JP2011124386A - 回路基板、高放熱コネクタ、その製造方法およびコネクタ付き回路モジュール - Google Patents
回路基板、高放熱コネクタ、その製造方法およびコネクタ付き回路モジュール Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
【解決手段】第1および第2の面50A、50Bを有する熱伝導板と、前記第1の面50Aに形成され、熱伝導ピン40と係合可能な第1の孔51および、電気的接続用の端子ピン30と係合可能な第2の孔52と、前記第2の面50Bに形成され、前記端子ピン30に対して、電気的に接続された接続用の端子部53とを具備したLED素子用コネクタ50などの高放熱コネクタ、これを用いた回路基板10、回路モジュール1を構成する。
【選択図】図1
Description
しかしながら、照明用のハイパワーLED素子は、素子自体が発熱し、素子が高温に曝されることにより、素子自体の劣化、あるいは、素子を覆う樹脂部材の熱劣化により、発光効率が低下し、寿命の低下を招くという問題があった。このような、課題を解決するため様々な放熱構造が検討されてきている。
しかしながら金属製の放熱基板とシリコングリスを介して接続する場合には接続部の熱抵抗が大きくなり、放熱特性を十分に取ることができないという問題があった。
さらに高放熱セラミック表面をメタライズし、サブマウント基板を半田付けにより接続する場合にはLED素子チップが発熱すると、各部材に熱膨張率差があるため、接合面に熱応力が生じ、長期信頼性にも問題があった。
また、本発明は、放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な高放熱コネクタを提供することを目的とする。
また、本発明は、放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な高放熱回路基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な回路モジュールを提供することを目的とする。
前記第1の主面に形成された素子搭載領域を有する回路パターンと、前記貫通孔に挿通された端子ピンと、前記第2の主面に接続された複数の熱伝導ピンを備えた熱伝導部とを有する。
この構成によれば、回路基板を構成する基材に熱伝導ピンを貼着するとともに、電気的接続用の端子ピンが挿入されているため、コネクタ接続が容易であり、また第2の主面側に接続端子となる端子ピンが突き出すように形成されているため、占有面積も少なく、放熱性に優れた実装構造が実現される。さらに熱伝導ピンを挿入することでコネクタに接続されるため、位置精度も良好で信頼性の高い実装構造が実現される。
この構成によれば、素子チップ搭載面である第1の主面に相対向する面である第2の主面に熱伝導ピンが半田や、銀ペーストあるいはろう付けなどを用いて接合されるため、熱伝導ピンの高さ精度を高めることが出来る。また、銅板などの熱伝導性の高い板状体に複数の熱伝導ピンを接合したものを、機材の第2の主面に、半田や、銀ペーストあるいはろう付けなどを用いて接合してもよい。
この構成によれば、コネクタの第1の孔への熱伝導ピンの挿入深さをこの段差部分で決定することが出来るため、コネクタに対する高さ方向の位置決めが容易となる。
この構成によれば、コネクタの第1の孔への熱伝導ピンの挿入がより容易となる。
この構成によれば、加工性が良好でかつ熱伝導性が高いため、放熱性が向上する。
この構成によれば、熱伝導ピンをはめ込み式にすることで、接続用の端子部をコネクタの外周部に取り出す必要がなくなり、省スペース化を図ることができる。また、熱伝導板と回路基板との接続がシリコングリスを介することなく、熱伝導ピンのはめ込みで実現されるため、放熱性が向上する。また接着剤などで固定していないため、容易に着脱可能である。さらにまた熱膨張差による接合面の応力が緩和され、長期信頼性に優れたものとなる。さらにまたヘッドライト用の光源として用いる場合、光軸の角度調整が必要になり、煩雑な作業を伴う場合があるが、本発明の構成によれば、第1の孔に熱伝導ピンを挿入するとともに、第2の孔に端子ピンを挿入することで、確実かつ容易に位置合わせを行うことが出来る。第1の孔は第2の孔と同様、貫通孔でもよいし、有底孔でもよい。貫通孔を用いる場合は、熱伝導ピンの下方が直接空気に触れることで、放熱性を高めることができるという効果をもたせることもできる。また、熱伝導ピンを介して、コネクタと実装基板上の配線パターンとが短絡に至る場合も皆無ではなく、このような危険を防ぐためには、有底孔とした方が良い場合もある。
この構成により、熱伝導板に金属板などの電気伝導性材料を用いても、第2の孔の内壁を絶縁膜で被覆することで、信頼性の高い実装が可能となる。
この構成により、第2の孔の内壁を絶縁膜で覆う必要はなく、必要な部分のみ導電膜を形成すればよいため、短絡不良を低減することが出来る。
この構成によれば、占有面積が小さく、放熱性に優れた回路モジュールを構成することができる。
この方法によれば、接着剤層などの接着部材を介して熱伝導ピンを貼着しているため、容易に回路基板を形成することが可能となる。
さらにまた熱膨張差による接合面の応力が緩和され、長期信頼性に優れたものとなる。
また、熱伝導ピンをはめ込み式にすることで、接続用の端子部をコネクタの外周部に取り出す必要がなくなり、省スペース化を図ることができる。
さらにまたヘッドライト用の光源としてLED素子を用いる場合、光軸の角度調整が必要になり、煩雑な作業を伴う場合があるが、本発明の構成によれば、第1の孔に熱伝導ピンを挿入するとともに、第2の孔に端子ピンを挿入することで、確実かつ容易に位置合わせを行うことが出来る。
さらにコネクタへの接続部を接着剤などで固定していないため、容易に着脱可能である。
図1は本発明の実施の形態1のLED回路モジュールを示す断面図である。図2(a)及び(b)は同回路モジュールに用いられる高放熱コネクタとしてのLED素子用コネクタの上面図及びこの断面図である。図3乃至図5は同回路モジュールの実装工程を示す図である。
本実施の形態の回路モジュール1は、図1に示すように、回路基板10の第1の主面10AにLED素子チップ20を搭載するともに、第2の主面10Bに放熱機能を具えたLED素子用コネクタ50を具備し、LED素子チップからの熱をすみやかにLED素子用コネクタ50に逃がすことができ、放熱性が高く占有面積の小さい実装を可能にしたことを特徴とする。
前記基材は、絶縁構造を備えていることを特徴とする。金属製の基材に絶縁膜を備えた基材であってもよく、セラミックや、樹脂などのように基材自体が絶縁体であってもよい。絶縁体としては特に材質は限定されないがセラミックであることが望ましい。セラミックとしてはAlN(窒化アルミニウム)ベリリア、窒化珪素(Si3N4)アルミナ(Al2O3)などが利用できる。中でも窒化アルミニウムは、熱伝導率が高く、無害であるため好適に利用することができる。
回路基板10を構成する薄膜の材質は、これらに限定されず、銅層に代えてチタン層の上にNi層と金層(2層)であっても良い。
また、ボンディングワイヤ21の接続部のみ金層あるいは表面を金層で被覆したボンディングパッドを備えても良い。
まず、AlNセラミックからなるあらかじめ貫通孔12を備えた基材10S(図3(a))を用意し、まず図3(b)に示すように、第1の主面10A側にスパッタリング法によりチタン層(11a)を形成する。そして、このチタン層(11a)をシード層として無電解メッキ、電解メッキを行い、銅層(11b)を形成する。
そして図3(c)に示すように、フォトリソグラフィにより、この銅層(11b)およびチタン層(11a)をパターニングする。
図8は本発明の実施の形態2のLED回路モジュールを示す断面図である。前記実施の形態1では、ワイヤボンディングにより、LED素子チップ20を搭載したが、本実施の形態では、LED素子チップ20Fをフリップチップで回路基板10上に搭載したことを特徴とするものである。
この例では、回路基板10のボンディングパッド上にバンプ22を形成しておき、このバンプ22とLED素子チップ20Fを直接接続したものである。
LED素子用コネクタをはじめ、他の部分は前記実施の形態1と同様に形成されている。
この構成によっても放熱性に優れ、占有面積の小さい実装が可能となる。
図9は本発明の実施の形態3のLED回路モジュールを示す断面図である。前記実施の形態1および2では、高放熱コネクタとしてのLED素子用コネクタの熱伝導板となる50Sコネクタ基材を、絶縁性材料すなわちセラミックで構成したが、本実施の形態では、Cuからなる金属板50Mで構成したものである。
本実施の形態では、貫通孔である第2の孔52の内壁及び第2の面50Bにポリイミド樹脂からなる絶縁膜54を形成し、電気的分離をはかるようにしたことを特徴とするものである。また、LED素子用コネクタの第2の面50Bには絶縁膜54を介して端子電極53が形成されている。
このような積層基板を用いても放熱性を高めることが可能であるが、このとき、電気的絶縁を持たせるために、コネクタ基材に導電体を用いた場合と同様、第2の孔の内壁に絶縁膜を形成する必要がある。
なお前記実施の形態1乃至3では、熱伝導ピンは段差を有する形状としたが、図10に示すように、本実施の形態の熱伝導ピン40Sでは、段差に代えてテーパ状を有する形状としたことを特徴とするものである。
この構成によれば、テーパ状の熱伝導ピン40Sを用いているため、熱伝導ピン40SのLED素子用コネクタの第1の孔51への挿入が容易となる上、強固な接続が可能となる。その結果、回路基板10のLED素子用コネクタ50への接続が容易となり、容易でかつ確実な装着が可能となる
なお、基材(AlN)、熱伝導ピン(銅)、コネクタ(Al)の物性値は下表1の通りである。
(比較例1)
10 回路基板
10A 第1の主面
10B 第2の主面
10S 基材
11a,11b 回路パターン
12 貫通孔
20 LED素子チップ
21 ボンディングワイヤ
22 バンプ
30 端子ピン
40 熱伝導ピン
41 接着部材
A 素子搭載領域
50 LED素子用コネクタ
50A 第1の面
50B 第2の面
50S 熱伝導板
50M 熱伝導板(金属板)
51 第1の孔、
52 第2の孔
53 端子部(端子電極)
54 絶縁膜
Claims (11)
- 第1および第2の主面を有するとともに貫通孔の形成された基材と、
前記第1の主面に形成された素子搭載領域を有する回路パターンと、
前記貫通孔に挿通された端子ピンと、
前記第2の主面に接続された複数の熱伝導ピンを備えた熱伝導部とを有する回路基板 。 - 請求項1に記載の回路基板であって、
前記熱伝導部は、前記基材の前記第2の主面に複数の熱伝導ピンを接合して形成されたことを特徴とする回路基板。 - 請求項1または2に記載の回路基板であって、
前記熱伝導ピンは、鍔部と、前記鍔部よりも小径の小径部とを具備したことを特徴とする回路基板。 - 請求項1乃至3に記載の回路基板であって、
前記熱伝導ピンは、テーパ部を有することを特徴とする回路基板。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の回路基板であって、
前記熱伝導ピンは、銅ピンであることを特徴とする回路基板。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の回路基板であって、
前記基材はセラミック基板であることを特徴とする回路基板。 - 第1および第2の面を有する熱伝導板と、
前記第1の面に形成され、
熱伝導部と係合可能な第1の孔および、電気的接続用の端子ピンと係合可能な第2の孔と、
前記第2の面に形成され、
前記端子部に対して、電気的に接続された接続用の端子部とを具備した高放熱コネクタ。 - 請求項7に記載の高放熱コネクタであって、
前記熱伝導板は、導電性の板状体で構成され、
前記第2の孔の内壁および第2の面は絶縁膜で被覆されており、
前記第2の面に前記端子ピンに接続する端子部を具備した高放熱コネクタ。 - 請求項7に記載の高放熱コネクタであって、
前記熱伝導板は、電気的に絶縁性を有する板状体で構成された高放熱コネクタ。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の回路基板と、
前記回路基板上に搭載される素子チップと、
請求項7乃至9のいずれかに記載の高放熱コネクタとを具備した回路モジュール。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の回路基板の製造方法であって、
絶縁性の貫通孔を備えた基材の第1の主面に配線導体層を形成し、回路パターンを形成する工程と、
前記第2の主面に接着部材を形成する工程と、
前記接着部材に前記熱伝導ピンを貼着する工程と、
前記貫通孔に端子ピンを挿通する工程とを含む回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009280912A JP5388826B2 (ja) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 高放熱コネクタ、回路モジュール、及び回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009280912A JP5388826B2 (ja) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 高放熱コネクタ、回路モジュール、及び回路基板の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2011124386A true JP2011124386A (ja) | 2011-06-23 |
JP5388826B2 JP5388826B2 (ja) | 2014-01-15 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009280912A Active JP5388826B2 (ja) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 高放熱コネクタ、回路モジュール、及び回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5388826B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101233121B1 (ko) | 2011-06-21 | 2013-02-14 | (주)포인트엔지니어링 | 판상체 형태의 led 어레이 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 led 어레이 기판 |
WO2021117344A1 (ja) * | 2019-12-12 | 2021-06-17 | ソニーグループ株式会社 | 電子機器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2009-12-10 JP JP2009280912A patent/JP5388826B2/ja active Active
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