TWI581399B - 發光二極體 - Google Patents

發光二極體 Download PDF

Info

Publication number
TWI581399B
TWI581399B TW104130220A TW104130220A TWI581399B TW I581399 B TWI581399 B TW I581399B TW 104130220 A TW104130220 A TW 104130220A TW 104130220 A TW104130220 A TW 104130220A TW I581399 B TWI581399 B TW I581399B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting unit
unit group
group
Prior art date
Application number
TW104130220A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201618275A (zh
Inventor
李剡劤
金每恞
金京完
尹餘鎭
李錦珠
Original Assignee
首爾偉傲世有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 首爾偉傲世有限公司 filed Critical 首爾偉傲世有限公司
Publication of TW201618275A publication Critical patent/TW201618275A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI581399B publication Critical patent/TWI581399B/zh

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Description

發光二極體
本發明是有關於一種發光二極體，且特別是有關於一種根據交流電壓位準按順序驅動的發光二極體。
發明人為酒井(SAKAI)等的標題為“具有發光元件的發光裝置”的發明專利(WO2004/023568(A1))公開了一種發光二極體，其可以通過在單晶片內部將多個發光單元彼此串聯連接而在高電壓下被驅動。
通常，提供多個彼此串聯連接的發光二極體以配置交流驅動照明設備。
然而，當根據輸入交流電壓幅值按順序被多個驅動部分驅動時，通用交流驅動照明設備需要包括用於各驅動部分的至少一個發光二極體。此外，在相對較低交流電壓下驅動的發光二極體需要保持預定的驅動電流，因此在相對較低交流電壓下驅動的發光二極體的數量需要大於在高交流電壓下驅動的發光二極體的數量。也就是說，通用交流驅動照明設備很難減少發光二極體的數量。
所公開技術的目的是提供一種能夠在保持光效率的同時減少發光二極體封裝件的數量的照明設備。
所公開技術的另一個目的是提供一種能夠降低照明設備的總製造成本的照明設備。
所公開技術的又一個目的是提供一種發光二極體以及由僅一個發光二極體封裝件在高驅動電壓部分下按順序驅動的照明設備。
如上所述，所公開技術的特性配置如下，用於實現所公開技術的上述目的和所公開技術的特定效果。
根據所公開技術的示範性實施例，提供一種發光二極體，包括：基板；以及至少兩個發光單元組，其位於基板上並且具有多個彼此串聯連接的發光單元，其中至少兩個發光單元組可以各自單獨驅動，並且按照預定間隔相互隔開，以保持彼此絕緣，並且具有不同面積，另外，發光單元組可以包括：多個發光單元，包括第一半導體層、活動層和第二半導體層並且具備第一半導體層通過其暴露的凹槽；設置在第二半導體層上的第一電極；覆蓋多個發光單元的絕緣層，其暴露第一電極和第一半導體層的部分；以及連接電極，其電連接到第一電極和第一半導體層的被暴露的部分。
至少兩個發光單元組可以是具有多個彼此串聯連接的發 光單元的第一發光單元組，由第一發光單元組單獨驅動並具有多個彼此串聯連接的發光單元的第二發光單元組，以及由第一發光單元組和第二發光單元組單獨驅動並且具有多個彼此串聯連接的發光單元的第三發光單元組，並且第一發光單元組的面積比第二發光單元組的面積和第三發光單元組的面積更寬。
第一發光單元組可以設置在第二發光單元組與第三發光單元組之間。第一發光單元組和第二發光單元組可彼此相鄰設置。第一發光單元組和第二發光單元組可相鄰設置到發光二極體的中心部分。第二發光單元組的面積可寬於第三發光單元組的面積。
至少兩個發光單元組可以是第一發光單元組至第三發光單元組和第四發光單元組，所述第四發光單元組的面積不同於第一發光單元組至第三發光單元組的面積。
第三發光單元組和第四發光單元組可相鄰地設置到發光二極體的兩側的邊緣，並且第一發光單元組至第四發光單元組可以以預定間隔彼此隔開。
第二發光單元組可設置在第一發光單元組與第四發光單元組之間。
第二發光單元組的面積可寬於第三發光單元組的面積，且第三發光單元組的面積可寬於第四發光單元組的面積。
第一發光單元組的發光部分可長於第二發光單元組的發光部分。第二發光單元組的發光部分可長於第三發光單元組的發 光部分。第三發光單元組的發光部分可長於第四發光單元組的發光部分。
發光單元組可由交流電源驅動，並且當交流電源的驅動電壓增加時，至少兩個發光單元組中發出光的發光單元組的數量可增加，而當交流電源的驅動電壓降低時，至少兩個發光單元組中發光的發光單元組的數量可減少。
第一電極可包括歐姆層及反射層，所述歐姆層與第二半導體層歐姆接觸。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
20‧‧‧整流器
40‧‧‧驅動模組
100‧‧‧發光二極體
110‧‧‧第一發光單元組
120‧‧‧第二發光單元組
130‧‧‧第三發光單元組
140‧‧‧第四發光單元組
124‧‧‧第一導電型半導體層
125‧‧‧第二導電型半導體層
126‧‧‧活性層
127‧‧‧第一電極
129‧‧‧連接電極
131‧‧‧第一絕緣層
133‧‧‧第二絕緣層
135‧‧‧第三絕緣層
171‧‧‧第一上電極
173‧‧‧第二上電極
1010‧‧‧擴散罩
1020‧‧‧發光二極體模組
1021‧‧‧發光二極體
1023‧‧‧基板
1030‧‧‧主體部分
1031‧‧‧主體外殼
1033‧‧‧電源
1035‧‧‧電源外殼
1037‧‧‧電源連接件
圖1是根據所公開技術的示範性實施例用於驅動發光二極體的設備的構造的示意圖。
圖2是示出了根據公開技術的示範性實施例的發光二極體的平面圖。
圖3是示出了根據所公開技術的示範性實施例的發光二極體的發光單元的平面圖。
圖4是沿圖3中線I-I'截取的發光二極體的橫截面視圖。
圖5是示出了根據所公開技術的示範性實施例取決於照明設備中的驅動電壓的發光單元的驅動電流關係的波形圖，所述發光 單元以四級驅動部分為基礎。
圖6為分解透視圖，其中示出了根據所公開技術的示範性實施例將發光二極體應用於照明設備的一個實例。
在下文中，將參照附圖來詳細描述所公開技術的示範性實施例。為了傳遞所公開技術的思想，使與所公開技術相關領域的技術人員能夠對其有充分的瞭解，下文中將以實例的方式介紹所公開技術的示範性實施例。因此，所公開技術不限於下面描述的示範性實施例，而可以以其他的形式實施。在附圖中，為了方便起見，可能會對元件的寬度、長度、厚度等進行誇大。在整個說明書中，相同的參考標號表示相同的元件。
此外，術語‘第一正向電壓位準(Vf1)’指的是可驅動第一發光單元組的閾值電壓位準，術語‘第二正向電壓位準(Vf2)’指的是可驅動彼此串聯連接的第一發光組單元和第二發光單元組的閾值電壓位準，並且術語‘第三正向電壓位準(Vf3)’指的是可驅動彼此串聯連接的第一發光單元組至第三發光單元組的閾值電壓位準。即，「第n正向電壓位準(Vfn)」指的是可驅動彼此串聯連接的第一發光單元組至第n發光單元組的閾值電壓位準。同時，根據組成發光單元組的發光裝置的數量/特性，各個發光裝置組的正向電壓位準可以彼此相同或彼此不同。
此外，術語「順序驅動方案」指的是一種驅動方案，該 方案中，在接收幅值隨時間變化的交流電壓以驅動發光二極體的照明設備中，使多個發光裝置組隨著驅動電壓的增加按順序發光，其中驅動電壓中的交流電壓(輸入電壓)是經過整流的，並且使多個發光裝置組隨著輸入電壓的降低按順序熄滅。
圖1是根據所公開技術的示範性實施例用於驅動發光二極體的設備的構造的示意圖。
如圖1所示，根據所公開技術的示範性實施例的用於驅動發光二極體100的設備可包括：交流電源、整流器20、驅動模組40以及發光二極體100。
發光二極體100可以包括多個發光單元組。例如，發光二極體100可以包括第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140。
整流器20將來自交流電源的交流電壓進行整流以產生驅動電壓並輸出所產生的驅動電壓。整流器20不受特定限制，並且可以使用各種已知的整流電路中的一種，例如全波整流電路、半波整流電路等。例如，整流器20可以是配置有四個二極體的橋式全波整流電路。
驅動模組40使用驅動電壓來控制發光二極體100。例如，對於多個部分(第一部分到第七部分)而言，第一驅動模組可以按順序驅動第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140。第一部分被定義為從整流器20輸入的驅動電壓的電壓位準在第一正向電壓位準與第二正向 電壓位準之間、且只有第一電流路徑被連接用於第一部分因而第一發光單元組110發光的部分。
此外，第二部分被定義為從整流器20輸入的驅動電壓的電壓位準在第二正向電壓位準與第三正向電壓位準之間、且第二電流路徑被連接用於第二部分因而第一發光單元組110和第二發光單元組120均發光的部分。
此外，第三部分被定義為從整流器20輸入的驅動電壓的電壓位準在第三正向電壓位準與第四正向電壓位準之間、且第三電流路徑被連接用於第三部分因而第一發光單元組110、第二發光單元組120和第三發光單元組130均發光的部分。
第四部分被定義為從整流器20輸入的驅動電壓的電壓位準等於或大於第四正向電壓位準、且第四電流路徑被連接用於第四部分因而第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140均發光的部分。
此外，第五部分被定義為從整流器20輸入的驅動電壓的電壓位準在第四正向電壓位準與第三正向電壓位準之間、且第三電流路徑被連接用於第五部分因而第一發光單元組110、第二發光單元組120和第三發光單元組130均發光的部分。
此外，第六部分被定義為從整流器20輸入的驅動電壓的電壓位準在第三正向電壓位準與第二正向電壓位準之間、且第二電流路徑被連接用於第六部分因而第一發光單元組110和第二發光單元組120均發光的部分。
第七部分被定義為來自整流器20的驅動電壓的電壓位準在第二正向電壓位準與第一正向電壓位準之間、且只有第一電流路徑被連接用於第七部分因而第一發光單元組110發光的部分。
在此，第一部分和第七部分可被定義為第一級驅動部分，第二部分和第六部分可被定義為第二級驅動部分，且第三部分和第五部分可被定義為第三級驅動部分。此外，第四部分可被定義為第四級驅動部分。在這種情況下，第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140均可以具有不同的正向電壓位準。例如，當第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140中的每一個包括不同數量的發光單元時，第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140具有不同的正向電壓位準。
根據所公開技術的示範性實施例，發光二極體100可以包括第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140，所述第一到第四發光單元組整體地嵌入到單晶片中，以通過標準化的單個發光二極體100實現整體上的均勻亮度並實現表面光和具有各種尺寸的照明。
圖2是平面圖，示出了根據所公開技術的示範性實施例的發光二極體100。圖3是平面圖，示出了根據所公開技術的示範性實施例的發光二極體100的發光單元，且圖4是沿圖3的線I-I’截取的發光二極體100的橫截面圖。
如圖2所示，根據所公開技術的示範性實施例的發光二極體100可以包括第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140，所述發光單元組分別由順序驅動方案驅動。在此，第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140可以對應於圖1的第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140。
第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140可以具有不同的面積。第一發光單元組110的面積可大於第二發光單元組120的面積，第二發光單元組120的面積可大於第三發光單元組130的面積，以及第三發光單元組的面積可大於第四發光單元組140的面積。
第一發光單元組110和第二發光單元組120可以彼此相鄰地設置到發光二極體100的中心部分，並且第三發光單元組130和第四發光單元組140中的每個可彼此相鄰地設置到發光二極體100的邊緣。更詳細地，第一發光單元組110可以位於第二發光單元組120與第三發光單元組130之間，第二發光單元組120可以位於第一發光單元組110與第四發光單元組140之間，並且第一發光單元組110和第二發光單元組120可以彼此相鄰設置。
在發光二極體100中，第一發光單元組110到第四發光單元組140可以按順序被驅動，並且光可以從發光二極體100的中央區域發射，從而提高發光二極體的外觀品質。
如圖3和圖4所示，根據所公開技術的示範性實施例的發光二極體100可以包括具有不同尺寸的第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140。
第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140可具有不同面積，其中第一發光單元組110的面積可大於第二發光單元組120的面積，第二發光單元組120的面積可大於第三發光單元組130的面積，以及第三發光單元組130的面積可大於第四發光單元組140的面積。
第一發光單元組110和第二發光單元組120可以彼此相鄰地設置到發光二極體100的中心部分，並且第三發光單元組130和第四發光單元組140可以彼此相鄰地設置到發光二極體100的邊緣。更詳細地，第一發光單元組110可以位於第二發光單元組120與第三發光單元組130之間，第二發光單元組120可以位於第一發光單元組110與第四發光單元組140之間，並且第一發光單元組110和第二發光單元組120可以彼此相鄰地設置。
在發光二極體100中，第一發光單元組110到第四發光單元組140可以按順序被驅動，並且光可以從發光二極體100的中央區域發射，從而提高發光二極體100的外觀品質。
第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140可以在第一方向上以預定間隔彼此隔開，並且多個發光單元可以在垂直於第一方向的第二方向上彼此電連接。基板可以通過刻蝕製程暴露在第一發光單元組110、 第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140之間，並且第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140可以在其彼此絕緣的狀態下被製造。
例如，參照圖4描述第四發光單元組140，第三發光單元組可以包括基板、多個發光單元、第一電極127、第一絕緣層131、第二絕緣層133、第三絕緣層135、連接電極129、第一上電極171和第二上電極173。
基板可包括比如藍寶石、碳化矽或氮化鎵(GaN)的材料。任何材料都可用於基板，只要它可以誘導形成的薄膜的生長。
多個發光單元形成在基板上並且可以包括第一導電型半導體層124、活性層126和第二導電型半導體層125。在這種情況下，第一導電型半導體層124可以為n型導電型，活性層126可以具有多量子阱結構，並且第二導電型半導體層125可以形成在活性層126上。根據所公開技術的示範性實施例，如果第一導電型半導體層124為n型導電型，那麼第二導電型半導體層125可為p型導電型。儘管沒有示出，但是如果需要，在基板與第一導電型半導體層124之間可額外地形成緩衝層(未示出)，以促進單晶生長。
此外，多個發光單元彼此分開，同時沿一個方向以預定距離彼此間隔開。在這種情況下，分開的結構被蝕刻直到第一導電型半導體層124，使得相鄰發光單元各自可以彼此間隔開。此 外，多個發光單元各自可以具備凹槽，通過該凹槽，第一導電型半導體層124的部分通過蝕刻製程暴露於發光單元的中心部分處。
第一電極127可以設置在第二導電型半導體層125上。第一電極127可以包括歐姆層和反射層，其中，歐姆層可由金屬或透明電極層形成，並且可應用任何金屬，只要其可歐姆接觸第二導電型半導體層125。此外，反射層可以包括如銀(Ag)和鋁(Al)的金屬。
形成第一絕緣層131以覆蓋多個發光單元和暴露的基板。當歐姆層和反射層形成在第二導電型半導體層125上時，第一絕緣層131用於保護歐姆層和反射層免於被沉積在檯面邊界表面處。在這種情況下，第一絕緣層131的厚度可以是大約1000Å。
第二絕緣層133可以覆蓋第一絕緣層131並且覆蓋包括歐姆層和反射層的第一電極127的一部分以及第一導電型半導體層124的被暴露的部分。在這種情況下，第一絕緣層131和第二絕緣層133可以覆蓋第一導電型半導體層124的被暴露的部分，以使得連接電極129可以接觸第一導電型半導體層124。
連接電極129可以用於電連接在相鄰發光單元之間。具體地，連接電極129可以將位於一側的發光單元上暴露的第一電極127電連接至位於另一側的發光單元的中心部分處暴露的第一導電型半導體層124。也就是說，連接電極129接觸第一導電型半導體層124，而連接電極129填充一部分，在其中覆蓋在發光單元的中心部分處形成的凹槽的檯面邊界表面的第一絕緣層131和第 二絕緣層133並沒有覆蓋第一導電型半導體層124的一部分。因此，連接電極129覆蓋第二絕緣層133、被暴露的第一電極127以及被暴露的第一導電型半導體層124。
第三絕緣層135覆蓋連接電極129並且覆蓋多個發光單元以暴露位於多個發光單元的側面處的第一電極127的部分並且暴露位於其他側面處的連接電極129的部分。
第一上電極171和第二上電極173位於第三絕緣層135上，第一上電極171電連接到多個發光單元的側面處被暴露的第一電極127，並且第二上電極173電連接到多個發光單元的其他側面處被暴露的連接電極129。
在根據所公開技術的示範性實施例的發光二極體100中，具有不同面積的第一發光單元組110、第二發光單元組120、第三發光單元組130和第四發光單元組140可嵌入在單晶片中，隨著驅動正向電壓位準的降低可具有更大的面積，並且可以相鄰地設置在發光二極體100的中心部分處，從而通過標準化的發光二極體100實現整體上的均勻亮度並實現表面光以及具有各種尺寸的照明。
圖5是波形圖，示出了根據所公開技術的一個示範性實施例取決於照明設備中的驅動電壓的發光單元的驅動電流關係，所述發光單元以四級驅動部分為基礎。
當輸入驅動電壓VP達到第一正向電壓位準Vf1時，發光二極體的第一發光單元組在t1時刻被第一驅動電流ILED1驅動。
當驅動電壓VP的電壓位準進一步升高達到第二正向電壓位準Vf2時，第二發光單元組從t2時刻開始被第二驅動電流ILED2驅動。在這種情況下，由於驅動電壓VP等於或大於第一正向電壓位準Vf1，因此第一發光單元組保持驅動狀態。
當驅動電壓VP的電壓位準進一步升高達到第三正向電壓位準Vf3時，第三發光單元組在t3時刻被第三驅動電流ILED3驅動。在這種情況下，由於驅動電壓VP等於或大於第二正向電壓位準Vf2，因此第一發光單元組和第二發光單元組均保持驅動狀態。
當驅動電壓VP的電壓位準進一步升高達到第四正向電壓位準Vf4時，第四發光單元組在t4時刻被第四驅動電流ILED4驅動。在這種情況下，由於驅動電壓VP等於或大於第三正向電壓位準Vf3，因此第一發光單元組到第三發光單元組均保持驅動狀態。
此外，當驅動電壓VP隨著時間的推移達到最大值並且接著電壓位準下降到低於第四正向電壓位準Vf4時，第四發光單元組的驅動在t5時刻停止，而且由於驅動電壓VP等於或大於第三正向電壓位準Vf3，因此第一發光單元組到第三發光單元組均保持驅動狀態。
當驅動電壓VP的電壓位準隨著時間的推移下降到低於第三正向電壓位準Vf3時，第三發光單元組的驅動在t6時刻停止，而且由於驅動電壓VP等於或大於第二正向電壓位準Vf2，因此第一發光單元組和第二發光單元組均保持驅動狀態。
當驅動電壓VP的電壓位準隨著時間的推移下降到低於第 二正向電壓位準Vf2時，第二發光單元組的驅動在t7時刻停止，而且由於驅動電壓VP等於或大於第一正向電壓位準Vf1，因此第一發光單元組保持驅動狀態。
如上所述，所公開技術的示範性實施例描述了四級驅動部分作為一個實例。在此，單晶片中嵌入的第一發光單元組到第四發光單元組按順序被驅動，從而通過標準化的發光二極體實現均勻亮度並實現表面光和具有各種尺寸的照明。
圖6是分解透視圖，其中示出了根據所公開技術的示範性實施例將發光二極體應用到照明設備上的一個實例。
參考圖6，根據所公開技術的示範性實施例的照明設備可以包括擴散罩1010、發光二極體模組1020以及主體部分1030。
主體部分1030可以容納發光二極體模組1020，且擴散罩1010可以設置在主體部分1030上以覆蓋發光二極體模組1020的上部。
主體部分1030可以容納並支撐發光二極體模組1020，且可以採用任何形式，只要其可以將電力供應給發光二極體模組1020。例如，如圖所示，主體部分1030可以包括主體外殼1031、電源1033、電源外殼1035以及電源連接件1037。
在這種情況下，電源1033可以容納在電源外殼1035內，以電連接到發光二極體模組1020並且可以包括至少一個IC晶片。IC晶片可以對提供給發光二極體模組1020的電力特性進行調整、轉換或控制。
電源外殼1035可以容納並支撐電源1033，而且其中容納電源1033的電源外殼1035可以位於主體外殼1031內部。
電源連接件1037可設置在電源外殼1035的下部並且可被連接到電源外殼1035。因此，電源連接件1037可電連接到電源外殼1035內部的電源1033並且因此可用作可向電源1033供應外部電源的通路。
發光二極體模組1020可包括基板1023和設置在基板1023上的發光二極體1021。發光二極體模組1020可設置在主體外殼上並且可電連接至電源1033。
可使用任何基板，只要基板1023可支撐發光二極體1021。例如，基板1023可以是包括佈線的印刷電路板。基板1023可以對應於主體外殼1031上的固定部分的形式形成，使得基板1023可被穩定地固定到主體外殼1031上。
擴散罩1010可設置在發光二極體1021上並且可固定到主體外殼1031上以覆蓋發光二極體1021。擴散罩1010可由透光材料製成，並且可控制擴散罩1010的形式和透光率以控制照明設備的方向特性。因此，擴散罩1010可根據照明設備的用途和應用作出各種形式的改變。
根據所公開技術的示範性實施例的發光二極體，具有不同面積的多個發光單元組可嵌入在單晶片中，可隨著驅動正向電壓位準降低而具有更大的面積，並且可相鄰地設置在發光二極體的中心部分，從而通過標準化的發光二極體實現整體上的均勻亮 度並且實現表面光及具有各種尺寸的照明。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
124‧‧‧第一導電型半導體層
125‧‧‧第二導電型半導體層
126‧‧‧活性層
127‧‧‧第一電極
129‧‧‧連接電極
131‧‧‧第一絕緣層
133‧‧‧第二絕緣層
135‧‧‧第三絕緣層
140‧‧‧第四發光單元組
171‧‧‧第一上電極
173‧‧‧第二上電極

Claims (16)

  1. 一種發光二極體，包括：基板；以及至少兩個發光單元組，其位於所述基板上並具有多個彼此串聯連接的發光單元，其中所述至少兩個發光單元組各自單獨驅動，以預定間隔彼此隔開從而使彼此相互絕緣，並且具有不同的面積，並且所述發光單元組包括：多個發光單元，其包括第一半導體層、活性層和第二半導體層並具備所述第一半導體層通過其暴露的凹槽；第一電極，其設置在所述第二半導體層上；第一絕緣層及第二絕緣層，覆蓋所述多個發光單元以暴露所述第一電極和所述第一半導體層的部分；連接電極，其電連接到被暴露的所述第一電極和所述第一半導體層的被暴露的所述部分；第三絕緣層，覆蓋所述連接電極及所述多個發光單元並暴露位於多個所述發光單元的側面處的所述第一電極的部分且暴露位於其他側面處的所述連接電極的部分；第一上電極，設置於所述第三絕緣層上，並電連接至被暴露的所述第一電極；以及第二上電極，設置於所述第三絕緣層上，並電連接至被暴露的所述連接電極電連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中所述至少兩個發光單元組是具有所述多個彼此串聯連接的發光單元的第一發光單元組、由所述第一發光單元組單獨驅動並具有所述多個彼此串聯連接的發光單元的第二發光單元組，以及由所述第一發光單元組和所述第二發光單元組單獨驅動並具有所述多個彼此串聯連接的發光單元的第三發光單元組，並且所述第一發光單元組的面積比所述第二發光單元組的面積和所述第三發光單元組的面積更寬。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中所述第一發光單元組設置在所述第二發光單元組與所述第三發光單元組之間。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中所述第一發光單元組和所述第二發光單元組彼此相鄰設置。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中所述第一發光單元組和所述第二發光單元組彼此相鄰地設置在所述發光二極體的中心部分。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中所述第二發光單元組的面積比所述第三發光單元組的面積更寬。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中至少兩個發光單元組是所述第一發光單元組至所述第三發光單元組以及面積不同於具有與所述第一發光單元組至所述第三發光單元組的面積的第四發光單元組。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體，其中所述第三發光單元組和所述第四發光單元組相鄰地設置在所述發光二極體兩側的邊緣。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體，其中所述第一發光單元組至所述第四發光單元組以預定間隔彼此間隔開。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體，其中所述第二發光單元組設置在所述第一發光單元組與所述第四發光單元組之間。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體，其中所述第二發光單元組的面積寬於所述第三發光單元組的面積，並且所述第三發光單元組的面積寬於所述第四發光單元組的面積。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體，其中所述第一發光單元組的發光部分長於所述第二發光單元組的發光部分。
  13. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體，其中所述第二發光單元組的發光部分長於所述第三發光單元組的發光部分。
  14. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體，其中所述第三發光單元組的發光部分長於所述第四發光單元組的發光部分。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中所述發光單元組由交流電源驅動，並且當所述交流電源的驅動電壓增加時，所述至少兩個發光單元組中發光的發光單元組的數量增加，並且當所述交流電源的所述驅 動電壓降低時，所述至少兩個發光單元組中發光的發光單元組的數量減少。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，其中所述第一電極包括歐姆層和反射層，所述歐姆層歐姆接觸所述第二半導體層。
TW104130220A 2014-09-15 2015-09-14 發光二極體 TWI581399B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140122196 2014-09-15
KR1020150009479A KR20160031938A (ko) 2014-09-15 2015-01-20 발광 다이오드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201618275A TW201618275A (zh) 2016-05-16
TWI581399B true TWI581399B (zh) 2017-05-01

Family

ID=55645270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104130220A TWI581399B (zh) 2014-09-15 2015-09-14 發光二極體

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20160031938A (zh)
TW (1) TWI581399B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102550007B1 (ko) * 2016-11-30 2023-07-03 서울바이오시스 주식회사 복수의 발광셀들을 가지는 발광 다이오드
KR101895979B1 (ko) * 2018-03-28 2018-09-06 현영길 Led칩 일체형 기판을 구비한 led 등기구

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201026139A (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
TW201119506A (en) * 2005-06-28 2011-06-01 Seoul Opto Device Co Ltd Light emitting device
TW201212219A (en) * 2010-02-19 2012-03-16 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light emitting device having multi-cell array, light emitting module, and illumination apparatus
TW201406200A (zh) * 2012-07-18 2014-02-01 Lextar Electronics Corp 發光晶片及具有其之發光裝置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201119506A (en) * 2005-06-28 2011-06-01 Seoul Opto Device Co Ltd Light emitting device
TW201026139A (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
TW201212219A (en) * 2010-02-19 2012-03-16 Samsung Led Co Ltd Semiconductor light emitting device having multi-cell array, light emitting module, and illumination apparatus
TW201406200A (zh) * 2012-07-18 2014-02-01 Lextar Electronics Corp 發光晶片及具有其之發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201618275A (zh) 2016-05-16
KR20160031938A (ko) 2016-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101239853B1 (ko) 교류용 발광 다이오드
JP5490997B2 (ja) 交流駆動型の発光ダイオード
US8188489B2 (en) Light emitting diode for AC operation
US8354680B2 (en) AC light emitting diode having full-wave light emitting cell and half-wave light emitting cell
TW201620153A (zh) 發光元件的電極結構
JP5655302B2 (ja) 照明装置
US20130062634A1 (en) Solid state light source module and array thereof
TWI581399B (zh) 發光二極體
US20140091351A1 (en) Light emitting diode chip
KR20100108907A (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자
US20160123565A1 (en) Circuit board for driving flip-chip light emitting chip and light emitting module comprising the same
US9093611B2 (en) Light-emitting diode chip
JP2012094661A (ja) 発光装置及び照明装置
TWI513067B (zh) 發光二極體結構
KR101138975B1 (ko) 전파 발광셀 및 반파 발광셀을 갖는 교류용 발광 다이오드
KR20100047795A (ko) 발광 다이오드
TWI528855B (zh) 交流發光二極體模組
KR20120124640A (ko) 발광 다이오드
KR101649267B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드
WO2021109093A1 (zh) 一种微器件及显示装置
CN102479795A (zh) 交流发光二极管模块
KR20100084457A (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드
KR20160041359A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 조명장치
TWM500999U (zh) 發光二極體及其照明裝置
KR20130005903A (ko) 3단자 발광 소자 및 이를 이용하는 조명 회로