JP2016021515A - 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リードフレーム基材の、ダイパッド部と、半導体素子の電極とワイヤーを介して接続される内部接続端子部と、裏面側に設けられた外部接続端子部とに、それぞれ貴金属めっき層を形成する第1工程と、リードフレーム基材の表裏面に耐エッチング用レジスト膜を形成して、貴金属めっき層を残してパターンエッチング加工を行い、その後耐エッチング用のレジスト膜を部分的に残し得る、特殊な露光方法とレジスト膜の剥離方法を兼ね備えた第2工程と、貴金属めっき層と、部分的に残された耐エッチング用のレジスト膜をレジストマスクとして、リードフレーム基材のみを選択的にエッチングするエッチング液を使用して、露出したリードフレーム基材の表面および側面を全体的にマイクロエッチングする第3工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
図1(b)に示すように、本発明による製造方法は、フォトフォーミングを行う第1工程と、フォトエッチングを行う第2工程と、選択性のマイクロエッチングを行う第3工程とで構成されている。
先ず、第1工程であるフォトフォーミングについて説明する。図3(a)は、リードフレームの基材となる金属板21として、厚さ0.2mmの銅合金である194アロイを使用し、フォトレジスト22に旭化成イーマテリアルズ株式会社製のDFRであるAQ−2558を金属板21の表裏に専用のラミネート装置を使用して貼付し、ガラス乾板にリードフレームの表側と裏側のめっき用のパターンを描画したそれぞれの露光マスク23および24を、露光装置においてフォトレジストを貼付された基材の上下に配置し、紫外光25を照射して露光を行った。この際の露光量は、55mJ/cm2であった。
2、22、32、42,46,47、65,66、68,69 フォトレジスト膜
3、4、23,24、33,34,36,37 めっき用露光マスク
5、25、35、38 紫外光
10、11、12、13 エッチング用露光マスク
14、49 エッチング液
15 ダイパッド
18 リード
19 内部接続端子
20 外部接続端子
52、53、54、55 めっき被膜
Claims (13)
- 半導体素子を搭載するためのダイパッド部と、前記半導体素子の電極とワイヤーを介して接続される内部接続端子部と、該内部接続端子部に対応してリードフレーム基材の裏面側に設けられた外部接続端子部の各表面上に、それぞれ形成された貴金属めっき層を有し、該各貴金属めっき層の端側面は隣接する前記リードフレーム基材部分よりも僅かに突出していて、前記ダイパッド部及び内部接続端子部が前記半導体素子及びワイヤーと共にモールド樹脂により封止されたとき、リードフレーム基材部分の露出がなく前記外部接続端子部の前記貴金属めっき層部分のみが外部に露出するように構成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
- リードフレーム基材の、半導体素子を搭載するためのダイパッド部と、前記半導体素子の電極とワイヤーを介して接続される内部接続端子部と、該内部接続端子部に対応して前記リードフレーム基材の裏面側に設けられた外部接続端子部とに、それぞれ貴金属めっき層を形成する第1工程と、
前記第1工程において貴金属めっき層の形成されたリードフレーム基材の表裏面に耐エッチング用レジスト膜を形成して、前記第1工程で形成された貴金属めっき層を残してパターンエッチング加工を行い、その後耐エッチング用のレジスト膜を部分的に残すことが可能となるように、所定の露光方法とレジスト膜の剥離方法を兼ね備えた第2工程と、
前記第1工程で形成された貴金属めっき層と前記第2工程で部分的に残された耐エッチング用のレジスト膜をレジストマスクとして、リードフレーム基材のみを選択的にエッチングするエッチング液を使用して、露出したリードフレーム基材の表面および側面を全体的にマイクロエッチングする第3工程と、
を有することを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 前記貴金属めっき層は、Ag、Pd、Au、Ni/Ag、Ni/Au、Ni/Pd、Ni/Pd/Au、Ni/Pd/Ag、Pd/AuおよびPd/Agのめっきの中から選択される貴金属のめっき層で形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記第1工程におけるめっき層の形成には、感光性樹脂をレジストマスクとして所定の部分にめっきを行うフォトフォーミング法が使用され、また、前記第2工程におけるハーフエッチングおよび貫通エッチング加工には、感光性樹脂をレジストマスクとして使用するフォトエッチング法が使用されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記第2工程において、めっき形成済みのリードフレーム基材に耐エッチング用のレジスト膜として感光性樹脂を被覆し、エッチングパターン用の第1の露光マスクを介して露光を行う際に感光性樹脂の光による重合反応量(または重合反応率)が小さくなるように露光し、その後感光性樹脂の剥離工程において、部分的に残すためのパターンを露光する際に使用する第2の露光マスクを介して、該部分の重合反応量が大きくなるように露光を行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記第1の露光マスクと第2の露光マスクを介して露光された部分以外の未露光部分を第1の現像により除去し、リードフレーム基材金属を露出させてエッチングを行い、第2の現像にて、第1の露光マスクで露光した重合反応量が小さい部分の感光性樹脂膜のみを剥離し、第2の露光マスクで露光した重合反応量の大きい部分のみを残すようにしたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記第3工程において、前記リードフレーム基材の表面または裏面あるいは両面に形成された前記貴金属めっき層に加えて前記第2工程で部分的に残された感光性樹脂膜をエッチングマスクとして、リードフレーム基材の両側または片側からマイクロエッチングを行い、前記貴金属めっき層の周囲のリードフレーム基材金属の露出部分が除去されるようにしたことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 樹脂パッケージから露出した外部接続端子の貴金属めっき層の周囲にリードフレーム基材金属が露出しないようになっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- リードフレームの表面または裏面あるいは両面において、リードフレーム基材金属が露出している部分と段差または凹部になっている部分とが併設されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記第3工程におけるマイクロエッチング液として、粗化処理を伴うエッチング液を使用した場合には、前記第3工程で作製された段差や凹部およびリードフレーム基材金属の側面は、粗化面となることを特徴とする請求項2に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記第2工程で形成されるリードフレームの形状は、前記第3工程おいて、所望のリードフレーム形状および寸法を得ることができるように少し大きめに作製されるが、同時に前記第1工程で形成されためっきパターンの周囲には、前記第3工程でめっきとの段差が形成されるように、前記第2工程ではリードフレーム基材金属の表面が少なくとも、0.005mm以上確保されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 貴金属めっき層の周囲のリードフレーム基材表面をマイクロエッチングする量は、0.005mmから0.030mmとしたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 貴金属めっき層の周囲のリードフレーム基材表面をマイクロエッチングした際にできる貴金属めっき層のバリの大きさは、0.02mm以下であるようにしたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。
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