JP4981005B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
3 配線膜
4 電極パッド
5 ダミー領域
6 蛍光体膜
7 蓄光ガラス膜
8 ヒューズ素子
9 キャパシタ
10 インダクタ
11 基板
13 高温バッファ層
14 n形層
15 活性層
16 p形層
17 半導体積層部
17a 分離溝
18 透光性導電層
19 p側電極(上部電極)
20 n側電極(下部電極)
21 絶縁膜
Claims (9)
- 基板上に発光層を形成するように積層したp型層およびn型層を有する半導体積層部を分離溝によって分離した複数の発光部と、発光部のp型層またはn型層を他の発光部のp型層またはn型層と接続するための複数の配線膜とを有する半導体発光装置であって、
さらに、基板上の第1方向に沿ってp型層とn型層とが順に露出した発光部を第1方向に沿って複数配置し、発光部のn型層と隣接する発光部のp型層とを配線膜にて接続した第1発光部群と、
第1発光部群から第1方向とは異なる第2方向にずれた第1発光部群の隣の位置に、第1方向と平行方向に第1発光部群と逆の順でn型層とp型層とが順に露出した発光部を第1方向と平行方向に複数配置し、発光部のp型層と隣接する発光部のn型層とを配線膜にて接続した第2発光部群とを備え、
さらに、発光部間に設けた発光に寄与しないダミー領域に、第1発光部群の発光部のp型層と第2発光部群の発光部のn型層とを接続し、第1発光部群の他の発光部のn型層と第2発光部群の他の発光部のp型層とを接続する発光部群間配線膜を複数設けることによって、pn関係が逆方向に並列接続された2個1組の発光部を直列に接続した半導体発光装置。 - 分離溝は、分離溝を挟んだ半導体積層部の表面が実質的に同一面になる場所に形成される請求項1に記載の半導体発光装置。
- 複数の発光部を形成するための電気的分離が、半導体積層部に形成される溝内に完全に絶縁膜が埋め込まれていなくてもその表面に配線膜を形成し得る幅である0.6〜5μmの幅で形成される分離溝および前記分離溝内に埋め込まれる絶縁膜によって形成される請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記分離溝の深さが3〜6μm程度である請求項3に記載の半導体発光装置。
- 第1発光部群および第2発光部群に接続される、基板上に設けた電極パッドと対向配置され、電極パッドと直接接続するための配線を有する回路基板と、
回路基板の配線に電極パッドが直接接続されてフリップチップ接続された基板の、半導体積層部とは逆の面に、蛍光体膜を有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。 - 蛍光体膜上に蓄光ガラス膜を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- さらに、第1発光部群および第2発光部群と直列接続されるヒューズ素子を有する請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- ダミー領域上に配線膜により渦巻き形状を設けることにより、発光部間にインダクタを有する請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 配線膜の少なくとも一部を透光性導電層により形成した請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
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