JP2018073950A - 発光モジュール及び照明器具 - Google Patents

発光モジュール及び照明器具 Download PDF

Info

Publication number
JP2018073950A
JP2018073950A JP2016210933A JP2016210933A JP2018073950A JP 2018073950 A JP2018073950 A JP 2018073950A JP 2016210933 A JP2016210933 A JP 2016210933A JP 2016210933 A JP2016210933 A JP 2016210933A JP 2018073950 A JP2018073950 A JP 2018073950A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
substrate
sealing member
film layer
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016210933A
Other languages
English (en)
Inventor
尚樹 藤谷
Naoki Fujitani
尚樹 藤谷
益巳 阿部
Masumi Abe
益巳 阿部
孝祐 竹原
Kosuke Takehara
孝祐 竹原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2016210933A priority Critical patent/JP2018073950A/ja
Priority to DE102017124558.8A priority patent/DE102017124558A1/de
Priority to US15/790,674 priority patent/US10260687B2/en
Publication of JP2018073950A publication Critical patent/JP2018073950A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00Refractors for light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/0091Reflectors for light sources using total internal reflection
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/27Retrofit light sources for lighting devices with two fittings for each light source, e.g. for substitution of fluorescent tubes
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/68Details of reflectors forming part of the light source
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/69Details of refractors forming part of the light source
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S8/00Lighting devices intended for fixed installation
    • F21S8/04Lighting devices intended for fixed installation intended only for mounting on a ceiling or the like overhead structures
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02Combinations of only two kinds of elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00Refractors for light sources
    • F21V5/04Refractors for light sources of lens shape
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

【課題】発光素子と封止部材との位置ずれに起因する色ムラを抑制できる発光モジュール等を提供する。
【解決手段】発光モジュール1は、基板10と、基板10に形成され、基板10の表面を露出する開口60aを有する薄膜層60と、開口60a内において基板10に配置された発光素子20と、開口60a内において基板10に形成され、波長変換材を含有し且つ発光素子20を封止する封止部材30とを備え、薄膜層60の厚さは、封止部材30の厚さよりも薄く、封止部材30の端部は、薄膜層60に接し、基板10及び薄膜層60の表面は、親水性であり、薄膜層60の表面の濡れ性は、基板10の表面の濡れ性よりも悪い。
【選択図】図3

Description

本発明は、発光モジュール及び発光モジュールを備える照明器具に関する。
発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の半導体発光素子は、高効率及び高寿命であるので、種々の機器の光源として広く利用されている。例えば、LEDは、照明器具又はランプ等の照明用光源として用いられたり、液晶表示装置等のバックライト光源として用いられたりしている。
一般的に、LEDは、LEDモジュールとしてユニット化されて各種機器に内蔵されている。LEDモジュールは、例えば、基板と、基板の上に実装された1つ以上のLEDとを備える(例えば特許文献1)。
LEDモジュールとしては、1つ又は複数のLED(LEDチップ)が直接基板に実装されたCOB(Chip On Board)タイプの構成が知られている。COBタイプのLEDモジュールは、例えば、基板と、基板に実装された複数のLEDチップと、複数のLEDチップを一括封止するように形成された封止部材とを備える。封止部材は、例えば、蛍光体を含有する樹脂材料によって構成されている。これにより、封止部材ではLEDチップの光と蛍光体の光とが混色され、封止部材からは所定の色の光が放出される。
特開2011−176017号公報
従来のCOBタイプのLEDモジュールの構造では、LEDチップと封止部材との位置関係にずれが生じた場合、色ムラが生じるという課題がある。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、発光素子と封止部材との位置ずれに起因する色ムラを抑制できる発光モジュール及び照明器具を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る発光モジュールの一態様は、基板と、前記基板に形成され、前記基板の表面を露出する開口を有する薄膜層と、前記開口内において前記基板に配置された発光素子と、前記開口内において前記基板に形成され、波長変換材を含有し且つ前記発光素子を封止する封止部材とを備え、前記薄膜層の厚さは、前記封止部材の厚さよりも薄く、前記封止部材の端部は、前記薄膜層に接し、前記基板及び前記薄膜層の表面は、親水性であり、前記薄膜層の表面の濡れ性は、前記基板の表面の濡れ性よりも悪い。
また、本発明に係る照明器具の一態様は、上記の発光モジュールを備える。
また、本発明に係る発光モジュールの製造方法の一態様は、開口を有する薄膜層を基板に形成する工程と、前記開口内において前記基板に発光素子を実装する工程と、前記開口内において前記基板に封止部材を形成する工程とを含み、前記封止部材を形成する工程は、前記発光素子を封止するように、波長変換材を含有する封止部材材料を前記基板に塗布する工程を含み、前記薄膜層の厚さは、前記封止部材材料の厚さよりも薄く、前記基板及び前記薄膜層の表面は、いずれも濡れ性を有し、前記薄膜層の表面の濡れ性は、前記基板の表面の濡れ性よりも悪い。
本発明によれば、発光素子と封止部材との位置ずれに起因する色ムラを抑制することができる。
実施の形態1に係る発光モジュールの平面図である。 図1のII−II線における実施の形態1に係る発光モジュールの部分断面図である。 図1のIII−III線における実施の形態1に係る発光モジュールの断面図である。 実施の形態1に係る発光モジュールの製造方法における薄膜層を形成する工程を示す断面図である。 実施の形態1に係る発光モジュールの製造方法における発光素子を実装する工程を示す断面図である。 実施の形態1に係る発光モジュールの製造方法における封止部材を形成する工程を示す断面図である。 発光素子と封止部材との位置関係にずれが生じていない場合における比較例の発光モジュールの断面図である。 発光素子と封止部材との位置関係にずれが生じている場合における比較例の発光モジュールの断面図である。 実施の形態2に係る照明器具の断面斜視図である。 実施の形態2に係る照明器具の断面図である。 変形例に係る発光モジュールの平面図である。 図10のXI−XIにおける変形例に係る発光モジュールの断面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程(ステップ)、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
また、本明細書及び図面において、X軸、Y軸及びZ軸は、三次元直交座標系の三軸を表しており、本実施の形態では、Z軸方向を鉛直方向とし、Z軸に垂直な方向(XY平面に平行な方向)を水平方向としている。X軸及びY軸は、互いに直交し、且つ、いずれもZ軸に直交する軸である。
(実施の形態1)
実施の形態1に係る発光モジュール1の構成について、図1〜図3を用いて説明する。図1は、実施の形態1に係る発光モジュール1の平面図である。図2は、図1のII−II線における同発光モジュール1の部分断面図である。図3は、図1のIII−III線における同発光モジュール1の断面図である。
図1〜図3に示すように、発光モジュール1は、基板10と、発光素子20と、封止部材30と、配線40と、ワイヤ50と、薄膜層60とを備える。
本実施の形態における発光モジュール1は、ライン状に光を発するライン状光源であって、例えば白色光を出射する。また、発光モジュール1は、基板10に発光素子20としてLEDチップが直接実装されたCOBタイプのLEDモジュールである。
以下、発光モジュール1の各構成部材について、図1〜図3を参照しながら詳細に説明する。
[基板]
基板10は、発光素子20を実装するための実装基板である。基板10としては、セラミックからなるセラミック基板、樹脂をベースとする樹脂基板、金属をベースとするメタルベース基板、又は、ガラスからなるガラス基板等を用いることができる。
セラミック基板としては、アルミナからなるアルミナ基板又は窒化アルミニウムからなる窒化アルミニウム基板等を用いることができる。樹樹脂基板としては、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とからなるガラスエポキシ基板(CEM−3、FR−4等)、紙フェノールや紙エポキシからなる基板(FR−1等)、又は、ポリイミド等からなる可撓性を有するフレキシブル基板等を用いることができる。メタルベース基板としては、例えば、表面に絶縁膜が被膜された、アルミニウム合金基板、鉄合金基板又は銅合金基板等を用いることができる。なお、基板10は、リジッド基板に限るものではなく、フレキシブル基板であってもよい。
基板10の表面は、親水性である。具体的には、基板10がセラミック基板である場合、セラミック表面は親水性である。また、基板10が樹脂基板である場合、樹脂表面が親水性である。また、基板10がメタルベース基板である場合、金属を被膜する樹脂膜の樹脂表面又は樹脂膜が被膜されておらず露出した金属表面が親水性である。基板10の表面が親水性である場合、基板10の表面の接触角は、90°以上である。なお、接触角は、水に対する接触角(水接触角)である。
基板10としては、光反射率が高い(例えば光反射率が90%以上)白色基板であるとよい。白色基板を用いることにより、発光素子20から出射する光を基板10の表面で反射させることができるので、発光モジュール1の光取り出し効率を向上させることができる。本実施の形態では、基板10として、白色のセラミック基板を用いている。この場合、基板10として、アルミナ粒子を焼成させることによって構成された例えば厚みが1mm程度の白色の多結晶アルミナ基板(多結晶セラミック基板)を用いることができる。セラミック基板は、樹脂基板と比べて熱伝導率が高く、発光素子20で発生する熱を効率よく放熱させることができる。また、セラミック基板は経時劣化が小さく、耐熱性にも優れている。
本実施の形態において、基板10は、長尺状の矩形基板である。つまり、基板10の平面視形状は、長尺状の矩形である。長尺状の基板10は、その長手方向(長尺方向)の長さ(長辺の長さ)をL1とし、短手方向の長さ(短辺の長さ)をL2としたときに、基板10のアスペクト比(L1/L2)は、例えば、L1/L2≧10である。
また、基板10には、発光素子20を発光させるための直流電力を、発光モジュール1の外部から受電するための一対の電極端子が設けられていている。一対の電極端子は、例えばリード線等を介して外部の電源装置(電源回路)と電気的に接続される。一対の電極端子で受電された電力は、配線40を介して発光素子20に給電される。
[発光素子]
発光素子20は、半導体発光素子の一例であって、所定の電力により発光する。本実施の形態において、発光素子20は、単色の可視光を発するベアチップ(LEDチップ)であり、例えば、通電されれば青色光を発する青色LEDチップである。青色LEDチップとしては、例えば、中心波長が440nm〜470nmの窒化ガリウム系の半導体発光素子を用いることができる。一例として、青色LEDチップは、サファイア基板に形成されたInGaN系の窒化物半導体層の上面にp側電極及びn側電極の両電極が形成された片面電極構造を有する半導体発光素子である。なお、発光素子20は、両面電極構造であってもよい。
発光素子20は、基板10に配置されている。本実施の形態において、発光素子20は、基板10の一方の主面に直接実装されている。具体的には、発光素子20は、ダイアタッチ剤等によって基板10の表面(本実施の形態ではセラミック表面)にダイボンド実装されている。基板10に実装された発光素子20は、封止部材30によって覆われている。
また、図3に示すように、発光素子20は、薄膜層60の開口60a内に配置されている。つまり、発光素子20は、薄膜層60の開口60a内に位置するように基板10に実装されている。具体的には、発光素子20の実装位置が薄膜層60の開口60a内の中央に設定されているので、発光素子20は、薄膜層60の開口60a内の中央に位置するように配置されている。つまり、発光素子20の中心の位置が、薄膜層60の第1直線部61と第2直線部62との間の中心の位置に一致している。
発光素子20は、薄膜層60の第1直線部61と第2直線部62との間において、複数個一列に実装されている。図1に示すように、本実施の形態において、基板10は長尺状であり、複数の発光素子20は、基板10の長手方向に沿って直線状に配列されて実装されている。具体的には、複数の発光素子20は、基板10の長手方向に沿って一列のみで配列されている。また、複数の発光素子20は、同一のピッチで配列されており、隣り合う発光素子20間の距離が全て同じになっているが、これに限らない。
なお、本実施の形態において、隣り合う2つの発光素子20は、隣り合う2つの発光素子20の間に形成された配線40及びワイヤ50を介して電気的に接続されているが、これに限るものではない。例えば、複数の発光素子20は、隣り合う2つの発光素子20同士がワイヤ50によって直接接続されていてもよい。すなわち、隣り合う2つの発光素子20は、Chip−to−Chipによってワイヤボンディングされていてもよい。また、ワイヤ50を用いずに、発光素子20は、フリップチップ実装により配線40と接続されていてもよい。
[封止部材]
図1及び図2に示すように、封止部材30は、複数の発光素子20を封止する。具体的には、封止部材30は、複数の発光素子20を覆うように基板10上に形成される。封止部材30は、直線状に配列された複数の発光素子20を一括封止している。つまり、封止部材30は、発光素子20の配列方向に沿って基板10の主面に直線状に形成されている。これにより、連続した直線状の発光部を実現することができる。
本実施の形態において、封止部材30は、基板10の長手方向に沿って形成されている。具体的には、封止部材30は、基板10の2つの短辺の一方から他方にわたって形成されている。つまり、封止部材30は、基板10の長手方向の両端縁まで形成されており、基板10の一方の短辺から対向する他方の短辺まで途切れることなく連続的に形成されている。
図3に示すように、封止部材30は、薄膜層60の開口60a内において基板10に形成されている。図1に示すように、封止部材30は、薄膜層60の第1直線部61と第2直線部62との間に直線状に形成されている。
また、図3に示すように、封止部材30の端部は、薄膜層60に接している。本実施の形態において、封止部材30の幅方向の両端部が薄膜層60に接しており、封止部材30は、発光素子20を中心として発光素子20の両側に広がるように形成されている。具体的には、封止部材30の幅方向の一方の端部が薄膜層60の第1直線部61の端縁に乗り上がるように第1直線部61に接している。また、封止部材30の幅方向の他方の端部が薄膜層60の第2直線部62の端縁に乗り上がるように第2直線部62に接している。つまり、平面視において、薄膜層60の封止部材30側の端部と封止部材30の薄膜層60側の端部とが重畳している。
封止部材30は、波長変換材を含有する樹脂材料によって構成されている。封止部材30を構成する樹脂材料としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はフッソ系樹脂等の透光性を有する絶縁樹脂材料を用いることができる。封止部材30に含まれる波長変換材は、発光素子20が発する光の波長を所定の波長に変換する。本実施の形態において、封止部材30は、波長変換材として蛍光体を含んでおり、樹脂材料に蛍光体が分散された蛍光体含有樹脂である。封止部材30内の蛍光体は、発光素子20が発する光によって励起されて蛍光発光し、所望の色(波長)の光を放出する。
本実施の形態では、発光素子20として青色LEDチップを用いているので、白色光を得るために、蛍光体としては、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系の黄色蛍光体を用いることができる。これにより、青色LEDチップが発した青色光の一部は、黄色蛍光体に吸収されて黄色光に波長変換される。つまり、黄色蛍光体は、青色LEDチップの青色光によって励起されて黄色光を放出する。この黄色蛍光体による黄色光と黄色蛍光体に吸収されなかった青色光とが混ざった合成光として白色光が生成され、封止部材30からはこの白色光が出射する。
なお、演色性を高めるために、封止部材30には、さらに赤色蛍光体が含まれていてもよい。また、封止部材30には、光拡散性を高めるためにシリカ等の光拡散材、又は、蛍光体の沈降を抑制するためにフィラー等が分散されていてもよい。
封止部材30は、発光素子20の配列方向に沿って、発光素子20を覆うように封止部材30の材料(蛍光体含有樹脂)をディスペンサによって基板10の主面に塗布し、その後硬化させることで形成することができる。このように形成された封止部材30の形状は、扁平な蒲鉾形である。一例として、YZ断面における封止部材30の表面の輪郭線は、全体として湾曲した形状である。また、封止部材30の高さは、一例として、0.5mm〜1.5mmである。
[配線]
配線40は、基板10に形成され、発光素子20と電気的に接続されている。配線40は、例えば、基板10に実装された複数の発光素子20を、直列接続又は並列接続、あるいは直列接続と並列接続との組み合わせの接続となるように形成されている。
本実施の形態において、配線40は、所定形状のパターンで基板10の主面に形成されており、図1に示すように、基板10に形成された一対の電極端子に接続された一対のライン配線41と、隣り合う発光素子20の間に形成されたランド配線42とを有する。ランド配線42の一部は、ワイヤ50が接続されるボンディングパッドとして機能する。
図1及び図3に示すように、ライン配線41は、複数の発光素子20の素子列を挟むように当該素子列に沿って直線状に形成された一対の第1ライン配線部41a及び第2ライン配線部41bを有する。つまり、第1ライン配線部41a及び第2ライン配線部41bは、基板10の長手方向に沿って略平行に延在するように形成されている。第1ライン配線部41a及び第2ライン配線部41bには、発光素子20に電力を供給するために、第1ライン配線部41a及び第2ライン配線部41bの一方から他方に向かって突出する突出部を有する。この突出部の先端部は、ボンディングパッドとしても機能する。
図1及び図2に示すように、ランド配線42は、隣り合う発光素子20同士を電気的に接続する。つまり、ランド配線42によって接続された2つの発光素子20は直列接続される。なお、ランド配線42の一部は、ワイヤ50が接続されるボンディングパッドとして機能する。図1に示すように、ランド配線42は、第1ライン配線部41aと第2ライン配線部41bとの間に形成されている。
配線40は、金属材料からなる金属配線である。配線40を構成する金属材料としては、例えば銅(Cu)又は銀(Ag)等を用いることができる。なお、配線40の表面に金(Au)等からなるメッキが被膜されていてもよい。
[ワイヤ]
ワイヤ50は、複数の発光素子20の各々に接続されている。本実施の形態において、各発光素子20には一対のワイヤ50が接続されている。ワイヤ50は、例えば、発光素子20と、基板10に形成された配線40のランド配線42とに接続される。つまり、発光素子20とランド配線42とがワイヤ50によってワイヤボンディングされており、ワイヤ50の一方の端部は発光素子20に接続され、ワイヤ50の他方の端部はランド配線42に接続されている。これにより、発光素子20とランド配線42とがワイヤ50によって電気的に接続される。ワイヤ50は、例えば金ワイヤ等の金属ワイヤであり、キャピラリを用いて発光素子20からランド配線42に架張するように設けられる。
なお、基板10におけるワイヤ50の中には、ライン配線41の第1ライン配線部41a及び第2ライン配線部41bの突出部に接続されるものも存在する。このワイヤ50は、第1ライン配線部41a及び第2ライン配線部41bの突出部と当該突出部の近傍に実装された発光素子20とに接続される。
ワイヤ50は、封止部材30に封止されている。本実施の形態において、ワイヤ50は、全体が封止部材30の中に埋め込まれているが、一部が封止部材30から露出していてもよい。また、ワイヤ50は、架張方向が封止部材30の長手方向と同じ方向となるように設けられている。すなわち、発光素子20に接続されるワイヤ50は、平面視したときに直線上に位置するように設けられている。
[薄膜層]
薄膜層60は、基板10に形成されている。図2に示すように、薄膜層60は、基板10の表面を露出する開口60aを有する。薄膜層60の開口60a内には、発光素子20及び封止部材30が形成されている。薄膜層60は、基板10の表面に形成される表面層であるとともに、発光素子20及び封止部材30の周辺に形成される周辺層である。
図1及び図3に示すように、薄膜層60は、直線状の第1直線部61と、第1直線部61と離間し且つ第1直線部61に並行する直線状の第2直線部62とを有する。薄膜層60の開口60aは、第1直線部61と第2直線部62との間隙領域である。つまり、第1直線部61と第2直線部62との間には発光素子20が配置されている。第1直線部61及び第2直線部62は、複数の発光素子20の素子列を挟むように当該素子列に沿って形成されている。また、第1直線部61と第2直線部62との間には封止部材30が形成されている。第1直線部61及び第2直線部62は、封止部材30を挟むように封止部材30の長手方向に沿って形成されている。
図3に示すように、薄膜層60は、配線40を被覆している。本実施の形態において、薄膜層60は、配線40のライン配線41を被覆している。具体的には、薄膜層60の第1直線部61は、ライン配線41の第1ライン配線部41a全体を覆うように第1ライン配線部41aよりも幅広で第1ライン配線部41aを被覆している。また、薄膜層60の第2直線部62は、ライン配線41の第2ライン配線部41b全体を覆うように第2ライン配線部41bよりも幅広で第2ライン配線部41bを被覆している。
なお、薄膜層60の一部には、配線40と発光素子20とをワイヤ50によって接続するために、配線40の一部を露出させるための開口が形成されている。
薄膜層60の厚さは、封止部材30の厚さよりも薄い。つまり、薄膜層60の膜厚は、封止部材30の最大高さよりも小さくなっている。なお、薄膜層60の厚さは、全領域において同一膜厚である。薄膜層60の膜厚は、一例として、5μm〜100μmであり、封止部材30の高さの1/30倍〜1/20倍程度である。本実施の形態において、薄膜層60の膜厚は、35μmとした。
薄膜層60の表面は、親水性である。つまり、薄膜層60は、表面が親水性を有する材料によって構成されている。薄膜層60の表面が親水性である場合、薄膜層60の表面の接触角は、90°以上である。なお、接触角は、水に対する接触角(水接触角)である。
また、薄膜層60の表面の濡れ性は、基板10の表面の濡れ性よりも悪い。つまり、薄膜層60は、基板10よりも濡れ性が悪い材料によって構成されている。本実施の形態において、薄膜層60の表面の接触角をθ1とし、基板10の表面の接触角をθ2とすると、θ2<θ1≦90°の関係を満たしている。一例として、薄膜層60の表面の接触角θ1は、70°以上(θ1≧70°)である。また、基板10の表面の接触角θ2は、30°以下(θ2≦30°)である。
本実施の形態において、薄膜層60は、ガラス材によって構成されている。薄膜層60は、酸化シリコン(SiO)を主成分とする結晶化ガラスにより構成されたガラス膜である。ガラス膜の表面は、セラミック基板の表面よりも濡れ性が悪い。
[発光モジュールの製造方法]
次に、発光モジュール1の製造方法について、図4〜図6を用いて説明する。図4〜図6は、実施の形態1に係る発光モジュール1の製造方法を説明するための断面図であり、図4は薄膜層60を形成する工程、図5は発光素子20を実装する工程、図6は封止部材30を形成する工程を示している。
図4に示すように、開口60aを有する薄膜層60を基板10に形成する。本実施の形態では、配線40が形成された基板10に薄膜層60を形成する。具体的には、ライン配線41の第1ライン配線部41a及び第2ライン配線部41bを被覆するように、薄膜層60としてガラス膜からなる第1直線部61及び第2直線部62を形成する。
薄膜層60としてガラス膜を形成する場合、次のようにして基板10にガラス膜を形成することができる。まず、粉末状のフリットガラス(粉末ガラス)を準備し、これに溶剤を添加し混練することによってガラス膜形成用のペーストを作製する。次に、ガラス膜形成用のペーストを基板10の所定の位置に所定形状で印刷する。なお、ガラス膜形成用のペーストは印刷以外に塗布によってもコーティングすることができる。次に、ガラス膜形成用のペーストが印刷された基板10を焼成する。焼成することによってガラス膜形成用のペーストのガラスフリットが軟化して、基板10の表面に焼結膜としてガラス膜を形成することができる。
次に、図5に示すように、薄膜層60の開口60a内において基板10に発光素子20を実装する。本実施の形態では、第1直線部61と第2直線部62との間に領域における基板10の表面に、発光素子20としてLEDチップを実装する。例えば、ダイアタッチ剤等によって発光素子20をダイボンディングすることにより発光素子20を基板10に実装することができる。図示しないが、その後、発光素子20と配線40とを電気的に接続するために、発光素子20と配線40(ランド配線42及びライン配線41の突出部)とをワイヤ50を用いてワイヤボンディングする。
次に、図6に示すように、薄膜層60の開口60a内において基板10に封止部材30を形成する。
封止部材30を形成する工程では、図6(a)に示すように、まず、発光素子20を封止するように、波長変換材を含有する封止部材材料30aを基板10に塗布する。具体的には、ディスペンサの吐出ノズル100(ディスペンスノズル)を基板10に対向して配置し、薄膜層60の第1直線部61と第2直線部62との間の領域(開口60a)に直線状に実装された複数の発光素子20を覆うように、複数の発光素子20の列に沿って吐出ノズル100から封止部材材料30aを吐出しながら吐出ノズル100を基板10の長手方向に沿って移動させる。このとき、封止部材材料30aは、発光素子20とともに配線40及びワイヤ50を覆うようにして吐出される。本実施の形態において、封止部材材料30aは、基板10の一方の短辺側端縁から他方の短辺側端縁にかけて吐出ノズル100を1回の動作で移動することにより塗布されるが、これに限るものではない。
塗布する封止部材材料30aとしては、蛍光体を含有する樹脂材料(蛍光体含有樹脂)を用いることができる。樹脂材料としては、粘度(常温)が20〜120Pa・sで、チクソ比(6rpm/60rpm)が2〜10であるものを用いることができる。より好ましくは、粘度が30〜60Pa・sで、チクソ比(6rpm/60rpm)が4〜6である樹脂材料を用いるとよい。一例として、封止部材材料30aを構成する樹脂材料は、シリコーン系の熱硬化性樹脂である。
封止部材材料30aを塗布した後は、図6(b)に示すように、封止部材材料30aを加熱する。これにより、封止部材材料30aが硬化して所定形状の封止部材30を形成することができる。
この封止部材材料30aの加熱時において、封止部材材料30aの粘度が一旦低くなり、封止部材材料30aが塗布時よりも軟化する。このとき、薄膜層60の表面の濡れ性が基板10の表面の濡れ性よりも悪いので、図6(b)に示すように、薄膜層60の開口60a内で封止部材材料30aが流動して薄膜層60に到達した際、封止部材材料30aは、薄膜層60及び基板10のうち相対的に濡れ性が良い方の基板10側の方に濡れ広がる。
これにより、図6(a)に示すように、封止部材材料30aが発光素子20に対して左右に偏った状態で塗布された場合であっても、図6(b)に示すように、封止部材材料30aが発光素子20に対して左右対称となるように濡れ広がる。つまり、封止部材材料30aが薄膜層60の開口60a内においてセルフアラインにより発光素子20に対して左右対称となる位置に濡れ広がる。これにより、発光素子20に対して左右対称となる位置に封止部材30を形成することができる。
なお、上記のように、封止部材材料30aは、加熱時に濡れ広がるが、塗布直後にも濡れ広がる。つまり、薄膜層60の表面の濡れ性を基板10の表面の濡れ性よりも悪くしておくことで、吐出ノズル100から封止部材材料30aが基板10に塗布された直後にも封止部材材料30aが濡れ広がる。
[発光モジュールの作用効果等]
次に、図7A〜図9を用いて、実施の形態1に係る発光モジュール1の作用効果等について、本発明に至った経緯も含めて説明する。
図7A及び図7Bは、比較例の発光モジュールの断面図であり、図7Aは、発光素子20と封止部材30との位置関係にずれが生じていない場合、図7Bは、発光素子20と封止部材30との位置関係にずれが生じている場合を示している。
図7Aに示すように、COBタイプの発光モジュールにおいて、発光素子20と封止部材30との位置関係にずれが生じていない場合、発光素子20から出射して封止部材30を通る光には光路長に差が生じていないので色ムラは生じない。
一方、図7Bに示すように、発光素子20と封止部材30との位置関係にずれが生じた場合、発光素子20から左斜め上方に向かって出射して封止部材30を通る光と、発光素子20から右斜め上方に向かって出射して封止部材30を通る光とで光路長に差が生じる。このため、左右の色が均一にならず、色ムラが発生する。例えば、発光素子20が青色LEDチップで、封止部材30に黄色蛍光体が含まれている場合、光路長が短い光の方では青っぽく見え、光路長が長い方では黄色っぽく見える。
このように、発光素子20と封止部材30との位置関係にずれが生じた場合、発光素子20から放射状に出射して封止部材30を通る光の距離(光路長)に差が生じ、色ムラが発生するという課題がある。
特に、ウォールウオッシャー用の照明器具等のように、照明器具を中心にして左右又は上下等の2方向に光を放射する照明器具に対して長尺状の発光モジュールを適用した場合に、色ムラが顕著になって現れた。
このような課題に対して本願発明者らが検討した結果、封止部材30を形成する領域(封止部材材料30aの塗布領域)の外側周辺に、塗布した封止部材材料30aが所望の位置に流動させることができる薄膜層を形成することで、発光素子20と封止部材材料30aとの位置関係にずれが生じた場合であっても色ムラを抑制できるのではないかと考えた。
そこで、封止部材30を形成する領域(封止部材材料30aの塗布領域)の外側周辺に、薄膜層として撥水性(接触角90°超)を有する撥水膜を形成することを検討した。
しかしながら、撥水膜を基板10に形成すると、撥水膜の表面張力によって、塗布した封止部材材料30aを撥水膜から遠ざけるように流動させることができるものの、撥水膜は基板10に対して濡れ性が極めて悪いため、熱プロセス等による熱によって撥水膜が基板10から剥離してしまうことが分かった。
そこで、本願発明者らがさらに鋭意検討した結果、封止部材30を形成する領域(封止部材材料30aの塗布領域)の外側周辺に、撥水性ではなく親水性を有する薄膜層60として、基板10よりも濡れ性の悪い周辺層を形成することで、封止部材材料30aの塗布時に発光素子20と封止部材材料30aとの位置関係にずれが生じた場合であっても色ムラを抑制できることを見出した。
本発明はこのような着想に基づいてなされたものであり、本実施の形態における発光モジュール1は、基板10と、基板10に形成され、基板10の表面を露出する開口60aを有する薄膜層60と、開口60a内において基板10に配置された発光素子20と、開口60a内において基板10に形成され、波長変換材を含有し且つ発光素子20を封止する封止部材30とを備える。そして、薄膜層60の厚さは、封止部材30の厚さよりも薄く、封止部材30の端部は、薄膜層60に接しており、さらに、基板10及び薄膜層60の表面は親水性であり、薄膜層60の表面の濡れ性が基板10の表面の濡れ性よりも悪くなっている。
このように、薄膜層60の表面の濡れ性を基板10の表面の濡れ性よりも悪くしておくことで、封止部材30を形成する際に、封止部材30の材料(封止部材材料30a)が発光素子20に対して左右に偏った状態で塗布された場合であっても、封止部材30の材料が発光素子20に対して左右対称となるように濡れ広がる。これにより、発光素子20と封止部材30との位置関係のずれを補正して、封止部材30の中心位置を発光素子20の中心位置に容易に近づけることができる。したがって、発光素子20と封止部材30との位置ずれに起因する色ムラを抑制することができる。
また、本実施の形態における発光モジュール1において、薄膜層60の表面の接触角θ1と基板10の表面の接触角θ2とは、θ2<θ1≦90°の関係を満たしている。
これにより、薄膜層60の表面及び基板10の表面が親水性を有しつつ、薄膜層60の表面の濡れ性を基板10の表面の濡れ性よりも悪くすることができる。
また、本実施の形態における発光モジュール1において、θ1≧70°である。
これにより、薄膜層60の表面の接触角θ1を大きくして薄膜層60の表面と基板10の表面との接触角差を大きくすることができるので、封止部材30の材料をよりスムーズに濡れ広がらせることができる。したがって、発光素子20と封止部材30との位置関係のずれを補正しやすくできる。例えば、ずれ補正量を大きくすることができる。したがって、発光素子20と封止部材30との位置ずれに起因する色ムラを一層抑制できる。
また、本実施の形態における発光モジュール1において、θ2≦30°である。
これにより、基板10の表面の接触角θ2を小さくして薄膜層60の表面と基板10の表面との接触角差を大きくすることができるので、封止部材30の材料をよりスムーズに濡れ広がらせることができる。したがって、発光素子20と封止部材30との位置関係のずれをさらに補正しやすくできる。したがって、発光素子20と封止部材30との位置ずれに起因する色ムラを一層抑制できる。
また、本実施の形態における発光モジュール1において、封止部材30の断面において、発光素子20は、薄膜層60の開口60a内の中央に配置されている。
これにより、封止部材30のYZ断面において、発光素子20から左斜め上方に向かって出射する光と発光素子20から右斜め上方に向かって出射する光とにおける光路長の差をなくすことができるので、色ムラのない発光モジュールを実現することができる。
また、本実施の形態における発光モジュール1において、薄膜層60は、ガラス材によって構成されている。
これにより、薄膜層60の表面の濡れ性を基板10の表面の濡れ性よりも容易に悪くすることができ、基板10よりも濡れ拡がりにくい薄膜層60を封止部材30の周辺に形成することができる。したがって、封止部材30の材料をよりスムーズに濡れ広がらせることができる。さらに、この場合、基板10として白色のセラミック基板を用いた場合に、発光素子20から出射した光が薄膜層60(ガラス膜)を透過してセラミック表面で効率良く反射するので、光取り出し効率を向上させることができる。
また、本実施の形態における発光モジュール1は、さらに、基板10に形成され、発光素子20と電気的に接続された配線40を備えており、薄膜層60は、配線40を被覆している。
このように、給電用の配線40を薄膜層60によって被覆することで、基板10の絶縁耐圧を向上させることができるとともに、配線40が酸化することを抑制できる。このため、薄膜層60は、ライン配線41を被覆するライン配線被覆部(第1直線部61及び第2直線部62)を有するだけではなく、ランド配線42を被覆するランド配線被覆部を有していてもよい。
また、本実施の形態における発光モジュール1において、薄膜層60は、直線状の第1直線部61と、第1直線部61と離間し且つ第1直線部61に並行する直線状の第2直線部62とを有している。そして、発光素子20は、第1直線部61と第2直線部62との間において、複数個一列に実装されており、封止部材30は、複数の発光素子20を一括封止するとともに第1直線部61と第2直線部62との間に直線状に形成されている。
これにより、直線状の封止部材30を形成する場合であっても、薄膜層60を構成する第1直線部61と第2直線部62とによって、封止部材30の長手方向に沿って発光素子20と封止部材30との位置関係のずれを補正できる。これにより、長手方向に沿って封止部材30の色ムラを抑制することができるので、直線状に連続した光を発する発光モジュールを実現することができる。
また、本実施の形態における発光モジュール1において、基板10は、長尺状であり、複数の発光素子20は、基板10の長手方向に沿って実装されている。
これにより、ライン状に光を発する細長いライン状光源を実現することができる。
また、本実施の形態における発光モジュール1の製造方法は、開口60aを有する薄膜層60を基板に形成する工程と、開口60a内において基板10に発光素子20を実装する工程と、開口60a内において基板10に封止部材30を形成する工程とを含む。封止部材30を形成する工程は、発光素子20を封止するように、波長変換材を含有する封止部材材料30aを基板10に塗布する工程を含んでいる。そして、薄膜層60の厚さは、封止部材材料30aの厚さよりも薄く、さらに、基板10及び薄膜層60の表面は親水性であり、薄膜層60の表面の濡れ性が基板10の表面の濡れ性よりも悪くなっている。
これにより、封止部材材料30aは、薄膜層60及び基板10のうち相対的に濡れ性が良い方の基板10側の方に濡れ広がるので、封止部材材料30aが発光素子20に対して左右に偏った状態で塗布された場合であっても、封止部材材料30aは、セルフアラインで発光素子20と封止部材材料30aとの位置ずれを補正しながら濡れ広がる。したがって、封止部材30の中心位置を発光素子20の中心位置に容易に近づけることができるので、発光素子20と封止部材30との位置ずれに起因する色ムラが抑制された発光モジュール1を得ることができる。
さらに、本実施の形態における発光モジュール1の製造方法では、封止部材材料30aとして熱硬化性樹脂を用いており、封止部材30を塗布する工程は、封止部材材料30aを塗布した後に、封止部材材料30aを加熱する工程を含んでいる。
これにより、封止部材材料30aの加熱時において封止部材材料30aが塗布時よりも軟化するので、封止部材材料30aが濡れ広がりやすくなるので、発光素子20と封止部材30との位置関係のずれを補正しやすくできる。
なお、本実施の形態では、基板10として表面反射率が高い白色のセラミック基板を用いたので、薄膜層60は透明なガラス膜としたが、これに限るものではない。薄膜層60としては、表面が親水性を有し、かつ、表面の濡れ性が基板10の表面の濡れ性よりも悪い材料であれば任意の材料を用いることができる。例えば、薄膜層60として、反射率が98%程度の高反射率の白色樹脂材料(白レジスト膜)を用いることができる。これにより、基板10として表面反射率が低い樹脂基板等を用いた場合であっても、光取り出し効率を向上させることができる。また、白レジスト膜はガラス膜よりも濡れ性が悪い。つまり、白レジスト膜の接触角はガラス膜の接触角よりも小さい。したがって、薄膜層60として白レジスト膜を用いることで、ガラス膜を用いる場合よりも、薄膜層60の表面と基板10の表面との接触角差を大きくできるので、封止部材30の材料(封止部材材料30a)をよりスムーズに濡れ広がらせることができる。したがって、発光素子20と封止部材30との位置関係のずれをさらに補正しやすくできる。
(実施の形態2)
次に、実施の形態2に係る照明器具2について、図8及び図9を用いて説明する。図8は、実施の形態2に係る照明器具2の断面斜視図である。図9は、同照明器具2の断面図である。
図8及び図9に示すように、本実施の形態における照明器具2は、ウォールウオッシャー用の照明装置であり、例えば壁面に設置される。この場合、照明器具2は、左右又は上下の2方向に光を放射し、照明器具2の両側の壁面を照射する。
照明器具2は、実施の形態1における発光モジュール1と、基台3と、レンズ4と、一対の透光カバー5と、遮光カバー6とを備える。
基台3は、発光モジュール1を支持する支持部を有するとともに、発光モジュール1を点灯させるための電源ユニット(不図示)を収納する収納部を有する筐体である。基台3は、発光モジュール1の長手方向に長尺をなすように長尺状に形成されている。基台3は、例えば金属材料又は樹脂材料によって構成される。
レンズ4は、発光モジュール1から出射する光の配光を制御する機能を有する光学部材である。レンズ4は、発光モジュール1を覆うように配置されている。本実施の形態において、レンズ4は、発光モジュール1から出射する光を左右2方向に屈折させるように配光制御する。具体的には、レンズ4は、発光モジュール1から出射する光を、レンズ4の左右に配置された一対の透光カバー5の各々に向かって出射するように配光制御する。つまり、レンズ4から左右方向に出射する光の各々は、一対の透光カバ−5の各々に入射する。レンズ4は、発光モジュール1の長手方向に長尺をなすように長尺状に形成されている。レンズ4は、例えば透明樹脂材料又はガラス材料によって構成される。
一対の透光カバー5は、基台3の側壁として配置される。具体的には、一対の透光カバー5の一方は基台3の左側壁として基台3に設けられ、一対の透光カバー5の他方は基台3の右側壁として基台3に設けられている。また、一対の透光カバー5は、レンズ4の側方に配置されている。一対の透光カバー5の各々は、発光モジュール1の長手方向に長尺をなすように長尺板状に形成されている。一対の透光カバー5は、例えば透明樹脂材料又はガラス材料によって構成される。なお、透光カバー5に拡散性(散乱性)を持たせるために、各透光カバー5の表面に乳白の拡散膜を形成したり、透光カバー5の内部に光拡散材を分散させたり、透光カバー5の表面に微小凹凸形状を形成したりしてもよい。
遮光カバー6は、基台3の開口部に蓋をするようにレンズ4に対向して配置されている。これにより、発光モジュール1から出射してレンズ4の上方向に漏れ出る光を遮光することができるので、発光モジュール1から出射する光をレンズ4によって左右2方向に指向性を持たせて配光させることができる。遮光カバー6は、発光モジュール1の長手方向に長尺をなすように長尺板状に形成されている。遮光カバー6は、例えば透明樹脂材料又は金属材料によって構成される。
このように、発光モジュール1は、ウォールウオッシャー用の長尺状の照明器具2として利用することができる。
(変形例)
以上、本発明に係る発光モジュール1及び照明器具2について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施の形態1において、発光素子20は、一列のみとしたが、複数列であってもよい。この場合、封止部材30を発光素子20の列ごとに複数本形成すればよい。例えば、図10に示すように、発光素子20を2列で実装した場合、封止部材30を発光素子20の列数に合わせて2本形成すればよい。この場合、図11に示すように、薄膜層60Aは、2本の封止部材30の各々に対応するように開口60aを形成すればよい。具体的には、図10及び図11に示すように、薄膜層60Aとして、第1直線部61と第2直線部62との間に第3直線部63を形成し、第1直線部61及び第3直線部63の間の第1領域(開口60a)と第3直線部63及び第2直線部62の間の第2領域(開口60a)とに封止部材30を形成すればよい。
また、上記実施の形態1において、基板10の形状は、長尺矩形状としたが、これに限るものではない。例えば、基板10の形状は、正方形であってもよいし、四角形以外の多角形又は円形等であってもよい。また、基板10に複数本の封止部材30を形成する場合、封止部材30の長さを列ごとに異ならせてもよい。
また、上記実施の形態1において、封止部材30は、全ての発光素子20を一括封止するように形成したが、これに限るものではない。例えば、封止部材30は、複数の発光素子20を個別に封止するように複数形成してもよい。
また、上記実施の形態1において、発光モジュール1は、青色LEDチップと黄色蛍光体とによって白色光を放出するように構成したが、これに限らない。例えば、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂を用いて、これと青色LEDチップとを組み合わせることによりに白色光を放出するように構成しても構わない。
また、上記実施の形態1において、LEDチップは、青色以外の色を発光するLEDチップを用いても構わない。例えば、青色LEDチップよりも短波長である紫外光を放出する紫外LEDチップを用いる場合、主に紫外光により励起されて三原色(赤色、緑色、青色)に発光する各色蛍光体を組み合わせたものを用いることができる。
また、上記実施の形態1において、波長変換材として蛍光体を用いたが、これに限らない。例えば、波長変換材として、半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質を含んでいる材料を用いることができる。
また、上記実施の形態1、2において、発光モジュール1を調光及び調色可能な構成としてもよい。
また、上記実施の形態2では、発光モジュール1をウォールウオッシャー用の照明器具に適用する例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、発光モジュール1は、直管形ランプ又はベースライト等の長尺状の照明装置に適用してもよいし、その他に、ダウンライト、スポットライト、シーリングライト又は電球形ランプ等のその他の照明装置に適用してもよい。さらに、発光モジュール1を照明用途以外の機器に用いることも可能である。
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
1 発光モジュール
2 照明器具
10 基板
20 発光素子
30 封止部材
30a 封止部材材料
40 配線
60、60A 薄膜層
60a 開口
61 第1直線部
62 第2直線部

Claims (12)

  1. 基板と、
    前記基板に形成され、前記基板の表面を露出する開口を有する薄膜層と、
    前記開口内において前記基板に配置された発光素子と、
    前記開口内において前記基板に形成され、波長変換材を含有し且つ前記発光素子を封止する封止部材とを備え、
    前記薄膜層の厚さは、前記封止部材の厚さよりも薄く、
    前記封止部材の端部は、前記薄膜層に接し、
    前記基板及び前記薄膜層の表面は、親水性であり、
    前記薄膜層の表面の濡れ性は、前記基板の表面の濡れ性よりも悪い、
    発光モジュール。
  2. 前記薄膜層の表面の接触角をθ1とし、前記基板の表面の接触角をθ2とすると、
    θ2<θ1≦90°の関係を満たす、
    請求項1に記載の発光モジュール。
  3. θ1≧70°、である、
    請求項2に記載の発光モジュール。
  4. θ2≦30°、である、
    請求項2又は3に記載の発光モジュール。
  5. 前記封止部材の断面において、前記発光素子は、前記開口内の中央に配置されている、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光モジュール。
  6. 前記薄膜層は、ガラス材によって構成されている、
    請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光モジュール。
  7. さらに、前記基板に形成され、前記発光素子と電気的に接続された配線を備え、
    前記薄膜層は、前記配線を被覆している、
    請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光モジュール。
  8. 前記薄膜層は、直線状の第1直線部と、前記第1直線部と離間し且つ前記第1直線部に並行する直線状の第2直線部とを有し、
    前記発光素子は、前記第1直線部と前記第2直線部との間において、複数個一列に実装されており、
    前記封止部材は、複数の前記発光素子を一括封止するとともに前記第1直線部と前記第2直線部との間に直線状に形成されている、
    請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光モジュール。
  9. 前記基板は、長尺状であり、
    複数の前記発光素子は、前記基板の長手方向に沿って実装されている、
    請求項8に記載の発光モジュール。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の発光モジュールを備える、
    照明器具。
  11. 開口を有する薄膜層を基板に形成する工程と、
    前記開口内において前記基板に発光素子を実装する工程と、
    前記開口内において前記基板に封止部材を形成する工程とを含み、
    前記封止部材を形成する工程は、前記発光素子を封止するように、波長変換材を含有する封止部材材料を前記基板に塗布する工程を含み、
    前記薄膜層の厚さは、前記封止部材材料の厚さよりも薄く、
    前記基板及び前記薄膜層の表面は、いずれも濡れ性を有し、
    前記薄膜層の表面の濡れ性は、前記基板の表面の濡れ性よりも悪い、
    発光モジュールの製造方法。
  12. 前記封止部材材料は、熱硬化性樹脂であり、
    前記封止部材を塗布する工程は、前記封止部材材料を塗布した後に、前記封止部材材料を加熱する工程を含む、
    請求項11に記載の発光モジュールの製造方法。
JP2016210933A 2016-10-27 2016-10-27 発光モジュール及び照明器具 Pending JP2018073950A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016210933A JP2018073950A (ja) 2016-10-27 2016-10-27 発光モジュール及び照明器具
DE102017124558.8A DE102017124558A1 (de) 2016-10-27 2017-10-20 Lichtemittierendes modul und beleuchtungskörper
US15/790,674 US10260687B2 (en) 2016-10-27 2017-10-23 Light-emitting module and lighting fixture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016210933A JP2018073950A (ja) 2016-10-27 2016-10-27 発光モジュール及び照明器具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018073950A true JP2018073950A (ja) 2018-05-10

Family

ID=61912152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016210933A Pending JP2018073950A (ja) 2016-10-27 2016-10-27 発光モジュール及び照明器具

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10260687B2 (ja)
JP (1) JP2018073950A (ja)
DE (1) DE102017124558A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6848931B2 (ja) 2018-04-23 2021-03-24 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP2019192442A (ja) * 2018-04-23 2019-10-31 セイコーエプソン株式会社 光源装置、プロジェクター、および光源装置の製造方法
JP6939690B2 (ja) 2018-04-23 2021-09-22 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
CN109087999A (zh) * 2018-08-22 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性基底及其制备方法、柔性有机发光二极管显示基板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019663A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2011155187A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Konica Minolta Opto Inc 発光ダイオードユニットの製造方法
WO2012144126A1 (ja) * 2011-04-20 2012-10-26 パナソニック株式会社 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2013149637A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2013168420A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
US8575646B1 (en) * 2009-06-11 2013-11-05 Applied Lighting Solutions, LLC Creating an LED package with optical elements by using controlled wetting
WO2015177038A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 Koninklijke Philips N.V. Thermo-optical enclosure for led lighting applications

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007188862A (ja) * 2005-12-13 2007-07-26 Canon Inc 有機el発光装置およびその製造方法
JP5600443B2 (ja) 2010-02-23 2014-10-01 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2012044048A (ja) 2010-08-20 2012-03-01 Sharp Corp 発光素子パッケージの製造方法及び発光素子パッケージ
CN103748405B (zh) * 2011-12-16 2017-09-05 松下知识产权经营株式会社 发光模块以及使用该发光模块的照明用光源和照明装置
JP6093127B2 (ja) 2012-08-29 2017-03-08 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2014086694A (ja) 2012-10-26 2014-05-12 Sharp Corp 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP6116228B2 (ja) 2012-12-14 2017-04-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019663A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
US8575646B1 (en) * 2009-06-11 2013-11-05 Applied Lighting Solutions, LLC Creating an LED package with optical elements by using controlled wetting
JP2011155187A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Konica Minolta Opto Inc 発光ダイオードユニットの製造方法
WO2012144126A1 (ja) * 2011-04-20 2012-10-26 パナソニック株式会社 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2013149637A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2013168420A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
WO2015177038A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 Koninklijke Philips N.V. Thermo-optical enclosure for led lighting applications

Also Published As

Publication number Publication date
US10260687B2 (en) 2019-04-16
DE102017124558A1 (de) 2018-05-03
US20180119898A1 (en) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6252753B2 (ja) 発光装置、照明装置及び実装基板
JP5089212B2 (ja) 発光装置およびそれを用いたledランプ、発光装置の製造方法
JP6928823B2 (ja) 発光モジュール及び照明器具
WO2013015058A1 (ja) 発光装置
US8847251B2 (en) Substrate, light-emitting device, and lighting apparatus having a largest gap between two lines at light-emitting element mounting position
US9196584B2 (en) Light-emitting device and lighting apparatus using the same
JP2008235824A5 (ja)
US20110309381A1 (en) Light-emitting device and lighting apparatus
US10260687B2 (en) Light-emitting module and lighting fixture
US8766536B2 (en) Light-emitting module having light-emitting elements sealed with sealing member and luminaire having same
JP2017162942A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2016167518A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2018129492A (ja) 発光装置、及び、照明装置
CN112397487B (zh) 发光器件及制作方法和含该发光器件的显示屏和照明器材
US10161574B2 (en) Light-emitting device, lighting device, and method of manufacturing light-emitting device
KR100973330B1 (ko) Led직관램프용 led패키지 모듈 및 그 제조방법
JP2013191667A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2009212126A (ja) 照明装置
JP2009076803A (ja) 発光モジュール及び発光装置
JP6704182B2 (ja) 照明装置
JP2015095571A (ja) 発光装置、発光モジュール、照明器具及びランプ
JP2019145700A (ja) 発光装置、及び、照明装置
US11798920B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
JP7011411B2 (ja) Led照明装置
JP2018010800A (ja) 発光装置、及び、照明用光源

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190712

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200616

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210629