JP2011124386A - 回路基板、高放熱コネクタ、その製造方法およびコネクタ付き回路モジュール - Google Patents

回路基板、高放熱コネクタ、その製造方法およびコネクタ付き回路モジュール Download PDF

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Abstract

【課題】放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な高放熱コネクタを提供する。
【解決手段】第1および第2の面50A、50Bを有する熱伝導板と、前記第1の面50Aに形成され、熱伝導ピン40と係合可能な第1の孔51および、電気的接続用の端子ピン30と係合可能な第2の孔52と、前記第2の面50Bに形成され、前記端子ピン30に対して、電気的に接続された接続用の端子部53とを具備したLED素子用コネクタ50などの高放熱コネクタ、これを用いた回路基板10、回路モジュール1を構成する。
【選択図】図1

Description

本発明は、回路基板、高放熱コネクタ、その製造方法およびコネクタ付き回路モジュールに係り、特に、放熱性に優れた実装構造に関する。
近年、照明用の光源としては、小型で長寿命、かつ低消費電力であることから発光ダイオード(LED)素子が注目されるようになってきている。最近では、出力の大きなハイパワーLED素子が出現し、自動車のヘッドライト、室内照明など、白熱灯や蛍光灯の代替光源としてハイパワーLED素子の利用が検討されている。
しかしながら、照明用のハイパワーLED素子は、素子自体が発熱し、素子が高温に曝されることにより、素子自体の劣化、あるいは、素子を覆う樹脂部材の熱劣化により、発光効率が低下し、寿命の低下を招くという問題があった。このような、課題を解決するため様々な放熱構造が検討されてきている。
そのひとつとして例えば、特許文献1では、図14に示すように、外周部に複数の端子が導出された半導体素子101を実装した上記配線基板111を、高熱伝導性の金属材によって形成された放熱基板112の放熱凸部119に半導体素子101を接合して上記素子本体から発生する熱が上記放熱基板112に伝導されて放熱されるように構成した放熱構造を備える半導体装置が提案されている。この配線基板111は、絶縁基板113に配線層114を形成したものである。そして放熱基板112は、放熱凸部119のまわりに開口部118を具備しており、この開口部118を囲んで実装主面上に上記各端子とそれぞれ対向する複数の端子ランドとが形成され、これら端子ランドに対して相対する上記各端子をそれぞれ半田付けすることによって上記半導体素子101の上記素子本体を上記開口部118に浮かせかつ上記放熱パッド105を臨ませた状態で上記半導体素子101を配線基板111上に実装する。
特開2006−66725号公報
しかしながら特許文献1では、素子本体からの発熱を効率良く放熱できるものの、素子本体を実装した半導体素子101(サブマウント基板)を更に配線基板に接続するため、配線基板の面積に対し素子本体の占める面積が小さくなり、全体の面積に対し発光部分の面積比が小さくなる。
このため、自動車のヘッドライトや、プロジェクタなどのように、光線の指向性を高めるためLEDの実装密度を高くする必要がある場合には、特許文献1の半導体装置では十分に対応できなかった。このような課題を解決するためにサブマウント基板を直接放熱基板に実装するという方法をとり、限られたスペースで実装密度を高めることが出来る。このような方法においては、サブマウント基板と放熱基板との絶縁を確保する必要があり、例えば金属製の放熱基板とサブマウント基板とをシリコングリスを介して接続する方法、絶縁体である高放熱セラミック表面をメタライズし、サブマウント基板を半田付けするなどの接続方法をとることができる。
しかしながら金属製の放熱基板とシリコングリスを介して接続する場合には接続部の熱抵抗が大きくなり、放熱特性を十分に取ることができないという問題があった。
さらに高放熱セラミック表面をメタライズし、サブマウント基板を半田付けにより接続する場合にはLED素子チップが発熱すると、各部材に熱膨張率差があるため、接合面に熱応力が生じ、長期信頼性にも問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な実装構造を提供することを目的とする。
また、本発明は、放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な高放熱コネクタを提供することを目的とする。
また、本発明は、放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な高放熱回路基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、放熱性が高く、小型で、確実な接合が可能な回路モジュールを提供することを目的とする。
そこで本発明の回路基板は、第1および第2の主面を有するとともに貫通孔の形成された基材と、
前記第1の主面に形成された素子搭載領域を有する回路パターンと、前記貫通孔に挿通された端子ピンと、前記第2の主面に接続された複数の熱伝導ピンを備えた熱伝導部とを有する。
この構成によれば、回路基板を構成する基材に熱伝導ピンを貼着するとともに、電気的接続用の端子ピンが挿入されているため、コネクタ接続が容易であり、また第2の主面側に接続端子となる端子ピンが突き出すように形成されているため、占有面積も少なく、放熱性に優れた実装構造が実現される。さらに熱伝導ピンを挿入することでコネクタに接続されるため、位置精度も良好で信頼性の高い実装構造が実現される。
また本発明は、上記回路基板において、前記熱伝導部は、前記基材の前記第2の主面に複数の熱伝導ピンを接合して形成されたものを含む。
この構成によれば、素子チップ搭載面である第1の主面に相対向する面である第2の主面に熱伝導ピンが半田や、銀ペーストあるいはろう付けなどを用いて接合されるため、熱伝導ピンの高さ精度を高めることが出来る。また、銅板などの熱伝導性の高い板状体に複数の熱伝導ピンを接合したものを、機材の第2の主面に、半田や、銀ペーストあるいはろう付けなどを用いて接合してもよい。
また本発明は、上記回路基板において、前記熱伝導ピンは、鍔部と、前記鍔部よりも小径の小径部とを具備したものを含む。
この構成によれば、コネクタの第1の孔への熱伝導ピンの挿入深さをこの段差部分で決定することが出来るため、コネクタに対する高さ方向の位置決めが容易となる。
また本発明は、上記回路基板において、前記熱伝導ピンは、テーパ部を有するものを含む。
この構成によれば、コネクタの第1の孔への熱伝導ピンの挿入がより容易となる。
また本発明は、上記回路基板において、前記熱伝導ピンは、銅ピンであるものを含む。
この構成によれば、加工性が良好でかつ熱伝導性が高いため、放熱性が向上する。
そこで本発明のコネクタは、第1および第2の面を有する熱伝導板と、前記第1の面に形成され、熱伝導ピンと係合可能な第1の孔および、電気的接続用の端子ピンと係合可能な第2の孔と、前記第2の面に形成され、前記端子ピンに対して、電気的に接続された接続用の端子部とを具備した高放熱コネクタを構成する。
この構成によれば、熱伝導ピンをはめ込み式にすることで、接続用の端子部をコネクタの外周部に取り出す必要がなくなり、省スペース化を図ることができる。また、熱伝導板と回路基板との接続がシリコングリスを介することなく、熱伝導ピンのはめ込みで実現されるため、放熱性が向上する。また接着剤などで固定していないため、容易に着脱可能である。さらにまた熱膨張差による接合面の応力が緩和され、長期信頼性に優れたものとなる。さらにまたヘッドライト用の光源として用いる場合、光軸の角度調整が必要になり、煩雑な作業を伴う場合があるが、本発明の構成によれば、第1の孔に熱伝導ピンを挿入するとともに、第2の孔に端子ピンを挿入することで、確実かつ容易に位置合わせを行うことが出来る。第1の孔は第2の孔と同様、貫通孔でもよいし、有底孔でもよい。貫通孔を用いる場合は、熱伝導ピンの下方が直接空気に触れることで、放熱性を高めることができるという効果をもたせることもできる。また、熱伝導ピンを介して、コネクタと実装基板上の配線パターンとが短絡に至る場合も皆無ではなく、このような危険を防ぐためには、有底孔とした方が良い場合もある。
また本発明は、上記高放熱コネクタにおいて、前記熱伝導板は、導電性の板状体で構成され、前記第2の孔の内壁および第2の面は絶縁膜で被覆されており、前記第2の面に前記端子ピンに接続する端子部を具備したものを含む。
この構成により、熱伝導板に金属板などの電気伝導性材料を用いても、第2の孔の内壁を絶縁膜で被覆することで、信頼性の高い実装が可能となる。
また本発明は、上記高放熱コネクタにおいて、前記熱伝導板は、電気的に絶縁性を有する板状体で構成されたものを含む。
この構成により、第2の孔の内壁を絶縁膜で覆う必要はなく、必要な部分のみ導電膜を形成すればよいため、短絡不良を低減することが出来る。
また本発明は、上記回路基板と、前記回路基板上に搭載される素子チップと、上記高放熱コネクタとを具備し、回路モジュールを構成する。
この構成によれば、占有面積が小さく、放熱性に優れた回路モジュールを構成することができる。
また本発明は、上記回路基板の製造方法であって、絶縁性の貫通孔を備えた基材の第1の主面に配線導体層を形成し、回路パターンを形成する工程と、前記第2の主面に接着部材を形成する工程と、前記接着部材に前記熱伝導ピンを貼着する工程と、前記貫通孔に端子ピンを挿通する工程とを含む。
この方法によれば、接着剤層などの接着部材を介して熱伝導ピンを貼着しているため、容易に回路基板を形成することが可能となる。
本発明によれば、熱伝導板と回路基板との接続がシリコングリスを介することなく、熱伝導ピンのはめ込みで実現されるため、回路モジュール全体としての放熱性が向上する。
さらにまた熱膨張差による接合面の応力が緩和され、長期信頼性に優れたものとなる。
また、熱伝導ピンをはめ込み式にすることで、接続用の端子部をコネクタの外周部に取り出す必要がなくなり、省スペース化を図ることができる。
さらにまたヘッドライト用の光源としてLED素子を用いる場合、光軸の角度調整が必要になり、煩雑な作業を伴う場合があるが、本発明の構成によれば、第1の孔に熱伝導ピンを挿入するとともに、第2の孔に端子ピンを挿入することで、確実かつ容易に位置合わせを行うことが出来る。
さらにコネクタへの接続部を接着剤などで固定していないため、容易に着脱可能である。
本発明の実施の形態1の回路モジュールを示す断面図 本発明の実施の形態1の回路モジュールのLED素子用コネクタを示す図であり、(a)は上面図、(b)は断面図 本発明の実施の形態1の回路基板の製造工程を示す図 本発明の実施の形態1の熱伝導ピンを示す要部拡大図 本発明の実施の形態1のコネクタの製造工程を示す図 本発明の実施の形態1の回路モジュールの実装状態を示す断面図、(a)はLED素子の取り付けられた配線基板(LEDユニット)をコネクタに装着した状態を示し、(b)はコネクタへの装着工程を示す 本発明の実施の形態1の回路モジュールのマザーボードへの実装状態の一例を示す図 本発明の実施の形態2の回路モジュールを示す図 本発明の実施の形態3の回路モジュールを示す図 本発明の実施の形態4の回路基板に用いられる熱伝導ピンを示す図 本発明の実施の形態4の回路基板に用いられる熱伝導ピンの変形例を示す図 実施例および比較例のシミュレーションの温度分布を示す図 実施例および比較例の熱抵抗を示す図 従来例の回路モジュールを示す図
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1のLED回路モジュールを示す断面図である。図2(a)及び(b)は同回路モジュールに用いられる高放熱コネクタとしてのLED素子用コネクタの上面図及びこの断面図である。図3乃至図5は同回路モジュールの実装工程を示す図である。
本実施の形態の回路モジュール1は、図1に示すように、回路基板10の第1の主面10AにLED素子チップ20を搭載するともに、第2の主面10Bに放熱機能を具えたLED素子用コネクタ50を具備し、LED素子チップからの熱をすみやかにLED素子用コネクタ50に逃がすことができ、放熱性が高く占有面積の小さい実装を可能にしたことを特徴とする。
また回路基板10は、素子搭載領域Aを有するとともに、電気的接続用の貫通孔12の形成された第1の主面10Aと、前記第1の主面10Aに対向する第2の主面10Bとを有する基材10Sと、第1の主面10Aに形成された回路パターン(11a)としてのチタン層および回路パターン(11b)としての銅層(11b)と、この貫通孔に挿通された端子ピン30と、第2の主面10Bに接続された複数の熱伝導ピン40とを有してなり、LED素子用コネクタ50に対して着脱自在となるように形成されている。
前記基材は、絶縁構造を備えていることを特徴とする。金属製の基材に絶縁膜を備えた基材であってもよく、セラミックや、樹脂などのように基材自体が絶縁体であってもよい。絶縁体としては特に材質は限定されないがセラミックであることが望ましい。セラミックとしてはAlN(窒化アルミニウム)ベリリア、窒化珪素(Si)アルミナ(Al)などが利用できる。中でも窒化アルミニウムは、熱伝導率が高く、無害であるため好適に利用することができる。
またこの回路基板10の素子搭載領域AにはLED素子チップ20が搭載され、ボンディングワイヤ21で回路パターン(11a)、(11b)からなるボンディングパッドに接続されている。ここで回路パターンとしてはセラミックからなる基材10S表面に形成された膜厚0.1〜0.5μmのチタン層(11a)と、このチタン層(11a)をシード層としてメッキ法により形成される膜厚1〜30μm程度 の銅層(11b)とで構成される。
回路基板10を構成する薄膜の材質は、これらに限定されず、銅層に代えてチタン層の上にNi層と金層(2層)であっても良い。
また、ボンディングワイヤ21の接続部のみ金層あるいは表面を金層で被覆したボンディングパッドを備えても良い。
次に、LED素子用コネクタに着脱自在に形成された回路基板の製造方法について説明する。
まず、AlNセラミックからなるあらかじめ貫通孔12を備えた基材10S(図3(a))を用意し、まず図3(b)に示すように、第1の主面10A側にスパッタリング法によりチタン層(11a)を形成する。そして、このチタン層(11a)をシード層として無電解メッキ、電解メッキを行い、銅層(11b)を形成する。
そして図3(c)に示すように、フォトリソグラフィにより、この銅層(11b)およびチタン層(11a)をパターニングする。
この後図3(d)に示すように、基材10Sの第2の主面10Bに銀ペーストなどの導電性接着剤からなる41を介して銅ピンからなる熱伝導ピン40を固着し回路基板10を得ることができる。ここで熱伝導ピン40は図4に示すように径大の鍔部40AとLED素子用コネクタ50に挿入される小径部40Bとが一体形成されたものである。このように鍔部40Aを有しているため、LED素子用コネクタ50の第1の孔51への熱伝導ピン40の挿入深さをこの段差部分で決定することが出来るため、コネクタに対する高さ方向の位置決めが容易となる。このようにして得られた回路基板10が形成される。
このようにして得られた回路基板10を用い、図6に示すように、LED素子チップ20を接続する。そしてこのLED素子チップ20を、ボンディングワイヤ21を介して基板上のボンディングパッド(銅層(11b)およびチタン層(11a)の積層体)に、電気的に接続しLEDユニットを得ることができる。
本実施の形態で用いられるLED素子用コネクタ50は、図2(a)および(b)示したように、第1および第2の面50A,50Bを有する熱伝導板50Sと、この第1の面50Aに形成され、熱伝導ピン40と係合可能な第1の孔51および、電気的接続用の端子ピン(端子部)30と係合可能な第2の孔52と、前記第2の面50Bに形成され、端子ピン30に対して、電気的に接続された接続用の端子部(端子電極53)とを具備している。この第2の孔52の内壁にはチタン層と銅層との2層膜が形成され、この2層膜が前記第2の面まで到達して、端子電極53を構成する。
次に、このLED素子用コネクタ50の製造方法について説明する。まず、熱伝導性の高い絶縁性材料であるAlN(原料)を焼結助剤、バインダと共に混合した原材料を、金型等を用いて成形し(図5(a))、脱脂、焼結することにより第1の孔51有底孔として備え、第2の孔52を貫通孔として備えた板状体からなるコネクタ基材としての熱伝導板50Sを形成する(図5(b))。そして、第2の面50B側から、スパッタ法によりチタン層を形成し、第2の孔52の内壁にもチタン層を形成する。そしてこのチタン層をフォトリソグラフィによりパターニングし、チタン層のパターンを得る。このチタン層パターンをシード層としてメッキを行いCu層を形成し、第2の孔52の内壁から、第2の面50Bにのびる端子電極53を形成し(図5(c))、LED素子用コネクタ50を形成する。
一方、LED素子用コネクタ50は、実装基板のパッドに半田接続したり、自動車のヘッドランプ部に組み付け、ワイヤーハーネスと接続することもできる。このLED素子用コネクタ50は第2の面50B側に放熱フィンなどを備えていてもよい。
図6に示すように、以上のようにして得られたLEDユニット(図3(d))をLED素子用コネクタ50(図2(a)および(b))に実装し、図1に示したように、回路モジュールを構成する。
このようにして形成された回路モジュールは、回路基板を構成する基材10Sに熱伝導ピン40を貼着するとともに、電気的接続用の端子ピン30からなる端子部が挿入されているため、コネクタ接続が容易である。また回路基板10の第2の主面10B側に装着されたLED素子用コネクタ50の第2の面50B側に、接続端子となる端子部53が形成されているため、占有面積も少なく、放熱性に優れた実装が実現される。さらに熱伝導ピン40を挿入することでLED素子用コネクタ50に接続されるため、位置精度も良好で信頼性の高い実装が実現される。
また、この構成によれば、LED素子用コネクタの熱伝導板を電気的に絶縁性を有する材料で構成しているため、第2の孔の内壁を絶縁膜で覆う必要はなく、必要な部分のみ導電膜を形成すればよいため、短絡不良を低減することが出来る。
また、多数の熱伝導ピンでLED素子用コネクタと回路基板が接続されているため、放熱が良好であるだけでなく、方向を確実に維持することができ、実装面の面方位を高精度に維持することができるとともに、はずれにくく、強固な接続が可能となる。
さらにまた熱伝導ピンは鍔部を有しているため、熱伝導板への挿入深さを正しく設定することができ、位置精度に優れた実装が可能となる。
なお、本実施の形態では、LED素子用コネクタの熱伝導板をAlNセラミックで構成したが、BN,ベリリアなど熱伝導率の高い他のセラミックを用いても良い。また、セラミックの他、ベークライト、PPS(ポリフェニレンサルファイド)などの樹脂基板、あるいは金属粒子を含有する樹脂基板、金属板の埋め込まれた絶縁性基材などにも適用可能である。
また、グリーンシート法によるセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板も適用可能である。これらについても、放熱性を高めるために金属粒子や金属板を埋め込むことでより、信頼性の向上をはかることができる。グリーンシートで形成する場合、グリーンシート加工時に第1及び第2の孔を形成しておくようにすれば製造が容易である。また、加工後に打ち抜きにより第1及び第2の孔を形成してもよい。
加えて、第1および第2の孔の部分は、熱伝導ピンおよび端子ピンの挿入により、摩耗し易いため、第1および第2の孔の部分のみにそれぞれ、所望の特性のセラミックを埋め込み焼成した、埋め込みセラミックを用いるようにしてもよい。
なお、図7に示すように、マザーボードとしての実装基板100上のボンディングパッド101上に高放熱コネクタとしてのLED素子用コネクタ50の裏面の端子部53を接続しておくようにしてもよい。これにより、回路ユニットのみをLED素子用コネクタ50に対して着脱するだけで、実装基板100上への電気的接続が常になされている状態にすることができる。
(実施の形態2)
図8は本発明の実施の形態2のLED回路モジュールを示す断面図である。前記実施の形態1では、ワイヤボンディングにより、LED素子チップ20を搭載したが、本実施の形態では、LED素子チップ20Fをフリップチップで回路基板10上に搭載したことを特徴とするものである。
この例では、回路基板10のボンディングパッド上にバンプ22を形成しておき、このバンプ22とLED素子チップ20Fを直接接続したものである。
LED素子用コネクタをはじめ、他の部分は前記実施の形態1と同様に形成されている。
この構成によっても放熱性に優れ、占有面積の小さい実装が可能となる。
(実施の形態3)
図9は本発明の実施の形態3のLED回路モジュールを示す断面図である。前記実施の形態1および2では、高放熱コネクタとしてのLED素子用コネクタの熱伝導板となる50Sコネクタ基材を、絶縁性材料すなわちセラミックで構成したが、本実施の形態では、Cuからなる金属板50Mで構成したものである。
本実施の形態では、貫通孔である第2の孔52の内壁及び第2の面50Bにポリイミド樹脂からなる絶縁膜54を形成し、電気的分離をはかるようにしたことを特徴とするものである。また、LED素子用コネクタの第2の面50Bには絶縁膜54を介して端子電極53が形成されている。
製造に際しても、第2の孔52に導体層を形成し、第2の孔52内壁からLED素子用コネクタの第2の面50Bに延びる端子電極53を形成するに先立ち、絶縁膜54を形成する以外は前記実施の形態1と同様である。
この構成によれば、熱伝導板としてのコネクタ基材に金属を用いているため、より電気抵抗は小さく、信頼性の高い接続が可能となる。また金属に第1および第2の孔を形成する工程は、打ち抜きにより形成してもよい。その場合第1の孔は半抜き加工、第2の孔は打ち抜き加工とすることで、容易に形成することができる。
なお、前記実施の形態では、第2の孔内壁からコネクタの第2の面50Bに延びる絶縁膜としてポリイミド樹脂を用いたが、酸化シリコン膜などの無機膜を用いてもよい。ここで、この第2の孔にはピンが挿脱されるため、内壁を構成する材料は耐摩耗性を有する膜を用いるのが望ましい。
さらにまたコネクタを構成する基材としては、金属のほかプリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
このような積層基板を用いても放熱性を高めることが可能であるが、このとき、電気的絶縁を持たせるために、コネクタ基材に導電体を用いた場合と同様、第2の孔の内壁に絶縁膜を形成する必要がある。
(実施の形態4)
なお前記実施の形態1乃至3では、熱伝導ピンは段差を有する形状としたが、図10に示すように、本実施の形態の熱伝導ピン40Sでは、段差に代えてテーパ状を有する形状としたことを特徴とするものである。
この構成によれば、テーパ状の熱伝導ピン40Sを用いているため、熱伝導ピン40SのLED素子用コネクタの第1の孔51への挿入が容易となる上、強固な接続が可能となる。その結果、回路基板10のLED素子用コネクタ50への接続が容易となり、容易でかつ確実な装着が可能となる
なお、実施の形態1と実施の形態4との複合案として図11に示すように、鍔部40Aと、テーパ状のピン部40Cとで構成してもよい。この構成によれば、熱伝導ピンの第1の孔51への挿通が容易で、かつ鍔部の存在により、挿入深さなどの位置決めが容易となる。この場合、テーパ状のピン部40Cの方が、孔に挿通され、摩耗し易いことから、展性に優れた材料で構成したり、表面を被覆するなどが必要な場合もある。従って、鍔部40Aと、テーパ状のピン部40Cを構成する(円錐台状の)ピン部40Cとを別材料で形成してもよい。
なお、前記実施の形態では、LED照明用のLEDモジュールについて説明したが、パワー半導体など、発熱量の大きいデバイスでも利用することができる。
なお、前記実施の形態では、回路基板を構成する基材として、セラミック基板を用いたが、これに限定されることなく、積層基板、あるいは樹脂基板などにも適用可能であることはいうまでもない。
また、回路基板についても、AlNに限定されることなく、グリーンシートなど他のセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
AlNを使用した基材(15×10×1mm)と、高さ2.5mm太さ1mmの円筒形(鍔なし)熱伝導ピン(銅ピン)15本を前記基材の第2の主面に備えた回路基板と、LED素子チップ(5×5×0.2mm)とからなるLEDユニットを、熱伝導板にアルミニウムを使用し熱伝導部と係合可能な直径1mmの第1の孔(貫通孔)備えたコネクタ(20×15×3mm)に1.875mm差込み(LEDユニットをコネクタから0.625mm浮かせて)接続した回路モジュールを、モデルを用いて、ストラクチュラル リサーチ アンド アナリシス コーポレーション社製コスモスワークス(登録商標)を用いてシミュレーションを実施した。尚、シミュレーションでは、絶縁性を議論する必要はないため、1組の端子ピン、1組の第2の孔は特別に条件を設定せず、15本の熱伝導ピンのうち2本、15個の第1の孔のうち2個が端子ピン、第2の孔であるとして算出した。LED素子チップを発熱させ、LED素子チップとコネクタとの温度差から熱抵抗を算出した。熱抵抗は0.99W/℃であった。
なお、基材(AlN)、熱伝導ピン(銅)、コネクタ(Al)の物性値は下表1の通りである。
実施例1と同様のLEDユニットを実施例1と同様のコネクタに2.5mm差込み(LEDユニットをコネクタに密着させて)接続した回路モジュールをモデルを用いて、シミュレーションを実施した。LED素子チップを発熱させ、LED素子チップとコネクタとの温度差から熱抵抗を算出した。熱抵抗は0.53W/℃であった。
(比較例1)
LED素子チップ(5×5×0.2mm)と、AlNからなる基材(15×10×1mm)とからなるLEDユニットの基材の第2の主面側に厚さ0.1mmのグリスを塗布し、アルミニウムを使用した放熱板(20×15×3mm)に接続した回路モジュールのモデルを用いて実施例1と同様にシミュレーションを行った。熱抵抗は1.43W/℃であった。
以上のシミュレーション結果を図12及び図13に示す。図12において、(a)は実施例1のように接続ピンを浮かせて実装した例、(b)は接続ピンをコネクタに密着させて実装した例、(c)は比較例としてのグリスを塗布した例である。図中温度の高い領域が濃く表示されている。図13に熱抵抗の値を測定した結果を示す。実施例1,2では素子搭載領域を備えた回路基板を直接コネクタに接続しているため、実装密度を高めることができる上、グリスを塗布したのみの比較例に比べ、銅ピンを使用した実施例1,2では熱抵抗が小さくなっていることが確認でき、小型で実装密度が高く、放熱性が高く、確実な接合の回路モジュールを得ることができた。
実施例2では、LEDユニットをコネクタから浮かせて接続しているため、銅ピンに鍔を備えた回路基板に相当し、銅ピンに鍔を備えた回路基板でも同様に小型で実装密度が高く、放熱性が高く、確実な接合の回路モジュールを得ることができることが推測される。
1 回路モジュール
10 回路基板
10A 第1の主面
10B 第2の主面
10S 基材
11a,11b 回路パターン
12 貫通孔
20 LED素子チップ
21 ボンディングワイヤ
22 バンプ
30 端子ピン
40 熱伝導ピン
41 接着部材
A 素子搭載領域
50 LED素子用コネクタ
50A 第1の面
50B 第2の面
50S 熱伝導板
50M 熱伝導板(金属板)
51 第1の孔、
52 第2の孔
53 端子部(端子電極)
54 絶縁膜

Claims (11)

  1. 第1および第2の主面を有するとともに貫通孔の形成された基材と、
    前記第1の主面に形成された素子搭載領域を有する回路パターンと、
    前記貫通孔に挿通された端子ピンと、
    前記第2の主面に接続された複数の熱伝導ピンを備えた熱伝導部とを有する回路基板 。
  2. 請求項1に記載の回路基板であって、
    前記熱伝導部は、前記基材の前記第2の主面に複数の熱伝導ピンを接合して形成されたことを特徴とする回路基板。
  3. 請求項1または2に記載の回路基板であって、
    前記熱伝導ピンは、鍔部と、前記鍔部よりも小径の小径部とを具備したことを特徴とする回路基板。
  4. 請求項1乃至3に記載の回路基板であって、
    前記熱伝導ピンは、テーパ部を有することを特徴とする回路基板。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載の回路基板であって、
    前記熱伝導ピンは、銅ピンであることを特徴とする回路基板。
  6. 請求項1乃至5のいずれかに記載の回路基板であって、
    前記基材はセラミック基板であることを特徴とする回路基板。
  7. 第1および第2の面を有する熱伝導板と、
    前記第1の面に形成され、
    熱伝導部と係合可能な第1の孔および、電気的接続用の端子ピンと係合可能な第2の孔と、
    前記第2の面に形成され、
    前記端子部に対して、電気的に接続された接続用の端子部とを具備した高放熱コネクタ。
  8. 請求項7に記載の高放熱コネクタであって、
    前記熱伝導板は、導電性の板状体で構成され、
    前記第2の孔の内壁および第2の面は絶縁膜で被覆されており、
    前記第2の面に前記端子ピンに接続する端子部を具備した高放熱コネクタ。
  9. 請求項7に記載の高放熱コネクタであって、
    前記熱伝導板は、電気的に絶縁性を有する板状体で構成された高放熱コネクタ。
  10. 請求項1乃至6のいずれかに記載の回路基板と、
    前記回路基板上に搭載される素子チップと、
    請求項7乃至9のいずれかに記載の高放熱コネクタとを具備した回路モジュール。
  11. 請求項1乃至6のいずれかに記載の回路基板の製造方法であって、
    絶縁性の貫通孔を備えた基材の第1の主面に配線導体層を形成し、回路パターンを形成する工程と、
    前記第2の主面に接着部材を形成する工程と、
    前記接着部材に前記熱伝導ピンを貼着する工程と、
    前記貫通孔に端子ピンを挿通する工程とを含む回路基板の製造方法。
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