DE102009025456A1 - Lichtemittierendes Bauelement, selbiges enthaltende lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

Lichtemittierendes Bauelement, selbiges enthaltende lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung desselben Download PDF

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Yu-Sik Anyang Kim
Seung-Jae Chunan Lee
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein lichtemittierendes Bauelement, auf eine selbiges enthaltende, lichtemittierende Vorrichtung sowie auf ein Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements. Ein lichtemittierendes Bauelement gemäß der Erfindung beinhaltet eine erste Elektrode (140), eine zweite Elektrode (150), die von der ersten Elektrode beabstandet ist, ein emittierendes Muster (114), das einen Teil zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode beinhaltet, und ein Blockiermuster (106, 120), das einen Teil zwischen dem emittierenden Muster und der ersten Elektrode und/oder auf einer gleichen Ebene wie die erste Elektrode beinhaltet. Verwendung z.B. für LED-Anzeigen.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein lichtemittierendes Bauelement, eine selbiges enthaltende lichtemittierende Vorrichtung und auf ein Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements.
  • Lichtemittierende Elemente, z. B. lichtemittierende Dioden (LEDs), werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, z. B. Displays, digitalen Weckern, Fernsteuerungen, Uhren, Rechnern, Mobiltelefonen, Kontrollleuchten, Hintergrundbeleuchtungen etc.
  • LEDs emittieren allgemein Licht als ein Ergebnis von Elektrolumineszenz, d. h. einer Rekombination von Elektron-Loch-Paaren. Elektron-Loch-Paare rekombinieren als ein Ergebnis von elektrischem Strom an einem Halbleiter-pn-Übergang. Wenn Elektronen und Löcher rekombinieren, wird Energie in Form von Photonen abgegeben. In organischen lichtemittierenden Dioden (OLEDs) wird z. B. Energie in Form von Photonen freigesetzt, wenn ein elektrischer Strom von einer Katode zu einer Anode durch organische Schichten fließt, z. B. eine emissive Schicht und eine leitfähige Schicht.
  • Wenngleich LEDs bereits in einer breiten Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, besteht ein Bedarf an lichtemittierenden Elementen, z. B. LEDs, die eine verbesserte Lichteffizienz aufweisen.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines lichtemittierenden Bauelements, einer selbiges verwendenden lichtemittierenden Vorrichtung sowie eines Verfahrens zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements zugrunde, die eine oder mehrere der Probleme aufgrund der Beschränkungen und Schwierigkeiten des Standes der Technik im Wesentlichen überwinden.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines lichtemittierenden Bauelements mit den Merkmalen des Anspruchs 1 oder 27, einer lichtemittierenden Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 31 und eines Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 39. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung stellt ein lichtemittierendes Bauelement zur Verfügung, das ein Stromblockiermuster zur Erhöhung der Lichteffizienz im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen verwendet, und stellt des Weiteren eine lichtemittierende Vorrichtung mit einem lichtemittierenden Bauelement zur Verfügung, das ein Stromblockiermuster zur Erhöhung der Lichteffizienz im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen verwendet. Die Erfindung stellt außerdem ein Verfahren zur Bildung eines lichtemittierenden Bauelements bereit, das eine erhöhte Lichteffizienz im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen aufweist.
  • Des Weiteren stellt die Erfindung ein lichtemittierendes Bauelement mit einem Blockiermuster bereit, das dafür ausgelegt ist, Strom durch ein emittierendes Muster eines lichtemittierenden Bereichs des lichtemittie renden Bauelements zu verteilen, und stellt außerdem ein lichtemittierendes Bauelement mit einem Stromverteilungsmechanismus bereit, der entlang eines Stromflusspfades zwischen einer Elektrode und einer anderen Elektrode des lichtemittierenden Bauelements angeordnet ist, um sämtlichen Strom zu verteilen, der von einer Elektrode zu der anderen und durch ein damit verknüpftes emittierendes Muster fließt.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung werden im Folgenden beschrieben und sind in den Zeichnungen gezeigt, in denen:
  • 1 eine Querschnittansicht eines lichtemittierenden Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform darstellt,
  • 2A, 2B und 2C seitliche Draufsichten auf exemplarische Ausführungsformen eines Blockiermusters darstellen, das in dem lichtemittierenden Bauelement von 1 einsetzbar ist,
  • 3A und 3B Draufsichten auf exemplarische Anordnungen von Blockiermustern in dem lichtemittierenden Bauelement von 1 darstellen,
  • 4A und 4B Querschnittansichten von exemplarischen Licht- beziehungsweise Strommustern des exemplarischen lichtemittierenden Bauelements von 1 während eines Betriebszustands darstellen,
  • 5 eine Querschnittansicht eines lichtemittierenden Bauelements gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt,
  • 6 eine Querschnittansicht eines lichtemittierenden Bauelements gemäß einer dritten exemplarischen Ausführungsform darstellt,
  • 7A und 7B Querschnittansichten eines lichtemittierenden Bauelements gemäß einer vierten Ausführungsform darstellen,
  • 8 eine Querschnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform darstellt,
  • 9A und 9B eine Querschnittansicht beziehungsweise eine seitliche Draufsicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellen,
  • 10 eine Querschnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform darstellt,
  • 11 eine Querschnittansicht einer Phosphorschicht in der lichtemittierenden Vorrichtung von 9A gemäß einer ersten Ausführungsform darstellt,
  • 12 eine Querschnittansicht einer Phosphorschicht in der lichtemittierenden Vorrichtung von 9A gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt,
  • 13 eine Querschnittansicht einer Phosphorschicht in der lichtemittierenden Vorrichtung von 9A gemäß einer dritten Ausführungsform darstellt,
  • 14 eine allgemeine schematische Darstellung eines exemplarischen ersten und zweiten leitfähigen Bereichs einer exemplarischen emittierenden Vorrichtung zeigt,
  • 15A und 15B exemplarische Anordnungen des Phosphors und des zweiten transparenten Harzes von 11 darstellen,
  • 16 eine Querschnittansicht einer exemplarischen Hintergrundbeleuchtung darstellt, die ein lichtemittierendes Bauelement der Erfindung verwendet,
  • 17 eine Darstellung eines exemplarischen Projektors zeigt, der ein lichtemittierendes Bauelement der Erfindung verwendet,
  • 18A, 18B und 18C exemplarische Beleuchtungsbauelemente darstellen, die ein lichtemittierendes Bauelement der Erfindung verwenden, und
  • 19A, 19B, 19C, 19D, 19E, 19F, 19G, 19H und 19I Stadien in einem exemplarischen Verfahren zur Herstellung des exemplarischen lichtemittierenden Bauelements von 1 darstellen.
  • Nunmehr werden Ausführungsformen, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung zeigen, im Folgenden unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen vollständiger beschrieben, in denen exemplarische Ausführungsformen der Erfindung dargestellt sind. In den Zeichnungen können die Abmessungen und relativen Abmessungen von Schichten und Bereichen zwecks Klarheit der Darstellung übertrieben dargestellt sein. Es versteht sich außerdem, dass wenn ein Element als ”auf” einem anderen Element bezeichnet wird, dieses direkt auf dem anderen Element sein kann oder auch zwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Des Weiteren versteht es sich, dass wenn ein Element als ”unter” einem anderen Element bezeichnet wird, dieses direkt darunter sein kann oder auch eines oder mehrere zwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Außerdem versteht es sich, dass wenn ein Element als ”zwischen” zwei Elementen bezeichnet wird, dieses das einzige Element zwischen den zwei Elementen sein kann oder auch ein oder mehrere zwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Außer dem versteht es sich, dass wenn z. B. ein Element als ”zwischen” zwei Elementen bezeichnet wird, dieses physisch zwischen einander zugewandten/überlappenden Bereichen der zwei Elemente angeordnet sein kann und/oder dieses physisch derart angeordnet sein kann, dass eines der zwei Elemente in einer Ebene unter einer Ebene des Elements liegt und das andere der zwei Elemente in einer Ebene über der Ebene liegt, auf der das Element angeordnet ist. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich überall in der Beschreibung auf gleichartige Elemente.
  • 1 stellt eine erste exemplarische Ausführungsform eines lichtemittierenden Bauelements 100 dar, das einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Die 2A, 2B und 2C stellen seitliche Draufsichten von exemplarischen Ausführungsformen von Blockiermustern 120, 106 dar, die in dem lichtemittierenden Bauelement 100 von 1 einsetzbar sind. Die 3A und 3B stellen Draufsichten von exemplarischen Anordnungen der exemplarischen Blockiermuster 120, 106 in dem lichtemittierenden Bauelement 100 von 1 dar.
  • Bezugnehmend auf 1 beinhaltet das lichtemittierende Bauelement 100 eine emittierende Struktur 110, eine erste Elektrode 140, eine zweite Elektrode 150, ein erstes Blockiermuster 120, ein zweites Blockiermuster 106, eine erste ohmsche Schicht 130, eine zweite ohmsche Schicht 145, eine Pufferschicht 104, ein leitfähiges Substrat 200 und eine Zwischenschicht 210. Die emittierende Struktur 110 beinhaltet ein erstes leitfähiges Muster 112, ein emittierendes Muster 114 und ein zweites leitfähiges Muster 116.
  • Spezieller befindet sich die Zwischenschicht 210 auf dem leitfähigen Substrat 200. Das leitfähige Substrat 200 kann z. B. Si, mechanisch verspanntes Si, eine Si-Legierung, Silicium-auf-Isolator (SOI), SiC, SiGe, SiGeC, Ge, eine Ge-Legierung, GaAs, InAs, einen III-V-Verbindungshalbleiter, einen II-VI-Verbindungshalbleiter etc. beinhalten. Die Zwi schenschicht 210 kann die erste Elektrode 140 an das leitfähige Substrat 200 bonden. Die Zwischenschicht 210 kann z. B. Au, Ag, Pt, Ni, Cu, Sn, Al, Pb, Cr, Ti, W etc. beinhalten.
  • Die erste Elektrode 140 befindet sich auf der Zwischenschicht 210. Die erste Elektrode 140 kann ein reflektierendes Material derart beinhalten, dass wenigstens ein Teil des Lichts, das an dem emittierenden Muster 114 erzeugt und auf die erste Elektrode 140 emittiert wird, von der ersten Elektrode 140 weg reflektiert werden kann. Zum Beispiel kann die erste Elektrode 140 ein Metall sein und kann Ag, Al etc. beinhalten.
  • In entsprechenden Ausführungsformen beinhaltet die erste Elektrode 140 einen unteren Bereich 140a, der konform mit einer Form der Zwischenschicht 210 und/oder des leitfähigen Substrats 200 sein kann, indem er sich z. B. im Wesentlichen entlang einer Ebene, z. B. einer x-y-Ebene parallel zu der Zwischenschicht 210 erstreckt, und einen oder mehrere Seitenbereiche 140b. Der oder die Seitenbereiche 140b können sich entlang einer oder mehrerer Richtungen erstrecken, welche die Ebene kreuzen, entlang der sich der untere Bereich 140a der ersten Elektrode 140 erstreckt. Spezieller können sich, z. B. bezugnehmend auf 1, die Seitenbereiche 140b der ersten Elektrode 140 allgemein unter einem Winkel von mehr als 90° relativ zu dem unteren Bereich 140a erstrecken, so dass ein lateraler Abstand zwischen einander zugewandten unteren Bereichen, z. B. Bereichen, die relativ näher an dem leitfähigen Substrat 200 sind, der jeweiligen Seitenbereiche 140b geringer als ein Abstand zwischen einander zugewandten oberen Bereichen, z. B. Bereichen, die relativ weiter entfernt von dem leitfähigen Substrat 200 sind, der jeweiligen Seitenbereiche 140b ist.
  • Benachbarte oder entsprechende der Seitenbereiche 140b können zusammen einen oder mehrere Vorsprünge 141 in der ersten Elektrode 140 des lichtemittierenden Bauelements 100 definieren. In entsprechen den Ausführungsformen beinhaltet die erste Elektrode 140 wenigstens einen Vorsprung 141, der eine Vertiefung 118 zwischen der ersten Elektrode 140 und dem leitfähigen Substrat 200 definiert. Das exemplarische lichtemittierende Bauelement 100 von 1 stellt eine exemplarische Ausführungsform mit einem einzelnen Vorsprung 141 dar. In entsprechenden Ausführungsformen definieren der oder die Vorsprünge 141 und/oder der oder die Seitenbereiche 140b der ersten Elektrode 140 einen oder mehrere Hohlräume 142a, 142b. Spezieller kann die erste Elektrode 140 einen oder mehrere Hohlräume 142a entsprechend einem lichtemittierenden Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 und einen oder mehrere weitere Hohlräume 142b entsprechend einem nicht-lichtemittierenden Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 definieren.
  • Ausführungsformen sind nicht darauf beschränkt, da z. B. einer, einige oder alle der Mehrzahl von Bereichen des lichtemittierenden Elements 100, die aus den Hohlräumen, z. B. 142a, 142b, resultieren, lichtemittierenden Bereichen eines lichtemittierenden Bauelements 100 entsprechen können. Der oder die Vorsprünge 141 können z. B. eine invertierte, im Wesentlichen U-förmige Gestalt oder eine invertierte, im Wesentlichen V-förmige Gestalt beinhalten.
  • Des Weiteren erstrecken sich in entsprechenden Ausführungsformen ein oder mehrere Bereiche 140c der ersten Elektrode 140 über einer Ebene des emittierenden Musters 114, z. B. einer Ebene, die höher als die Ebene des emittierenden Musters 114 relativ zu einer z-Richtung liegt. Das heißt, bezugnehmend auf 1 kann wenigstens ein Teil der emittierenden Struktur 110 innerhalb des Hohlraums 142a, z. B. eines schüsselförmigen Hohlraums, angeordnet sein, der durch die Seitenbereiche 140b definiert ist. Spezieller können das emittierende Muster 114 und das zweite leitfähige Muster 116 vollständig innerhalb des Hohlraums 142a liegen. In entsprechenden Ausführungsformen können der oder die Bereiche 140c der ersten Elektrode 140 in einen Teil des ersten leitfähigen Musters 112 eingebettet sein. Es versteht sich, dass die erste Elektrode 140 in entsprechenden Ausführungsformen vollständig und/oder im Wesentlichen flach sein kann, d. h. keinerlei Seitenbereich(e) 140b oder Vorsprünge 141 beinhaltet.
  • Das erste Blockiermuster 120 befindet sich auf, z. B. direkt auf, der ersten Elektrode 140. Bezugnehmend auf 1 ist das erste Blockiermuster 120 konform mit der ersten Elektrode 140. Spezieller beinhaltet das erste Blockiermuster 120 in der in 1 dargestellten exemplarischen Ausführungsform wenigstens einen Vorsprung 121, der dem oder den Vorsprüngen 141 der ersten Elektrode 140 entspricht. Bezugnehmend auf 1 liegen des Weiteren ein oder mehrere Teile des ersten Blockiermusters 120 auf einer gleichen und/oder höheren Ebene als ein oder mehrere Teile der ersten Elektrode 140 relativ zu einer z-Richtung. Wenigstens ein Teil des ersten Blockiermusters 120 liegt auf einer Ebene, die niedriger als das emittierende Muster 114 ist, und auf einer gleichen und/oder höheren Ebene als die erste Elektrode 140. Wenigstens ein Teil des ersten Blockiermusters 120 befindet sich zwischen dem emittierenden Muster 114 und der ersten Elektrode 140. In der in 1 dargestellten exemplarischen Ausführungsform bedeckt das Blockiermuster 120 vollständig Seitenbereiche 140b der ersten Elektrode 140 und bedeckt teilweise den unteren Bereich 140a, d. h. legt den unteren Bereich 140a der ersten Elektrode 140 teilweise frei.
  • Bezugnehmend auf 1 ist das erste Blockiermuster 120 so strukturiert, dass es einen oder mehrere Bereiche der ersten Elektrode 140 freilässt. Bezugnehmend auf die 2A, 2B und 2C kann das erste Blockiermuster 120 zum Beispiel ein Linienmuster, wie in 2A gezeigt, ein Gittermuster, wie in 2B gezeigt, ein Punktmuster, wie in 2C gezeigt, etc. beinhalten. In entsprechenden Ausführungsformen ist wenigstens ein Teil des ersten Blockiermusters 120 auf einer Ebene unter halb des emittierenden Musters 114 derart strukturiert, z. B. ein Teil, der den unteren Bereich 140a der ersten Elektrode überlappt, dass er die erste Elektrode 140 freilässt. Spezieller ist in entsprechenden Ausführungsformen wenigstens ein Teil des ersten Blockiermusters 120, der sich im Wesentlichen und/oder vollständig parallel zu einer Ebene erstreckt, durch die Licht von dem lichtemittierenden Bauelement 100 emittiert wird, z. B. die xy-Ebene, so strukturiert, dass Teile der ersten Elektrode 140 freiliegen, während andere Bereiche, z. B. 140b, 140c, der ersten Elektrode vollständig durch das erste Blockiermuster 120 bedeckt sind.
  • Das erste Blockiermuster 120 kann ein isolierendes Material beinhalten. Zum Beispiel kann das erste Blockiermuster 120 eine Nitridschicht und/oder eine Oxidschicht beinhalten, spezieller eine Oxid-Nitrid-Schicht, eine Aluminiumoxid-Schicht, eine Aluminiumnitrid-Schicht etc.
  • Bezugnehmend auf die 3A und 3B können das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 so angeordnet sein, dass sie relativ zueinander versetzt sind, z. B. komplementär. Bezugnehmend auf 3A können zum Beispiel in Ausführungsformen, in denen das erste Blockiermuster 120 ein Linienmuster aufweist und das zweite Blockiermuster 106 ein Linienmuster aufweist, Linien des ersten Blockiermusters 120 wenigstens teilweise und/oder vollständig Zwischenräume zwischen Linen des zweiten Blockiermusters 106 überlappen, und/oder Linien des zweiten Blockiermusters 106 können wenigstens teilweise und/oder vollständig Zwischenräume zwischen Linien des ersten Blockiermusters 120 überlappen. Spezieller können das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 in entsprechenden Ausführungsformen vollständig komplementär zueinander sein, so dass eine Kombination der Blockiermuster, die mit dem emittierenden Muster 114 verknüpft sind, z. B. das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106, das emittierende Muster 114 vollständig überlappt.
  • Bezugnehmend auf 3B können als ein weiteres Beispiel in Ausführungsformen, in denen das erste Blockiermuster 120 ein Punktmuster aufweist und das zweite Blockiermuster 106 ein Punktmuster aufweist, Punkte des ersten Blockiermusters 120 wenigstens teilweise und/oder vollständig Zwischenräume zwischen Punkten des zweiten Blockiermusters 106 überlappen, und/oder Punkte des zweiten Blockiermusters 106 können wenigstens teilweise Zwischenräume zwischen Punkten des ersten Blockiermusters 120 überlappen. Es versteht sich, dass Ausführungsformen nicht darauf beschränkt sind, z. B. können jeweilige Muster des ersten Blockiermusters 120 und des zweiten Blockiermusters 106 Muster aufweisen, die nicht komplementär sind.
  • Die erste ohmsche Schicht 130 verbindet die erste Elektrode 140 und die emittierende Struktur 110 elektrisch. Die erste ohmsche Schicht 130 kann z. B. wenigstens eines von ITO (Indium-Zinn-Oxid), Zn, ZnO, Ag, Ti, Al, Au, Ni, In2O3, SnO2, Cu, W und Pt beinhalten. Die erste ohmsche Schicht 130 füllt wenigstens teilweise Öffnungen, die durch das oder die Muster des ersten Blockiermusters 120 definiert sind. Bezugnehmend auf 1 können die erste ohmsche Schicht 130 und das erste Blockiermuster 120 zusammen eine Schicht, z. B. eine kontinuierliche Schicht oder ein kontinuierliches Muster, in dem lichtemittierenden Element 100 bilden. Das heißt, die erste ohmsche Schicht 130 belegt in entsprechenden Ausführungsformen Zwischenräume, die durch das erste Blockiermuster 120 definiert sind.
  • Bezugnehmend auf 1 beinhaltet die emittierende Struktur 110 das erste leitfähige Muster 112, das emittierende Muster 114 und das zweite leitfähige Muster 116, die sukzessive zusammenlaminiert sind. Das zweite leitfähige Muster 116 kann sich auf dem ersten Blockiermuster 120 und/oder der ersten ohmschen Struktur 130 befinden. Das emittierende Muster 114 befindet sich auf dem zweiten leitfähigen Muster 116.
  • Das emittierende Muster 114 kann auf einer gleichen Ebene und/oder einer höheren Ebene als wenigstens Teile der ersten Elektrode 140 und auf einer niedrigeren Ebene als die zweite Elektrode 150 liegen. Das erste leitfähige Muster 112 befindet sich auf dem emittierenden Muster 114.
  • Wie vorstehend erörtert, beinhaltet die erste Elektrode 140 in entsprechenden Ausführungsformen einen oder mehrere Seitenbereiche 140b und/oder Vorsprünge 141. In derartigen Ausführungsformen kann ein unterer Teil der emittierenden Struktur 110 eine Form beinhalten, die derartigen Seitenbereichen 140b und/oder Vorsprüngen 141 entspricht. Bezugnehmend auf 1 erstrecken sich der oder die Seitenbereiche 140b und/oder die Vorsprünge 141 zum Beispiel zwischen jeweiligen Bereichen der emittierenden Struktur 110. Spezieller erstreckt sich der Vorsprung 141 zwischen einem Bereich der emittierenden Struktur 110 innerhalb des Hohlraums 142a und einem anderen Bereich der emittierenden Struktur 110 innerhalb des Hohlraums 142b. Bezugnehmend auf 1 erstreckt sich der Vorsprung 141 über einer Ebene des zweiten leitfähigen Musters 116 und des emittierenden Musters 114 und erstreckt sich lediglich partiell in das erste leitfähige Muster 112, d. h. auf eine Ebene unterhalb einer Oberseite des ersten leitfähigen Musters 112.
  • Das erste leitfähige Muster 112, das emittierende Muster 114 und/oder das zweite leitfähige Muster 116 kann InxAlyGa(1-x-y)N beinhalten, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist. Spezieller können das erste leitfähige Muster 112, das emittierende Muster 114 und/oder das zweite leitfähige Muster 116 GaN beinhalten, z. B. AlGaN, InGaN etc. In entsprechenden Ausführungsformen ist das erste leitfähige Muster 112 eines vom n-leitenden oder p-leitenden Typ und das zweite leitfähige Muster 116 ist der andere Typ von p-leitend oder n-leitend. Das emittierende Muster 114 entspricht einem Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100, der als Resultat einer Rekombination von Ladungsträgern des ersten und des zweiten leitfähigen Musters 112, 116 Licht erzeugt. Des Weiteren kann eine Oberfläche des ersten leitfähigen Musters 112 texturiert sein, um die Lichtextraktionseffizienz anzuheben. Ausführungsformen sind nicht darauf beschränkt, da die emittierende Struktur 110 in entsprechenden Ausführungsformen eine Mehrzahl von organischen Schichten beinhalten kann, die eine organische Elektrolumineszenzstruktur bilden.
  • Das zweite Blockiermuster 106 befindet sich auf und/oder innerhalb des ersten leitfähigen Musters 112. Das zweite Blockiermuster 106 kann auf einer Ebene, die höher als das emittierende Muster 114 ist, und auf einer gleichen und/oder einer niedrigeren Ebene als die zweite Elektrode 150 liegen.
  • Das zweite Blockiermuster 106 kann so strukturiert sein, dass es einen Teil der ersten Elektrode 140 freilässt. Bezugnehmend auf die 2A, 2B und 2C kann das zweite Blockiermuster 106 ein Linienmuster, wie in 2A gezeigt, ein Gittermuster, wie in 2B gezeigt, oder ein Punktmuster, wie in 2C gezeigt, etc beinhalten. Das zweite Blockiermuster 106 kann ein Isolationsmaterial beinhalten. Das zweite Blockiermuster 106 kann eine Nitridschicht und/oder eine Oxidschicht beinhalten, spezieller eine Oxid-Nitrid-Schicht, eine Aluminiumoxid-Schicht und/oder eine Aluminiumnitrid-Schicht.
  • Spezieller können das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 innerhalb eines Stromflusspfads zwischen der ersten Elektrode 140 und der zweiten Elektrode 150 angeordnet sein. Das heißt, in entsprechenden Ausführungsformen läuft ein Stromfluss von der ersten Elektrode 140 oder der zweiten Elektrode 150 zu der anderen der zweiten Elektrode 150 und der ersten Elektrode 140 durch das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106. Spezieller läuft ein Strompfad zwischen der ersten Elektrode 140 und der zweiten Elek trode 150 durch wenigstens einen Teil des ersten Blockiermusters 120 und des zweiten Blockiermusters 106 derart, dass Strom, der entlang jenem Strompfad fließt, durch wenigstens eines des ersten Blockiermusters 120 und/oder des zweiten Blockiermusters 106 läuft, bevor er das emittierende Muster 114 erreicht. Wenn zum Beispiel die zweite Elektrode 150 auf einer Ebene liegt, die höher als die erste Elektrode 140 ist, und das emittierende Muster 114 auf einer gleichen und/oder einer höheren Ebene als die erste Elektrode 140 und auf einer niedrigeren Ebene als die zweite Elektrode 150 liegt, kann das erste Blockiermuster 120 auf einer gleichen und/oder höheren Ebene als die erste Elektrode 140 liegen, wobei wenigstens ein Teil des ersten Blockiermusters 120 auf einer niedrigeren Ebene als das emittierende Muster 114 liegt, und wenigstens ein Teil des zweiten Blockiermusters 106 kann auf einer höheren Ebene als das emittierende Muster 114 und auf einer gleichen und/oder niedrigeren Ebene als die zweite Elektrode 150 liegen. Wenn das gesamte erste Blockiermuster 120 auf einer niedrigeren Ebene als die erste Elektrode 140 liegt, beeinflusst das erste Blockiermuster 120 den Stromfluss zwischen der ersten Elektrode 140 und der zweiten Elektrode 150 nicht.
  • Das erste Blockiermuster 120 und/oder das zweite Blockiermuster 106 regulieren einen Vorspannungsstrom, der an die erste Elektrode 140 und/oder die zweite Elektrode 150 angelegt wird. Das erste Blockiermuster 120 und/oder das zweite Blockiermuster 106 können die Lichteffizienz der emittierenden Struktur 110 erhöhen. Zum Beispiel können das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 die Lichteffizienz z. B. durch Erleichtern eines Stromflusses durch alle und/oder im Wesentlichen alle Bereiche des emittierenden Musters 114 wenigstens innerhalb eines lichtemittierenden Bereichs des lichtemittierenden Bauelements 100, z. B. alle oder im Wesentlichen alle Bereiche des emittierenden Musters 114 wenigstens teilweise innerhalb des Hohlraums 142a, erhöhen, der dem lichtemittierenden Bereich des lichtemit tierenden Bauelements 100 entspricht. Spezieller kann ein Stromfluss durch alle oder im Wesentlichen alle Bereiche des emittierenden Musters 114 erleichtert werden, indem das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 komplementär angeordnet werden.
  • Bezugnehmend auf 1 befindet sich die Pufferschicht 104 auf dem ersten leitfähigen Muster 112 und/oder dem zweiten Blockiermuster 106. Die Pufferschicht 104 schützt das zweite Blockiermuster 106 während eines Laser-Liftoffs (LLO), wie nachstehend beschrieben. Die Pufferschicht 104 kann außerdem während der Bildung, z. B. dem Aufwachsen, des ersten leitfähigen Musters 112 als Kristallkeimschicht dienen. Die Pufferschicht 104 kann die Kristallinität des ersten leitfähigen Musters 112, des emittierenden Musters 114 und/oder des zweiten leitfähigen Musters 116 verbessern. Die Pufferschicht 104 kann jegliches Material beinhalten, das als Kristallkeimschicht dienen kann. Die Pufferschicht 104 kann z. B. InxAlyGa(1-x-y), SixCyN(1-x-y) beinhalten, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist.
  • Die zweite ohmsche Schicht 145 befindet sich auf der Pufferschicht 104. Die zweite ohmsche Schicht 145 kann z. B. ITO, Zn, ZnO, Ag, Ti, Al, Au, Ni, In2O3, SnO2, Cu, W und/oder Pt beinhalten. Die zweite ohmsche Schicht 145 erleichtert eine Stromverteilung und hilft, eine Stromverdichtung z. B. des Stroms, der zwischen der zweiten Elektrode 150 und dem ersten leitfähigen Muster 112 fließt, zu vermeiden und/oder diese zu reduzieren. Die zweite ohmsche Schicht 145 kann transparent sein, um so zu ermöglichen, dass Licht emittiert wird, das von der emittierenden Struktur 110 erzeugt wird.
  • Die zweite Elektrode 150 befindet sich auf der zweiten ohmschen Schicht 145. Die zweite Elektrode 150 ist mit dem ersten leitfähigen Muster 112 elektrisch verbunden. Die zweite Elektrode 150 kann z. B. ITO, Cu, Ni, Cr, Au, Ti, Pt, Al, V, W, Mo und/oder Ag beinhalten. Die zweite Elektrode 150 kann auf einer Ebene, die höher als die erste Elektrode 140 und/oder das emittierende Muster 114 ist, entlang z. B. der z-Richtung liegen. Spezieller kann die zweite Elektrode 150 in Ausführungsformen, die einen nicht-lichtemittierenden Bereich und einen lichtemittierenden Bereich beinhalten, wie die Ausführungsform von 1, mit dem Hohlraum 142b überlappen, der dem nicht-lichtemittierenden Bereich entspricht, und überlappt möglicherweise nicht mit dem Hohlraum 142a, der dem lichtemittierenden Bereich entspricht, d. h. die zweite Elektrode 150 blockiert dann kein Licht, das von dem lichtemittierenden Bereich emittiert wird.
  • Des Weiteren sind das erste Blockiermuster 120 und/oder das zweite Blockiermuster 106 in entsprechenden Ausführungsformen, die einen oder mehrere lichtemittierende Bereiche, z. B. 142a, und einen oder mehrere nicht-lichtemittierende Bereiche beinhalten, z. B. 142b, möglicherweise nur dahingehend strukturiert, dass jeweilige Bereiche der ersten und/oder zweiten Elektrode 140, 150 in dem lichtemittierenden Bereich 142a freigelegt werden, während das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 nicht strukturiert sein brauchen und/oder mit der ersten Elektrode 140 beziehungsweise der zweiten Elektrode 150 in dem nicht-lichtemittierenden Bereich, z. B. 142b, vollständig überlappen kann.
  • Bezugnehmend auf die 4A und 4B werden nachstehend exemplarische Licht- und Strommuster des in 1 gezeigten lichtemittierenden Bauelements 100 während eines Betriebszustands beschrieben. Zum Beispiel ist das erste leitfähige Muster 112 in entsprechenden Ausführungsformen vom n-leitenden Typ, und das zweite leitfähige Muster 116 ist vom p-leitenden Typ. In derartigen Ausführungsformen ist eine erste Vorspannung, z. B. eine positive Vorspannung (V+ oder I+), über die erste Elektrode 140 und das erste ohmsche Muster 130 an das zweite leitfähige Muster 116 angelegt, und eine zweite Vorspannung, z. B. eine negative Vorspannung (V– oder I–), ist an das erste leitfähige Muster 112 angelegt. An die emittierende Struktur 110 ist eine Vorspannung in Vorwärtsrichtung angelegt, und an dem emittierenden Muster 114 kann Licht erzeugt werden. Bezugnehmend auf die 4A und 4B erzeugt der Stromfluss durch das emittierende Muster 114 in einem derartigen Zustand Licht L, von dem ein Teil direkt von der einen oder den mehreren Öffnungen emittiert wird, die durch das zweite Blockiermuster 106 definiert sind, und ein Teil von der ersten Elektrode 140 reflektiert und durch die eine oder die mehreren Öffnungen emittiert wird, die durch das zweite Blockiermuster 106 definiert sind. Spezieller verläuft der Stromfluss (siehe Pfeile in 4B) während des Betriebs mit Vorspannung in Vorwärtsrichtung von der ersten Elektrode 140 zu der zweiten Elektrode 150, wie in 4B gezeigt. Das erste Blockiermuster 120 und/oder das zweite Blockiermuster 106 regulieren den Strom. Spezieller fließt in Ausführungsformen, in denen das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 komplementär zueinander angeordnet sind, Strom durch alle und/oder im Wesentlichen alle Bereiche des emittierenden Musters 114. In Ausführungsformen, in denen Strom durch alle und/oder im Wesentlichen alle Bereiche des emittierenden Musters 114 fließt, kann die Lichteffizienz verbessert, z. B. höher gemacht werden.
  • 5 stellt ein lichtemittierendes Bauelement 200 gemäß einer zweiten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Allgemein werden nachstehend lediglich Unterschiede zwischen dem lichtemittierenden Bauelement 200 und dem lichtemittierenden Bauelement 100 von 1 beschrieben. Bezugnehmend auf 5 beinhaltet das lichtemittierende Bauelement 200 eine erste Elektrode 240. Die erste Elektrode 240 beinhaltet einen unteren Teil 240a und einen oder mehrere Seitenbereiche 240b. Im Gegensatz zur ersten Elektrode 140 des exemplarischen lichtemittierenden Bauelements 100 von 1 beinhaltet jedoch die erste Elektrode 240 des exemplarischen lichtemittierenden Bauelements 200 keine Vorsprünge 141. Die Seitenteile 240b der ersten Elektrode 240 des exemplarischen lichtemittierenden Bauelements 200 definieren einen Hohlraum 242. Spezieller beinhaltet die erste Elektrode 240 des lichtemittierenden Bauelements 200 lediglich einen einzigen Hohlraum 242. Das heißt, das lichtemittierende Bauelement 200 beinhaltet in entsprechenden Ausführungsformen möglicherweise keinen Hohlraum, der einem nicht-lichtemittierenden Bereich entspricht. Das emittierende Muster 114 kann sich wenigstens teilweise innerhalb des Hohlraums 242 befinden. Die zweite Elektrode 150 kann mit dem Hohlraum 242 überlappen.
  • 6 stellt ein lichtemittierendes Bauelement 300 gemäß einer dritten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Allgemein werden nachstehend lediglich Unterschiede zwischen dem lichtemittierenden Bauelement 300 und dem lichtemittierenden Bauelement 100 von 1 beschrieben. Bezugnehmend auf 6 beinhaltet das lichtemittierende Bauelement 300 eine erste Elektrode 340. Die erste Elektrode 340 ist konform mit einer Form der Zwischenschicht 210 und/oder einer Seite des leitfähigen Substrats 200, worauf sie angeordnet ist. Wenn zum Beispiel die erste Elektrode 340 auf einer Seite des leitfähigen Substrats 200 angeordnet ist, die im Wesentlichen planar ist, kann sich die erste Elektrode 340 im Wesentlichen entlang einer Ebene erstrecken. Im Gegensatz zu der ersten Elektrode 140 des lichtemittierenden Bauelements 100 von 1 beinhaltet die erste Elektrode 340 des lichtemittierenden Bauelements 300 keinerlei Seitenbereich(e) 140b und/oder keinerlei Vorsprünge 141. Des Weiteren definiert die erste Elektrode 340 des lichtemittierenden Bauelements 300 keinerlei Hohlräume. In dem exemplarischen lichtemittierenden Bauelement 300 ist die erste Elektrode 340 lediglich entlang einer Unterseite der emittierenden Struktur 110 angeordnet.
  • Die 7A und 7B stellen ein lichtemittierendes Bauelement 400 gemäß einer vierten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder meh rere Aspekte der Erfindung verwendet. Allgemein werden nachstehend lediglich Unterschiede zwischen dem lichtemittierenden Bauelement 400 und dem lichtemittierenden Bauelement 100 von 1 beschrieben. Des Weiteren können ein oder mehrere Aspekte der Erfindung auf ein lichtemittierendes Bauelement vom lateralen Typ angewendet werden.
  • Bezugnehmend auf 7A beinhaltet das lichtemittierende Bauelement 400 eine erste Elektrode 440, einen ersten Teil 116a eines zweiten leitfähigen Musters, einen zweiten Teil 116b des zweiten leitfähigen Musters und ein Substrat 201. Das Substrat 201 kann z. B. Al2O3, ZnO, Si und/oder SiC etc. beinhalten. Der erste Teil 116a des zweiten leitfähigen Musters befindet sich auf, z. B. direkt auf, dem Substrat 201. Die erste Elektrode 440 befindet sich auf dem ersten Teil 116a des zweiten leitfähigen Musters, z. B. auf einem Teil desselben, der über die emittierende Struktur 110 hinaus vorsteht. Das erste Blockiermuster 120 ist zwischen dem ersten Teil 116a des zweiten leitfähigen Musters und dem zweiten Teil 116b des zweiten leitfähigen Musters angeordnet. Wenigstens ein Teil der ersten Elektrode 440 liegt auf einer gleichen Ebene wie das erste Blockiermuster 120 relativ zu dem Substrat 201. Das lichtemittierende Bauelement 400 beinhaltet kein ohmsches Muster zwischen dem Substrat 201 und dem ersten Teil 116a des zweiten leitfähigen Musters.
  • Bezugnehmend auf 7B wird nachstehend ein exemplarischer Betrieb des in 7A gezeigten lichtemittierenden Bauelements 400 beschrieben. In entsprechenden Ausführungsformen ist zum Beispiel das erste leitfähige Muster 112 n-leitend, und die Teile 116a, 116b des zweiten leitfähigen Musters 116 sind p-leitend. In derartigen Ausführungsformen wird eine erste Vorspannung, z. B. eine positive Vorspannung (V+ oder I+), über die erste Elektrode 440 an die Teile 116a, 116b des zweiten leitfähigen Musters angelegt, und eine zweite Vorspannung, z. B. eine negative Vorspannung (V– oder I–), wird an das erste leitfähige Muster 112 angelegt. Eine Vorwärtsspannung wird an die emittierende Struktur 110 angelegt, und an der emittierenden Struktur 114 wird Licht erzeugt. Während des Betriebs mit Vorspannung in Vorwärtsrichtung fließt Strom von der ersten Elektrode 140 zu der zweiten Elektrode 150. Das erste Blockiermuster 120 und/oder das zweite Blockiermuster 106 regulieren den Strom durch das emittierende Muster 114. Spezieller fließt in Ausführungsformen, in denen das erste Blockiermuster 120 und das zweite Blockiermuster 106 komplementär zueinander angeordnet sind, Strom durch alle und/oder im Wesentlichen alle Bereiche des emittierenden Musters 114. In Ausführungsformen, in denen Strom durch alle und/oder im Wesentlichen alle Bereiche des emittierenden Musters 114 fließt, kann die Lichteffizienz verbessert, z. B. höher gemacht werden.
  • Nachstehend werden exemplarische Ausführungsformen einer lichtemittierenden Vorrichtung beschrieben, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Es versteht sich, dass, wenngleich die exemplarische Vorrichtung so beschrieben werden kann, dass sie eines der vorstehend beschriebenen, exemplarischen lichtemittierenden Bauelemente verwendet, Ausführungsformen nicht darauf beschränkt sind. Es können auch andere lichtemittierende Bauelemente eingesetzt werden, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwenden.
  • 8 stellt eine lichtemittierende Vorrichtung 500 gemäß einer ersten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Bezugnehmend auf 8 beinhaltet die lichtemittierende Vorrichtung 500 ein Substrat, z. B. eine Leiterplatte 401, einen ersten leitfähigen Bereich 410, einen zweiten leitfähigen Bereich 420, Lothügel 430 und das lichtemittierende Bauelement 400 der 7A und 7B. Spezieller ist das lichtemittierende Bauelement 400 in einer Flip-Chip-Weise mit der Leiterplatte 401 verbunden. Der erste leitfähige Bereich 410 ist von dem zweiten leitfähigen Bereich 420 elektrisch getrennt. Die erste Elektrode 440 des lichtemittierenden Bauelements 400 ist mit dem ersten leitfähigen Bereich 410 auf der Leiterplatte 401 elektrisch verbunden, und die zweite Elektrode 150 ist mit dem zweiten leitfähigen Bereich 420 auf der Leiterplatte 401 elektrisch verbunden. Die Lothügel werden dazu verwendet, die erste Elektrode 440 mit dem ersten leitfähigen Bereich 410 und die zweite Elektrode 150 mit dem zweiten leitfähigen Bereich 420 elektrisch zu verbinden. In derartigen Ausführungsformen braucht Drahtbonden nicht dazu verwendet werden, die erste Elektrode 440 mit dem ersten leitfähigen Bereich 410 und die zweite Elektrode 150 mit dem zweiten leitfähigen Bereich 420 elektrisch zu verbinden.
  • Die 9A und 9B stellen eine Querschnittansicht bzw. eine Draufsicht einer emittierenden Vorrichtung 600 gemäß einer zweiten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Bezugnehmend auf die 9A und 9B beinhaltet die emittierende Vorrichtung 600 das lichtemittierende Bauelement 100 von 1, das auf einem leitfähigen Substrat angeordnet ist, z. B. einer Leiterplatte 301. Die Leiterplatte 310 beinhaltet einen ersten leitfähigen Bereich 310 und einen zweiten leitfähigen Bereich 320. Der erste leitfähige Bereich 310 ist von dem zweiten leitfähigen Bereich 320 elektrisch getrennt. Der erste leitfähige Bereich 310 und der zweite leitfähige Bereich 320 sind auf einer gleichen Oberfläche oder Seite der Leiterplatte 301 angeordnet. Wie in den 9A und 9B dargestellt, ist der erste leitfähige Bereich 310 mit dem leitfähigen Substrat 200 des lichtemittierenden Bauelements 100 elektrisch verbunden, und der zweite leitfähige Bereich 320 ist mit der zweiten Elektrode 150 elektrisch verbunden. Spezieller kann der zweite leitfähige Bereich 320 durch Drahtbonden mit der zweiten Elektrode 150 elektrisch verbunden sein.
  • 10 stellt eine lichtemittierende Vorrichtung 700 gemäß einer dritten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Bezugnehmend auf 10 beinhaltet die lichtemittierende Vorrichtung 700 ein leitfähiges Substrat, z. B. eine Leiterplatte 302, die eine Mehrzahl von leitfähigen Bereichen und Durchkontakten beinhaltet. Spezieller beinhaltet die lichtemittierende Vorrichtung 700 den ersten leitfähigen Bereich 310 und den zweiten leitfähigen Bereich 320 auf einer ersten Oberfläche oder Seite der Leiterplatte 302 sowie einen dritten leitfähigen Bereich 312 und einen vierten leitfähigen Bereich 322 auf einer zweiten Oberfläche oder Seite der Leiterplatte 302. Der erste leitfähige Bereich 310 ist von dem zweiten leitfähigen Bereich 320 elektrisch getrennt. Der dritte leitfähige Bereich 312 ist von dem vierten leitfähigen Bereich 322 elektrisch getrennt. Der erste leitfähige Bereich 310 ist über einen oder mehrere Durchkontakte 316 mit dem dritten leitfähigen Bereich 310 elektrisch verbunden. Der zweite leitfähige Bereich 320 ist über einen oder mehrere zweite Durchkontakte 326 mit dem vierten leitfähigen Bereich 322 elektrisch verbunden. Der erste leitfähige Bereich 310 ist mit dem leitfähigen Substrat 200 des lichtemittierenden Bauelements 100 elektrisch verbunden. Der zweite leitfähige Bereich 320 ist mit der zweiten Elektrode 150 des lichtemittierenden Bauelements 100 elektrisch verbunden. In derartigen Ausführungsformen können die leitfähigen Bereiche, z. B. der erste leitfähige Bereich 310, der zweite leitfähige Bereich 320, der dritte leitfähige Bereich 312 und/oder der vierte leitfähige Bereich 322, mit Mustern auf einer Mehrzahl von Seiten, z. B. zwei Seiten, wie Vorder- und Rückseite, der Leiterplatte 302 elektrisch verbunden sein.
  • 11 stellt eine lichtemittierende Vorrichtung 800 gemäß einer vierten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. 12 stellt eine lichtemittierende Vorrichtung 810 gemäß einer fünften exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. 13 stellt eine lichtemittierende Vorrichtung 810 gemäß einer sechsten exemplarischen Ausführungsform dar, die einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Spezieller stellen die 11, 12 und 13 exemplarische Aus führungsformen einer Phosphorschicht dar, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung einsetzbar sind, die ein lichtemittierendes Bauelement gemäß einem oder mehreren Aspekten der Erfindung verwendet, z. B. die lichtemittierende Vorrichtung 600 der 9A und 9B. Allgemein sind nachstehend lediglich Unterschiede zwischen den exemplarischen Ausführungsformen der 11, 12 und 13 beschrieben.
  • Bezugnehmend auf 11 beinhaltet die lichtemittierende Vorrichtung 800 eine Phosphorschicht 341. Die Phosphorschicht 341 beinhaltet ein erstes transparentes Harz 342 und Phosphor 344. Der Phosphor 344 ist in der Phosphorschicht 341 verteilt. Spezieller kann der Phosphor 344 auf und/oder innerhalb des ersten transparenten Harzes 342 verteilt sein. Die Phosphorschicht 341 kann über dem lichtemittierenden Bauelement 600 ausgebildet sein. Zum Beispiel bedeckt die Phosphorschicht 341 das lichtemittierende Bauelement 600 auf der Leiterplatte 301 vollständig. Ein zweites transparentes Harz 350 ist auf der Phosphorschicht 341 ausgebildet. Das zweite transparente Harz 350 kann die Phosphorschicht 340 auf der Leiterplatte 310 vollständig bedecken. Das zweite transparente Harz 350 kann eine Linsenform beinhalten. Das zweite transparente Harz 350 kann Licht streuen, das von dem emittierenden Bauelement 600 erzeugt wird. Die Phosphorschicht 341 und die Leiterplatte 301 können zusammen das lichtemittierende Bauelement 600 im Wesentlichen einkapseln.
  • Bezugnehmend auf 11 kann der Phosphor 344 innerhalb des transparenten Harzes 342 verteilt sein. Der Phosphor 344 kann Licht absorbieren, das von dem emittierenden Bauelement 600 erzeugt wird, und kann das Licht in Licht einer anderen Wellenlänge umwandeln, z. B. eine andere Farbe. Der Phosphor 344 kann z. B. Material auf Nitridbasis und/oder auf Oxidbasis beinhalten, das durch Lanthanid(e), z. B. Eu, Ce etc., aktiviert werden kann.
  • Bezugnehmend auf 12 beinhaltet die lichtemittierende Vorrichtung 810 in einigen anderen exemplarischen Ausführungsformen Phosphor 444 auf dem lichtemittierenden Bauelement 600, z. B. direkt auf der zweiten ohmschen Schicht 145 und/oder der zweiten Elektrode 150. Spezieller ist der Phosphor 444 direkt und konform auf dem lichtemittierenden Bauelement 600 ausgebildet, d. h. entlang eines Profils des lichtemittierenden Bauelements 600 und/oder der Leiterplatte 301. Ein transparentes Harz 450 ist über dem Phosphor 444 und dem lichtemittierenden Bauelement 600 ausgebildet.
  • Bezugnehmend auf 13 beinhaltet die lichtemittierende Vorrichtung 820 in einigen anderen Ausführungsformen ein transparentes Harz 542 auf dem lichtemittierenden Bauelement 600, Phosphor 544 auf dem ersten transparenten Harz 542 und ein zweites transparentes Harz 550 auf dem Phosphor 544. Das heißt, der Phosphor 544 kann zwischen dem ersten transparenten Harz 542 und dem zweiten transparenten Harz 550 sein.
  • 14 stellt ein allgemeines schematisches Diagramm von exemplarischen ersten und zweiten leitfähigen Bereichen 310, 320 dar, die mit einer emittierenden Vorrichtung gemäß einem oder mehreren Aspekten der Erfindung verwendet werden können, z. B. der emittierenden Vorrichtung 800 von 11. Spezieller können die lichtemittierenden Bauelemente, z. B. 100 von 1, in einem Matrixmuster auf der Leiterplatte 301 angeordnet sein. Der erste leitfähige Bereich 310 und der zweite leitfähige Bereich 320 können langgestreckt und abwechselnd parallel auf der Leiterplatte 301 angeordnet sein. Der erste leitfähige Bereich 310 kann im Wesentlichen und/oder vollständig mit dem lichtemittierenden Bauelement 100 überlappen. Der zweite leitfähige Bereich 320 und die zweite Elektrode 150 des lichtemittierenden Bauelements 100 sind über einen Draht 330 elektrisch verbunden.
  • Die 15A und 15B stellen exemplarische Anordnungen des Phosphors 341 und des zweiten transparenten Harzes 350 von 11 dar. In entsprechenden Ausführungsformen sind die Phosphorschicht 341 und das zweite transparente Harz 350 linienförmig und/oder punktförmig etc. Spezieller bezugnehmend auf die exemplarische Ausführungsform von 15A kann bei der linienförmigen Art ein einzelner Streifen der Phosphorschicht 341 und das zweite transparente Harz 350 mit einer Mehrzahl der lichtemittierenden Bauelemente 100 überlappen. In derartigen Ausführungsformen können die lichtemittierenden Bauelemente, z. B. 100 von 1, z. B. in Matrixform angeordnet sein. Bezugnehmend auf 15B kann bei der punktförmigen Art jeder Teil der Phosphorschicht 341 und des zweiten transparenten Harzes 350 mit einem einzelnen der lichtemittierenden Bauelemente 100 überlappen.
  • Wenngleich in den 14, 15A und 15B das exemplarische lichtemittierende Bauelement 100 von 1 dargestellt ist, versteht es sich, dass Ausführungsformen nicht darauf beschränkt sind, da auch andere lichtemittierende Bauelemente, z. B. 200, 300 der 5 beziehungsweise 6, verwendet werden können. Wenngleich des Weiteren die exemplarische Phosphorschicht 341 und das zweite transparente Harz 350 von 11 in den 15A und 15B dargestellt sind, sind Ausführungsformen nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel können der exemplarische Phosphor 444 und das transparente Harz 450 von 12 in der punktförmigen und/oder linienförmigen Art der 15A und 15B angeordnet sein.
  • 16 stellt eine exemplarische Hintergrundbeleuchtung dar, die ein lichtemittierendes Bauelement 190 einsetzt, das einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Das lichtemittierende Bauelement 190 kann z. B. das lichtemittierende Bauelement 100 von 1, das lichtemittierende Bauelement 300 von 6 etc. sein. Die Hintergrundbeleuchtung beinhaltet eine emittierende Packung 14, die das lichtemittierende Bauelement 190, einen Packungskörper 210, eine Leiterplatte 301, ein transparentes Harz 250 und eine Phosphorschicht 260 enthält. Die Phosphorschicht 260 kann z. B. wie der Phosphor 544 von 13 sein. Wie in 16 dargestellt, beinhaltet die Hintergrundbeleuchtung des Weiteren eine Reflexionslage 412, ein Muster 412a, eine Transferlage 410, eine Verteilungslage 414, eine oder mehrere Prismalagen 416 und ein Anzeigepaneel 450. Ausführungsformen sind nicht auf die in 16 dargestellte exemplarische Anordnung beschränkt. Zum Beispiel kann in entsprechenden Ausführungsformen die Reflexionslage 412 parallel zu einer Vorderseite der Transferlage 410 sein, und/oder eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen 190 kann über die Reflexionsschicht 412 hinweg angeordnet sein.
  • 17 stellt ein Diagramm eines exemplarischen Projektors dar, der ein lichtemittierendes Bauelement 510 einsetzt, das einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Bezugnehmend auf 17 kann der Projektor die Lichtquelle 510, eine Kondensorlinse 520, einen Farbfilter 530, z. B. einen drehbaren Farbfilter, eine formgebende Linse 540, ein digitales Mikrospiegelbauelement (DMD) 550 und eine Projektionslinse 580 beinhalten. Licht von der Lichtquelle 510 durchläuft die Kondensorlinse 520, den Farbfilter 530 und die formgebende Linse 540, wird von dem DMD 550 reflektiert und durchläuft die Projektionslinse 580, bevor es auf dem Schirm 590 ein Bild erzeugt. Der Projektor projiziert ein Bild auf den Schirm 590. Spezieller beinhaltet die Lichtquelle 510 ein Untermontagesubstrat und ein lichtemittierendes Bauelement gemäß einem oder mehreren Aspekten der Erfindung, z. B. das lichtemittierende Bauelement 100 von 1, das lichtemittierende Bauelement 300 von 6 etc.
  • Die 18A, 18B und 18C stellen exemplarische Beleuchtungsbauelemente dar, die das lichtemittierende Bauelement 190 einsetzen, das einen oder mehrere Aspekte der Erfindung verwendet. Spezieller stellen die 18A, 18B und 18C einen Autoscheinwerfer, eine Straßenlampe beziehungsweise ein Beleuchtungslicht dar, die jeweils eines oder mehrere der lichtemittierenden Bauelemente, z. B. 100 von 1, 200 von 5, 300 von 6 etc., zum Projizieren von Licht beinhalten.
  • Die 19A, 19B, 19C, 19D, 19E, 19F, 19G, 19H und 19I stellen Stufen in einem exemplarischen Verfahren zur Herstellung des exemplarischen lichtemittierenden Bauelements 100 von 1 dar. Bezugnehmend auf 19A wird zur Herstellung des lichtemittierenden Bauelements 100 eine Opferschicht 102 auf einem Substrat 100 gebildet. Die Pufferschicht 104 wird auf der Opferschicht 102 gebildet. Das zweite Blockiermuster 106 wird auf der Pufferschicht 104 gebildet. Die Pufferschicht 104 schützt das zweite Blockiermuster 106 während LLO und dient als Kristallkeimschicht zum Aufwachsen des ersten leitfähigen Musters 112. Das zweite Blockiermuster 106 wird linienförmig, gitterförmig, punktförmig etc. strukturiert.
  • Bezugnehmend auf 19B werden nacheinander eine erste leitfähige Schicht 112a, eine emittierende Schicht 114a und eine zweite leitfähige Schicht 116a auf der Pufferschicht 104 gebildet. Die erste leitfähige Schicht 112a, die emittierende Schicht 114a und die zweite leitfähige Schicht 116a werden unter Verwendung z. B. von metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD), Flüssigphasenepitaxie, Hydridgasphasenepitaxie, Molekularstrahlepitaxie und/oder metallorganischer Gasphasenepitaxie gebildet. Durch Bilden des zweiten Blockiermusters 106 mit einer oder mehreren Öffnungen darin zur Freilegung der Pufferschicht 104 kann die Pufferschicht 104 als Kristallkeimschicht verwendet werden, und die erste leitfähige Schicht 112a, die emittierende Schicht 114a und die zweite leitfähige Schicht 116a können unter Verwendung von z. B. lateralem epitaxialem Überwachsen (LEO) gebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 19C wird die emittierende Struktur 110 durch Ätzen gebildet. Das heißt, die erste leitfähige Schicht 112a, die emittierende Schicht 114a und/oder die zweite leitfähige Schicht 116a werden geätzt, um das erste leitfähige Muster 112, das emittierende Muster 114 beziehungsweise das zweite leitfähige Muster 116 zu bilden. In entsprechenden Ausführungsformen kann die emittierende Struktur 110 geneigte Seiten beinhalten. Spezieller wird in entsprechenden Ausführungsformen, wie in 19C gezeigt, die in 19B gezeigte Struktur derart geätzt, dass ein Basisteil der verbleibenden vorspringenden Struktur(en) breiter als ein oberer Teil derselben ist, d. h. eine Breite der Vertiefung 118 nimmt in Richtung einer Basis der Vertiefung 118 ab.
  • Bezugnehmend auf 19D wird auf der emittierenden Struktur 110 eine erste Blockierschicht gebildet und strukturiert, um das erste Blockiermuster 120 zu bilden. Spezieller kann die erste Blockierschicht konform auf einem Profil der emittierenden Struktur 110 gebildet werden. Bezugnehmend auf 19D werden des Weiteren Teile der ersten Blockierschicht, z. B. obere Teile der ersten Blockierschicht auf einer Oberseite des zweiten leitfähigen Musters 116, zur Bildung des ersten Blockiermusters 120 und zur Freilegung jeweiliger Teile des zweiten leitfähigen Musters 116 strukturiert.
  • Bezugnehmend auf 19E wird die erste ohmsche Schicht 130 über dem zweiten leitfähigen Muster 116 gebildet. Spezieller füllt die erste ohmsche Schicht 130 einen oder mehrere Zwischenräume, die aus der Strukturierung des ersten Blockiermusters 120 resultieren. Auf dem ersten Blockiermuster 120 und/oder der ersten ohmschen Schicht 130 wird die erste Elektrode 140 gebildet.
  • Bezugnehmend auf 19F wird eine Mehrzahl der resultierenden Strukturen von 19E auf ein leitfähiges Substrat 200 gebondet. Wie Zum Beispiel wird, wie in 19F gezeigt, die resultierende Struktur von
  • 19E umgedreht und an das leitfähige Substrat 200 gebondet. Spezieller wird eine Mehrzahl der resultierenden Strukturen von 19E auf die Zwischenschicht 210 auf dem Substrat 200 gebondet, wie in 19G gezeigt. Auf Waferebene können mehrere lichtemittierende Strukturen gebildet werden, d. h. Substrate 100, 200 können Waferskalen-Substrate sein.
  • Bezugnehmend auf 19H kann LLO zur Entfernung des Substrats 100 und der Opferschicht 102 verwendet werden. Wie in 19H gezeigt, wird die Pufferschicht 104 als ein Ergebnis der Entfernung des Substrats 100 und der Opferschicht 102 freigelegt. Bezugnehmend auf 19I wird die zweite ohmsche Schicht 145 auf der Pufferschicht 104 gebildet. Die zweite Elektrode 150 wird auf der zweiten ohmschen Schicht 145 gebildet. Dann kann ein Sägevorgang durchgeführt werden, um die lichtemittierenden Bauelemente 100 voneinander zu trennen.

Claims (49)

  1. Lichtemittierendes Bauelement mit – einer ersten Elektrode (140), – einer zweiten Elektrode (150), die von der ersten Elektrode beabstandet ist, – einem emittierenden Muster (114), das einen Teil zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode beinhaltet, und – einem Blockiermuster (106, 120), das einen Teil (120) zwischen dem emittierenden Muster und der ersten Elektrode und/oder auf einer gleichen Ebene wie die erste Elektrode beinhaltet.
  2. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode einen ersten Teil, der sich im Wesentlichen entlang einer ersten Richtung erstreckt, und einen zweiten Teil beinhaltet, der sich im Wesentlichen entlang einer zweiten Richtung erstreckt, wobei die erste Richtung die zweite Richtung kreuzt.
  3. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Elektrode zwei vorstehende Teile beinhaltet, die einen Hohlraum (142a) definieren, wobei ein oberer Teil des Hohlraums breiter als ein unterer Teil des Hohlraums ist.
  4. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Elektrode eine Mehrzahl von Vorsprüngen beinhaltet, die einen lichtemittierenden Bereich und einen nicht-lichtemittierenden Bereich definieren, und die zweite Elektrode mit dem nicht-lichtemittierenden Bereich des emittierenden Bauelements überlappt.
  5. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Blockiermuster ein isolierendes Material beinhaltet.
  6. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Blockiermuster eine Oxidschicht, eine Nitridschicht, eine Oxid-Nitrid-Schicht, eine Aluminiumoxid-Schicht und/oder eine Aluminiumnitrid-Schicht beinhaltet.
  7. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei sich wenigstens ein Teil des Blockiermusters direkt auf der ersten Elektrode befindet.
  8. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die erste Elektrode im Wesentlichen und/oder vollständig flach ist.
  9. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Blockiermuster ein erstes Blockiermuster (120) und ein zweites Blockiermuster (106) beinhaltet.
  10. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 9, wobei das erste Blockiermuster und das zweite Blockiermuster jeweils eines von einem Linienmuster, einem Gittermuster und einem Punktmuster ist.
  11. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 9 oder 10, wobei das erste Blockiermuster und das zweite Blockiermuster versetzt relativ zueinander derart angeordnet sind, dass wenigstens ein Teil des ersten Blockiermusters mit einem Zwischenraum überlappt, der durch das zweite Blockiermuster definiert ist, und ein Teil des zweiten Blockiermusters mit einem Zwischenraum überlappt, der durch das erste Blockiermuster definiert ist.
  12. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei ein Muster des ersten Blockiermusters komplementär zu einem Muster des zweiten Blockiermusters ist.
  13. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei sich wenigstens ein Teil des ersten Blockiermusters zwischen dem emittierenden Muster und der ersten Elektrode und/oder auf einer gleichen Ebene wie die erste Elektrode befindet und sich wenigstens ein Teil des zweiten Blockiermusters zwischen dem emittierenden Muster und der zweiten Elektrode und/oder auf einer gleichen Ebene wie die zweite Elektrode befindet.
  14. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, das des Weiteren ein erstes leitfähiges Muster (116) unter dem emittierenden Muster und ein zweites leitfähiges Muster (112) über dem emittierenden Muster beinhaltet.
  15. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 14, wobei das erste leitfähige Muster, das emittierende Muster und/oder das zweite leitfähige Muster InxAlyGa(1-x-y)N beinhaltet, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist.
  16. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 14 oder 15, wobei die erste Elektrode derart angeordnet ist, dass ein Teil des ersten leitfähigen Musters auf einer Ebene liegt, die höher als eine Ebene der ersten Elektrode ist, und ein anderer Teil des ersten leitfähigen Musters auf einer Ebene liegt, die niedriger als die Ebene der ersten Elektrode ist.
  17. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei wenigstens ein Teil der ersten Elektrode auf einer gleichen Ebene wie ein jeweiliger Teil des emittierenden Musters und/oder des Blockiermusters liegt.
  18. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei wenigstens ein Teil des Blockiermusters zu einem Teil des zweiten leitfähigen Musters ausgerichtet und/oder darin eingebettet ist.
  19. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei wenigstens ein Teil des Blockiermusters zu einem Teil des ersten leitfähigen Musters ausgerichtet und/oder darin eingebettet ist.
  20. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 19, das des Weiteren ein ohmsches Muster beinhaltet, das zwischen der ersten Elektrode und dem emittierenden Muster und/oder der zweiten Elektrode und dem emittierenden Muster angeordnet ist.
  21. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 20, wobei das ohmsche Muster ein Muster (130) beinhaltet, das komplementär zu wenigstens einem Teil des Blockiermusters und auf einer gleichen Ebene wie der komplementäre Teil des Blockiermusters angeordnet ist.
  22. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 20 oder 21, wobei das ohmsche Muster (130) ein erstes ohmsches Muster zwischen der ersten Elektrode und dem emittierenden Muster und ein zweites ohmsches Muster (145) zwischen dem emittierenden Muster und der zweiten Elektrode beinhaltet.
  23. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 22, wobei das Blockiermuster einen Vorsprung beinhaltet.
  24. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 23, das des Weiteren eine Pufferschicht (104) zwischen der zweiten Elektrode und dem Blockiermuster beinhaltet.
  25. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 24, wobei die Pufferschicht InxAlyGa(1-x-y) und/oder SixCyN(1-x-y) beinhaltet, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist.
  26. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 25, wobei die erste Elektrode ein reflektierendes Material beinhaltet.
  27. Lichtemittierendes Bauelement mit – einer ersten Elektrode (140) auf einem leitfähigen Substrat (200, 210), – einer zweiten Elektrode (150) auf der ersten Elektrode, – einem emittierenden Muster (114), das einen Teil zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode beinhaltet, und – Stromregulierungsmitteln (106, 120) zum Regulieren eines Stromflusses durch das emittierende Muster, wobei wenigstens ein Teil (120) der Stromregulierungsmittel entlang eines Strompfades zwischen der ersten Elektrode und dem emittierenden Muster derart angeordnet ist, dass sämtlicher Strom, der von der ersten Elektrode zu dem emittierenden Muster fließt, diesen besagten Teil der Stromregulierungsmittel durchläuft, bevor er das emittierende Muster erreicht.
  28. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 27, wobei die Stromregulierungsmittel ein erstes regulierendes Muster (120) beinhalten, das zwischen der ersten Elektrode und dem emittierenden Muster und/oder auf einer gleichen Ebene wie die erste Elektrode angeordnet ist.
  29. Lichtemittierendes Bauelement nach Anspruch 27 oder 28, wobei die Stromregulierungsmittel ein elektrisch isolierendes Schichtmuster beinhalten.
  30. Lichtemittierendes Bauelement nach einem der Ansprüche 27 bis 29, das des Weiteren ein leitfähiges Muster (112) auf dem emittierenden Muster und Puffermittel (104) zum Schützen der Stromregulierungsmittel und/oder zur Kristallkeimbildung für ein leitfähiges Muster auf dem emittierenden Muster beinhaltet.
  31. Lichtemittierende Vorrichtung, die das lichtemittierende Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 30 beinhaltet, wobei die lichtemittierende Vorrichtung des Weiteren beinhaltet: – einen ersten leitfähigen Bereich (310) auf einem Basissubstrat (301), der mit der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist, und – einen zweiten leitfähigen Bereich (320) auf dem Basissubstrat, der mit der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ist.
  32. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei die lichtemittierende Vorrichtung eine Flüssigkristallanzeige-Hintergrundbeleuchtungseinheit, ein Projektor oder eine Lampe ist.
  33. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 31 oder 32, wobei die erste Elektrode durch ein leitfähiges Substrat (200, 210), auf dem die erste Elektrode angeordnet ist, mit dem ersten leitfähigen Bereich elektrisch verbunden ist und die zweite Elektrode mittels eines Drahts (330) mit dem zweiten leitfähigen Bereich elektrisch verbunden ist.
  34. Lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 33, wobei die erste Elektrode und die zweite Elektrode mittels eines leitfähigen Harzes mit dem ersten leitfähigen Bereich beziehungsweise dem zweiten leitfähigen Bereich elektrisch verbunden sind.
  35. Lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 34, wobei sich der erste leitfähige Bereich und der zweite leitfähige Bereich auf einer ersten Seite des Basissubstrats befinden und die lichtemittierende Vorrichtung des Weiteren beinhaltet: – einen dritten leitfähigen Bereich (312) auf einer zweiten Seite des Basissubstrats, – einen vierten leitfähigen Bereich (322) auf der zweiten Seite des Basissubstrats, – wenigstens einen Durchkontakt (316), der den ersten leitfähigen Bereich mit dem dritten leitfähigen Bereich verbindet, und – wenigstens einen Durchkontakt (326), der den zweiten leitfähigen Bereich mit dem vierten leitfähigen Bereich verbindet.
  36. Lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 35, die des Weiteren eine Phosphorschicht (444) auf dem lichtemittierenden Bauelement beinhaltet.
  37. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Phosphorschicht ein transparentes Harz beinhaltet, wobei der Phosphor innerhalb des transparenten Harzes, auf dem transparenten Harz und/oder zwischen dem transparenten Harz und dem lichtemittierenden Bauelement verteilt ist.
  38. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 36 oder 37, wobei die lichtemittierende Vorrichtung eine Mehrzahl der lichtemittierenden Bauelemente beinhaltet und die Phosphorschicht in einer linienförmigen und/oder punktförmigen Weise auf den lichtemittierenden Bauelementen angeordnet ist.
  39. Verfahren zur Herstellung eines emittierenden Bauelements, das umfasst: – Bilden eines Blockiermusters (120) auf einem Substrat (100), – Bilden eines leitfähigen Musters (116) auf dem Substrat, – Bilden eines emittierenden Musters (114) auf dem Substrat, – Bilden eines weiteren leitfähigen Musters auf dem Substrat, – Bilden einer ersten Elektrode (140) im Wesentlichen und/oder vollständig auf einer ersten Seite des emittierenden Musters und – Bilden einer zweiten Elektrode im Wesentlichen und/oder vollständig auf einer zweiten Seite des emittierenden Musters, wobei sich die erste Seite von der zweiten Seite des emittierenden Musters unterscheidet, wobei das Blockiermuster einen Teil zwischen dem emittierenden Muster und der ersten Elektrode und/oder auf einem gleichen Niveau wie die erste Elektrode beinhaltet.
  40. Verfahren nach Anspruch 39, das des Weiteren das Bilden eines weiteren Blockiermusters (106) auf dem Substrat umfasst, wobei das weitere Blockiermuster einen Teil zwischen dem emittierenden Muster und der zweiten Elektrode und/oder auf einem gleichen Niveau wie die zweite Elektrode beinhaltet.
  41. Verfahren nach Anspruch 39 oder 40, wobei das Bilden des leitfähigen Musters wenigstens teilweise vor dem Bilden des Blockier musters erfolgt und das Blockiermuster auf wenigstens einem Teil des leitfähigen Musters auf dem Substrat gebildet wird.
  42. Verfahren nach Anspruch 40 oder 41, das des Weiteren das Bilden einer Pufferschicht (104) auf dem weiteren Blockiermuster und/oder dem weiteren leitfähigen Muster und das Bilden einer ohmschen Schicht (145) auf der Pufferschicht umfasst, wobei das Bilden der zweiten Elektrode das Bilden der zweiten Elektrode auf der ohmschen Schicht beinhaltet.
  43. Verfahren nach einem der Ansprüche 40 bis 42, wobei das Bilden des weiteren Blockiermusters vor dem Bilden des weiteren leitfähigen Musters und dem Bilden des Blockiermusters erfolgt, wobei das weitere leitfähige Muster auf dem weiteren Blockiermuster gebildet wird und das Blockiermuster auf dem emittierenden Muster und dem weiteren leitfähigen Muster gebildet wird.
  44. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 bis 43, wobei das Substrat ein temporäres Substrat (100) ist und das Verfahren des Weiteren das elektrische Verbinden der ersten Elektrode mit einem leitfähigen Substrat und das Entfernen des temporären Substrats beinhaltet und wobei das Bilden der zweiten Elektrode nach dem Entfernen des temporären Substrats erfolgt und das Bilden der zweiten Elektrode auf dem weiteren leitfähigen Muster beinhaltet, wobei die zweite Elektrode auf einer Seite des weiteren leitfähigen Musters gebildet wird, die dem temporären Substrat zugewandt war, bevor es entfernt wurde.
  45. Verfahren nach Anspruch 44, das des Weiteren umfasst: – sukzessives Bilden einer Opferschicht (102) und einer Pufferschicht (104) auf dem temporären Substrat vor dem Bilden des weiteren Blockiermusters und – Bilden einer ohmschen Schicht (145) auf der Pufferschicht und Bilden der zweiten Elektrode auf der weiteren ohmschen Schicht nach dem Entfernen des temporären Substrats und der Opferschicht.
  46. Verfahren nach einem der Ansprüche 40 bis 45, wobei das Bilden des weiteren leitfähigen Musters, das Bilden des emittierenden Musters und das Bilden des leitfähigen Musters umfassen: – sukzessives Bilden einer weiteren leitfähigen Schicht, einer emittierenden Schicht und einer leitfähigen Schicht auf dem weiteren Blockiermuster und – selektives Ätzen der leitfähigen Schicht, der emittierenden Schicht und der weiteren leitfähigen Schicht, um das leitfähige Muster, das emittierende Muster beziehungsweise das weitere leitfähige Muster zu bilden, wobei das leitfähige Muster, das emittierende Muster und das weitere leitfähige Muster eine emittierende Struktur einer Zwischenstruktur bilden.
  47. Verfahren nach Anspruch 46, wobei das Bilden des Blockiermusters das Bilden einer Blockierschicht auf freiliegenden Teilen der emittierenden Struktur und das selektive Strukturieren der Blockierschicht beinhaltet, um das Blockiermuster zu bilden und dabei Teile des leitfähigen Musters freizulegen, und wobei das Verfahren des Weiteren das Bilden eines ohmschen Musters wenigstens auf freigelegten Teilen des leitfähigen Musters beinhaltet.
  48. Verfahren nach Anspruch 46 oder 47, wobei das Bilden der emittierenden Struktur das Entfernen jeweiliger Teile der leitfähigen Schicht, der weiteren leitfähigen Schicht und der emittierenden Schicht beinhaltet, um Gräben in der Zwischenstruktur zu bilden.
  49. Verfahren nach einem der Ansprüche 40 bis 48, wobei das Bilden des Blockiermusters und das Bilden des weiteren Blockiermusters das Bilden und Strukturieren einer Blockierisolationsschicht beziehungsweise einer weiteren Blockierisolationsschicht in einer linienförmigen, einer punktförmigen und/oder einer gitterförmigen Weise beinhalten.
DE102009025456A 2008-06-24 2009-06-15 Lichtemittierendes Bauelement, selbiges enthaltende lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung desselben Withdrawn DE102009025456A1 (de)

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TW (1) TW201001760A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017114369A1 (de) * 2017-06-28 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7638346B2 (en) 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US20060005763A1 (en) 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
CN101331249B (zh) 2005-12-02 2012-12-19 晶体公司 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
US8012257B2 (en) 2006-03-30 2011-09-06 Crystal Is, Inc. Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals
CN107059116B (zh) 2007-01-17 2019-12-31 晶体公司 引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9437430B2 (en) 2007-01-26 2016-09-06 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8088220B2 (en) 2007-05-24 2012-01-03 Crystal Is, Inc. Deep-eutectic melt growth of nitride crystals
KR100993094B1 (ko) * 2010-02-01 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
JP2011166036A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
US8632212B2 (en) 2010-02-12 2014-01-21 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illumination device
JP4932064B2 (ja) * 2010-03-11 2012-05-16 パナソニック株式会社 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
KR101102662B1 (ko) * 2010-04-02 2012-01-04 경희대학교 산학협력단 Ga-O-N 계열의 희생층을 이용한 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
KR101028206B1 (ko) * 2010-04-08 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101047720B1 (ko) * 2010-04-23 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
TWI455377B (zh) * 2010-04-23 2014-10-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體結構及其製作方法
US8154042B2 (en) * 2010-04-29 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N V Light emitting device with trenches and a top contact
JP5806734B2 (ja) 2010-06-30 2015-11-10 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 熱勾配制御による窒化アルミニウム大単結晶成長
CN103222073B (zh) * 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
KR101781050B1 (ko) * 2010-09-15 2017-09-25 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101707118B1 (ko) * 2010-10-19 2017-02-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
JP6081062B2 (ja) * 2011-01-26 2017-02-15 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
US8952405B2 (en) 2011-03-06 2015-02-10 Mordehai MARGALIT Light emitting diode package and method of manufacture
CN105304800B (zh) 2011-04-20 2019-06-11 松下电器产业株式会社 发光装置、背光单元、液晶显示装置以及照明装置
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
KR101803570B1 (ko) * 2011-06-09 2017-11-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
KR102008276B1 (ko) * 2012-06-14 2019-08-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
EP2973755B1 (de) * 2013-03-13 2018-12-05 Lumileds Holding B.V. Halbleiterstruktur mit einem porösen reflektiven kontakt
CN108511567A (zh) 2013-03-15 2018-09-07 晶体公司 与赝配电子和光电器件的平面接触
JP6102408B2 (ja) * 2013-03-27 2017-03-29 豊田合成株式会社 発光装置、及びその製造方法
JP6110217B2 (ja) * 2013-06-10 2017-04-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子の製造方法
JP6215612B2 (ja) * 2013-08-07 2017-10-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
USD741318S1 (en) 2013-10-25 2015-10-20 Intel Corporation Electronic device with a window
JP2015109192A (ja) 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP6438978B2 (ja) 2014-06-18 2018-12-19 エックス−セレプリント リミテッドX−Celeprint Limited マイクロ組立ledディスプレイ
US9716082B2 (en) 2014-08-26 2017-07-25 X-Celeprint Limited Micro assembled hybrid displays and lighting elements
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9537069B1 (en) * 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
CN107210337B (zh) * 2014-11-06 2021-06-29 亮锐控股有限公司 具有顶部接触件下方的沟槽的发光器件
JP2016134439A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社東芝 半導体発光素子
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
CN111682017B (zh) * 2015-12-28 2023-08-29 日亚化学工业株式会社 发光模块
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10109753B2 (en) 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
TWI710061B (zh) 2016-02-25 2020-11-11 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
EP3767688B1 (de) 2016-05-03 2022-10-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierende diode
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10340415B2 (en) 2016-09-01 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor device package including the same
KR102524303B1 (ko) 2016-09-10 2023-04-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN115602765A (zh) 2016-09-13 2023-01-13 苏州立琻半导体有限公司(Cn) 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10224231B2 (en) 2016-11-15 2019-03-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10903395B2 (en) 2016-11-24 2021-01-26 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device having varying concentrations of aluminum
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
KR102390828B1 (ko) 2017-08-14 2022-04-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
WO2019146816A1 (ko) * 2018-01-26 2019-08-01 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI685096B (zh) * 2018-11-21 2020-02-11 瑩耀科技股份有限公司 多層堆疊補隙發光半導體結構及其製作方法
US11271143B2 (en) 2019-01-29 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11302248B2 (en) 2019-01-29 2022-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh U-led, u-led device, display and method for the same
US11156759B2 (en) 2019-01-29 2021-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
US11610868B2 (en) 2019-01-29 2023-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
DE112020002077A5 (de) * 2019-04-23 2022-01-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Led modul, led displaymodul und verfahren zu dessen herstellung
US11538852B2 (en) 2019-04-23 2022-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4864370A (en) * 1987-11-16 1989-09-05 Motorola, Inc. Electrical contact for an LED
JP2927158B2 (ja) * 1993-09-29 1999-07-28 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
BE1007913A3 (nl) * 1993-12-24 1995-11-14 Philips Electronics Nv Lagedrukontladingslamp en werkwijze voor het vervaardigen van een lagedrukontladingslamp.
CA2339545A1 (en) * 1998-06-08 1999-12-16 Karlheinz Strobl Efficient light engine systems, components and methods of manufacture
JP2000101194A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体層の形成方法ならびに半導体素子の製造方法
JP2001111103A (ja) * 1999-10-14 2001-04-20 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 領域電流密度を制御可能なled
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
KR100487757B1 (ko) 2003-01-28 2005-05-06 엘지전자 주식회사 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US6973164B2 (en) * 2003-06-26 2005-12-06 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement
KR20060077801A (ko) 2004-12-31 2006-07-05 엘지전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR100604562B1 (ko) 2005-07-01 2006-07-24 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100616693B1 (ko) * 2005-08-09 2006-08-28 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
JP2007067198A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子
US7435982B2 (en) * 2006-03-31 2008-10-14 Energetiq Technology, Inc. Laser-driven light source

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017114369A1 (de) * 2017-06-28 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US11133446B2 (en) 2017-06-28 2021-09-28 Osram Oled Optoelectronic component

Also Published As

Publication number Publication date
US8476666B2 (en) 2013-07-02
TW201001760A (en) 2010-01-01
KR20100003321A (ko) 2010-01-08
US20130285103A1 (en) 2013-10-31
CN101615648A (zh) 2009-12-30
JP2010010681A (ja) 2010-01-14
US20090315054A1 (en) 2009-12-24

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