JP2017168689A - Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017168689A JP2017168689A JP2016053142A JP2016053142A JP2017168689A JP 2017168689 A JP2017168689 A JP 2017168689A JP 2016053142 A JP2016053142 A JP 2016053142A JP 2016053142 A JP2016053142 A JP 2016053142A JP 2017168689 A JP2017168689 A JP 2017168689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- metal plate
- lead frame
- led
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 447
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 447
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 328
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 197
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 129
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 142
- 239000000463 material Substances 0.000 description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 11
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 11
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
これらの光半導体装置において、薄型化や量産化等の要請に応えるべく開発されてきたLEDパッケージとして、従来、電気的に絶縁されたパッド部とリード部を有するリードフレームにLED素子が搭載され、LED素子が搭載された側のパッド部とリード部を囲うようにリフレクタ樹脂部が形成され、リフレクタ樹脂部に囲まれLED素子が搭載された側の内部空間が透明樹脂部によって封止されたLEDパッケージがある。
このような構成を備えた従来のLEDパッケージは、例えば次の特許文献1、2に記載されている。
リードフレーム全体の反り及び変形を抑制するためには、連結部にはある程度の強度を持たせることが要求され、そのためには、連結部の幅や厚さを大きくする必要がある。しかも、連結部に変形が生じ難いように、パッド部及びリード部の形状、連結部との接続位置を工夫する必要があり、パッド部やリード部の設計の自由度も制限される。
その結果、連結部が多列型LED用リードフレームに占める専有面積は無視できない大きさになる。しかも、上述のように、連結部に変形が生じ難いように、パッド部及びリード部の形状、連結部との接続位置を工夫する必要がある。
このため、多列型LED用リードフレーム形成エリア内において形成しうる個々のリードフレームの数が制限されて、多列型LEDパッケージ製造時におけるLEDパッケージ領域の集積化を阻害する。
そして、本件発明者が、更に検討・考察を重ねたところ、着想した前段階の発明のLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレーム、並びにその製造方法には、LED素子搭載部を充填する透明樹脂部のエッチング用薬液との接触による影響、LED素子搭載部へのエッチング用薬液の浸入、高価なリフレクタ樹脂の使用量の増大に伴うコスト高、リフレクタ樹脂部を形成後のリードフレーム基板におけるリフレクタ樹脂部形成側への反り、リードフレーム基材をエッチングすることに伴い生じるめっきバリ、リードフレーム基板に形成した樹脂部の密着性、狭くて深い部位に介在するリフレクタ樹脂部の内部での気泡の発生、LEDパッケージのパッド部表面とリード部表面の反射用めっき層を構成する金属のマイグレーション等の改良すべき課題があることが判明した。
さらに、本件発明者が、上記改良すべき課題を解決しうる多列型LED用リードフレーム及びそれらの製造方法、並びにLEDパッケージの製造方法を導出する過程において、リードフレームの製造工程におけるレジスト膜の使用量の増加に伴うコスト高といった更なる改良すべき課題も出てきた。
上述のように、本件発明者は、試行錯誤を重ねた末に、本発明を導出する以前に、製品化された個々のLEDパッケージの切断面での金属バリの発生による接触不良の虞や切断面からの水分の浸入の虞がなく、製造に際しては、個々に配置されるLEDパッケージの集積化を促進し、パッド部やリード部の段差、変形や反り等を阻止して、下面側に露出する外部接続用の端子面の平坦性を良好に保って生産性を向上させることができ、また、高価な樹脂テープの貼り付けが不要でコストを低減でき、さらには、個々のLEDパッケージを得るために切断するブレードの連続生産性と寿命を延ばすことの可能なLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレーム、並びにその製造方法の発明として、図7に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレーム、並びにその製造方法を着想した。
本発明を導出する以前に着想した発明にかかるLEDパッケージは、図7(f)に示すように、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを切断することによって形成された個々のLEDパッケージであって、金属板10から、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状に形成されたパッド部11及びリード部12と、パッド部11とリード部12との間に介在するとともに、パッド部11及びリード部12の外周を囲み、パッド部11及びリード部12を固定するリフレクタ樹脂部15を有している。また、多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面が、パッド部11及びリード部12の外周を囲む樹脂部(リフレクタ樹脂部15、補強用樹脂部15’)のみで構成され、且つ、パッド部11及びリード部12の一部が、リフレクタ樹脂部15におけるLED素子20を搭載する側とは反対側においてリフレクタ樹脂部15の外周面に形成された切断面よりも内側の領域に露出している。なお、図7中、14はボンディングワイヤ、16は透明樹脂部である。
このため、切断面での金属バリの発生の虞や切断面からの水分の浸入の虞がなく、金属が腐食してLEDパッケージ製品の品質を劣化させる等の不具合を生じない。
このため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージから個々のLEDパッケージを得る際におけるブレードの切断対象部位は、外枠部の一部を除き、殆ど全てがリフレクタ樹脂部15や補強用樹脂15’等の樹脂部のみとなる。
その結果、リードフレームの基材をなす金属を切断する量を、特許文献1、2に記載のLEDパッケージのような連結部を有する従来のLEDパッケージに比べて、大幅に減らすことができ、切断加工する際のブレードに与える悪影響を格段に低減し、ブレードの連続生産性と寿命を延ばすことができる。
その結果、個々のリードフレーム領域におけるパッド部11やリード部12と、他のリードフレーム領域におけるパッド部11又はリード部12と、多列型LED用リードフレーム製造用の金属板における外枠部(不図示)とを固定するリフレクタ樹脂部15や補強用樹脂部15’等の樹脂部の幅を狭くすることができ、多列型LED用リードフレーム形成エリア内において形成しうる個々のリードフレームの数を増やすことができ、製造時において格段の集積化が可能となる。しかも、特許文献1、2に記載のLEDパッケージとは異なり、連結部に変形が生じ難いように、パッド部及びリード部の形状、連結部との接続位置を工夫する必要がないため、パッド部やリード部の設計の自由度が大きくなる。
本件発明者が、更に検討・考察を重ねたところ、図7に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレーム、並びにその製造方法には、後述するように、LED素子搭載部を充填する透明樹脂部のエッチング用薬液との接触による影響、LED素子搭載部へのエッチング用薬液の浸入、高価なリフレクタ樹脂の使用量の増大に伴うコスト高、リフレクタ樹脂部を形成後のリードフレーム基板におけるリフレクタ樹脂部形成側への反り、リードフレーム基材をエッチングすることに伴い生じるめっきバリ、リードフレーム基板に形成した樹脂部の密着性、狭くて深い部位に介在するリフレクタ樹脂部の内部での気泡の発生、LEDパッケージのパッド部表面とリード部表面の反射用めっき層を構成する金属のマイグレーション等の改良すべき課題があることが判明した。
さらに、本件発明者が、上記改良すべき課題を解決しうる多列型LED用リードフレーム及びそれらの製造方法、並びにLEDパッケージの製造方法を導出する過程において、リードフレームの製造工程におけるレジスト膜の使用量の増加に伴うコスト高といった更なる改良すべき課題も出てきた。
図7に示すLEDパッケージの製造方法においては、多列型LED用リードフレームにリフレクタ樹脂部15を形成(図7(b)参照)後に、LED素子20を搭載するとともにワイヤボンディングし、次いで、LED素子20が搭載された内部空間を充填する透明樹脂部16を設け(図7(c)参照)、その後に金属板の下側部分で繋がっているパッド部11とリード部12とを分離するために、下面側からリフレクタ樹脂部15が露出するようにエッチングを行っている(図7(d)参照)。
しかるに、透明樹脂部16を設けた後にエッチングを行うと、透明樹脂部16がエッチング液と接触することにより、その表面が変質して透過率が低下し、製造後のLED装置からの照射光量が弱められる等の品質劣化が懸念される。
また、透明樹脂部16を設けた後にエッチングを行うと、エッチング液が透明樹脂部16とリフレクタ樹脂部15との界面からLED素子搭載領域に浸入して、LED装置の回路に悪影響を及ぼすことが懸念される。
また、図7(a)に示す多列型LED用リードフレームは、個々のLEDパッケージに切断加工する際のブレードに与える悪影響を格段に低減し、ブレードの連続生産性と寿命を延ばすために、個々のリードフレーム領域におけるパッド部11及びリード部12の外周にリードフレーム領域を区画する凹部19bが形成されており、図7(b)に示すように、リフレクタ樹脂部15を凹部19bに介在させて形成することによって、個々のリードフレーム領域同士が固定されるようになっている。また、下面側からリフレクタ樹脂部15が露出するようにエッチングを行うまで、リードフレームの下面側の金属が、例えばリードフレームの基材をなす金属板の厚さの約25〜50%程度等、相当程度の厚みをもって一体に繋がって、凹部19bが、金属板の厚さの約50〜75%の深さに形成されている。このため、図7(a)に示す多列型LED用リードフレームを用いてLEDパッケージを製造した場合、高価なリフレクタ樹脂の使用量が増大し、コスト高となる。
また、LEDパッケージの製造に図7(a)に示す多列型LED用リードフレームを用いた場合、LEDパッケージの製造工程において、図7(b)に示すように、リフレクタ樹脂部15が金属板の上面側に偏って形成されるため、金属板のリフレクタ樹脂部形成側への反りが大きくなり易い。
また、図7に示すLEDパッケージの製造工程においては、図7(d)に示すように、金属板10の下面に形成された外部接続用めっき層13bをエッチングマスクとして、下面側からリフレクタ樹脂部15が露出するようにエッチングを行っている。
しかるに、外部接続用めっき層13bをエッチングマスクとしてエッチングを行うと、外部接続用めっき層13b直下の金属が溶解除去されて、外部接続用めっき層13bが庇形状のめっきバリとなって割れや欠けを生じ易い。
外部機器と接続する側の外部接続用めっき層に形成されためっきバリが割れると、LEDパッケージの製造工程中に割れためっきバリがリード部とパッド部とに接触してリード部とパッド部がショートする虞が生じる。
また、図7(a)に示す多列型LED用リードフレームは、LEDパッケージの製造工程における下面側からのエッチングによる外部接続用めっき層のバリを抑えるために、上面側からのハーフエッチングにより凹部19bが、金属板の厚さの約50〜75%の深さに形成されている。
しかし、上面側から金属板の厚さの約50〜75%の深さでハーフエッチングをした場合、エッチング用のレジストマスクで直下のめっき層(反射用めっき層)を保護していても、めっき層直下の金属が溶解除去されて、めっきバリを生じやすい。
LED素子を搭載する側のパッド部及びリード部の反射用めっき層に形成されためっきバリが割れると、LEDパッケージの製造工程中に割れためっきバリがリード部やボンディングワイヤ部やLED素子部等に電気的ショートを起こす虞がある。
上述のように、図7(a)に示す多列型LED用リードフレームには、金属板の上面側からのハーフエッチングにより、金属板の厚さの50〜75%の深さの凹部19a,19bが形成されている。そして、図7に示すLEDパッケージの製造方法においては、凹部19a,19bにリフレクタ樹脂を充填してリフレクタ樹脂部15を形成し(図7(b)参照)、リフレクタ樹脂部15を形成後に、金属板の下面側から金属板の厚さの25〜50%の深さでエッチングを施してリフレクタ樹脂部15を露出させ(図7(d)参照)、金属板の下面側からエッチングされて凹んだ部分に補強用樹脂を充填して補強用樹脂部15’を形成している(図7(e)参照)。
しかし、リフレクタ樹脂は、金属板に対する密着度が高くない。図7に示すLEDパッケージの製造方法のように、金属板の上面側から50〜75%のエッチングを施して形成された凹部にリフレクタ樹脂を充填した場合、密着性の弱い樹脂が金属板と密着する面積の割合が大きくなる。
その結果、金属板に対する樹脂部の密着度が弱くなり易い。
リフレクタ樹脂部15を形成するためのリフレクタ樹脂は、比較的粘性が高い性質を有する。しかるに、図7に示すLEDパッケージの製造方法においては、金属板の上面側から金属板の厚さの50〜75%の深さにハーフエッチングされた多列型LED用リードフレームの凹部19a,19bにリフレクタ樹脂を充填している(図7(b)参照)。しかし、パッド部とリード部との間は狭く、しかも、上述のように深くハーフエッチングされているため、リフレクタ樹脂を充填するのが難しく、未充填の部位が生じる虞がある。
狭くて深い部位にリフレクタ樹脂を確実に充填するためには、圧入手段等を用いてリフレクタ樹脂を圧入することが考えられるが、リフレクタ樹脂を圧入するとリフレクタ樹脂の内部に気泡を生じ易くなる。
その結果、リフレクタ樹脂部15を形成したときの製品の歩留まりが低下する。
また、図7に示すLEDパッケージの製造方法により製造されるLEDパッケージは、図7(f)に示すように、パッド部11とリード部12との間に介在するLED素子20を搭載する側のリフレクタ樹脂部15の面がパッド部11とリード部12の反射用めっき層13aの面と略面一に形成される。
しかし、リフレクタ樹脂部15の面がパッド部11とリード部12の反射用めっき層13aの面と略面一に形成されていると、パッド部11、リード部12にそれぞれ形成された反射用めっき層13aの最上面のAgイオンがリフレクタ樹脂部15の面を経由して移動し易くなるため、リード部11とパッド部12とが電気的ショートを起こすことが懸念される。
さらに、図7に示すLEDパッケージの製造過程においては、反射用めっき層13a,外部接続用めっき層13bの形成や、凹部19a,19bの形成に際し、レジスト膜を用いてレジストマスクを形成している。しかし、レジストマスクをそれぞれ異なる加工処理ごとに別個に形成・除去するのでは、レジストマスクの形成回数が増えて工程が煩雑化し、しかもレジスト膜の使用量が増えてコスト高となる。
そこで、本件発明者は、図7に示した発明における上記(1)〜(8)の課題を鑑み、更なる検討・考察、試行錯誤を重ねた結果、図7に示した発明による上述の効果を維持し、且つ、上記(1)〜(8)の課題を解決する本発明を着想した。また、本発明の導出過程において上記(9)の課題を鑑み、さらに、上記(9)の課題も解決する本発明を着想した。
その結果、図7に示した発明のLEDパッケージと同様、切断面での金属バリの発生の虞や切断面からの水分の浸入の虞がなく、金属が腐食してLEDパッケージ製品の品質を劣化させる等の不具合を生じない。
このため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージから個々のLEDパッケージを得る際におけるブレードの切断対象部位は、外枠部の一部を除き、殆ど全てが樹脂部(リフレクタ樹脂部及び固定用樹脂部)となる。
その結果、図7に示した発明のLEDパッケージと同様、リードフレームの基材をなす金属を切断する量を、特許文献1、2に記載のLEDパッケージのような連結部を有する従来のLEDパッケージに比べて、大幅に減らすことができ、切断加工する際のブレードに与える悪影響を格段に低減し、ブレードの連続生産性と寿命を延ばすことができる。
その結果、図7に示した発明のLEDパッケージと同様、個々のリードフレーム領域におけるパッド部やリード部と、他のリードフレーム領域におけるパッド部又はリード部と、多列型LED用リードフレーム製造用の金属板における外枠部とを固定する樹脂部(リフレクタ樹脂部及び固定用樹脂部)の幅を狭くすることができ、多列型LED用リードフレーム形成エリア内において形成しうる個々のリードフレームの数を増やすことができ、製造時において格段の集積化が可能となる。しかも、特許文献1、2に記載のLEDパッケージとは異なり、連結部に変形が生じ難いように、パッド部及びリード部の形状、連結部との接続位置を工夫する必要がないため、パッド部やリード部の設計の自由度が大きくなる。
その結果、透明樹脂部がエッチング液と接触することがなく、その表面が変質して透過率が低下し、製造後のLED装置からの照射光量が弱められる等の品質劣化の懸念もなくなる。
また、LEDパッケージの製造工程において、透明樹脂部を設けた後にエッチングを行う必要がなくなる結果、エッチング液が透明樹脂部とリフレクタ樹脂との界面から透明樹脂部を充填しているLED搭載領域に浸入してLED装置の回路に悪影響を及ぼす虞がなくなる。
しかるに、本発明の多列型LED用リードフレームのように、固定用樹脂部を、金属板金属板の板厚の約20〜65%の深さで介在させて形成する構成にすれば、固定用樹脂部が金属板に介在する体積が大きくなる。
このため、リフレクタ樹脂部を形成する際に生じるリフレクタ樹脂の収縮に伴う金属板の変形を、固定用樹脂部で抑え易くなり、金属板のリフレクタ樹脂部形成側(LED素子搭載側)への反りを軽減できる。
なお、固定用樹脂部は、液状の樹脂を固化させて形成でき、液状の樹脂は、リフレクタ樹脂に比べて粘性が低い。このため、固定用樹脂部の形成に用いる液状の樹脂は、金属板の板厚の約70〜90%の深さの凹部へ充填し易く、内部に空気を発生する虞が少ない。
このようにすれば、固定用樹脂部及びリフレクタ樹脂部の密着性が向上する。
なお、本発明の多列型LED用リードフレームの製造方法において、好ましくは、第1のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と下面側めっき用のレジストマスクを形成する工程との間に、固定用樹脂部を形成する工程を経て金属板の上面から所定長突出している固定用樹脂部を、反射用めっき層の表面からの突出長が約0.01〜0.06mmとなるように研磨する工程を有する。
このようにすれば、パッド部に形成された反射用めっき層とリード部に形成された反射用めっき層との間隔が狭く設計されたLEDパッケージの反射用めっき層を構成する金属(例えば、Ag)のマイグレーションを抑制するのに好適な仕切りとして機能させることができる。
このようにすれば、第1の凹部に固定用樹脂部を形成したときの固定用樹脂部の密着性が向上する。
このようにすれば、第2の凹部にリフレクタ樹脂部を形成したときのリフレクタ樹脂部の密着性が向上する。
このようにすれば、パッド部に形成された反射用めっき層とリード部に形成された反射用めっき層との間隔が狭く設計されたLEDパッケージであっても、パッド部の反射用めっき層とリード部の反射用めっき層との間の直線的な経路が遮断される結果、反射用めっき層を構成する金属(例えば、Ag)のマイグレーションを抑制し易くなる。
このようにすれば、リフレクタ樹脂部及び固定用樹脂部の密着性が向上する。
図1は本発明の一実施形態にかかるLEDパッケージの製造方法により製造されるLEDパッケージの概略構成を示す図で、(a)は切断されて一個の製品となった状態のLEDパッケージの断面図、(b)は切断される前の一括製造された多列型LEDパッケージにおける切断部を示す部分断面図である。図2は図1に示すLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は個々のリードフレーム領域におけるパッド部とリード部の配置を上面側からみた部分平面図、(b)は図1(a)に示すLEDパッケージに用いる多列型LED用リードフレームの個々のリードフレーム領域における構成を示す断面図である。図3は図2に示す多列型LED用リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。なお、便宜上、図3では一つのリードフレーム領域のみを示してある。
パッド部11及びリード部12は、リードフレームの基材をなす金属板から、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状に形成されている。
反射用めっき層13aは、パッド部11及びリード部12の上面側に形成されている。
外部接続用めっき層13bは、パッド部11及びリード部12の下面側に形成されている。
リフレクタ樹脂部15は、図2(a)においてハッチングで示した領域に固定用樹脂部15”とは反対側から形成された後、固定用樹脂部15”と同様、パッケージの外形ラインが残るように切断されている。また、リフレクタ樹脂部15は、図1(a)に示すように、金属板の下面側から、金属板の厚さの約10〜30%、上面側に入り込んで金属板の側面と密着している。そして、リフレクタ樹脂部15は、金属板の下面側においてパッド部11とリード部12との間並びにパッド部11及びリード部12の外周に介在するとともに、金属板の上面側においてパッド部11及びリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子20よりも上方に突出するように囲み、金属板の上面側から介在する固定用樹脂部15”と一体化して、パッド部11及びード部12を固定している。
ボンディングワイヤ14は、LED素子20と反射用めっき層13aが形成されたリード部12の面とを接合している。
透明樹脂部16は、金属板の上面側において区画されたパッド部11及びリード部12におけるリフレクタ樹脂部15で囲まれ、LED素子20が搭載された内部空間を封止している。
そして、本実施形態のLEDパッケージの製造方法により製造されるLEDパッケージでは、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面は、リフレクタ樹脂部15及び固定用樹脂部15”のみで構成されている。
なお、パッド部11に形成された反射用めっき層13aとリード部12に形成された反射用めっき層13aとの間隔がある程度離れている場合、固定用樹脂部15”は、反射用めっき層13aの表面と面一あるいは反射用めっき層13aの表面よりも凹んだ状態に形成されているのが好ましい。一方、パッド部11に形成された反射用めっき層13aとリード部12に形成された反射用めっき層13aとの間隔が狭いLEDパッケージに適用する場合、固定用樹脂部15”は、反射用めっき層13aの表面から約0.01〜0.06mmの突出長で突出しているのが好ましい。
また、パッド部11の側面とリード部12の側面は、粗化処理が施されている。
個々のリードフレーム領域は、図2(b)に示すように、パッド部11と、リード部12と、反射用めっき層13aと、外部接続用めっき層13bと、リフレクタ樹脂部15と、固定用樹脂部15”を有して構成されている。
パッド部11、リード部12、反射用めっき層13a、外部接続用めっき層13b、固定用樹脂部15”の構成は、上述したLEDパッケージにおけるものと、同様である。
なお、図2(a)中、18は多列型LED用リードフレーム製造用の金属板における外枠部である。
次に、金属板の上面側はパッド部及びリード部、下面側は全面、に夫々対応する所定のパターンを形成したガラスマスクを用いて露光・現像を行い、上面側には金属板の上面におけるパッド部11及びリード部12に対応する第1の部位を覆い、第1の部位以外の第2の部位を露出させた第1のエッチング用のレジストマスク31を形成するとともに、下面側には全面を覆う第1のエッチング用のレジストマスク31を形成する(図3(c)参照)。
なお、本実施形態及び後述の実施例のLEDパッケージ、多列型LED用リードフレームの製造工程において用いるレジストマスクの形成は、金属板の両面に例えばドライフィルムレジストをラミネートし、両面のドライフィルムレジストに対し、所定パターンが形成されたガラスマスクを用いて、両面を露光・現像することによって行う。なお、露光・現像は従来公知の方法により行う。例えば、ガラスマスクで覆った状態で紫外線を照射し、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたドライフィルムレジストの部位の現像液に対する溶解性を低下させて、それ以外の部分を除去することで、レジストマスクを形成する。なお、ここでは、レジストとしてネガ型のドライフィルムレジストを用いたが、レジストマスクの形成には、ネガ型の液状レジストを用いてもよい。さらには、ポジ型のドライフィルムレジスト又は液状レジストを用いて、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたレジストの部分の現像液に対する溶解性を増大させて、その部分を除去することでレジストマスクを形成するようにしてもよい。
なお、金属板の上面側からのハーフエッチングは、好ましくは、形成される第1の凹部19a,19bの面を粗化処理するように行う。
次に、金属板におけるハーフエッチングにより形成された第1の凹部19a,19bに液状の樹脂を充填し、パッド部11とリード部12との間と、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域との間に介在する固定用樹脂部15”を形成する(図3(e)参照)。
なお、固定用樹脂部15”は、金属板の上面と面一あるいは金属板の上面よりも凹んだ状態に形成する(図3(e-1)参照)。
一方、固定用樹脂部15”を、金属板の上面から所定長、例えば0.06mmよりも長く突出した状態に形成しても良い(図3(e-2)参照)。
なお、固定用樹脂部15”が、金属板の上面から所定長、例えば0.06mmよりも長く突出した状態に形成されている場合(図3(f-2a)参照)、固定用樹脂部15”を、後述の工程において形成される反射用めっき層13aの表面からの突出長が約0.01〜0.06mmとなるように研磨する(図3(f-2b)参照)。
次に、下面側めっき用のレジストマスク30を用いて金属板の下面における第3の部位に外部接続めっき層13bを形成するとともに、金属板の上面における第1の部位に反射用めっき層13aを形成する(図3(i)参照)。
次に、金属板に形成した下面側めっき用のレジストマスク30を除去する(図3(j)参照)。
なお、金属板の下面側からのハーフエッチングは、好ましくは、形成される第2の凹部19c,19dの面を粗化処理するように行う。
図4は図3に示す製造工程を経て得た多列型LED用リードフレームを用いたLEDパッケージの製造工程の一例を示す説明図である。なお、便宜上、図4では一つのパッケージ領域のみを示してある。
まず、図2(b)に示した多列型LED用リードフレームを準備し(図4(a)参照)、金属板の下面側における第2の凹部19c,19dにリフレクタ樹脂を充填し、区画されたパッド部11とリード部12との間並びにパッド部11及びリード部12の外周に介在するとともに、金属板の上面側におけるパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子20よりも上方に突出するようにパッド部11及びリード部12の外周を囲むリフレクタ樹脂部15を、モールド金型を用いて形成する(図4(b)参照)。
次に、金属板の上面側においてパッド部11の面にLED素子20を搭載する(図4(c)参照)とともに、リード部12とLED素子20とをボンディングワイヤ14を介して接続する(図4(d)参照)。さらに、パッド部11及びリード部12におけるリフレクタ樹脂部15で囲まれ、LED素子20が搭載された内部空間に透明樹脂を充填し、透明樹脂部16を形成して、このリフレクタ樹脂部15で囲まれた内部空間を封止する(図4(e)参照)。
次に、リフレクタ樹脂部15における、パッド部11及びリード部12の外周を囲む部位を切断する(図4(f)参照)。これにより、図1(a)に示した本実施形態のLEDパッケージが完成する。
その結果、図7に示した発明のLEDパッケージと同様、切断面での金属バリの発生の虞や切断面からの水分の浸入の虞がなく、金属が腐食してLEDパッケージ製品の品質を劣化させる等の不具合を生じない。
このため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージから個々のLEDパッケージを得る際におけるブレードの切断対象部位が、外枠部18の一部を除き、殆ど全てが樹脂部(リフレクタ樹脂部15及び固定用樹脂部15”)となる。
その結果、図7に示した発明のLEDパッケージと同様、リードフレームの基材をなす金属を切断する量を、特許文献1、2に記載のLEDパッケージのような連結部を有する従来のLEDパッケージに比べて、大幅に減らすことができ、切断加工する際のブレードに与える悪影響を格段に低減し、ブレードの連続生産性と寿命を延ばすことができる。
その結果、図7に示した発明のLEDパッケージと同様、個々のリードフレーム領域におけるパッド部11やリード部12と、他のリードフレーム領域におけるパッド部11又はリード部12や、多列型LED用リードフレーム製造用の金属板における外枠部18とを固定する樹脂部(リフレクタ樹脂部15及び固定用樹脂部15”)の幅を狭くすることができ、多列型LED用リードフレーム形成エリア内において形成しうる個々のリードフレームの数を増やすことができ、製造時において格段の集積化が可能となる。しかも、特許文献1、2に記載のLEDパッケージとは異なり、連結部に変形が生じ難いように、パッド部11及びリード部12の形状、連結部との接続位置を工夫する必要がないため、パッド部11やリード部12の設計の自由度が大きくなる。
その結果、透明樹脂部がエッチング液と接触することがなく、その表面が変質して透過率が低下し、製造後のLED装置からの照射光量が弱められる等の品質劣化の懸念もなくなる。
また、LEDパッケージの製造工程において、透明樹脂部を設けた後にエッチングを行う必要がなくなる結果、エッチング液が透明樹脂部とリフレクタ樹脂との界面から透明樹脂部を充填しているLED搭載領域に浸入してLED装置の回路に悪影響を及ぼす虞がなくなる。
しかるに、本実施形態の多列型LED用リードフレームによれば、固定用樹脂部15”を、金属板の上面側から金属板の板厚の約70〜90%の深さで介在させて形成する構成にしたので、図7(a)に示した多列型LED用リードフレームに比べて、固定用樹脂部15”が金属板に介在する体積が大きくなる。
このため、リフレクタ樹脂部15を形成する際に生じるリフレクタ樹脂の収縮に伴う金属板の変形を、固定用樹脂部15”で抑え易くなり、金属板のリフレクタ樹脂部形成側(LED素子搭載側)への反りを軽減できる。
ようにしたので、第2の凹部19c,19dにリフレクタ樹脂部15を形成したときのリフレクタ樹脂部15の密着性が向上する。
次に、本発明の実施例について、説明する。
本実施例では、洗浄処理や乾燥処理など各工程の前処理、後処理は、一般的な処理であることから記載を省略する。
次に、リードフレームの基材の上面側には、パッド部11及びリード部12に対応する第1の部位を覆い、第1の部位以外の第2の部位を露出させたレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、下面側には、全面を覆うレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の両面に第1のエッチング用のレジストマスク31を形成した(図3(c)参照)。
次に、リードフレームの基材の上面側からエッチング処理を行って0.14mm〜0.18mmの深さとなるハーフエッチング加工を行い(図3(d)参照)、リードフレームの基材におけるハーフエッチングを施した深さにおいてパッド部11とリード部12とが区画されるように第1の凹部19a,19bを形成した。このとき、リードフレームの基材は、下面側が0.02mm〜0.06mmの厚さで複数のパッド部11とリード部12とが繋がった状態であるので、特許文献1、2に記載のLEDパッケージのような連結部を有する従来のLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの形成において、リードフレームの基材を貫通エッチング加工する場合に必要な連結部が存在しない。
次に、第1の凹部19a,19bに液状の樹脂を充填し、固定用樹脂部15”を形成した(図3(e)参照)。
なお、LED素子搭載側のパッド部11とリード部12との間隔がある程度離れたLEDパッケージに適用する第1のタイプのリードフレームとして、固定用樹脂部15”を、リードフレームの基材の表面と面一あるいはリードフレームの基材の上面よりも凹んだ状態に形成した(図3(e-1)参照)。
一方、LED素子搭載側のパッド部11とリード部12との間隔が狭いLEDパッケージに適用する第2のタイプのリードフレームとして、固定用樹脂部15”を、リードフレームの基材の上面から0.06mmよりも長く突出した状態に形成したものも得た(図3(i-2)参照)。
なお、固定用樹脂部15”が、リードフレームの基材の上面から0.06mmよりも長く突出した状態に形成された第2のタイプのリードフレーム(図8(f-2a)参照)においては、固定用樹脂部15”を、反射用めっき層13aの表面からの突出長が約0.01〜0.06mmとなるように研磨した(図8(f-2b)参照)。
次に、Cuが露出しているリードフレームの基材の上側の面に反射用めっき層13aを形成するとともに、下側の面に外部接続用めっき層13bを形成し(図3(i)参照)、めっき層を形成後、下側面に形成されためっき用のレジストマスク30を剥離した(図3(j)参照)。
なお、反射用のめっき層13aは、まず設定厚さ2.0μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成、最後に設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、外部接続用めっき層13bは、まず設定厚さ2.0μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、最後に設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
リフレクタ樹脂をリードフレームの基材の下面側のエッチング加工部分に充填することで、リフレクタ樹脂部15は固定用樹脂部15”と一体化するとともに、パッド部11とリード部12の外周を囲むように形成される。また、リフレクタ樹脂部15は、リードフレームの基材の上面側においてパッド部11とリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出して囲むように形成される。なお、リフレクタ樹脂部15に囲まれる、パッド部11のLED素子が搭載固定される部分とリード部12のボンディング部分は、先に形成した反射用めっき層13aが露出した状態となっている。
LEDパッケージを得た(図1(a)参照)。このLEDパッケージは、従来のリードフレームの連結部が無い構造であるので、LEDパッケージの側面側に連結部の切断面が現れることは無い。
11 パッド部
12 リード部
13 めっき層
13a 反射用めっき層
13b 外部接続用めっき層
14 ボンディングワイヤ
15 リフレクタ樹脂部
15’ 補強用樹脂部
15” 固定用樹脂部
16 透明樹脂部
17 連結部
18 外枠部
19a、19b 第1の凹部
19c、19d 第2の凹部
20 LED素子
30 めっき用のレジストマスク
31 エッチング用のレジストマスク
R1 第1のレジスト膜
R2 第2のレジスト膜
R3 第3のレジスト膜
Claims (6)
- LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LED用リードフレームを切断することによって形成された個々のLEDパッケージであって、
金属板から、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、
前記パッド部及び前記リード部の上面に形成された反射用めっき層と、
前記パッド部及び前記リード部の下面に形成された外部接続用めっき層と、
前記パッド部と前記リード部との間並びに該パッド部及び該リード部の外周に前記金属板の上面側から該金属板の板厚の約70〜90%の深さで介在し、該パッド部及び該リード部を固定する固定用樹脂部と、
前記パッド部と前記リード部との間並びに該パッド部及び該リード部の外周に前記金属板の下面側から該金属板の板厚の約10〜30%の深さで介在するとともに、該金属板の上面側において該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように該パッド部及び該リード部の外周を囲み、前記固定用樹脂部と一体化して該パッド部及び該リード部を固定するリフレクタ樹脂部と、
を有し、
多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面が、前記固定用樹脂部及び前記リフレクタ樹脂部のみで構成されている
ことを特徴とするLEDパッケージ。 - LED用リードフレーム領域が複数配列された多列型LED用リードフレームであって、
個々のリードフレーム領域は、
金属板から、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状に形成されたパッド部及びリード部と、
前記パッド部及び前記リード部の上面に形成された反射用めっき層と、
前記パッド部及び前記リード部の下面に形成された外部接続用めっき層と、
前記パッド部と前記リード部との間並びに該パッド部及び該リード部の外周に前記金属板の上面側から該金属板の板厚の約70〜90%の深さで介在し、該パッド部及び該リード部を固定する固定用樹脂部と、
を有する
ことを特徴とする多列型LED用リードフレーム。 - 前記パッド部の側面と前記リード部の側面は、粗化処理が施されていることを特徴とする請求項2に記載の多列型LED用リードフレーム。
- LED用リードフレーム領域が複数配列された多列型LED用リードフレームの製造方法であって、
金属板の上面側に、該金属板の上面におけるパッド部及びリード部に対応する第1の部位を覆い、前記第1の部位以外の第2の部位を露出させた第1のエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、該金属板の下面側に、全面を覆う第1のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
前記金属板の上面側から該金属板の板厚の約70〜90%の深さでハーフエッチングを施し、該金属板におけるハーフエッチングを施した深さにおいて前記パッド部と前記リード部とに区画する第1の凹部を形成する工程と、
前記金属板における前記ハーフエッチングにより形成された前記第1の凹部に液状の樹脂を充填し、前記パッド部と前記リード部との間と、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域との間に介在する固定用樹脂部を形成する工程と、
前記金属板に形成した前記第1のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、
前記金属板の下面側に、該金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する第3の部位を露出させ、前記第3の部位以外の第4の部位を覆う、下面側めっき用のレジストマスクを形成する工程と、
前記下面側めっき用のレジストマスクを用いて前記金属板の下面における前記第3の部位に外部接続用めっき層を形成するとともに、該金属板の上面における前記第1の部位に反射用めっき層を形成する工程と、
前記金属板に形成した前記下面側めっき用のレジストマスクを除去する工程と、
前記金属板の上面側に全面を覆う第2のエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、該金属板の下面側に、形成した前記外部接続用めっき層を覆い、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状の前記パッド部と前記リード部とに区画しうる第2のエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
前記金属板の下面側から前記固定用樹脂部が露出するようにエッチングを行い、該金属板における前記パッド部と前記リード部及び隣り合う他のリードフレーム領域における前記パッド部又は前記リード部とを分離し、前記パッド部と前記リード部及び隣り合う他のリードフレーム領域における前記パッド部又は前記リード部が前記固定用樹脂部のみで固定されるように第2の凹部を形成する工程と、
前記金属板に形成した前記第2のエッチング用のレジストマスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする多列型LED用リードフレームの製造方法。 - 前記金属板の上面側からの前記ハーフエッチングにより、形成される前記第1の凹部の面を粗化処理することを特徴とする請求項4に記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
- 前記金属板の下面側からの前記エッチングにより、形成される前記第2の凹部の側面を粗化処理することを特徴とする請求項4又は5に記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053142A JP6593841B2 (ja) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053142A JP6593841B2 (ja) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168689A true JP2017168689A (ja) | 2017-09-21 |
JP6593841B2 JP6593841B2 (ja) | 2019-10-23 |
Family
ID=59913655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016053142A Active JP6593841B2 (ja) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6593841B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168691A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
KR102119142B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2020-06-05 | 해성디에스 주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지의 캐리어를 리드 프레임으로 제작하는 방법 |
Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024135A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2002280488A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
JP2003309242A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム部材とリードフレーム部材の製造方法、及び該リードフレーム部材を用いた半導体パッケージとその製造方法 |
JP2009302095A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2010177329A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Sharp Corp | 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体 |
JP2011029335A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及びリードフレームの製造方法とこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US20120074548A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Zigmund Ramirez Camacho | Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof |
JP2012514326A (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-21 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 多列リード型リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 |
JP2012124248A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toppan Printing Co Ltd | Ledチップ搭載用リードフレーム基板及びその製造方法並びにledパッケージ |
US20120261689A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Bernd Karl Appelt | Semiconductor device packages and related methods |
JP2013012666A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2013045888A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2013247199A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
US20150348934A1 (en) * | 2011-12-30 | 2015-12-03 | Beijing University Of Technology | Package in Package (PiP) Electronic Device and Manufacturing Method thereof |
JP2016021515A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | Shマテリアル株式会社 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
WO2016031482A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP2017168691A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
JP6455931B2 (ja) * | 2015-06-11 | 2019-01-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP6455932B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-01-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP6468601B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-02-13 | 大口マテリアル株式会社 | 多列型led用リードフレーム及びその製造方法、並びにledパッケージの製造方法 |
JP6468600B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-02-13 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP6537136B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-07-03 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP6537144B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-07-03 | 大口マテリアル株式会社 | 多列型リードフレーム及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-03-16 JP JP2016053142A patent/JP6593841B2/ja active Active
Patent Citations (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024135A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2002280488A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
JP2003309242A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム部材とリードフレーム部材の製造方法、及び該リードフレーム部材を用いた半導体パッケージとその製造方法 |
JP2009302095A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2012514326A (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-21 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 多列リード型リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法 |
JP2010177329A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Sharp Corp | 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体 |
JP2011029335A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及びリードフレームの製造方法とこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US20120074548A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Zigmund Ramirez Camacho | Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof |
JP2012124248A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toppan Printing Co Ltd | Ledチップ搭載用リードフレーム基板及びその製造方法並びにledパッケージ |
US20120261689A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Bernd Karl Appelt | Semiconductor device packages and related methods |
JP2013012666A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2013045888A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US20150348934A1 (en) * | 2011-12-30 | 2015-12-03 | Beijing University Of Technology | Package in Package (PiP) Electronic Device and Manufacturing Method thereof |
JP2013247199A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
JP2016021515A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | Shマテリアル株式会社 | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
WO2016031482A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP6455931B2 (ja) * | 2015-06-11 | 2019-01-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP6455932B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-01-23 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP6537136B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2019-07-03 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP6468601B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-02-13 | 大口マテリアル株式会社 | 多列型led用リードフレーム及びその製造方法、並びにledパッケージの製造方法 |
JP6468600B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-02-13 | 大口マテリアル株式会社 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
JP2017168691A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
JP6537144B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-07-03 | 大口マテリアル株式会社 | 多列型リードフレーム及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168691A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Shマテリアル株式会社 | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 |
KR102119142B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2020-06-05 | 해성디에스 주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지의 캐리어를 리드 프레임으로 제작하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6593841B2 (ja) | 2019-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6593842B2 (ja) | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 | |
JP6455931B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6455932B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP2012084810A (ja) | Led素子用リードフレーム基板及び発光素子 | |
JP6537144B2 (ja) | 多列型リードフレーム及びその製造方法 | |
JP6468600B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6366042B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6537141B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6593841B2 (ja) | Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法 | |
JP6537136B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP2017157643A (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6468601B2 (ja) | 多列型led用リードフレーム及びその製造方法、並びにledパッケージの製造方法 | |
JP2016127261A (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置 | |
JP6322853B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6357684B2 (ja) | リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 | |
JP6525259B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6610927B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法と、光半導体素子搭載用基板の製造方法 | |
JP2012227254A (ja) | Led素子用リードフレーム基板及びその製造方法 | |
JP2017157644A (ja) | 多列型led用リードフレーム | |
JP6508529B2 (ja) | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 | |
JP6542112B2 (ja) | 多列型led用リードフレーム、並びにledパッケージ及び多列型led用リードフレームの製造方法 | |
JP2017162945A (ja) | 多列型led用リードフレーム及びその製造方法、並びにledパッケージ及びその製造方法 | |
JP6414701B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP2013211422A (ja) | Led用リードフレーム及びその製造方法並びにled装置 | |
JP2017017256A (ja) | 多列型led用リードフレーム及びledパッケージ、並びにそれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20180315 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180525 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6593841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |