WO2018015264A1 - Bauteil mit geometrisch angepasster kontaktstruktur und dessen herstellungsverfahren - Google Patents

Bauteil mit geometrisch angepasster kontaktstruktur und dessen herstellungsverfahren Download PDF

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    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Definitions

  • thermomechanical tension between different luminous points In a heterointegration of components, in particular with a plurality of luminous points, a secure connection of the luminous points to a driver circuit is necessary.
  • Connection level located layers or by applying layers with appropriate counter-tensioning can be addressed.
  • such methods prove to be complex and often not sufficiently reliable.
  • One object is to provide a component with a geometrically adapted contact structure, which allows a simplified and reliable mechanical connection to another component. Another object is to provide a simplified method for producing such
  • this has a contact structure.
  • the contact structure includes a continuous contact layer having a plurality of openings and associated with a first electrical polarity of the component. Furthermore, the
  • Contact structure a plurality of individual contacts
  • the contacts are associated with a second electrical polarity of the component and in particular are laterally spaced apart from one another. The contacts are thus individually electrically connected or individually
  • the contacts are arranged with respect to their different heights and their positions such that a height distribution of the contacts is adapted to a predetermined geometrically non-planar contour, such as a contour of a curved surface.
  • the component has a mounting surface which is approximately exposed through exposed surfaces of the contacts
  • the mounting surface of the component can be flat, in particular planar, or curved.
  • the predetermined geometrically non-planar contour can be given by the contour of a layer of the component or by a mounting surface or a connecting surface of another component.
  • the contacts, at least partially with different vertical heights, are connected to a predetermined geometrically non-planar contour profile, for example to a contour course of a non-planar,
  • Contacts have ends whose surfaces have a Contour contour define the essentially the same predetermined geometrically non-planar contour
  • the one ends of the contacts define a flat surface, while the other opposite ends of the contacts define a non-planar, in particular curved
  • This height compensation allows a predetermined contour to better follow a curved surface. Due to the height compensation, it is also possible that the component has a possible flat mounting surface. By the height compensation is more reliable
  • this has a semiconductor body.
  • the semiconductor body has a first semiconductor layer of a first charge carrier type, a second semiconductor layer of a second charge carrier type and an intermediate active layer.
  • the active layer for generating or detecting electromagnetic radiation is approximately visible,
  • the second semiconductor layer and the active layer are structured to form a plurality of sub-regions of the semiconductor body which are laterally spaced apart from one another.
  • the component is in particular as
  • the semiconductor body is segmented in such a way that the partial regions of the semiconductor body form luminous dots or light-emitting pixels of the component.
  • the first semiconductor layer can likewise be segmented or not segmented.
  • the partial regions may be arranged on the first semiconductor layer, the partial regions being in lateral directions
  • Semiconductor layer are mechanically connected to each other.
  • the subregions are designed such that they can be individually controlled electronically.
  • the contacts are in particular for electrical contacting of the
  • the semiconductor body has, in particular, one along the main lateral extension surface thereof
  • the semiconductor body may be disposed on a support or on a growth substrate, wherein the support or the growth substrate is a the
  • Semiconductor body facing surface which may have the same curvature as the semiconductor body.
  • the component may also be free of a growth substrate.
  • a lateral direction is generally understood to mean a direction that runs along, in particular parallel, to a main extension surface of the component or of the component
  • a vertical direction is understood to mean a direction which is transverse, is directed in particular perpendicular to the main extension surface of the component or the semiconductor body.
  • the vertical direction and the lateral direction are thus directed in particular perpendicular to each other.
  • the semiconductor body is arranged on a substrate.
  • the first semiconductor layer is arranged in the vertical direction between the substrate and the subregions or the second semiconductor layer.
  • the first semiconductor layer may be formed contiguous and continuous.
  • the subregions may have a common first semiconductor layer. In the lateral direction, the subregions are electrically insulated from each other, for example, by an insulating layer, so that the subregions are in particular individually and thus independently controllable.
  • the second semiconductor layer is in particular between the contact layer and the first semiconductor layer
  • the contact structure preferably has a plurality of plated-through holes, which extends from the contact layer through the second semiconductor layer and the active layer to the first semiconductor layer.
  • Through-contacts can each be arranged laterally of the associated subregions.
  • the associated subregions can each be arranged laterally of the associated subregions.
  • the vias and / or the insulation layer may be at least partially in
  • the partial regions can be defined solely by connection layers spaced apart from one another, wherein the connection layers are set up for electrical contacting of a common semiconductor layer of the partial regions.
  • the common semiconductor layer can be a have comparatively low electrical transverse conductivity, wherein a distance between adjacent
  • Connection layers is preferably selected to be so large that the subregions each consist exclusively of their associated connection layers and not of adjacent ones
  • Connection layers are electrically activated.
  • this has a driver component with a plurality of
  • Contacts are preferably electrically conductively connected to the driver component and individually electrically connected via the driver component or individually
  • the component is in particular designed as a connection structure or as a driver structure, in particular for a further semiconductor structure, for example
  • the contacts have exposed ends, wherein the exposed ones
  • the contacts are formed such that an average distance from the mounting surface to a connection surface is less than 10 ym, in particular less than 6 ym or less than 3 ym.
  • the connection surface can be an ideal flat plane or a surface with the predetermined geometrically non-planar contour profile.
  • connecting surface may be a mounting surface of another component, with the other component, the component described here is to be mechanically and electrically connected.
  • the contacts are associated with at least a first group of contacts and a second group of contacts. The contacts of the first group each have a one-piece
  • the contacts of the second group each have an integrally formed second section.
  • the first portions of different contacts of the first group are similar
  • the second sections of different contacts of the second group are in particular of similar construction and have a second vertical layer thickness.
  • the first vertical layer thickness preferably differs from the second vertical layer thickness, so that the contacts of the first
  • the first sections and the second sections may be in a common
  • Forming process or in different Form michsvorticiann be generated.
  • a forming process for example, lithography, metallization and Entlackungs Marine be performed.
  • an integrally formed portion is generally understood a portion which is contiguous and
  • Process step can be produced.
  • the integrally formed portion is thus approximately free of an inner connecting layer and is preferably continuous from
  • the contact structure has an insulation layer with a plurality of openings.
  • the openings of the insulating layer are in particular corresponding to the openings of the contact layer.
  • Insulation layer and the contact layer common
  • the contacts of the contact structure each have an integrally formed portion.
  • the integrally formed sections of the contacts are in particular in each case in regions in the associated openings of the insulating layer and each protrude
  • Insulation layer addition Preferably, at least some of the integrally formed sections have different vertical heights.
  • the portions with lower vertical heights are formed such that they are in plan view within the associated openings of the
  • Insulation layer are arranged.
  • the portions having larger vertical heights are formed to completely fill the respective apertures of the insulating layer and larger in plan view
  • Sections having larger vertical heights may thus be produced in a common process step, such as during a single joint forming operation, whereby the sections of different heights may be formed by a single lithography step and a single step
  • Deposition process can be generated.
  • these sections may be formed of the same material.
  • such portions are formed in a common deposition process.
  • some of the sections have the associated openings of the
  • At least some of the contacts have one or a plurality of spacer layers, wherein an adaptation of the
  • the spacer layers may under certain circumstances with regard to ⁇ tzselekttechniken, adhesion, reflectivity in the chip process as functional layers, such as
  • the spacer layers are partially arranged one above the other.
  • the spacer layers are in particular formed metallic and preferably each have at least one metal or a metal alloy. According to at least one embodiment of a component, this has a component described here.
  • the contacts of the contact structure of the component or the component may each be formed in several pieces and each having a first portion and a second portion. The first partial area and the second partial area of the respective contacts can be made by means of a connecting material
  • the component is an optoelectronic component.
  • At least some of the first partial regions have different vertical heights, such that an adaptation of the height distribution of the contacts to the predetermined geometrically non-planar
  • Contouring is realized exclusively by the first portions of the contacts. Alternatively or additionally, it is also possible that some of the second sections
  • the contacts are associated with a first group of contacts and a second group of contacts, wherein the contacts of the first group with respect to their material, such as with respect to their ductility or to their melting point, of the contacts of the second group differ.
  • the contacts of the first group are at the edge of the contacts arranged the second group.
  • Contacts of the second group may be surrounded by the contacts of the first group.
  • the contacts of the first group compared to the contacts of the second
  • the contacts can be designed in such a way that a cross section of the contacts varies from a central region to an edge region or to all edge regions of the component, in particular monotonously.
  • the contacts of the first group and the contacts of the second group may have different cross sections. It is possible that the contacts of a group have the same cross-section. For example, the contacts of the first group have larger cross sections than the contacts of the second group or vice versa.
  • the contacts can be designed with regard to their vertical height such that the vertical height of the contacts of a
  • the contacts may form a pattern that repeats several times along a lateral direction.
  • this has a component described here, wherein the component contacts each with a first and a second
  • Part area has.
  • Subareas and the second portions of the respective contacts mechanically and electrically connected to each other by means of a connecting material.
  • given geometrically non-planar contour can be exclusively by the first sub-areas or
  • the component may have the component formed as a semiconductor structure with a contact structure, which may be the first
  • the device may be another as
  • connection structure or as a driver component formed component, wherein the further component is a
  • the component can thus have a component described here and a further component, wherein the contact structures of the components are connected to one another by means of a connecting material.
  • the device is a light-emitting
  • Component formed with a plurality of luminous dots Component formed with a plurality of luminous dots.
  • the luminous dots of the device can through the
  • Partial regions of the semiconductor body may be specified.
  • Luminous dots individually electronically controlled The component or a component of the component is in particular as an LED light source for a headlight, such as for a
  • the contacts are formed by lithography and deposition methods.
  • the integrally formed section can also Be part of a spacer layer.
  • the integrally formed portions of different contacts that are formed in a common deposition process may be similar in construction, have about the same material, and the same vertical or different vertical heights
  • contacts of a first group are generated at least partially during a first deposition process and contacts of a second group are formed at least partially in a second deposition process different from the first deposition process.
  • the contacts of the first group and the contacts of the second group are at least
  • the contacts of the first group may have integrally formed first portions.
  • the contacts of the second group may integrally formed second
  • the first and second portions may be formed in a common deposition process such that the first portions are formed in plan view within associated openings of an insulating layer.
  • the second portions may be formed to completely fill the respective apertures of the insulating layer and to have a larger cross-section in plan view than the associated apertures, such that the second portions are elevated in the vertical as compared to the first portions
  • the raised portions of the contacts have a vertical height, that of the vertical Layer thickness of the insulating layer corresponds or in
  • the method described above is particularly suitable for the production of a component or a component described above.
  • the features described in connection with the component or with the component can therefore also be used for the method and vice versa.
  • Figure 1A shows an embodiment of a component in
  • Figure 1B is a schematic representation of a
  • FIG. 1C shows an exemplary embodiment of a component in a schematic sectional view
  • FIG. 2A shows a further exemplary embodiment of a component in a schematic sectional view
  • Figure 2B is a schematic representation of another
  • FIG. 2C shows an exemplary embodiment of a further component in a schematic sectional view
  • FIG. 3A shows a further exemplary embodiment of a component or component in a schematic sectional view
  • Figure 3B is a schematic representation of another
  • Figure 4A shows a further embodiment of a component or component in a schematic sectional view
  • Figure 4B is a schematic representation of another
  • FIG. 5A shows a further exemplary embodiment of a component or component in a schematic sectional view
  • Figure 5B is a schematic representation of another
  • Figure 6 shows an embodiment of another component in a schematic sectional view
  • Figure 7 shows a further embodiment of a component or component in a schematic sectional view
  • Figures 8 and 9 further embodiments of a component in schematic sectional views.
  • FIG. 1A An exemplary embodiment of a component 10 is shown schematically in sectional view in FIG. 1A.
  • FIG. 1B the component 10 shown in FIG. 1A is shown schematically in a plan view of a connection surface ZZ '.
  • Component 10 has a carrier 1 and a semiconductor body 2 arranged on the carrier.
  • the carrier 1 may be a growth substrate on which the semiconductor body 2 is epitaxially grown approximately layer by layer.
  • the support 1 may be different from a growth substrate or a ground-down growth substrate.
  • the carrier 1 is a silicon or a sapphire substrate.
  • Component 10 faces away from the carrier 1
  • connection layers 30 are in particular lateral
  • connection layers 30 are spaced. Define the connection layers 30
  • connection layers 30 are silver-containing.
  • connection layers 30 may be aluminum, rhodium or a
  • the component 10 is in particular a
  • the component 10 is free of a growth substrate.
  • the semiconductor body 2 has a first semiconductor layer 21, a second semiconductor layer 22 and one between the first and the second semiconductor layer disposed active layer 23.
  • Semiconductor layer 22 are formed in particular n- or p-type and may be n- or p-doped.
  • the first semiconductor layer 21 is n-type.
  • the active layer 23 is in particular for
  • the semiconductor body 2 preferably comprises or consists of a III-V or II-VI semiconductor material.
  • the semiconductor body 2 may be a plurality of
  • Subregions 20 be structured.
  • a plurality of isolation trenches will pass through the second semiconductor layer 22 and the active layer 23 into the first one
  • Semiconductor layer 21 is generated so that the subregions 20 are laterally spaced from each other by the separation trenches.
  • the first semiconductor layer 21 can be formed continuously and thus free of openings. The subregions 20 are thus each on the first
  • Semiconductor layer 21 is arranged. Alternatively, it is possible that the partial regions 20 alone by each other
  • connection layers 30 are defined, wherein the connection layers 30 for electrically contacting the common semiconductor layer 21 of the partial regions 20
  • the common semiconductor layer 21 may have a lower transverse electrical conductivity than the second semiconductor layer 22, wherein a distance between adjacent connection layers 30 is preferably selected to be so large that the partial regions 20 each
  • Terminal layers 30 are electrically activated.
  • the sub-regions 20 may be such be formed such that each of the subregions 20 has a separate first semiconductor layer 21, a separate second
  • the partial regions 20 are approximately separately activatable
  • the component 10 is
  • the component 10 may have more than 20, more than 50, more than 100 or more than 1000 such subregions 20.
  • the number of partial regions is 64, 256 or 1024.
  • the component has a lateral length or width that can be at least 1 mm, 2 mm or at least 4 mm.
  • the partial regions 20 are connected via the connection layers 30 to the contact structure 3
  • the subregions 20 may be formed individually or in groups controlled.
  • the semiconductor body 2 has a curvature along its main lateral extension surface 201.
  • the carrier 1 has a first main surface 11 facing away from the semiconductor body 2 and a second main surface 12 facing the semiconductor body 2. Both the first major surface 11 and the second major surface 12 are curved. In particular, the second main surface 12 of the carrier and the main extension surface 201 of the Semiconductor body 2 the same curvature or
  • the component 10 has a radiation passage area 101, wherein the
  • Radiation passage area 101 is formed by the first main surface 11 of the carrier 1.
  • the carrier 1 is designed to be radiation-permeable.
  • Radiation passage area 101 serves in particular as
  • the carrier 1 is formed in particular electrically insulating.
  • the contact structure 3 has a contact layer 31, which is formed in particular contiguous and a
  • the contact layer 31 may comprise a metal such as Ag or Au or Cu or Zn.
  • Via vias 33 which extend in the vertical direction from the contact layer 31 through an insulating layer 4
  • the contact layer 31 may be electrically conductively connected to the first semiconductor layer 21.
  • the insulating layer 4 is thus between the contact layer 31 and the
  • Semiconductor body 2 is arranged, wherein the
  • Insulation layer 4 partially through the second
  • the insulating layer 4 thus fills up the openings between the partial regions 20. If the openings are formed as separating trenches, the subregions 20 can be electrically insulated from one another and from the plated-through holes 33 through the insulating layer 4. In contrast to FIG. 1A, in which the plated-through holes 33 are each arranged approximately midway between two connection layers 30, that is, between two possible pixels, the plated-through holes 30 can each be arranged at a corner region of a Terminal layer 30, so angeorndnet at a corner of a pixel.
  • the contact structure 3 has a plurality of contacts 32.
  • the contacts 32 are arranged for making electrical contact with the subregions 20, in particular the second semiconductor layers 22 of the subregions, and extend in the vertical direction through the common openings of the subregions
  • connection layer 30 Contact layer 31 and the insulating layer 4 through to the connection layers 30.
  • connection layers 30 in particular adjoin the second semiconductor layers 22 of the partial regions 20.
  • connection layers 30 are not part of the contact structure and / or contribute to the adaptation of the height distribution of the
  • connection layers 30 have, in particular, the same vertical height.
  • the semiconductor body 2 with the subregions 20 can be external, that is, with an external voltage source,
  • Connection layers 30 are in particular laterally spaced apart, so that the partial regions 20 are individual
  • Terminal layers 30 are in groups in electrical contact, so that the subregions 20 are electronically controllable in groups.
  • the component 10 has an exposed mounting surface ZZ ⁇ , wherein the exposed mounting surface ZZ ⁇ of the component 10 are defined by exposed ends of the contacts 32.
  • the component 10 may have a curved mounting surface which deviates from an ideal planar connecting surface. To the curvature of the semiconductor body 2
  • the contacts 32 are formed in terms of their different heights and their positions such that a
  • the contacts 32 are in at least two
  • a first group includes contacts 32 each having a first portion 32A of height A.
  • a second group includes contacts 32 each having a second portion 32B.
  • the contacts 32 with the second portions 32B have a greater height than the contacts 32 with the first portions 32A.
  • the sections 32A and 32B may each be integrally formed.
  • the first portions 32A may have equal vertical heights and in a common process step
  • the second portions 32B may be made in a common process step and have equal vertical heights. Specifically, the first portions 32A and the second portions 32B are formed in
  • Sections 32A and 32B can be freely selected.
  • Contacts 32 to the curvature of the semiconductor body 2 may be realized entirely or partially by the first portions 32A and the second portions 32B. deviant From FIG. 1A, the contacts 32 may be divided into more than two groups of like or contacts 32.
  • the mounting surface ZZ 'of the component 10 is shown schematically by dashed line, which is flat.
  • dashed line which is flat.
  • each of the contacts 32 can be reliably electrically and mechanically connected to one of the external contact points.
  • the contact layer 31 can, in some regions, be at a greater distance from an ideal one in comparison to the contacts 32
  • Subareas of the contact layer 31 can therefore have a greater distance from the ideal connection surface compared to centrally arranged subregions of the contact layer 31. Notwithstanding Figure 1A, the
  • Contact layer 31 may also be formed such that they are analogous to the contacts 32 to the predetermined geometric non-planar contour, approximately to the curvature of the
  • Semiconductor body 2 is adjusted.
  • the contact layer 31 is a first one
  • the contacts 32 are each in a common opening of the contact layer 31 and the
  • Insulation layer 4 is arranged. In lateral directions, intermediate regions 34 are formed between the contact layer 31 and the contacts 32. These intermediate regions 34 can be filled with an electrically insulating filling material, which is not shown in FIG. 1A. In Figure 1B, the component 10 is shown in plan view.
  • the contact layer 31 is formed integrally and has a grid structure with openings, wherein the
  • Contacts 32 extend through the openings of the contact layer 31 therethrough.
  • the contacts 32 are each assigned to one of the partial regions 20.
  • the contacts 32 are associated with two groups of contacts, the first group having contacts 32 with the first portions 32A and the second group having contacts with the portions 32B.
  • the contacts 32 of the first group are arranged side by side and centrally, while the contacts 32 of the second group are arranged at the edge and surround the contacts 32 of the first group on all sides.
  • intermediate regions 34 or filling material 34 and / or insulating layer 4 between the contact layer 31 and the contacts 32 are shown schematically by dashed lines. All contacts 32 have a substantially equal cross-section. In difference For this purpose, it is possible that the contacts 32 with respect to their diameter from a central region to a
  • Edge region of the component 10 vary.
  • the contacts 32 may have a larger cross-section with the second portions 32B than the contacts 32 with the first portions 32A or vice versa.
  • the first portions 32A and the second portions 32B and the contacts 32 are each on one
  • Terminal layer 30 angeorndet.
  • Sections 32A and the contacts 32 with the sections 32B may be formed of the same material or different materials.
  • the same material or different materials may be formed of the same material or different materials.
  • Contacts 32 with the portions 32 B have a material or consist of a material having a higher ductility and / or lower melting point than a material of the contacts 32 with the sections 32 A or vice versa.
  • Component 100 has a component 10 according to FIG. 1A.
  • the component 10 is mechanically and electrically connected to the mounting surface ZZ 'in particular by means of a connecting layer, for example a solder layer, with a further component 90.
  • the further component 90 can be used as a connection structure or as
  • the further component 90 has a connection plate 9 with a substantially planar front side 91 and a contact structure 3D arranged thereon, the contact structure 3D having a corresponding structure to the contact layer 3U of the component 10 formed as a semiconductor structure.
  • the contact structure 3D of the further component 90 has a contact layer 31Z and
  • Component 10 and the component constructed as a connection structure or as a driver component 90 each have a newly formed mounting surface ZZ ', whereby a secure and reliable mechanical and electrical connection between the components 10 and 90 can be realized in a simplified manner. It can be achieved that each of the contacts 32 with the sections 32A or sections 32B
  • the component 100 illustrated in FIG. 1C thus has a contact structure 3, which is formed from the contact structures 3U and 3D of the components 10 and 90.
  • Contact structure 3 of the device 100 has a plurality of contacts 32, which are each formed in several pieces.
  • the contacts 32 each have a first partial area 321 and a second partial area 322, wherein the first partial area 321 and the second partial area 322 of the respective contacts 32 approximately by means of a
  • the first partial area 321 has the first section 32A or the second section 32B and is associated with the component 10 formed as a semiconductor structure.
  • Contact structure 3 of component 100 has a section 32Z and is associated with the further component 90. After the connection of the component 10 with the further component 90, the component 100 thus further has a contact structure 3, which has a plurality of contacts 32 with
  • IC is the adaptation of the height distribution of the contacts 32 of the contact structure 3 of the device 100 to the predetermined geometrically non-planar contour profile realized only by the first portions 321 of the contacts 32.
  • Subareas 321 is realized.
  • connection plate shown in the figure IC can be used as a driver component for the partial regions 20 of
  • Semiconductor body 2 may be formed. For example, it is possible that a plurality of transistors and / or
  • Contacts 32 are electrically connected to the driver component and electronically controlled individually via the driver component.
  • FIG. 2A shows a component 90 with a contact structure 3 or 3D.
  • the component 90 has a connection plate 9 or a driver component 9 with a plurality of transistors and / or integrated circuits, wherein the contacts 32 of the contact structure 3D with the connection plate 9 or with the
  • Driver component can be controlled electronically individually. Structurally corresponds to that shown in Figure 2A
  • Contact structure 3D substantially of the contact structure 3U shown in Figure 1A.
  • the contacts 32 are on a curved semiconductor body 2
  • FIG. 2A shows contacts 32 of contact structure 3D on a substantially flat front side 91 of FIG.
  • Connection plate 9 is formed, wherein the contacts 32 of the contact structure 3D have exposed ends that define a mounting surface ZZ 'of the component 90, which is non-planar and in particular defines the predetermined geometrically non-planar contour profile.
  • Sections 32A and 32B shown in plan view.
  • Contact structure 3D of the component 90 substantially corresponds to the contact structure 3 of the component 10 embodied as a semiconductor structure, which is illustrated in FIG. 1B.
  • the component 100 shown in FIG. 2C substantially corresponds to that shown in FIG.
  • Exemplary embodiment of a component 100 In contrast to this, the component 100 in FIG. 2C has the connection structure illustrated in FIG. 2A or FIG
  • Subareas 322 of the contacts 32 realized. The first
  • Subareas 321 of the contacts 32 may have the same vertical heights, the first subregions 321 each being formed, in particular, from an integrally formed portion 32Z.
  • the integrally formed portions 32Z in Figure 2C or in the figure IC may have a same vertical height and in a common
  • both the component 90 formed as a connection structure and the component 10 formed as a semiconductor structure have a curved mounting surface ZZ ', wherein the curved mounting surface ZZ' the curvature of the
  • Semiconductor body or the carrier 1 reflects.
  • the ideal bonding surface between the components 10 and 90 is approximately completely overlapping areas of the
  • Component 100 also has individual contacts 32
  • Contour namely at the curvature of the semiconductor body 2 and / or the carrier 1, is adjusted.
  • the component 100 shown in FIG. 3A essentially corresponds to that shown in FIG.
  • Embodiment for a device 100 Embodiment for a device 100.
  • the sections 32B of the component 10 which in
  • the sections 32A and 32B can each be formed in one piece and are preferably produced in a common method step.
  • the portions 32A and 32B are produced in a common deposition process, whereby the portions 32B of the portions 32A are a vertical height which is essentially given by the depth of the associated openings of the insulating layer 4.
  • the sections 32B may each have an opening that represents a contour of the associated opening of the insulating layer 4.
  • FIG. 3B the component 10 described in FIG. 3A is shown in plan view.
  • the contact structure 3U of the component 10 shown in FIG. 3B corresponds to the contact structure illustrated in FIG. 1B.
  • Component 10 essentially corresponds to the exemplary embodiment for a component 100 shown in FIG. 3A.
  • the contact structure 3U of the component 10 has a plurality of spacer layers 32C and 32D, each with the vertical height C and D, respectively.
  • Sections 32A and 32B may have equal vertical heights
  • the adaptation of the height distribution of the contacts 32 of the contact structure 3U is realized approximately exclusively by the different number of spacer layers of the respective contacts 32.
  • the portions 32A and 32B can have different vertical heights.
  • a centrally located contact 32 has only one spacer layer 32C of vertical height C.
  • the centrally arranged contact 32 laterally surrounding further contacts 32 each have only one more
  • Height distribution to a predetermined geometrically non-planar contour is realized exclusively or partially by the spacer layers 32C and / or 32D.
  • FIG. 4B shows the contact structure 3U of the component 10 described in FIG. 4A in plan view.
  • the first partial regions 321 of the contacts 32 have vertical heights varying from a central region to edge regions of the component 10, the height of the contacts increasing monotonically from the central region to an arbitrary edge region of the component 10.
  • FIG. 5A The embodiment shown in Figure 5A for a device 100 substantially corresponds to the embodiment shown in Figure 4A for a device. In contrast to those in FIG. 5A
  • portions 32 B substantially the portions 32 B shown in Figure 3A.
  • the particular integrally formed portions 32A and 32B can in a
  • the contact structure 3U of the component 10 shown in FIG. 5B is that described in FIG. 5A
  • the component 10 or 90 may locally have a pattern approximately as shown in FIG. 1B, 2B, 3B, 4B, or 5B
  • connection structure 91 formed such that as a connection structure
  • formed component 90 has a convexly curved mounting surface ZZ '.
  • the exemplary embodiment for a component 100 shown in FIG. 7 substantially corresponds to the component shown in FIG. 2C.
  • the component 90 formed as a connection structure in FIG. 7 has a contact structure 3D with a plurality of spacer layers 32C and 32D.
  • the spacer layers 32C and 32D are not on the side of the component 10 designed as a semiconductor structure but on the side of the contactor
  • Connection structure formed component 90 is arranged.
  • Component 90 essentially corresponds to the contact structure 3D shown in FIG. 6, but with a plurality of spacer layers 32C and 32D.
  • the sections 32A and 32B are in particular integrally formed and have approximately the same vertical height.
  • the contact structure 3D shown in FIG. 9 substantially corresponds to that shown in FIG. 2A
  • Insulation layer 5 and the portions 32B of the contacts 32 are constructed and formed analogous to the insulating layer 4 and to the portions 32B in Figure 3A.
  • connection structure / driver component 90 component as connection structure / driver component
  • connection plate 91 Front side of the connection plate

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Abstract

Es wird ein Bauteil (10, 90) mit einer Kontaktstruktur (3, 3U, 3D) angegeben, wobei -die Kontaktstruktur eine zusammenhängende Kontaktschicht (31) enthält, die eine Mehrzahl von Öffnungen aufweist und einer ersten elektrischen Polarität des Bauteils zugeordnet ist, -die Kontaktstruktur eine Mehrzahl von einzelnen Kontakten (32) zumindest teilweise mit unterschiedlichen vertikalen Höhen aufweist, wobei sich die Kontakte in den Öffnungen durch die zusammenhängende Kontaktschicht hindurch erstrecken, voneinander lateral beanstandet und einer zweiten elektrischen Polarität des Bauteils zugeordnet sind, und -die Kontakte hinsichtlich deren unterschiedlicher Höhen und deren Positionen derart angeordnet sind, dass eine Höhenverteilung der Kontakte an einen vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf angepasst ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

Description

Beschreibung
Bauteil mit geometrisch angepasster Kontaktstruktur und dessen Herstellungsverfahren
Es wird ein Bauteil mit geometrisch angepasster
Kontaktstruktur angegeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils mit geometrisch angepasster Kontaktstruktur angegeben.
Bei einer Heterointegration von Bauteilen, insbesondere mit einer Mehrzahl von Leuchtpunkten, ist eine sichere Verbindung der Leuchtpunkte zu einer Treiberschaltung notwendig. Durch thermomechanische Spannung zwischen verschiedenen
Funktionsebenen des Bauteils treten oft ungewünschte
Deformationen - auch bekannt als „Schüsselung" auf, wodurch eine unzuverlässige Verbindung, etwa eine unzuverlässige Lotverbindung, zwischen den Bauteilen entsteht. Die
Deformationen können zwar plan geschliffen werden, jedoch besteht große Gefahr, dass die Bauteile dabei beschädigt werden. Diese Verspannungsthematik kann außerdem durch
Anpassen von Ausdehnungskoeffizienten der an einer
Verbindungsebene befindlichen Schichten oder durch Aufbringen von Schichten mit geeigneter Gegenverspannung angegangen werden. Solche Methoden erweisen sich jedoch als aufwändig und oft nicht ausreichend zuverlässig.
Eine Aufgabe ist es, ein Bauteil mit einer geometrisch angepassten Kontaktstruktur anzugeben, die eine vereinfachte und zuverlässige mechanische Verbindung zu einem weiteren Bauteil zulässt. Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung eines solchen
Bauteils anzugeben. In mindestens einer Ausführungsform eines Bauteils weist dieses eine Kontaktstruktur auf. Die Kontaktstruktur enthält eine zusammenhängende Kontaktschicht, die eine Mehrzahl von Öffnungen aufweist und einer ersten elektrischen Polarität des Bauteils zugeordnet ist. Des Weiteren weist die
Kontaktstruktur eine Mehrzahl von einzelnen Kontakten
zumindest teilweise mit unterschiedlichen vertikalen Höhen auf, wobei sich die Kontakte in den Öffnungen durch die zusammenhängende Kontaktschicht hindurch erstrecken. Die einzelnen Kontakte sind einer zweiten elektrischen Polarität des Bauteils zugeordnet und sind insbesondere einander lateral beabstandet. Die Kontakte sind somit individuell elektrisch anschließbar beziehungsweise individuell
elektronisch ansteuerbar. Die Kontakte sind hinsichtlich deren unterschiedlicher Höhen und deren Positionen derart angeordnet, dass eine Höhenverteilung der Kontakte an einen vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf, etwa an einen Konturverlauf einer gekrümmten Oberfläche, angepasst ist. Das Bauteil weist insbesondere eine Montagefläche auf, die etwa durch freiliegende Oberflächen der Kontakte
definiert sind. Die Montagefläche des Bauteils kann dabei flach, insbesondere planar, oder auch gekrümmt ausgebildet sein . Der vorgegebene geometrisch nicht-planare Konturverlauf kann dabei durch den Konturverlauf einer Schicht des Bauteils oder durch eine Montagefläche oder eine Verbindungsfläche eines weiteren Bauteils gegeben sein. Die Kontakte zumindest teilweise mit unterschiedlichen vertikalen Höhen sind an einen vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf, etwa an einen Konturverlauf einer nicht-planaren,
insbesondere gekrümmten Oberfläche, angepasst, wenn die
Kontakte Enden aufweisen, deren Oberflächen einen Konturverlauf definieren, der im Wesentlichen denselben vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf
wiedergibt. Dabei können die Enden der Kontakte der
Montagefläche des Bauteils zugewandt oder abgewandt sein. Insbesondere definieren die einen Enden der Kontakte eine ebene Fläche, während die anderen entgegengesetzten Enden der Kontakte eine nicht-planare, insbesondere gekrümmte
Oberfläche definieren. Durch die Kopplung der Höhen der
Kontakte mit deren lateralen Positionen werden mögliche
Deformationen des Bauteils durch den Konturverlauf der
Kontakte kompensiert. Diese Höhenkompensation erlaubt zum Beispiel einer vorgegebenen Kontur einer gebogenen Oberfläche besser zu folgen. Durch die Höhenkompensation ist es auch möglich, dass das Bauteil eine möglichst ebene Montagefläche aufweist. Durch die Höhenkompensation ist zuverlässigere
Verbindung insbesondere am Bauteilrand realisierbar, wodurch größere Ausbeute und robustere Bauteile erzielt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils weist dieses einen Halbleiterkörper auf. Der Halbleiterkörper weist eine erste Halbleiterschicht eines ersten Ladungsträgertyps, eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Ladungsträgertyps und eine dazwischenliegende aktive Schicht auf. Insbesondere ist die aktive Schicht zur Erzeugung oder zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung etwa im sichtbaren,
ultravioletten oder im infraroten Spektralbereich
eingerichtet. Insbesondere sind die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht zu einer Mehrzahl von voneinander lateral beabstandeten Teilregionen des Halbleiterkörpers strukturiert. Zum Beispiel weist der Halbleiterkörper
mindestens 20, mindestens 50, mindestens 100 oder mindestens 1000 solche Teilregionen auf. Die Teilregionen können in Reihen und Spalten angeordnet sein und somit eine Matrixanordnung von lichtemittierenden Pixeln bilden. Mit dem Halbleiterkörper ist das Bauteil insbesondere als
Halbleiterstruktur beziehungsweise als optoelektronisches Bauteil ausgebildet.
Insbesondere ist der Halbleiterkörper derart segmentiert, dass die Teilregionen des Halbleiterkörpers Leuchtpunkte beziehungsweise lichtemittierende Pixel des Bauteils bilden. Die erste Halbleiterschicht kann dabei ebenfalls segmentiert oder nicht segmentiert sein. Beim letzteren Fall können die Teilregionen auf der ersten Halbleiterschicht angeordnet sein, wobei die Teilregionen in lateralen Richtungen
voneinander beabstandet sind und etwa über die erste
Halbleiterschicht miteinander mechanisch verbunden sind.
Insbesondere sind die Teilregionen derart ausgebildet, dass diese individuell elektronisch ansteuerbar sind. Die Kontakte sind insbesondere zur elektrischen Kontaktierung der
Teilregionen eingerichtet. Der Halbleiterkörper weist entlang dessen lateraler Haupterstreckungsflache insbesondere eine
Krümmung auf, die den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf definiert. Der Halbleiterkörper kann auf einem Träger oder auf einem Aufwachssubstrat angeordnet sein, wobei der Träger oder das Aufwachssubstrat eine dem
Halbleiterkörper zugewandte Oberfläche aufweist, die dieselbe Krümmung wie der Halbleiterkörper aufweisen kann. Das Bauteil kann auch frei von einem Aufwachssubstrat sein.
Unter einer lateralen Richtung wird allgemein eine Richtung verstanden, die entlang, insbesondere parallel, zu einer Haupterstreckungsfläche des Bauteils oder des
Halbleiterkörpers verläuft. Unter einer vertikalen Richtung wird demgegenüber eine Richtung verstanden, die quer, insbesondere senkrecht, zu der Haupterstreckungsflache des Bauteils beziehungsweise des Halbleiterkörpers gerichtet ist. Die vertikale Richtung und die laterale Richtung sind somit insbesondere senkrecht zueinander gerichtet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils ist der Halbleiterkörper auf einem Substrat angeordnet. Die erste Halbleiterschicht ist in vertikaler Richtung zwischen dem Substrat und den Teilregionen beziehungsweise der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste Halbleiterschicht kann dabei zusammenhängend und kontinuierlich ausgebildet sein. Die Teilregionen können dabei eine gemeinsame erste Halbleiterschicht aufweisen. In lateraler Richtung sind die Teilregionen etwa durch eine Isolierungsschicht voneinander elektrisch isoliert, sodass die Teilregionen insbesondere individuell und somit unabhängig voneinander ansteuerbar sind. Die zweite Halbleiterschicht ist insbesondere zwischen der Kontaktschicht und der ersten Halbleiterschicht
angeordnet. Die Kontaktstruktur weist bevorzugt eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen auf, die sich von der Kontaktschicht durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zu der ersten Halbleiterschicht erstreckt. Die
Durchkontaktierungen können jeweils seitlich der zugehörigen Teilregionen angeordnet sein. Insbesondere sind die
Teilregionen in lateralen Richtungen durch Trenngräben voneinander beabstandet. Die Durchkontaktierungen und/oder die Isolierungsschicht können zumindest teilweise in
Bereichen der Trenngräben angeordnet sein. Alternativ ist es möglich, dass die Teilregionen allein durch voneinander beabstandete Anschlussschichten definiert sind, wobei die Anschlussschichten zur elektrischen Kontaktierung einer gemeinsamen Halbleiterschicht der Teilregionen eingerichtet sind. Die gemeinsame Halbleiterschicht kann dabei eine vergleichsweise niedrige elektrische Querleitfähigkeit aufweisen, wobei ein Abstand zwischen benachbarten
Anschlussschichten bevorzugt derart groß gewählt wird, dass die Teilregionen jeweils ausschließlich von ihren zugehörigen Anschlussschichten und nicht von benachbarten
Anschlussschichten elektrisch aktivierbar sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils weist dieses eine Treiberkomponente mit einer Mehrzahl von
Transistoren und/oder integrierten Schaltungen auf. Die
Kontakte sind bevorzugt mit der Treiberkomponente elektrisch leitend verbunden und über die Treiberkomponente individuell elektrisch anschließbar beziehungsweise individuell
elektronisch ansteuerbar. Das Bauteil ist insbesondere als Anschlussstruktur oder als Treiberstruktur insbesondere für ein weiteres etwa als Halbleiterstruktur ausgebildetes
Bauteil eingerichtet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils weisen die Kontakte freiliegende Enden auf, wobei die freiliegenden
Enden eine Montagefläche des Bauteils definieren. Bevorzugt sind die Kontakte derart ausgebildet, dass ein mittlerer Abstand von der Montagefläche zu einer Verbindungsfläche weniger als 10 ym, insbesondere weniger als 6 ym oder weniger als 3 ym beträgt. Dabei kann die Verbindungsfläche eine ideale flache Ebene oder eine Fläche mit dem vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf sein. Die
Verbindungsfläche kann jedoch eine Montagefläche eines weiteren Bauteils sein, mit dem weiteren Bauteil das hier beschriebene Bauteil mechanisch und elektrisch verbunden werden soll. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils sind die Kontakte zumindest einer ersten Gruppe von Kontakten und einer zweiten Gruppe von Kontakten zugeordnet. Die Kontakte der ersten Gruppe weisen jeweils einen einstückig
ausgebildeten ersten Abschnitt auf. Die Kontakte der zweiten Gruppe weisen jeweils einen einstückig ausgebildeten zweiten Abschnitt auf. Insbesondere sind die ersten Abschnitte verschiedener Kontakte der ersten Gruppe gleichartig
aufgebaut und weisen eine erste vertikale Schichtdicke auf. Die zweiten Abschnitte verschiedener Kontakte der zweiten Gruppe sind insbesondere gleichartig aufgebaut und weisen eine zweite vertikale Schichtdicke auf. Die erste vertikale Schichtdicke unterscheidet sich bevorzugt von der zweiten vertikalen Schichtdicke, sodass die Kontakte der ersten
Gruppe und die Kontakte der zweiten Gruppe unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen. Die ersten Abschnitte und die zweiten Abschnitte können in einem gemeinsamen
Formierungsvorgang oder in verschiedenen Formierungsvorgängen erzeugt werden. Bei einem Formierungsvorgang werden etwa Lithographie-, Metallisierungs- und Entlackungsschritte durchgeführt .
Unter einem einstückig ausgebildeten Abschnitt wird allgemein ein Abschnitt verstanden, der zusammenhängend und
kontinuierlich ausgebildet ist und in einem einzigen
Verfahrensschritt hergestellt werden kann. Der einstückig ausgebildete Abschnitt ist somit etwa frei von einer inneren Verbindungsschicht und ist bevorzugt durchgängig von
demselben Material gebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils weist die Kontaktstruktur eine Isolierungsschicht mit einer Mehrzahl von Öffnungen auf. Die Öffnungen der Isolierungsschicht sind insbesondere mit den Öffnungen der Kontaktschicht korrespondierend. Mit anderen Worten können die
Isolierungsschicht und die Kontaktschicht gemeinsame
Öffnungen aufweisen.
Die Kontakte der Kontaktstruktur, insbesondere alle Kontakte, weisen jeweils einen einstückig ausgebildeten Abschnitt auf. Die einstückig ausgebildeten Abschnitte der Kontakte befinden sich insbesondere jeweils bereichsweise in den zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht und ragen jeweils
bereichsweise in vertikaler Richtung über die
Isolierungsschicht hinaus. Bevorzugt weisen zumindest einige der einstückig ausgebildeten Abschnitte unterschiedliche vertikale Höhen auf. Insbesondere sind die Abschnitte mit geringeren vertikalen Höhen derart ausgebildet, dass diese in Draufsicht innerhalb der zugehörigen Öffnungen der
Isolierungsschicht angeordnet sind. Zum Beispiel sind die Abschnitte mit größeren vertikalen Höhen derart ausgebildet, dass diese die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht vollständig auffüllen und in Draufsicht einen größeren
Querschnitt aufweisen als die zugehörigen Öffnungen der
IsolierungsSchicht .
Die Abschnitte mit geringeren vertikalen Höhen und die
Abschnitte mit größeren vertikalen Höhen können somit in einem gemeinsamen Verfahrensschritt, etwa während eines einzigen gemeinsamen Formierungsvorgangs, erzeugt werden, wodurch die Abschnitte mit verschiedenen Höhe etwa durch einen einzigen Lithographieschritt und einen einzigen
Abscheidungsvorgang erzeugt werden können. Insbesondere können diese Abschnitte aus demselben Material ausgebildet sein. Beispielsweise werden solche Abschnitte in einem gemeinsamen Abscheidungsvorgang ausgebildet. Dadurch, dass einige der Abschnitte die zugehörigen Öffnungen der
Isolierungsschicht vollständig auffüllen und seitlich über die zugehörigen Öffnungen hinausragen, können sie im
Vergleich zu den Abschnitten, die die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht nicht vollständig auffüllen, das heißt einen seitlichen Abstand zu inneren Wänden der Öffnungen aufweisen, auch in einem gemeinsamen Formierungsvorgang höher ausgebildet werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils weisen zumindest einige der Kontakte eine oder eine Mehrzahl von Abstandsschichten auf, wobei eine Anpassung der
Höhenverteilung der Kontakte an einen vorgegebenen
geometrisch nicht-planaren Konturverlauf durch verschiedene Anzahl von Abstandsschichten der jeweiligen Kontakte
realisiert ist. Insbesondere können die Abstandsschichten zwischen der Kontaktschicht und dem Halbleiterkörper
angeordnet sein. Die Abstandsschichten können unter Umständen hinsichtlich Ätzselektivitäten, Haftung, Reflektivität im Chipprozess als funktionelle Schichten, etwa als
Spiegelschichten und/oder als Barriereschichten und zugleich als Höhenausgleichsschichten ausgebildet werden. Somit kann möglicher Zusatzaufwand für deren Implementierung reduziert werden. Mit einer Abstandsschicht können zwei Höhenniveaus für die Kontaktstruktur, insbesondere für die Kontakte, erzeugt werden. Bei etwa zwei prozesstechnisch unabhängigen, insbesondere abgeschiedenen Abstandsschichten können bis zu vier unterschiedliche Höhenniveaus erzeugt werden, zum
Beispiel wenn die Abstandsschichten teilweise übereinander angeordnet sind. Die Abstandsschichten sind insbesondere metallisch ausgebildet und weisen bevorzugt jeweils zumindest ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Bauelements weist dieses ein hier beschriebenes Bauteil auf. Die Kontakte der Kontaktstruktur des Bauteils oder des Bauelements können jeweils mehrstückig ausgebildet sein und jeweils einen ersten Teilbereich und einen zweiten Teilbereich aufweisen. Der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich der jeweiligen Kontakte können mittels eines Verbindungsmaterials
miteinander mechanisch und elektrisch verbunden werden. Zum Beispiel sind die ersten Teilbereiche der Kontakte zwischen dem Halbleiterkörper und den zweiten Teilbereichen der
Kontakte angeordnet. Insbesondere ist das Bauelement ein optoelektronisches Bauelement.
Gemäß zumindest einer Ausgestaltungsform weisen zumindest einige der ersten Teilbereiche unterschiedliche vertikale Höhen auf, sodass eine Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte an den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren
Konturverlauf ausschließlich durch die ersten Teilbereiche der Kontakte realisiert ist. Alternativ oder ergänzend ist es auch möglich, dass einige der zweiten Teilbereiche
unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen, sodass eine
Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte an den
vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf
ausschließlich durch die zweiten Teilbereiche der Kontakte beziehungsweise sowohl durch die ersten als auch durch die zweiten Teilbereiche der Kontakte realisiert ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauteils sind die Kontakte einer ersten Gruppe von Kontakten und einer zweiten Gruppe von Kontakten zugeordnet, wobei sich die Kontakte der ersten Gruppe hinsichtlich deren Materials, etwa im Hinblick auf deren Duktilität oder auf deren Schmelzpunkt, von den Kontakten der zweiten Gruppe unterscheiden. Insbesondere sind die Kontakte der ersten Gruppe randseitig zu den Kontakten der zweiten Gruppe angeordnet. Die Kontakte der zweiten
Gruppe sind somit etwa zentral zu den Kontakten der ersten Gruppe angeordnet. In lateralen Richtungen können die
Kontakte der zweiten Gruppe von den Kontakten der ersten Gruppe umgeben sein. Zum Beispiel weisen die Kontakte der ersten Gruppe im Vergleich zu den Kontakten der zweiten
Gruppe eine höhere Duktilität und/oder niedrigeren
Schmelzpunkt auf, oder umgekehrt. Die Kontakte können hinsichtlich deren Durchmesser derart ausgebildet sein, dass ein Querschnitt der Kontakte von einem zentralen Bereich bis zu einem Randbereich oder zu allen Randbereichen des Bauteils hin variiert, insbesondere monoton varriert. Die Kontakte der ersten Gruppe und die Kontakte der zweiten Gruppe können dabei unterschiedliche Querschnitte aufweisen. Es ist möglich, dass die Kontakte einer Gruppe denselben Querschnitt aufweisen. Zum Beispiel weisen die Kontakte der ersten Gruppe größere Querschnitte auf als die Kontakte der zweiten Gruppe oder umgekehrt. Die Kontakte können hinsichtlich deren vertikalen Höhe derart ausgebildet sein, dass die vertikale Höhe der Kontakte von einem
zentralen Bereich bis zu einem Randbereich oder zu allen Randbereichen des Bauteils hin variiert, insbesondere monoton varriert. Auch können die Kontakte ein Muster bilden, das sich entlang einer lateralen Richtung mehrfach wiederholt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Bauelements weist dieses ein hier beschriebenes Bauteil auf, wobei das Bauteil Kontakte jeweils mit einem ersten und einem zweiten
Teilbereich aufweist. Insbesondere sind die ersten
Teilbereiche und die zweiten Teilbereiche der jeweiligen Kontakte mittels eines Verbindungsmaterials miteinander mechanisch und elektrisch verbunden. Die Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte des Bauelements an den
vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf kann ausschließlich durch die ersten Teilbereiche oder
ausschließlich durch die zweiten Teilbereiche oder teilweise durch die ersten Teilbereiche und teilweise durch die zweiten Teilbereiche der Kontakte realisiert sein. Das Bauelement kann dabei das als Halbleiterstruktur ausgebildete Bauteil mit einer Kontaktstruktur aufweisen, die die ersten
Teilbereiche der Kontakte des Bauelements enthält. Des
Weiteren kann das Bauelement ein weiteres etwa als
Anschlussstruktur oder als Treiberkomponente ausgebildetes Bauteil aufweisen, wobei das weitere Bauteil eine
Kontaktstruktur aufweist, die die zweiten Teilbereiche der Kontakte des Bauelements enthält. Das Bauelement kann somit ein hier beschriebenes Bauteil und ein weiteres Bauteil aufweisen, wobei die Kontaktstrukturen der Bauteile mittels eines Verbindungsmaterials miteinander verbunden sind.
Insbesondere ist das Bauelement als lichtemittierendes
Bauelement mit einer Mehrzahl von Leuchtpunkten ausgebildet.
Die Leuchtpunkte des Bauelements können durch die
Teilregionen des Halbleiterkörpers angegeben sein.
Insbesondere sind die Leuchtpunkte und/oder Gruppen von
Leuchtpunkten individuell elektronisch ansteuerbar. Das Bauelement oder ein Bauteil des Bauelements ist insbesondere als LED-Lichtquelle für einen Scheinwerfer, etwa für einen
KFZ-Scheinwerfer, ausgebildet.
Gemäß zumindest eines Verfahrens zur Herstellung eines hier beschriebenen Bauteils, bei dem die Kontakte jeweils einen einstückig ausgebildeten Abschnitt aufweisen, werden die Kontakte durch Lithographie und durch Abscheidungsverfahren ausgebildet. Der einstückig ausgebildete Abschnitt kann auch Teil einer Abstandschicht sein. Die einstückig ausgebildeten Abschnitte verschiedener Kontakte, die in einem gemeinsamen Abscheidungsvorgang ausgebildet werden, können gleichartig aufgebaut sein, etwa gleiches Material aufweisen, und gleiche vertikale oder auch unterschiedliche vertikale Höhen
aufweisen. Es ist möglich, dass verschiedene Kontakte oder verschiedene Abschnitte der verschiedenen Kontakte in
verschiedenen Abscheidungsvorgängen ausgebildet werden. Zum Beispiel werden Kontakte einer ersten Gruppe zumindest teilweise während eines ersten Abscheidungsvorgangs erzeugt und Kontakte einer zweiten Gruppe zumindest teilweise in einem von dem ersten Abscheidungsvorgang verschiedenen zweiten Abscheidungsvorgang ausgebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauteils werden die Kontakte der ersten Gruppe und die Kontakte der zweiten Gruppe zumindest
teilweise in einem gemeinsamen Abscheidungsvorgang
ausgebildet. Die Kontakte der ersten Gruppe können einstückig ausgebildete erste Abschnitte aufweisen. Die Kontakte der zweiten Gruppe können einstückig ausgebildete zweite
Abschnitte aufweisen. Die ersten und die zweiten Abschnitte können in einem gemeinsamen Abscheidungsvorgang derart ausgebildet werden, dass die ersten Abschnitte in Draufsicht innerhalb von zugehörigen Öffnungen einer Isolierungsschicht ausgebildet werden. Die zweiten Abschnitte können derart ausgebildet werden, dass diese die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht vollständig auffüllen und in Draufsicht einen größeren Querschnitt aufweisen als die zugehörigen Öffnungen, sodass die zweiten Abschnitte im Vergleich zu den ersten Abschnitten erhöhte Bereiche in der vertikalen
Richtung aufweisen. Insbesondere weisen die erhöhten Bereiche der Kontakte eine vertikale Höhe auf, die der vertikalen Schichtdicke der Isolierungsschicht entspricht oder im
Wesentlichen identisch mit der vertikalen Schichtdicke der Isolierungsschicht ist. Somit können gleichartige, einstückig ausgebildete Abschnitte mit unterschiedlichen vertikalen Höhen in einem gemeinsamen Formierungsvorgang erzeugt werden.
Das oben beschriebene Verfahren ist für die Herstellung eines vorstehend beschriebenen Bauteils beziehungsweise eines vorstehend beschriebenen Bauelements besonders geeignet. Die im Zusammenhang mit dem Bauteil oder mit dem Bauelement beschriebenen Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und
Weiterbildungen des Bauteils oder des Bauelements sowie des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 9 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen :
Figur 1A ein Ausführungsbeispiel für ein Bauteil in
schematischer Schnittansicht,
Figur 1B eine schematische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels für ein Bauteil in Draufsicht, Figur IC ein Ausführungsbeispiel für ein Bauelement in schematischer Schnittansicht,
Figur 2A ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Bauteil in schematischer Schnittansicht,
Figur 2B eine schematische Darstellung eines weiteren
Ausführungsbeispiels für ein Bauteil in Draufsicht, Figur 2C ein Ausführungsbeispiel für ein weiteres Bauelement in schematischer Schnittansicht,
Figur 3A ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Bauteil beziehungsweise Bauelement in schematischer Schnittansicht,
Figur 3B eine schematische Darstellung eines weiteren
Ausführungsbeispiels für ein Bauteil in Draufsicht, Figur 4A ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Bauteil beziehungsweise Bauelement in schematischer Schnittansicht,
Figur 4B eine schematische Darstellung eines weiteren
Ausführungsbeispiels für ein Bauteil in Draufsicht,
Figur 5A ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Bauteil beziehungsweise Bauelement in schematischer Schnittansicht,
Figur 5B eine schematische Darstellung eines weiteren
Ausführungsbeispiels für ein Bauteil in Draufsicht,
Figur 6 ein Ausführungsbeispiel für ein weiteres Bauteil in schematischer Schnittansicht, Figur 7 ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Bauteil beziehungsweise Bauelement in schematischer Schnittansicht, und
Figuren 8 und 9 weitere Ausführungsbeispiele für ein Bauteil in schematischen Schnittansichten.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur
Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt werden.
Ein Ausführungsbeispiel für ein Bauteil 10 ist in Figur 1A in Schnittansicht schematisch dargestellt. In Figur 1B ist das in der Figur 1A dargestellte Bauteil 10 in Draufsicht auf eine Verbindungsfläche ZZ' schematisch dargestellt. Das
Bauteil 10 weist einen Träger 1 und einen auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper 2 auf. Der Träger 1 kann ein Aufwachssubstrat sein, auf dem der Halbleiterkörper 2 etwa schichtenweise epitaktisch aufgewachsen wird. Der Träger 1 kann jedoch verschieden von einem Aufwachssubstrat oder ein heruntergeschliffenes Aufwachsubstrat sein. Zum Beispiel ist der Träger 1 ein Silizium- oder ein Saphirsubstrat. Das
Bauteil 10 weist auf einer dem Träger 1 abgewandten
Oberfläche des Halbleiterkörpers 2 eine Kontaktstruktur 3 beziehungsweise 3U auf. Zwischen der Kontaktstruktur 3 und dem Halbleiterkörper 2 sind Anschlussschichten 30 angeordnet. Die Anschlussschichten 30 sind insbesondere lateral
beabstandet. Die Anschlussschichten 30 definieren
insbesondere eine Mehrzahl von Pixeln, die durch Teilregionen 20 des Halbleiterkörpers 2 gebildet sind. Insbesondere sind die Anschlussschichten 30 silberhaltig. Alternativ können die Anschlussschichten 30 Aluminium, Rhodium oder ein
transparentes elektrisch leitfähiges Oxid wie Indiumzinnoxid (ITO) aufweisen. Das Bauteil 10 ist insbesondere eine
Halbleiterstruktur. Insbesondere ist das Bauteil 10 frei von einem Aufwachssubstrat .
Der Halbleiterkörper 2 weist eine erste Halbleiterschicht 21, eine zweite Halbleiterschicht 22 und eine zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht 23 auf. Die erste Halbleiterschicht 21 und die zweite
Halbleiterschicht 22 sind insbesondere n- beziehungsweise p- leitend ausgebildet und können n- oder p-dotiert sein.
Bevorzugt ist die erste Halbleiterschicht 21 n-leitend ausgebildet. Die aktive Schicht 23 ist insbesondere zur
Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Bevorzugt weist der Halbleiterkörper 2 ein III-V- oder II-VI- Halbleitermaterial auf oder besteht aus diesem.
Der Halbleiterkörper 2 kann zu einer Mehrzahl von
Teilregionen 20 strukturiert sein. Insbesondere wird eine Mehrzahl von Trenngräben durch die zweite Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 hindurch in die erste
Halbleiterschicht 21 erzeugt, sodass die Teilregionen 20 durch die Trenngräben voneinander lateral beabstandet sind. Die erste Halbleiterschicht 21 kann dabei zusammenhängend und kontinuierlich und somit frei von Öffnungen ausgebildet sein. Die Teilregionen 20 sind somit jeweils auf der ersten
Halbleiterschicht 21 angeordnet. Alternativ ist es möglich, dass die Teilregionen 20 allein durch voneinander
beabstandete Anschlussschichten 30 definiert sind, wobei die Anschlussschichten 30 zur elektrischen Kontaktierung der gemeinsamen Halbleiterschicht 21 der Teilregionen 20
eingerichtet sind. Die gemeinsame Halbleiterschicht 21 kann dabei eine niedrigere elektrische Querleitfähigkeit als die zweite Halbleiterschicht 22 aufweisen, wobei ein Abstand zwischen benachbarten Anschlussschichten 30 bevorzugt derart groß gewählt wird, dass die Teilregionen 20 jeweils
ausschließlich von ihren zugehörigen überdeckenden
Anschlussschichten 30 und nicht von benachbarten
Anschlussschichten 30 elektrisch aktivierbar sind. Als eine weitere Alternative können die Teilregionen 20 derart ausgebildet sein, dass jede der Teilregionen 20 eine separate erste Halbleiterschicht 21, eine separate zweite
Halbleiterschicht 22 und eine zwischen den
Halbleiterschichten angeordnete separate aktive Schicht 23 aufweisen.
Die Teilregionen 20 sind etwa als separat aktivierbare
Leuchtpunkte beziehungsweise als separat aktivierbare Pixel des Bauteils 10 ausgebildet, die individuell oder
gruppenweise ansteuerbar sind. Das Bauteil 10 ist
insbesondere eine LED-Lichtquelle. Das Bauteil 10 kann mehr als 20, mehr als 50, mehr als 100 oder mehr als 1000 solche Teilregionen 20 aufweisen. Zum Beispiel beträgt die Anzahl der Teilregionen 64, 256 oder 1024. Das Bauteil weist eine laterale Länge oder Breite auf, die mindestens 1 mm, 2mm oder mindestens 4 mm betragen kann. Die Teilregionen 20 sind über die Anschlussschichten 30 mit der Kontaktstruktur 3
elektrisch leitend verbunden. Über die Kontaktstruktur 3 können die Teilregionen 20 individuell oder gruppenweise ansteuerbar ausgebildet sein.
Wie in der Figur 1A dargestellt weist der Halbleiterkörper 2 entlang dessen lateraler Haupterstreckungsfläche 201 eine Krümmung auf. Insbesondere ist die Krümmung des
Halbleiterkörpers 2 auf mechanische beziehungsweise auf thermomechanische Verspannungen im Bauteil 10 zurückzuführen. Insbesondere grenzt der Halbleiterkörper 2 direkt an den Träger 1 an. Der Träger 1 weist eine dem Halbleiterkörper 2 abgewandte erste Hauptfläche 11 und eine dem Halbleiterkörper 2 zugewandte zweite Hauptfläche 12 auf. Sowohl die erste Hauptfläche 11 als auch die zweite Hauptfläche 12 sind gekrümmt. Insbesondere weisen die zweite Hauptfläche 12 des Trägers und die Haupterstreckungsfläche 201 des Halbleiterkörpers 2 dieselbe Krümmung beziehungsweise
denselben Krümmungsradius auf. Das Bauteil 10 weist eine Strahlungsdurchtrittsflache 101 auf, wobei die
Strahlungsdurchtrittsflache 101 durch die erste Hauptfläche 11 des Trägers 1 gebildet ist. Insbesondere ist der Träger 1 strahlungsdurchlässig ausgebildet. Die
Strahlungsdurchtrittsfläche 101 dient insbesondere als
Strahlungseintrittsfläche des Bauteils 10. Der Träger 1 ist insbesondere elektrisch isolierend ausgebildet.
Die Kontaktstruktur 3 weist eine Kontaktschicht 31 auf, die insbesondere zusammenhängend ausgebildet ist und eine
Mehrzahl von Öffnungen aufweist. Die Kontaktschicht 31 kann ein Metall wie Ag oder Au oder Cu oder Zn aufweisen. Über Durchkontaktierungen 33, die sich in vertikaler Richtung von der Kontaktschicht 31 durch eine Isolierungsschicht 4
hindurch zu der ersten Halbleiterschicht 21 erstrecken, kann die Kontaktschicht 31 mit der ersten Halbleiterschicht 21 elektrisch leitend verbunden werden. Die Isolierungsschicht 4 ist somit zwischen der Kontaktschicht 31 und dem
Halbleiterkörper 2 angeordnet, wobei sich die
Isolierungsschicht 4 bereichsweise durch die zweite
Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 hindurch zur ersten Halbleiterschicht 21 erstreckt. Die Isolierungsschicht 4 füllt somit die Öffnungen zwischen den Teilregionen 20 auf. Sind die Öffnungen als Trenngräben ausgebildet, können die Teilregionen 20 voneinander und von den Durchkontaktierungen 33 durch die Isolierungsschicht 4 elektrisch isoliert sein. Abweichend von der Figur 1A, in der die Durchkontaktierungen 33 jeweils etwa mittig zwischen zwei Anschlussschichten 30 also zwischen zwei möglichen Pixeln angeordnet sind, können die Durchkontaktierung 30 jeweils an einem Eckbereich einer Anschlusschicht 30, also an einem Eckbereich eines Pixels angeorndnet sein.
Die Kontaktstruktur 3 weist eine Mehrzahl von Kontakten 32 auf. Die Kontakte 32 sind zur elektrischen Kontaktierung der Teilregionen 20, insbesondere der zweiten Halbleiterschichten 22 der Teilregionen eingerichtet und erstrecken sich in der vertikalen Richtung durch die gemeinsamen Öffnungen der
Kontaktschicht 31 und der Isolierungsschicht 4 hindurch zu den Anschlussschichten 30. Zum Beispiel weisen die Kontakte
32 jeweils ein Metall wie Ag oder Au oder Cu oder Zn auf. Die Anschlussschichten 30 grenzen insbesondere an die zweiten Halbleiterschichten 22 der Teilregionen 20 an. Insbesondere sind die Anschlussschichten 30 nicht Teil der Kontaktstruktur und/oder tragen zur Anpassung der Höhenverteilung der
Kontakte 32 nicht bei. Die Anschlussschichten 30 weisen insbesondere dieselbe vertikale Höhe auf. Über die Kontakte
32 und die Kontaktschicht 31 sowie die Durchkontaktierungen
33 können der Halbleiterkörper 2 mit den Teilregionen 20 extern, das heißt mit einer externen Spannungsquelle,
elektrisch kontaktiert werden. Die Kontakte 32 oder die
Anschlussschichten 30 sind insbesondere lateral voneinander beabstandet, sodass die Teilregionen 20 individuell
ansteuerbar sind. Es ist auch möglich, dass die
Anschlussschichten 30 gruppenweise im elektrischen Kontakt stehen, sodass die Teilregionen 20 gruppenweise elektronisch ansteuerbar sind.
Das Bauteil 10 weist eine freiliegende Montagefläche ZZ λ auf, wobei die freiliegende Montagefläche ZZ λ des Bauteils 10 durch freiliegende Enden der Kontakte 32 definiert sind.
Aufgrund der Krümmung des Halbleiterkörpers 2 und/oder des Trägers 1 kann das Bauteil 10 eine gekrümmte Montagefläche aufweisen, die von einer idealen planen Verbindungsfläche abweicht. Um die Krümmung des Halbleiterkörpers 2
beziehungsweise des Trägers 1 zu kompensieren und eine möglichst plane Montagefläche ZZ λ zu erzielen, sind die Kontakte 32 hinsichtlich deren unterschiedlicher Höhen und deren Positionen derart ausgebildet, dass eine
Höhenverteilung der Kontakte 32 an die Krümmung des
Halbleiterkörpers 2 angepasst ist. In der Figur 1A sind die Kontakte 32 in zumindest zwei
Gruppen von Kontakten 32 aufgeteilt. Eine erste Gruppe enthält Kontakte 32 jeweils mit einem ersten Abschnitt 32A der Höhe A. Eine zweite Gruppe enthält Kontakte 32 jeweils mit einem zweiten Abschnitt 32B. Die Kontakte 32 mit den zweiten Abschnitten 32B weisen eine größere Höhe auf als die Kontakte 32 mit den ersten Abschnitten 32A. Dabei können die Abschnitte 32A und 32B jeweils einstückig ausgebildet sein. Die ersten Abschnitte 32A können gleiche vertikale Höhen aufweisen und in einem gemeinsamen Verfahrensschritt
ausgebildet sein. Die zweiten Abschnitte 32B können in einem gemeinsamen Verfahrensschritt hergestellt werden und gleiche vertikale Höhen aufweisen. Insbesondere werden die ersten Abschnitte 32A und die zweiten Abschnitte 32B in
unterschiedlichen Verfahrensschritten ausgebildet, wodurch die Höhendifferenz und die Materialzusammensetzung der
Abschnitte 32A und 32B frei gewählt werden kann. Durch
Stapeln eines Abschnitt 32A auf einem anderen Abschnitt 32B kann ein weiteres Höhenniveau oder eine weitere Kontakthöhe erzielt werden. Die Anpassung der Höhenverteilung der
Kontakte 32 an die Krümmung des Halbleiterkörpers 2 kann ausschließlich oder teilweise durch die ersten Abschnitte 32A und die zweiten Abschnitte 32B realisiert sein. Abweichend von der Figur 1A können die Kontakte 32 in mehr als zwei Gruppen gleicher oder Kontakte 32 aufgeteilt sein.
In der Figur 1A ist die Montagefläche ZZ' des Bauteils 10 durch gestrichelte Linie schematisch dargestellt, die eben ausgebildet ist. Insbesondere kann ein mittlerer Abstand von der Montagefläche ZZ' zu einer Verbindungsfläche, die etwa eine ideale flache Ebene oder eine Fläche mit dem
vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf ist, weniger als 10 ym, etwa weniger als 5 ym oder weniger als 3 ym pro Millimeter Bauteillänge, betragen. Dadurch kann erzielt werden, dass jeder der Kontakte 32 zuverlässig mit einem der externen Kontaktpunkte elektrisch und mechanisch verbunden werden können. Wie in der Figur 1A dargestellt, kann die Kontaktschicht 31 im Vergleich zu den Kontakten 32 bereichsweise einen größeren Abstand zu einer idealen
Verbindungsfläche aufweisen. Dies ist jedoch weniger
kritisch, da die Kontaktschicht 31 zusammenhängend
ausgebildet ist, sodass eine zuverlässige elektrische beziehungsweise mechanische Verbindung bereits dadurch realisiert ist, wenn andere Teilbereiche der Kontaktschicht 31 einen verringerten Abstand zu der idealen
Verbindungsfläche aufweisen. Wird das Bauteil 10 außerdem mittels einer Verbindungssschicht etwa mit einer
Anschlussstruktur mechanisch und elektrisch verbunden, weist die Verbindungsschicht aufgrund deren Materialverteilung oft eine erhöhte Schichtdicke zum Rand auf. Randseitige
Teilbereiche der Kontaktschicht 31 können daher im Vergleich zu zentral angeordneten Teilbereichen der Kontaktschicht 31 einen größeren Abstand zu der idealen Verbindungsfläche aufweisen. Abweichend von der Figur 1A kann die
Kontaktschicht 31 auch derart ausgebildet sein, dass diese analog zu den Kontakten 32 an den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf, etwa an die Krümmung des
Halbleiterkörpers 2, angepasst ist.
Gemäß Figur 1A ist die Kontaktschicht 31 einer ersten
elektrischen Polarität des Bauteils 10 zugeordnet, während die Kontakte 32 einer zweiten elektrischen Polarität des Bauteils 10 zugeordnet sind. Die Kontakte 32 sind jeweils in einer gemeinsamen Öffnung der Kontaktschicht 31 und der
Isolierungsschicht 4 angeordnet. In lateralen Richtungen sind Zwischenbereiche 34 zwischen der Kontaktschicht 31 und den Kontakten 32 ausgebildet. Diese Zwischenbereiche 34 können mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial aufgefüllt werden, das in Figur 1A nicht dargestellt ist. In Figur 1B ist das Bauteil 10 in Draufsicht dargestellt. Die Kontaktschicht 31 ist zusammenhängend ausgebildet und weist eine Gitterstruktur mit Öffnungen auf, wobei sich die
Kontakte 32 durch die Öffnungen der Kontaktschicht 31 hindurch erstrecken. Insbesondere sind die Kontakte 32 jeweils einem der Teilregionen 20 zugeordnet. Die Kontakte 32 sind zwei Gruppen von Kontakten zugeordnet, wobei die erste Gruppe Kontakte 32 mit den ersten Abschnitten 32A und die zweite Gruppe Kontakte mit den Abschnitten 32B aufweist. Die Kontakte 32 der ersten Gruppe sind nebeneinander und zentral angeordnet, während die Kontakte 32 der zweiten Gruppe randseitig angeordnet sind und die Kontakte 32 der ersten Gruppe allseitig umgeben.
In der Figur 1B sind Zwischenbereiche 34 beziehungsweise Füllmaterial 34 und/oder Isolierungsschicht 4 zwischen der Kontaktschicht 31 und den Kontakten 32 durch gestrichelte Linien schematisch dargestellt. Alle Kontakte 32 weisen einen im Wesentlichen gleich großen Querschnitt auf. Im Unterschied hierzu ist es möglich, dass die Kontakte 32 hinsichtlich deren Durchmesser von einem zentralen Bereich zu einem
Randbereich des Bauteils 10 hin variieren. Zum Beispiel können die Kontakte 32 mit den zweiten Abschnitten 32B einen größeren Querschnitt aufweisen als die Kontakte 32 mit den ersten Abschnitten 32A oder umgekehrt. In Draufsicht sind die ersten Abschnitten 32A und die zweiten Anschnitten 32B beziehungsweise die Kontakte 32 jeweils auf einer
Anschlussschicht 30 angeorndet. Die Kontakte 32 mit den
Abschnitten 32A und die Kontakte 32 mit den Abschnitten 32B können aus demselben Material oder aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet sein. Zum Beispiel können die
Kontakte 32 mit den Abschnitten 32B ein Material aufweisen oder aus einem Material bestehen, das eine höhere Duktilität und/oder niedrigeren Schmelzpunkt aufweist als ein Material der Kontakte 32 mit den Abschnitten 32A oder umgekehrt.
In Figur IC ist ein Bauelement 100 dargestellt. Das
Bauelement 100 weist ein Bauteil 10 gemäß Figur 1A auf. Das Bauteil 10 ist an der Montagefläche ZZ' insbesondere mittels einer Verbindungsschicht, etwa einer Lotschicht, mit einem weiteren Bauteil 90 mechanisch und elektrisch verbunden. Das weitere Bauteil 90 kann als Anschlussstruktur oder als
Treiberkomponente ausgebildet sein. Das weitere Bauteil 90 weist eine Anschlussplatte 9 mit einer im Wesentlichen ebenen Vorderseite 91 und eine darauf angeordnete Kontaktstruktur 3D auf, wobei die Kontaktstruktur 3D einen korrespondierenden Aufbau zu der Kontaktschicht 3U des als Halbleiterstruktur ausgebildeten Bauteils 10 aufweist. Die Kontaktstruktur 3D des weiteren Bauteils 90 weist eine Kontaktschicht 31Z und
Kontakte 32Z auf mit einer Montagefläche ZZ' auf. Die ideale Verbindungsfläche zwischen den Bauteilen 10 und 90 ist etwa durch vollständig überlappende Bereiche der Montageflächen ZZ' definiert. Das als Halbleiterstruktur ausgebildete
Bauteil 10 und das als Anschlussstruktur beziehungsweise als Treiberkomponente ausgebildete Bauteil 90 weisen jeweils eine eben ausgebildete Montagefläche ZZ' auf, wodurch eine sichere und zuverlässige mechanische sowie elektrische Verbindung zwischen den Bauteilen 10 und 90 vereinfacht realisierbar ist. Es kann dadurch erzielt werden, dass jeder der Kontakte 32 mit den Abschnitten 32A oder den Abschnitten 32B
zuverlässig mit einem korrespondierenden Abschnitt 23Z der Kontaktstruktur 3D des weiteren Bauteils 90 verbunden wird.
Das in der Figur IC dargestellte Bauelement 100 weist somit eine Kontaktstruktur 3 auf, die aus den Kontaktstrukturen 3U und 3D der Bauteile 10 und 90 ausgebildet ist. Die
Kontaktstruktur 3 des Bauelements 100 weist eine Mehrzahl von Kontakten 32 auf, die jeweils mehrstückig ausgebildet sind. Insbesondere weisen die Kontakte 32 jeweils einen ersten Teilbereich 321 und einen zweiten Teilbereich 322 auf, wobei der erste Teilbereich 321 und der zweite Teilbereich 322 der jeweiligen Kontakte 32 etwa mittels eines
Verbindungsmaterials miteinander mechanisch und elektrisch verbunden sind. Der erste Teilbereich 321 weist den ersten Abschnitt 32A oder den zweiten Abschnitt 32B auf und ist dem als Halbleiterstruktur ausgebildeten Bauteil 10 zugehörig. Der zweite Teilbereich 322 des jeweiligen Kontakts 32 der
Kontaktstruktur 3 des Bauelements 100 weist einen Abschnitt 32Z auf und ist dem weiteren Bauteil 90 zugehörig ist. Nach dem Verbinden des Bauteils 10 mit dem weiteren Bauteil 90 weist das Bauelement 100 somit weiterhin eine Kontaktstruktur 3 auf, die eine Mehrzahl von Kontakten 32 mit
unterschiedlichen vertikalen Höhen enthält. In der Figur IC ist die Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte 32 der Kontaktstruktur 3 des Bauelements 100 an den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf ausschließlich durch die ersten Teilbereiche 321 der Kontakte 32 realisiert.
Abweichend von der Figur IC ist es möglich, dass die
Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte 32 ausschließlich durch die zweiten Teilbereiche 322 oder teilweise durch die zweiten Teilbereiche 322 und teilweise durch die ersten
Teilbereiche 321 realisiert ist.
Die in der Figur IC dargestellte Anschlussplatte kann als Treiberkomponente für die Teilregionen 20 des
Halbleiterkörpers 2 ausgebildet sein. Zum Beispiel ist es möglich, dass eine Mehrzahl von Transistoren und/oder
integrierten Schaltungen in die Anschlussplatte 9 integriert ist, sodass die Teilregionen 20 insbesondere über die
Kontakte 32 mit der Treiberkomponente elektrisch verbunden und über die Treiberkomponente elektronisch individuell ansteuerbar sind.
In Figur 2A ist ein Bauteil 90 mit einer Kontaktstruktur 3 beziehungsweise 3D dargestellt. Das Bauteil 90 weist eine Anschlussplatte 9 beziehungsweise eine Treiberkomponente 9 mit einer Mehrzahl von Transistoren und/oder integrierten Schaltungen auf, wobei die Kontakte 32 der Kontaktstruktur 3D mit der Anschlussplatte 9 beziehungsweise mit der
Treiberkomponente elektrisch verbunden und über die
Treiberkomponente elektronisch individuell ansteuerbar sind. Strukturell entspricht die in der Figur 2A dargestellte
Kontaktstruktur 3D im Wesentlichen der in der Figur 1A dargestellten Kontaktstruktur 3U. In der Figur 1A sind die Kontakte 32 auf einem gekrümmten Halbleiterkörper 2
ausgebildet und weisen freiliegende, dem Halbleiterkörper 2 abgewandte Enden auf, die eine ebene Montagefläche ZZ' des Bauteils 10 definieren. Im Gegensatz hierzu sind die in der Figur 2A dargestellten Kontakte 32 der Kontaktstruktur 3D auf einer im Wesentlichen ebenen Vorderseite 91 der
Anschlussplatte 9 ausgebildet, wobei die Kontakte 32 der Kontaktstruktur 3D freiliegende Enden aufweisen, die eine Montagefläche ZZ' des Bauteils 90 definieren, welche nicht- planar ist und insbesondere den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf definiert.
In Figur 2B ist das Bauteil 90 mit der Kontaktstruktur 3D mit der Kontaktschicht 31 und den Kontakten 32 mit den
Abschnitten 32A und 32B in Draufsicht dargestellt. Die
Kontaktstruktur 3D des Bauteils 90 entspricht im Wesentlichen der in der Figur 1B dargestellten Kontaktstruktur 3 des als Halbleiterstruktur ausgebildeten Bauteils 10.
Das in der Figur 2C dargestellte Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur IC dargestellten
Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100. Im Unterschied hierzu weist das Bauelement 100 in Figur 2C das in der Figur 2A dargestellte als Anschlussstruktur beziehungsweise als
Treiberkomponente ausgebildete Bauteil 90 auf. Des Weiteren ist die Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte 32 der Kontaktstruktur 3 an den vorgegebenen geometrisch nicht- planaren Konturverlauf ausschließlich durch die zweiten
Teilbereiche 322 der Kontakte 32 realisiert. Die ersten
Teilbereiche 321 der Kontakte 32 können gleiche vertikale Höhen aufweisen, wobei die ersten Teilbereiche 321 jeweils insbesondere aus einem einstückig ausgebildeten Abschnitt 32Z ausgebildet sind. Die einstückig ausgebildeten Abschnitte 32Z in der Figur 2C oder in der Figur IC können eine gleiche vertikale Höhe aufweisen und in einem gemeinsamen
Verfahrensschritt hergestellt werden. In der Figur 2C weisen sowohl das als Anschlussstruktur ausgebildete Bauteil 90 als auch das als Halbleiterstruktur ausgebildete Bauteil 10 eine gekrümmte Montagefläche ZZ' auf, wobei die gekrümmte Montagefläche ZZ' die Krümmung des
Halbleiterkörpers oder des Trägers 1 wiederspiegelt. Die ideale Verbindungsfläche zwischen den Bauteilen 10 und 90 ist etwa durch vollständig überlappende Bereiche der
Montageflächen ZZ' definiert. Die Kontaktstruktur 3 des
Bauelements 100 weist weiterhin einzelne Kontakte 32
zumindest teilweise mit unterschiedlichen vertikalen Höhen auf, wobei die Kontakte 32 hinsichtlich deren
unterschiedlicher Höhen und deren Positionen derart
ausgebildet sind, dass eine Höhenverteilung der Kontakte 32 an einen vorgegebenen geometrisch nicht-planaren
Konturverlauf, nämlich an der Krümmung des Halbleiterkörpers 2 und/oder des Trägers 1, angepasst ist.
Das in der Figur 3A dargestellte Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur IC dargestellten
Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100. Im Unterschied hierzu sind die Abschnitte 32B des Bauteils 10, die im
Vergleich zu den Abschnitten 32A größere vertikale Höhen aufweisen, derart ausgebildet, dass diese die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht 4 vollständig auffüllen und in Draufsicht einen größeren Querschnitt aufweisen als die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht 4, sodass die Abschnitte 32B seitlich über die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht 4 lateral hinausragen. Die Abschnitte 32A und 32B können jeweils einstückig ausgebildet sein und werden bevorzugt in einem gemeinsamen Verfahrensschritt hergestellt. Insbesondere werden die Abschnitte 32A und 32B in einem gemeinsamen Abscheidungsvorgang erzeugt, wodurch sich die Abschnitte 32B von den Abschnitten 32A um eine vertikale Höhe unterscheiden, die im Wesentlichen durch die Tiefe der zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht 4 gegeben ist. Die Abschnitte 32B können jeweils eine Öffnung aufweisen, die eine Kontur der zugehörigen Öffnung der Isolierungsschicht 4 wiedergibt. Das in der Figur 3A dargestellte weitere Bauteil 90 entspricht dem in der Figur IC beschriebenen Bauteil 90.
In Figur 3B ist das in der Figur 3A beschriebene Bauteil 10 in Draufsicht dargestellt. Die in der Figur 3B dargestellte Kontaktstruktur 3U des Bauteils 10 entspricht der in der Figur 1B dargestellten Kontaktstruktur.
Das in der Figur 4A dargestellte Bauelement 100 mit dem
Bauteil 10 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 3A dargestellten Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100. Im Unterschied hierzu weist die Kontaktstruktur 3U des Bauteils 10 eine Mehrzahl von Abstandsschichten 32C und 32D jeweils mit der vertikalen Höhe C beziehungsweise D auf. Die
Abschnitte 32A und 32B können gleiche vertikale Höhen
aufweisen und in einem gemeinsamen Verfahrensschritt erzeugt werden. Die Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte 32 der Kontaktstruktur 3U ist etwa auschließlich durch verschiedene Anzahl der Abstandsschichten der jeweiligen Kontakte 32 realisiert. Alternativ ist es möglich, dass die Abschnitte 32A und 32B verschiedene vertikale Höhen aufweisen.
In der Figur 4A weist ein mittig angeordneter Kontakt 32 lediglich eine Abstandsschicht 32C mit vertikaler Höhe C auf. Die den mittig angeordneten Kontakt 32 lateral umgebenden weiteren Kontakte 32 weisen jeweils lediglich eine weitere
Abstandsschicht 32D mit der vertikalen Höhe D auf, wobei die vertikale Höhe D größer ist als die vertikale Höhe C. Die in der Figur 4A randseitig angeordneten Kontakte 32 weisen sowohl die Kontaktschicht 32C mit der vertikalen Höhe C als auch die Abstandsschicht 32D mit der vertikalen Höhe D auf. Die verschiedenen Kontakte 32 können somit unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen, wobei die Anpassung der
Höhenverteilung an einen vorgegebenen geometrisch nicht- planaren Konturverlauf ausschließlich oder teilweise durch die Abstandsschichten 32C und/oder 32D realisiert ist.
In Figur 4B ist die Kontaktstruktur 3U des in der Figur 4A beschriebenen Bauteils 10 in Draufsicht dargestellt. Die ersten Teilbereiche 321 der Kontakte 32 weisen von einem zentralen Bereich zu Randbereichen des Bauteils 10 hin variierende vertikale Höhen auf, wobei die Höhe der Kontakte von dem zentralen Bereich bis zu einem beliebigen Randbereich des Bauteils 10 monoton zunimmt.
Das in Figur 5A dargestellte Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 4A dargestellten Ausführungsbeispiel für ein Bauelement. Im Unterschied hierzu entsprechen die in der Figur 5A
dargestellten Abschnitte 32B im Wesentlichen den in der Figur 3A dargestellten Abschnitten 32B. Die insbesondere einstückig ausgebildeten Abschnitte 32A und 32B können in einem
gemeinsamen Verfahrensschritt erzeugt werden und dennoch unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen.
Die in der Figur 5B dargestellte Kontaktstruktur 3U des Bauteils 10 ist die in der Figur 5A beschriebene
Kontaktstruktur 3U in Draufsicht und entspricht im
Wesentlichen der in der Figur 4B dargestellten
Kontaktstruktur 3U des Bauteils 10. Abweichend von den in den Figuren 1B, 2B, 3B, 4B und 5B dargstellten Mustern der
Kontakte 32 kann das Bauteil 10 oder 90 auch andere Muster aufweisen. Auch kann das Bauteil 10 oder 90 lokal ein etwa in der Figur 1B, 2B, 3B, 4B oder 5B dargestellte Muster
aufweisen, das sich entlang einer lateralen Richtung mehrfach wiederholt .
Die in Figur 6 dargestellte Kontaktstruktur 3D des Bauteils
90 entspricht im Wesentlichen der in der Figur 2A
dargestellten Kontaktstruktur 3D des Bauteils 90. Im
Unterschied zu der Figur 2A, in der das Bauteil 90 eine konkav gekrümmte Montagefläche ZZ' aufweist, sind die
Kontakte 32 der in der Figur 6 dargestellten Kontaktstruktur 3D mit den Abschnitten 32A und 32B bezüglich deren Höhen und Position auf der Anschlussplatte 9 mit der ebenen Vorderseite
91 derart ausgebildet, dass das als Anschlussstruktur
ausgebildete Bauteil 90 eine konvex gekrümmte Montagefläche ZZ ' aufweist .
Das in der Figur 7 dargestellte Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2C dargestellten Bauelement. Im Unterschied hierzu weist das als Anschlussstruktur ausgebildete Bauteil 90 in der Figur 7 eine Kontaktstruktur 3D mit einer Mehrzahl von Abstandsschichten 32C und 32D auf. Im Unterschied zu der in der Figur 4A oder 4B beschriebenen Kontaktstruktur sind die Abstandschichten 32C und 32D nicht auf Seiten des als Halbleiterstruktur ausgebildeten Bauteils 10 sondern auf Seiten des als
Anschlussstruktur ausgebildeten Bauteils 90 angeordnet.
Die in der Figur 8 dargestellte Kontaktstruktur 3D des
Bauteils 90 entspricht im Wesentlichen der in der Figur 6 dargestellten Kontaktstruktur 3D, jedoch mit einer Mehrzahl von Abstandsschichten 32C und 32D. Die Abschnitte 32A und 32B sind insbesondere einstückig ausgebildet und weisen etwa dieselbe vertikale Höhe auf.
Die in der Figur 9 dargestellte Kontaktstruktur 3D entspricht im Wesentlichen der in der Figur 2A dargestellten
Kontaktstruktur 3D, jedoch mit einer Isolierungsschicht 5 und Abschnitten 32B mit überhöhten Bereichen, wobei die
Isolierungsschicht 5 und die Abschnitte 32B der Kontakte 32 analog zu der Isolierungsschicht 4 beziehungsweise zu den Abschnitten 32B in der Figur 3A aufgebaut und ausgebildet sind .
Es wird eine Kopplung der Höhen der Kontakte einer
Kontaktstruktur mit deren lateralen Positionen zur Anpassung einer Höhenverteilung der Kontakte an einen vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf vorgeschlagen, wobei die Kontakte unterschiedlich hoch ausgebildet sind, indem die Kontakte unterschiedliche Anzahl von Abstandsschichten und/oder unterschiedlich hohe einstückig ausgebildete
Abschnitte aufweisen.
Es wird die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2016 113 193.8 beansprucht, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Ansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Bezugs zeichenliste
100 Bauelement
10 Bauteil als Halbleiterstruktur
90 Bauteil als Anschlussstruktur/ Treiberkomponente
101 Vorderseite des Bauteils/ Bauelements
1 Substrat/ Träger
11 erste Hauptfläche des Substrats
12 zweite Hauptfläche des Substrats
2 Halbleiterkörper
20 Teilregion des Halbleiterkörpers
21 erste Halbleiterschicht
22 zweite Halbleiterschicht
23 aktive Schicht
3, 3U, 3D Kontaktstruktur
30 Anschlussschicht
31 Kontaktschicht
32 Kontakt
321, 322 Teilbereiche des Kontakts
32A Abschnitt mit Höhe A
32B Abschnitt mit Höhe B
32C Abstandschicht mit Höhe C
32D Abstandschicht mit Höhe D
33 Durchkontaktierung
34 Zwischenbereich/ Füllmaterial 4, 5 Isolierungsschicht
9 Anschlussplatte/ Treiberkomponente
91 Vorderseite der Anschlussplatte
ZZ λ Montagefläche

Claims

Patentansprüche
1. Bauteil (10, 90) mit einer Kontaktstruktur (3, 3U, 3D) , bei dem
- die Kontaktstruktur eine zusammenhängende Kontaktschicht (31) enthält, die eine Mehrzahl von Öffnungen aufweist und einer ersten elektrischen Polarität des Bauteils zugeordnet ist,
- die Kontaktstruktur eine Mehrzahl von einzelnen Kontakten (32) zumindest teilweise mit unterschiedlichen vertikalen
Höhen aufweist, wobei sich die Kontakte in den Öffnungen durch die zusammenhängende Kontaktschicht hindurch
erstrecken, voneinander lateral beanstandet und einer zweiten elektrischen Polarität des Bauteils zugeordnet sind, und - die Kontakte hinsichtlich deren unterschiedlicher Höhen und deren Positionen derart angeordnet sind, dass eine
Höhenverteilung der Kontakte an einen vorgegebenen
geometrisch nicht-planaren Konturverlauf angepasst ist.
2. Bauteil nach Anspruch 1,
das einen Halbleiterkörper (2) aufweist, wobei
- der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21) eines ersten Ladungsträgertyps, eine zweite Halbleiterschicht (22) eines zweiten Ladungsträgertyps und eine dazwischen liegende aktive Schicht (23) aufweist,
- die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht zu einer Mehrzahl von voneinander lateral beabstandeten
Teilregionen (20) strukturiert sind,
- die Kontakte (32) zur elektrischen Kontaktierung der
Teilregionen eingerichtet sind, und
- der Halbleiterkörper entlang dessen lateraler
Haupterstreckungsfläche (201) eine Krümmung aufweist, die den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf definiert .
3. Bauteil nach Anspruch 2,
bei dem der Halbleiterkörper (2) auf einem Substrat (1) angeordnet ist, wobei
- die erste Halbleiterschicht (21) in vertikaler Richtung zwischen dem Substrat und den Teilregionen (20) angeordnet ist, und
- die erste Halbleiterschicht zusammenhängend und
kontinuierlich ausgebildet ist.
4. Bauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 3,
bei dem die zweite Halbleiterschicht (22) zwischen der
Kontaktschicht (31) und der ersten Halbleiterschicht (21) angeordnet ist, wobei die Kontaktstruktur (3, 3U) eine
Mehrzahl von Durchkontaktierungen (33) aufweist, die sich von der Kontaktschicht durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zu der ersten Halbleiterschicht erstrecken .
5. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
die eine Treiberkomponente (9) mit einer Mehrzahl von
Transistoren und/oder integrierten Schaltungen aufweist, wobei die Kontakte (32) mit der Treiberkomponente elektrisch verbunden und über die Treiberkomponente elektronisch
individuell ansteuerbar sind.
6. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Kontakte (32) freiliegende Enden aufweisen, wobei
- die freiliegenden Enden eine Montagefläche (ΖΖλ) des
Bauteils definieren,
- ein mittlerer Abstand von der Montagefläche zu einer
Verbindungsfläche weniger als 10 Mikrometer beträgt, und - die Verbindungsfläche eine ideale flache Ebene oder eine Fläche mit dem vorgegebenen geometrisch nicht-planaren
Konturverlauf ist.
7. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Kontakte (32) einer ersten Gruppe von Kontakten und einer zweiten Gruppe von Kontakten zugeordnet sind, wobei
- die Kontakte der ersten Gruppe jeweils einen einstückig ausgebildeten ersten Abschnitt (32A) aufweisen,
- die Kontakte der zweiten Gruppe jeweils einen einstückig ausgebildeten zweite Abschnitt (32B) aufweisen,
- die ersten Abschnitte verschiedener Kontakte der ersten Gruppe gleichartig aufgebaut sind und eine erste vertikale Schichtdicke aufweisen,
- die zweiten Abschnitte verschiedener Kontakte der zweiten Gruppe gleichartig aufgebaut sind und eine zweite vertikale Schichtdicke aufweisen, und
- sich die erste vertikale Schichtdicke von der zweiten vertikalen Schichtdicke unterscheidet, sodass die Kontakte der ersten Gruppe und die Kontakte der zweiten Gruppe
unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen.
8. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Kontaktstruktur (3, 3U, 3D) eine
Isolierungsschicht (4, 5) mit einer Mehrzahl von Öffnungen aufweist, die mit den Öffnungen der Kontaktschicht (31) korrespondierend sind, wobei
- die Kontakte (32) jeweils einen einstückig ausgebildeten Abschnitt (32A, 32B) aufweisen, wobei
- sich die einstückig ausgebildeten Abschnitte jeweils bereichsweise in den zugehörigen Öffnungen der
Isolierungsschicht (4, 5) befinden und jeweils bereichsweise in vertikaler Richtung über die Isolierungsschicht hinausragen,
- zumindest einige der einstückig ausgebildeten Abschnitte unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen,
- die Abschnitte (32A) mit geringeren vertikalen Höhen derart ausgebildet sind, dass diese in Draufsicht innerhalb der zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht angeordnet sind, und
- die Abschnitte (32B) mit größeren vertikalen Höhen derart ausgebildet sind, dass diese die zugehörigen Öffnungen der
Isolierungsschicht vollständig auffüllen und in Draufsicht einen größeren Querschnitt aufweisen als die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht.
9. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem zumindest einige der Kontakte (32) eine oder eine Mehrzahl von Abstandsschichten (32C, 32D) aufweisen, wobei eine Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte an einen vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf durch verschiedene Anzahl der Abstandschichten der jeweiligen
Kontakte realisiert ist.
10. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Kontakte (32) einer ersten Gruppe von Kontakten und einer zweiten Gruppe von Kontakten zugeordnet sind, wobei sich die Kontakte der ersten Gruppe hinsichtlich deren
Materials von den Kontakten der zweiten Gruppe unterscheiden.
11. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Kontakte (32) einer ersten Gruppe von Kontakten und einer zweiten Gruppe von Kontakten zugeordnet sind, wobei
- die Kontakte der ersten Gruppe randseitig zu den Kontakten der zweiten Gruppe angeordnet sind, - die Kontakte der zweiten Gruppe zentral zu den Kontakten der ersten Gruppe angeordnet sind, und
- die Kontakte der ersten Gruppe und die Kontakte der zweiten Gruppe unterschiedliche Querschnitte aufweisen.
12. Bauelement (100) mit einem Bauteil (10, 90) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die Kontakte (32) jeweils mehrstückig ausgebildet sind und jeweils einen ersten Teilbereich (321) und einen zweiten Teilbereich (322) aufweisen, und
- der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich der jeweiligen Kontakte mittels eines Verbindungsmaterials miteinander mechanisch und elektrisch verbunden sind.
13. Bauelement nach Anspruch 12,
bei dem zumindest einige der ersten Teilbereiche (321) unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen, sodass eine
Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte (32) an den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf ausschließlich durch die ersten Teilbereiche der Kontakte realisiert ist.
14. Bauelement nach Anspruch 12,
bei dem zumindest einige der zweiten Teilbereiche (322) unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen, sodass eine
Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte (32) an den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf ausschließlich durch die zweiten Teilbereiche der Kontakte realisiert ist.
15. Bauelement nach Anspruch 12,
bei dem - zumindest einige der ersten Teilbereiche (321) der Kontakte (32) unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen,
- zumindest einige der zweiten Teilbereiche (322) der
Kontakte (32) unterschiedliche vertikale Höhen aufweisen, und - eine Anpassung der Höhenverteilung der Kontakte (32) an den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf
teilweise durch die ersten Teilbereiche und teilweise durch die zweiten Teilbereiche der Kontakte realisiert ist.
16. Scheinwerfer mit einem Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15,
wobei das Bauelement als LED-Lichtquelle ausgebildet ist.
17. Verfahren zur Herstellung eines Bauteils nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die Kontakte (32) jeweils
zumindest einen einstückig ausgebildeten Abschnitt (32A, 32B, 32C, 32D) aufweisen, wobei
- die Kontakte durch Lithographie und durch
Abscheidungsverfahren ausgebildet werden, und
- die einstückig ausgebildeten Abschnitte verschiedener
Kontakte, welche in einem gemeinsamen Abscheidungsvorgang ausgebildet werden, gleichartig aufgebaut sind und gleiche vertikale Höhen aufweisen.
18. Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10, 90) nach
Anspruch 8, bei dem die Kontakte (32) einer ersten Gruppe und einer zweiten Gruppe zugeordnet sind, wobei
- die Kontakte der ersten Gruppe einstückig ausgebildete erste Abschnitte (32A) aufweisen,
- die Kontakte der zweiten Gruppe einstückig ausgebildete zweite Abschnitte (32B) aufweisen,
- die ersten und zweiten Abschnitte (32A, 32B) in einem gemeinsamen Abscheidungsvorgang ausgebildet werden, wobei - die ersten Abschnitte (32A) in Draufsicht innerhalb der zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht (4, 5)
ausgebildet werden, und
- die zweiten Abschnitte (32B) derart ausgebildet werden, dass diese die zugehörigen Öffnungen der Isolierungsschicht vollständig auffüllen und in Draufsicht einen größeren
Querschnitt aufweisen als die zugehörigen Öffnungen, sodass die zweiten Abschnitte (32B) im Vergleich zu den ersten Abschnitten (32A) erhöhte Bereiche aufweisen.
19. Bauteil nach Anspruch 1,
bei dem die Kontakte (32) Enden aufweisen, deren Oberflächen den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf definieren, wobei die einen Enden der Kontakte (32) eine ebene Fläche definieren, während die anderen
entgegengesetzten Enden der Kontakte (32) eine nicht-planare Fläche definieren.
20. Bauteil nach Anspruch 1,
das einen Halbleiterkörper (2) enthält, der entlang dessen lateraler Haupterstreckungsfläche (201) eine Krümmung aufweist, die den vorgegebenen geometrisch nicht-planaren Konturverlauf definiert, wobei
- der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21) eines ersten Ladungsträgertyps, eine zweite
Halbleiterschicht (22) eines zweiten Ladungsträgertyps und eine dazwischen liegende aktive Schicht (23) aufweist,
- die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht zu einer Mehrzahl von voneinander lateral beabstandeten
Teilregionen (20) strukturiert sind, und
- die Kontakte (32) zur elektrischen Kontaktierung der Teilregionen eingerichtet sind.
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