JP2013543277A - 発光デバイスのための点在キャリア - Google Patents

発光デバイスのための点在キャリア Download PDF

Info

Publication number
JP2013543277A
JP2013543277A JP2013539375A JP2013539375A JP2013543277A JP 2013543277 A JP2013543277 A JP 2013543277A JP 2013539375 A JP2013539375 A JP 2013539375A JP 2013539375 A JP2013539375 A JP 2013539375A JP 2013543277 A JP2013543277 A JP 2013543277A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led die
light emitting
lead frame
emitting device
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013539375A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013543277A5 (ja
JP6297838B2 (ja
Inventor
キンウェイ モー
ダーク パウル ヨセフ ファンデルヘーゲン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2013543277A publication Critical patent/JP2013543277A/ja
Publication of JP2013543277A5 publication Critical patent/JP2013543277A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6297838B2 publication Critical patent/JP6297838B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements

Abstract

低コストの導体キャリア素子が、発光デバイス（ＬＥＤ）ダイに対して構造的支持を供給し、電気的及び熱的な結合をＬＥＤダイに供給する。少なくとも１つのキャリア素子を含むリードフレームが供給され、当該キャリア素子は、ＬＥＤダイが取り付けられる区別可能な導体領域を形成するために分割される。キャリア素子がフレームによって分離された場合、導体領域は、互いに、電気的に絶縁される。誘電体が、キャリア素子の導体領域間に配置されてもよい。

Description

本発明は、集積回路（ＩＣ）の製造及び組み立ての分野に関し、特に、発光デバイス（ＬＥＤ）の製造に関する。
半導体発光デバイス（ＬＥＤ）の発光能力が改善され続けており、また、従来的な照明アプリケーションにおける使用が増加し続けているため、信頼性のある、長寿命の製品を費用効率の良い方法で供給する競争圧力も同様に増加し続けている。ＬＥＤ製品のコストは比較的低いが、ますます成長している当該デバイスの市場のために、デバイス当たりわずか数セントの節約が、利鞘に重大な影響を与え得る。
発光デバイスを供給する個々のダイのサイズを小さくすることにおいて進歩が続いており、これにより、材料コストは小さくなっているが、ダイがより大きな基板上にマウントされるということに対処する必要がある。例えば、半導体製造業者は、１ｍｍ×１ｍｍほどの大きさの個々のダイをピックアンドプレースでき、各ダイ上のコンタクトへの接続を供給できる設備を有するが、従来プリント回路基板の製造に用いられてきた当該設備は、かかるダイの配置又は接続に適していない。同様に、発光デバイスは、しばしば、プラグイン再配置可能な部品であり、人間の手によって把持されるほど十分に大きい必要がある。
図１Ａ及び図１Ｂは、ＬＥＤダイ１１０をマウントするための基板１５０の例を示している。基板１５０は、通常、硝酸アルミニウム（ＡｌＮ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのセラミックであり、ダイ１１０と基板１５０との組み合わせは、一般的に、デバイスオンセラミック（ＤｏＣ：Device on Ceramic）と称される。
図１のＬＥＤダイ１１０の例は、４つの発光素子１１６の使用を示している。コンタクト１１２は、発光素子が外部電源に結合できるようにしている。この例では、圧力クリップ１２２が、ダイ１１０を基板１５０に保持し、さらに、コンタクト１１２への電気的結合を供給している。圧力クリップの使用は、ダイ１１０を再配置しやすくする。
パッド１２０は、ＬＥＤデバイスがマウントされた基板を外部電源に取り付けるために供給され、例えば、デバイスをプリント回路基板又は同様の構造体に接着するための接着パッドとして用いられ得る。接着パッド１２０は、一般的なプリント回路基板製造の設備及び技術を手助けするためのコンタクト１１２と同じ機能を供給するが、前述のように、コンタクト１１２よりもかなり大きい。
基板１５０は、発光素子１１６によって生成された熱を放散するためのヒートシンクとしても機能する。
図１Ｃは、ＬＥＤダイ１１０が基板１５０上のパッド１２０に、はんだ素子１２２を介して、はんだ付けされた代替的な配置を示している。この実施例では、１又は複数のビア１１５、又は、ダイ１１０内の他の内部経路が、発光素子１１６への結合を供給する。図１Ｃの例では、上側のコンタクト１１２も設けられ、これにより、ＬＥＤダイは、図１Ｂ又は図１Ｃのいずれの構成においても使用されることができる。
図１Ｃの例は、ＬＥＤダイにはんだ付けされたヒートシンクパッド１３０の使用についても示している。この配置は、一般的に、ＬＥＤダイ１１０と基板１５０との間に改善された熱結合を与えるが、一般的に、ダイ１１０の下側の表面上に、然るべきはんだ付け可能な熱輸送コンタクト１１８を必要とする。
パッド１２０，１３０などの、セラミック上への導体配線の配置は成熟技術であるが、かかるパッド１２０，１３０を有するセラミック基板の製造はコストがかかるとともに、これらのパッドを供給するために一般的に用いられる金属の熱膨張係数とセラミック基板の熱膨張係数との間の不整合のために、基板からパッド１２０，１３０が分離する恐れがある。
低コストの発光製品を供給することが好適であろう。また、より高い信頼性及び／又はより長い動作寿命を潜在的に有する発光製品を供給することが好適であろう。さらに、かかる発光製品のコスト効果的な製造方法を供給することが好適であろう。
これらの利点、及び、他の利点は、ＬＥＤダイに対して構造的支持を供給するとともに、電気的及び熱的な結合をＬＥＤダイに供給する低コストの導体キャリア素子を使用するプロセスによって実現可能である。少なくとも１つのキャリア素子を含むリードフレームが供給され、当該キャリア素子は、ＬＥＤダイが取り付けられる区別可能な導体領域を形成するために分割される。キャリア素子がフレームによって分離された場合、導体領域は、互いに、電気的に絶縁される。誘電体が、キャリア素子の導体領域間に配置されてもよい。
本発明は、添付の図面を参照して、より詳細に、且つ、一例として、説明される。
図１Ａは、従来のダイオンセラミック（ＤｏＣ）配置を示している。 図１Ｂは、従来のダイオンセラミック（ＤｏＣ）配置を示している。 図１Ｃは、従来のダイオンセラミック（ＤｏＣ）配置を示している。 図２Ａは、導体キャリア素子上のダイの配置例を示している。 図２Ｂは、導体キャリア素子上のダイの配置例を示している。 図３は、３つの区別可能な導体領域を有するキャリア構造を含むリードフレームの例を示している。 図４は、キャリアベースの発光デバイスを供給するためのフロー図の例を示している。 図５は、複数のキャリア構造を含むリードフレームの例を示している。 図６は、複数のキャリア構造を含むリードフレームの他の例を示している。 図７Ａは、キャリア構造の例を示している。 図７Ｂは、キャリア構造の例を示している。 図７Ｃは、キャリア構造の例を示している。 図面を通じて、同一の参照符号は、同様又は対応する特徴又は機能を示す。図面は、図示目的のために含まれ、本発明の範囲を限定するように意図されていない。
以下の説明において、限定というよりもむしろ例示の目的のため、特定の詳細が、本発明の概念の深い理解を与えるために、特定の構造、インタフェース、技術などとして示される。しかしながら、当該技術分野における当業者にとって、本発明が、これらの特定の詳細から逸脱した他の実施形態において実施可能であることが理解されるであろう。同様に、当該説明の文章は、図面に示されたような実施例を示すものであって、請求項に明示的に含まれる限定を越えて本発明を限定するようには意図されていない。簡単化及び明確化の目的のため、よく知られたデバイス、回路、及び、方法の詳細な説明は、不要な詳細によって本発明の説明を曖昧にしないように、省略されている。
また、以下の説明では、当該技術分野における当業者は、本発明の原理が以下の言及に限定されないことを理解するであろうが、ここで提示される原理のよりよい及び／又は容易な理解の促進のため、一般的な要素及び工程が言及されている。以下、例を示す。
図２Ａ及び図２Ｂは、導体キャリア上のダイの配置例を示している。この例では、ＬＥＤダイ１１０が、ダイ１１０に構造的支持と電気的及び熱的な結合との両方を与える導体キャリア構造２１０，２２０上にマウントされている。この例におけるキャリア構造は、２つの導電体２１０と熱輸送導体２２０とを含んでいる。
この実施例では、従来的な表面実装デバイス（ＳＭＤ：Surface Mount Device）はんだリフロー技術を用いて、ＬＥＤダイ１１０が、導体２１０及び導体２２０にはんだ付けされていてもよい。導体２１０が導電性であるため、外部電源からＬＥＤダイ１１０への電気的結合が、任意のアクセス可能な導体２１０の側部又は端部を用いて達成され得る。同様に、熱結合が、任意のアクセス可能な導体２２０の側部又は端部を用いて達成され得る。
図３は、図２Ａ及び図２Ｂにおける導体２１０，２２０に対応する、３つの区別可能な導体領域を有するキャリア構造を含むリードフレーム３５０を例示している。即ち、リードフレーム３５０は、ＬＥＤダイ１１０に結合するための導体２１０，２２０の意図された形状及び配置を規定するパターン状のスリット又は開口３５５を含んでいる。開口３５５間のタブ３５７は、導体２１０，２２０をフレーム構造全体に取り付けられたままにする。例えば、リードフレーム３５０は、図２の発光デバイス２００のための主な構造的支持を与えるのに十分厚い（サイズに依存して、０．７５ｍｍよりも厚く、好ましくは１．５ｍｍよりも厚い）銅のシートであってもよいが、他の導体材料が使用されてもよい。
明確化のため、「領域」なる用語は、ここでは、最終的には図２のデバイス２００などのキャリアベースの発光デバイスのための意図された導体になるフレーム上の領域を称するために用いられている。これらの領域及び最終的な導体は、同じ素子であるので、フレーム上の領域又はデバイス上の導体のいずれかを参照する場合、同じ参照符号２１０，２２０が用いられる。同様に、これらの導体２１０，２２９の組み合わせがキャリア構造全体を形成するので、当該組み合わせは、キャリア構造２１０，２２０として参照されるであろう。
このリードフレーム３５０の使用は、図４のフロー図を参照して最もよく理解される。この例では、当該技術分野における当業者は、フローがこの特定の例に限定されないことを理解するであろうが、図４は、リードフレーム４５０及びＬＥＤダイ１１０の例の参照符号を用いて説明されている。
４１０において、キャリア構造２１０，２２０を有するリードフレーム３５０が供給される。４２０において、ＬＥＤダイ１１０が、キャリア構造２１０，２２０上に配置される。複数のＬＥＤダイが単一のキャリア構造上にマウントされてもよいが、一般的に、１つのＬＥＤダイ１１０が、各キャリア構造２１０，２２０上に配置される。
４３０において、ＬＥＤダイ１１０が、一般的にはＳＭＤはんだリフロー技術を用いて、キャリア構造２１０，２２０の然るべき導体領域２１０，２２０に取り付けられるが、ＬＥＤダイ１１０をこれらの領域２１０，２２０に結合する他の手段が用いられてもよい。例えば、ＬＥＤダイが、ビア１１５、又は、ＬＥＤダイの底面を介して結合する他の手段を含まない場合、ダイ上のコンタクト１１２は、従来的なワイヤボンディング技術を用いて、領域２１０にワイヤボンディングされてもよい。
ある実施形態では、ＬＥＤダイ１１０自体は、機械的コンタクトに依存して、領域２２０に取り付けられなくてもよく、ＬＥＤダイ１１０と領域２２０との間の効率的な熱結合を保証するため、熱輸送ペースト又は化合物が拡張されてもよい。同様に、ある実施形態では、リードフレーム３５０は、ＬＥＤダイ１１０と領域２１０との間の信頼性のある電気的結合を保証するため、少なくともＬＥＤダイ１１０へのコンタクト箇所において、金メッキされていてもよい。
４４０において、（ＬＥＤダイ１１０が取り付けられた）キャリア構造２１０，２２０は、一般的には、キャリア構造２１０，２２０をフレーム３５０の残りに接続するタブ３５７を切断することによって、フレーム３５０から分離され、これにより、図２Ａ及び図２Ｂの発光デバイス２００が作り出される。
フレーム３５０の例が、１つのキャリア構造２１０，２２０を形成するように示されているが、当該技術分野における当業者は、図５及び図６のフレーム５５０，６５０の例に示されるように、複数のキャリア構造が単一のフレーム上に設けられてもよいことを理解するであろう。
フレーム５５０の例は、図３のフレーム３５０の例の複製を含んでいる。この例では、１６個のキャリア構造２１０，２２０が、フレーム５５０中に設けられ、各キャリア構造２１０，２２０は、取り付けられたＬＥＤダイ１１０を有している。
フレーム６５０の例は、ＬＥＤダイ１１０が取り付けられたキャリア構造２１０，２２０がフレームから除去された場合に、無駄になる材料を最小化するように設計されている。この例では、フレーム６５０において必要とされる開口３５５の数を減少するため、キャリア構造２１０，２２０が交互に位置しており、領域２１０，２２０をフレーム６５０に取り付けられたままにするタブ３５７が、キャリア構造２１０，２２０がフレーム６５０から分離された場合に作り出される切れ目６６０に沿って配置されている。この例では、１６個の発光デバイス（図２中の２００）が作り出されるが、フレーム６５０のサイズは、図５のフレーム５５０のサイズよりも著しく小さくなる。
図７Ａ〜図７Ｃは、キャリア構造の例を示している。これらの例では、キャリア構造２１０，２２０のサイズは、ダイ１１０に関して、図１中の基板１５０と略同じサイズである。これらのより大きな構造２１０，２２０によって引き起こされるダイ１１０上の潜在的な応力を減少させるため、導体２１０，２２０間の空間が、誘電材料で満たされる。当該態様では、構造２１０，２２０は、実質的に、自己支持でき、ダイ１１０上に最小の応力をもたらす。
誘電体は、ＬＥＤダイ１１０がキャリア構造２１０，２２０に取り付けられる前又は後で、キャリア構造２１０，２２０がフレームから分離される前又は後で、あるいは、これら両方の組み合わせで、追加されてもよい。例えば、図７Ｂにおいて、導体２１０は、誘電体７１５によって絶縁されており、従って、誘電体７１５の少なくとも一部は、（導体２１０をフレームに保持していたタブの位置において）導体２１０がフレームから分離された後で追加されなければならない。しかしながら、導体２１０，２２０の間の空間は、ＬＥＤダイ１１０がこれらの導体に取り付けられた後で満たされてもよい。
図７Ｃは、導体２１０が追加的な機能を提供してもよいという事実を示している。この例では、導体２１０は、プリント回路基板におけるホール、又は、デバイス７００を再配置可能にするプラグなどの、デバイス７００を然るべきレセプタクル内に挿入しやすくするピン形状の部分７１０を含んでいる。
これらの請求項を解釈する際、以下のことが理解されるべきである。即ち、
（ａ）「有する」なる用語は、他の要素の存在を除外せず、又は、所与の請求項中に挙げられた以上のものを示す。
（ｂ）要素の前の「ａ」又は「ａｎ」なる用語は、かかる要素が複数あることを除外しない。
（ｃ）請求項中の任意の参照符号は、本発明の範囲を限定しない。
（ｄ）幾つかの「手段」は、同じ部品、ハードウェア、ソフトウェア実装構造体、又は、機能によって、実現されてもよい、
（ｅ）開示された要素のそれぞれは、ハードウェア部品（例えば、ディスクリート及び集積電子回路）、ソフトウェア部品（例えば、コンピュータプログラム）、及び、これらの組み合わせに分類されてもよい。
（ｆ）ハードウェア部品は、プロセッサを含んでいてもよく、ソフトウェア部品は、非トランジェント（non-transient）なコンピュータ読み取り可能な媒体に格納されてもよく、さらに、開示された要素の１又は複数の幾つか又は全部の機能をプロセッサに実行させるように構成されていてもよい。
（ｇ）ハードウェア部品は、アナログ及びディジタルの部分のいずれか又は両方に分類されてもよい。
（ｈ）任意の、開示されたデバイス又は当該デバイスの部品は、一緒に組み合わせられてもよいし、又は、特に明示しない場合、更なる部品に分割されてもよい。
（ｉ）特に明示しない場合、特定の動作順序が必要とされる意図はない。
（ｊ）「複数の」要素なる用語は、２つ又は２つ以上の請求項の要素を含み、要素の数の任意の特定の範囲を示すものではない、即ち、複数の要素は、わずか２つの要素であってもよいし、とてつもなく大きな数の要素を含んでいてもよい。

Claims (20)

  1. 伝導性、且つ、複数の区別可能な導体領域を形成するために分割された少なくとも１つのキャリア素子を含むリードフレームを供給するステップと、
    前記キャリア素子上に少なくとも１つのＬＥＤダイを配置するステップと、
    前記ＬＥＤダイ上のコンタクトを前記導体領域に結合するステップと、
    互いに電気的に絶縁された前記導体領域のそれぞれを有するＬＥＤデバイスを供給するために、前記リードフレームから前記キャリア素子を分離するステップとを有する、方法。
  2. 前記区別可能な導体領域間に誘電材料を配置するステップを有する、請求項１記載の方法。
  3. 前記区別可能な導体領域は、前記ＬＥＤダイからの熱を放散する熱伝導領域と、前記ＬＥＤダイを外部エネルギー源に結合する１又は複数の電極とを含む、請求項１記載の方法。
  4. 前記複数の区別可能な導体領域に対応するパターンに従って、前記リードフレームから材料を除去することによって、前記リードフレームを形成するステップを有する、請求項１記載の方法。
  5. 前記複数の区別可能な導体領域は、アノード領域、カソード領域、及び、熱輸送領域を含み、前記アノード領域及び前記カソード領域は、それぞれ、前記ＬＥＤダイと関連付けられたアノード電極及びカソード電極の結合を促進するために設けられる、請求項１記載の方法。
  6. 前記結合するステップは、リフローはんだ付けステップを含む、請求項１記載の方法。
  7. 前記リードフレームは、銅シートを有する、請求項１記載の方法。
  8. 複数のキャリア素子と、
    前記複数のキャリア素子に接着されたＬＥＤダイとを有する発光デバイスであって、
    前記キャリア素子は、
    前記発光デバイスのための主な構造的支持と、前記ＬＥＤダイへの電気的及び熱的な結合を供給する、発光デバイス。
  9. 前記キャリア素子を互いに分離する誘電材料を有する、請求項８記載の発光デバイス。
  10. 前記キャリア素子の１又は複数は、対応するレセプタクルへの前記発光デバイスの挿入を促進するピン構造を有する、請求項８記載の発光デバイス。
  11. 前記キャリア素子のそれぞれは、銅を有する、請求項８記載の発光デバイス。
  12. 前記キャリア素子のそれぞれは、少なくとも０．７５ｍｍの厚さを有する、請求項８記載の発光デバイス。
  13. 前記ＬＥＤダイは、前記複数のキャリア素子にはんだで接着されている、請求項８記載の発光デバイス。
  14. 前記ＬＥＤダイは、前記ＬＥＤダイの上面を通じて光を放射する１又は複数の発光素子を有し、前記ＬＥＤダイは、前記上面とは反対側の前記ＬＥＤダイの底面上のコンタクトを介して、前記複数のキャリア素子に接着されている、請求項８記載の発光デバイス。
  15. 前記キャリア素子の１又は複数は、前記キャリア素子の底面及び１又は複数の端部表面を介して、前記ＬＥＤダイに電気的結合を供給する、請求項８記載の発光デバイス。
  16. 伝導性、且つ、複数の区別可能な導体領域を形成するために分割された少なくとも１つのキャリア素子と、
    前記複数の区別可能な導体領域に結合された、前記キャリア素子上の少なくとも１つのＬＥＤダイとを有する、リードフレーム。
  17. 前記区別可能な導体領域間に誘電材料を有する、請求項１６記載のリードフレーム。
  18. 前記リードフレームは、銅シートである、請求項１６記載のリードフレーム。
  19. 前記リードフレームは、少なくとも０．７５ｍｍの厚みを有する、請求項１６記載のリードフレーム。
  20. 前記キャリア素子の１又は複数は、前記キャリア素子の底面及び１又は複数の端部票目を介して、前記ＬＥＤダイに電気的結合を供給する、請求項１６記載のリードフレーム。
JP2013539375A 2010-11-19 2011-11-14 発光デバイス及びその製造方法 Active JP6297838B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41539510P 2010-11-19 2010-11-19
US61/415,395 2010-11-19
PCT/IB2011/055063 WO2012066461A1 (en) 2010-11-19 2011-11-14 Islanded carrier for light emitting device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017217314A Division JP6738785B2 (ja) 2010-11-19 2017-11-10 発光デバイス及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013543277A true JP2013543277A (ja) 2013-11-28
JP2013543277A5 JP2013543277A5 (ja) 2014-12-18
JP6297838B2 JP6297838B2 (ja) 2018-03-20

Family

ID=45496212

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013539375A Active JP6297838B2 (ja) 2010-11-19 2011-11-14 発光デバイス及びその製造方法
JP2017217314A Active JP6738785B2 (ja) 2010-11-19 2017-11-10 発光デバイス及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017217314A Active JP6738785B2 (ja) 2010-11-19 2017-11-10 発光デバイス及びその製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US9172018B2 (ja)
EP (1) EP2641279B1 (ja)
JP (2) JP6297838B2 (ja)
CN (1) CN103201863B (ja)
BR (1) BR112013012333A2 (ja)
RU (2) RU2721101C2 (ja)
TW (3) TWI620350B (ja)
WO (1) WO2012066461A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101661140B1 (ko) * 2015-06-25 2016-09-29 (주)포인트엔지니어링 금속 및 비금속 접합 기판

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2641279B1 (en) * 2010-11-19 2017-09-27 Koninklijke Philips N.V. Islanded carrier for light emitting device
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150138A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Citizen Electron Co Ltd 下面電極付き側面使用電子部品
JP2000244022A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Nichia Chem Ind Ltd チップ部品型発光素子
JP2004274027A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2005019609A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード用パッケージおよびそれを用いた発光装置
WO2006016398A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Renesas Technology Corp. 発光装置および発光装置の製造方法
JP2008258567A (ja) * 2006-11-08 2008-10-23 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
WO2009051178A1 (ja) * 2007-10-19 2009-04-23 Nippon Tungsten Co., Ltd. Ｌｅｄパッケージ基板およびそれを用いたｌｅｄパッケージ
JP2009135355A (ja) * 2007-12-03 2009-06-18 Hitachi Cable Precision Co Ltd リードフレーム及びその製造方法並びに受発光装置
US20090230421A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Cheng-Hong Su Semiconductor package structure, lead frame and conductive assembly for the same
JP2009224376A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Toshiba Discrete Technology Kk 側面型発光装置及びその製造方法
WO2010035788A1 (ja) * 2008-09-25 2010-04-01 デンカＡｇｓｐ株式会社 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2010135277A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光ダイオード及びこれを有するバックライトユニット
JP2010165979A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393177A (ja) * 1986-10-07 1988-04-23 Nec Corp 発光ダイオ−ド
JPH05129661A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JPH07117628B2 (ja) * 1992-07-23 1995-12-18 山一電機株式会社 光電気変換器
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6373078B1 (en) * 1999-09-28 2002-04-16 International Rectifier Corp. Microelectronic relay with upset and downset lead frames
RU2197680C1 (ru) * 2001-09-19 2003-01-27 Открытое акционерное общество "АВТОВАЗ" Светотехнический блок
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
JP2003309293A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sony Corp 半導体発光素子パッケージ、表示装置、発光素子の除去方法及び発光素子の検査方法
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
RU2267188C2 (ru) * 2003-06-23 2005-12-27 Федорова Галина Владимировна Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа
US6972438B2 (en) * 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
KR20050092300A (ko) * 2004-03-15 2005-09-21 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
JP2005302944A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Tabuchi Electric Co Ltd 発光装置
DE102004029941B3 (de) * 2004-06-21 2005-12-15 Infineon Technologies Ag System zur Auswertung eines Sensorsignals
RU2355068C1 (ru) * 2004-12-16 2009-05-10 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Рамка с выводами, имеющая поддерживающее теплоотвод кольцо, способ изготовления корпуса светоизлучающего диода с ее использованием и корпус светоизлучающего диода, изготовленный этим способом
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
JPWO2006095834A1 (ja) * 2005-03-09 2008-08-21 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス及び光デバイスの製造方法
JP2006261519A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2007018098A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Olympus Medical Systems Corp. 発光ユニット
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
KR101187943B1 (ko) * 2005-09-20 2012-10-05 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 광원 및 그 제조 방법
JP3117281U (ja) * 2005-09-30 2006-01-05 鼎元光電科技股▲ふん▼有限公司 効率の高いマトリックス発光ダイオード素子
JP2007109911A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Renesas Technology Corp 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2007134376A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk 発光ダイオード装置及びその製造方法
US20070228386A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Jin-Shown Shie Wire-bonding free packaging structure of light emitted diode
CA2648321A1 (en) 2006-03-31 2007-11-15 Hendrickson International Corporation Movable subframe for tractor-trailers
JP5057707B2 (ja) * 2006-06-16 2012-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2008047933A1 (en) * 2006-10-17 2008-04-24 C.I.Kasei Company, Limited Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same
JP2008103401A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 C I Kasei Co Ltd 上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法
US7999277B2 (en) * 2006-11-08 2011-08-16 C. I. Kasei Company, Limited Light emitting device and production method of same
DE102007036226A1 (de) 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
US7652301B2 (en) * 2007-08-16 2010-01-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Optical element coupled to low profile side emitting LED
KR100981214B1 (ko) * 2008-01-28 2010-09-10 알티전자 주식회사 발광다이오드 패키지
US8080827B2 (en) * 2008-07-31 2011-12-20 Bridgelux, Inc. Top contact LED thermal management
JP2010177329A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Sharp Corp 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体
JP2010238833A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Corp 光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置
DE102009015963A1 (de) 2009-04-02 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR101673913B1 (ko) * 2009-07-20 2016-11-08 삼성전자 주식회사 발광 패키지 및 그 제조 방법
CN102024882A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置及其制造方法
US8502257B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode package
EP2641279B1 (en) * 2010-11-19 2017-09-27 Koninklijke Philips N.V. Islanded carrier for light emitting device

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150138A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Citizen Electron Co Ltd 下面電極付き側面使用電子部品
JP2000244022A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Nichia Chem Ind Ltd チップ部品型発光素子
JP2004274027A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2005019609A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード用パッケージおよびそれを用いた発光装置
WO2006016398A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Renesas Technology Corp. 発光装置および発光装置の製造方法
JP2008258567A (ja) * 2006-11-08 2008-10-23 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
WO2009051178A1 (ja) * 2007-10-19 2009-04-23 Nippon Tungsten Co., Ltd. Ｌｅｄパッケージ基板およびそれを用いたｌｅｄパッケージ
JP2009135355A (ja) * 2007-12-03 2009-06-18 Hitachi Cable Precision Co Ltd リードフレーム及びその製造方法並びに受発光装置
JP2009224376A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Toshiba Discrete Technology Kk 側面型発光装置及びその製造方法
US20090230421A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Cheng-Hong Su Semiconductor package structure, lead frame and conductive assembly for the same
WO2010035788A1 (ja) * 2008-09-25 2010-04-01 デンカＡｇｓｐ株式会社 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2010135277A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光ダイオード及びこれを有するバックライトユニット
JP2010165979A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101661140B1 (ko) * 2015-06-25 2016-09-29 (주)포인트엔지니어링 금속 및 비금속 접합 기판

Also Published As

Publication number Publication date
EP2641279A1 (en) 2013-09-25
TWI620350B (zh) 2018-04-01
RU2721101C2 (ru) 2020-05-15
CN103201863A (zh) 2013-07-10
WO2012066461A1 (en) 2012-05-24
RU2016133432A (ru) 2018-12-10
TW201639197A (zh) 2016-11-01
US9997686B2 (en) 2018-06-12
EP2641279B1 (en) 2017-09-27
JP2018022930A (ja) 2018-02-08
TW201242101A (en) 2012-10-16
RU2016133432A3 (ja) 2019-12-05
RU2013127670A (ru) 2014-12-27
TWI689113B (zh) 2020-03-21
TW201813136A (zh) 2018-04-01
BR112013012333A2 (pt) 2019-03-06
US9172018B2 (en) 2015-10-27
CN103201863B (zh) 2016-04-13
JP6297838B2 (ja) 2018-03-20
RU2597674C2 (ru) 2016-09-20
JP6738785B2 (ja) 2020-08-12
US20130221386A1 (en) 2013-08-29
US20160043295A1 (en) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6738785B2 (ja) 発光デバイス及びその製造方法
US8587021B2 (en) Mounting structure for solid state light sources
KR101035335B1 (ko) 발광다이오드 패키지
US8324722B2 (en) Packaging device for matrix-arrayed semiconductor light-emitting elements of high power and high directivity
TWI395345B (zh) 具有低熱阻之發光二極體燈
KR101049698B1 (ko) Ｌｅｄ 어레이 모듈 및 이의 제조방법
KR101134671B1 (ko) Ｌｅｄ 램프 모듈의 방열구조체
KR101986855B1 (ko) 발광 부품용 회로와 그 제조 방법
TWM498387U (zh) 熱電分離的發光二極體封裝模組及電連接模組
JP2011044612A (ja) 発光装置
JP2006073699A (ja) 発光素子収納用パッケージ
KR101115403B1 (ko) 발광 장치
JP2007096008A (ja) 発光素子搭載用パッケージ
GB2480428A (en) PCB with metal core having extended heatsink bosses for mounting LEDs
KR20140008911A (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
JP2010034259A (ja) 発光素子収納用パッケージ
TW201347616A (zh) 發光二極體封裝及所使用之ｐｃｂ式散熱基板與其製法
JP2011124386A (ja) 回路基板、高放熱コネクタ、その製造方法およびコネクタ付き回路モジュール
JP2017063094A (ja) 電子部品搭載用モジュール、及び、電子部品搭載用モジュールの製造方法
JP2006100316A (ja) 発光素子収納用パッケージ
JP2015079737A (ja) 発光モジュール
KR20110023402A (ko) 금속코어기판용 연결소자 및 이를 포함하는 발광장치
TW201601357A (zh) 熱電分離的發光二極體封裝模組
JP2011258774A (ja) 電子部品とｌｅｄ基板の配線パターンとの間の電気的接続方法
JP2012209348A (ja) 発光装置及びこれを備えた照明器具

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141030

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141030

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20150602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150818

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150819

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160726

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20161021

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170126

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170711

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171110

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20171120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180123

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6297838

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250