JP6667237B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、発光装置に関する。

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子と、蛍光体層と、を組み合わせた発光装置がある。発光装置において、効率の向上が求められる。

特開２０１４−２３２８４１号公報

本発明の実施形態は、発光効率を向上できる発光装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、発光装置は、基体と、第１、第２光学領域と、第１〜第３発光部と、第１導電層と、第１接続層と、を含む。前記第１光学領域は、第１方向において前記基体と離間する。前記第１発光部は、前記第１光学領域と前記基体との間に設けられ、第１導電形の第１半導体層及び第２導電形の第１対向半導体層を含む。前記第１導電層は、前記第１発光部と前記基体との間に設けられ前記第１対向半導体層と電気的に接続される。前記第２光学領域は、前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第１光学領域と並ぶ。前記第２発光部は、前記第２光学領域と前記基体との間に設けられ、前記第１導電形の第２半導体層及び前記第２導電形の第２対向半導体層を含む。前記第１接続層は、前記第１導電層と前記第２半導体層とを電気的に接続する。前記第３光学領域は、前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第１光学領域と並ぶ。前記第３発光部は、前記第３光学領域と前記基体との間に設けられ、前記第１導電形の第３半導体層及び前記第２導電形の第３対向半導体層を含む。前記第１発光部から放出され前記第１光学領域を通過した第１光のピーク波長と、前記第３発光部から放出され前記第３光学領域を通過した第３光のピーク波長と、の差は、前記第１発光部から放出された第１発光のピーク波長と、前記第３発光部から放出された第３発光のピーク波長と、の差よりも大きい。前記第１接続層の一端は、前記第１導電層と前記基体との間に配置される。前記第２半導体層の少なくとも一部は、前記第１接続層の他端と前記基体の間に配置されている。

図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。 図７（ａ）〜図７（ｄ）は、発光装置を例示する模式図である。

以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図１（ａ）は平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。

図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、本実施形態に係る発光装置１１０は、基体５１と、第１光学領域２１と、第２光学領域２２と、第１発光部１１と、第２発光部１２と、第３発光部１３と、第１導電層６１と、第１接続層４１と、を含む。

第１光学領域２１は、第１方向において基体５１と離間する。

第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

第１発光部１１は、第１光学領域２１と基体５１との間に設けられる。第１導電層６１は、第１発光部１１と基体５１との間に設けられ、第１発光部１１と電気的に接続される。

第２光学領域２２は、第１方向において基体と離間する。第２光学領域２２は、第１方向と交差する方向において第１光学領域２１と並ぶ。第２発光部１２は、第２光学領域２２と基体５１との間に設けられる。

第１接続層４１は、第１導電層６１と第２発光部１２とを電気的に接続する。第１接続層４１により、第１発光部１１は、第２発光部１２と直列に接続される。

第１接続層４１は、導電体及び半導体の少なくともいずれかを含む。第１接続層４１は、例えば、金属層を含む。第１接続層４１は、半導体層を含んでも良い。第１接続層４１は、第１導電形の半導体層と第２導電形の半導体層とを含んでも良い。これらの半導体層は順方向に接続される。

第３光学領域２３は、第１方向において基体５１と離間する。第３光学領域２３は、第１方向と交差する方向において第１光学領域２１と並ぶ。第３光学領域２３は、第１方向と交差する方向において第２光学領域２２と並ぶ。第３発光部１３は、第３光学領域２３と基体５１との間に設けられる。

この例では、第４発光部１４と、第３導電層６３と、第２接続層４２と、がさらに設けられている。

第４光学領域２４は、第１方向において基体５１と離間する。第４光学領域２４は、第１方向と交差する方向において、第３光学領域２３と並ぶ。第４光学領域２４は、第１方向と交差する方向において、第１光学領域２１と並ぶ。第４光学領域２４は、第１方向と交差する方向において、第２光学領域２２と並ぶ。第４発光部１４は、第４光学領域２４と基体５１との間に設けられる。

第３導電層６３は、第３発光部１３と基体５１との間に設けられ、第３発光部１３と電気的に接続される。

第２接続層４２は、第３導電層６３と第４発光部１４とを電気的に接続する。第２接続層４２により、第３発光部１３は、第４発光部１４と直列に接続される。

第２接続層４２も、導電体及び半導体の少なくともいずれかを含む。第２接続層４２は、例えば、金属層を含む。第２接続層４２は、半導体層を含んでも良い。第２接続層４２は、第１導電形の半導体層と第２導電形の半導体層とを含んでも良い。これらの半導体層は順方向に接続される。

第１〜第４発光部１１〜１４は、例えば、半導体発光素子である。これらの発光部の例について説明する。

第１発光部１１は、第１導電形の第１半導体層１１ａと、第２導電形の第１対向半導体層１１ｂと、第１中間半導体層１１ｃと、を含む。

第１導電形は、例えば、ｎ形及びｐ形の一方である。第２導電形は、ｎ形及びｐ形の他方である。以下の例では、第１導電形は、ｎ形であり、第２導電形は、ｐ形である。

第１対向半導体層１１ｂは、第１半導体層１１ａと基体５１との間に設けられる。第１中間半導体層１１ｃは、第１半導体層１１ａと第１対向半導体層１１ｂとの間に設けられる。

第２発光部１２は、第１導電形の第２半導体層１２ａと、第２導電形の第２対向半導体層１２ｂと、第２中間半導体層１２ｃと、を含む。第２対向半導体層１２ｂは、第２半導体層１１ａと基体５１との間に設けられる。第２中間半導体層１２ｃは、第２半導体層１２ａと第２対向半導体層１２ｂとの間に設けられる。

第３発光部１３は、第１導電形の第３半導体層１３ａと、第２導電形の第３対向半導体層１３ｂと、第３中間半導体層１３ｃと、を含む。第３対向半導体層１３ｂは、第３半導体層１３ａと基体５１との間に設けられる。第３中間半導体層１３ｃは、第３半導体層１３ａと第３対向半導体層１３ｂとの間に設けられる。

第４発光部１４は、第１導電形の第４半導体層１４ａと、第２導電形の第４対向半導体層１４ｂと、第４中間半導体層１４ｃと、を含む。第４対向半導体層１４ｂは、第４半導体層１４ａと基体５１との間に設けられる。第４中間半導体層１４ｃは、第４半導体層１４ａと第４対向半導体層１４ｂとの間に設けられる。

第１導電層６１は、第１対向半導体層１１ｂと基体５１との間に設けられる。第１導電層６１は、第１対向半導体層１１ｂと電気的に接続される。第１接続層４１は、第１導電層６１と第２半導体層１２ａとを電気的に接続する。第１接続層４１は、第１導電層６１と第２発光部１２とを電気的に接続する。

第３導電層６３は、第３対向半導体層１３ｂと基体５１との間に設けられる。第３導電層６３は、第３対向半導体層１３ｂと電気的に接続される。第２接続層４２は、第３導電層６３と第４発光部１４とを電気的に接続する。第２接続層４２は、第３導電層６３と第４半導体層１４ａとを電気的に接続する。

この例では、第２導電層６２、第１パッド電極４８ａ及び第２パッド電極４８ｂがさらに設けられている。

第２導電層６２は、基体５１と第２対向半導体層１２ｂとの間に設けられる。第２導電層６２は、第２対向半導体層１２ｂと電気的に接続される。第１パッド電極４８ａは、第１半導体層１１ａと電気的に接続される。この例では、第１パッド電極４８ａと基体５１との間に第１半導体層１１ａが配置されている。第２パッド電極４８ｂは、第２導電層６２と電気的に接続される。この例では、第２パッド電極４８ｂは、第１方向と交差する方向において、第２発光部１２と並ぶ。

第１パッド電極４８ａと第２パッド電極４８ｂとの間に電圧が印加される。第１発光部１１及び第２発光部１２から光が放出される。第１発光部１１から放出された光は、第１光学領域２１を介して外部に出射する。第２発光部１２から放出された光は、第２光学領域２２を介して外部に出射する。

この例では、第４導電層６４、第３パッド電極４８ｃ及び第４パッド電極４８ｄがさらに設けられている。

第４導電層６４は、基体５１と第４対向半導体層１４ｂとの間に設けられる。第４導電層６４は、第４対向半導体層１４ｂと電気的に接続される。第３パッド電極４８ｃは、第３半導体層１３ａと電気的に接続される。この例では、第３パッド電極４８ｃと基体５１との間に第３半導体層１３ａが配置されている。第４パッド電極４８ｄは、第４導電層６４と電気的に接続される。この例では、第４パッド電極４８ｄは、第１方向と交差する方向において、第４発光部１４と並ぶ。

第３パッド電極４８ｃと第４パッド電極４８ｄとの間に電圧が印加される。第３発光部１３及び第４発光部１４から光が放出される。第３発光部１３から放出された光は、第３光学領域２３を介して外部に出射する。第４発光部１４から放出された光は、第４光学領域２４を介して外部に出射する。

例えば、第１〜第４配線ＷＲ１〜ＷＲ４がさらに設けられる。第１配線ＷＲ１は、第１パッド電極４８ａと接続され、第１発光部１１の第１半導体層１１ａと電気的に接続される。第２配線ＷＲ２は、第２パッド電極４８ｂと接続され、第２発光部１２の第２対向半導体層１２ｂと電気的に接続される。第３配線ＷＲ３は、第３パッド電極４８ｃと接続され、第３発光部１３の第３半導体層１３ａと電気的に接続される。第４配線ＷＲ４は、第４パッド電極４８ｃと接続され、第４発光部１４の第４対向半導体層１４ｂと電気的に接続される。

この例では、これらの配線は、第１〜第４光学領域２１〜２４にそれぞれ覆われている。これらの配線は、第１〜第４光学領域２１〜２４に覆われてなくても良い。

発光装置１１０は、中間層５２をさらに含む。中間層５２は、第１導電層６１と基体５１との間、第２導電層６２と基体５１との間、第３導電層６３と基体５１との間、及び、第４導電層６４と基体５１との間に設けられる。この例では、絶縁層５２ｉがさらに設けられている。絶縁層５２ｉは、第１導電層６１と中間層５２との間、第２導電層６２と中間層５２との間、第３導電層６３と中間層５２との間、及び、第４導電層６４と中間層５２との間に設けられる。絶縁層５２ｉは、例えば、第１〜第４発光部１１〜１４のそれぞれの半導体層（例えば第２導電形の半導体層）を、基体５１から絶縁する。中間層５２は、例えば、基体５１と絶縁層５２ｉとを接合する。

例えば、第１〜第４導電層６１〜６４は、光反射性である。これらの導電層の光反射率は、例えば、基体５１の反射率よりも高い。例えば、第１発光部１１から放出される第１発光の波長（例えばピーク波長）の光に対する第１導電層６１の反射率は、その光に対する基板５１の反射率よりも高い。例えば、第２発光部１２から放出される第２発光の波長（例えばピーク波長）の光に対する第２導電層６２の反射率は、その光に対する基板５１の反射率よりも高い。例えば、第３発光部１３から放出される第３発光の波長（例えばピーク波長）の光に対する第３導電層６３の反射率は、その光に対する基板５１の反射率よりも高い。例えば、第４発光部１４から放出される第４発光の波長（例えばピーク波長）の光に対する第４導電層６４の反射率は、その光に対する基板５１の反射率よりも高い。

第１〜第４導電層６１〜６４は、例えば、銀及びアルミニウムの少なくともいずれかを含む。基体５１は、例えば、シリコン基板を含む。基体５１は、例えば、銅及びニッケルの少なくともいずれかを含んでも良い。

本実施形態においては、第１発光部１１から放出され第１光学領域２１を通過した第１光のピーク波長は、第３発光部１３から放出され第３光学領域２３を通過した第３光のピーク波長とは異なる。第１光のピーク波長と、第３光のピーク波長と、の差は、第１発光部１１から放出された第１発光のピーク波長と、第３発光部１３から放出された第３発光のピーク波長と、の差よりも大きい。第１光のピーク波長と第３光のピーク波長との差は、第１光のピーク波長と、第２発光部１２から放出され第２光学領域２２を通過した第２光のピーク波長と、の差よりも大きい。第１光のピーク波長と第３光のピーク波長との差は、第１発光のピーク波長と、第２発光部１２から放出された第２光のピーク波長と、の差よりも大きい。第３光のピーク波長と、第４発光部１４から放出され第４光学領域２４を通過した第４光のピーク波長と、の差は、第１光のピーク波長と、第３光のピーク波長と、の差よりも小さい。

例えば、第１光のピーク波長は、第２発光部１２から放出され第２光学領域２２を通過した第２光のピーク波長と、実質的に同じである。例えば、第３光のピーク波長は、第４発光部１４から放出され第４光学領域２４を通過した第４光のピーク波長と、実質的に同じである。

第１光の強度は、第１光のピーク波長において最高となる。第２光の強度は、第２光のピーク波長において最高となる。第３光の強度は、第３光のピーク波長において最高となる。第４光の強度は、第４光のピーク波長において最高となる。

例えば、第１光及び第２光は、第１色であり、第３光及び第４光は、第２色である。第２色は、第１色とは異なる。

第１〜第４光学領域２１〜２４は、例えば、蛍光体などを含む樹脂層である。

例えば、第１光学領域２１は、複数の第１波長変換粒子２１ｐと、第１樹脂体２１ｑと、を含む。第１樹脂体２１ｑは、複数の第１波長変換粒子２１ｐの周りに設けられる。複数の第１波長変換粒子２１ｐは、第１発光部１１から放出された第１発光の一部を吸収して第１変換光を放出する。第１変換光のピーク波長は、第１発光のピーク波長とは異なる。第１光学領域２１から出射する第１光は、第１発光と第１変換光との合成光である。第１波長変換粒子２１ｐは、例えば、蛍光体を含む。

例えば、第２光学領域２２は、複数の第２波長変換粒子２２ｐと、第２樹脂体２２ｑと、を含む。第２樹脂体２２ｑは、複数の第２波長変換粒子２２ｐの周りに設けられる。複数の第２波長変換粒子２２ｐは、第２発光部１２から放出された第２発光の一部を吸収して第２変換光を放出する。第２変換光のピーク波長は、第２発光のピーク波長とは異なる。第２光学領域２２から出射する第２光は、第２発光と第２変換光との合成光である。第２波長変換粒子２２ｐは、例えば、蛍光体を含む。第２波長変換粒子２２ｐの材料は、第１波長変換粒子２１ｐの材料と同じでも良い。例えば、複数の第２波長変換粒子２２ｐの少なくとも一部は、複数の第１波長変換粒子２１ｐに含まれる材料を含む。

例えば、第３光学領域２３は、複数の第３波長変換粒子２３ｐと、第３樹脂体２３ｑと、を含む。第３樹脂体２３ｑは、複数の第３波長変換粒子２３ｐの周りに設けられる。複数の第３波長変換粒子２３ｐは、第３発光部１３から放出された第３発光の一部を吸収して第３変換光を放出する。第３変換光のピーク波長は、第３発光のピーク波長とは異なる。第３光学領域２３から出射する第３光は、第３発光と第３変換光との合成光である。第３波長変換粒子２３ｐは、例えば、蛍光体を含む。第３波長変換粒子２３ｐの材料は、第１波長変換粒子２１ｐの材料とは異なる。

例えば、第４光学領域２４は、複数の第４波長変換粒子２４ｐと、第４樹脂体２４ｑと、を含む。第４樹脂体２４ｑは、複数の第４波長変換粒子２４ｐの周りに設けられる。複数の第４波長変換粒子２４ｐは、第４発光部１４から放出された第４発光の一部を吸収して第４変換光を放出する。第４変換光のピーク波長は、第４発光のピーク波長とは異なる。第４光学領域２４から出射する第４光は、第４発光と第４変換光との合成光である。第４波長変換粒子２４ｐは、例えば、蛍光体を含む。第４波長変換粒子２４ｐの材料は、第３波長変換粒子２３ｐの材料と同じでも良い。

例えば、第１〜第４発光は、青色である。第１及び第２変換光は、例えば、赤色である。第３及び第４変換光は、例えば、緑色である。

第１発光部２１及び第２発光部２２は、例えば、マルチジャンクション型ＬＥＤである。第３発光部２３及び第４発光部２４は、例えば、マルチジャンクション型ＬＥＤである。

本実施形態においては、複数の発光部が直列に接続される。これにより、高い入力電圧が用いられたときに、その入力電圧が、複数の発光部において、分割される。複数の発光部のそれぞれには、入力電圧よりも低い電圧が印加される。複数の発光部において適切な電圧が印加される。これにより、高い発光効率が得られる。

さらに、第１光学領域２１を通過した第１光のピーク波長が、第３光学領域２３を通過した第３光のピーク波長とは異なる。色が互いに異なる。第１光及び第３光により、所望の色の光が得られる。

この例では、第１接続層４１の一端４１ｐは、第１導電層６１と基体５１との間に配置されている。第２半導体層１２ａの少なくとも一部は、第１接続層４１の他端４１ｑと、基体５１との間に配置されている。

発光装置１１０において、第１接続層４１と第２発光部１２との間に、絶縁層４１ｉが設けられている。例えば、第２対向半導体層１２ｂは、側面１２ｂｓを有する。側面１２ｂｓは、第１方向に対して垂直な方向と交差する。絶縁層４１ｉの少なくとも一部は、第１接続層４１の一部と、側面１２ｂｓと、の間に配置される。絶縁層４１ｉにより、第１接続層４１と第２対向半導体層１２ｂとが電気的に絶縁される。絶縁層４１ｉは、第２中間半導体層１２ｃの側面と、第１接続層４１との間にも設けられる。

例えば、第２接続層４２と第４発光部１４との間に、絶縁層４２ｉが設けられている。設けられる。例えば、第４対向半導体層１４ｂは、側面１４ｂｓを有する。側面１４ｂｓは、第１方向に対して垂直な方向と交差する。絶縁層４２ｉの少なくとも一部は、第２接続層４２の一部と、側面１４ｂｓと、の間に配置される。絶縁層４２ｉにより、第２接続層４２と第４対向半導体層１４ｂとが電気的に絶縁される。絶縁層４２ｉは、第４中間半導体層１４ｃの側面と、第２接続層４２との間にも設けられる。

この例では、第１光学領域２１は、第２光学領域２２と連続している。第３光学領域２３は、第４光学領域２４と連続している。例えば、第１光学領域２１及び第２光学領域２２となる第１材料が、第１発光部１１及び第２発光部１２の上に塗布される。第１材料を含むシートが貼り付けられても良い。例えば、第３光学領域２３及び第４光学領域２４となる第２材料が、第３発光部１３及び第４発光部１４の上に塗布される。第２材料を含むシートが貼り付けられても良い。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面に対応する。図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に対応する。

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、本実施形態に係る別の発光装置１１１においては、第１光学領域２１は、第２光学領域２２と離間している。第３光学領域２３は、第４光学領域２４と離間している。これ以外は、発光装置１１０と同様なので説明を省略する。

この例においても、第１光学領域２１及び第２光学領域２２となる第１材料が、第１発光部１１及び第２発光部１２の上に塗布される。第１材料を含むシートが貼り付けられても良い。第３光学領域２３及び第４光学領域２４となる第２材料が、第３発光部１３及び第４発光部１４の上に塗布される。第２材料を含むシートが貼り付けられても良い。

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
図３（ａ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面に対応する。図３（ｂ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に対応する。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、本実施形態に係る別の発光装置１１２においては、光学領域の表面が曲面状である。これ以外は、発光装置１１１と同様なので説明を省略する。

例えば、第１光学領域２１は、第１発光部１１の側の第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側の第２面２１ｂと、を有する。第２面２１ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含む。第２光学領域２２は、第２発光部１２の側の第３面２２ａと、第３面２２ａとは反対側の第４面２２ｂと、を有する。第４面２２ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含む。第３光学領域２３は、第３発光部１３の側の第５面２３ａと、第５面２３ａとは反対側の第６面２３ｂと、を有する。第６面２３ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含む。第４光学領域２４は、第４発光部１４の側の第７面２４ａと、第７面２４ａとは反対側の第８面２４ｂと、を有する。第８面２４ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含む。

これらの曲面は、例えば、光学領域となる材料を塗布することで形成されても良い。曲面状の表面により、出射する光の分布を制御できる。

図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
図４（ａ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面に対応する。図４（ｂ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に対応する。

図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、本実施形態に係る別の発光装置１１３においては、第１光学領域２１及び第２光学領域２２は、蛍光体を含まない。一方、第３光学領域２３及び第４光学領域２４は、蛍光体を含む。これ以外は、発光装置１１１と同様なので説明を省略する。

例えば、第１光学領域２１から出射する第１光のピーク波長は、第１発光部１１から放出された第１発光のピーク波長と、実質的に同じである。例えば、第２光学領域２２から出射する第２光のピーク波長は、第２発光部１２から放出された第２発光のピーク波長と、実質的に同じである。

一方、第３光学領域２３から出射する第３光のピーク波長は、第３発光部１３から放出された第３発光のピーク波長とは異なる。第４光学領域２４から出射する第４光のピーク波長は、第４発光部１４から放出された第４発光のピーク波長とは異なる。

例えば、第３光学領域２１は、複数の第３波長変換粒子２３ｐと、複数の第３波長変換粒子２３ｐの周りに設けられた第３樹脂体２３ｑと、を含む。複数の第３波長変換粒子２３ｐは、第３発光部１３から放出された第３発光の一部を吸収して第３変換光を放出する。第３変換光のピーク波長は、第３発光のピーク波長とは異なる。

例えば、第４光学領域２４は、複数の第４波長変換粒子２４ｐと、複数の第４波長変換粒子２４ｐの周りに設けられた第４樹脂体２４ｑと、を含む。複数の第４波長変換粒子２４ｐは、第４発光部１４から放出された第４発光の一部を吸収して第４変換光を放出する。第４変換光のピーク波長は、第４発光のピーク波長とは異なる。

このように、異なる色の光を出射する複数の光学領域の１つは、波長を変換しなくても良い。

発光装置１１１〜１１３において、第１〜第４配線ＷＲ１〜ＷＲ４が設けられても良い。これらの配線は、第１〜第４光学領域２１〜２４にそれぞれ覆われても良く、覆われてなくても良い。

（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る半導体装置の平面構成は、例えば、発光装置１１０と、実質的に同様である。以下、第２の実施形態に係る半導体装置の断面構成について説明する。

図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図５（ａ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面に対応する。図５（ｂ）は、図１（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面に対応する。以下、本実施形態に係る発光装置１２０について、第１の実施形態と異なる部分について説明する。以下の説明以外の部分は、第１の実施形態に関して説明した構成が適用できる。

本実施形態に係る発光装置１２０においては、第１半導体層１１ａは、第１半導体領域１１ｐと、第２半導体領域１１ｑと、を含む。第２半導体領域１１ｑは、第１方向と交差する方向において第１半導体領域１１ｐと並ぶ。第１対向半導体層１１ｂは、第２半導体領域１１ｑと基体５１との間に配置される。第１中間半導体層１１ｃは、第２半導体領域１１ｑと第１対向半導体層１１ｂとの間に配置される。

第２半導体層１２ａは、第３半導体領域１２ｐと、第４半導体領域１２ｑと、を含む。第４半導体領域１２ｑは、第１方向と交差する方向において第３半導体領域１２ｐと並ぶ。第２対向半導体層１２ｂは、第４半導体領域１２ｑと基体５１との間に配置される。第２中間半導体層１２ｃは、第４半導体領域１２ｑと第２対向半導体層１２ｂとの間に配置される。

第３半導体層１３ａは、第５半導体領域１３ｐと、第６半導体領域１３ｑと、を含む。第６半導体領域１３ｑは、第１方向と交差する方向において第５半導体領域１３ｐと並ぶ。第３対向半導体層１３ｂは、第６半導体領域１３ｑと基体５１との間に配置される。第３中間半導体層１３ｃは、第６半導体領域１３ｑと第３対向半導体層１３ｂとの間に配置される。

第４半導体層１４ａは、第７半導体領域１４ｐと、第８半導体領域１４ｑと、を含む。第８半導体領域１４ｑは、第１方向と交差する方向において第７半導体領域１４ｐと並ぶ。第４対向半導体層１４ｂは、第８半導体領域１４ｑと基体５１との間に配置される。第４中間半導体層１４ｃは、第８半導体領域１４ｑと第４対向半導体層１４ｂとの間に配置される。

第１導電層６１は、第１対向半導体層１１ｂと基体５１との間に設けられ、第１対向半導体層１１ｂと電気的に接続される。第２導電層６２は、第２対向半導体層１２ｂと基体５１との間に設けられ、第２対向半導体層１２ｂと電気的に接続される。第３導電層６３は、第３対向半導体層１３ｂと基体５１との間に設けられ、第３対向半導体層１３ｂと電気的に接続される。第４導電層６４は、第４対向半導体層１４ｂと基体５１との間に設けられ、第４対向半導体層１４ｂと電気的に接続される。

第１接続層４１の一端４１ｐは、第１導電層６１と基体５１との間に配置される。第１接続層４１の一端４１ｐは、第１導電層６１と電気的に接続される。第１接続層４１の他端４１ｑは、第３半導体領域１２ｐと基体５１との間に配置される。第１接続層４１の他端４１ｑは、第３半導体領域１２ｐと電気的に接続される。

第２接続層４２の一端４２ｐは、第３導電層６３と基体５１との間に配置される。第２接続層４２の他端４２ｑは、第７半導体領域１４ｐと基体５１との間に配置される。

この例でも、第１〜第４パッド電極４８ａ〜４８ｄが設けられている。
第１パッド電極４８ａは、第１半導体層１１ａと電気的に接続される。第１パッド電極４８ａは、第１半導体領域１１ｐと電気的に接続される。第１パッド電極４８ａは、第１方向と交差する方向において、第１発光部１１と並ぶ。

第２パッド電極４８ｂは、第２導電層６２と電気的に接続される。第２パッド電極４８ｂは、第１方向と交差する方向において、第２発光部１２と並ぶ。

第３パッド電極４８ｃは、第３半導体層１３ａと電気的に接続される。第３パッド電極４８ｃは、第５半導体領域１３ｐと電気的に接続される。第３パッド電極４８ｃは、第１方向と交差する方向において、第３発光部１３と並ぶ。

第４パッド電極４８ｄは、第４導電層６４と電気的に接続される。第４パッド電極４８ｄは、第１方向と交差する方向において、第２発光部１２と並ぶ。

この例では、第１〜第４パッド用導電層４８ａｌ〜４８ｄｌが設けられる。
第１パッド用導電層４８ａｌの一端は、第１半導体領域１１ｐと基体５１との間に設けられ、第１半導体領域１１ｐと電気的に接続される。第１パッド用導電層４８ａｌの他端は、第１パッド電極４８ａと基体５１との間に設けられ、第１パッド電極４８ａと電気的に接続される。

第２パッド用導電層４８ｂｌの一端は、第２導電層６２と基体５１との間に設けられ、第２導電層６２と電気的に接続される。第２パッド用導電層４８ｂｌの他端は、第２パッド電極４８ｂと基体５１との間に設けられ、第２パッド電極４８ｂと電気的に接続される。

第３パッド用導電層４８ｃｌの一端は、第５半導体領域１３ｐと基体５１との間に設けられ、第５半導体領域１３ｐと電気的に接続される。第３パッド用導電層４８ｃｌの他端は、第３パッド電極４８ｃと基体５１との間に設けられ、第３パッド電極４８ｃと電気的に接続される。

第４パッド用導電層４８ｓｌの一端は、第４導電層６４と基体５１との間に設けられ、第４導電層６４と電気的に接続される。第４パッド用導電層４８ｄｌの他端は、第４パッド電極４８ｄと基体５１との間に設けられ、第４パッド電極４８ｄと電気的に接続される。

発光装置１２０は、絶縁層５３をさらに含む。絶縁層５３は、第１導電層６１と基体５１との間に設けられる。絶縁層５３は、第２導電層６２と基体５１との間、第３導電層６３と基体５１との間、及び、第４導電層６４と基体５１との間にさらに設けられる。絶縁層５３は、第１〜第４発光部１１〜１４に含まれる半導体層（第２導電形の半導体層）を、基体５１から絶縁する。

この例では、中間層５２が設けられる。中間層５２は、絶縁層５３と基体５１との間に設けられる。中間層５２は、例えば、絶縁層５３と基体５１とを接合する。中間層５２には、例えば、はんだが用いられる。中間層５２は、例えば、ＡｕＳｎを含む。

発光装置１２０においては、例えば、発光部は、横通電型のＬＥＤを含む。

発光装置１２０においても、第１発光部１１から放出され第１光学領域２１を通過した第１光のピーク波長は、第３発光部１３から放出され第３光学領域２３を通過した第３光のピーク波長とは異なる。

例えば、第１光のピーク波長は、第２発光部１２から放出され第２光学領域２２を通過した第２光のピーク波長と、実質的に同じである。第３光のピーク波長は、第４発光部１４から放出され第４光学領域２４を通過した第４光のピーク波長と、実質的に同じである。例えば、第１光及び第２光は、第１色であり、第３光及び第４光は、第２色である。第２色は、第１色とは異なる。

本実施形態においても、複数の発光部が直列に接続される。これにより、高い発光効率が得られる。さらに、第１光学領域２１を通過した第１光のピーク波長が、第３光学領域２３を通過した第３光のピーク波長とは異なる。色が互いに異なる。所望の色の光が得られる。

この例では、第１〜第４半導体層の上面は、凹凸を有する。凹凸により光取り出し効率が向上する。この凹凸は、発光装置１１０〜１１３において設けても良い。

この例では、第１光学領域２１は、第２光学領域２２と連続している。第３光学領域２３は、第４光学領域２４と連続している。第１光学領域２１は、第２光学領域２２と離間しても良い。第３光学領域２３は、第４光学領域２４と離間しても良い。

本実施形態においても、第１光学領域２１の第２面２１ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含んでも良い。第２光学領域２２の第４面２２ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含んでも良い。第３光学領域２３の第６面２３ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含んでも良い。第４光学領域２４の第８面２４ｂの少なくとも一部は、凸状の曲面を含んでも良い。

発光装置１２０において、第１〜第４配線ＷＲ１〜ＷＲ４が設けられても良い。これらの配線は、第１〜第４光学領域２１〜２４にそれぞれ覆われても良く、覆われてなくても良い。

（第３の実施形態）
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
図６（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光装置１３０も、第１〜第４光学領域２１〜２４と、第１〜第４発光部１１〜１４と、を含む。図６（ａ）では図示しないが、基体５１、第１〜第４導電層６１〜６４、第１接続層４１及び第２接続層４２が設けられている。

発光装置１３０は、第１〜第４配線ＷＲ１〜ＷＲ４をさらに含む。第１配線ＷＲ１は、第１発光部１１の第１半導体層１１ａと電気的に接続される。第２配線ＷＲ２は、第２発光部１２の第２対向半導体層１２ｂと電気的に接続される。第３配線ＷＲ３は、第３発光部１３の第３半導体層１３ａと電気的に接続される。第４配線ＷＲ４は、第４発光部１４の第４対向半導体層１４ｂと電気的に接続される。

第１配線ＷＲ１及び第２配線ＷＲ２を介して、第１発光部１１及び第２発光部１２に電流が供給される。第１発光部１１及び第２発光部１２からの発光が制御される。第３配線ＷＲ３及び第４配線ＷＲ４を介して、第３発光部１３及び第４発光部１４に電流が供給される。第３発光部１３及び第４発光部１４からの発光が制御される。

第１発光部１１及び第２発光部１２からの発光は、第３発光部１３及び第４発光部１４からの発光と独立して制御できる。これにより、所望の中間色を含む光が得られる。

図６（ｂ）に示すように、本実施形態に係る別の発光装置１３１も、第１〜第４光学領域２１〜２４と、第１〜第４発光部１１〜１４と、を含む。図６（ｂ）では図示しないが、基体５１、第１〜第４導電層６１〜６４、第１接続層４１及び第２接続層４２が設けられている。

発光装置１３１は、第１配線ＷＲ１及び第２配線ＷＲ２をさらに含む。第１配線ＷＲ１は、第１発光部１１の第１半導体層１１ａと、第３発光部１３の第３半導体層１３ａと、を電気的に接続する。第２配線ＷＲ２は、第２発光部１２の第２対向半導体層１２ｂと、第４発光部１４の第４対向半導体層１４ｂと、を電気的に接続する。

これらの配線により、発光部に電流が供給される。この例では、第１発光部１１からの発光と第３発光部１３からの発光とが同時に制御される。

図７（ａ）〜図７（ｄ）は、発光装置を例示する模式図である。
これらの図は、実施形態に係る発光装置における光の色の配置を例示している。
図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、第１色領域Ａ１、第２色領域Ａ２、第３色領域Ａ３及び第４色領域Ａ４が設けられる。第１色領域Ａ１、第２色領域Ａ２、第３色領域Ａ３及び第４色領域Ａ４の１つが、例えば、第１光学領域２１に対応する。第１色領域Ａ１、第２色領域Ａ２、第３色領域Ａ３及び第４色領域Ａ４の別の１つが、例えば、第３光学領域２３に対応する。

実施形態おいて、互いに色が異なる第１光学領域２１及び第３光学領域２３に加えて、さらに色が異なる光学領域が設けられても良い。

図７（ｄ）に示すように、第１色領域Ａ１及び第２色領域Ａ２が交互に並んでも良い。

実施形態においては、例えば、複数のジャンクション上に、複数の発光色の蛍光体層が設けられる。例えば、１つの発光装置において、多色の発光が得られる。調光ができる。

色の数に対応する複数の素子を設ける参考例がある。この場合は、小型化が困難である。複数の素子を実装するため、工程が複雑である。複数の素子を用いるため、配光パターンの制御が困難である。複数の素子において特性が不均一になり易い。マルチチップ型ＬＥＤの参考例においては、上記の問題に加えて、配線などの光吸収により、効率が低い。

実施形態においては、例えば、マルチジャンクション型ＬＥＤの各チップに、異なる色の蛍光樹脂が塗布される。例えば、列ごとに色分けして配置される。マルチジャンクション型ＬＥＤでは、チップ間隔を小さくすることができる。同じ素子サイズにおいて、発光面積が拡大できる。高い発光効率が得られる。マルチジャンクション型ＬＥＤでは、発光面に支持基板の端面が露出していない。このため、支持基板端面に光が吸収されない。高い発光効率が得られる。

マルチジャンクション型ＬＥＤにおいては、１つの素子で多色の発光が得られる。チップの特性のばらつきが小さい。配光設計や放熱設計が容易になる。色の組み合わせによって任意の色が得られる。例えば、フルカラー（赤、緑、青）が得られる。例えば、車載向け灯具（赤、黄）に応用できる。異なる色温度の照明が得られる。小型化が可能である。低コストの製品を提供できる。

異なる色の複数の領域（チップ）は、直線状に並べることができる。複数の領域は、マトリクス状に並べることができる。

マルチチップ型ＬＥＤの参考例では、素子ごとに金ワイヤなどの配線が用いられる。この配線においては、反射率が低く、光の吸収率が高い。このため、発光効率が低い。ワイヤの専有面積が大きく、発光領域の拡大に限界がある。

これに対して、マルチジャンクション型ＬＥＤは、素子の内部で電気的な接続が行われる。配線による光の吸収が抑制される。

実施形態において、光学領域は、例えば、スプレイ法などにより形成できる。光学領域は、例えば、ポッティング法などにより形成できる。光学領域は、例えば、インクジェット法などにより形成できる。光学領域として、蛍光体シートなどを用いても良い。

実施形態によれば、発光効率を向上できる発光装置が提供される。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれる光学領域、発光部、半導体層、導電層及び接続層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１〜１４…第１〜第４発光部、 １１ａ〜１４ａ…第１〜第４半導体層、 １１ｂ〜１４ｂ…第１〜第４対向半導体層、 １１ｃ〜１４ｃ…第１〜第４中間半導体層、 １１ｐ、１１ｑ…第１、第２半導体領域、 １２ｂｓ 側面、 １２ｐ、１２ｑ…第３、第４半導体領域、 １３ｐ、１３ｑ…第５、第５半導体領域、 １４ｂｓ…側面、 １４ｐ、１４ｑ…第７、第８半導体領域、 ２１〜２４…第１〜第４光学領域、 ２１ａ、２１ｂ…第１、第２面、 ２１ｐ〜２４ｐ…第１〜第４波長変換粒子、 ２１ｑ〜２４ｑ…第１〜第４樹脂体、 ２２ａ、２２ｂ…第３、第４面、 ２３ａ、２３ｂ…第５、第６面、 ２４ａ、２４ｂ…第７、第８面、 ４１…第１接続層、 ４１ｉ…絶縁層、 ４１ｐ…一端、 ４１ｑ…他端、 ４２…第２接続層、 ４２ｐ…一端、 ４２ｑ…他端、 ４８ａ〜４８ｄ…第１〜第４パッド電極、 ４８ａｌ〜４８ｄｌ…第１〜第４パッド用導電層、 ５１…基体、 ５２…中間層、 ５２ｉ…絶縁層、 ５３…絶縁層、 ６１〜６４…第１〜第４導電層、 １１０〜１１３、１２０、１２１…発光装置、 Ａ１〜Ａ４…第１〜第４色領域、 ＷＲ１〜ＷＲ４…第１〜第４配線

Claims (17)

1. 基体と、
   第１方向において前記基体と離間する第１光学領域と、
   前記第１光学領域と前記基体との間に設けられ第１導電形の第１半導体層及び第２導電形の第１対向半導体層を含む第１発光部と、
   前記第１発光部と前記基体との間に設けられ前記第１対向半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
   前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第１光学領域と並ぶ第２光学領域と、
   前記第２光学領域と前記基体との間に設けられ前記第１導電形の第２半導体層及び前記第２導電形の第２対向半導体層を含む第２発光部と、
   前記第１導電層と前記第２半導体層とを電気的に接続する第１接続層と、
   前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第１光学領域と並ぶ第３光学領域と、
   前記第３光学領域と前記基体との間に設けられ前記第１導電形の第３半導体層及び前記第２導電形の第３対向半導体層を含む第３発光部と、
   を備え、
   前記第１発光部から放出され前記第１光学領域を通過した第１光のピーク波長と、前記第３発光部から放出され前記第３光学領域を通過した第３光のピーク波長と、の差は、前記第１発光部から放出された第１発光のピーク波長と、前記第３発光部から放出された第３発光のピーク波長と、の差よりも大きく、
   前記第１接続層の一端は、前記第１導電層と前記基体との間に配置され、
   前記第２半導体層の少なくとも一部は、前記第１接続層の他端と前記基体の間に配置されている、発光装置。
2. 前記第１光の前記ピーク波長と前記第３光の前記ピーク波長との前記差は、前記第１光の前記ピーク波長と、前記第２発光部から放出され前記第２光学領域を通過した第２光のピーク波長と、の差よりも大きい、請求項１記載の発光装置。
3. 前記第１光の前記ピーク波長と前記第３光の前記ピーク波長との前記差は、前記第１発光の前記ピーク波長と、前記第２発光部から放出された第２光のピーク波長と、の差よりも大きい、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第１光学領域は、複数の第１波長変換粒子と、前記複数の第１波長変換粒子の周りに設けられた第１樹脂体と、を含み、
   前記複数の第１波長変換粒子は、前記第１発光の一部を吸収して第１変換光を放出し、
   前記第１変換光のピーク波長は、前記第１発光の前記ピーク波長とは異なる、請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
5. 前記第３光学領域は、複数の第３波長変換粒子と、前記複数の第３波長変換粒子の周りに設けられた第３樹脂体と、を含み、
   前記複数の第３波長変換粒子は、前記第３発光の一部を吸収して第３変換光を放出し、
   前記第３変換光のピーク波長は、前記第３発光のピーク波長とは異なる、請求項４記載の発光装置。
6. 前記第２光学領域は、複数の第２波長変換粒子と、前記複数の第２波長変換粒子の周りに設けられた第２樹脂体と、を含み、
   前記複数の第２波長変換粒子は、前記第２発光部から放出された第２発光の一部を吸収して第２変換光を放出し、
   前記第２変換光のピーク波長は、前記第２発光の前記ピーク波長とは異なり、
   前記複数の前記第２波長変換粒子の少なくとも一部は、前記複数の第１波長変換粒子に含まれる材料を含む、請求項４または５に記載の発光装置。
7. 前記第１光の前記ピーク波長は、前記第１発光のピーク波長と同じであり、
   前記第３光の前記ピーク波長は、前記第３発光のピーク波長とは異なる、請求項１または２に記載の発光装置。
8. 前記第１対向半導体層は、前記第１半導体層と前記基体との間に設けられ、
   前記第１発光部は、前記第１半導体層と前記第１対向半導体層との間に設けられた第１中間半導体層をさらに含み、
   前記第２対向半導体層は、前記第２半導体層と前記基体との間に設けられ、
   前記第２発光部は、前記第２半導体層と前記第２対向半導体層との間に設けられた第２中間半導体層をさらに含み、
   前記第３対向半導体層は、前記第３半導体層と前記基体との間に設けられ、
   前記第３発光部は、前記第３半導体層と前記第３対向半導体層との間に設けられた第３中間半導体層をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
9. 前記基体と前記第２対向半導体層との間に設けられ、前記第２対向半導体層と電気的に接続される第２導電層と、
   前記第１半導体層と電気的に接続され、前記基体と前記第１光学領域との間に設けられた第１パッド電極と、
   前記第２導電層と電気的に接続され、前記基体と前記第２光学領域との間に設けられた第２パッド電極と、
   前記第１パッド電極と接続され、前記第１発光部の前記第１半導体層と電気的に接続された第１配線と、
   第２パッド電極と接続され、前記第２発光部の前記第２対向半導体層と電気的に接続された第２配線と、
   をさらに備え、
   前記第１パッド電極と前記基体との間に前記第１半導体層が配置され、
   前記第２パッド電極は、前記第１方向と交差する方向において、前記第２発光部と並ぶ、請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
10. 前記第１方向において前記基体と離間し前記第１方向と交差する方向において前記第３光学領域と並ぶ第４光学領域と、
    前記第４光学領域と前記基体との間に設けられ前記第１導電形の第４半導体層及び前記第２導電形の第４対向半導体層を含む第４発光部と、
    前記基体と前記第３対向半導体層との間に設けられ前記第３対向半導体層と電気的に接続された第３導電層と、
    前記第３導電層と前記第４半導体層とを電気的に接続する第２接続層と、
    をさらに備え、
    前記第３光の前記ピーク波長と、前記第４発光部から放出され前記第４光学領域を通過した第４光のピーク波長と、の差は、前記第１光の前記ピーク波長と、前記第３光の前記ピーク波長と、の前記差よりも小さい、請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
11. 前記第４対向半導体層は、前記第４半導体層と前記基体との間に設けられ、
    前記第４発光部は、前記第４半導体層と前記第４対向半導体層との間に設けられた第４中間半導体層をさらに含む、請求項１０記載の発光装置。
12. 前記第２接続層の一端は、前記第３導電層と前記基体との間に配置され、
    前記第４半導体層の少なくとも一部は、前記第２接続層の他端と前記基体の間に配置されている、請求項１０記載の発光装置。
13. 前記第１半導体層と前記第３半導体層とを電気的に接続する第１配線と、
    前記第２対向半導体層と前記第４対向半導体層とを電気的に接続する第２配線と、
    をさらに備えた請求項１０〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
14. 前記第１半導体層と電気的に接続された第１配線と、
    前記第２対向半導体層と電気的に接続された第２配線と、
    前記第３半導体層と電気的に接続された第３配線と、
    前記第４対向半導体層と電気的に接続された第４配線と、
    をさらに備えた請求項１０〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
15. 前記第１光学領域は、前記第２光学領域と連続している、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の発光装置。
16. 前記第１光学領域は、前記第２光学領域と離間している、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の発光装置。
17. 前記第１光学領域は、前記第１発光部の側の第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、
    前記第２面の少なくとも一部は、凸状の曲面を含む、請求項１〜１６のいずれか１つに記載の発光装置。