JP5736479B2 - 発光素子、発光素子製造方法 - Google Patents
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Description
。
光素子である。最近の発光ダイオードは輝度が徐々に増加するようになってディスプレイ
用光源、自動車用光源、及び照明用光源に使用が増加しており、蛍光物質を利用するか、
多様な色の発光ダイオードを組合せることによって効率に優れる白色光を発光する発光ダ
イオードも具現が可能である。
活性層の構造を改善する方法、電流広がりを向上する方法、電極の構造を改善する方法、
発光ダイオードパッケージの構造を改善する方法など、多様な方法が試みられている。
ケージを提供することにある。
にある。
導体層と、上記第2導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第1導電型半導体
層と、上記第1導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。
及び第2導電型半導体層を順次に積層して発光構造物を形成するステップと、上記発光構
造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、上記シリコン基板を選択的に除去して
保護素子の胴体を形成するステップと、上記保護素子の胴体に第1導電型ドーパントを注
入するステップと、上記胴体の下部領域に第2導電型ドーパントを注入してドーピング部
を形成するステップと、上記胴体及び上記ドーピング部のうちの少なくとも1つに電極を
形成するステップと、を含む。
ケージが得られる。
各層(膜)、領域、パッド、またはパターンの“上(on)”に、または“下(under)”
に形成されることと記載される場合において、“上(on)”と“下(under)”は、“直
接(directly)”または“他の層を介して(indirectly)”形成されることを全て含む。
また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
は概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するので
はない。
発光素子パッケージ、及び照明システムについて説明する。
子100の上面図である。
性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記接着層15
8の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157、上記反射
層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上記保護部材
155の上に発光構造物145、上記発光構造物145の上に第1電極170、及び保護
素子115を含むことができる。
体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150
を含み、これらは光を生成する構造物をなす。
に上記発光素子100に電源を提供する。
アルミニウム(Al)、白金(Pt)、金(Au)、タングステン(W)、銅(Cu)、
モリブデン(Mo)、またはドーパントが注入された半導体基板のうち、少なくともいず
れか1つを含んで形成できる。
はボンディング層であって、上記伝導性支持部材160と上記発光構造物145との間の
界面接合力を向上させるための層である。
u、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むように形成できる。また、上記接着
層158は、多数の相異する材質の層からなる多層構造を有することができる。
伝導性支持部材160が充分な接着力を有する材質で形成される場合、上記接着層158
は形成されないこともある。
材155が形成できる。上記保護部材155は、上記発光構造物145と上記伝導性支持
部材160とが互いに電気的にショート(Short)することを防止することができる。
i3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、ZnO
のうち、少なくとも1つが選択されて形成できる。
発光構造物145から入射された光を反射させて上記発光素子100の発光効率を向上さ
せることができる。
Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含む金属または合
金で形成できる。また、上記反射層157は、上記金属または合金とIZO、IZTO、
IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO等の透光性伝導性物質を用いて多層で形
成することができ、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO
/Ag/Ni等で積層できる。上記反射層157は光効率を増加させるためのものであっ
て、必ず形成されなければならないのではない。上記反射層157の上には上記オーミッ
ク接触層156が形成できる。
流が流れることができるようにオーミック接触を形成するために形成できる。
ーミック接触層156は別途に形成されないこともあり、これに対して限定するのではな
い。
ち、少なくとも1つを含むように形成できるが、これに対して限定するのではない。即ち
、上記オーミック接触層156は透光性伝導層と金属を選択的に使用することができ、I
TO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin
oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc
oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、A
TO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、R
uOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/IT
Oのうち、1つ以上を用いて単層または多層で具現できる。
形成できる。上記発光構造物145は多数の半導体層を含んで光を生成することができる
。例えば、上記発光構造物145は、少なくとも第1導電型半導体層130、上記第1導
電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体
層150を含むことができる。
体層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の
組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、
AlN、InNなどから選択されることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等のp型
ドーパントがドーピングできる。
40は、上記第1導電型半導体層130を通じて注入される電子(または、正孔)と上記
第2導電型半導体層150を通じて注入される正孔(または、電子)とが互いに出会い、
上記活性層140の形成物質に従うエネルギーバンド(Energy Band)のバンドギャップ
(Band Gap)の差によって光を放出する層である。
一量子井戸構造、または多重量子井戸構造(MQW:Multi Quantum Well)のうち、少
なくとも1つを含むことができるが、これに限定されるのではない。
x+y≦1)の組成式を有する半導体材料で形成できる。上記活性層140が上記多重量
子井戸構造で形成された場合、上記活性層140は複数の井戸層と複数の障壁層が積層さ
れて形成されることができ、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成でき
る。
たクラッド層(図示せず)が形成されることもでき、上記クラッド層(図示せず)はAl
GaN層またはInAlGaN層で具現できる。
1導電型半導体層130の上面にはパターンまたはラフネス(凹凸部)131が形成され
て、上記発光素子100の光抽出効率を向上させることができる。
含むこともできるが、これに対して限定するのではない。
体層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の
組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、
AlN、InNなどから選択されることができ、Si、Ge、Sn等のn型ドーパントが
ドーピングできる。
、上記第2導電型半導体層150がn型半導体層を含むこともできる。また、上記第1導
電型半導体層130の上にはn型またはp型半導体層を含む第3導電型半導体層(図示せ
ず)が形成されることもでき、これによって、上記発光素子100は、np、pn、np
n、pnp接合構造のうち、少なくともいずれか1つを有することができる。また、上記
第1導電型半導体層及び上記第2導電型半導体層の内の導電型ドーパントのドーピング濃
度は、均一または不均一に形成できる。即ち、上記発光構造物145の構造は多様に形成
されることができ、これに対して限定するのではない。
Current Blocking Layer:CBL)(図示せず)が形成できる。上記電流遮断層(図示せ
ず)の上面は上記第2導電型半導体層150と接触し、上記電流遮断層(図示せず)の下
面及び側面は上記オーミック接触層156と接触する。
プされるように形成されることができ、これによって上記第1電極170と上記伝導性支
持部材160との間の最短距離に電流が集中される現象を緩和して、上記発光素子100
の発光効率を向上させることができる。
より電気伝導性の低い物質、上記第2導電型半導体層150とショットキー接触を形成す
る物質、または電気絶縁性物質を用いて形成できる。
Al2O3、TiO2、Ti、Al、Crのうち、少なくとも1つを含むことができる。
形成できる。
提供することができる。上記第1電極170は、例えば、アルミニウム(Al)、チタニ
ウム(Ti)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、金(Au)のうち、少
なくとも1つを含んで形成されることができ、相異する材質で形成された多数の層を含む
多層構造で形成できる。
好ましくは、上記発光構造物145から放出される光の吸収を最小化するために、上記第
1導電型半導体層130の周り領域に形成できる。
現象、または静電気放電(ESD:Electro Static Discharge)現象から上記発光構造物
145を保護することができる。即ち、過剰電圧、過剰電流、及び逆電流などが発生する
場合、上記発光構造物145の代わりに上記保護素子115に電流が流れるようになって
、上記発光構造物145が損傷することを防止することによって、上記発光素子100の
耐電圧特性を向上させることができる。
成できる。例えば、上記保護素子115は半導体製造工程を導入して、シリコンにドーピ
ングを行って微細なサイズに形成できるので、上記発光素子100の発光効率を阻害せず
に本来の目的を達成することができる。
導電体110a、上記導電体110aの上部にn型ドーパントが注入されたドーピング部
112、上記導電体110aの上に第3電極114、及び上記ドーピング部112の上に
第2電極116を含むことができる。
ン基板をエッチングなどにより選択的に除去することによって製造できる。即ち、上記発
光構造物145を成長するに当たって、使われる上記シリコン基板を選択的に除去して上
記保護素子115の導電体110aで形成することによって、製造工程を簡単で、かつ効
率的に実施することができる。
型半導体をなすことができる。上記p型ドーパントは、例えば、Mg、Be、Bのうち、
少なくとも1つを含むことができる。
部112は、上記導電体110aの上部領域にn型ドーパントを注入することによって形
成できる。上記n型ドーパントは、例えば、N、P、As、Sbのうち、少なくとも1つ
を含むことができる。
がn型半導体層である場合、上記導電体110aにn型ドーパントが注入され、上記ドー
ピング部112にp型ドーパントが注入されることもできる。
には上記第2電極116が形成できる。上記第2及び第3電極116、114にはワイヤ
が連結されて外部の電極と電気的に連結できる。
に連結され、上記伝導性支持部材160と上記第2電極116とも互いに同一な外部電極
に電気的に連結できる。
、互いに並列で連結されることができ、互いに反対方向に順方向電流を流すダイオード(
diode)で示すことができる。特に、上記保護素子115は、少なくとも上記発光構造物
145の動作電圧より大きい降伏電圧(Breakdown Voltage)を有するツェナダイオード
(Zener Diode)として機能するように設計できる。
145に対しては逆方向電流であり、上記保護素子115に対しては順方向電流であるの
で、上記保護素子115のみに電流が流れるようになる。
光構造物145に対しては順方向電流であり、上記保護素子115に対しては逆方向電流
であるので、上記発光構造物145に電流が流れるようになって、上記発光素子100が
光を放出するようになる。
大きい過剰電圧により流れる過剰電流である場合、トンネリング現象(Tunneling Effect
)などにより上記保護素子115が通電されて電流が急激に流れるようになる。したがっ
て、上記発光構造物145の代わりに上記保護素子115に過剰電流が流れるようになっ
て、上記発光構造物145の損傷が防止できる。
5の動作電圧より大きいことがあり、例えば、3V乃至100Vでありえるが、これに対
して限定するのではない。上記保護素子115の降伏電圧(Breakdown Voltage)は、上
記保護素子115の導電体110a及びドーピング部112のサイズ及びドーピング濃度
などを調節して決定できる。
上記保護素子115を形成することによって、上記発光素子100の過剰電流、逆方向電
流などから保護して信頼性を向上させることができる。
図である。
る。上記発光構造物145は、例えば、上記第1導電型半導体層130、活性層140、
及び第2導電型半導体層150を順次に積層することによって形成できる。
上記シリコン(Si)基板110は、サファイア基板などに比べて価格が安いだけでなく
、加工が容易な長所などがある。
(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、化学蒸着法(CVD:Che
mical Vapor Deposition)、プラズマ化学蒸着法(PECVD:Plasma-Enhanced Chemic
al Vapor Deposition)、分子線成長法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)、水素化物
気相成長法(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)等の方法を用いて形成されるこ
とができ、これに対して限定するのではない。
定数差及び熱膨張率差を緩和するために、2つの層の間にはバッファ層(図示せず)が形
成できる。上記バッファ層(図示せず)は、例えば、InxAlyGa1−x−yN(0
≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体材料で形成されること
ができ、単層または多層構造で形成できる。
ことができる。上記保護部材155は電気絶縁性を有する材質、例えば、SiO2、Si
xOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZ
O、ZnOのうち、少なくとも1つが選択されて形成されることができ、スパッタリング
(Sputtering)、PECVD等の蒸着方式により形成できるが、これに対して限定するの
ではない。
れ、上記オーミック接触層156の上に上記反射層157が形成できる。上記オーミック
接触層156及び上記反射層157は、スパッタリング(Sputtering)、PECVD、電
子ビーム(E-Beam)蒸着等の蒸着方式により形成できる。
ち、少なくとも1つを含むように形成できる。また、上記反射層157は、例えば、銀(
Ag)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、または銅(Cu)
のうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。
8が形成され、上記接着層158の上に上記伝導性支持部材160が形成できる。
接合力を向上させるために形成されることができ、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、C
r、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むように形
成できる。
58の上にボンディング(bonding)できる。または、上記伝導性支持部材160は、メ
ッキ方式または蒸着方式により形成されることもでき、この場合、上記接着層158は形
成されないこともある。
アルミニウム(Al)、白金(Pt)、金(Au)、タングステン(W)、銅(Cu)、
モリブデン(Mo)、またはドーパントが注入された半導体基板のうち、少なくともいず
れか1つを含むように形成できる。
の導電体110aを形成することができる。上記導電体110aは、好ましくは上記発光
構造物145の下面の周り領域に形成できるが、これに対して限定するのではない。
選択的に除去されて上記導電体110aが提供できる。上記導電体110aは、図示した
ように、多角柱形態で形成できるが、その形態や製造方法に対して限定するのではない。
以後、上記導電体110aにp型ドーパントを注入して、上記導電体110aをp型半導
体で形成できる。
、レーザリフトオフ工程(LLO:Laser Lift Off)のように発光素子の歩留まりを減少
させることができる工程が省略できるので、上記発光素子100の製造工程の信頼性が向
上することができる。
サファイア基板などをベース基板として形成し、上記サファイア基板をLLOにより除去
した後、上記発光構造物145に蒸着方法などにより上記導電体110aを形成すること
もでき、これに対して限定するのではない。
よって、上記ドーピング部112を形成することができる。上記ドーピング部112は、
上記導電体110aの下部領域の一部分に形成できる。
クパターンを形成した後、上記マスクパターンに沿って上記n型ドーパントをイオン注入
法(Ion Implantation)、熱拡散法(Thermal Diffusion)などにより注入できる。但し
、これに対して限定するのではない。
ングを実施し、上記発光構造物145の下面、即ち、上記第1導電型半導体層130の下
面に光抽出効率を増加させるために、上記パターンまたはラフネス131を形成すること
ができる。
分できる。上記パターンまたはラフネス131は、上記発光構造物145から放出される
光の抽出効率を向上させることができる。
きる。上記パッシベーション層(図示せず)は、上記発光構造物145を電気的に保護す
るために形成されることができ、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N
4、Al2O3で形成できるが、これに対して限定するのではない。
上記導電体110aの下面には上記第3電極114を形成し、上記ドーピング部112の
下面には上記第2電極116を形成することによって、上記保護素子115を含む第1実
施形態に従う発光素子100が提供できる。
に連結され、上記伝導性支持部材160と上記第2電極116とも互いに同一な外部電極
に電気的に連結できる。
。
態に従う発光素子100Bは、第1実施形態に従う発光素子100に比べて保護素子の電
極及び動作原理を除いては同一である。
、上記伝導性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記
接着層158の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157
、上記反射層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上
記保護部材155の上に発光構造物145、及び上記発光構造物145の上に第1電極1
70及び保護素子115bを含むことができる。
体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150
を含み、これらは光を生成する構造物をなす。
型半導体層150はp型半導体層である場合を中心として説明する。但し、これに対して
限定するのではない。
た導電体110a、上記導電体110aの上部にp型ドーパントが注入されたドーピング
部112、及び上記ドーピング部112の上に第2電極116を含むことができる。上記
第2電極116は、上記伝導性支持部材160のような外部電源に連結できる。
は電流が流れないので動作しなくなる。
電流が流れる代わり、上記保護素子115bと上記第1導電型半導体層130を通じて電
流が流れるので、上記発光構造物145の活性層140の損傷を防止することができる。
)以上の過多な順方向電流が印加される場合、上記保護素子115bが通電されて上記発
光構造物145の代わりに上記保護素子115bと上記第1導電型半導体層130を通じ
て電流が流れるようになって、上記発光構造物145の活性層140の損傷を防止するこ
とができる。
。
態に従う発光素子100Cは、第1実施形態に従う発光素子100に比べて第1電極が形
成されないという点と、保護素子のドーピング及び動作原理を除いては同一である。
、上記伝導性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記
接着層158の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157
、上記反射層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上
記保護部材155の上に発光構造物145、上記発光構造物145の上に保護素子115
c、及び上記保護素子115cの上に形成された第2電極116及び第3電極114を含
むことができる。
体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150
を含み、これらは光を生成する構造物をなす。一方、以下では上記第1導電型半導体層1
30はn型半導体層を含み、上記第2導電型半導体層150はp型半導体層である場合を
中心として説明する。但し、これに対して限定するのではない。
た導電体110a、上記導電体110aの上部にp型ドーパントが注入されたドーピング
部112、及び上記ドーピング部112の上に第2電極116及び上記導電体110aの
上に第3電極114を含むことができる。
電極114は上記伝導性支持部材160と共に上記発光構造物145に電源を提供する。
上記保護素子115cの導電体110aと上記第1導電型半導体層130とが同一な極性
(n型)を有するためである。
により上記逆方向電流が流れることが防止されるか、多過ぎる逆方向電流が印加される場
合には、上記保護素子115cが通電されて上記保護素子115cを通じて上記逆方向電
流が流れることができる。これによって、上記発光素子100の発光構造物145が保護
できる。
態に従う発光素子100Dは、発光構造物145の側面にパッシベーション層180が形
成されて外部から上記発光構造物145を保護することができる。
が露出されるように形成される。
15dが形成されない領域側の保護部材155より狭い幅で形成されて上記接着層158
の一部が露出できる。そして、上記露出された接着層158に上記第2電極116が連結
できる。
極116が形成されて上記接着層158と電気的に連結される。即ち、上記第2電極11
6は一端が上記ドーピング部112と接し、上記パッシベーション層180の表面に形成
されて他端が上記接着層158と連結される。上記第2電極116は、上記接着層158
と連結されて上記伝導性支持部材160と電気的に連結できる。
、上記伝導性支持部材160の上に接着層158、上記伝導性支持部材160または上記
接着層158の上面の周り領域に保護部材155、上記接着層158の上に反射層157
、上記反射層157の上にオーミック接触層156、上記オーミック接触層156及び上
記保護部材155の上に発光構造物145、上記発光構造物145の上に保護素子115
d、及び上記保護素子115dの上に形成された第2電極116及び第3電極114を含
むことができる。
体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150
を含み、これらは光を生成する構造物をなす。一方、以下では上記第1導電型半導体層1
30はn型半導体層を含み、上記第2導電型半導体層150はp型半導体層である場合を
中心として説明する。但し、これに対して限定するのではない。
た導電体110a、上記導電体110aの上部にp型ドーパントが注入されたドーピング
部112、上記ドーピング部112の上に第2電極116、及び上記導電体110aの上
に第3電極114を含むことができる。
電極114は上記伝導性支持部材160と共に上記発光構造物145に電源を提供する。
上記保護素子115dの導電体110aと上記第1導電型半導体層130とが同一な極性
(n型)を有するためである。
により上記逆方向電流が流れることが防止されるか、多過ぎた逆方向電流が印加される場
合には、上記保護素子115dが通電されて上記保護素子115dを通じて上記逆方向電
流が流れることができる。これによって、上記発光素子100の発光構造物145が保護
できる。
。
記パッケージ胴体20に設けられた第1電極層31及び第2電極層32、上記パッケージ
胴体20に設けられて上記第1電極層31及び第2電極層32と電気的に連結される実施
形態に従う発光素子100、及び上記発光素子100を囲むモールディング部材40を含
む。
成されることができ、上記発光素子100の周囲に傾斜面が形成できる。
0に電源を提供する。また、上記第1電極層31及び第2電極層32は、上記発光素子1
00で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子100で発
生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。
第2電極層32に電気的に連結できる。具体的には、上記発光素子100は、上記第1電
極層31または第2電極層32のうち、いずれか1つの上に設けられることができ、例え
ばワイヤ(wire)により上記第1電極層31または第2電極層32のうち、他の1つと電
気的に連結できる。また、上記発光素子100の保護素子も上記第1及び第2電極層31
、32にワイヤにより連結できる。但し、上記発光素子100の電極連結構造に対して限
定するのではない。
護することができる。また、上記モールディング部材40には蛍光体が含まれて上記発光
素子100から放出された光の波長を変化させることができる。
トを示す図である。但し、図16のバックライトユニット1100は照明システムの一例
であり、これに対して限定するのではない。
、上記ボトムフレーム1140の内に配置された光ガイド部材1120、及び上記光ガイ
ド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110を含
むことができる。また、上記光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置で
きる。
10、及び上記反射シート1130が収納できるように上面が開口されたボックス(box
)形状で形成されることができ、金属材質または樹脂材質で形成できるが、これに対して
限定するのではない。
従う発光素子パッケージを含むことができる。上記複数個の発光素子パッケージは、上記
光ガイド部材1120に光を提供することができる。
面のうち、少なくともいずれか1つに配置されることができ、これによって上記光ガイド
部材1120の少なくとも1つの側面に向けて光を提供することができる。
上記光ガイド部材1120の下面に向けて光を提供することもでき、これは上記バックラ
イトユニット1100の設計に従って多様に変形可能であるので、これに対して限定する
のではない。
ガイド部材1120は、上記発光モジュール1110から提供を受けた光を面光源化して
、表示パネル(図示せず)にガイドできる。
うる。上記導光板は、例えばPMMA(polymethyl metaacrylate)のようなアクリル樹
脂系列、PET(polyethylene terephthlate)、PC(poly carbonate)、COC、及
びPEN(polyethylene naphthalate)樹脂のうちの1つで形成できる。
光シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。例えば、上記光学シート1150
は、上記拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートが積層されて形成で
きる。この場合、上記拡散シート1150は上記発光モジュール1110から出射された
光を均等に拡散させ、上記拡散された光は上記集光シートにより表示パネル(図示せず)
に集光できる。この際、上記集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であ
るが、上記輝度上昇シートは上記集光シートから出射された光の偏光度を増加させること
ができる。上記集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートでありうる
。また、上記輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルム(Dual Brightness Enhancem
ent film)でありうる。また、上記蛍光シートは、蛍光体が含まれた透光性プレートまた
はフィルムとなることもできる。
ート1130は、上記光ガイド部材1120の下面を通じて放出される光を上記光ガイド
部材1120の出射面に向けて反射することができる。
ジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。
図である。但し、図17の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに対
して限定するのではない。
胴体1210に設けられた発光モジュール1230、及び上記ケース胴体1210に設け
られ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1220を含むことができる。
ば金属材質または樹脂材質で形成できる。
とも1つの実施形態に従う発光素子パッケージ200を含むことができる。
、一般印刷回路基板(PCB:Printed Circuit Board)、メタルコア(Metal Core)P
CB、軟性(Flexible)PCB、セラミックPCBなどを含むことができる。
に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。
0が載置できる。上記発光素子パッケージ200は、各々少なくとも1つの発光ダイオー
ド(LED:Light Emitting Diode)を含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色
、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード、及び紫外線(U
V:Ultra Violet)を発光するUV発光ダイオードを含むことができる。
合を有するように配置できる。例えば、高演色性(CRI)を確保するために、白色発光
ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。また
、上記発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には蛍光シートがさらに配
置されることができ、上記蛍光シートは上記発光モジュール1230から放出される光の
波長を変化させる。例えば、上記発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯
を有する場合、上記蛍光シートには黄色蛍光体が含まれることができ、上記発光モジュー
ル1230から放出された光は上記蛍光シートを経て最終的に白色光と見られるようにな
る。
給することができる。図17の図示によれば、上記連結端子1220は、ソケット方式に
より外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子
1220は、ピン(pin)形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電
源に連結されることもできる。
、光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少
なくともいずれか1つが配置されて、希望する光学的効果を得ることができる。
でなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特
性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分
かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。
そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範
囲に含まれるものと解釈されるべきである。
Claims (14)
- 伝導性支持部材と、
前記伝導性支持部材の上面のエッジ(edge)領域に保護部材と、
前記伝導性支持部材の上に発光構造物と、
前記発光構造物の上の第1領域に第1電極と、
前記発光構造物の上の第2領域に保護素子と、
を含み、
前記保護素子は、第1導電型ドーパントを含む胴体と、前記胴体の上部領域に第2導電型ドーパントを含むドーピング部と、前記ドーピング部の上に第2電極とを含み、
前記保護素子は、前記発光構造物の上面のエッジ領域に形成され、
前記発光構造物は、前記伝導性支持部材の上に第2導電型半導体層、前記第2導電型半導体層の上に活性層及び前記活性層の上に第1導電型半導体層を含み、
前記保護素子の胴体は、シリコン(Si)材質を含み、前記第1導電型半導体層の上面と接して形成されることを特徴とする発光素子。 - 前記接着層の上に前記伝導性支持部材の上に接着層と、
前記接着層の上にオーミック層と、をさらに含み、
前記接着層は、前記保護部材の底面と一側面に接することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記オーミック層の底面は、前記保護部材の他側面を包むことを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 前記接着層の一部は、前記保護部材の一側面の上側に露出され、
前記接着層の上面と前記保護部材の上面は、同じ高さで配置されることを特徴とする請求項2または3に記載の発光素子。 - 前記第2電極の一端は、前記保護素子の胴体のドーピング部と接し、
前記第2電極の他端は、前記露出した接着層と接することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記第2電極は、前記接着層と連結されて前記伝導性支持部材と電気的に連結されることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記保護素子の側面と接するパッシベーション層を含み、
前記パッシベーション層の表面に前記第2電極が形成されて前記接着層と電気的に連結されることを特徴とする請求項2ないし6のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記オーミック層の底面は、前記保護部材の底面より低く配置されることを特徴とする請求項2ないし7のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記保護部材と前記保護素子は、上下にオーバーラップされることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記保護素子が形成される領域側の保護部材は、前記保護素子が形成されない領域側の保護部材より狭い幅で形成されたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1導電型半導体層はn型半導体層を含み、
前記第2導電型半導体層はp型半導体層を含み、
前記第1導電型ドーパントはp型ドーパントであり、
前記第2導電型ドーパントはn型ドーパントを含むことを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記保護素子は、前記第1導電型半導体層の上面のエッジ領域に直接接することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記保護部材の上面のエッジは露出することを特徴とする請求項1ないし12のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記保護素子は、降伏電圧(Breakdown Voltage)が3Vないし100Vであるツェナーダイオードであることを特徴とする請求項1ないし13のいずれか一項に記載の発光素子。
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