ein Phosphid-, Arsenid- und/oder Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, also zum Beispiel um InxAlyGa1-x-yP, InxAlyGa1-x-yAs und/oder InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1.
  • Die Halbleiterschichtenfolge kann Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, Ga, In, N, As oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
  • Die Halbleiterschichtenfolge umfasst bevorzugt eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten, anderen Leitfähigkeitstyps. Bevorzugt ist die erste Halbleiterschicht p-dotiert und damit p-leitend ausgebildet. Bevorzugt ist die zweite Halbleiterschicht n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet. Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht sind bevorzugt in vertikaler Richtung übereinander gestapelt.
  • Bevorzugt sind die aktiven Bereiche zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die aktiven Bereiche weisen bevorzugt jeweils einen pn-Übergang zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung auf, wie beispielsweise eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur oder eine Mehrfachquantentopfstruktur.
  • Die im Betrieb der aktiven Bereiche erzeugte elektromagnetische Strahlung kann nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht und/oder nahinfrarote Strahlung sein. Das sichtbare Licht ist beispielsweise Licht blauer, grüner, gelber oder roter Farbe.
  • Auf den Emitterbereichen kann ein Konversionselement angeordnet sein, das dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren. Bevorzugt wandelt das Konversionselement elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips in elektromagnetische Sekundärstrahlung eines anderen Wellenlängenbereichs um. Besonders bevorzugt umfasst die Sekundärstrahlung größere Wellenlängen als die elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips. Erzeugen die aktiven Bereiche beispielsweise Licht blauer Farbe, können sich die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Strahlung und elektromagnetische Sekundärstrahlung bevorzugt zu weißem Mischlicht mischen.
  • Die aktiven Bereiche erstrecken sich bevorzugt in lateraler Richtung und sind bevorzugt in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. Weiterhin sind die aktiven Bereiche bevorzugt voneinander getrennt angeordnet. In diesem Fall sind die aktiven Bereiche bevorzugt in lateraler Richtung beabstandet voneinander angeordnet. Die aktiven Bereiche sind bevorzugt matrixartig, das heißt entlang von Spalten und Zeilen, angeordnet. Bevorzugt sind die aktiven Bereiche an Gitterpunkten eines dritten regelmäßigen Gitters angeordnet. Die Gitterpunkte des dritten Gitters, an denen die aktiven Bereiche angeordnet sind, sind bevorzugt in Draufsicht an den gleichen Stellen angeordnet, wie die Gitterpunkte des zweiten Gitters, an denen die Emitterbereiche angeordnet sind.
  • Die aktiven Bereiche weisen jeweils bevorzugt eine dreieckige, eine viereckige, eine sechseckige, eine runde Form, eine ovale Form oder eine elliptische Form auf. Eine maximale Ausdehnung in lateraler Richtung jedes aktiven Bereichs ist bevorzugt jeweils mindestens 15 Mikrometer und höchstens 50 Mikrometer, besonders bevorzugt zwischen 25 Mikrometer und höchstens 35 Mikrometer.
  • Über jedem aktiven Bereich ist in vertikaler Richtung bevorzugt ein Emitterbereich angeordnet. Bevorzugt überlappt jeder aktive Bereich mit einem zugeordneten Emitterbereich in Draufsicht vollständig. Der Begriff „zugeordnet“ gibt an, dass jeweils genau ein Emitterbereich in vertikaler Richtung über jeweils genau einem aktiven Bereich angeordnet ist. Damit ist beispielsweise jedem aktiven Bereich genau ein Emitterbereich zugeordnet.
  • Eine Ausdehnung in lateraler Richtung jedes aktiven Bereichs gibt bevorzugt eine Ausdehnung in lateraler Richtung eines zugeordneten Emitterbereichs vor. Es ist möglich, dass die Ausdehnung in lateraler Richtung jedes aktiven Bereichs kleiner als die Ausdehnung in lateraler Richtung eines zugeordneten Emitterbereichs ist. Beispielsweise weist ein Strahl der elektromagnetischen Strahlung eines aktiven Bereichs neben einer Ausbreitungskomponente in vertikaler Richtung auch eine Ausbreitungskomponente in lateraler Richtung auf. Damit kann der Strahl an dem zugeordneten Emitterbereich in einem Bereich austreten, der in Draufsicht nicht mit dem aktiven Bereich überlappt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine Montagefläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei die Montagefläche eine Vielzahl von ersten lötfähigen Kontaktflächen und eine zweite lötfähige Kontaktfläche umfasst. Die Montagefläche ist einer der Strahlungsaustrittsfläche abgewandten Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge zugewandt. Mit der Montagefläche ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip bevorzugt bestrombar.
  • Die ersten lötfähigen Kontaktflächen weisen bevorzugt ein Metall auf, insbesondere ein lötfähiges Metall, oder bestehen daraus. Weiterhin weist die zweite lötfähige Kontaktfläche ein weiteres Metall auf, insbesondere ein weiteres lötfähiges Metall, oder besteht daraus. Das Metall und/oder das weitere Metall ist/oder enthält beispielsweise Gold, Silber, Kupfer, Zinn, Blei, Bismut und/oder Antimon. Bevorzugt bestehen das Metall und das weitere Metall aus den gleichen Materialien.
  • Die ersten lötfähigen Kontaktflächen weisen jeweils eine der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Außenfläche auf. Weiterhin weist die zweite lötfähige Kontaktfläche eine der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Außenfläche auf. Die Außenflächen der ersten lötfähigen Kontaktflächen und/oder die Außenfläche der zweiten lötfähigen Kontaktfläche sind bevorzugt frei zugänglich.
  • Die der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Außenflächen der ersten lötfähigen Kontaktflächen sind bevorzugt in lateraler Richtung in einer gemeinsamen Ebene angeordnet. Weiterhin ist die der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Außenfläche der zweiten lötfähigen Kontaktfläche bevorzugt in einer gemeinsamen Ebene mit den Außenflächen der ersten lötfähigen Kontaktflächen angeordnet. Damit ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip bevorzugt oberflächenmontierbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jeder aktive Bereich mit jeweils einer ersten lötfähigen Kontaktfläche und der zweiten lötfähigen Kontaktfläche bestrombar. Im Bereich eines aktiven Bereiches ist die erste Halbleiterschicht bevorzugt mit einer ersten lötfähigen Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden. Weiterhin ist die zweite Halbleiterschicht bevorzugt mit der zweiten lötfähigen Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen in einem Innenbereich der Montagefläche angeordnet. Der Innenbereich der Montagefläche erstreckt sich in lateraler Richtung bevorzugt nicht bis zu einem Rand der Montagefläche. Das heißt, ein Randbereich der Montagefläche ist bevorzugt frei von den ersten lötfähigen Kontaktflächen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die zweite lötfähige Kontaktfläche in dem Randbereich der Montagefläche angeordnet. Der Randbereich der Montagefläche und der Innenbereich der Montagefläche sind getrennt voneinander angeordnet. Damit überlappen der Randbereich der Montagefläche und der Innenbereich der Montagefläche in Draufsicht bevorzugt nicht. Bevorzugt bilden der Randbereich und der Innenbereich die Montagefläche. Der Randbereich und der Innenbereich grenzen bevorzugt direkt aneinander an.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine Strahlungsaustrittsfläche umfassend voneinander getrennte Emitterbereiche, eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge umfassend aktive Bereiche, wobei jeder aktive Bereich dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung von jeweils einem Emitterbereich auszusenden. Außerdem umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip bei dieser Ausführungsform eine Montagefläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei die Montagefläche eine Vielzahl von ersten lötfähigen Kontaktflächen und eine zweite lötfähige Kontaktfläche umfasst. Schließlich ist bei dieser Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips jeder aktive Bereich mit jeweils einer ersten lötfähigen Kontaktfläche und der zweiten lötfähigen Kontaktfläche bestrombar, wobei die ersten lötfähigen Kontaktflächen in einem Innenbereich der Montagefläche angeordnet sind, und die zweite lötfähige Kontaktfläche in einem Randbereich der Montagefläche angeordnet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Innenbereich der Montagefläche frei von der zweiten lötfähigen Kontaktfläche. Bevorzugt überlappen sich die ersten lötfähigen Kontaktflächen und die zweite lötfähige Kontaktfläche in Draufsicht nicht. Weiterhin ist die zweite lötfähige Kontaktfläche in Draufsicht bevorzugt nicht zwischen benachbarten ersten lötfähigen Kontaktflächen angeordnet.
  • Eine Idee des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist unter anderem, dass die ersten lötfähigen Kontaktflächen in einem Innenbereich der Montagefläche angeordnet sind und die zweite lötfähige Kontaktfläche in einem Randbereich der Montagefläche angeordnet ist. Damit können Abstände von direkt benachbarten ersten lötfähigen Kontaktflächen zueinander in lateraler Richtung vorteilhafterweise vergleichsweise klein ausgebildet sein, insbesondere im Unterschied zu einem herkömmlichen Halbleiterchip, bei dem die ersten lötfähigen Kontaktflächen und die zweite lötfähige Kontaktfläche gemeinsam in einem Innenbereich angeordnet sind. Durch die kleinen Abstände zwischen direkt benachbarten ersten lötfähigen Kontaktflächen kann der Halbleiterchip im Unterschied zu dem herkömmlichen Halbleiterchip eine erhöhte Anzahl an aktiven Bereichen aufweisen. Mit Vorteil kann ein solcher strahlungsemittierender Halbleiterchip damit vergleichsweise kompakt ausgebildet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen durch nicht emittierende Bereiche voneinander getrennt. Die nicht emittierenden Bereiche senden im Vergleich zu den Emitterbereichen vergleichsweise wenig oder keine Strahlung aus. Die nicht emittierenden Bereiche senden bevorzugt 60 %, besonders bevorzugt 80 % weniger Strahlung aus als die Emitterbereiche.
  • Die ersten lötfähigen Kontaktflächen sind bevorzugt in lateraler Richtung beabstandet voneinander angeordnet. Bevorzugt sind die nicht emittierenden Bereiche in Draufsicht zwischen direkt benachbarten ersten lötfähigen Kontaktflächen angeordnet. Weiterhin sind die nicht emittierenden Bereiche in Draufsicht zwischen direkt benachbarten Emitterbereichen angeordnet. Die nicht emittierenden Bereiche sind weiterhin bevorzugt zwischen direkt benachbarten aktiven Bereichen angeordnet. Die nicht emittierenden Bereiche und die Emitterbereiche füllen bevorzugt den Innenbereich vollständig aus. Weiterhin ist es möglich, dass der Randbereich der Montagefläche und der Innenbereich der Montagefläche durch nicht emittierende Bereiche voneinander getrennt sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umrahmt die zweite lötfähige Kontaktfläche die ersten lötfähigen Kontaktflächen vollständig. Bevorzugt ist die zweite lötfähige Kontaktfläche zusammenhängend ausgebildet. Die zweite lötfähige Kontaktfläche kann vollständig in dem Randbereich der Montagefläche angeordnet sein. Die zweite lötfähige Kontaktfläche umschließt die ersten lötfähigen Kontaktflächen damit bevorzugt vollständig in lateraler Richtung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen matrixartig, das heißt entlang von Spalten und Zeilen angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen an Gitterpunkten eines ersten regelmäßigen Gitters angeordnet. Die Gitterpunkte des ersten regelmäßigen Gitters, an denen die ersten lötfähigen Kontaktflächen angeordnet sind, sind bevorzugt in Draufsicht an den gleichen Stellen angeordnet, wie die Gitterpunkte des zweiten Gitters und/oder des dritten Gitters, an denen die Emitterbereiche und/oder aktiven Bereiche angeordnet sind. Alternativ ist es möglich, dass die Gitterpunkte des ersten regelmäßigen Gitters im Vergleich zu den Gitterpunkten des zweiten Gitters und/oder des dritten Gitters in eine Richtung in lateraler Richtung verschoben sind.
  • Die ersten lötfähigen Kontaktflächen weisen jeweils bevorzugt eine dreieckige, eine viereckige, eine sechseckige, eine runde Form, eine ovale Form oder eine elliptische Form auf.
  • In Draufsicht überlappt jeder Emitterbereich und jeder aktive Bereich bevorzugt vollständig mit einer zugeordneten ersten lötfähigen Kontaktfläche. Weiterhin weist jede erste lötfähige Kontaktfläche bevorzugt eine Ausdehnung in lateraler Richtung auf, die größer als eine Ausdehnung in lateraler Richtung eines zugeordneten Emitterbereiches ist. Weiterhin weist jede erste lötfähige Kontaktfläche bevorzugt eine Ausdehnung in lateraler Richtung auf, die größer als eine Ausdehnung in lateraler Richtung eines zugeordneten aktiven Bereiches ist. Der Begriff „zugeordnet“ gibt an, dass jeweils genau ein Emitterbereich und jeweils genau ein aktiver Bereich in vertikaler Richtung über genau einer ersten lötfähigen Kontaktfläche angeordnet sind. Damit sind beispielsweise jedem der ersten lötfähigen Kontaktflächen genau ein Emitterbereich und genau ein aktiver Bereich zugeordnet.
  • Eine maximale Ausdehnung in lateraler Richtung jeder ersten lötfähigen Kontaktfläche ist bevorzugt jeweils mindestens 15 Mikrometer und höchstens 50 Mikrometer, besonders bevorzugt zwischen 25 Mikrometer und höchstens 35 Mikrometer.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen direkt benachbarte erste lötfähige Kontaktflächen einen Abstand von mindestens 1 Mikrometer bis höchstens 20 Mikrometer auf. Bevorzugt weisen direkt benachbarte erste lötfähige Kontaktflächen einen Abstand von mindestens 5 Mikrometer bis höchstens 15 Mikrometer auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform bilden die ersten lötfähigen Kontaktflächen mindestens 60 % des Innenbereichs der Montagefläche. Bevorzugt bilden die ersten lötfähigen Kontaktflächen mindestens 70 %, besonders bevorzugt mindestens 80 %, des Innenbereichs der Montagefläche. Das heißt, bevorzugt ist die Montagefläche zu großen Teilen mit den ersten lötfähigen Kontaktflächen gebildet. Vorteilhafterweise kann ein solcher Halbleiterchip in der Halbleiterschichtenfolge auftretende Wärme besonders gut über die ersten lötfähigen Kontaktflächen abführen. Je größer der Anteil der ersten lötfähigen Kontaktflächen an der Montagefläche ist, desto besser ist die Wärme abführbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jeder aktive Bereich mit jeweils einer ersten elektrisch leitenden Schicht elektrisch leitend verbunden. In diesem Fall ist jeder aktive Bereich bevorzugt mit jeweils einer ersten elektrisch leitenden Schicht mit jeweils einer ersten lötfähigen Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden. In jedem Bereich der aktiven Bereiche ist die erste Halbleiterschicht bevorzugt mit jeweils einer ersten elektrisch leitenden Schicht elektrisch leitend kontaktiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jeder aktive Bereich mit einer zweiten elektrisch leitenden Schicht elektrisch leitend verbunden. Bevorzugt ist jeder aktive Bereich mit der zweiten elektrisch leitenden Schicht mit der zweiten lötfähigen Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden. Weiterhin ist die zweite Halbleiterschicht bevorzugt mit der zweiten elektrisch leitenden Schicht elektrisch leitend kontaktiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine elektrisch leitende Verbindungsschicht auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht angeordnet. Die elektrisch leitende Verbindungsschicht ist bevorzugt auf einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Außenfläche der zweiten elektrisch leitenden Schicht angeordnet. Bevorzugt steht die elektrisch leitende Verbindungsschicht in elektrisch leitendem Kontakt zu der zweiten elektrisch leitenden Schicht. Die elektrisch leitende Verbindungsschicht bedeckt die der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Außenfläche der zweiten elektrisch leitenden Schicht bevorzugt vollständig. Es ist möglich, dass die elektrisch leitende Verbindungsschicht die zweite elektrisch leitende Schicht in lateraler Richtung überragt.
  • Die elektrisch leitende Verbindungsschicht steht bevorzugt in elektrisch leitendem Kontakt mit der zweiten Kontaktfläche im Randbereich der Montagefläche. Damit ist bevorzugt jeder aktive Bereich mit der zweiten elektrisch leitenden Schicht und der elektrisch leitenden Verbindungsschicht mit der zweiten lötfähigen Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die elektrisch leitende Verbindungsschicht eine elektrisch leitende Spiegelschicht. Die elektrisch leitende Spiegelschicht weist bevorzugt für in den aktiven Bereichen erzeugte elektromagnetische Strahlung eine Reflektivität von wenigstens 90 % auf, insbesondere 95 % oder 99 %. Die elektrisch leitende Spiegelschicht umfasst beispielsweise zumindest eines der folgenden Metalle oder besteht daraus: Silber, Aluminium, Rhodium, Nickel, Kupfer, Gold.
  • Handelt es sich bei der elektrisch leitenden Spiegelschicht um Gold, so weist die elektrisch leitende Spiegelschicht bevorzugt eine Dicke in vertikaler Richtung von mindestens 5 Nanometer und höchstens 20 Nanometer auf. Besonders bevorzugt ist die Dicke der elektrisch leitenden Spiegelschicht zwischen mindestens 7 Nanometer und höchstens 10 Nanometer.
  • Vorteilhafterweise kann eine Lichtauskopplung aus dem Halbleiterchip mit einer solchen elektrisch leitenden Spiegelschicht erhöht sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Ausnehmung von einer der Montagefläche zugewandten Seite in der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Die nicht emittierenden Bereiche sind bevorzugt durch die Ausnehmung in der Halbleiterschichtenfolge vorgegeben. Die Ausnehmung ist weiterhin bevorzugt zusammenhängend ausgebildet. Die Ausnehmung erstreckt sich bevorzugt entlang von Gitterlinien eines vierten regelmäßigen Gitters. Damit erstecken sich die nicht emittierenden Bereiche bevorzugt entlang der Gitterlinien des vierten Gitters. Das vierte regelmäßige Gitter kann bevorzugt ein polygonales Gitter, wie beispielsweise ein hexagonales Gitter oder ein orthogonales Gitter, sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchdringt die Ausnehmung die aktiven Bereiche vollständig. Bevorzugt durchdringt die Ausnehmung die erste Halbleiterschichtenfolge und die aktiven Bereiche vollständig. Bevorzugt erstreckt sich die Ausnehmung bis in die zweite Halbleiterschicht. Bevorzugt trennt die Ausnehmung damit die aktiven Bereiche und segmentiert diese in voneinander getrennte aktive Bereiche. Die Ausnehmung vermittelt damit bevorzugt die Beabstandung in lateraler Richtung der aktiven Bereiche. Damit gibt die Ausnehmung bevorzugt auch die laterale Ausdehnung in lateraler Richtung der nicht emittierenden Bereiche vor.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die zweite elektrisch leitende Schicht in der Ausnehmung angeordnet. Die zweite elektrisch leitende Schicht steht im Bereich der Ausnehmung mit der zweiten Halbleiterschicht bevorzugt in direktem Kontakt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine erste isolierende Schicht zwischen der zweiten elektrisch leitenden Schicht und einer Seitenfläche der Ausnehmung angeordnet. Bevorzugt ist die erste isolierende Schicht vollständig auf allen Seitenflächen der Ausnehmung angeordnet. Die erste isolierende Schicht ist in diesem Fall bevorzugt dazu ausgebildet, die zweite elektrisch leitende Schicht von der ersten Halbleiterschicht und den aktiven Bereichen elektrisch zu isolieren.
  • Die erste isolierende Schicht ist bevorzugt elektrisch isolierend ausgebildet und umfasst beispielsweise ein oder mehrere dielektrische Materialien oder besteht daraus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste isolierende Schicht zwischen der elektrisch leitenden Verbindungsschicht und einer der Montagefläche zugewandten Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Bevorzugt ist die erste isolierende Schicht zwischen der elektrisch leitenden Verbindungsschicht und einer der Montagefläche zugewandten Außenfläche der ersten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste isolierende Schicht ist in diesem Fall bevorzugt dazu ausgebildet, die zweite elektrisch leitende Schicht von der der Montagefläche zugewandten Außenfläche der ersten Halbleiterschicht zu isolieren.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine zweite isolierende Schicht auf der elektrisch leitenden Verbindungsschicht auf einer der Montagefläche zugewandten Außenfläche angeordnet. Bevorzugt ist die zweite isolierende Schicht zwischen den ersten lötfähigen Kontaktflächen und der elektrisch leitenden Verbindungsschicht angeordnet. Besonders bevorzugt ist die zweite isolierende Schicht zwischen den ersten lötfähigen Kontaktflächen und der elektrisch leitenden Verbindungsschicht formschlüssig angeordnet. Die zweite isolierende Schicht ist in diesem Fall bevorzugt dazu ausgebildet, die elektrisch leitende Verbindungsschicht von den ersten lötfähigen Kontaktflächen elektrisch zu isolieren.
  • Die zweite isolierende Schicht ist bevorzugt elektrisch isolierend ausgebildet und umfasst beispielsweise ein oder mehrere dielektrische Materialien oder besteht daraus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen jeweils einzeln und getrennt voneinander ansteuerbar.
  • Es wird darüber hinaus ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben, das einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip umfasst. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbarten Merkmale und Ausführungsformen können daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement ausgebildet sein und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen weiteren Halbleiterchip. Der weitere Halbleiterchip weist bevorzugt ein elektronisches Steuerelement auf. Weiterhin kann der weitere Halbleiterchip eine Vielzahl von elektronischen Steuerelementen aufweisen. Beispielsweise kann jeweils ein elektronisches Steuerelement jeweils einem der aktiven Bereiche zugeordnet sein. Alternativ ist es möglich, dass einem elektronischen Steuerelement mehrere der aktiven Bereiche zugeordnet sind oder dass ein elektronisches Steuerelement allen aktiven Bereichen zugeordnet ist. Weiterhin ist es möglich, dass mittels einem einzigen elektronischen Steuerelement alle aktiven Bereiche getrennt voneinander ansteuerbar sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen und die zweiten lötfähigen Kontaktflächen auf dem weiteren Halbleiterchip angeordnet. Der weitere Halbleiterchip weist bevorzugt eine Vielzahl von Anschlussflächen auf. Die ersten lötfähigen Kontaktflächen und die zweite lötfähige Kontaktfläche können direkt auf die Anschlussflächen aufgebracht sein, bevorzugt mittels einem Lot. Die ersten elektrisch leitenden Kontaktflächen und die zweite elektrisch leitende Kontaktfläche stehen bevorzugt in elektrisch leitendem Kontakt mit den Anschlussflächen. Die ersten lötfähigen Kontaktflächen und die zweite elektrisch leitende Kontaktfläche sind bevorzugt mechanisch fest miteinander verbunden, bevorzugt mittels dem Lot.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der weitere Halbleiterchip eine integrierte Schaltung. Bei dem elektronischen Steuerelement oder den elektronischen Steuerelementen handelt es sich bevorzugt um eine integrierte Schaltung. Die integrierte Schaltung ist beispielsweise durch einen integrierten Schaltkreis (englisch „integrated circuit“, kurz „IC“) gebildet oder weist einen solchen auf. Die integrierte Schaltung umfasst beispielsweise eine Kontrolleinheit, eine Auswerteeinheit und/oder eine Ansteuereinheit. Die Kontrolleinheit und die Auswerteeinheit überprüfen beispielsweise jeweils den Zustand der zugeordneten aktiven Bereiche. Die Ansteuereinheit kann beispielsweise den Zustand eines zugeordneten aktiven Bereichs steuern und zum Beispiel an- oder ausschalten.
  • Es wird darüber hinaus ein Scheinwerfer angegeben, der einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip umfasst. Sämtliche in Verbindung mit dem Scheinwerfer offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Scheinwerfer einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip.
  • Mittels dem hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip kann ein solcher Scheinwerfer vorteilhafterweise kompakt realisiert werden.
  • Im Folgenden werden der hier beschriebene strahlungsemittierende Halbleiterchip, das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement und der Scheinwerfer anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Figurenliste
    • 1 schematische Draufsicht auf einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip gemäß einem Ausführungsbeispiel,
    • 2 schematische Darstellungen eines Ausschnitts der 1,
    • 3 schematische Schnittdarstellungen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel, und
    • 4 schematische Schnittdarstellungen eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 und 2 weist eine Montagefläche 6 auf. Die Montagefläche 6 liegt einer Strahlungsaustrittsfläche 2 gegenüber (hier nicht gezeigt). Über die Montagefläche 6 ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 bestrombar.
  • Die Montagefläche 6 umfasst eine Vielzahl von ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 und eine zweite lötfähige Kontaktfläche 8. Die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 sind matrixartig, das heißt entlang von Spalten und Zeilen, angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 an Gitterpunkten eines ersten regelmäßigen Gitters angeordnet. Das erste regelmäßige Gitter ist hier ein orthogonales Gitter, genauer ein Vierecksgitter. Die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 weisen jeweils eine viereckige, insbesondere rechteckige, Form auf.
  • Die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 sind in lateraler Richtung beabstandet voneinander angeordnet. Weiterhin sind die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 durch nicht emittierende Bereiche 11 voneinander getrennt. Die nicht emittierenden Bereiche 11 sind in Draufsicht zwischen direkt benachbarten ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 angeordnet. Die nicht emittierenden Bereiche 11 bilden ein viertes regelmäßiges Gitter, wobei sich die nicht emittierenden Bereiche entlang von Gitterlinien des vierten Gitters erstrecken. Das vierte regelmäßige Gitter ist hier ein Vierecksgitter.
  • Die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 sind vollständig in einem Innenbereich der Montagefläche 9 angeordnet. Weiterhin ist ein Randbereich der Montagefläche 10 frei von den ersten lötfähigen Kontaktflächen 7. In dem Randbereich der Montagefläche 10 ist die zweite lötfähige Kontaktfläche 8 angeordnet. Der Randbereich der Montagefläche 10 und der Innenbereich der Montagefläche 9 sind getrennt voneinander angeordnet und überlappen in Draufsicht nicht miteinander. Der Randbereich der Montagefläche 10 und der Innenbereich der Montagefläche 9 sind durch nicht emittierende Bereiche 11 voneinander getrennt.
  • Die zweite lötfähige Kontaktfläche 8 umrahmt die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 vollständig. In diesem Ausführungsbeispiel ist die zweite lötfähige Kontaktfläche 8 zusammenhängend ausgebildet. Die zweite lötfähige Kontaktfläche 8 umschließt die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 damit vollständig in lateraler Richtung.
  • Eine der Halbleiterschichtenfolge 4 abgewandte Außenfläche der zweiten lötfähigen Kontaktfläche 8a ist in einer gemeinsamen Ebene mit den der Halbleiterschichtenfolge 4 abgewandten Außenflächen 7a der ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 angeordnet. Damit ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 bevorzugt oberflächenmontierbar.
  • Wie der Ausschnitt des Innenbereichs der Montagefläche 9 gemäß 2 zeigt, weist eine erste lötfähige Kontaktfläche 7 eine laterale Ausdehnung B in lateraler Richtung auf. Die Ausdehnung B der ersten lötfähigen Kontaktflächen ist bevorzugt jeweils mindestens 15 Mikrometer und höchstens 50 Mikrometer groß, besonders bevorzugt zwischen 25 Mikrometer und höchstens 35 Mikrometer.
  • Zwei direkt benachbarte erste lötfähige Kontaktflächen 7 weisen einen Abstand B voneinander auf. Der Abstand B liegt hierbei bevorzugt zwischen mindestens 1 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer, besonders bevorzugt zwischen mindestens 5 Mikrometer und höchstens 15 Mikrometer.
  • Mit derartigen Abständen A und Ausdehnungen B in lateraler Richtung können die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 mindestens 60 % des Innenbereichs der Montagefläche 9 bilden. Bevorzugt bilden die ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 mindestens 70 %, besonders bevorzugt mindestens 80 %, des Innenbereichs der Montagefläche 9. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Montagefläche 9 zu großen Teilen mit den ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 gebildet.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 3 weist eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge 4, umfassend aktive Bereiche 5, auf. Jeder der aktiven Bereiche 5 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung von jeweils einem Emitterbereich 3 auszusenden.
  • Die Halbleiterschichtenfolge 4 umfasst eine erste Halbleiterschicht 18 eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschicht 19 eines zweiten, anderen Leitfähigkeitstyps. Die erste Halbleiterschicht 18 ist in diesem Ausführungsbeispiel p-dotiert und damit p-leitend ausgebildet und die zweite Halbleiterschicht 19 ist in diesem Ausführungsbeispiel n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet. Weiterhin sind die aktiven Bereiche 5 zwischen der ersten Halbleiterschicht 18 und der zweiten Halbleiterschicht 19 angeordnet.
  • Eine Ausnehmung 15 ist von einer der Montagefläche 9 zugewandten Seite in der Halbleiterschichtenfolge 4 angeordnet. Die Ausnehmung 15 durchdringt die erste Halbleiterschichtenfolge 18 und die aktiven Bereiche 5 vollständig. Weiterhin erstreckt sich die Ausnehmung 15 bis in die zweite Halbleiterschicht 19 hinein. Damit trennt die Ausnehmung 15 die aktiven Bereiche 5 und segmentiert diese in voneinander getrennte aktive Bereiche 5. Die Ausnehmung 15 vermittelt damit eine Beabstandung der aktiven Bereiche 5 in lateraler Richtung. Damit gibt die Ausnehmung die Ausdehnung in lateraler Richtung der Emitterbereiche 5 vor. Ein Emitterbereich 3 ist über einem zugeordneten aktiven Bereich 5 angeordnet. Der aktive Bereich 5 überlappt in Draufsicht mit dem zugeordneten Emitterbereich 3 vollständig.
  • Die nicht emittierenden Bereiche 11 sind durch die Ausnehmung 15 vorgegeben. Die Ausnehmung 15 ist zusammenhängend ausgebildet und erstreckt sich entlang von Gitterlinien eines vierten regelmäßigen Gitters.
  • Weiterhin ist eine zweite elektrisch leitende Schicht 13 in der Ausnehmung 15 angeordnet. Die zweite elektrisch leitende Schicht 13 steht im Bereich der Ausnehmung 15 mit der zweiten Halbleiterschicht 19 in direktem Kontakt. Eine erste isolierende Schicht 16 ist hierbei zwischen der zweiten elektrisch leitenden Schicht 13 und einer Seitenfläche der Ausnehmung 15a angeordnet. Die erste isolierende Schicht 15 ist dazu ausgebildet, die zweite elektrisch leitende Schicht 13 von der ersten Halbleiterschicht 18 und den aktiven Bereichen 5 elektrisch zu isolieren.
  • Eine elektrisch leitende Verbindungsschicht 14 ist auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht 13 angeordnet. Die elektrisch leitende Verbindungsschicht 14 ist hierbei direkt auf einer der Halbleiterschichtenfolge 4 abgewandten Außenfläche der zweiten elektrisch leitenden Schicht 13a angeordnet. Die elektrisch leitende Verbindungsschicht 14 überragt die zweite elektrisch leitende Schicht 13 in lateraler Richtung.
  • Es ist möglich, dass die elektrisch leitende Verbindungsschicht 14 eine elektrisch leitende Spiegelschicht ist, die bevorzugt für in den aktiven Bereichen 5 erzeugte elektromagnetische Strahlung reflektierend ausgebildet ist und bevorzugt Gold umfasst.
  • Die elektrisch leitende Verbindungsschicht 14 steht in elektrisch leitendem Kontakt mit der zweiten Kontaktfläche 8 im Randbereich der Montagefläche 10. Die zweite Halbleiterschicht 19 ist mit der zweiten Kontaktfläche 8 über die elektrisch leitende Verbindungsschicht 14 und die zweite elektrisch leitende Schicht 13 elektrisch leitend verbunden.
  • Weiterhin ist jeder aktive Bereich 5 mit jeweils einer ersten elektrisch leitenden Schicht 12 mit jeweils einer ersten lötfähigen Kontaktfläche 7 elektrisch leitend verbunden. Im Bereich des aktiven Bereiches 5 steht die erste Halbleiterschicht 18 mit der ersten elektrisch leitenden Schicht 12 in elektrisch leitendem Kontakt.
  • Die erste isolierende Schicht 16 ist weiterhin zwischen der elektrisch leitenden Verbindungsschicht 14 und einer der Montagefläche 6 zugewandten Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge 4a angeordnet.
  • Weiterhin ist eine zweite isolierende Schicht 17 auf der elektrisch leitenden Verbindungsschicht 14 auf einer der Montagefläche 6 zugewandten Außenfläche 14a angeordnet. Hierbei ist die zweite isolierende Schicht 17 zwischen den ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 und der elektrisch leitenden Verbindungsschicht 14 formschlüssig angeordnet.
  • Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement 20 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4 weist einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 gemäß 3 auf.
  • Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement umfasst weiterhin einen weiteren Halbleiterchip 21. Der weitere Halbleiterchip 21 weist hierbei ein elektronisches Steuerelement auf, bei dem es sich um eine integrierte Schaltung 22 handelt. Durch die integrierte Schaltung 22 kann unter anderem ein Zustand eines, einiger oder aller aktiver Bereiche 5 gesteuert werden.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 ist mit seinen ersten lötfähigen Kontaktflächen 7 und den zweiten lötfähigen Kontaktflächen 7 auf dem weiteren Halbleiterchip 20 angeordnet.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß der 3 oder das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement 20 gemäß der 4 kann in einen Scheinwerfer eingebaut sein.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    strahlungsemittierender Halbleiterchip
    2
    Strahlungsaustrittsfläche
    3
    Emitterbereich
    4
    Halbleiterschichtenfolge
    4a
    Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge
    5
    aktiver Bereich
    6
    Montagefläche
    7
    erste lötfähige Kontaktfläche
    7a
    Außenfläche der ersten lötfähigen Kontaktfläche
    8
    zweite lötfähige Kontaktfläche
    8a
    Außenfläche der zweiten lötfähigen Kontaktfläche
    9
    Innenbereich der Montagefläche
    10
    Randbereich der Montagefläche
    11
    nicht emittierende Bereiche
    12
    erste elektrisch leitende Schicht
    13
    zweite elektrisch leitende Schicht
    13a
    Außenfläche der zweiten elektrisch leitenden Schicht
    14
    elektrisch leitende Verbindungsschicht
    14a
    Außenfläche der elektrisch leitenden Verbindungsschicht
    15
    Ausnehmung
    15a
    Seitenfläche der Ausnehmung
    16
    erste isolierende Schicht
    17
    zweite isolierende Schicht
    18
    erste Halbleiterschicht
    19
    zweite Halbleiterschicht
    20
    strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
    21
    weiterer Halbleiterchip
    22
    integrierte Schaltung
    A
    Abstand
    B
    Ausdehnung

Claims (19)

  1. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit: - einer Strahlungsaustrittsfläche (2) umfassend voneinander getrennte Emitterbereiche (3), - einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (4) umfassend aktive Bereiche (5), wobei jeder aktive Bereich (5) dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung von jeweils einem Emitterbereich (3) auszusenden, und - einer Montagefläche (6), die der Strahlungsaustrittsfläche (2) gegenüberliegt, wobei die Montagefläche (6) eine Vielzahl von ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) und eine zweite lötfähige Kontaktfläche (8) umfasst, wobei - jeder aktive Bereich (5) mit jeweils einer ersten lötfähigen Kontaktfläche (7) und der zweiten lötfähigen Kontaktfläche (8) bestrombar ist, - die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) in einem Innenbereich der Montagefläche (9) angeordnet sind, und - die zweite lötfähige Kontaktfläche (8) in einem Randbereich der Montagefläche (10) angeordnet ist.
  2. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Innenbereich der Montagefläche (9) frei von der zweiten lötfähigen Kontaktfläche (8) ist.
  3. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) durch nicht emittierende Bereiche (11) voneinander getrennt sind.
  4. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite lötfähige Kontaktfläche (8) die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) vollständig umrahmt.
  5. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) entlang von Spalten und Zeilen angeordnet sind.
  6. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) an Gitterpunkten eines ersten regelmäßigen Gitters angeordnet sind.
  7. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem direkt benachbarte erste lötfähige Kontaktflächen (7) einen Abstand von mindestens 1 Mikrometer bis höchstens 20 Mikrometer aufweisen.
  8. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) eine maximale Ausdehnung in lateraler Richtung von mindestens 10 Mikrometer bis höchstens 50 Mikrometer aufweisen.
  9. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) mindestens 60 % des Innenbereichs der Montagefläche (9) bilden.
  10. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem - jeder aktive Bereich (5) mit jeweils einer ersten elektrisch leitenden Schicht (12) elektrisch leitend verbunden ist, und - jeder aktive Bereich (5) mit einer zweiten elektrisch leitenden Schicht (13) elektrisch leitend verbunden ist.
  11. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem eine elektrisch leitende Verbindungsschicht (14) auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht (13) angeordnet ist.
  12. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die elektrisch leitende Verbindungsschicht (14) eine elektrisch leitende Spiegelschicht ist.
  13. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche 10 bis 12, bei dem - eine Ausnehmung (15) von einer der Montagefläche (6) zugewandten Seite in der Halbleiterschichtenfolge (4) angeordnet ist, - die Ausnehmung (15) die aktiven Bereiche (5) vollständig durchdringt, und - die zweite elektrisch leitende Schicht (13) in der Ausnehmung (15) angeordnet ist.
  14. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem eine erste isolierende Schicht (16) zwischen der zweiten elektrisch leitenden Schicht (13) und einer Seitenfläche der Ausnehmung (15a) angeordnet ist.
  15. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die erste isolierende Schicht (16) zwischen der elektrisch leitenden Verbindungsschicht (14) und einer der Montagefläche zugewandten Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge (4a) angeordnet ist.
  16. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 bis 15, bei dem eine zweite isolierende Schicht (17) auf der elektrisch leitenden Verbindungsschicht (14) auf einer der Montagefläche (6) zugewandten Außenfläche (14a) angeordnet ist.
  17. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) jeweils einzeln und getrennt voneinander ansteuerbar sind.
  18. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (20) mit einem Halbleiterchip (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfassend einen weiteren Halbleiterchip (20), bei dem - die ersten lötfähigen Kontaktflächen (7) und die zweite lötfähige Kontaktfläche (8) auf dem weiteren Halbleiterchip (20) angeordnet sind, und - der weitere Halbleiterchip (21) eine integrierte Schaltung (22) umfasst.
  19. Scheinwerfer mit: einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 17.
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