JP2010177329A - 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】最表面の樹脂層にシリコーン樹脂を用い、下層の樹脂のいずれかにエポキシ樹脂を用いると、シリコーン樹脂の高い光透過性と高い耐光劣化性及び、エポキシ樹脂の高剛性及び高強度の性質により、高反射率の高経年維持性を持ち、高剛性で高強度なLED用の樹脂複合リードフレームを得ることができる。
【選択図】 図1
Description
前記絶縁性樹脂は複数層からなり、光反射性材料を含む層と、前記樹脂複合リードフレームの剛性を維持する層を有することを特徴とする。
前記金属平板の第一の面から金属平板を、厚みの途中まで除去する工程と
前記第一の面から除去した部分に第一の絶縁性樹脂を充填する工程と
前記第二の面から金属平板の残り部分を除去する工程と
前記金属平板の第二の面から除去した部分に第二の絶縁性樹脂を充填する工程を含み
前記第一の絶縁性樹脂と前記第二の絶縁性樹脂の一方は光反射性材料を含み、他方は一方より弾性率が高い絶縁性樹脂であることを特徴とする。
なお、高強度で高剛性の性質を持つ絶縁性樹脂として、エポキシ樹脂以外に、ポリイミドやフェノール樹脂を用いても良い。
ワイヤボンディングパッド:0.3mm×2.5mm 、1.0mmt
ダイパッド:1.5mm×2.5mm 、1.0mmt
分離溝:0.5mm幅
である。
2 下層の絶縁性樹脂
3 上層の絶縁性樹脂
4 樹脂層
5 分離溝
6 めっき層
7 中間層
8 最表面樹脂層
9 酸化チタン層
10 封止樹脂層
11 ワイヤーボンディング用パッド
21 支持バー
22 保持バー
31 青色LED
32 ワイヤー
33 蛍光体含有樹脂
34 封止樹脂
111 金属平板
Claims (5)
- 複数の導体と、前記導体を支持する絶縁性樹脂層とを有する樹脂複合リードフレームにおいて、
前記絶縁性樹脂は複数層からなり、光反射性材料を含む層と、前記樹脂複合リードフレームの剛性を維持する層を有することを特徴とする樹脂複合リードフレーム。 - 請求項1に記載の樹脂複合リードフレームにおいて、光反射性材料を含む層は前記剛性を維持する層よりも透光性、及び耐光劣化性が高く、前記剛性を維持する層は、前記光反射性材料を含む層より弾性率が高いことを特徴とする樹脂複合リードフレーム。
- 金属平板の所定の部分を除去し、除去した部分に樹脂を充填する所定のパターンを形成する工程において
前記金属平板の第一の面から金属平板を、厚みの途中まで除去する工程と
前記第一の面から除去した部分に第一の絶縁性樹脂を充填する工程と
前記第二の面から金属平板の残り部分を除去する工程と
前記金属平板の第二の面から除去した部分に第二の絶縁性樹脂を充填する工程を含み
前記第一の絶縁性樹脂と前記第二の絶縁性樹脂の一方は光反射性材料を含み、他方は一方より弾性率が高い絶縁性樹脂であることを特徴とする樹脂複合リードフレームの製造方法。 - 請求項3に記載の樹脂複合リードフレームの製造方法として、前記第一の樹脂は前記第二の樹脂よりも高い弾性率を有することを特徴とする樹脂複合リードフレームの製造方法。
- 請求項1あるいは2に記載の樹脂複合リードフレームを用いた発光素子実装体。
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012124248A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toppan Printing Co Ltd | Ledチップ搭載用リードフレーム基板及びその製造方法並びにledパッケージ |
JP2013012666A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
US8586391B2 (en) | 2011-07-14 | 2013-11-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device |
JP2013247301A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2014029938A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2015065224A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社村田製作所 | 基板及びその製造方法 |
JP2016025234A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム |
JP2017005150A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP2017005226A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP2017092500A (ja) * | 2017-02-15 | 2017-05-25 | 大日本印刷株式会社 | Led用リードフレーム、光半導体装置、およびled用リードフレームの製造方法 |
JP2017103301A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP2017168691A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2017168689A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2018022930A (ja) * | 2010-11-19 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 発光デバイス及びその製造方法 |
KR102119142B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2020-06-05 | 해성디에스 주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지의 캐리어를 리드 프레임으로 제작하는 방법 |
CN111448673A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-24 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 光电子器件的制造 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06350206A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Osaka Shinku Kagaku Kk | 立体回路基板及びその製造方法 |
JPH09321173A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置とそれらの製造方法 |
JP2001015868A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Fuji Kiko Denshi Kk | 回路基板、パッケージ及びリードフレームとその製造方法 |
JP2005072382A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 放熱用リードフレーム基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
JP2006185967A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置 |
JP2007042668A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led発光装置 |
JP2008041290A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Akita Denshi Systems:Kk | 照明装置及びその製造方法 |
WO2008059856A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
WO2008069260A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 回路素子実装用の基板、これを用いた回路装置およびエアコンディショナ |
-
2009
- 2009-01-28 JP JP2009016417A patent/JP2010177329A/ja not_active Ceased
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06350206A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Osaka Shinku Kagaku Kk | 立体回路基板及びその製造方法 |
JPH09321173A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置とそれらの製造方法 |
JP2001015868A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Fuji Kiko Denshi Kk | 回路基板、パッケージ及びリードフレームとその製造方法 |
JP2005072382A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 放熱用リードフレーム基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
JP2006185967A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置 |
JP2007042668A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Led発光装置 |
JP2008041290A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Akita Denshi Systems:Kk | 照明装置及びその製造方法 |
WO2008059856A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
WO2008069260A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 回路素子実装用の基板、これを用いた回路装置およびエアコンディショナ |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018022930A (ja) * | 2010-11-19 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 発光デバイス及びその製造方法 |
JP2012124248A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toppan Printing Co Ltd | Ledチップ搭載用リードフレーム基板及びその製造方法並びにledパッケージ |
US9039475B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-05-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting devices |
JP2013012666A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
US8586391B2 (en) | 2011-07-14 | 2013-11-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device |
JP2013247301A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2014029938A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2015065224A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社村田製作所 | 基板及びその製造方法 |
JP2016025234A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム |
JP2017005150A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP2017005226A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP2017103301A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP2017168691A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2017168689A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2017092500A (ja) * | 2017-02-15 | 2017-05-25 | 大日本印刷株式会社 | Led用リードフレーム、光半導体装置、およびled用リードフレームの製造方法 |
CN111448673A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-24 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 光电子器件的制造 |
JP2021504938A (ja) * | 2017-11-30 | 2021-02-15 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | オプトエレクトロニクス部品の製造 |
JP7152483B2 (ja) | 2017-11-30 | 2022-10-12 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品の製造 |
CN111448673B (zh) * | 2017-11-30 | 2023-09-19 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 光电子器件的制造 |
US11784062B2 (en) | 2017-11-30 | 2023-10-10 | Osram Oled Gmbh | Production of optoelectronic components |
KR102119142B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2020-06-05 | 해성디에스 주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지의 캐리어를 리드 프레임으로 제작하는 방법 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A045 | Written measure of dismissal of application |
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