TW201336024A - 電子元件連接基座以及使用此電子元件連接基座製成之電子元件模組與電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之電子元件連接基座包含本體以及第一導電層。本體包含承載面、底面以及第一斜面，其中承載面及底面設置於本體之相反兩側，第一斜面設置於承載面及底面間之本體之一側，第一斜面與底面實質夾第一角度。第一導電層設置於承載面上且往第一斜面延伸，其中第一導電層覆蓋部分之承載面以及部分之第一斜面。

Description

電子元件連接基座以及使用此電子元件連接基座製成之電子元件模組與電子裝置
本發明係關於一種電子元件連接基座以及使用此電子元件連接基座製成之電子元件模組與電子裝置。更具體而言，本發明係關於一種發光二極體連接基座以及使用此發光二極體連接基座製成之發光二極體模組與發光二極體裝置。
發光二極體(Light-Emitting Diode,LED)在各種電子產品與工業上的應用日益普及，由於所需之能源成本係遠低於傳統之白熱燈或螢光燈，且單一的發光二極體之尺寸非常的輕巧，乃傳統光源所不及，因此在電子產品體積日益輕薄短小的趨勢之下，發光二極體的需求也與日俱增。
發光二極體在使用時需將二電極與電路耦接。具體而言，如圖1A所示，習知的發光二極體裝置60係將發光二極體元件50設置於基座10上，發光二極體元件50之電極51、52分別耦接於基座10之電極31、32，然後再經由導線91分別耦接到電路板70上的電極71、72。此設計的缺點在於高功率使用及高溫製程下，導線91容易斷裂。此外，如圖1B所示之另一發光二極體裝置60，其係於基座10設置連通上下兩面之通孔11，並於通孔11內灌注導電材料，以使基座10之電極31、32分別耦接到電路板70上的電極71、72。此設計的缺點在於設置通孔11的製程複雜且成本較高。以上習知發光二極體裝置均有改善的空間。
本發明之主要目的為提供一種電子元件連接基座，具有較低的封裝成本。
本發明之另一目的為提供一種電子元件模組，具有較低的封裝成本。
本發明之另一目的為提供一種電子裝置，具有較低的封裝成本。
本發明之電子元件連接基座包含本體以及第一導電層。本體包含承載面、底面以及第一斜面，其中承載面及底面設置於本體之相反兩側，第一斜面設置於承載面及底面間之本體之一側，第一斜面與底面實質夾第一角度。第一導電層設置於承載面上且往第一斜面延伸，其中第一導電層覆蓋部分之承載面以及部分之第一斜面。
電子元件連接基座進一步包含第一側面設置於第一斜面及底面間。第一側面之高度＜1mm。電子元件連接基座更進一步具有第二斜面以及第二導電層。第二斜面設置於承載面及底面間之本體之另一側，其中第二斜面與底面實質夾第二角度。第二導電層設置於承載面上且往第二斜面延伸，其中第二導電層覆蓋部分之承載面以及部分之第二斜面，第二導電層與第一導電層之間物理性地相隔離。
第一斜面及第二斜面係位於承載面及底面間之本體之相對兩側。電子元件連接基座進一步包含第二側面設置於第二斜面及底面間。第二側面之高度＜1mm。
電子元件連接基座進一步包含第二導電層，設置於承載面上且往第一斜面延伸，其中第一導電層覆蓋部分之承載面以及部分之第一斜面，第二導電層與第一導電層之間物理性地相隔離。
本發明之電子元件模組包含前述之電子元件連接基座以及電子元件。電子元件具有分別與覆蓋承載面之第一導電層及第二導電層耦接之第一電極及第二電極。電子元件為發光二極體。第一電極與第二電極設置於電子元件之同一側，電子元件係以覆晶方式使第一電極與第二電極分別耦接於第一導電層及第二導電層。第一電極與第二電極設置於電子元件之相反側，第一電極覆蓋耦接於第一導電層，第二電極以導線耦接於第二導電層。
本發明之電子裝置包含前述之電子元件模組以及基板。基板具有分別與第一導電層及第二導電層耦接之第一基板電極以及第二基板電極。第一導電層及第二導電層分別以導電膠與第一基板電極以及第二基板電極耦接。第一基板電極以及第二基板電極分別具有第一簧片及第二簧片，第一導電層及第二導電層分別以第一簧片及第二簧片與第一基板電極以及第二基板電極耦接。電子元件模組係嵌入基板而使電子元件基座之底面沒入基板中。電子元件模組係嵌入基板而使第一側面至少部分沒入該基板中。電子元件模組係嵌入基板而使第二側面至少部分沒入基板中。
電子元件連接基座更進一步包含至少一連接電極設置於承載面上，電子元件模組包含電子元件連接基座以及複數個電子元件。每一電子元件具有第一電極及第二電極，複數個電子元件其中之一之第一電極與覆蓋承載面之第一導電層耦接，複數個電子元件之另一之第二電極與覆蓋承載面之第二導電層耦接，且複數個電子元件藉由至少一連接電極以串聯方式相互耦接。電子裝置包含前述電子元件模組以及基板，基板具有分別與第一導電層及第二導電層耦接之第一基板電極以及第二基板電極。
本發明提供一種電子元件連接基座以及使用此電子元件連接基座製成之電子元件模組與電子裝置。其中，電子元件較佳係發光二極體，電子元件連接基座較佳係發光二極體之基座(Sub-mount)。
如圖2A所示之較佳實施例，本發明之電子元件連接基座200包含本體100以及第一導電層310。本體100包含承載面110、底面130以及第一斜面151，其中承載面110及底面130設置於本體100之相反兩側，第一斜面151設置於承載面110及底面130間之本體100之一側，第一斜面151與底面130實質夾第一角度θ1。第一導電層310設置於承載面110上且往第一斜面151延伸，其中第一導電層310至少覆蓋部分之承載面110以及部分之第一斜面151。具體而言，承載面110及底面130分別為本體100之上、下兩面，第一斜面151為本體100之側面，其與底面130之平行線131夾第一角度θ1。其中，第一角度θ1較佳係＜90°，更佳係介於30°至85°。由於第一導電層310至少覆蓋部分之承載面110以及部分之第一斜面151，因此當本發明之電子元件連接基座200上設置有電子元件時，電子元件連接基座200上方之電子元件之電極可較便利地藉由第一導電層310與電子元件連接基座200之第一斜面151之一側的導電物耦接。關於上述優點，在後述圖2C的實施例中有進一步說明。
在圖2A所示之較佳實施例中，電子元件連接基座200進一步包含第一側面171設置於第一斜面151及底面130間。第一側面171之高度較佳係＜1mm。以不同角度觀之，第一斜面171之底緣與底面130具有＜1mm的高度段差，第一側面171連接第一斜面171之底緣與底面130。其中，第一側面171較佳係垂直於底面130，然而在不同實施例中，第一側面171可與底面130夾一角度。因為第一斜面171之底緣與底面130具有高度段差，故當電子元件連接基座200之底面130嵌入於一基板之深度小於高度段差時，仍可保持第一斜面171之底緣高於基板之表面。關於上述優點，在後述圖5到圖7的實施例中有進一步說明。
如圖2B所示之較佳實施例，本發明之電子元件模組400包含前述之電子元件連接基座200以及電子元件500。在此較佳實施例中，電子元件連接基座200更進一步具有第二斜面152以及第二導電層320。第二斜面152設置於承載面110及底面130間之本體100之另一側，其中第二斜面152與底面130實質夾第二角度θ2。第二導電層320設置於承載面110上且往第二斜面152延伸，其中第二導電層320覆蓋部分之承載面110以及部分之第二斜面152，第二導電層320與第一導電層310之間物理性地相隔離，例如兩者間夾一間隔或以阻絕物相隔離。第一斜面151及第二斜面152較佳係位於承載面110及底面130間之本體100之相對兩側。
具體而言，在圖2B所示之較佳實施例中，第二斜面152為本體100相對於第一斜面151之另一側之側面，第二斜面152與底面130之平行線132夾第二角度θ2。其中，第二角度θ2較佳係＜90°，更佳係介於30°至85°。θ2較佳與θ1相等，然而在不同實施例中，θ2可與θ1相異以便利製造、使用或減少基座200之體積。電子元件連接基座200進一步包含第二側面172設置於第二斜面152及底面130間。第二側面172之高度較佳係＜1mm。以不同角度觀之，第二斜面172之底緣與底面130具有＜1mm的高度段差，第二側面172連接第二斜面172之底緣與底面130。其中，第二側面172較佳係垂直於底面130，然而在不同實施例中，第二側面172可與底面130夾一角度。
如圖2B所示之較佳實施例，電子元件500具有分別與覆蓋承載面110之第一導電層310及第二導電層320耦接之第一電極510及第二電極520。由於第一導電層310至少覆蓋部分之承載面110以及部分之第一斜面151，第二導電層320覆蓋部分之承載面110以及部分之第二斜面152，第二導電層320與第一導電層310之間物理性地相隔離；因此電子元件連接基座200上方之電子元件500之兩個電極可較便利地分別藉由第一導電層310及第二導電層320與電子元件連接基座200之第一斜面151及第二斜面152此二側的導電物耦接。關於上述優點，在後述圖2C的實施例中有進一步說明。
在如圖2B所示之較佳實施例中，電子元件500為發光二極體。更具體而言，在此較佳實施例中，電子元件500為覆晶型發光二極體，第一電極510與第二電極520設置於電子元件500之同一側，電子元件500係以覆晶方式使第一電極510與第二電極520分別耦接於第一導電層310及第二導電層320。然而電子元件500不限為覆晶型發光二極體，例如在圖3所示之不同實施例中，第一電極510與第二電極520設置於電子元件500之相反側，第一電極510覆蓋耦接於第一導電層310，第二電極520以導線901耦接於第二導電層320。
如圖2C所示之較佳實施例，本發明之電子裝置600包含前述之電子元件模組400以及基板700。基板700具有分別與第一導電層310及第二導電層320耦接之第一基板電極710以及第二基板電極720。在此較佳實施例中，第一導電層310及第二導電層320分別以導電膠911、912與第一基板電極710以及第二基板電極720耦接。具體而言，製造電子裝置600時，係先將電子元件模組400置放於基板700上欲進行電路耦接之位置，然後再將導電膠911、912分別塗佈於本體100之第一斜面151及第二斜面152此兩側，使導電膠911同時接觸第一導電層310與第一基板電極710以及使導電膠912同時接觸第二導電層320與第二基板電極720。藉此，可使第一導電層310及第二導電層320分別與第一基板電極710以及第二基板電極720耦接。
一般而言，導電膠911、912在塗佈時為可流動之液態或半固態物質，經一定時間或在特定條件(例如光照、加熱等)下定型。由於第一斜面151及第二斜面152分別與底面130實質夾第一角度θ1及第二角度θ2，亦即相對於基板700為傾斜而非垂直，如此將有利於導電膠911、912塗佈並覆蓋於至少部份的第一斜面151及第二斜面152上的第一導電層310與第二導電層320，以及第一基板電極710與第二基板電極720，進而提升使用導電膠將第一導電層310及第二導電層320分別與第一基板電極710以及第二基板電極720耦接的成功率與品質穩定性。換言之，透過第一斜面151及第二斜面152的設置，第一導電層310與第一基板電極710之耦接以及第二導電層320與第二基板電極720之耦接可分別以導電膠911、912達成。藉此，無須如習知技術以導線連接，亦無須於基座本體設置通孔，即可以較低成本的方式做到無線封裝。又若即使在如圖3所示之實施例中，因第一電極510與第二電極520設置於電子元件500之相反側而需使用到導線901時，因為導線901是由第二電極520耦接到第二導電層320，並非如習知技術耦接到基板電極，所以導線901之長度能有效縮短，可減少斷裂的機會。
在不同實施例中，第一導電層310與第一基板電極710之耦接以及第二導電層320與第二基板電極720之耦接不限以導電膠達成。如圖4所示之不同實施例，第一基板電極710以及第二基板電極720分別具有第一簧片921及第二簧片922，第一導電層310及第二導電層320分別以第一簧片921及第二簧片922與第一基板電極710以及第二基板電極720耦接。具體而言，第一簧片921及第二簧片922較佳為預先設置在基板700上且分別與第一基板電極710以及第二基板電極720耦接之金屬彈簧片。製造電子裝置600時，僅需將電子元件模組400插入基板700上第一簧片921及第二簧片922間之位置，第一簧片921及第二簧片922各自之自由端即可藉由彈性分別與第一導電層310及第二導電層320抵接，進而分別使第一導電層310與第一基板電極710之耦接以及第二導電層320與第二基板電極720之耦接。其中，由於第一斜面151及第二斜面152分別與底面130實質夾第一角度θ1及第二角度θ2，使第一導電層310及第二導電層320分別相對於基板700為傾斜而非垂直，如此將有利於第一簧片921及第二簧片922各自之自由端分別與第一導電層310及第二導電層320抵接，進而提升使用第一簧片921及第二簧片922將第一導電層310及第二導電層320分別與第一基板電極710以及第二基板電極720耦接的成功率與品質穩定性。
如圖5至圖7所示之不同實施例，本發明之電子裝置600可採嵌入式設計，亦即電子元件模組400係嵌入基板700而使電子元件基座200之底面130沒入基板700中。更具體而言，電子元件模組400較佳係嵌入基板700而使第一側面171至少部分沒入基板700中，使第二側面172至少部分沒入基板700中。其中，如圖5及圖6所示，電子元件模組400嵌入基板700而使電子元件模組400較穩固地設置於基板700上。其中，因為第一斜面171及第二斜面172之底緣分別與底面130具有高度段差，故當電子元件連接基座200之底面130嵌入於一基板之深度小於高度段差時，仍可保持第一斜面171及第二斜面172之底緣高於基板700之表面，亦即保持第一導電層310、第二導電層320高於基板700之表面，便利第一導電層310、第二導電層320分別與第一基板電極710以及第二基板電極720耦接。此外，由於第一導電層310與第一基板電極710間之高度差以及第二導電層320與第二基板電極720間之高度差減低，故當第一導電層310與第一基板電極710之耦接以及第二導電層320與第二基板電極720之耦接分別以導電膠911、912達成時，可藉此減少導電膠911、912之用量，降低成本。另一方面，導電膠911、912可進一步分別充填於第一側面171、第二側面172與基板700間的空隙，使電子元件模組400更密合地嵌入基板700。
如圖7所示，第一導電層310與第一基板電極710之耦接以及第二導電層320與第二基板電極720之耦接分別以第一簧片921及第二簧片922達成。一般而言，簧片的形變量越大，不僅成本越高，且在長時間使用時較容易產生彈性疲乏而失去彈力。藉由如圖7所示之設計，電子元件模組400嵌入基板700而使第一導電層310與第一基板電極710間之高度差以及第二導電層320與第二基板電極720間之高度差減低，可減少第一簧片921及第二簧片922於第一導電層310與第一基板電極710耦接以及第二導電層320與第二基板電極720耦接時之形變量，進而降低第一簧片921及第二簧片922的成本，並提升其耐用性。
在圖2B至圖7所示之實施例中，電子元件連接基座200係如圖8所示具有第一斜面151及第二斜面152分別可供第一導電層310及第二導電層320延伸設置。然而在不同實施例中，第一導電層310及第二導電層320可延伸設置於同一斜面上。具體而言，如圖9所示之不同實施例，電子元件連接基座200包含第一導電層310以及第二導電層320，均設置於承載面110上且往第一斜面151延伸，且均覆蓋部分之承載面110以及部分之第一斜面151。其中，第二導電層320與第一導電層310之間物理性地相隔離。藉由此設計，即使電子元件連接基座200僅具有一個斜面(第一斜面151)，仍可設置2個導電層供與前述圖2B至圖7所示實施例中的電子元件500的第一電極510及第二電極520耦接。
在不同實施例中，複數個電子元件可以並聯或串聯方式設置於基座上。具體而言，如圖10所示之實施例，複數個電子元件500係以並聯方式設置於基座200上。其中，每一電子元件500之第一電極510均與第一導電層310耦接，每一電子元件500之第二電極520均與第二導電層320耦接。如圖11A及圖11B所示之實施例，電子元件連接基座200更進一步包含連接電極330a、330b設置於承載面110上，電子元件模組400包含電子元件連接基座200以及電子元件500a、500b、500c。電子元件500a、500b、500c具有第一電極510及第二電極520，其中，電子元件500a之第一電極510與覆蓋承載面110之第一導電層310耦接，電子元件500c之第二電極520與覆蓋承載面110之第二導電層320耦接，且電子元件500a、500b、500c藉由連接電極330a、330b以串聯方式相互耦接。電子裝置600包含電子元件模組400以及基板700，基板700具有分別與第一導電層310及第二導電層320耦接之第一基板電極710以及第二基板電極720。具體而言，藉由上述串聯或並聯耦接之方式，多個電子元件可共用一個電子元件連接基座以及基板，可降低成本並增加設計彈性。
雖然前述的描述及圖式已揭示本發明之較佳實施例，必須瞭解到各種增添、許多修改和取代可能使用於本發明較佳實施例，而不會脫離如所附申請專利範圍所界定的本發明原理之精神及範圍。熟悉本發明所屬技術領域之一般技藝者將可體會，本發明可使用於許多形式、結構、佈置、比例、材料、元件和組件的修改。因此，本文於此所揭示的實施例應被視為用以說明本發明，而非用以限制本發明。本發明的範圍應由後附申請專利範圍所界定，並涵蓋其合法均等物，並不限於先前的描述。
10．．．基座
11．．．通孔
31．．．電極
32．．．電極
50．．．發光二極體元件
51．．．電極
52．．．電極
60．．．發光二極體裝置
70．．．電路板
71．．．電極
72．．．電極
91．．．導線
100．．．本體
110．．．承載面
130．．．底面
131．．．平行線
132．．．平行線
151．．．第一斜面
152．．．第二斜面
171．．．第一側面
172．．．第二側面
200．．．電子元件連接基座
310．．．第一導電層
320．．．第二導電層
330a．．．連接電極
330b．．．連接電極
400．．．電子元件模組
500．．．電子元件
500a．．．電子元件
500b．．．電子元件
500c．．．電子元件
510．．．第一電極
520．．．第二電極
600．．．電子裝置
700．．．基板
710．．．第一基板電極
720．．．第二基板電極
901．．．導線
911．．．導電膠
912．．．導電膠
921．．．第一簧片
922．．．第二簧片
θ1．．．第一角度
θ2．．．第二角度
圖1A及1B為習知技術示意圖；
圖2A為本發明電子元件連接基座較佳實施例示意圖；
圖2B為本發明電子元件模組較佳實施例示意圖；
圖2C為本發明電子裝置較佳實施例示意圖；
圖3為本發明中第一電極與第二電極設置於電子元件之相反側之實施例示意圖；
圖4為本發明中以簧片耦接導電層及基板電極之實施例示意圖；
圖5至圖7為本發明中電子元件模組嵌入基板之實施例示意圖；
圖8為本發明中電子元件連接基座之實施例俯視圖；
圖9為本發明中電子元件連接基座之另一實施例俯視圖；
圖10為本發明中複數個電子元件以並聯方式設置於基座上之實施例俯視圖；
圖11A為為本發明中複數個電子元件以串聯方式設置於基座上之實施例示意圖；以及
圖11B為為本發明中複數個電子元件以串聯方式設置於基座上之實施例俯視圖。
100．．．本體
110．．．承載面
130．．．底面
131．．．平行線
132．．．平行線
151．．．第一斜面
152．．．第二斜面
171．．．第一側面
172．．．第二側面
200．．．電子元件連接基座
310．．．第一導電層
320．．．第二導電層
400．．．電子元件模組
500．．．電子元件
510．．．第一電極
520．．．第二電極
600．．．電子裝置
700．．．基板
710．．．第一基板電極
720．．．第二基板電極
911．．．導電膠
912．．．導電膠
θ1．．．第一角度
θ2．．．第二角度

Claims (20)

  1. 一種電子元件連接基座，包含：一本體，包含一承載面、一底面以及一第一斜面，其中該承載面及該底面設置於該本體之相反兩側，該第一斜面設置於該承載面及該底面間之該本體之一側，該第一斜面與該底面實質夾一第一角度；以及一第一導電層，設置於該承載面上且往該第一斜面延伸，其中該第一導電層覆蓋部分之該承載面以及部分之該第一斜面。
  2. 如請求項1所述之電子元件連接基座，進一步包含一第一側面設置於該第一斜面及該底面間。
  3. 如請求項1所述之電子元件連接基座，其中該第一側面之高度＜1mm。
  4. 如請求項1所述之電子元件連接基座，其中更進一步包含：一第二斜面設置於該承載面及該底面間之該本體之另一側，其中該第二斜面與該底面實質夾一第二角度；以及一第二導電層，設置於該承載面上且往該第二斜面延伸，其中該第二導電層覆蓋部分之該承載面以及部分之該第二斜面，該第二導電層與該第一導電層之間物理性地相隔離。
  5. 請求項4所述之電子元件連接基座，其中該第一斜面及該第二斜面係位於該承載面及該底面間之該本體之相對兩側。
  6. 如請求項4所述之電子元件連接基座，進一步包含一第二側面設置於該第二斜面及該底面間。
  7. 如請求項6所述之電子元件連接基座，其中該第二側面之高度＜1mm。
  8. 如請求項1所述之電子元件連接基座，其中更進一步包含一第二導電層，設置於該承載面上且往該第一斜面延伸，其中該第一導電層覆蓋部分之該承載面以及部分之該第一斜面，該第二導電層與該第一導電層之間物理性地相隔離。
  9. 一種電子元件模組，包含：一如請求項4到8任一項所述之電子元件連接基座；以及一電子元件，具有分別與覆蓋該承載面之該第一導電層及該第二導電層耦接之一第一電極及一第二電極。
  10. 如請求項9所述之電子元件模組，該電子元件為發光二極體。
  11. 如請求項9所述之電子元件模組，該第一電極與該第二電極設置於該電子元件之同一側，該電子元件係以覆晶方式使該第一電極與該第二電極分別耦接於該第一導電層及該第二導電層。
  12. 如請求項9所述之電子元件模組，該第一電極與該第二電極設置於該電子元件之相反側，該第一電極覆蓋耦接於該第一導電層，該第二電極以一導線耦接於該第二導電層。
  13. 一種電子裝置，包含：一如請求項9所述之電子元件模組；以及一基板，具有分別與該第一導電層及該第二導電層耦接之一第一基板電極以及一第二基板電極。
  14. 如請求項13所述之電子裝置，其中該第一導電層及該第二導電層分別以導電膠與該第一基板電極以及該第二基板電極耦接。
  15. 如請求項13所述之電子裝置，其中該第一基板電極以及該第二基板電極分別具有一第一簧片及一第二簧片，該第一導電層及該第二導電層分別以該第一簧片及一第二簧片與該第一基板電極以及該第二基板電極耦接。
  16. 如請求項13所述之電子裝置，其中該電子元件模組係嵌入該基板而使該電子元件基座之該底面沒入該基板中。
  17. 如請求項13所述之電子裝置，其中該電子元件模組係嵌入該基板而使該第一側面至少部分沒入該基板中。
  18. 如請求項4所述之電子元件連接基座，其中更進一步包含至少一連接電極設置於該承載面上。
  19. 一種電子元件模組，包含：一如請求項18所述之電子元件連接基座；以及複數個電子元件，每一電子元件具有一第一電極及一第二電極，其中該複數個電子元件其中之一之該第一電極與覆蓋該承載面之該第一導電層耦接，該複數個電子元件之另一之該第二電極與覆蓋該承載面之該第二導電層耦接，且該複數個電子元件藉由該至少一連接電極以串聯方式相互耦接。
  20. 一種電子裝置，包含：一如請求項19所述之電子元件模組；以及一基板，具有分別與該第一導電層及該第二導電層耦接之一第一基板電極以及一第二基板電極。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9859459B2 (en) 2014-07-14 2018-01-02 Genesis Photonics Inc. Method for manufacturing light emitting unit
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10050183B2 (en) 2014-05-07 2018-08-14 Genesis Photonics Inc. Light emitting device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105355752B (zh) * 2015-10-27 2018-03-02 天津三安光电有限公司 一种发光二极管芯片结构、封装结构及其制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
US7592636B2 (en) * 2002-09-30 2009-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor component and method for the production thereof
TW595015B (en) * 2003-01-17 2004-06-21 Solidlite Corp Bare-die type LED
TWI236103B (en) * 2003-10-28 2005-07-11 South Epitaxy Corp Flip-chip LED package structure
CN101515621B (zh) * 2009-02-19 2011-03-30 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管芯片、制法及封装方法
CN102034922A (zh) * 2010-11-18 2011-04-27 宜兴市鼎圆光电科技有限公司 大功率led发光组件及制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10050183B2 (en) 2014-05-07 2018-08-14 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9859459B2 (en) 2014-07-14 2018-01-02 Genesis Photonics Inc. Method for manufacturing light emitting unit
TWI641285B (zh) * 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
US10164145B2 (en) 2014-07-14 2018-12-25 Genesis Photonics Inc. Method for manufacturing light emitting unit

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