TWI419360B - Solid crystal light-emitting device having an insulating layer and a method for manufacturing the same - Google Patents

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Description

具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法
本發明係有關於一種發光單元及其製造方法，特別是指一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法。
隨著半導體製程技術發展成熟，更進一步發展製程技術進入奈米階段，而光電半導體亦隨著半導體製程蓬勃發展，例如：發光二極體、半導體雷射等等，現今光電半導體亦受到廣泛地應用於各項光電裝置中，例如：背光模組、電子看板、交通號誌、投影機與探照燈等等。傳統光電半導體係以直流電源驅動，但一般市電所供應之電源為交流電源，因此使用光電半導體時需先將交流電源轉換為直流電源，所以光電半導體的驅動電路必須外加交流對直流轉換電路，導致製造成本增加，且交流電源轉換成直流電源的過程中受到功率損耗的影響，會造成光電半導體的操作效能降低，有鑑於此，直接使用交流電源驅動之光電半導體的發展有其必要性。
現今使用交流電源之光電半導體係以交流發光二極體的發展較為卓越，各國對此領域皆公開發表產品或專利，例如：美國專利公告號第US 6,547,249之「MONOLITHIC SERIES/PARALLEL LED ARRAYS FORMED ON HIGHLY RESISTIVE SUBSTRATES」與美國專利公告號第US 6,957,899之「LIGHT EMITTING DIODES FOR HIGH AC VOLTAGE OPERATION AND GENERAL LIGHTING」，其皆揭露一交流發光二極體模組包含至少二發光二極體晶粒，該些發光二極體晶粒依據其電性連接方式於交流電正負半波下輪流發光，也就是交流發光二極體模組於交流電正負半波下分別有至少一發光二極體晶粒發光。
為確保各發光二極體晶粒可正常發光，需要讓各發光二極體晶粒之間電性相互獨立，因此需要讓各發光二極體晶粒之間具有間隔，傳統方式係以蝕刻方式而分別於各發光二極體晶粒之間形成凹部，並以介電材料分別形成介電層於凹部上，以絕緣各發光二極體晶粒之間的電性。但是介電層 上的金屬鍍膜是採用蒸鍍或濺鍍的方式形成，導致金屬鍍膜容易因邊角過於彎曲或垂直側壁而產生覆蓋效果不佳的問題，因而衍生電路開路或電阻值上升的問題。
台灣專利公開號第TW200812100號之「交流發光裝置」針對上述的問題提出解決方案，如第一圖所示。請參閱第一圖，其為習知具有絕緣層之固晶發光裝置的結構示意圖。如圖所示，交流發光裝置10係包含一基板12、至少二微晶粒14、一絕緣體16，一導電結構18，其中二微晶粒14之間形成凹部142，且二微晶粒14之兩側為斜面144，絕緣體16形成於凹部142並貼附斜面144，導電結構18設置於絕緣體16上並電性連接微晶粒14，其中微晶粒14即為發光二極體微晶粒。但是微晶粒14之斜面142會導致絕緣體16形成鬆脫會滑動，而造成絕緣效果不佳，所以習知具有絕緣層之固晶發光裝置10之斜面144無法解決絕緣體16披覆性不佳而導致絕緣效果不佳的問題，如此容易導致習知具有絕緣層之固晶發光裝置10產生漏電的問題。
因此，本發明提出一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法，其係提供具有階梯狀結構之外觀的發光單元，以避免絕緣層設置於發光單元時產生滑動或鬆脫的問題，因而避免發光單元之間發生漏電的問題。
本發明之主要目的，在於提供一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法，其係利用一發光單元具有階梯狀結構之外觀，使絕緣層設置於發光單元之披覆效果增加，而避免絕緣層形成時滑動或鬆脫的問題。
本發明之次要目的，在於提供一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法，其係利用絕緣層與導電層之接觸面為非水平面，而避免導電效果不佳的問題。
為達以上之目的，本發明提供一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法，其係一具有絕緣層之固晶發光裝置包含有一透明基板、一第一發 光單元、一第二發光單元、一絕緣層與一導電層，其中第一發光單元與第二發光單元設置於基板上，第二發光單元具有階梯狀結構之外觀，絕緣層設置於該第一發光單元與該第二發光單元之間並覆蓋於第二發光單元所具有之階梯狀結構上，導電層設置於絕緣層上，導電層耦接該第一發光單元與該第二發光單元，如此本發明藉由階梯狀結構增加絕緣層與第二發光單元之間的披覆性，以提高絕緣效果而避免漏電。此外，絕緣層之下為非水平面更可避免導電層形成斷路，導致導電效果不佳的問題。
本發明提供另一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法，其係一具有絕緣層之固晶發光裝置包含有一承接基板與一晶片組，其中晶片組包含一透明基板、一第一發光單元、一第二發光單元與絕緣層，承接基板上具有複數導電件，該複數導電件包含第一接點與第二接點，且第一接點與第二接點之間設置一導電連接點，導電層設置於導電連接點上，晶片組經翻轉以該複數導電件設置於承接基板上，由於第二發光單元具有階梯狀結構之外觀，絕緣層設置於第一發光單元與第二發光單元之間的披覆性可以增加，如此以提高絕緣效果而避免漏電。
茲為使 貴審查委員對本發明之結構特徵及所達成之功效更有進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例圖及配合詳細之說明，說明如後：請參閱第二圖，其為本發明之一實施例之具有絕緣層之固晶發光裝置的結構示意圖。如圖所示，本發明之具有絕緣層之固晶發光裝置20包含一透明基板22、一第一發光單元24、一第二發光單元26、一絕緣層28與一導電層30，第一發光單元24與第二發光單元26設置於透明基板22上，第二發光單元26具有階梯狀結構之外觀，絕緣層28設置於該第一發光單元24與該第二發光單元26之間，導電層30設置於該絕緣層28上，該導電層30耦接該第一發光單元24與該第二發光單元26。本發明藉由第二發光單 元26具階梯狀結構之外觀而提高絕緣層28之披覆性，進而提高絕緣層28之絕緣效果，以避免該第一發光單元24與該第二發光單元26之間漏電。
第一發光單元24更包含一第一半導體層242、一第一電極244、一第一發光層246、一第二半導體層248與一第二電極250，第一半導體層242設置於該透明基板22上，第一發光層246設置於該第一半導體層242上，第二半導體層248設置於該第一發光層246上，第一電極244設置於第一半導體層242上，第二電極250設置於該第二半導體層248上。第二發光單元26包含一第三電極264、一第三半導體層266、一第二發光層268、一第四半導體層270與一第四電極272，第三半導體層266設置於該透明基板22上，第二發光層268設置於部分該第三半導體層266上，第四半導體層270設置於該第二發光層268上，第三電極264設置於第三半導體層266上，第四電極272設置於部分第四半導體層270上，由下而上，該第三半導體層266至第四電極272具有階梯狀結構之外觀，也就是說該第四半導體層270相對該第一發光單元24之一側較短於該第三半導體層266相對該第一發光單元24之一側，該第四電極272設置於該第四半導體層270上並耦接該導電層30。
其中，透明基板22之材料係為選自於Ⅲ－Ⅴ族之化學元素、非晶體半導體、非結晶體半導體及上述之任意組合之其中之一，該第一發光單元24與該第二發光單元26可依交流電正負半波發光，絕緣層28之材料係為選自於二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶體半導體及非結晶體半導體之其中之一，該導電層30為一透明導電層或一金屬導電層。此外，本實施例之較佳具有絕緣層之固晶發光裝置20在於該絕緣層28之上方為非水平面，也就是絕緣層28與該導電層30之間的接觸面為非水平面，以避免導電層30形成斷路。
此外，複數第一發光單元24與複數第二發光單元26更可串、並或串並聯電氣連接形成一橋式整流電路或一橋式交流發光裝置或一全波交流發光裝置，以設置於透明基板22上。
請參閱第三A圖至第三G圖，其為本發明之一實施例之製造流程的流程圖。如第三A圖至第三G圖所示，其係為本發明之具有絕緣層之固晶發光裝置20於製造流程中的結構變化。如第三A圖所示，提供一透明基板22，其中透明基板22之材料係為選自於Ⅲ－Ⅴ族之化學元素、非晶體半導體、非結晶體半導體及上述之任意組合之其中之一；如第三B圖所示，形成第一半導體層242與第三半導體層264於該透明基板22上；如第三C圖所示，形成第一發光層246於第一半導體層242上，同時一併形成第二發光層268於第三半導體層266上；如第三D圖所示，形成第二半導體層248於第一發光層246，同時一併形成一第四半導體層270於第二發光層268上，如第三E圖所示，形成第一電極244於第一半導體層242上，形成第二電極250於第二半導體層248上，形成第三電極264於第三半導體層266上，形成第四電極272於第四半導體層270上，以形成第一發光單元24與第二發光單元26，且第二發光單元26具有階梯狀結構之外觀；如第三F圖所示，形成一絕緣層28於該第一發光單元24與該第二發光單元26之間，其中該絕緣層28覆蓋於該第二發光單元26之該階梯狀結構上，此時絕緣層28之上方為非水平面；以及如第三G圖所示，形成一導電層30於該絕緣層28上，其中該導電層30耦接該第一發光單元24與該第二發光單元26，如此藉由第二發光單元26具有階梯狀結構之外觀，可提高絕緣層28之披覆性，進而提高絕緣層28之絕緣效果，且因絕緣層28之上方為非水平面，所以導電層30形成於絕緣層28上時不會產生斷路。
此外，於第三A圖至第三G圖所示之步驟中，更可形成複數第一發光單元24與複數第二發光單元26串、並或串並聯電氣連接形成一橋式整流電路或一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置，以設置於透明基板22上。
以上所述，本發明之具有絕緣層之固晶發光裝置20藉由第二發光單元26所具有之階梯狀結構外觀提高絕緣層28之披覆性，以提升第一發光單元24與第二發光單元26之間的絕緣效果。
請參閱四圖，其為本發明之一實施例之固晶發光裝置的結構示意圖。 如圖所示，本發明之具有絕緣層之固晶發光裝置40包含一承接基板42與一晶片組44，其中晶片組44包含一透明基板52、一第一發光單元54、一第二發光單元56與絕緣層58，且透明基板52、一第一發光單元54、一第二發光單元56與絕緣層58之連接關係如同上述之透明基板22、第一發光單元24、第二發光單元26與絕緣層28的連接關係，因此不再贅述。晶片組44經翻轉後並以複數導電件46以設置於該承接基板42上，其中本實施例之該些導電件46包含一第一接點462與一第二接點466，且第一接點462與第二接點466之間設有一導電連接點464，所以導電連接點464亦設置於承接基板42。該承接基板42之材料係為選自於Ⅲ－Ⅴ族之化學元素、Ⅱ－Ⅵ族之化學元素、Ⅳ族之化學元素、Ⅳ－Ⅳ族之化學元素、非晶體半導體、非結晶體半導體及上述之任意組合之其中之一，該透明基板52之材料係為選自於Ⅲ－Ⅴ族之化學元素、非晶體半導體、非結晶體半導體及上述之任意組合之其中之一，絕緣層58之材料係為選自於二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶體半導體及非結晶體半導體之其中之一。
第一發光單元54由上而下係包含一第一半導體層542、一第一發光層544與一第二半導體層546，且第一發光單元54更進一步包含第一電極548與第二電極550，第一電極548設置於第一半導體層542上，第二電極550設置於第二半導體層546上；第二發光單元56由上而下係包含一第三半導體層562、一第二發光層564、一第四半導體層566，且第二發光單元56更進一步包含一第三電極568與一第四電極570，第三電極568設置於第三半導體層562上，第四電極570設置於第四半導體層566上，第二發光單元56有上而下具有階梯狀結構之外觀，以用於設置絕緣層58於第一發光單元54與第二發光單元56之間。另外，本實施例之第一接點462與第二電極550之間更設有一第一凸塊534，導電連接點464上設有一導電層536，第一電極548與第四電極570連接導電層536，且該導電層536亦與該絕緣層58相接，第二接點466與第三電極568之間更設有一第二凸塊538。
本發明之具有絕緣層之固晶發光裝置40藉由第二發光單元56具有階梯狀結構之外觀提高絕緣層58與該第一發光單元54之間的披覆性，以避免絕緣層58於晶片組44翻轉設置於承接基板42時導致該第一發光單元54與該第二發光單元56之間漏電。
此外，複數第一發光單元54與複數第二發光單元56更可串、並或串並聯電氣連接形成一橋式整流電路或一橋式交流發光裝置或一全波交流發光裝置，以設置於透明基板52上。
請參閱第五A圖至第五J圖，其為本發明之另一實施例之製造流程的示意圖。如第五A圖至第五J圖所示，其係為本發明之具有絕緣層之固晶發光裝置40於製造流程中的結構變化。首先如第五A圖所示，提供透明基板52，其中透明基板52之材料係為選自於Ⅲ－Ⅴ族之化學元素、非晶體半導體、非結晶體半導體及上述之任意組合之其中之一；如第五B圖所示，形成第一半導體層542與第三半導體層562於該透明基板52上；如第五C圖所示，形成第一發光層544於第一半導體層542上，同時一併形成第二發光層564於第三半導體層562上；如第五D圖所示，形成第二半導體層546於第一發光層544，同時一併形成一第四半導體層566於第二發光層564上，如第五E圖所示，形成第一電極548於第一半導體層542上，形成第二電極550於第二半導體層546上，形成第三電極568於第三半導體層562上，形成第四電極570於第四半導體層566上，以形成第一發光單元54與第二發光單元56，且第二發光單元56具有階梯狀結構之外觀；如第五F圖所示，形成絕緣層58於該第一發光單元54與該第二發光單元56之間；如第五G圖所示，提供承接基板42，其中承接基板42之材料係為選自於Ⅲ－Ⅴ族之化學元素、Ⅱ－Ⅵ族之化學元素、Ⅳ族之化學元素、Ⅳ－Ⅳ族之化學元素、非晶體半導體、非結晶體半導體及上述之任意組合之其中之一；如第五H圖所示，形成第一接點462、導電連接點464與第二接點466於該承接基板42上；如第五I圖所示，形成第一凸塊534於該第一接點462上，形成導電層536於導電連接點464上，形成第二凸塊538於第二接點466 上；如第五J圖所示，翻轉晶片組44，此時絕緣層58之下方為非水平面，並藉由第二電極550連接第一凸塊534，第一電極548與第四電極570以及絕緣層58連接導電層536，以及第三電極568連接第二凸塊538，以設置晶片組44於承接基板42上，由於絕緣層58之下方為非水平面，所以晶片組44設置於承接基板42上時不會使絕緣層58導致導電層536形成斷路。絕緣層58之材料係為選自於二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶體半導體及非結晶體半導體之其中之一。如此絕緣層58可藉由第二發光單元56所具有之階梯狀結構之外觀提高披覆性，進而提高絕緣效果。
此外，於第五A圖至第五J圖所示之步驟中，更可形成複數第一發光單元54與複數第二發光單元56串、並或串並聯電氣連接形成一橋式整流電路或一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置，以設置於透明基板52上。
綜上所述，本發明係有關於一種具有絕緣層之固晶發光裝置及其製造方法，其利用第二發光單元具有階梯狀結構之外觀，絕緣層設置於第一發光單元與第二發光單元之間時，可提高披覆性，進而提高絕緣層之絕緣效果，以避免發光單元之間漏電。此外，絕緣層之上方為非水平面，可避免導電層於形成於絕緣層上時因邊角或垂直側壁而產生斷路。
故本發明實為一具有新穎性、進步性即可供產業上利用者，應符合我國專利法專利申請要件無疑，爰依法提出發明專利申請，祈 鈞局早日賜至准專利，至感為禱。
惟以上所述者，僅為本發明一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，故舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10‧‧‧交流發光裝置
12‧‧‧基板
14‧‧‧微晶粒
142‧‧‧凹部
144‧‧‧斜面
16‧‧‧絕緣體
18‧‧‧導電結構
20‧‧‧固晶發光裝置
22‧‧‧透明基板
24‧‧‧第一發光單元
242‧‧‧第一半導體層
244‧‧‧第一電極
246‧‧‧第一發光層
248‧‧‧第二半導體層
250‧‧‧第二電極
26‧‧‧第二發光單元
264‧‧‧第三電極
266‧‧‧第三半導體層
268‧‧‧第二發光層
270‧‧‧第四半導體層
272‧‧‧第四電極
28‧‧‧絕緣層
30‧‧‧導電層
40‧‧‧固晶發光裝置
42‧‧‧承接基板
44‧‧‧晶片組
46‧‧‧導電件
462‧‧‧第一接點
464‧‧‧導電連接點
466‧‧‧第二接點
52‧‧‧透明基板
534‧‧‧第一凸塊
536‧‧‧導電層
538‧‧‧第二凸塊
54‧‧‧第一發光單元
542‧‧‧第一半導體層
544‧‧‧第一發光層
546‧‧‧第二半導體層
548‧‧‧第一電極
550‧‧‧第二電極
56‧‧‧第二發光單元
562‧‧‧第三半導體層
564‧‧‧第二發光層
566‧‧‧第四半導體層
568‧‧‧第三電極
570‧‧‧第四電極
58‧‧‧絕緣層
第一圖為習知具有絕緣層之固晶發光裝置的結構示意圖；第二圖為本發明之一較佳實施例之固晶發光裝置的結構示意圖；第三A圖係本發明之一較佳實施例之部分製造流程的示意圖； 第三B圖係本發明之一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第三C圖係本發明之一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第三D圖係本發明之一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第三E圖係本發明之一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第三F圖係本發明之一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第三G圖係本發明之一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第四圖為本發明之另一較佳實施例之固晶發光裝置的結構示意圖；第五A圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五B圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五C圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五D圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五E圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五F圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五G圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五H圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；第五I圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖；以及第五J圖係本發明之另一較佳實施例之部分製造流程的示意圖。
20‧‧‧固晶發光裝置
22‧‧‧基板
24‧‧‧第一發光單元
242‧‧‧第一半導體層
244‧‧‧第一電極
246‧‧‧第一發光層
248‧‧‧第二半導體層
250‧‧‧第二電極
26‧‧‧第二發光單元
264‧‧‧第三電極
266‧‧‧第三半導體層
268‧‧‧第二發光層
270‧‧‧第四半導體層
272‧‧‧第四電極
28‧‧‧絕緣層
30‧‧‧導電層

Claims (46)

  1. 一種具有絕緣層之固晶發光裝置，其包含：一透明基板；一第一發光單元，其設置於該透明基板上，其係包含：一第一半導體層，其設置於該透明基板上；一第一發光層，其設置於該第一半導體層之上；一第二半導體層，其設置於該第一發光層之上；一第一電極，其設置於該第一半導體層之上；以及一第二電極，其設置於該第二半導體層之上；一第二發光單元，其由下而上係包含有：一第三半導體層，其設置於該透明基板上；一第二發光層，其設置於該第三半導體層之上；一第四半導體層，其設置於該第二發光層之上；一第三電極，其設置於該第三半導體層之上；以及一第四電極，其設置於該第四半導體層之上；一絕緣層，其設置於該第一發光單元與該第二發光單元之間，且在該絕緣層和該第二發光單元之間之一接觸面係為一階梯狀結構，該階梯狀結構係由該第二發光單元當中之該第三半導體層、該第二發光層以及該第四半導體層所組成，該絕緣層覆蓋該第一電極和該第一半導體層所組成之一側、該透明基板之部分表面、該第三半導體層之一側及其部分上側表面、以及該第二發光層和該第四半導體層所組成之一側；以及一導電層，其設置於該絕緣層上，以電性耦接該第一電極與該第四電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該絕緣層之上方為非水平面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該 第一發光單元與複數該第二發光單元更串聯電氣連接形成一橋式整流電路。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更並聯電氣連接形成一橋式整流電路。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更串並聯電氣連接形成一橋式整流電路。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更串聯電氣連接形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更並聯電氣連接形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更串並聯電氣連接形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該導電層為一透明導電層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該導電層為一金屬導電層。
  11. 一種具有絕緣層之固晶發光裝置的製造方法，其包含：提供一透明基板；形成一第一發光單元與一第二發光單元於該透明基板上，該第一發光單元係包含：一第一半導體層，其設置於該透明基板上；一第一發光層，其設置於該第一半導體層之上；一第二半導體層，其設置於該第一發光層之上；一第一電極，其設置於該第一半導體層之上；以及一第二 電極，其設置於該第二半導體層之上；該第二發光單元由下而上係包含有：一第三半導體層，其設置於該透明基板上；一第二發光層，其設置於該第三半導體層之上；一第四半導體層，其設置於該第二發光層之上；一第三電極，其設置於該第三半導體層之上；以及一第四電極，其設置於該第四半導體層之上；形成一絕緣層於該第一發光單元與該第二發光單元之間，且在該絕緣層和該第二發光單元之間之一接觸面係為一階梯狀結構，該階梯狀結構係由該第二發光單元當中之該第三半導體層、該第二發光層以及該第四半導體層所組成，該絕緣層覆蓋該第一電極和該第一半導體層所組成之一側、該透明基板之部分表面、該第三半導體層之一側及其部分上側表面、以及該第二發光層和該第四半導體層所組成之一側；以及形成一導電層於該絕緣層上，以電性耦接該第一電極與該第四電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中該絕緣層之上方為非水平面。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一電極與該第四電極之間之步驟中，更可依串聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式整流電路。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一電極與該第四電極之間之步驟中，更可依並聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式整流電路。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一電極與該第四電極之間之步驟中，更可依串並聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式整流電路。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一電極與該第四電極之間之步驟中，更可依串聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一電極與該第四電極之間之步驟中，更可依並聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一電極與該第四電極之間之步驟中，更可依串並聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  19. 如申請專利範圍第11項所述所述之製造方法，其中該導電層為一透明導電層。
  20. 如申請專利範圍第11項所述所述之製造方法，其中該導電層為一金屬導電層。
  21. 一種具有絕緣層之固晶發光裝置，其包含：一晶片組，其係包含：一透明基板；一第一發光單元，其設置於該透明基板上，其係包含：一第一半導體層，其設置於該透明基板上；一第一發光層，其設置於該第一半導體層之上；一第二半導體層，其設置於該第一發光層之上；一第一電極，其設置於該第一半導體層之上；以及一第二電極，其設置於該第二半導體層之上；一第二發光單元，其由下而上係包含有：一第三半導體層，其設置於該透明基板上；一第二發光層，其設置於該第三半導體層之上；一第四半導體層，其設置於該第二發光層之上；一第三電極，其設置於該第三半導體層之上；以及一第四電極，其設置於該第四半導體層之上； 一絕緣層，其設置於該第一發光單元與該第二發光單元之間，且在該絕緣層和該第二發光單元之間之一接觸面係為一階梯狀結構，該階梯狀結構係由該第二發光單元當中之該第三半導體層、該第二發光層以及該第四半導體層所組成，該絕緣層覆蓋該第一電極和該第一半導體層所組成之一側、該透明基板之部分表面、該第三半導體層之一側及其部分上側表面、以及該第二發光層和該第四半導體層所組成之一側；以及一承接基板，該晶片組翻轉並以複數導電件設置於該承接基板上。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中更可包含一第一凸塊、一第二凸塊與一導電層設於該承接基板上。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該絕緣層之上方為非水平面。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更串聯電氣連接形成一橋式整流電路。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更並聯電氣連接形成一橋式整流電路。
  26. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更串並聯電氣連接形成一橋式整流電路。
  27. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更串聯電氣連接形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  28. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更並聯電氣連接形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  29. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中複數該第一發光單元與複數該第二發光單元更串並聯電氣連接形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  30. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該導電層為一透明導電層。
  31. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該導電層為一金屬導電層。
  32. 如申請專利範圍第21項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該複數導電件包含一第一接點、一第二接點與一導電連接點，該第一接點對應該第一發光單元之第二電極之位置，該第二接點對應第二發光單元之第三電極之位置，該導電連接點對應該第一發光單元之第一電極與第二發光單元之第四電極之位置。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該第一發光單元之第二電極係以一第一凸塊以與該第一接點相連接。
  34. 如申請專利範圍第32項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該第二發光單元之第三電極係以一第二凸塊以與該第二接點相連接。
  35. 如申請專利範圍第32項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該第一發光單元之第一電極與該第二發光單元之第四電極係透過一導電層與該導電連接點相連接，且該導電層係與該絕緣層相接，且位於該絕緣層之下方。
  36. 一種具有絕緣層之固晶發光裝置的製造方法，其包含步驟：提供一承接基板，具有複數導電件；形成一晶片組，其步驟包含：提供一透明基板；形成一第一發光單元與一第二發光單元於該透明基板上，該第一發光單元係包含：一第一半導體層，其設置於該透明基板上；一第一發光層，其設置於該第一半導體層之上；一第二半導體層，其設置於 該第一發光層之上；一第一電極，其設置於該第一半導體層之上；以及一第二電極，其設置於該第二半導體層之上；該第二發光單元由下而上係包含有：一第三半導體層，其設置於該透明基板上；一第二發光層，其設置於該第三半導體層之上；一第四半導體層，其設置於該第二發光層之上；一第三電極，其設置於該第三半導體層之上；以及一第四電極，其設置於該第四半導體層之上；形成一絕緣層於該第一發光單元與該第二發光單元之間且在該絕緣層和該第二發光單元之間之一接觸面係為一階梯狀結構，該階梯狀結構係由該第二發光單元當中之該第三半導體層、該第二發光層以及該第四半導體層所組成，該絕緣層覆蓋該第一電極和該第一半導體層所組成之一側、該透明基板之部分表面、該第三半導體層之一側及其部分上側表面、以及該第二發光層和該第四半導體層所組成之一側；以及翻轉該晶片組並以該複數導電件設置於該承接基板上，以電性耦接該第一發光單元與該第二發光單元。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之製造方法，其中於翻轉該晶片組並以複數導電件設置於該承接基板上之步驟中，包含形成一第一接點、一第二接點與一導電連接點於該承接基板上。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於翻轉該晶片組並以複數導電件設置於該承接基板上之步驟中，更包含形成一第一凸塊於該第一接點上之步驟。
  39. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於翻轉該晶片組並以複數導電件設置於該承接基板上之步驟中，更包含形成一第二凸塊於該第二接點上之步驟。
  40. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於翻轉該晶片組並以複數導電件設置於該承接基板上之步驟中，更包含形成一導電層於該導電連接點上之步驟。
  41. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一發光單元與該第二發光單元之間之步驟中，更可依串聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式整流電路。
  42. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一發光單元與該第二發光單元之間之步驟中，更可依並聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式整流電路。
  43. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一發光單元與該第二發光單元之間之步驟中，更可依串並聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式整流電路。
  44. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一發光單元與該第二發光單元之間之步驟中，更可依串聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  45. 如申請專利範圍第37項所述之製造方法，其中於形成一導電層於該第一發光單元與該第二發光單元之間之步驟中，更可依並聯電氣連接複數該第一發光單元與複數該第二發光單元，以形成一橋式交流發光裝置或全波交流發光裝置。
  46. 如申請專利範圍第36項所述之具有絕緣層之固晶發光裝置，其中該絕緣層之下方為非水平面。
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