DE10213464B4 - Auf einem hochohmigen Substrat gebildetes monolithisches LED-Array - Google Patents

Auf einem hochohmigen Substrat gebildetes monolithisches LED-Array Download PDF

Info

Publication number
DE10213464B4
DE10213464B4 DE10213464.2A DE10213464A DE10213464B4 DE 10213464 B4 DE10213464 B4 DE 10213464B4 DE 10213464 A DE10213464 A DE 10213464A DE 10213464 B4 DE10213464 B4 DE 10213464B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
contact
arrangement
array
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10213464.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10213464A1 (de
Inventor
William David Collins III
Jerome Chandra Bhat
Daniel A. Steigerwald
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumileds Holding BV
Original Assignee
Lumileds Holding BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25239836&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE10213464(B4) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Lumileds Holding BV filed Critical Lumileds Holding BV
Publication of DE10213464A1 publication Critical patent/DE10213464A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10213464B4 publication Critical patent/DE10213464B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

Auf einem hochohmigen Substrat (20) gebildetes Array (40) zum Betrieb mit Gleichspannung, wobei das Array (40) umfasst:eine erste, Licht emittierende Anordnung (A), mit:einer über einem ersten Abschnitt des Substrates (20) liegenden ersten n-Schicht (42a);einem über der ersten n-Schicht (42a) liegenden ersten aktiven Gebiet (49a);einer über dem ersten aktiven Gebiet (49a) liegenden ersten p-Schicht (41a);einem mit der ersten n-Schicht (42a) verbundenen ersten n-Kontakt (45a);einem mit der ersten p-Schicht (41a) verbundenen ersten p-Kontakt (44a), wobei der erste n-Kontakt (45a) und der erste p-Kontakt (44a) auf der gleichen Seite der Anordnung (A) gebildet sind;eine zweite Anordnung (B) zum Schutz der ersten Anordnung (A) gegen elektrostatische Entladung, mit:einer über einem zweiten Abschnitt des Substrates (20) liegenden zweiten n-Schicht (42b);einem über der zweiten n-Schicht (42b) liegenden zweiten aktiven Gebiet (49b);einer über dem zweiten aktiven Gebiet (49b) liegenden zweiten p-Schicht (41b);einem mit der zweiten n-Schicht (42b) verbundenen zweiten n-Kontakt (45b);einem mit der zweiten p-Schicht (41b) verbundenen zweiten p-Kontakt (44b), wobei der zweite n-Kontakt (45b) und der zweite p-Kontakt (44b) auf der gleichen Seite der Anordnung (B) gebildet sind;entweder einen Graben (43) der die erste Anordnung (A) und die zweite Anordnung (B) trennt undeine erste Verdrahtung (46a), die den ersten p-Kontakt (44a) mit dem zweiten n-Kontakt (45b) verbindet, wobei das Array (40) weiterhin eine zweite Verdrahtung (46b) umfasst, die den zweiten p-Kontakt (44b) mit dem ersten n-Kontakt (45a) verbindet, wobei die Fläche der zweiten Anordnung kleiner ist als die Fläche der ersten Anordnung, wobei sich der Graben (43) über die gesamte Länge des Substrats (20) erstreckt.

Description

  • Herkömmliche Materialien für Leuchtdioden (LED), wie z.B. GaAs, haben den Aufbau von nur Einzelübergangs- oder Mehrfach-Parallelübergangsanordnungen ermöglicht, wenn sie monolithisch hergestellt werden. 1 A veranschaulicht ein typisches Mehrfach-Parallelübergangs-LED-Array 10. Mehrere p-Gebiete 13 sind über einem gemeinsamen n-Gebiet 18 aufgewachsen. Der n-Kontakt 11 schließt an ein n-Gebiet 18 und mehrere p-Kontakte 14 schließen an p-Gebiete 13 an. Die Anordnung wird durch Bildung eines n-Gebietes 18 auf einem Substrat 12, dann Bildung einer kontinuierlichen p-Schicht über dem n-Gebiet hergestellt. Die p-Schicht wird dann durch mechanisches Zersägen oder chemisches Ätzen von Gräben 15 zwischen p-Gebieten 13 in diskrete Gebiete unterteilt. 1B veranschaulicht ein anderes Mehrfach-Parallelübergangs-LED-Array 16. Statt durch mechanisches Zersägen oder chemisches Ätzen sind die p-Gebiete 13 durch Diffusion voneinander isoliert. Die in den 1A und 1B dargestellten monolithischen Arrays sind auf die in 2 erläuterte Parallelkonfiguration beschränkt, weil die Verwendung von Kontakten auf gegenüber liegenden Seiten der Anordnung eine gemeinsame leitfähige Schicht, d.h. n- oder p-Schicht erfordern.
  • DE 41 07 526 A1 offenbart eine Schaltung mit zwei anti-parallel geschalteten Dioden und einer ESD-Schutzschaltung.
  • US 6,185,250 B1 offenbart einen VCSEL, der mit einer monolithisch verbundenen Diode anti-parallel verschaltet ist.
  • US 5 952 681 A1 offenbart eine monolithische Anordnung mit mehreren LEDs zur Erzeugung einer Vielfarben-Anordnung.
  • JP H11-150 303 A offenbart eine monolithische Anordnung mehrerer in Reihe geschalteter LEDs zur Erzeugung eines Flächenstrahlers.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung gemäß Anspruch 1 ist auf einem isolierenden oder hochohmigen Substrat ein LED-Array gebildet worden, sodass sowohl die p- als auch die n-Kontakte für das Array an der gleichen Seite des Array liegen. Die einzelnen LEDs sind voneinander durch Gräben elektrisch isoliert. Auf dem Array aufgebrachte Verdrahtungen verbinden die Kontakte der einzelnen LEDs in dem Array. Bei manchen Ausführungsformen sind die LEDs auf Saphirsubstraten gebildete III-Nitrid-Anordnungen. Bei einer Ausführungsform sind die III-Nitrid-Anordnungen auf hochohmigen SiC- oder III-Nitrid-Substraten gebildet worden. Gemäß der vorliegenden Erfindung sind zwei auf einem einzigen Substrat gebildete LEDs antiparallel geschaltet, um eine monolithische Schutzschaltung gegen elektrostatische Entladung zu bilden. Bei manchen Ausführungsformen bedeckt eine Leuchtstoffschicht einen Abschnitt des Substrates, auf dem eine oder mehrere einzelne LEDs gebildet worden sind.
    • 1A und 1B veranschaulichen typische Mehrfach-Parallelübergangs-LED-Arrays.
    • 2 veranschaulicht ein Schaltbild eines parallelen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung).
    • 3-6 veranschaulichen eine Ausführungsform eines seriellen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung) bei verschiedenen Stadien der Herstellung.
    • 7A und 7B veranschaulichen zwei Ausführungsformen von seriellen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung).
    • 8A veranschaulicht eine Draufsicht einer Ausführungsform eines seriellen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung).
    • 8B veranschaulicht ein Schaltbild eines seriellen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung).
    • 9A veranschaulicht eine Draufsicht eines seriellen/parallelen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung).
    • 9B veranschaulicht ein Schaltbild eines seriellen/parallelen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung).
    • 10 veranschaulicht ein Schaltbild eines Paares von antiparallelen LEDs gemäß der vorliegenden Erfindung.
    • 11 veranschaulicht eine Draufsicht einer Ausführungsform einer monolithischen ESD-Schutzstruktur zur Erläuterung der vorliegenden Erfidnung.
    • 12 veranschaulicht einen Querschnitt der in 11 gezeigten Struktur.
    • 13 veranschaulicht einen Querschnitt eines parallelen LED-Arrays (nicht Teil der vorliegenden Erfindung).
    • 14 veranschaulicht eine Draufsicht der in 13 gezeigten Struktur.
    • 15 veranschaulicht ein monolithisches LED-Array mit Leuchtstoff, der eine der einzelnen LEDs bedeckt nicht Teil der vorliegenden Erfindung.
  • Materialsysteme, die derzeit bei der Herstellung von Leuchtdioden (LEDs) mit großer Helligkeit, welche im sichtbaren Spektrum arbeiten können, von Interesse sind, sind Halbleiter der Gruppe III-V, insbesondere binäre, ternäre, und quaternäre Legierungen aus Gallium, Aluminium, Indium und Stickstoff, auch als III-Nitridmaterialien bezeichnet. Die hier genannten III-Nitrid-Halbleiterschichten sind Verbindungen, die durch die allgemeine Formel AlxGayIn1-x-yN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x+y ≤ 1) dargestellt werden, die weiterhin Elemente der Gruppe III enthalten können, wie z.B. Bor und Thallium, und in denen ein Teil des Stickstoffs durch Phosphor, Arsen oder Antimon ersetzt werden kann. Typischerweise werden III-Nitridschichten auf Saphir-, Siliciumcarbid- oder Galliumnitridsubstraten durch metallorganisches Abscheiden aus der Gasphase (MOCVD: metal-organic chemical vapor deposition), Molekularstrahlepitaxie (MBE: molecular beam epitaxy) oder andere Epitaxietechniken epitaktisch aufgewachsen. Saphirsubstrate werden wegen ihrer großen Verfügbarkeit und einfachen Handhabbarkeit häufig verwendet. Saphir ist ein Isolator. Die Anmeldung Nr. 09/469,657, mit dem Titel „III-Nitrid Light Emitting Device with Increased Light Generating Capability,“ eingereicht am 22. Dezember 1999 für eine Erfindung von Krames et al., offenbart Licht emittierende III-Nitrid-Anordnungen, die auf Substraten mit hoher Brechzahl aufgewachsen sind, die geringe optische Absorption aufweisen. Diese Substrate können SiC- oder III-Nitridmaterialien sein und haben infolge des geringen Fremdatomgehaltes einen hohen elektrischen Widerstand. Für die auf isolierenden oder hochohmigen Substraten aufgewachsenen III-Nitrid-Anordnungen müssen die elektrischen Kontakte zu den epitaktisch aufgewachsenen Halbleitern sowohl für die positive als auch die negative Polarität auf der gleichen Seite der Anordnung liegen. Im Unterschied dazu werden Halbleiteranordnungen, die auf leitenden Substraten aufgewachsen sind, wie z.B. die von 1A und 1B, typischerweise so hergestellt, dass der eine elektrische Kontakt auf dem epitaktisch aufgewachsenen Material und der andere elektrische Kontakt auf dem Substrat gebildet wird.
  • Unter Verwendung isolierender oder hochohmiger Substrate können monolithische III-Nitrid-LED-Arrays hergestellt werden, indem Gräben oder Ionenimplantationsgebiete zwischen den einzelnen LEDs gebildet werden, um die einzelne LEDs elektrisch zu isolieren. 3-7 veranschaulichen die Herstellung eines monolithischen III-Nitrid-LED-Array . In 3 ist eine n-Schicht 22 aus beispielsweise mit Si, Ge, oder 0 dotiertem GaN gebildet, die über einem hochohmigen Substrat 20 liegt. Danach ist eine aktive Schicht 23 aus beispielsweise InGaN gebildet, die über der n-Schicht 22 liegt, und schließlich eine p-Schicht 24 aus beispielsweise mit Zn, Mg, Be, Ca oder Cd dotiertem AlGaN, die über der aktiven Schicht liegt. Die Schichten 22, 23 und 24 können übrigens mehrere Teilschichten anderer Zusammensetzung und Dotierstoffkonzentration enthalten, die der Deutlichkeit halber weggelassen sind. Die n-Schicht 22 kann beispielsweise eine Nukleationsschicht, eine hochohmige GaN-Schicht (z.B. eine nicht absichtlich dotierte GaN-Schicht) und eine schwach n-dotierte Schicht und dann eine stärker dotiert n-Schicht enthalten. Die aktive Schicht 23 kann beispielsweise eine Multi-Quantum-Well-Struktur sein.
  • In 4 ist ein Abschnitt der n-Schicht 22, der aktiven Schicht 23 und der p-Schicht 24 weggeätzt, um einen Graben 26 zu bilden. Das verwendete Ätzen kann beispielsweise reaktives Ionenätzen sein, mit einem chlorhaltigen Ätzgas, wie z.B. BCl3. Der Graben 26 ist breit genug, um die Halbleiterschichten zu beiden Seiten des Grabens elektrisch zu isolieren. Der Graben 26 ist hinab bis zum Substrat oder bis zu einer unter der n-Schicht 22 liegenden hochohmigen Schicht, wie z.B. einer nicht absichtlich dotierten GaN-Schicht geätzt. Gleichermaßen können die benachbarten LEDs mit Hilfe eines Ionenimplantationsprozesses elektrisch isoliert werden, der das dazwischen liegende Material hochohmig machen kann. Dann wird ein Abschnitt der p-Schicht 24 und der aktiven Schicht 23 von jeder verbleibenden Insel aus Halbleitermaterial weggeätzt, wie in 5 veranschaulicht wird, wobei beispielsweise Ionenätzen verwendet wird. Die zweite Ätzung legt Vorsprünge 28 auf der n-Schicht 22 frei, wo schließlich n-Kontakte gebildet werden.
  • Wie in 6 ersichtlich, sind die Vorsprünge für die n-Kontaktbildung durch Deponieren eines dielektrischen Materials 30 über der Anordnung elektrisch isoliert. Das Dielektrikum wird dann strukturiert und an Stellen entfernt, um Kontaktlöcher auf der n-Schicht 22 und der p-Schicht 24 zu öffnen, sodass das Dielektrikum 30 im Graben 26 zwischen den einzelnen LEDs auf dem Substrat und auf den Mesa-Wänden zwischen der freigelegten p-Schicht und n-Schicht jeder LED bleibt. Das Dielektrikum 30 kann beispielsweise von Oxiden von Silicium, Nitriden von Silicium, Oxynitriden von Silicium, Aluminumoxid oder einem beliebigen anderen geeigneten dielektrischen Material gebildet werden.
  • 7A und 7B zeigen zwei Beispiele für fertiggestellte serielle LED-Arrays. 7A veranschaulicht eine Anordnung, bei der die LEDs in dem Array durch Gräben getrennt sind. 7B veranschaulicht eine Anordnung, bei der die LEDs in dem Array durch Ionenimplantationsgebiete 301 getrennt sind. Elektrodenmaterialien werden aufgebracht und strukturiert, um p- und n-Kontakte 32 zu bilden. Typische Kontaktmaterialien sind Al oder Ti-Al für den n-Kontakt und Ag, Au, Ni, Pt oder Legierungen davon für den p-Kontakt. Die Kontakte 32 können transparent sein, wie z.B. in Anordnungen, bei denen Licht durch die Oberfläche der Epitaxieschichten hindurch entnommen wird, oder reflektierend, wie z.B. bei Flip-chip-Anordnungen, bei denen Licht durch das Substrat entnommen wird. Nach dem Aufbringen und Strukturieren der Kontakte ist ein Array aus nicht verbundenen Leuchtdioden auf einem einzigen Substrat gebildet worden. Andere Prozessabläufe können verwendet werden, um die gleiche Endstruktur zu entwickeln. Die LEDs können danach in vielen verschiedenen Konfigurationen angeschlossen werden.
  • Danach werden Verdrahtungen 34 aufgebracht, um die einzelnen LEDs auf der Anordnung anzuschließen. Die Verdrahtung 34 kann beispielsweise Al, Cu, Au, Ag oder Legierungen wie z.B. AlSiCu sein. p- und n-Kontakte 32 sind Materialien, die für die Bildung eines ohmschen Kontakts mit den Halbleiterschichten optimiert sind, während die Verdrahtung 34 ein dickes, sehr gut leitendes Material ist, das für das Führen von Strom optimiert ist. Wenn Licht der Anordnung durch transparente Kontakte entnommen wird, wird die Verdrahtung 34 so aufgebracht, dass möglichst wenige der Kontakte blockiert werden, um die in der Verdrahtung absorbierte Menge Licht möglichst zu minimieren. Die beiden LEDs von 7A und 7B sind in Reihe geschaltet, wobei der n-Kontakt der LED B mit dem p-Kontakt der LED-A verbunden ist. Wie ersichtlich, können Metallverdrahtungen 34 aufgebracht werden, um die LEDs eines monolithischen Arrays in vielen verschiedenen Konfigurationen anzuschließen.
  • Bei einer nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform, wie der in 8A und 8B gezeigten, wird ein serielles Array aus vier LEDs in einer symmetrischen Quadrat-Konfiguration gebildet. 8B zeigt ein Schaltbild von vier in Reihe geschalteten LEDs in einem quadratischen Array. 8A zeigt eine Draufsicht einer Ausführungsform von 8B. Es ist wünschenswert, die größten Abmessungen des LED-Arrays zu minimieren, weil das Array nach der Herstellung in einer Optik montiert wird, um Licht aus dem montierten Array heraus zu lenken. Die Größe der Optik nimmt typischerweise geometrisch mit zunehmender Größe der Lichtquelle zu.
  • Das Array in 8A hat vier in Reihe geschaltete LEDs, die elektrisch isoliert sind, und zwar mittels Ätzen zur Entfernung von III-Nitridmaterial, um einen Graben 80 zwischen den einzelnen LEDs zu bilden, wie oben in 3-7A beschrieben. Das Ätzen verläuft bis zumindest einer hochohmigen III-Nitrid-Schicht, wie z.B. einer nicht absichtlich dotierten GaN-Schicht. Die elektrischen Durchverbindungen werden mittels Metallbahnen 81 verschafft. Die resultierende Anordnung kann durch die in 8B gezeigte elektronische Schaltung dargestellt werden. Diese Anordnung arbeitet somit bei der vierfachen Spannung und mit 4-mal weniger Strom als eine einzelne LED der gleichen aktiven Gebietsfläche. Eine 1 mm2 große III-Nitrid-LED kann beispielsweise bei 3,0 V und 350 mA arbeiten. Diese gleiche aktive Übergangsfläche, aufgeteilt in vier in Reihe geschaltete LEDs wie in 8A gezeigt, verschafft eine Anordnung, die bei 12,0 V und 87,5 mA arbeitet. Dieser Betrieb bei höherer Spannung und niedrigerem Strom stellt geringere Anforderungen an die elektronische Treiberschaltung für das LED-Array. Die elektronische Treiberschaltung kann nämlich bei höheren Spannungen mit größerem Wirkungsgrad arbeiten, wodurch der Gesamtwirkungsgrad des LED-Beleuchtungssystems verbessert wird. Eine monolithische Anordnung gemäß dieser Ausführungsform wird einem herkömmlichen Ansatz, bei dem einzelne LED-Chips in Reihe befestigt werden, vorgezogen. Bei dem herkömmlichen Ansatz ist die von dem LED-Chip eingenommene Gesamtfläche wegen der von den Chip-Befestigungsmaschinen geforderten Toleranzen höher. Dies vergrößert in unerwünschter Weise das Ausmaß der optischen Quelle der gesamten LED und erfordert eine Zunahme bei den Abmessungen nachfolgender Optik in dem LED-System. Bei der bevorzugten Ausführungsform können die Dioden so dicht nebeneinander liegen, wie es das Ätzen des Grabens oder die Ionenimplantation zur elektrischen Isolierung zulassen. Die Breite des Grabens oder Ionenimplantationsgebietes kann einige wenige Mikrometer klein sein, sodass die Packungsdichte für Dioden in der Ausführungsform sehr groß sein kann.
  • Insbesondere können monolithische serielle Arrays aus LEDs mehrere Vorteile bieten. Erstens verringern monolithische Arrays die Anzahl der Anschlüsse an externe Elektronik, wie z.B. eine Teilmontierung. Wenn die Anordnung so gebildet ist, dass Licht von der Epitaxieseite der Anordnung durch transparente Kontakte hindurch entnommen wird, bedeutet eine Verringerung der Anzahl Anschlüsse mit externer Elektronik, dass Licht aus einer größeren Fläche der Anordnung entnommen werden kann. Bei solchen Anordnungen werden die LEDs typischerweise mittels Drahtanschlüssen mit externer Elektronik verbunden, die das der LED entnommene Nutzlicht teilweise abdunkeln. Verdrahtungen würden dieses entnommene Licht typischerweise in viel geringerem Maße abdunkeln. Wenn die Anordnung ein Flip-Chip ist, bedeuten weniger Kontakte zur Teilmontierung, dass die Anordnung mehr aktive Gebiete zum Erzeugen von Licht haben kann. Zweitens arbeiten, wie oben beschrieben, monolithische serielle Arrays bei höherer Spannung als eine einzelne LED. Eine höhere Betriebsspannung kann den Entwurf einer Stromversorgung zum Ansteuern des LED-Arrays vereinfachen.
  • 9A und 9B veranschaulichen ein symmetrisches quadratisches serielles/paralleles LED-Array. 9B zeigt ein Schaltbild von vier LEDs, die als zwei parallele Ketten von zwei in Reihe geschalteten LEDs angeschlossen sind. 9A zeigt eine Draufsicht einer Ausführungsform von 9B. Ein solches serielles/paralleles Array ist wie oben anhand von 3-7A beschrieben gebildet.
  • 10 veranschaulicht eine Schaltung zum Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD), bei der zwei Dioden antiparallel geschaltet sind. Die erste LED klemmt Sperrdurchbruch in der zweiten LED. 11 und 12 veranschaulichen eine Ausführungsform 40 einer monolithischen ESD-Schutzschaltung. Die Strukturen A und B werden auf einem hocholunigen Substrat 20 gebildet. Eine Struktur A ist als LED geschaltet, um Licht zu erzeugen, während die andere Struktur B zum Klemmen von Sperrdurchbruch in LED-A verwendet wird. p-Schichten 41a und 41b liegen über den aktiven Gebieten 49a und 49b, die auf n-Schichten 42a und 42b gebildet sind. Ein Graben 43 ist zwischen Anordnungen A und B gebildet. Vorsprünge zur Kontaktbildung auf n-Schichten 42a und 42b sind freigelegt, sodass die n-Elektroden 45a und 45b beidseitig des Grabens 43 liegen. Eine dielektrische Schicht 47 isoliert p-Schichten und n-Schichten elektrisch voneinander. Die p-Elektrode 44a und die n-Elektrode 45b sind mittels der Verdrahtung 46a so verbunden, dass der p-Kontakt der LED-A mit dem n-Kontakt der Klemmanordnung B verbunden ist. In dem Gebiet, in dem die Verdrahtung 46a aufgebracht ist, ist der n-Kontakt von LED-A von der Verdrahtung 46a durch die dielektrische Schicht 47 isoliert, wie in 12 gezeigt. Wie in 11 gezeigt, ist die Durchverbindung zwischen dem p-Kontakt der LED-A und dem n-Kontakt der Klemmanordnung B auf einer einzigen Seite der Anordnung gebildet, und die Durchverbindung zwischen dem n-Kontakt der LED-A und dem p-Kontakt der Klemmanordnung B ist an der anderen Seite der Anordnung gebildet. Die Struktur kann dann über Lötbuckel oder Drahtanschlüsse 48 mit einer Teilmontierung oder einer anderen Struktur (nicht abgebildet) verbunden werden.
  • 11 und 12 zeigen eine Struktur, bei der die Klemmanordnung die gleiche Größe hat wie die LED. Da die Klemmanordnung unter normalen Betriebsbedingungen kein Licht emittiert, ist erfindungsgemäß die Größe der Klemmanordnung relativ zur LED verringert. Bei einer Ausführungsform kann der pn-Übergang für die Klemmanordnung unter einem Lötbuckel oder Drahtanschluss 48 gebildet werden, sodass keine Nutzlicht emittierende Fläche verloren geht. Bei einer anderen nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform ist die Größe der beiden antiparallelen Dioden ungefähr gleich und die Anordnung kann mit einer Wechselstromquelle betrieben werden.
  • Parallele LED-Arrays können auch auf hochohmigen Substraten gebildet werden. 13 und 14 veranschaulichen eine nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform eines solchen Arrays. Drei p-Gebiete 90, 91, und 92 sind durch ein einziges kontinuierliches n-Gebiet 93, das zwischen den p-Gebieten liegt, voneinander isoliert. Auf der p-Schicht 24 aufgebrachte p-Kontakte 32b und auf der n-Schicht 22 aufgebrachte n-Kontakte 32a sind mit einer Teilmontierung (nicht abgebildet) über Lötbuckel 95 verbunden. Die Teilmontierung kann Steuerelektronik oder geeignete Verbindungsfähigkeit enthalten, um jedes p-Gebiet unabhängig zu adressieren. Bei solchen Ausführungsformen kann jede LED unabhängig von den anderen betrieben werden.
  • Eine einzige LED, bei der das n-Gebiet zwischen Abschnitten eines einzigen p-Gebietes liegt, wird in der Anmeldung Nr. 09/469,657, mit dem Titel „Ill-Nitrid Light Emitting Device with Increased Light Generating Capability“, eingereicht am 22. Dezember 1999 für eine Erfindung von Krames et al. beschrieben. Der Anordnung von Krames et al. fehlt der obere horizontale Abschnitt 96 des n-Kontaktes 93 und die oberen beiden Lötbuckel auf dem n-Kontakt, in 14 gezeigt. Daher verteilt sich Strom aus den beiden unteren n-Kontakt-Lötbuckeln nicht leicht in die obersten Abschnitte der vertikalen Arme 97 des n-Kontakts 93. Elektromigration des n-Kontaktmaterials kann nämlich den gesamten Stromfluss in die vertikalen Abschnitte des n-Kontaktes einer solchen Anordnung sperrren. Im Unterschied dazu verschafft die in 14 gezeigte symmetrische parallele Übergangsanordnung mehr Wege für Stromfluss und erhöhte Redundanz. Der obere horizontale Arm 96 des n-Kontaktes beseitigt „Sackgassen“ oben an den vertikalen Armen 97, somit verteilt sich der Strom in einfacher Weise in allen Abschnitten des n-Kontaktes 93.
  • Eine oder mehrere der einzelnen LEDs in entweder einem seriellen oder einem parallelen monolithischen Array aus LEDs kann mit einem Leuchtstoff bedeckt werden, um die Farbe des von der LED erzeugten Lichtes zu ändern, wie in 15 veranschaulicht. In einer Flip-Chip-Anordnung ist eine Leuchtstoffbeschichtung 100 auf die Bodenfläche eines Abschnitts des Substrates gedruckt, auf dem eine einzige LED in dem Array gebildet wird. Ein Verfahren zum Anbringen von Leuchtstoffbeschichtungen an den Substraten von Flip-Chip-Anordnungen wird in der Anmeldung Nr. 09/688,053, eingereicht am 13. Oktober 2000 für eine Erfindung von Lowery mit dem Titel „Stenciling Phosphor Layers an Light Emitting Diodes“, ausführlicher beschrieben. Durch Anbringen einer Leuchtstoffbeschichtung über einigen der LEDs in einem monolithischen Array können LED-Arrays gleichzeitig verschiedene Lichtfarben erzeugen. Ein solches Array kann brauchbar sein, um zur Bildung von weißem Licht Farben zu mischen. Für ein LED-Array, das unabhängig adressierbare parallele LEDs enthält, gekoppelt mit selektiver Leuchtstoffplatzierung, kann man farbabstimmbare LED-Arrays kreieren.

Claims (6)

  1. Auf einem hochohmigen Substrat (20) gebildetes Array (40) zum Betrieb mit Gleichspannung, wobei das Array (40) umfasst: eine erste, Licht emittierende Anordnung (A), mit: einer über einem ersten Abschnitt des Substrates (20) liegenden ersten n-Schicht (42a); einem über der ersten n-Schicht (42a) liegenden ersten aktiven Gebiet (49a); einer über dem ersten aktiven Gebiet (49a) liegenden ersten p-Schicht (41a); einem mit der ersten n-Schicht (42a) verbundenen ersten n-Kontakt (45a); einem mit der ersten p-Schicht (41a) verbundenen ersten p-Kontakt (44a), wobei der erste n-Kontakt (45a) und der erste p-Kontakt (44a) auf der gleichen Seite der Anordnung (A) gebildet sind; eine zweite Anordnung (B) zum Schutz der ersten Anordnung (A) gegen elektrostatische Entladung, mit: einer über einem zweiten Abschnitt des Substrates (20) liegenden zweiten n-Schicht (42b); einem über der zweiten n-Schicht (42b) liegenden zweiten aktiven Gebiet (49b); einer über dem zweiten aktiven Gebiet (49b) liegenden zweiten p-Schicht (41b); einem mit der zweiten n-Schicht (42b) verbundenen zweiten n-Kontakt (45b); einem mit der zweiten p-Schicht (41b) verbundenen zweiten p-Kontakt (44b), wobei der zweite n-Kontakt (45b) und der zweite p-Kontakt (44b) auf der gleichen Seite der Anordnung (B) gebildet sind; entweder einen Graben (43) der die erste Anordnung (A) und die zweite Anordnung (B) trennt und eine erste Verdrahtung (46a), die den ersten p-Kontakt (44a) mit dem zweiten n-Kontakt (45b) verbindet, wobei das Array (40) weiterhin eine zweite Verdrahtung (46b) umfasst, die den zweiten p-Kontakt (44b) mit dem ersten n-Kontakt (45a) verbindet, wobei die Fläche der zweiten Anordnung kleiner ist als die Fläche der ersten Anordnung, wobei sich der Graben (43) über die gesamte Länge des Substrats (20) erstreckt.
  2. Array (40) nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten n-Schichten (42a, 42b), die ersten und zweiten aktiven Gebiete (49a, 49b) und die ersten und zweiten p-Schichten (41a, 41b) III-Nitrid-Schichten umfassen.
  3. Array (40) nach Anspruch 1, wobei das Substrat (20) aus der aus Saphir, SiC und III-Nitridmaterialien bestehenden Gruppe gewählt worden ist.
  4. Array (40) nach Anspruch 1, das weiterhin eine Schicht (47) aus dielektrischem Material umfasst, das unter einem Abschnitt der ersten und der zweiten Verdrahtung (46a, 46b) liegt.
  5. Array (40) nach Anspruch 1, das weiterhin eine Schicht aus einem Leuchtstoff umfasst, die eine Oberfläche des ersten Abschnittes des Substrates (20) gegenüber der ersten n- Schicht (42a) bedeckt.
  6. Array (40) nach Anspruch 1, das weiterhin eine hochohmige Schicht unter der ersten n-Schicht (42a) und der zweiten n-Schicht (42b) umfasst, wobei die hochohmige Schicht den Boden des Grabens (43) bildet.
DE10213464.2A 2001-03-29 2002-03-26 Auf einem hochohmigen Substrat gebildetes monolithisches LED-Array Expired - Lifetime DE10213464B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US823824 2001-03-29
US09/823,824 US6547249B2 (en) 2001-03-29 2001-03-29 Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10213464A1 DE10213464A1 (de) 2002-10-24
DE10213464B4 true DE10213464B4 (de) 2020-06-18

Family

ID=25239836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10213464.2A Expired - Lifetime DE10213464B4 (de) 2001-03-29 2002-03-26 Auf einem hochohmigen Substrat gebildetes monolithisches LED-Array

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6547249B2 (de)
JP (1) JP2002359402A (de)
DE (1) DE10213464B4 (de)
TW (1) TW540169B (de)

Families Citing this family (341)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US6746889B1 (en) * 2001-03-27 2004-06-08 Emcore Corporation Optoelectronic device with improved light extraction
US6888167B2 (en) * 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
US6635503B2 (en) * 2002-01-28 2003-10-21 Cree, Inc. Cluster packaging of light emitting diodes
JP2003282939A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Oki Degital Imaging:Kk 半導体発光装置及びその製造方法
EP1508157B1 (de) 2002-05-08 2011-11-23 Phoseon Technology, Inc. Hocheffiziente halbleiter-lichtquelle sowie verfahren zu deren verwendung und herstellung
TWI249148B (en) 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
US7880182B2 (en) * 2002-07-15 2011-02-01 Epistar Corporation Light-emitting element array
EP2149906A3 (de) * 2002-08-29 2014-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lichtemittierendes Bauelement mit lichtemittierenden Dioden
DE10245945A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenmodul sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US7213942B2 (en) * 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US6957899B2 (en) * 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
TW591811B (en) * 2003-01-02 2004-06-11 Epitech Technology Corp Ltd Color mixing light emitting diode
US7042020B2 (en) * 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
EP1469516A1 (de) * 2003-04-14 2004-10-20 Epitech Corporation, Ltd. Weisslichtemittierende Halbleitervorrichtung mit mehreren Leuchtdioden-Chips
US20040206970A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
EP1623467B1 (de) * 2003-05-09 2016-12-07 Cree, Inc. LED-Herstellung durch Ionenimplantationsisolierung
US7683377B2 (en) * 2003-07-16 2010-03-23 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
EP1658642B1 (de) 2003-08-28 2014-02-26 Panasonic Corporation Lichtemittierendes halbleiterbauelement, lichtemittierendes modul, beleuchtungsvorrichtung, anzeigeelement und herstellungsverfahren für ein lichtemittierendes halbleiterbauelement
TWI223460B (en) * 2003-09-23 2004-11-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same
EP1678442B8 (de) * 2003-10-31 2013-06-26 Phoseon Technology, Inc. LED-Lichtmodul und Herstellungsverfahren
US7524085B2 (en) * 2003-10-31 2009-04-28 Phoseon Technology, Inc. Series wiring of highly reliable light sources
US20050194584A1 (en) * 2003-11-12 2005-09-08 Slater David B.Jr. LED fabrication via ion implant isolation
US7402837B2 (en) * 2003-11-12 2008-07-22 Cree, Inc. Light emitting devices with self aligned ohmic contacts
US20050133806A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Hui Peng P and N contact pad layout designs of GaN based LEDs for flip chip packaging
WO2005062389A2 (en) * 2003-12-24 2005-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, display element, and manufacturing method for semiconductor light emitting device
US7179670B2 (en) 2004-03-05 2007-02-20 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode device without sub-mount
US7638808B2 (en) 2004-03-18 2009-12-29 Phoseon Technology, Inc. Micro-reflectors on a substrate for high-density LED array
EP1754259B1 (de) * 2004-03-18 2019-07-17 Phoseon Technology, Inc. Direktkühlung und indirektkühlung von leds
EP1743384B1 (de) * 2004-03-30 2015-08-05 Phoseon Technology, Inc. Led-gruppe mit led-detektoren auf gruppenbasis
KR101055778B1 (ko) * 2004-03-31 2011-08-11 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
US7285801B2 (en) * 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
PL1756876T3 (pl) * 2004-04-12 2011-10-31 Phoseon Technology Inc Matryca led o dużej gęstości
US8077305B2 (en) * 2004-04-19 2011-12-13 Owen Mark D Imaging semiconductor structures using solid state illumination
JP2005317676A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corp 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
US7592634B2 (en) * 2004-05-06 2009-09-22 Cree, Inc. LED fabrication via ion implant isolation
US7064353B2 (en) * 2004-05-26 2006-06-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED chip with integrated fast switching diode for ESD protection
EP2144286A3 (de) * 2004-06-30 2011-03-30 Seoul Opto Device Co., Ltd. Lichtemittierendes Bauteil mit einer Vielzahl verbundener Leuchtdioden, Herstellungsverfahren dafür und dieses Bauteil verwendende Leuchtvorrichtung
DE102004031689A1 (de) * 2004-06-30 2006-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
JP2014116620A (ja) * 2004-06-30 2014-06-26 Seoul Viosys Co Ltd 発光ダイオード
EP1763896B1 (de) * 2004-06-30 2018-10-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leuchtdiodenanordnung und optisches aufzeichnungsgerät
CN100364120C (zh) * 2004-07-29 2008-01-23 晶元光电股份有限公司 具有黏结层的发光元件阵列
TW200501464A (en) * 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
JP3904571B2 (ja) * 2004-09-02 2007-04-11 ローム株式会社 半導体発光装置
JP3802911B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
JP3802910B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
US7482634B2 (en) * 2004-09-24 2009-01-27 Lockheed Martin Corporation Monolithic array for solid state ultraviolet light emitters
US20060090136A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-27 Microsoft Corporation Methods and apparatus for implementing a virtualized computer system
JP2006203251A (ja) * 2004-10-07 2006-08-03 Showa Denko Kk 半導体素子の製造方法
US7498184B2 (en) 2004-10-07 2009-03-03 Showa Denko K.K. Production method for semiconductor device
CN100403561C (zh) * 2004-10-27 2008-07-16 晶元光电股份有限公司 具有电路保护装置的发光元件
EP1825515B1 (de) * 2004-12-06 2015-11-25 Koninklijke Philips N.V. Einzelchip-led als kompakte und farbvariable lichtquelle
DE112005002889B4 (de) * 2004-12-14 2015-07-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben
KR101288758B1 (ko) * 2004-12-30 2013-07-23 포세온 테크날러지 인코퍼레이티드 산업 공정에서 광원을 사용하는 시스템 및 방법
WO2006085767A2 (en) * 2005-01-05 2006-08-17 Lemnis Lighting Ip Gmbh Reactive circuit and rectifier circuit
NL1029688C2 (nl) * 2005-08-05 2007-02-06 Lemnis Lighting Ip Gmbh Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische schakeling voorzien van een veelvoud van LED's.
NL1027961C2 (nl) * 2005-01-05 2006-07-06 Lemnis Lighting Ip Gmbh Elektrische schakeling, gebruik van een halfgeleidercomponent en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidercomponent.
US20060151801A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Doan Trung T Light emitting diode with thermo-electric cooler
US20060154393A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Doan Trung T Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
KR101138944B1 (ko) * 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
KR100665116B1 (ko) * 2005-01-27 2007-01-09 삼성전기주식회사 Ｅｓｄ 보호용 ｌｅｄ를 구비한 질화갈륨계 발광 소자 및그 제조 방법
US7535028B2 (en) * 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
WO2006083065A1 (en) 2005-02-04 2006-08-10 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
CN100464111C (zh) * 2005-03-04 2009-02-25 吕大明 交流led照明灯
KR101142938B1 (ko) 2005-03-07 2012-05-10 서울반도체 주식회사 발광 소자의 제조 방법
KR101161384B1 (ko) * 2005-03-29 2012-07-02 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
KR101121727B1 (ko) * 2005-03-29 2012-06-05 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
KR101241973B1 (ko) * 2005-03-11 2013-03-08 서울반도체 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101142961B1 (ko) * 2005-03-29 2012-05-08 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 램프
EP1864339A4 (de) 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd Led-kapselung mit einer gruppe in reihe geschalteter leuchtzellen
KR100663907B1 (ko) 2005-03-24 2007-01-02 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7535180B2 (en) * 2005-04-04 2009-05-19 Cree, Inc. Semiconductor light emitting circuits including light emitting diodes and four layer semiconductor shunt devices
US7952112B2 (en) * 2005-04-29 2011-05-31 Philips Lumileds Lighting Company Llc RGB thermal isolation substrate
US7474681B2 (en) * 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
TW200640045A (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Ind Tech Res Inst Alternating current light-emitting device
US8704241B2 (en) * 2005-05-13 2014-04-22 Epistar Corporation Light-emitting systems
KR101329442B1 (ko) * 2005-05-17 2013-11-14 엘지이노텍 주식회사 셀 구조의 발광소자 제조방법
KR101166923B1 (ko) 2005-05-24 2012-07-19 엘지이노텍 주식회사 유전체층을 구비한 발광소자
US8272757B1 (en) 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
EP1897151A4 (de) * 2005-06-22 2010-03-10 Seoul Opto Device Co Ltd Leuchtbauelement und verfahren zu seiner herstellung
KR100616415B1 (ko) * 2005-08-08 2006-08-29 서울옵토디바이스주식회사 교류형 발광소자
US8901575B2 (en) 2005-08-09 2014-12-02 Seoul Viosys Co., Ltd. AC light emitting diode and method for fabricating the same
US20070176262A1 (en) * 2005-08-11 2007-08-02 Ernest Sirkin Series connection of a diode laser bar
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR20080054402A (ko) * 2005-09-19 2008-06-17 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 가변 컬러 발광 장치와, 그를 포함하는 조명 시스템, 조명시스템 네트워크 및 어셈블리, 및 그를 위한 제어기 및제어 방법
KR101187943B1 (ko) * 2005-09-20 2012-10-05 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 광원 및 그 제조 방법
CN101263610B (zh) * 2005-09-30 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 具有竖直堆叠发光二极管的发光器件
US7461948B2 (en) 2005-10-25 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multiple light emitting diodes with different secondary optics
JP4728788B2 (ja) * 2005-12-05 2011-07-20 ローム株式会社 半導体発光素子
JP2009519598A (ja) * 2005-12-14 2009-05-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 所望の色点の光を作り出す方法及び半導体光源
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US7642527B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-05 Phoseon Technology, Inc. Multi-attribute light effects for use in curing and other applications involving photoreactions and processing
DE102006039369A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
US7998761B2 (en) 2006-01-09 2011-08-16 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with ITO layer and method for fabricating the same
JP2007288139A (ja) * 2006-03-24 2007-11-01 Sumitomo Chemical Co Ltd モノシリック発光デバイス及びその駆動方法
KR100765075B1 (ko) 2006-03-26 2007-10-09 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
US20070236447A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Backlight unit using light emitting diode
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US7994514B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with integrated electronic components
JP2007305708A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具
JP2007335462A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 Stanley Electric Co Ltd 半導体複合素子およびその製造方法
US9443903B2 (en) 2006-06-30 2016-09-13 Cree, Inc. Low temperature high strength metal stack for die attachment
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
FR2903811B1 (fr) * 2006-07-12 2008-08-29 Commissariat Energie Atomique Dispositif electronique comprenant des composants electroniques relies a un substrat et mutuellement connectes et procede de fabrication d'un tel dispositif
JP5126875B2 (ja) * 2006-08-11 2013-01-23 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
TWI314789B (en) * 2006-08-16 2009-09-11 Ind Tech Res Inst Alternating current light-emitting device
CN101128075B (zh) * 2006-08-18 2011-01-26 财团法人工业技术研究院 发光装置
DE102006046038A1 (de) * 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
US7686469B2 (en) * 2006-09-30 2010-03-30 Ruud Lighting, Inc. LED lighting fixture
US9243794B2 (en) 2006-09-30 2016-01-26 Cree, Inc. LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink
US20090086491A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Ruud Lighting, Inc. Aerodynamic LED Floodlight Fixture
US7952262B2 (en) * 2006-09-30 2011-05-31 Ruud Lighting, Inc. Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules
US9028087B2 (en) 2006-09-30 2015-05-12 Cree, Inc. LED light fixture
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
US20080099772A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Geoffrey Wen-Tai Shuy Light emitting diode matrix
TWI371870B (en) * 2006-11-08 2012-09-01 Epistar Corp Alternate current light-emitting device and fabrication method thereof
JP2008130799A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
US7947993B2 (en) * 2006-12-18 2011-05-24 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same
JP2010517274A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法
JP2010517273A (ja) * 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
TW200838354A (en) * 2007-03-03 2008-09-16 Ind Tech Res Inst Resistance balance circuit
US7768020B2 (en) * 2007-03-13 2010-08-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode
EP1983571B1 (de) * 2007-04-18 2019-01-02 Nichia Corporation Lichtemissionsvorrichtung
WO2008149268A1 (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light output device
TW200849548A (en) * 2007-06-05 2008-12-16 Lite On Technology Corp Light emitting element, manufacturing method thereof and light emitting module using the same
TW200908804A (en) * 2007-08-01 2009-02-16 Lite On Technology Corp Light emitting diode module and driving apparatus
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
TWI396298B (zh) 2007-08-29 2013-05-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光半導體元件塗佈螢光粉的方法及其應用
KR100889956B1 (ko) * 2007-09-27 2009-03-20 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광다이오드
KR101525274B1 (ko) * 2007-10-26 2015-06-02 크리, 인코포레이티드 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법
KR101423723B1 (ko) * 2007-10-29 2014-08-04 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
US7985970B2 (en) * 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8575633B2 (en) * 2008-12-08 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting diode with improved light extraction
WO2009081325A1 (en) * 2007-12-18 2009-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
US20110180781A1 (en) * 2008-06-05 2011-07-28 Soraa, Inc Highly Polarized White Light Source By Combining Blue LED on Semipolar or Nonpolar GaN with Yellow LED on Semipolar or Nonpolar GaN
KR100956224B1 (ko) * 2008-06-30 2010-05-04 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 구동회로 및 ｌｅｄ 어레이 장치
CN101645452B (zh) * 2008-08-06 2011-11-16 海立尔股份有限公司 交流发光二极管结构
US20110121329A1 (en) * 2008-08-06 2011-05-26 Helio Optoelectronics Corporation AC LED Structure
TWI419360B (zh) * 2008-08-11 2013-12-11 Formosa Epitaxy Inc Solid crystal light-emitting device having an insulating layer and a method for manufacturing the same
US7939839B2 (en) * 2008-09-11 2011-05-10 Bridgelux, Inc. Series connected segmented LED
JP4981005B2 (ja) * 2008-09-12 2012-07-18 ローム株式会社 半導体発光装置
DE102008049535A1 (de) * 2008-09-29 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul und Herstellungsverfahren
TWI398018B (zh) * 2008-09-30 2013-06-01 Epistar Corp 一種製造發光元件陣列之方法
US20100295088A1 (en) * 2008-10-02 2010-11-25 Soraa, Inc. Textured-surface light emitting diode and method of manufacture
TWI422006B (zh) * 2008-10-07 2014-01-01 Formosa Epitaxy Inc An alternating current emitting device and a manufacturing method thereof
KR101026047B1 (ko) 2008-11-05 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 발광소자 어레이 및 발광소자 어레이의 제조방법
US8963175B2 (en) * 2008-11-06 2015-02-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US8062916B2 (en) 2008-11-06 2011-11-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Series connected flip chip LEDs with growth substrate removed
DE102008057347A1 (de) * 2008-11-14 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
DE102009006177A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
KR20100076083A (ko) * 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101007130B1 (ko) 2009-02-18 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US7967652B2 (en) 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
TWI466266B (zh) * 2009-02-24 2014-12-21 Epistar Corp 陣列式發光元件及其裝置
US7982409B2 (en) * 2009-02-26 2011-07-19 Bridgelux, Inc. Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US20120049214A1 (en) * 2009-04-06 2012-03-01 Lowes Theodore D Monolithic Multi-Junction Light Emitting Devices Including Multiple Groups of Light Emitting Diodes
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
CN101859790B (zh) * 2009-04-07 2014-06-18 江苏璨扬光电有限公司 具有绝缘层的固晶发光装置及其制造方法
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US8749030B2 (en) 2009-05-29 2014-06-10 Soraa, Inc. Surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US8921876B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
EP2445018B1 (de) * 2009-06-15 2016-05-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lichtemittierendes halbleiterbauelement, lichtemittierendes modul und beleuchtungsvorrichtung
JP2011009298A (ja) 2009-06-23 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード光源装置
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US8273588B2 (en) * 2009-07-20 2012-09-25 Osram Opto Semiconductros Gmbh Method for producing a luminous device and luminous device
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
DE102009039890A1 (de) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolationsschicht und einer planaren Leitstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009039891A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul aufweisend zumindest einen ersten Halbleiterkörper mit einer Strahlungsaustrittsseite und einer Isolationsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US10264637B2 (en) 2009-09-24 2019-04-16 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof
US9713211B2 (en) 2009-09-24 2017-07-18 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
US8431939B2 (en) 2009-09-30 2013-04-30 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
TWI533474B (zh) * 2009-10-20 2016-05-11 晶元光電股份有限公司 光電元件
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
DE102009053064A1 (de) * 2009-11-13 2011-05-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements
TWI420712B (zh) * 2009-12-09 2013-12-21 Epistar Corp 發光二極體結構及其封裝元件
JP5463901B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI499347B (zh) * 2009-12-31 2015-09-01 Epistar Corp 發光元件
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
KR100999692B1 (ko) * 2010-02-18 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101601624B1 (ko) * 2010-02-19 2016-03-09 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US20110205049A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive lighting system with iii-nitride light emitting devices
DE102010008876B4 (de) * 2010-02-22 2017-07-27 Integrated Micro-Electronics Bulgaria Lichtquelle mit Array-LEDs zum direkten Betrieb am Wechselspannungsnetz und Herstellungsverfahren hierfür
EP2367203A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Licht emittierende Halbleitervorrichtung mit Matrix mehrerer Zellen und Verfahren zu deren Herstellung
KR101665932B1 (ko) * 2010-02-27 2016-10-13 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
JP5197654B2 (ja) * 2010-03-09 2013-05-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US8084775B2 (en) * 2010-03-16 2011-12-27 Bridgelux, Inc. Light sources with serially connected LED segments including current blocking diodes
US8263422B2 (en) 2010-04-26 2012-09-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Bond pad isolation and current confinement in an LED using ion implantation
US8269235B2 (en) 2010-04-26 2012-09-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system including collimators aligned with light emitting segments
US8658513B2 (en) * 2010-05-04 2014-02-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Isolation by implantation in LED array manufacturing
US8476836B2 (en) 2010-05-07 2013-07-02 Cree, Inc. AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments
CN101916769A (zh) * 2010-05-19 2010-12-15 武汉华灿光电有限公司 抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
JP2011249411A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置、信号灯器及び道路情報装置
US8193546B2 (en) * 2010-06-04 2012-06-05 Pinecone Energies, Inc. Light-emitting-diode array with polymer between light emitting devices
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US8471282B2 (en) 2010-06-07 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Passivation for a semiconductor light emitting device
DE102010024079A1 (de) 2010-06-17 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
TWI528583B (zh) * 2010-06-18 2016-04-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體及其製造方法
CN102290511B (zh) * 2010-06-21 2016-01-13 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102376735A (zh) * 2010-08-13 2012-03-14 大连美明外延片科技有限公司 集成式发光二极管列阵芯片及其制造方法
US9171883B2 (en) 2010-08-30 2015-10-27 Epistar Corporation Light emitting device
JP2012054447A (ja) * 2010-09-02 2012-03-15 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置
CN101950784A (zh) * 2010-09-06 2011-01-19 厦门市三安光电科技有限公司 交流发光二极管的制作工艺
KR101650518B1 (ko) 2010-09-13 2016-08-23 에피스타 코포레이션 발광 구조체
US10490598B2 (en) 2010-09-13 2019-11-26 Epistar Corporation Light-emitting structure having a plurality of light-emitting structure units
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
TWI472058B (zh) * 2010-10-13 2015-02-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體裝置
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8569974B2 (en) 2010-11-01 2013-10-29 Cree, Inc. Systems and methods for controlling solid state lighting devices and lighting apparatus incorporating such systems and/or methods
US8193015B2 (en) * 2010-11-17 2012-06-05 Pinecone Energies, Inc. Method of forming a light-emitting-diode array with polymer between light emitting devices
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9520536B2 (en) 2010-11-18 2016-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
CN102569330A (zh) * 2010-12-27 2012-07-11 同方光电科技有限公司 一种带静电保护的发光二极管及其制备方法
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
US9025635B2 (en) 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
TW201234574A (en) 2011-02-01 2012-08-16 Pinecone En Inc Light-emitting-diode array and manufacturing method thereof
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US20120269520A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Hong Steve M Lighting apparatuses and led modules for both illumation and optical communication
US9839083B2 (en) 2011-06-03 2017-12-05 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same
KR101115540B1 (ko) * 2011-06-30 2012-02-28 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드 패키지
WO2013016346A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8742671B2 (en) 2011-07-28 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry
JP5403832B2 (ja) * 2011-08-29 2014-01-29 星和電機株式会社 発光装置
US8971370B1 (en) 2011-10-13 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices using a semipolar plane
WO2013070696A1 (en) 2011-11-07 2013-05-16 Cree, Inc. High voltage array light emitting diode (led) devices, fixtures and methods
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
WO2013078572A1 (zh) * 2011-11-28 2013-06-06 海立尔股份有限公司 高压交流发光二极管结构
US20130146904A1 (en) * 2011-12-07 2013-06-13 Cree, Inc. Optoelectronic Structures with High Lumens Per Wafer
US8847516B2 (en) 2011-12-12 2014-09-30 Cree, Inc. Lighting devices including current shunting responsive to LED nodes and related methods
US8823285B2 (en) 2011-12-12 2014-09-02 Cree, Inc. Lighting devices including boost converters to control chromaticity and/or brightness and related methods
JP2013179215A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Toyohashi Univ Of Technology Ｌｅｄアレイ及び光電子集積装置
CN103311420B (zh) 2012-03-06 2017-04-12 三星电子株式会社 具有多单元阵列的半导体发光器件
EP2823515A4 (de) 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc Lichtemittierende dioden mit materialschichten mit niedrigem brechungsindex zur reduzierung von lichtleitungseffekten
TWI549278B (zh) * 2012-03-12 2016-09-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI575722B (zh) * 2012-03-12 2017-03-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
CN103367383B (zh) * 2012-03-30 2016-04-13 清华大学 发光二极管
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
KR101315939B1 (ko) * 2012-04-30 2013-10-08 부경대학교 산학협력단 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2013164737A1 (en) * 2012-04-30 2013-11-07 Koninklijke Philips N.V. Pixelated single phosphor leds for white light generation
TW201347141A (zh) * 2012-05-04 2013-11-16 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體結構及其製造方法
JP5869961B2 (ja) * 2012-05-28 2016-02-24 株式会社東芝 半導体発光装置
US9088135B1 (en) 2012-06-29 2015-07-21 Soraa Laser Diode, Inc. Narrow sized laser diode
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US9184563B1 (en) 2012-08-30 2015-11-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with an etched facet and surface treatment
CN111223973B (zh) * 2012-09-07 2023-08-22 首尔伟傲世有限公司 发光二极管阵列
CN103700741B (zh) * 2012-09-28 2017-01-18 上海蓝光科技有限公司 一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法
CN103715311A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 上海蓝光科技有限公司 一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US8558254B1 (en) 2012-11-29 2013-10-15 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited High reliability high voltage vertical LED arrays
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
JP6649773B2 (ja) 2013-03-15 2020-02-19 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 発光構造及びマウント
KR101381987B1 (ko) * 2013-06-12 2014-04-10 서울바이오시스 주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
FR3011381B1 (fr) * 2013-09-30 2017-12-08 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
US9117733B2 (en) * 2013-10-18 2015-08-25 Posco Led Company Ltd. Light emitting module and lighting apparatus having the same
TWI532215B (zh) * 2013-12-26 2016-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
JP5761391B2 (ja) * 2014-01-23 2015-08-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10352529B2 (en) 2014-04-05 2019-07-16 Whelen Engineering Company, Inc. Collimating optic for LED illumination assembly having transverse slots on emission surface
KR101532557B1 (ko) * 2014-05-09 2015-06-30 부경대학교 산학협력단 하이브리드 센서를 가지는 ＬＥＤ ｃｈｉｐ과 그 제작방법
KR20150139194A (ko) * 2014-06-03 2015-12-11 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US9728698B2 (en) 2014-06-03 2017-08-08 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package having improved heat dissipation efficiency
US9577171B2 (en) 2014-06-03 2017-02-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package having improved heat dissipation efficiency
FR3023061B1 (fr) * 2014-06-27 2017-12-15 Commissariat Energie Atomique Diode de structure mesa a surface de contact sensiblement plane
CN104134724A (zh) * 2014-08-21 2014-11-05 聚灿光电科技(苏州)有限公司 高压led芯片及其制备方法
KR102231646B1 (ko) 2014-10-17 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102239626B1 (ko) 2015-03-06 2021-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102357188B1 (ko) 2015-07-21 2022-01-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
DE102015114010A1 (de) * 2015-08-24 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements
JP6667237B2 (ja) * 2015-09-11 2020-03-18 アルパッド株式会社 発光装置
DE102015115706B4 (de) * 2015-09-17 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
FR3044167B1 (fr) * 2015-11-20 2018-01-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes comportant au moins une diode zener
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
JP6928575B2 (ja) * 2016-04-18 2021-09-01 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 高効率発光ダイオード
DE102017205639A1 (de) 2016-04-18 2017-10-19 Seoul Viosys Co., Ltd Lumineszenzdiode mit hoher Effizienz
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
TWI617056B (zh) * 2016-10-28 2018-03-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片
US10420177B2 (en) 2016-12-19 2019-09-17 Whelen Engineering Company, Inc. LED illumination module with fixed optic and variable emission pattern
US10400994B2 (en) 2016-12-19 2019-09-03 Whelen Engineering Company, Inc. LED illumination module with fixed optic and variable emission pattern
FR3061603B1 (fr) * 2016-12-29 2021-01-29 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
CN106876406B (zh) * 2016-12-30 2023-08-08 上海君万微电子科技有限公司 基于iii-v族氮化物半导体的led全彩显示器件结构及制备方法
CN106935609A (zh) * 2017-03-01 2017-07-07 中山大学 GaN基微型LED阵列器件的制备方法及阵列器件
US10090440B1 (en) * 2017-05-05 2018-10-02 Epistar Corporation Light-emitting device and method of manufacturing thereof
CN107507891B (zh) * 2017-08-10 2019-02-15 湘能华磊光电股份有限公司 提高内量子效率的led外延生长方法
DE102017126446A1 (de) * 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US20190189682A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-20 Lumileds Llc Monolithic segmented led array architecture with transparent common n-contact
JP7206629B2 (ja) * 2018-04-27 2023-01-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
US11081882B2 (en) * 2018-07-19 2021-08-03 Kemet Electronics Corporation ESD suppression using light emissions
US11282984B2 (en) * 2018-10-05 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11631786B2 (en) * 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
KR102447407B1 (ko) 2020-11-12 2022-09-27 주식회사 에스엘바이오닉스 반도체 발광소자
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
US11949053B2 (en) 2020-12-14 2024-04-02 Lumileds Llc Stencil printing flux for attaching light emitting diodes

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4107526A1 (de) 1990-03-26 1991-10-10 Siemens Ag Lumineszenzdiodenvorrichtung mit schutzeinrichtung zur begrenzung des durchlassstromes bei anliegender wechselspannung
JPH11150303A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Sanyo Electric Co Ltd 発光部品
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
US6185250B1 (en) 1999-03-10 2001-02-06 Lucent Technologies Inc. Training of level learning modems

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3947840A (en) 1974-08-16 1976-03-30 Monsanto Company Integrated semiconductor light-emitting display array
GB1532286A (en) 1976-10-07 1978-11-15 Elliott Bros Manufacture of electro-luminescent display devices
JPH059698Y2 (de) 1986-11-27 1993-03-10
GB2249428A (en) 1988-08-11 1992-05-06 Plessey Co Plc Connections for led arrays
US5406095A (en) 1992-08-27 1995-04-11 Victor Company Of Japan, Ltd. Light emitting diode array and production method of the light emitting diode
US5523590A (en) * 1993-10-20 1996-06-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. LED array with insulating films
US5583349A (en) * 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display
EP0776047B1 (de) * 1995-11-22 2011-06-15 Oki Data Corporation Lichtemittierende Diode
US6120909A (en) 1998-08-19 2000-09-19 International Business Machines Corporation Monolithic silicon-based nitride display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4107526A1 (de) 1990-03-26 1991-10-10 Siemens Ag Lumineszenzdiodenvorrichtung mit schutzeinrichtung zur begrenzung des durchlassstromes bei anliegender wechselspannung
JPH11150303A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Sanyo Electric Co Ltd 発光部品
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
US6185250B1 (en) 1999-03-10 2001-02-06 Lucent Technologies Inc. Training of level learning modems

Also Published As

Publication number Publication date
US20020139987A1 (en) 2002-10-03
TW540169B (en) 2003-07-01
DE10213464A1 (de) 2002-10-24
JP2002359402A (ja) 2002-12-13
US6547249B2 (en) 2003-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10213464B4 (de) Auf einem hochohmigen Substrat gebildetes monolithisches LED-Array
DE102014011893B4 (de) Leuchtdiode
DE102009018603B4 (de) Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE10325951B4 (de) Licht emittierende Diode mit zugehörigem Kontaktschema
EP2245667B1 (de) Monolithischer, optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen
DE112005002889B4 (de) Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben
EP2135299B1 (de) Frontseitig serienverschaltetes Solarmodul
DE112011103482T5 (de) Hochspannungs-LEDs ohne Drahtverbindung
DE102011015821B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102018101658A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung
DE112016004262T5 (de) Selbstausrichtender freischwebender Spiegel für Durchkontaktierungen
EP1854139A1 (de) Modul mit strahlungsemittierenden halbleiterkörpern
DE102008011848A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102009025456A1 (de) Lichtemittierendes Bauelement, selbiges enthaltende lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung desselben
DE202011110832U1 (de) Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene
DE102012106143A1 (de) Nitrid-Halbleiter-Leuchtdiodenvorrichtung
DE102019207928A1 (de) Leuchtdiode und lichtemittierende vorrichtung mit einer solchen diode
DE102016119539A1 (de) Licht emittierender Halbleiterchip und Licht emittierende Vorrichtung
WO2020074351A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102008016525A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
WO2020064943A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit kontaktelementen und dessen herstellungsverfahren
WO2018172205A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
DE102018119688B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem ersten Kontaktelement, welches einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
US6313483B1 (en) Light-emitting semiconductor device with reduced nonradiative recombination
CN1201410C (zh) 发光二极管及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: JOSTARNDT PATENTANWALTS-AG, DE

Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: LUMILEDS LLC, SAN JOSE, US

Free format text: FORMER OWNER: LUMILEDS LIGHTING, U.S., LLC, SAN JOSE, CALIF., US

Owner name: LUMILEDS HOLDING B.V., NL

Free format text: FORMER OWNER: LUMILEDS LIGHTING, U.S., LLC, SAN JOSE, CALIF., US

R082 Change of representative

Representative=s name: JOSTARNDT PATENTANWALTS-AG, DE

Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: LUMILEDS HOLDING B.V., NL

Free format text: FORMER OWNER: LUMILEDS LLC, SAN JOSE, CALIF., US

R082 Change of representative

Representative=s name: JOSTARNDT PATENTANWALTS-AG, DE

Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: DOMPATENT VON KREISLER SELTING WERNER - PARTNE, DE

R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R006 Appeal filed
R008 Case pending at federal patent court
R019 Grant decision by federal patent court
R020 Patent grant now final
R071 Expiry of right