DE102012112302A1 - Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung - Google Patents

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Norwin von Malm
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Abstract

Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einem Schichtstapel (2) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (200) und eine Schaltungsschicht (25) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge bildet eine Mehrzahl von Bildpunkten (3). In der Schaltungsschicht ist für jeden Bildpunkt ein Schalter (4), der mit dem jeweiligen Bildpunkt elektrisch leitend verbunden ist, ausgebildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung angegeben.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung betrifft eine Anzeigevorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung.
  • Zur Herstellung von Anzeigevorrichtungen können Leuchtdioden Anwendung finden, bei denen jeweils eine einzeln ansteuerbare LED einen Bildpunkt bildet. Bei der Verwendung einer so genannten Passiv-Matrix erfolgt die Kontaktierung der Bildpunkte über Zeilen- und Spaltenleitungen. Bei diesem Ansatz können jedoch nicht mehrere Leuchtdioden gleichzeitig betrieben werden, sodass die Leuchtkraft der gesamten Anzeigevorrichtung maximal so groß sein kann wie die Leuchtkraft eines einzelnen Bildpunkts.
  • Alternativ kann eine so genannte Aktiv-Matrix-Schaltung Anwendung finden, bei der auch mehrere Bildpunkte parallel, also gleichzeitig, betrieben werden können. Zur Herstellung solcher Anzeigevorrichtungen werden die Treiberelemente für die Ansteuerung und die strahlungsemittierenden LED-Strukturen auf separaten Trägern gefertigt und durch einen justierten Bondprozess miteinander verbunden. Ein solcher Bondprozess ist jedoch aufwendig und stellt mit zunehmender Miniaturisierung der Bildpunkte immer größere Anforderungen an die Justagegenauigkeit beim Bondprozess.
  • Eine Aufgabe ist es, eine Anzeigevorrichtung anzugeben, die sich durch eine hohe Leuchtkraft auszeichnet und gleichzeitig auf einfache Weise herstellbar ist.
  • Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem eine Anzeigevorrichtung einfach und zulässig hergestellt werden kann.
  • Diese Aufgabe wird unter anderem durch eine Anzeigevorrichtung beziehungsweise ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Anzeigevorrichtung einen Schichtstapel auf. Unter einem Schichtstapel wird eine Anordnung von aufeinander angeordneten, insbesondere aufeinander abgeschiedenen, Schichten verstanden. Die einzelnen Schichten können in lateraler Richtung strukturiert oder unstrukturiert sein.
  • Unter einer lateralen Richtung wird im Zweifel eine Richtung verstanden, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Schichtstapels verläuft.
  • Insbesondere kann die Strukturierung einer der Schichten des Schichtstapels zwischen der Abscheidung einer ersten Schicht und der Abscheidung einer zweiten Schicht des Schichtstapels erfolgen. Für die Abscheidung der einzelnen Schichten können auch verschiedene Abscheidungsprozesse Anwendung finden.
  • Zwei vorgefertigte Elemente, die nachfolgend aneinander befestigt werden, beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht, bilden dagegen keinen Schichtstapel im Sinne der vorliegenden Anmeldung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Anzeigevorrichtung, insbesondere der Schichtstapel, eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf. Der aktive Bereich kann zur Erzeugung von Strahlung im sichtbaren, ultravioletten oder infraroten Spektralbereich vorgesehen sein. Vorzugsweise enthält die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere der aktive Bereich, ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial. III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (Alx Iny Ga1-x-y N) über den sichtbaren (Alx Iny Ga1-x-y N, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder Alx Iny Ga1-x-y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Alx Iny Ga1-x-y As) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, insbesondere mit x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 und/oder y ≠ 0. Mit III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der Strahlungserzeugung hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden.
  • Die Halbleiterschichtenfolge bildet eine Mehrzahl von Bildpunkten der Anzeigevorrichtung. Die Bildpunkte sind in lateraler Richtung nebeneinander angeordnet, beispielsweise matrixförmig.
  • In einer vertikalen Richtung, also senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge, erstreckt sich die Halbleiterschichtenfolge insbesondere zwischen einer Strahlungsaustrittsfläche und einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüber liegenden Rückseite.
  • Beispielsweise weist die Halbleiterschichtenfolge eine erste Halbleiterschicht und eine zweite Halbleiterschicht auf, wobei der aktive Bereich zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht sind zweckmäßigerweise bezüglich ihres Leitungstyps voneinander verschieden. Beispielsweise kann die erste Halbleiterschicht p-leitend und die zweite Halbleiterschicht n-leitend ausgebildet sein oder umgekehrt.
  • Der aktive Bereich ist beispielsweise als ein pn-Übergang oder als eine Quantenstruktur ausgebildet. Die Bezeichnung Quantenstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss ("confinement") eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantenstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentöpfe, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Anzeigevorrichtung, insbesondere der Schichtstapel, eine Schaltungsschicht auf. In der Schaltungsschicht ist für jeden Bildpunkt ein Schalter ausgebildet. Der Schalter ist mit dem jeweiligen Bildpunkt elektrisch leitend verbunden. Beispielsweise sind die Schalter jeweils mit der ersten Halbleiterschicht oder mit der zweiten Halbleiterschicht der zugeordneten Bildpunkte elektrisch leitend verbunden. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht zwischen dem aktiven Bereich und der Schaltungsschicht angeordnet. Die Schaltungsschicht ist zweckmäßigerweise auf der der Strahlungsaustrittsfläche abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Zwischen der Schaltungsschicht und der Halbleiterschichtenfolge ist insbesondere zumindest bereichsweise eine Isolationsschicht angeordnet. Die Isolationsschicht kann insbesondere an die Halbleiterschichtenfolge und an die Schaltungsschicht angrenzen. Beispielsweise sind in der Isolationsschicht Aussparungen ausgebildet, durch die die Bildpunkte mit dem Schalter elektrisch leitend verbunden sind.
  • In mindestens einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Anzeigevorrichtung einen Schichtstapel auf, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich und eine Schaltungsschicht aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge bildet eine Mehrzahl von Bildpunkten und in der Schaltungsschicht ist für jeden Bildpunkt ein Schalter ausgebildet, der mit dem jeweiligen Bildpunkt elektrisch leitend verbunden ist.
  • Der zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Bereich und die Schaltungsschicht, in der die Schalter zur Steuerung der Bildpunkte ausgebildet sind, sind also in einen gemeinsamen Schichtstapel integriert. Bei der Herstellung der Anzeigevorrichtung kann auf einen Bondprozess, bei dem die vorgefertigten aktiven Bereiche und die insbesondere getrennt davon vorgefertigten Schalter miteinander verbunden werden, verzichtet werden. Die Miniaturisierung der Anzeigevorrichtung wird dadurch vereinfacht. Weiterhin ist die Zuverlässigkeit der Herstellung erhöht.
  • Insbesondere können die Bildpunkte eine Kantenlänge zwischen einschließlich 2 µm und einschließlich 300 µm, bevorzugt zwischen einschließlich 2 µm und einschließlich 50 µm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 2 µm und einschließlich 10 µm aufweisen. Je kleiner die Bildpunkte sind, desto größer kann die Auflösung der Anzeigevorrichtung bei gleicher lateraler Ausdehnung sein. Alternativ kann die gleiche Auflösung der Anzeigevorrichtung bei geringerer lateraler Ausdehnung erzielt werden. Dadurch können mehr Anzeigevorrichtung gleichzeitig, etwa aus einem Waferverbund, gefertigt werden.
  • Ferner können die jeweils zugeordneten Schalter jeweils hinter den Bildpunkten, also auf der der Strahlungsaustrittsfläche abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge, angeordnet sein. Insbesondere kann die gesamte Ansteuerschaltung hinter den Bildpunkten angeordnet sein. Im Vergleich zu einer Anordnung von Teilen der Ansteuerschaltung zwischen benachbarten Bildpunkten kann die Gefahr einer Abschattung durch die Ansteuerschaltung vermieden werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung ist die Anzeigevorrichtung frei von einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Schaltungsschicht. Bei einer stoffschlüssigen Verbindung werden die insbesondere vorgefertigten Verbindungspartner mittels atomarer oder molekularer Kräfte zusammengehalten. Das Ausbilden einer stoffschlüssigen Verbindung kann beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht, etwa einer Lotschicht oder einer Klebeschicht, erfolgen. Typischerweise geht die Trennung einer stoffschlüssigen Verbindung mit der Zerstörung der Verbindungsschicht und/oder zumindest eines der Verbindungspartner einher. Einzelne Schichten, die aufeinander abgeschieden sind, sind im Unterschied dazu nicht als Elemente anzusehen, die über eine stoffschlüssige Verbindung miteinander verbunden sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Schaltungsschicht ein polykristallines Halbleitermaterial auf. Beispielsweise kann die Schaltungsschicht polykristallines Silizium enthalten oder aus einem solchen Material bestehen. Die Schaltungsschicht kann weiterhin einen oder mehrere dotierte Bereiche aufweisen.
  • Im Vergleich zu amorphem Halbleitermaterial kann polykristallines oder monokristallines Halbleitermaterial eine stark erhöhte Ladungsträgermobilität aufweisen. Beispielsweise kann durch die Rekristallisierung von amorphem Silizium eine Ladungsträgerbeweglichkeit erreicht werden, die die Hälfte des Wertes für monokristallines Material oder mehr beträgt. Monokristallines Silizium weist typischerweise eine Ladungsträgerbeweglichkeit von 400 bis 500 cm2/Vs auf. Durch die Verwendung von polykristallinem Halbleitermaterial anstelle von amorphem Halbleitermaterial können also vereinfacht Schalter in der Schaltungsschicht ausgebildet werden, die in der Lage sind, auch die für die Strahlungserzeugung in den Bildpunkten der Anzeigevorrichtung erforderlichen Ströme zu schalten.
  • Alternativ dazu kann die Schaltungsschicht ein amorphes Halbleitermaterial mit einer hohen Ladungsträgerbeweglichkeit, das heißt mit einer Ladungsträgerbeweglichkeit von mindestens 100 cm2/Vs für zumindest einen Ladungsträgertyp, aufweisen. Beispielsweise kann Indium-Gallium-Zinkoxid (IGZO) mittels MOCVD oder Sputterns aufgebracht werden. Dieses Material zeichnet sich durch eine hohe Elektronenbeweglichkeit und weiterhin durch niedrige Leckströme aus.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weisen die Halbleiterschichtenfolge und die Schaltungsschicht in lateraler Richtung jeweils eine periodisch wiederkehrende Struktur mit einer Einheitszelle auf, wobei in der lateralen Richtung eine Ausdehnung der Einheitszelle der Schaltungsschicht kleiner oder gleich einer Ausdehnung der Einheitszelle der Halbleiterschichtenfolge ist. Ein Mittenabstand zwischen zwei benachbarten Bildpunkten ist also nicht durch die laterale Ausdehnung der Ansteuerschaltung für die jeweiligen Bildpunkte, sondern lediglich durch die laterale Ausdehnung der Bildpunkte selbst und gegebenenfalls deren Abstand voneinander bestimmt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung überdecken die Bildpunkte in Draufsicht auf die Anzeigevorrichtung die zugeordneten Schalter jeweils vollständig. Die Schalter ragen also in lateraler Richtung nicht über die Bildpunkte hinaus. Der Abstand zwischen benachbarten Bildpunkten kann so vereinfacht minimiert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist der Schichtstapel eine Spiegelschicht auf. Die Spiegelschicht ist insbesondere zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Schaltungsschicht angeordnet. Die Spiegelschicht ist insbesondere für die Reflexion der im Betrieb der Anzeigevorrichtung im aktiven Bereich erzeugten Strahlung vorgesehen. In Richtung der Schaltungsschicht abgestrahlte Strahlung kann an der Spiegelschicht reflektiert werden und nachfolgend durch die Strahlungsdurchtrittsfläche austreten. Vorzugsweise weist die Spiegelschicht für eine Peak-Wellenlänge der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung eine Reflektivität von mindestens 60 %, bevorzugt von mindestens 70 % auf. Insbesondere ist die Spiegelschicht als eine metallische Spiegelschicht ausgebildet. Die Spiegelschicht dient weiterhin bevorzugt zusätzlich der Injektion von Ladungsträgern in die Halbleiterschichtenfolge. Die Spiegelschicht kann einschichtig oder mehrschichtig ausgebildet sein. Die Spiegelschicht kann unmittelbar an die Halbleiterschichtenfolge angrenzen. Alternativ kann zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Spiegelschicht eine ein TCO-Material enthaltende Schicht angeordnet sein. TCO-(Transparent Conductive Oxide)-Materialien sind transparente leitfähige Oxide. Beispielsweise kann das TCO-Material Zinkoxid oder Indiumzinnoxid (ITO) enthalten oder aus einem solchen Material bestehen. Zur Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit kann das TCO-Material weiterhin dotiert sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung ist die Halbleiterschichtenfolge an einem Träger befestigt. Vorzugsweise ist zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger die Schaltungsschicht angeordnet. Der Träger ist also auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite der Schaltungsschicht angeordnet. Der Träger selbst kann frei von elektronischen Elementen für die Ansteuerschaltung sein. In dem Träger oder auf dem Träger können jedoch Verdrahtungselemente angeordnet oder ausgebildet sein, beispielsweise Leiterbahnen oder elektrisch leitfähig befüllte Durchbrüche. Beispielsweise ist der Träger als ein elektrisch isolierender Träger ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Anzeigevorrichtung, insbesondere der Schichtstapel eine erste Anschlussschicht auf, die mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist. Die erste Anschlussschicht ist insbesondere außerhalb der Halbleiterschichtenfolge angeordnet und dient der elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Anzeigevorrichtung, insbesondere der Schichtstapel eine zweite Anschlussschicht auf, die mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden ist. Die zweite Anschlussschicht ist insbesondere außerhalb der Halbleiterschichtenfolge angeordnet und dient der elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht.
  • Die erste Anschlussschicht und/oder die zweite Anschlussschicht können zumindest bereichsweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Schaltungsschicht angeordnet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung erstreckt sich der aktive Bereich durchgängig über zumindest zwei benachbarte Bildpunkte, insbesondere über alle Bildpunkte. Eine Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge zur Durchtrennung der aktiven Bereiche für die Ausbildung der Bildpunkte ist also nicht erforderlich.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung ist der aktive Bereich in einzelne Segmente unterteilt, die insbesondere jeweils einen Bildpunkt bilden. In diesem Fall ist der aktive Bereich also durchtrennt, beispielsweise durch Gräben, die jeweils zwischen benachbarten aktiven Bereichen ausgebildet sind. Mittels der Gräben kann eine räumlich begrenzte Bestromung der aktiven Bereiche in lateraler Richtung vereinfacht erzielt werden. Die Gräben können sich in vertikaler Richtung vollständig oder nur teilweise durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch erstrecken.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung sind die Segmente entlang eines Umfangs, insbesondere entlang des gesamten Umfangs, der Segmente elektrisch kontaktiert. Beispielsweise ist die zweite Halbleiterschicht der Segmente entlang des Umfangs elektrisch kontaktiert. Insbesondere ist eine Anschlussschicht für die elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht, etwa die zweite Anschlussschicht, über eine Seitenfläche des Segments geführt. Die zweite Anschlussschicht verläuft in lateraler Richtung insbesondere bereichsweise zwischen den aktiven Bereichen zweier benachbarter Segmente. Insbesondere bedeckt die Anschlussschicht den aktiven Bereich in lateraler Richtung zumindest teilweise.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist die Halbleiterschichtenfolge zumindest eine Ausnehmung auf, die sich von der Schaltungsschicht her durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Beispielsweise kann sich die zumindest eine Ausnehmung durch die erste Halbleiterschicht und den aktiven Bereich hindurch erstrecken und in der zweiten Halbleiterschicht enden.
  • Mittels der zumindest einen Ausnehmung können Ladungsträger beider Leitungstypen, also Elektronen und Löcher, von der Rückseite der Halbleiterschichtenfolge her von unterschiedlichen Seiten in den aktiven Bereich injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren.
  • Auf der Strahlungsaustrittsfläche angeordnete Kontaktschichten für die elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge sind also nicht erforderlich.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung weist jeder Bildpunkt zumindest eine Ausnehmung auf, die sich von der Schaltungsschicht her durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Beispielsweise weist jeder Bildpunkt genau eine Ausnehmung auf, die in Aufsicht auf die Anzeigevorrichtung mit dem Schwerpunkt des Bildpunkts überlappt. Insbesondere bei vergleichsweise großen Bildpunkten kann jeder Bildpunkt aber auch mehr als eine Ausnehmung aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung sind die Bildpunkte auf einer Seite des aktiven Bereichs mit einem gemeinsamen Kontakt, etwa einem Massekontakt, verbunden. Zweckmäßigerweise ist die andere Seite des aktiven Bereichs mit dem Schalter verbunden. Insbesondere sind die Bildpunkte auf einer Seite des aktiven Bereichs mit einer gemeinsamen Anschlussschicht verbunden. Mit anderen Worten sind alle ersten Halbleiterschichten der Bildpunkte oder alle zweiten Halbleiterschichten der Bildpunkte mit einem gemeinsamen Kontakt, insbesondere mit einer gemeinsamen Anschlussschicht, elektrisch leitend verbunden. Beispielsweise ist entweder die erste Anschlussschicht oder die zweite Anschlussschicht die gemeinsame Anschlussschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung erstreckt sich die gemeinsame Anschlussschicht vollflächig über die Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterschichtenfolge und grenzt insbesondere an die Strahlungsaustrittsfläche an. Beispielsweise ist die zweite Anschlussschicht die gemeinsame Anschlussschicht. In diesem Fall ist die zweite Anschlussschicht zweckmäßigerweise für die im aktiven Bereich erzeugte Strahlung durchlässig. Beispielsweise enthält die zweite Anschlussschicht ein TCO-Material.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung bedeckt die erste Halbleiterschicht eine Seitenfläche der zweiten Halbleiterschicht zumindest bereichsweise. Die insgesamt für die Strahlungserzeugung nutzbare Fläche ist also vergrößert.
  • Zur Herstellung solcher Bildpunkte kann die Halbleiterschichtenfolge bereits strukturiert epitaktisch aufgewachsen werden. Eine nachfolgende Durchtrennung der Halbleiterschichtenfolge, beispielsweise mittels eines Ätzverfahrens, ist für die Ausbildung von Segmenten in der Halbleiterschichtenfolge also nicht erforderlich.
  • Die strukturierte Abscheidung der ersten Halbleiterschicht auf der zweiten Halbleiterschicht kann derart erfolgen, dass die erste Halbleiterschicht auch die Seitenflächen der zweiten Halbleiterschicht zumindest bereichsweise bedeckt. Davon abweichend kann die erste Halbleiterschicht aber auch so auf der zweiten Halbleiterschicht abgeschieden werden, dass die erste Halbleiterschicht nur auf der zweiten Halbleiterschicht und nicht an den Seitenflächen der zweiten Halbleiterschicht aufgewachsen wird.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung ist die Anzeigevorrichtung als ein oberflächenmontierbares Bauteil (Surface Mounted Device, smd) ausgebildet. Beispielsweise weist der Träger auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite Kontakte für die externe elektrische Kontaktierung auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Anzeigevorrichtung ist den Bildpunkten in Abstrahlrichtung zumindest teilweise ein Strahlungskonversionselement nachgeordnet. Das Strahlungskonversionselement kann direkt auf dem zugehörigen Bildpunkt angeordnet oder von dem Bildpunkt beabstandet angeordnet sein. Das Strahlungskonversionselement ist insbesondere dafür vorgesehen, im Betrieb der Anzeigevorrichtung im aktiven Bereich erzeugte Primärstrahlung vollständig oder zumindest teilweise in Sekundärstrahlung umzuwandeln. Insbesondere kann die Anzeigevorrichtung dafür vorgesehen sein, Strahlung im roten, grünen und blauen Spektralbereich zu emittieren.
  • Eine Projektionsvorrichtung weist gemäß zumindest einer Ausführungsform zumindest eine Anzeigevorrichtung mit zumindest einem der vorstehend beschriebenen Merkmale und ein optisches Element auf, das der Anzeigevorrichtung in Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. Das optische Element kann beispielsweise eine oder mehrere Linsen aufweisen. Die Projektionsvorrichtung kann auch mehr als eine Anzeigevorrichtung aufweisen, beispielsweise drei Anzeigevorrichtungen, deren abgestrahlte Strahlung in voneinander verschiedenen Spektralbereichen liegt. Die abgestrahlte Strahlung kann in diesem Fall mittels des optischen Elements zu einem gemeinsamen Bild überlagert werden. Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl von Bildpunkten wird gemäß zumindest einer Ausführungsform ein Schichtstapel mit einer Halbleiterschichtenfolge, die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich aufweist und die die Bildpunkte bildet, und mit einer Schaltungsschicht, in der für jeden Bildpunkt ein Schalter ausgebildet ist, ausgebildet. Die Schaltungsschicht und die Halbleiterschichtenfolge werden aufeinander abgeschieden.
  • Die Verbindung der Bildpunkte der Halbleiterschichtenfolge mit einem jeweils zugeordneten Schalter zur Ansteuerung des Bildpunkts erfolgt also insbesondere über Abscheideprozesse und Strukturierungsprozesse. Das Herstellen einer justierten Bondverbindung zwischen einem Träger, auf dem Schalter ausgebildet sind, und einem weiteren Träger, auf dem die Bildpunkte ausgebildet sind, ist dagegen nicht erforderlich.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zur Ausbildung der Schaltungsschicht eine amorphe Halbleiterschicht abgeschieden und vorzugsweise nachfolgend zumindest bereichsweise rekristallisiert. Das Rekristallisieren kann beispielsweise mittels eines Laserstrahls erfolgen, der in einem Rasterverfahren über die Oberfläche der amorphen Schicht geführt wird. Die Rekristallisierung kann vollflächig oder nur bereichsweise erfolgen. Das Rekristallisieren kann auch in einem mehrstufigen Prozess erfolgen.
  • Das Abscheiden des amorphen Halbleitermaterials erfolgt beispielsweise über ein CVD(Chemical Vapor Deposition)-Verfahren, etwa mittels eines PECVD-Verfahrens.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Schaltungsschicht auf der Halbleiterschichtenfolge abgeschieden. Beim Abscheiden der Schaltungsschicht kann die Halbleiterschichtenfolge in lateraler Richtung unstrukturiert oder bereits in Bildpunkte strukturiert ausgebildet sein. Weiterhin kann in der Halbleiterschichtenfolge zumindest eine Ausnehmung ausgebildet sein, die sich von der Seite, auf der die Schaltungsschicht abgeschieden wird, durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Weiterhin können bereits weitere Schichten auf der Halbleiterschichtenfolge abgeschieden sein, beispielsweise eine Spiegelschicht und/oder eine oder mehrere Isolationsschichten und/oder eine oder mehrere Anschlussschichten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Halbleiterschichtenfolge derart strukturiert abgeschieden, dass die Bildpunkte bei der Abscheidung ausgebildet werden. Auf ein nachfolgendes Strukturierungsverfahren zur Ausbildung einzelner Segmente kann also verzichtet werden. Insbesondere kann die strukturierte Abscheidung derart erfolgen, dass die erste Halbleiterschicht zumindest bereichsweise eine Seitenfläche der zweiten Halbleiterschicht bedeckt. Die Abscheidung der zweiten Halbleiterschicht erfolgt insbesondere durch Öffnungen in einer Maskierungsschicht hindurch. Für die Maskierungsschicht eignet sich beispielsweise eine Oxidschicht oder eine Nitridschicht.
  • Ausgehend von den Öffnungen erfolgt das Wachstum insbesondere so, der aktive Bereich jeweils einen größeren Querschnitt aufweist als die zugehörige Öffnung der Maskierungsschicht. Die Abscheidung der nachfolgenden ersten Halbleiterschicht kann so erfolgen, dass die fertig gestellte erste Halbleiterschicht zusammenhängend ausgebildet ist.
  • Alternativ kann die Halbleiterschichtenfolge vollflächig abgeschieden werden. Bei einer vollflächigen Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge kann sich der aktive Bereich durchgängig über benachbarte Bildpunkte erstrecken. Falls eine räumliche Trennung der Bildpunkte gewünscht ist, kann diese nachfolgend mittels eines Strukturierungsverfahrens erfolgen, etwa mittels eines nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens.
  • Mit dem beschriebenen Verfahren können mehrere Anzeigevorrichtungen gleichzeitig hergestellt werden. Beispielsweise können die Anzeigevorrichtungen in einem Waferverbund ausgebildet werden, der insbesondere die Halbleiterschichtenfolge und die Schaltungsschicht aufweist und nachfolgend in einzelne Anzeigevorrichtungen vereinzelt wird. Zweckmäßigerweise erfolgt das Vereinzeln, nachdem die Bildpunkte jeweils bereits mit einem Schalter der Schaltungsschicht elektrisch leitend verbunden sind.
  • Das beschriebene Verfahren ist zur Herstellung einer vorstehend beschriebenen Anzeigevorrichtung besonders geeignet. Im Zusammenhang mit der Anzeigevorrichtung genannte Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
  • Es zeigen:
  • Die 1A bis 1C ein erstes Ausführungsbeispiel für eine Anzeigevorrichtung in schematischer Schnittansicht (1A), in einer schematischen Schaltungsskizze (1B) und in einer schematischen Schnittansicht eines Ausschnitts der Schaltungsschicht (1C);
  • die 1D und 1E jeweils ein Ausführungsbeispiel für eine Projektionsvorrichtung mit einer Anzeigevorrichtung in schematischer Schnittansicht;
  • die 2 und 3 ein zweites beziehungsweise drittes Ausführungsbeispiel für eine Anzeigevorrichtung in schematischer Schnittansicht;
  • die 4A und 4B ein viertes Ausführungsbeispiel einer Anzeigevorrichtung anhand einer schematischen Schnittansicht (4A) und einer schematischen Schaltungsskizze (4B);
  • die 5A und 5B ein fünftes Ausführungsbeispiel einer Anzeigevorrichtung anhand einer schematischen Schnittansicht (5A) und einer schematischen Schaltungsskizze (5B);
  • die 6A bis 6C ein sechstes Ausführungsbeispiel für eine Anzeigevorrichtung anhand einer schematischen Schnittansicht in 6A und anhand zweier Ausgestaltungsvarianten, von denen jeweils ein Ausschnitts in den 6B und 6C gezeigt ist;
  • 7 ein siebtes Ausführungsbeispiel für eine Anzeigevorrichtung in schematischer Schnittansicht; und
  • die 8A bis 8E ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
  • Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.
  • Die Anzeigevorrichtung 1 gemäß den 1A bis 1C ausgebildeten ersten Ausführungsbeispiels weist einen Schichtstapel 2 auf.
  • Der Schichtstapel 2 umfasst eine Halbleiterschichtenfolge 20. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich 200, der zwischen einer p-leitenden ersten Halbleiterschicht 201 und einer n-leitenden zweiten Halbleiterschicht 202 angeordnet ist. Die Halbleiterschichten können bezüglich ihrer Polarität aber auch invertiert sein. Die Halbleiterschichtenfolge 20, insbesondere der aktive Bereich 200, basiert auf einem III-V-Halbleitermaterial und ist zur Erzeugung von Strahlung im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich vorgesehen.
  • In vertikaler Richtung erstreckt sich die Halbleiterschichtenfolge zwischen einer Strahlungsaustrittsfläche 271 und einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegenden Rückseite 272.
  • In lateraler Richtung, also in einer entlang einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge 20 verlaufenden Richtung ist der aktive Bereich 200 in eine Mehrzahl von Segmenten 30 unterteilt, die jeweils einen Bildpunkt bilden. Die Anzeigevorrichtung weist eine Mehrzahl von Bildpunkten auf, die matrixförmig in einer Mehrzahl von Spalten und einer Mehrzahl von Zeilen angeordnet sind. Zwischen benachbarten Segmenten 30 ist jeweils ein Graben 22 ausgebildet, der sich in vertikaler Richtung vollständig durch die Halbleiterschichtenfolge 20 hindurch erstreckt. Die Seitenflächen 301 der Segmente sind jeweils mit einer zweiten Isolationsschicht 242 versehen. Diese zweite Isolationsschicht dient als eine Passivierungsschicht und schützt insbesondere den an den Seitenflächen freiliegenden aktiven Bereich 200.
  • Der Schichtstapel 2 umfasst weiterhin eine Schaltungsschicht 25. Mittels der Schaltungsschicht 25 ist eine Ansteuerschaltung 40 gebildet. Die Ansteuerschaltung 40 weist für jeden Bildpunkt jeweils einen Schalter 4 auf. Im Betrieb der Anzeigevorrichtung sind die Bildpunkte 3 jeweils über die Schalter ansteuerbar, so dass alle Bildpunkte der Anzeigevorrichtung 1 unabhängig voneinander angesteuert und gleichzeitig betrieben werden können. Die Schaltungsschicht 25 enthält vorzugsweise ein polykristallines Halbleitermaterial, beispielsweise polykristallines Silizium. Die Schalter können insbesondere als Dünnfilm-Transistoren, beispielsweise als MOSFETs ausgebildet sein.
  • Der Schichtstapel 2 umfasst weiterhin eine erste Anschlussschicht 231. Die erste Anschlussschicht ist zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 201 vorgesehen. Bei dem in 1A dargestellten Ausführungsbeispiel erstreckt sich die erste Anschlussschicht 231 zusammenhängend über alle Bildpunkte 3 der Anzeigevorrichtung und bildet einen gemeinsamen Kontakt für die Bildpunkte 3.
  • Die erste Anschlussschicht 231 ist weiterhin als eine Spiegelschicht 26 ausgebildet. Im Betrieb der Anzeigevorrichtung im aktiven Bereich 200 erzeugte und in Richtung der Schaltungsschicht 25 abgestrahlte Strahlung kann an der Spiegelschicht reflektiert und in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche umgelenkt werden. Die Gefahr einer Strahlungsabsorption in der Schaltungsschicht wird so vermieden.
  • Der Schichtstapel 2 umfasst weiterhin eine zweite Anschlussschicht 232. Die zweite Anschlussschicht 232 ist für die elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschichten 202 der Bildpunkte 3 vorgesehen.
  • Bei dem in 1A dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Schalter 4 jeweils über die zweite Anschlussschicht 232 mit der zweiten Halbleiterschicht 202 des zugeordneten Bildpunkts 3 elektrisch leitend verbunden. In der Halbleiterschichtenfolge 20 ist in jedem Bildpunkt 3 eine Ausnehmung 21 ausgebildet, die sich von der Rückseite 272 durch die erste Halbleiterschicht 201 und den aktiven Bereich 200 in die zweite Halbleiterschicht 202 hinein erstreckt. Die zweite Anschlussschicht 232 ist in den Ausnehmungen 21 jeweils mit der zweiten Halbleiterschicht 202 verbunden. Zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses ist zwischen der zweiten Anschlussschicht 232 und dem aktiven Bereich 200 sowie zwischen der zweiten Anschlussschicht und der ersten Halbleiterschicht 201 eine erste Isolationsschicht 241 ausgebildet. Die erste Isolationsschicht 241 ist weiterhin zwischen der ersten Anschlussschicht 231 und der zweiten Anschlussschicht 232 angeordnet.
  • Die laterale Struktur der Halbleiterschichtenfolge 20 und der Schaltungsschicht 25 weist jeweils eine Einheitszelle 209 beziehungsweise 259 auf. In lateraler Richtung wiederholt sich die Struktur der Einheitszellen periodisch. Die laterale Ausdehnung der Einheitszelle 209 ist durch die Linien 210 veranschaulicht. Die laterale Ausdehnung der Einheitszelle 259 der Schaltungsschicht 25 ist gleich der Einheitszelle 209 der Halbleiterschichtenfolge 20. Der Abstand benachbarter Bildpunkte 3 ist also lediglich über die laterale Ausdehnung der Bildpunkte 3 bestimmt und nicht über den Platzbedarf für die Ansteuerschaltung pro Bildpunkt 3.
  • Insbesondere überdeckt jeder Bildpunkt 3 in Aufsicht auf die Anzeigevorrichtung den jeweils zugeordneten Schalter 4 vollständig.
  • Durch die Integration der Halbleiterschichtenfolge 20 und der Schaltungsschicht 25 in den gemeinsamen Schichtstapel 2 ist auf einfache Weise eine Anzeigevorrichtung realisiert, bei der auch sehr kleine Bildpunkte zuverlässig und gleichzeitig elektrisch ansteuerbar sind. Auf einen justierten Bond-Schritt zwischen einer in Bildpunkte strukturierten Halbleiterschichtenfolge und einem Träger, in den eine Ansteuerschaltung integriert ist, kann bei der Herstellung verzichtet werden.
  • Die laterale Ausdehnung der Bildpunkte ist so in weiten Grenzen variierbar. Insbesondere beträgt die laterale Ausdehnung der Bildpunkte zwischen einschließlich 2 µm und einschließlich 300 µm, bevorzugt zwischen einschließlich 2 µm und einschließlich 50 µm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 2 µm und einschließlich 10 µm.
  • Die Strahlungsaustrittsfläche 271 ist weiterhin frei von elektrischen Kontaktierungen. Die Gefahr einer Abschattung durch strahlungsundurchlässige Schichten, beispielsweise metallische Kontaktschichten, ist so vermieden.
  • In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Schichtstapel 2 mittels einer Verbindungsschicht 6, beispielsweise einer Klebeschicht, stoffschlüssig an einem Träger 5 befestigt. Der Träger ist vorzugsweise elektrisch isolierend ausgebildet. Beispielsweise kann der Träger eine Keramik, etwa eine Aluminium-haltige Keramik wie Aluminiumnitrid oder Al2O3, oder Bornitrid enthalten oder aus einem solchen Material bestehen. Auch ein Halbleitermaterial, beispielsweise Silizium oder Germanium kann für den Träger Anwendung finden.
  • In dem Träger 5 sind Durchbrüche 50 ausgebildet. Auf einer dem Schichtstapel 2 abgewandten Rückseite weist der Träger 5 einen ersten Kontakt 71, einen zweiten Kontakt 72 und weitere Kontakte 73 für die externe elektrische Kontaktierung der Anzeigevorrichtung auf. Der zweite Kontakt 72 kann beispielsweise als ein Massekontakt ausgebildet sein. Die erste Anschlussschicht 231 ist über eine Zuleitung 75 mit dem zweiten Kontakt 72 elektrisch leitend verbunden. Über den ersten Kontakt kann die Betriebsspannung für die Bildpunkte zugeführt werden.
  • Die Anzeigevorrichtung ist frei von einem Aufwachssubstrat für die epitaktische Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge 20. Das Aufwachssubstrat kann daher unabhängig von seinen optischen Eigenschaften gewählt werden. Insbesondere bei einem strahlungsdurchlässigen Aufwachssubstrat kann das Aufwachssubstrat aber auch zumindest teilweise, etwa in gedünnter Form, in der fertigen Anzeigevorrichtung verbleiben.
  • Die Anzeigevorrichtung 1 ist oberflächenmontierbar ausgeführt. Die elektrische Kontaktierung der Anzeigevorrichtung erfolgt ausschließlich über deren Rückseite. Auf vorderseitige Kontakte kann also verzichtet werden.
  • In 1B ist eine Schaltungsskizze gezeigt, die die Verschaltung der einzelnen Bildpunkte 3 veranschaulicht. Eine horizontale Linie 28 illustriert die Trennung zwischen der Halbleiterschichtenfolge 2 mit den Anschlussschichten und der Schaltungsschicht 25 mit der Ansteuerschaltung 40. Im Unterschied zu der in 1A dargestellten Ausgestaltungsvariante ist bei der in der 1B dargestellten Ausgestaltungsvariante die erste Halbleiterschicht 201 der jeweiligen Bildpunkte 3 über die erste Anschlussschicht 231 mit den jeweils zugeordneten Schaltern 4 elektrisch leitend verbunden. Die zweite Halbleiterschicht 202 der Bildpunkte ist über die zweite Anschlussschicht 232 mit dem gemeinsamen zweiten Kontakt 72 elektrisch leitend verbunden. Die elektrisch leitende Verbindung mit dem gemeinsamen Kontakt kann ähnlich wie in 1A über eine durchgängige Ausgestaltung der zweiten Anschlussschicht 232 oder, wie in 1B angedeutet, mittels der Ansteuerschaltung 40 erfolgen.
  • Über die weiteren Kontakte 73 können Steuersignale zugeführt werden, die die jeweiligen Schalter 4 der Bildpunkte 3 steuern. Insbesondere können die Kontakte 73 als Eingang für optische Bilddaten dienen, die beispielsweise über ein in der Schaltungsschicht 25 enthaltenes Schieberegister (nicht gezeigt) den Schaltern 4 zugeführt werden. Die Anzahl der Kontakte 73 kann sehr viel kleiner sein als die Anzahl der Bildpunkte, insbesondere kleiner als die Summe gebildet durch die Anzahl der Zeilen und die Anzahl der Spalten der matrixförmigen Anzeigevorrichtung.
  • Ein Ausschnitt der Schaltungsschicht 25 ist in 1C schematisch dargestellt. In der Schaltungsschicht 25 sind jeweils Aussparungen 250 vorgesehen, die sich in vertikaler Richtung vollständig durch die Schaltungsschicht 25 hindurch erstrecken. Die Aussparungen 250 sind für die Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung mit den Bildpunkten vorgesehen, in 1C exemplarisch zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung mit der zweiten Anschlussschicht 232. Zwischen der Halbleiterschichtenfolge 20 und der Schaltungsschicht 25, insbesondere zwischen der zweiten Anschlussschicht 232 und der Schaltungsschicht 25 ist eine dritte Isolationsschicht 243 ausgebildet.
  • Auf der der Halbleiterschichtenfolge 20 abgewandten Seite der Schaltungsschicht 25 ist eine vierte Isolationsschicht 244 ausgebildet. Auf der der Schaltungsschicht 25 abgewandten Seite der vierten Isolationsschicht 244 ist eine Gate-Elektrode 41 des Schalters 4 ausgebildet. Der Schalter weist weiterhin weitere Elektroden 42 auf. Eine der weiteren Elektrode 42, etwa eine Source-Elektrode oder eine Drain-Elektrode, des Schalters 4 ist über eine Zuleitungsschicht 43 elektrisch leitend mit der zweiten Anschlussschicht 232 verbunden. Die Zuleitungsschicht erstreckt sich in vertikaler Richtung durch die Schaltungsschicht 25 und die dritte Isolationsschicht 243 hindurch. Die weiteren Elektroden 42 grenzen jeweils an einen dotierten Bereich 252 der Schaltungsschicht 25 an. In Aufsicht auf die Anzeigevorrichtung ist die Gate-Elektrode zwischen den dotierten Bereichen 252 angeordnet.
  • Selbstverständlich kann die Ansteuerschaltung 40 noch weitere Bauelemente aufweisen, beispielsweise Kondensatoren, etwa für die Ausbildung einer Abtast-Halte-Schaltung (Sample-and-Hold), Treiberbausteine, Schaltungselemente und/oder Schieberegister. Insbesondere können einige dieser Elemente nicht einem einzelnen Bildpunkt allein, sondern mehreren oder allen Bildpunkten zugeordnet sein.
  • Für die Isolationsschichten, insbesondere die erste Isolationsschicht 241, die zweite Isolationsschicht 242, die dritte Isolationsschicht 243 und die vierte Isolationsschicht 244 eignet sich beispielsweise ein Oxid, etwa Siliziumoxid, ein Nitrid, etwa Siliziumnitrid, oder ein Oxinitrid, etwa Siliziumoxinitrid. Die Nummerierung der einzelnen Isolationsschichten dient lediglich der vereinfachten Beschreibung und impliziert keine Einschränkung hinsichtlich der Reihenfolge der Herstellung oder der Anzahl der vorhandenen Isolationsschichten. Für das Ausbilden der Isolationsschichten eignet sich beispielsweise ein CVD (chemical vapor deposition)-Verfahren, etwa Aufdampfen oder ein ALD (atomic layer deposition)-Verfahren, oder ein PVD (physical vapor deposition)-Verfahren, etwa Aufsputtern.
  • Die erste Anschlussschicht 231 und die zweite Anschlussschicht 232 können ein Metall und/oder ein TCO-Material enthalten. Die erste Anschlussschicht 231 ist vorzugsweise als Spiegelschicht 26 für die im aktiven Bereich 200 erzeugte Strahlung ausgebildet. Beispielsweise enthält die Spiegelschicht Silber, Aluminium, Rhodium, Palladium, Nickel oder Chrom. Diese Materialien zeichnen sich durch eine hohe Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich und im ultravioletten Spektralbereich aus. Für den infraroten Spektralbereich eignet sich beispielsweise eine Spiegelschicht, die Gold enthält oder aus Gold besteht.
  • Optional können, wie in 1A dargestellt, den Bildpunkten 3 jeweils Strahlungskonversionselemente 8a, 8b, 8c in Abstrahlrichtung nachgeordnet sein. Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge 20, insbesondere der aktive Bereich 200, im Betrieb Primärstrahlung im ultravioletten Spektralbereich abstrahlen, die mittels der Strahlungskonversionselemente 8a, 8b, 8c insbesondere vollständig in Sekundärstrahlung im blauen, roten beziehungsweise grünen Spektralbereich konvertiert wird. Alternativ kann die Primärstrahlung im blauen Spektralbereich liegen. Auf das Strahlungskonversionselement 8a kann in diesem Fall verzichtet werden. Selbstverständlich können solche Strahlungskonversionselemente auch bei den nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispielen Anwendung finden. Zur vereinfachten Darstellung sind diese in den weiteren Figuren jedoch nicht gezeigt.
  • In den 1D und 1E ist jeweils ein Ausführungsbeispiel für eine Projektionsvorrichtung 10 gezeigt. Details der Anzeigevorrichtung 1, die wie im Zusammenhang mit den 1A bis 1C sowie mit den nachfolgenden Figuren beschrieben ausgeführt sein kann, sind zur vereinfachten Darstellung nicht gezeigt. Die Projektionsvorrichtung 10 umfasst jeweils ein optisches Element 9 im Strahlengang der Anzeigevorrichtung 10.
  • Bei dem in 1D dargestellten Ausführungsbeispiel weisen die Bildpunkte der Anzeigevorrichtung jeweils Strahlungskonversionselemente 8a, 8b, 8c auf, die wie vorstehend beschrieben die im Betrieb erzeugte Strahlung konvertieren. Die Anzahl der Bildpunkte der Anzeigevorrichtung ist hierbei dreimal so groß wie die Anzahl der optisch darstellbaren Bildpunkte, so dass im Betrieb der Projektionsvorrichtung ein vollfarbiges Bild entsteht.
  • Im Unterschied zu dem in 1D dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst die Projektionsvorrichtung 10 drei Anzeigevorrichtungen 1, die jeweils für die Erzeugung von Strahlung in einem Wellenlängenbereich vorgesehen sind. Die Anzahl der Bildpunkte der Anzeigevorrichtungen ist jeweils gleich der Anzahl der optisch darstellbaren Bildpunkte. Im Strahlengang der Anzeigevorrichtungen ist jeweils ein für die gesamte Anzeigevorrichtung gemeinsames Strahlungskonversionselement 8a, 8b, 8c angeordnet. Die von den Anzeigevorrichtungen 1 abgestrahlte Strahlung wird mittels einer Überlagerungsanordnung 91 zu einem gemeinsamen vollfarbigen Bild überlagert. Die Überlagerungsanordnung kann beispielsweise mittels gekreuzter dichroitisch beschichteter Prismen gebildet sein.
  • Das in 2 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit 1 beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Anzeigevorrichtung 1 als ein Bauelement ausgebildet, das nicht rückseitig, sondern vorderseitig extern elektrisch kontaktierbar ist. Der erste Kontakt 71, der zweite Kontakt 72 und die weiteren Kontakte 73 (nicht explizit dargestellt) sind also auf derselben Seite der Schaltungsschicht 25 angeordnet wie die Halbleiterschichtenfolge 20. Eine derartige Ausgestaltung der Anzeigevorrichtung eignet sich auch für die nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele.
  • Das in 3 dargestellte dritte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem im Zusammenhang mit den 1A bis 1C beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel insbesondere dadurch, dass zwischen benachbarten Bildpunkten 3 keine Gräben ausgebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge 20 erstreckt sich also durchgängig über die Bildpunkte. Auf einen Strukturierungsschritt zur Ausbildung einzelner Segmente des aktiven Bereichs 200 kann verzichtet werden. Eine solche durchgängige Halbleiterschicht eignet sich insbesondere, wenn die Querleitfähigkeit der mit dem Schalter 4 verbundenen ersten oder zweiten Halbleiterschicht so gering ist, dass die laterale Ausdehnung des Bereichs, in dem bei einer Ladungsträgerinjektion Strahlung emittiert wird, im Wesentlichen durch die Ausdehnung der zugehörigen Anschlussschicht bestimmt ist. Bei einer Halbleiterschichtenfolge basierend auf AlInGaN weist typischerweise das p-leitende Halbleitermaterial eine geringere Querleitfähigkeit auf als n-leitende Halbleitermaterial, so dass die durchgängige, mit dem Schalter 4 verbundene Halbleiterschicht zweckmäßigerweise p-leitend ausgebildet ist.
  • Die elektrische Kontaktierung der einzelnen Bildpunkte erfolgt wie im Zusammenhang mit 1B beschrieben. Die erste Halbleiterschicht 201 ist also über die erste Anschlussschicht 231 jeweils mit den zugeordneten Schaltern 4 elektrisch leitend verbunden. Die zweite Anschlussschicht 232 bildet einen gemeinsamen Kontakt für alle Bildpunkte 3 der Anzeigevorrichtung 1.
  • Das in den 4A und 4B dargestellte vierte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit 3 beschriebenen dritten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Halbleiterschichtenfolge 20 frei von den Ausnehmungen 21, die sich durch den aktiven Bereich 200 hindurch erstrecken. Die Halbleiterschichtenfolge 20 ist in lateraler Richtung also völlig unstrukturiert. Zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 202 erstreckt sich die zweite Anschlussschicht 232 über die Strahlungsaustrittsfläche 271 und ist seitlich der Halbleiterschichtenfolge 20 über eine die Halbleiterschichtenfolge in lateraler Richtung begrenzende Seitenfläche 205 geführt. Zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses ist die Seitenfläche 205 zumindest auf Höhe des aktiven Bereichs 200 und auf Höhe der ersten Halbleiterschicht 201 mit einer ersten Isolationsschicht 241 bedeckt. Die erste Isolationsschicht 241 ist zwischen der Seitenfläche 205 und der zweiten Anschlussschicht 232 angeordnet. Die zweite Anschlussschicht 232 enthält in diesem Ausführungsbeispiel vorzugsweise ein TCO-Material, etwa ITO oder ZnO.
  • Die in 4B dargestellte Schaltungsskizze entspricht abgesehen von der Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 202 mit dem gemeinsamen Kontakt 72 der in der 1B dargestellten Schaltungsskizze.
  • Das in den 5A und 5B dargestellte fünfte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit den 1A bis 1C beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Insbesondere sind die Schalter 4 jeweils wie im Zusammenhang mit 1B beschrieben über die erste Anschlussschicht 231 mit der ersten Halbleiterschicht 201 der Bildpunkte 3 elektrisch leitend verbunden.
  • Im Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel erfolgt die elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 202 über die zwischen den Bildpunkten 3 ausgebildeten Gräben 22. Die Gräben erstrecken sich durch die erste Halbleiterschicht 201 und den aktiven Bereich 200 hindurch und enden in der zweiten Halbleiterschicht. Die zweite Anschlussschicht 232 ist in den Gräben mit der zweiten Halbleiterschicht 202 elektrisch leitend verbunden. Die Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht erfolgt also jeweils entlang des Umfangs der Bildpunkte. Die zweite Anschlussschicht bedeckt die Seitenfläche 301 der Segmente 30 bereichsweise. In Aufsicht auf die Anzeigevorrichtung nimmt die zweite Anschlussschicht die Form eines insbesondere metallischen Gitters an. Auf eine zusätzlich zu den Gräben vorgesehene Ausnehmung durch den aktiven Bereich 200 kann also verzichtet werden. Die Fläche der Spiegelschicht 26 ist so gegenüber einer Ausgestaltung mit einer Ausnehmung in der Halbleiterschichtenfolge vergrößert.
  • Zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses ist zwischen der zweiten Anschlussschicht 232 und dem aktiven Bereich 200 eine erste Isolationsschicht 241 ausgebildet.
  • Die zweite Anschlussschicht 232 kann strahlungsdurchlässig oder strahlungsundurchlässig ausgebildet sein. Bei einer strahlungsundurchlässigen Ausgestaltung, beispielsweise mittels einer Metallschicht, kann das optische Übersprechen zwischen benachbarten Bildpunkten mittels der zweiten Anschlussschicht 232 unterdrückt oder zumindest verringert werden.
  • Die in 5B dargestellte Schaltungsskizze entspricht abgesehen von der randseitigen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 202 der in der 1B dargestellten Schaltungsskizze.
  • Das in 6A bis 6C dargstellte sechste Ausführungsbeispiel mit drei Ausgestaltungsvarianten entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit den 5A und 5B beschriebenen fünften Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu erstrecken sich die Gräben 22 vollständig in vertikaler Richtung durch die Halbleiterschichtenfolge 20 hindurch. Das optische Übersprechen zwischen benachbarten Bildpunkten kann so noch weitergehend vermindert werden.
  • Bei der in 6A dargestellten Ausgestaltungsvariante weist die zweite Halbleiterschicht 202 einen Vorsprung 203 auf. Der Vorsprung überdeckt die zweite Anschlussschicht 232 bereichsweise. Ein zuverlässiger elektrischer Kontakt zwischen der zweiten Anschlussschicht und der zweiten Halbleiterschicht wird so vereinfacht. Die erste Isolationsschicht 241 erstreckt sich in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche 271 bis zum Vorsprung 203.
  • Bei der in 6C dargestellten Ausgestaltungsvariante weist die zweite Anschlussschicht 232 zusätzlich eine weitere Teilschicht 233 auf. Die weitere Teilschicht kann wie im Zusammenhang mit 4A beschrieben vollflächig auf der Strahlungsaustrittsfläche 271 ausgebildet sein und im Bereich der Gräben an die in den Gräben angeordnete Teilschicht der zweiten Anschlussschicht angrenzen. Eine lateral gleichmäßige Bestromung der Bildpunkte kann dadurch weitergehend vereinfacht werden.
  • Bei der in 6B dargestellten Ausgestaltungsvariante erstreckt sich die weitere Teilschicht 233 jeweils über die gesamte Seitenfläche 301 des Segments 30. Weiterhin bedeckt die erste Isolationsschicht 241 die Seitenfläche des Segments vollständig.
  • Bei dem in 7 dargestellten siebten Ausführungsbeispiel entspricht die elektrische Kontaktierung der einzelnen Bildpunkte 3 dem im Zusammenhang mit den 4A und 4B beschriebenen vierten Ausführungsbeispiel. Bei dem in 7 dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt die Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge 20 im Unterschied zu den vorangegangenen Ausführungsbeispielen derart, dass die laterale Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge bereits bei der epitaktischen Abscheidung entsteht. Hierfür wird bei der epitaktischen Abscheidung eine Maskierungsschicht 2011 aufgebracht. Die zweite Halbleiterschicht wächst durch die Öffnungen 2012 der Maskierungsschicht hindurch. Die Position der späteren Bildpunkte wird also bereits über die Maskierungsschicht festgelegt. Insbesondere ist jedem Bildpunkt genau eine Öffnung zugeordnet. Im Querschnitt weist der aktive Bereich 200 eine U-förmige Struktur auf, die in vertikaler Richtung durch die Maskierungsschicht 2011 begrenzt ist. Auf eine nachfolgende Strukturierung zum Durchtrennen des aktiven Bereichs 200, beispielsweise mittels eines nasschemischen oder trockenchemischen Verfahrens kann also verzichtet werden. Dadurch können Defekte, die bei einem solchen Strukturierungsprozess auftreten und die Strahlungsleistung der einzelnen Bildpunkte vermindern können, vermieden werden.
  • In dem dargestellten Ausführungsbeispiel werden der aktive Bereich 200 und die erste Halbleiterschicht 201 so auf der zweiten Halbleiterschicht 202 abgeschieden, dass die erste Halbleiterschicht 201 in lateraler Richtung über die zweite Halbleiterschicht 202 hinaus ragt. Insbesondere sind die Seitenflächen 2020 der zweiten Halbleiterschicht 202 durch den aktiven Bereich 200 und die erste Halbleiterschicht 201 bedeckt. Durch die beschriebene Art der Abscheidung kann die für die Strahlungserzeugung nutzbare Fläche des aktiven Bereichs 200 vergrößert werden.
  • An die Maskierungsschicht 2011 grenzen sowohl die erste Halbleiterschicht 201 als auch die zweite Halbleiterschicht 202 bereichsweise an. Die erste Halbleiterschicht 201 erstreckt sich durchgängig über benachbarte Bildpunkte 3. Bei der Herstellung erfolgt das Wachstum der ersten Halbleiterschicht 201 also so, dass die zunächst lateral voneinander getrennten Teilbereiche dieser Schicht zusammenwachsen.
  • Die Öffnung 2012 der Maskierungsschicht 2011 und die jeweilige erste Anschlussschicht 231 des Bildpunkts 3 überlappen in Aufsicht auf die Anzeigevorrichtung 1.
  • Weiterhin weist die Strahlungsdurchtrittsfläche in dem gezeigten Ausführungsbeispiel eine Strukturierung 12 zur Erhöhung der Auskoppeleffizienz auf. Die Strukturierung kann beispielsweise eine Aufrauung sein. Eine solche Strukturierung kann auch bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen Anwendung finden.
  • Ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung ist in den 8A bis 8E anhand von schematisch in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten gezeigt. Die Herstellung der Anzeigevorrichtung erfolgt exemplarisch für eine Anzeigevorrichtung, die wie im Zusammenhang mit den 1A bis 1C beschrieben ausgeführt ist.
  • Die Figuren zeigen jeweils nur einen Ausschnitt einer Anzeigevorrichtung. Bei der Herstellung kann eine Vielzahl gleichartiger Anzeigevorrichtungen nebeneinander in einem Waferverbund hergestellt werden. Nach Abschluss des Herstellungsverfahrens kann der Waferverbund in eine Mehrzahl von Anzeigevorrichtungen vereinzelt werden.
  • Wie in 8A dargestellt, wird eine Halbleiterschichtenfolge 20 mit einem aktiven Bereich 200, einer ersten Halbleiterschicht 201 und einer zweiten Halbleiterschicht 202 epitaktisch, etwa mittels MOVPE oder MBE, auf einem Aufwachssubstrat 29 abgeschieden. Nach der epitaktischen Abscheidung wird eine Mehrzahl von Ausnehmungen 21 ausgebildet, wobei sich die Ausnehmungen durch die erste Halbleiterschicht 201 und den aktiven Bereich 200 in die zweite Halbleiterschicht 202 hinein erstrecken.
  • Auf der dem Aufwachssubstrat 29 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 20 wird eine erste Anschlussschicht 231 abgeschieden. Alternativ können die Ausnehmungen 21 auch nach dem Abscheiden der ersten Anschlussschicht 231 ausgebildet werden.
  • Auf der dem Aufwachssubstrat 29 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 20 wird eine erste Isolationsschicht 241 derart strukturiert ausgebildet, dass die zweite Halbleiterschicht 202 im Bereich der Ausnehmungen 21 zumindest teilweise freiliegt.
  • Nachfolgend wird auf der ersten Isolationsschicht 241 eine zweite Anschlussschicht 232 abgeschieden und lateral strukturiert. Die zweite Anschlussschicht grenzt im Bereich der Ausnehmungen 21 an die zweite Halbleiterschicht 202 an.
  • Auf die Anschlussschichten 231, 232 wird eine dritte Isolationsschicht 243 abgeschieden. Nachfolgend wird eine amorphe Halbleiterschicht 251 abgeschieden, beispielsweise mittels eines PECVD-Verfahrens. Der so gebildete Schichtstapel 2 ist in 8B gezeigt.
  • Zur Erhöhung der Ladungsträgerbeweglichkeit wird die amorphe Halbleiterschicht 251 zumindest bereichsweise rekristallisiert. Dies kann beispielsweise durch Abtasten der Oberfläche mit einem Laserstrahl erfolgen.
  • Mittels der so gebildeten Schaltungsschicht 25 ist, wie in 8C gezeigt, eine Ansteuerschaltung 40 mit einer Mehrzahl von Schaltern 4 gebildet. Zur vereinfachten Darstellung sind die für die Ausbildung der Ansteuerschaltung vorgesehenen zusätzlichen Isolations- und Metallisierungsschichten, etwa für die Ausbildung der Gate-Elektroden und der weiteren Elektroden der Schalter 4 (vergleiche 1C), in 8C nicht explizit dargestellt. Das Ausbilden der Schaltungsschicht 25 mit der Ansteuerschaltung 40 umfasst insbesondere
    • – das Freilegen der ersten Anschlussschicht 231 und der zweiten Anschlussschicht 232;
    • – die Abscheidung von Elektroden 42 für die Schalter, etwa Source-Elektrode und Drain-Elektroden, und die Verbindung der Elektroden mit den zugehörigen Anschlussschichten; und
    • – die Abscheidung einer Oxidschicht (vierte Isolationsschicht 244 in 1C), auf der nachfolgend die Gate-Elektrode 41 aufgebracht wird.
  • Weiterhin kann das Ausbilden der Schaltungsschicht auch das Ausbilden dotierter Bereiche 252, etwa durch Ionen-Implantation umfassen.
  • Nach dem Ausbilden der Ansteuerschaltung 40 wird der Schichtstapel 2 mittels einer Verbindungsschicht 6 an einem Träger 5 befestigt (8D). Den einzelnen Bildpunkten der Anzeigevorrichtung ist also bereits jeweils ein Schalter zugeordnet, noch bevor die Befestigung an dem Träger 5 erfolgt. Für eine elektrische Kontaktierung der Anzeigevorrichtung von der dem Schichtstapel 2 abgewandten Seite des Trägers 5 her sind an der Rückseite des Trägers 5 ein erster Kontakt 71, ein zweiter Kontakt 72 und weitere Kontakte 73 ausgebildet. Diese sind über Durchbrüche 50 mit der Schaltungsschicht 25 elektrisch leitend verbunden. Das Ausbilden der Durchbrüche 50 kann vor oder nach der Befestigung des Trägers 5 an dem Schichtstapel 2 erfolgen.
  • Nach der Befestigung des Schichtstapels 2 an dem Träger 5 wird das Aufwachssubstrat 29 entfernt. Dies kann beispielsweise mechanisch, etwa mittels Schleifens, Läppens oder Polierens, und/oder chemisch, etwa mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens oder mittels eines Laserablöseverfahrens (Laser Lift Off, LLO) erfolgen. Zur Unterteilung des aktiven Bereichs 200 in einzelne Segmente 30 werden Gräben 22 ausgebildet, etwa mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens. Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend können die Gräben 22 auch ausgebildet werden, bevor der Schichtstapel 2 an dem Träger 5 befestigt wird, insbesondere noch bevor die dritte Isolationsschicht 243 und die amorphe Halbleiterschicht 251 ausgebildet werden.
  • Zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung, bei der der aktive Bereich 200 nicht in Segmente 30 unterteilt ist, kann auf das Ausbilden der Gräben 22 auch vollständig verzichtet werden.
  • Nach dem Ausbilden der Gräben werden die Seitenflächen der Segmente 301, insbesondere die freiliegenden Teile des aktiven Bereichs 200 mit einer zweiten Isolationsschicht 242 versehen.
  • Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend kann das Aufwachssubstrat 29 auch vollständig oder teilweise, etwa in abgedünnter Form, in der Anzeigevorrichtung verbleiben.
  • Mit dem beschriebenen Herstellungsverfahren können Anzeigevorrichtungen hergestellt werden, bei denen die strahlungserzeugenden Halbleiterschichten, insbesondere der aktive Bereich 200, und die für die elektrische Ansteuerung vorgesehenen Schichten, insbesondere die Schaltungsschicht 25 in einen gemeinsamen Schichtstapel integriert sind. Auf einen aufwändigen Bond-Prozess, bei dem vorgefertigte Bildpunkte und eine vorgefertigte Ansteuerschaltung hochgenau, also mit einer Justagegenauigkeit kleiner oder gleich dem Mittenabstand benachbarter Bildpunkte, zueinander positioniert werden müssen, ist also nicht erforderlich. An die Befestigung des Schichtstapels 2 an dem Träger 5 sind verglichen hiermit nur vergleichsweise geringe Justageanforderungen gestellt, die weitgehend unabhängig von der Größe der einzelnen Bildpunkte sind.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims (20)

  1. Anzeigevorrichtung (1) mit einem Schichtstapel (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (200) und eine Schaltungsschicht (25) aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Mehrzahl von Bildpunkten (3) bildet und in der Schaltungsschicht für jeden Bildpunkt ein Schalter (4), der mit dem jeweiligen Bildpunkt elektrisch leitend verbunden ist, ausgebildet ist.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Anzeigevorrichtung frei von einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Schaltungsschicht ist.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Schaltungsschicht ein polykristallines Halbleitermaterial oder ein amorphes Halbleitermaterial mit einer Ladungsträgerbeweglichkeit von mindestens 100 cm2/Vs für zumindest einen Ladungsträgertyp aufweist.
  4. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterschichtenfolge und die Schaltungsschicht entlang einer lateralen Richtung jeweils eine periodisch wiederkehrende Struktur mit einer Einheitszelle aufweisen, wobei in der lateralen Richtung eine Ausdehnung der Einheitszelle der Schaltungsschicht (259) gleich einer Ausdehnung der Einheitszelle der Schaltungsschicht (209) ist.
  5. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bildpunkte in Draufsicht auf die Anzeigevorrichtung die zugeordneten Schalter jeweils vollständig überdecken.
  6. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schichtstapel eine Spiegelschicht (26) aufweist, die zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Schaltungsschicht angeordnet ist.
  7. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterschichtenfolge an einem Träger (5) befestigt ist und zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger die Schaltungsschicht angeordnet ist.
  8. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich der aktive Bereich durchgängig über die Bildpunkte erstreckt.
  9. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der aktive Bereich in einzelne Segmente (30) unterteilt ist, die jeweils einen Bildpunkt bilden.
  10. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Segmente entlang eines Umfangs der Segmente elektrisch kontaktiert sind.
  11. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterschichtenfolge zumindest eine Ausnehmung (21) aufweist, die sich von der Schaltungsschicht her durch den aktiven Bereich (200) hindurch erstreckt.
  12. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei jeder Bildpunkt zumindest eine Ausnehmung (21) aufweist, die sich von der Schaltungsschicht her durch den aktiven Bereich (200) hindurch erstreckt.
  13. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bildpunkte auf einer Seite des aktiven Bereichs mit einer gemeinsamen Anschlussschicht (231, 232) verbunden sind.
  14. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 13, wobei sich die gemeinsame Anschlussschicht vollflächig über eine Strahlungsaustrittsfläche (271) der Halbleiterschichtenfolge erstreckt.
  15. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der aktive Bereich zwischen einer ersten Halbleiterschicht (201) und einer zweiten Halbleiterschicht (202) ausgebildet ist und die erste Halbleiterschicht eine Seitenfläche (2020) der zweiten Halbleiterschicht zumindest bereichsweise bedeckt.
  16. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei den Bildpunkten in Abstrahlrichtung zumindest teilweise ein Strahlungskonversionselement (8a, 8b, 8c) nachgeordnet ist.
  17. Projektionsvorrichtung mit einer Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche und mit einem optischen Element, das der Anzeigevorrichtung in Abstrahlrichtung nachgeordnet ist.
  18. Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung (1) mit einer Mehrzahl von Bildpunkten (3), bei dem ein Schichtstapel (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge (20), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (200) aufweist und die die Bildpunkte (3) bildet, und mit einer Schaltungsschicht (25), in der für jeden Bildpunkt ein Schalter (4) ausgebildet ist, ausgebildet wird, wobei die Schaltungsschicht und die Halbleiterschichtenfolge aufeinander abgeschieden werden.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei zur Ausbildung der Schaltungsschicht eine amorphe Halbleiterschicht (251) abgeschieden und nachfolgend rekristallisiert wird.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 19, wobei eine Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16 hergestellt wird.
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