JP2017084977A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
そして、特許文献1に記載の技術では、エッチング加工用のレジストマスクを粗化処理用のレジストマスクに兼用することで、レジストマスクの形成回数を減らして、工程の簡素化を図っている。
そして、特許文献2に記載の技術では、金属板の表側の面と裏側の面にそれぞれ形成するめっき加工用のレジストマスクの材料を異ならせ、他方の側の面に形成したレジストマスクをエッチング加工用に兼用するとともに、表裏両面に形成しためっき層をエッチング用マスクとして用いることで、レジストマスクの形成回数を減らしている。
このため、特許文献1に記載の技術では、エッチング用レジストマスクを剥離後の全面にめっき層を形成する仕様のリードフレームを製造する場合には、レジストマスクの形成回数を減らすことが可能であるが、エッチング用レジストマスクを剥離後の金属板の表側の面と裏側の面とで、形成するめっき層の構成やめっき層の有無等、めっき加工の仕様を異ならせたリードフレームを製造する場合には、更に、金属板の一方の側の面にめっき用レジストマスクを形成し、金属板の他方の側の面に異なるめっきを施した後に、形成しためっき用レジストを除去する必要が生じ、レジストマスクの形成回数を減らして、工程を簡素化することができない。
例えば、特許文献1に記載の技術では、エッチング用レジストマスクを剥離後に、金属板の裏側の面のみにめっき層を形成する場合、裏側の面めっき用レジストマスクを金属板の表側の面及び側面に形成し、金属板の裏側の面にめっき層を形成後、金属板の表側の面及び側面に形成した裏側の面めっき用レジストマスクを除去する必要が生じる。
また、例えば、特許文献1に記載の技術では、エッチング用レジストマスクを剥離後に、金属板の表側の面及び側面と裏側の面とで、異なるめっき層を形成する場合、裏側の面めっき用レジストマスクを金属板の表側の面及び側面に形成し、金属板の裏側の面に第1のめっき層を形成後、金属板の表側の面及び側面に形成した裏側の面めっき用レジストマスクを除去し、更に表側の面及び側面めっき用レジストマスクを金属板の裏側の面に形成し、金属板の表側の面及び側面に第2のめっき層を形成後に、表側の面及び側面めっき用レジストマスクを除去する必要があり、レジストマスクの形成と除去を何度も繰り返すことになる。
本発明のリードフレームの製造方法は、金属板の一方の側の面、又は、表裏両面の所定位置に第1のめっき層を形成する工程と、第1のめっき層を形成した後に、金属板の表側と裏側にそれぞれ溶解剥離時間の異なるレジストマスクを、少なくとも第1のめっき層を覆うように形成する工程と、溶解剥離時間の異なるレジストマスクを形成した後に、金属板の表側の面と裏側の面のそれぞれにおける、レジストマスクで覆われていない領域に対し、エッチング加工を行う工程と、エッチング加工を行った後に、金属板に形成したレジストマスクのうち、溶解剥離時間の短いレジストマスクを除去する工程と、溶解剥離時間の短いレジストマスクを除去した後に、溶解剥離時間の短いレジストマスクの除去により露出した面と、エッチングが施されることにより露出した金属板の面とに対し、第2のめっき層を形成する工程と、第2のめっき層を形成した後に、溶解剥離時間の長いレジストマスクを除去する工程と、を有する。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表裏のうちの一方の側の面に、Ni/Pd/Au/Agの順にめっき層が形成され、金属板の側面にAgめっき層が形成され、金属板の表裏のうちの他方の側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面にAgめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層が形成され、金属板の側面及び裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面及び側面にNi/Pd/Au/Agの順にめっき層が形成され、金属板の裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
なお、第2のめっき層を形成する工程では、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層を形成してもよい、このようにした場合は、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面及び側面にAgめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層が形成され、金属板の裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面にAgめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層が形成され、金属板の裏側の面及び側面にAg又は下地+Ag/Ni/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
第3の層を形成する工程としては、例えば、有機皮膜保護層の形成工程や、全面Auフラッシュを行う工程が挙げられる。
第3の層を形成する工程として、有機皮膜保護層を形成する工程を設ければ、例えば、LED用リードフレームを製造した場合におけるLED素子搭載側の反射用めっき層の表層を形成するAgめっき層の表面の曇りを防止して、反射率を維持できる。
また、第3の層を形成する工程として、全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ければ、製造後のリードフレームにおいて外部に露出する金属の酸化を防止でき、外部接続用めっき層の半田濡れ性が向上する。
このようにすれば、例えば、リフレクタ樹脂部や透明樹脂部を形成したときの樹脂部の密着性が向上する。
第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。図2は本発明の第1実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
金属板10は、例えば、Cu材で構成される。
第1のめっき層3は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
また、第2のめっき層4は、例えば、Agめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
図2(d)の例では、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の一方の側に形成した溶解剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、他方の側に形成した溶解剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図2(f)参照)。
次に、金属板10の他方の側に形成した溶解剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図2(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)と第2のめっき層4(Agめっき層)が形成され、側面(さらには凹部)には、第2のめっき層4(Agめっき層)が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図1に示すリードフレームが得られる。
また、第1実施形態のリードフレームの製造方法によれば、第1のめっき層3を形成した後に、金属板10の表側と裏側にそれぞれ溶解剥離時間の異なるレジストマスク1,2を、少なくとも第1のめっき層3を覆うように形成してエッチング加工を行い、エッチング加工後には第2のめっき層4を形成するようにしたので、金属板10の表側の面や裏側の面に形成するめっき層をエッチングレジストとして用いずに済み、めっき層がエッチング液の影響を受けず表面に凹凸が形成されることなく平滑に保つことができる。このため、LED搭載側のめっき層の表層に光沢Agめっき層を形成するLED用リードフレームを製造する場合、光沢Agめっき層の反射率の低下を防止できる。
図3は本発明の第2実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。図4は本発明の第2実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
図4(d)の例では、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の裏側に形成した溶解剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、表側に形成した溶解剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図4(f)参照)。
次に、金属板10の表側に形成した溶解剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図4(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層)が形成され、側面(さらには凹部)及び裏側の面には、第2のめっき層4(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図3に示すリードフレームが得られる。
図5は本発明の第3実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。図6は本発明の第3実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
また、第2のめっき層4は、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層の構成であってもよい。
図6(d)の例では、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の表側に形成した溶解剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、裏側に形成した溶解剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図6(f)参照)。
次に、金属板10の裏側に形成した溶解剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図6(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面及び側面(さらには凹部)に第2のめっき層4(Ni/Pd/Au/Agの順に形成されためっき層、又は、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層)が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図5に示すリードフレームが得られる。
図7は本発明の第4実施形態にかかるリードフレームの製造方法により製造されるリードフレームの概略構成を示す断面図である。図8は本発明の第4実施形態にかかるリードフレームの製造方法における製造工程を示す説明図である。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Agめっき層又は下地めっき層+Agめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
図8(d)の例では、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、溶解剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の裏側に形成した溶解剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、表側に形成した溶解剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図8(f)参照)。
次に、金属板10の表側に形成した溶解剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図8(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層)が形成され、側面(さらには凹部)及び裏側の面には、第2のめっき層4(Ag又は下地+Ag/Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図7に示すリードフレームが得られる。
例えば、上記各実施形態のリードフレームの製造方法における溶解剥離時間の長いレジストマスクを除去した後の第3の層を形成する工程として、有機皮膜保護層を形成する工程を設けてもよい。
有機皮膜保護層を形成する工程を設ければ、例えば、LED用リードフレームを製造した場合におけるLED素子搭載側の反射用めっき層の表層を形成するAgめっき層の表面の曇りを防止して、反射率を維持できる。
また、例えば、上記各実施形態のリードフレームの製造方法における溶解剥離時間の長いレジストマスクを除去した後の第3の層を形成する工程として、全面Auフラッシュめっきを施す工程を設けてもよい。
全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ければ、製造後のリードフレームにおいて外部に露出する金属の酸化を防止でき、外部接続用めっき層の半田濡れ性が向上する。
なお、第3の層として全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ける場合、上記各実施形態における、第1のめっき層3を形成する工程、又は、第2のめっき層4を形成する工程での、Ni/Pd/Auの順でのめっき層の形成を、Ni/Pdの順でのめっき層の形成までで止めておき、第3の層を形成する工程において全面Auフラッシュめっき層を形成するようにしてもよい。
より詳しくは、例えば、第1実施形態における第1のめっき層3を形成する工程での金属板10の表側の面と裏側の面に形成するめっき層、第2実施形態における第2のめっき層4を形成する工程での金属板10の側面及び裏側の面に形成するめっき層、第3実施形態における第1のめっき層3を形成する工程での金属板10の裏側の面に形成するめっき層、第4実施形態における第2のめっき層4を形成する工程での金属板10の側面及び裏側の面に形成するめっき層におけるAg又は下地+Agめっき層の上に形成するめっき層を、Ni/Pd/Auの順で形成する代わりに、Ni/Pdの順までの形成で止めておき、第3の層を形成する工程において、全面Auフラッシュめっきを施すことにより,Ni/Pdの順に形成されためっき層の上にAuめっき層を形成するようにしてもよい。
このようにすれば、例えば、リフレクタ樹脂部や透明樹脂部を形成したときの樹脂部の密着性が向上する。
次に、本発明の実施例として、上記各実施形態のリードフレームの製造方法を用いて製造された多列型LED用リードフレーム及びその製造例について説明する。
図9は本発明の実施例1にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造されたリードフレームを用いた、樹脂付き多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は個々のリードフレーム領域におけるパッド部とリード部の配置を上面側からみた部分平面図、(b)は(a)に示すリードフレーム基材のA−A断面図、(c)は1つのリードフレーム領域に形成される樹脂付きリードフレームの断面図である。図10は図9に示す多列型LED用リードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
個々のリードフレーム領域は、図9(c)に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3と第2のめっき層4とが形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、Agめっき層で構成されている。
また、実施例1の多列型LED用リードフレームは、貫通エッチング及びハーフエッチングにより、金属板10から、夫々連結部17を備える所定形状に形成されたパッド部11とリード部12とに区画されるとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とに区画されている。個々のリードフレーム領域におけるパッド部11とリード部12との間は離れている。なお、図9(a)中、18は多列型リードフレーム製造用の金属板10における外枠部である。
次に、リードフレームの基材の表側の面には、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、裏側の面には、外部接続用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の表裏両面に第1のめっき用レジストマスク6を形成した。
次に、リードフレームの基材の表裏両面の夫々における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し(図10(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離した(図10(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、まず、設定厚さ2μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に、設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
次に、エッチング液を用いてエッチング処理を行い、夫々連結部を備える所定形状に形成されたパッド部11とリード部12とに区画され、パッド部11とリード部12との間が貫通するとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とが連結部17を備えて区画されたリードフレーム形状を形成した(図10(d)参照)。
なお、連結部17におけるパッド部11とリード部12のそれぞれの外周を区画するハーフエッチングの深さは約0.12mmであった。
次に、リードフレームの基材の表側の面に形成した第1のめっき層3の上面および側面と、リードフレームの基材の表側の面における、第1のめっき層3が形成されず、かつ、エッチングも施されていない領域と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図10(e))。
なお、第2のめっき層4は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
図11は本発明の実施例2にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造された、多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、1つのリードフレーム領域に形成されるリードフレームの断面図である。図12は図11に示すリードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
個々のリードフレーム領域は、図11に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
次に、リードフレームの基材の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層を形成し(図12(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離した(図12(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、第1のめっき層3は、例えば、Cuストライクめっき厚さ0.1μmの層とその上のAgめっき厚さ2.0μmの層との積層構造であっても良い。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(図12(d)参照)。
次に、リードフレームの基材の裏側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図12(e))。
なお、第2のめっき層4は、まず、設定厚さ2μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に、設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
図13は本発明の実施例3にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造された、多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、1つのリードフレーム領域に形成されるリードフレームの断面図である。図14は図13に示すリードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
個々のリードフレーム領域は、図13に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3の構成は、実施例1におけるものと略同じである。
第2のめっき層4は、Agめっき層もしくは下地めっき+Agめっき層、又は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
次に、リードフレームの基材の裏側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し(図14(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離した(図14(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、実施例1と同様にNi/Pd/Auの順でめっきを形成することによって得た。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(図14(d)参照)。
次に、リードフレームの基材の表側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図14(e)参照)。
なお、第2のめっき層4は、Agめっき2.0μmの層もしくはCuストライクめっき0.1μm+Agめっき2.0μmの積層、又は、設定厚さ2μmのNiめっき、設定厚さ0.03μmのPdめっき、設定厚さ0.01μmのAuめっき、設定厚さ2.0μmのAgめっきの積層を形成することによって得た。
図15は本発明の実施例4にかかるリードフレームの製造方法の製造工程を経て製造された、多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、1つのリードフレーム領域に形成されるリードフレームの断面図である。図16は図15に示すリードフレームの製造方法における製造工程の一例を示す説明図である。
個々のリードフレーム領域は、図15に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、順に形成された、Agめっき層又は下地めっき層+Agめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
次に、リードフレームの基材の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層を形成し(図16(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離した(図16(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、第1のめっき層3は、例えば、Cuストライクめっき厚さ0.1μmの層とその上のAgめっき厚さ2.0μmの層との積層構造であっても良い。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(図16(d)参照)。
次に、リードフレームの基材の裏側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図16(e)参照)。
なお、第2のめっき層4は、Agめっき2.0μmの層もしくはCuストライクめっき0.1μm+Agめっき2.0μmの積層と、設定厚さ2μmのNiめっきの層と、設定厚さ0.03μmのPdめっきの層と、設定厚さ0.01μmのAuめっきの層を形成することによって得た。
図17は図10に示す製造工程を経て得た多列型LED用リードフレームを用いた、樹脂付き多列型LED用リードフレーム、LEDパッケージの製造工程の一例を示す説明図である。
まず、モールド金型を用いてLED用リードフレームのリード部12とパッド部11との間、表側及び裏側のハーフエッチングが施された部位とその他の必要な箇所に、リフレクタ樹脂を充填してリフレクタ樹脂部15を形成し、樹脂付きの多列型LED用リードフレームを得る(図17(a)参照)。
次に、リフレクタ樹脂部15における、パッド部11及びリード部12の外周を囲む部位を連結部17とともに切断する。これにより、LEDパッケージが完成する。
なお、図17では便宜上、実施例1の製造工程を経て得た多列型リードフレームを用いたが、実施例2、実施例3、実施例4の製造工程を経て得た多列型リードフレームを用いた場合も同様である。
2 溶解剥離時間の長いレジストマスク
3 第1のめっき層
4 第2のめっき層
6 第1のめっき用レジストマスク
10 金属板(リードフレーム基材)
11 パッド部
12 リード部
13a 反射用めっき層
13b 外部接続用めっき層
14 ボンディングワイヤ
15 リフレクタ樹脂部
16 透明樹脂部
17 連結部
18 外枠部
20 LED素子
本発明のリードフレームの製造方法は、金属板の一方の側の面、又は、表裏両面の所定位置に第1のめっき層を形成する工程と、第1のめっき層を形成した後に、金属板の表側と裏側にそれぞれ剥離時間の異なるレジストマスクを、少なくとも第1のめっき層を覆うように形成する工程と、剥離時間の異なるレジストマスクを形成した後に、金属板の表側の面と裏側の面のそれぞれにおける、レジストマスクで覆われていない領域に対し、エッチング加工を行う工程と、エッチング加工を行った後に、金属板に形成したレジストマスクのうち、剥離時間の短いレジストマスクを除去する工程と、剥離時間の短いレジストマスクを除去した後に、剥離時間の短いレジストマスクの除去により露出した面と、エッチングが施されることにより露出した金属板の面とに対し、第2のめっき層を形成する工程と、第2のめっき層を形成した後に、剥離時間の長いレジストマスクを除去する工程と、を有する。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面にAgめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順にめっき層が形成され、金属板の側面及び裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面及び側面にNi/Pd/Au/Agの順にめっき層が形成され、金属板の裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
なお、第2のめっき層を形成する工程では、Agめっき層、又は、順に下地めっき層、Agめっき層を形成してもよい、このようにした場合は、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面及び側面にAgめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順にめっき層が形成され、金属板の裏側の面にNi/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
このようにすれば、エッチング加工から第2のめっき層の形成までの工程における、レジストマスクの形成回数を減らし、工程を簡素化して、コストを低減しながら、金属板の表側の面にAgめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順にめっき層が形成され、金属板の裏側の面及び側面にAg/Ni/Pd/Auの順、又は、下地/Ag/Ni/Pd/Auの順にめっき層が形成されたリードフレームが得られる。
第3の層を形成する工程としては、例えば、有機皮膜保護層の形成工程や、全面Auフラッシュを行う工程が挙げられる。
第3の層を形成する工程として、有機皮膜保護層を形成する工程を設ければ、例えば、LED用リードフレームを製造した場合におけるLED素子搭載側の反射用めっき層の表層を形成するAgめっき層の表面の曇りを防止して、反射率を維持できる。
また、第3の層を形成する工程として、全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ければ、製造後のリードフレームにおいて外部に露出する金属の酸化を防止でき、外部接続用めっき層の半田濡れ性が向上する。
このようにすれば、例えば、リフレクタ樹脂部や透明樹脂部を形成したときの樹脂部の密着性が向上する。
図2(d)の例では、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の一方の側に形成した剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、他方の側に形成した剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図2(f)参照)。
次に、金属板10の他方の側に形成した剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図2(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)と第2のめっき層4(Agめっき層)が形成され、側面(さらには凹部)には、第2のめっき層4(Agめっき層)が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図1に示すリードフレームが得られる。
また、第1実施形態のリードフレームの製造方法によれば、第1のめっき層3を形成した後に、金属板10の表側と裏側にそれぞれ剥離時間の異なるレジストマスク1,2を、少なくとも第1のめっき層3を覆うように形成してエッチング加工を行い、エッチング加工後には第2のめっき層4を形成するようにしたので、金属板10の表側の面や裏側の面に形成するめっき層をエッチングレジストとして用いずに済み、めっき層がエッチング液の影響を受けず表面に凹凸が形成されることなく平滑に保つことができる。このため、LED搭載側のめっき層の表層に光沢Agめっき層を形成するLED用リードフレームを製造する場合、光沢Agめっき層の反射率の低下を防止できる。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、Agめっき層、又は、順に形成された、下地めっき層とAgめっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
図4(d)の例では、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の裏側に形成した剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、表側に形成した剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図4(f)参照)。
次に、金属板10の表側に形成した剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図4(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Agめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順に形成されためっき層)が形成され、側面(さらには凹部)及び裏側の面には、第2のめっき層4(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図3に示すリードフレームが得られる。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
また、第2のめっき層4は、Agめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順に形成されためっき層の構成であってもよい。
図6(d)の例では、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の裏側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の表側に形成した剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、裏側に形成した剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図6(f)参照)。
次に、金属板10の裏側に形成した剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図6(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面及び側面(さらには凹部)に第2のめっき層4(Ni/Pd/Au/Agの順に形成されためっき層、又は、Agめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順に形成されためっき層)が形成され、裏側の面には、第1のめっき層3(Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図5に示すリードフレームが得られる。
金属板10の構成は、第1実施形態におけるものと略同じである。
第1のめっき層3は、例えば、Agめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順に形成されためっき層で構成される。
第2のめっき層4は、例えば、順に形成された、Agめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層、又は、順に形成された、下地めっき層とAgめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成される。
なお、第2のめっき層4は、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されるようにしてもよい。
図8(d)の例では、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面全体を覆うように形成されている。なお、第2のめっき層4が、金属板10の表側の面に形成された第1のめっき層3の側面にも形成されたリードフレームを製造する場合は、剥離時間が長い所定形状のレジストマスク2は、第1のめっき層3の露出した面のうち、金属板10とは反対側の面のみを覆い、側面を覆わないように形成する。
次に、金属板10の裏側に形成した剥離時間が短いレジストマスク1を除去し、表側に形成した剥離時間の長いレジストマスク2は残す(図8(f)参照)。
次に、金属板10の表側に形成した剥離時間が長いレジストマスク2を除去する(図8(h)参照)。
これにより、所定のリードフレーム形状に形成された金属板10における、表側の面に、第1のめっき層3(Agめっき層、又は、下地めっき/Agめっきの順に形成されためっき層)が形成され、側面(さらには凹部)及び裏側の面には、第2のめっき層4(Ag/Ni/Pd/Auの順、又は、下地/Ag/Ni/Pd/Auの順に形成されためっき層)が形成された、図7に示すリードフレームが得られる。
例えば、上記各実施形態のリードフレームの製造方法における剥離時間の長いレジストマスクを除去した後の第3の層を形成する工程として、有機皮膜保護層を形成する工程を設けてもよい。
有機皮膜保護層を形成する工程を設ければ、例えば、LED用リードフレームを製造した場合におけるLED素子搭載側の反射用めっき層の表層を形成するAgめっき層の表面の曇りを防止して、反射率を維持できる。
また、例えば、上記各実施形態のリードフレームの製造方法における剥離時間の長いレジストマスクを除去した後の第3の層を形成する工程として、全面Auフラッシュめっきを施す工程を設けてもよい。
全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ければ、製造後のリードフレームにおいて外部に露出する金属の酸化を防止でき、外部接続用めっき層の半田濡れ性が向上する。
なお、第3の層として全面Auフラッシュめっきを施す工程を設ける場合、上記各実施形態における、第1のめっき層3を形成する工程、又は、第2のめっき層4を形成する工程での、Ni/Pd/Auの順でのめっき層の形成を、Ni/Pdの順でのめっき層の形成までで止めておき、第3の層を形成する工程において全面Auフラッシュめっき層を形成するようにしてもよい。
より詳しくは、例えば、第1実施形態における第1のめっき層3を形成する工程での金属板10の表側の面と裏側の面に形成するめっき層、第2実施形態における第2のめっき層4を形成する工程での金属板10の側面及び裏側の面に形成するめっき層、第3実施形態における第1のめっき層3を形成する工程での金属板10の裏側の面に形成するめっき層、第4実施形態における第2のめっき層4を形成する工程での金属板10の側面及び裏側の面に形成するめっき層におけるAg又は下地/Agめっき層の上に形成するめっき層を、Ni/Pd/Auの順で形成する代わりに、Ni/Pdの順までの形成で止めておき、第3の層を形成する工程において、全面Auフラッシュめっきを施すことにより,Ni/Pdの順に形成されためっき層の上にAuめっき層を形成するようにしてもよい。
このようにすれば、例えば、リフレクタ樹脂部や透明樹脂部を形成したときの樹脂部の密着性が向上する。
次に、リードフレームの基材の表側の面には、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、裏側の面には、外部接続用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の表裏両面に第1のめっき用レジストマスク6を形成した。
次に、リードフレームの基材の表裏両面の夫々における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し(図10(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離液により膨潤させて剥離した(図10(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、まず、設定厚さ2μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に、設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
次に、エッチング液を用いてエッチング処理を行い、夫々連結部を備える所定形状に形成されたパッド部11とリード部12とに区画され、パッド部11とリード部12との間が貫通するとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とが連結部17を備えて区画されたリードフレーム形状を形成した(図10(d)参照)。
なお、連結部17におけるパッド部11とリード部12のそれぞれの外周を区画するハーフエッチングの深さは約0.12mmであった。
次に、リードフレームの基材の表側の面に形成した第1のめっき層3の上面および側面と、リードフレームの基材の表側の面における、第1のめっき層3が形成されず、かつ、エッチングも施されていない領域と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図10(e))。
なお、第2のめっき層4は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
個々のリードフレーム領域は、図11に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、Agめっき層、又は、順に形成された、下地めっき層とAgめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
次に、リードフレームの基材の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、順に下地めっき層、Agめっき層を形成し(図12(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離液により膨潤させて剥離した(図12(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、第1のめっき層3は、例えば、Cuストライクめっき厚さ0.1μmの層とその上のAgめっき厚さ2.0μmの層との積層構造であっても良い。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(図12(d)参照)。
次に、リードフレームの基材の裏側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図12(e))。
なお、第2のめっき層4は、まず、設定厚さ2μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に、設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
個々のリードフレーム領域は、図13に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3の構成は、実施例1におけるものと略同じである。
第2のめっき層4は、Agめっき層、又は、順に形成された、下地めっき層とAgめっき層、又は、順に形成された、Niめっき層とPdめっき層とAuめっき層とAgめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
次に、リードフレームの基材の裏側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成し(図14(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離液により膨潤させて剥離した(図14(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、実施例1と同様にNi/Pd/Auの順でめっきを形成することによって得た。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(図14(d)参照)。
次に、リードフレームの基材の表側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図14(e))。
なお、第2のめっき層4は、Agめっき2.0μmの層、又は、Cuストライクめっき0.1μmとAgめっき2.0μmの積層、又は、設定厚さ2μmのNiめっき、設定厚さ0.03μmのPdめっき、設定厚さ0.01μmのAuめっき、設定厚さ2.0μmのAgめっきの積層を形成することによって得た。
個々のリードフレーム領域は、図15に示すように、金属板10の表側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第1のめっき層3が形成されてなる反射用めっき層13aと、金属板10の裏側の面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に、第2のめっき層4が形成されてなる外部接続用めっき層13bを有している。
また、金属板10にエッチング加工により形成されたパッド部11及びリード部12の側面と、連結部17の全面と、ハーフエッチング加工により形成された凹部には、第2のめっき層4が形成されている。
第1のめっき層3は、Agめっき層、又は、順に形成された、下地めっき層、Agめっき層で構成されている。
第2のめっき層4は、順に形成された、Agめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層、又は、順に形成された、下地めっき層とAgめっき層とNiめっき層とPdめっき層とAuめっき層で構成されている。
その他の構成は、実施例1の多列型LED用リードフレームと略同じである。
次に、リードフレームの基材の表側の面における第1のめっき用レジストマスク6で覆われずに露出している領域に第1のめっき層3として、Agめっき層、又は、順に下地めっき層、Agめっき層を形成し(図16(b)参照)、第1のめっき層3を形成後、表裏両面に形成した第1のめっき用レジストマスク6を剥離液により膨潤させて剥離した(図16(c)参照)。
なお、第1のめっき層3は、設定厚さ2.0μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、第1のめっき層3は、例えば、Cuストライクめっき厚さ0.1μmの層とその上のAgめっき厚さ2.0μmの層との積層構造であっても良い。
次に、実施例1と同様のエッチング処理を行い、実施例1と同様のリードフレーム形状を形成した(図16(d)参照)。
次に、リードフレームの基材の裏側の面全体と、エッチング処理が施されることによって露出したリードフレームの基材の側面と、リードフレームの基材におけるハーフエッチングが施された凹部に、第2のめっき層4を形成した(図16(e))。
なお、第2のめっき層4は、Agめっき2.0μmの層と、設定厚さ2μmのNiめっきの層と、設定厚さ0.03μmのPdめっきの層と、設定厚さ0.01μmのAuめっきの層、又は、Cuストライクめっき0.1μmとAgめっき2.0μmの積層と、設定厚さ2μmのNiめっきの層と、設定厚さ0.03μmのPdめっきの層と、設定厚さ0.01μmのAuめっきの層を形成することによって得た。
2 剥離時間の長いレジストマスク
3 第1のめっき層
4 第2のめっき層
6 第1のめっき用レジストマスク
10 金属板(リードフレーム基材)
11 パッド部
12 リード部
13a 反射用めっき層
13b 外部接続用めっき層
14 ボンディングワイヤ
15 リフレクタ樹脂部
16 透明樹脂部
17 連結部
18 外枠部
20 LED素子
Claims (7)
- 金属板の一方の側の面、又は、表裏両面の所定位置に第1のめっき層を形成する工程と、
前記第1のめっき層を形成した後に、前記金属板の表側と裏側にそれぞれ溶解剥離時間の異なるレジストマスクを、少なくとも該第1のめっき層を覆うように形成する工程と、
前記溶解剥離時間の異なるレジストマスクを形成した後に、前記金属板の表側の面と裏側の面のそれぞれにおける、前記レジストマスクで覆われていない領域に対し、エッチング加工を行う工程と、
前記エッチング加工を行った後に、前記金属板に形成した前記レジストマスクのうち、溶解剥離時間の短いレジストマスクを除去する工程と、
前記溶解剥離時間の短いレジストマスクを除去した後に、該溶解剥離時間の短いレジストマスクの除去により露出した面と、前記エッチングが施されることにより露出した前記金属板の面とに対し、第2のめっき層を形成する工程と、
前記第2のめっき層を形成した後に、前記溶解剥離時間の長いレジストマスクを除去する工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 前記第1のめっき層を形成する工程が、前記金属板の表裏両面の所定箇所に、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する工程であり、
前記第2のめっき層を形成する工程が、Agめっき層を形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記第1のめっき層を形成する工程が、前記金属板の表側の面の所定箇所にAgめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層を形成する工程であり、
前記溶解剥離時間の異なるレジストマスクを形成する工程が、前記溶解剥離時間の短いレジストマスクを前記金属板の裏側の面、前記溶解剥離時間の長いレジストマスクを該金属板の表側の面にそれぞれ形成する工程であり、
前記第2のめっき層を形成する工程が、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記第1のめっき層を形成する工程が、前記金属板の裏側の面の所定箇所に、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する工程であり、
前記溶解剥離時間の異なるレジストマスクを形成する工程が、前記溶解剥離時間の短いレジストマスクを前記金属板の表側の面、前記溶解剥離時間の長いレジストマスクを該金属板の裏側の面にそれぞれ形成する工程であり、
前記第2のめっき層を形成する工程が、順にNiめっき層、Pdめっき層、Auめっき層、Agめっき層を形成する工程、又は、Agめっき層もしくは下地めっき層+Agめっき層を形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記第1のめっき層を形成する工程が、前記金属板の表側の面の所定箇所に、Agめっき層、又は、下地めっき層+Agめっき層を形成する工程であり、
前記溶解剥離時間の異なるレジストマスクを形成する工程が、前記溶解剥離時間の短いレジストマスクを前記金属板の裏側の面、前記溶解剥離時間の長いレジストマスクを該金属板の表側の面にそれぞれ形成する工程であり、
前記第2のめっき層を形成する工程が、順にAgめっき層又は下地めっき層+Agめっき層、Niめっき層、Pdめっき層、Auめっき層を形成する工程であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレームの製造方法。 - さらに、前記溶解剥離時間の長いレジストマスクを除去した後に、第3の層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
- さらに、前記エッチング加工を行う工程と前記溶解剥離時間の短いレジストマスクを除去する工程の間に、前記エッチングが施されることによって露出した該金属板の面に対し、粗化処理を行う工程を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
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