CN101615648A - 发光元件、发光器件及制造发光元件和发光器件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光器件、发光装置及其制造方法，该发光器件包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；发射图案，其包括在第一电极与第二电极之间的部分；以及阻挡图案，其包括在发射图案与第一电极之间的部分和/或与第一电极处于相同高度。

Description

发光元件、发光器件及制造发光元件和发光器件的方法
技术领域
本发明的实施方式涉及发光元件，包括该发光元件的发光器件，以及制造该发光元件和/或发光器件的方法。更具体地，本发明的实施方式涉及采用电流阻挡图案且与常规元件和/或器件相比具有改良的光效率的发光元件和发光器件。本发明的实施方式还涉及制造该发光元件和/或器件的方法。
背景技术
发光元件，例如发光二极管(LED)，被用于各种应用，例如，显示器、数字钟、远程控制、手表、计算器、手机、指示灯、背光源等。
LED一般由于电致而发光，即，由于电子-空穴对的复合而发光。在半导体p-n结处的电流导致电子-空穴对复合。当电子和空穴复合时，能量以光子的形式发出。在有机发光二极管(OLED)中，例如，当电流从阴极经过有机层例如发射层和导电层流到阳极时，能量可以以光子的形式释放。
虽然LED已经广泛应用，但是仍需要具有改良光效率(light efficiency)的发光元件，例如LED。
发明内容
因此，实施方式针对发光元件、采用该发光元件的发光器件和制造该发光元件和/或发光器件的方法，本申请基本克服了由于现有技术的限制和缺点所导致的一个或多个问题。
因此，实施方式的特征在于提供一种使用电流阻挡图案的发光器件，以与常规器件相比提高光效率。
因此，实施方式的另一特征在于提供一种形成与常规器件相比具有提高光效率的发光器件的方法。
因此，实施方式的另一特征在于提供一种包括阻挡图案的发光器件，该阻挡图案适于在发光器件的发光区的整个发射图案上分散电流。
因此，实施方式的特征在于提供一种包括电流分散机构的发光器件，该电流分散机构沿发光器件的一个电极与另一电极之间的电流路径布置，从而分散从一个电极流到另一电极的所有电流且在与其相关的整个发射图案上分散所有电流。
至少一个上述和其它特征和优点可通过提供一种发光器件而分别实现，该发光器件包含：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；发射图案，其包括在第一电极与第二电极之间的部分；以及阻挡图案，其包括在发射图案与第一电极之间的部分和/或与第一电极处于相同高度。
第一电极可包括实质上沿第一方向延伸的第一部分以及实质上沿第二方向延伸的第二部分，第一部分与第二方向交叉。
第一电极可包括限定空腔的两个突起部分，该空腔的上部分宽于该空腔的下部分。
第一电极可包括限定发光区和非发光区的多个突起，第二电极可重叠发光器件的非发光区。
阻挡图案可包括绝缘材料。
阻挡图案可包括氧化层、氮化层、氮化物-氧化物层、铝氧化物层和/或铝氮化物层。
至少部分阻挡图案直接在第一电极上。
第一电极是基本上和/或完全平坦的。
阻挡图案可包括第一阻挡图案和第二阻挡图案。
第一阻挡图案和第二阻挡图案的每一个可以是线图案、网图案和点图案之一。
第一阻挡图案和第二阻挡图案布置为彼此相对偏移，使得至少部分第一阻挡图案重叠由第二阻挡图案限定的间隔，部分第二阻挡图案重叠由第一阻挡图案限定的间隔。
第一阻挡图案的图案与第二阻挡图案的图案互补。
至少部分第一阻挡图案可位于发射图案与第一电极之间和/或与第一电极处于相同高度，至少部分第二阻挡图案位于发射图案与第二电极之间和/或与第二电极处于相同高度。
该器件还包含位于发射图案下方的第一导电图案和位于发射图案上方的第二导电图案。
第一导电图案、发射图案和/或第二导电图案的每个都包含InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1且0≤y≤1。
第一电极可布置为使得部分第一导电图案高于第一电极且第一导电图案的另一部分低于第一电极。
第一电极的至少一个部分与发射图案的相应部分和/或阻挡图案的相应部分处于相同高度。
至少部分阻挡图案与部分第二导电图案对齐和/或嵌入在部分第二导电图案内。
至少部分阻挡图案与部分第一导电图案对齐和/或嵌入在部分第一导电图案内。
该器件还可进一步包括布置在至少一个第一电极与发射图案之间和/或第二电极与发射图案之间的欧姆图案。
欧姆图案可包括与至少部分所述阻挡图案互补的互补图案且该互补图案与阻挡图案的互补部分布置在相同高度。
欧姆图案可包括位于第一电极与发射图案之间的第一欧姆图案以及位于发射图案与第二电极之间的第二欧姆图案。
阻挡图案可包括突起。
该器件可进一步包括位于第二电极与阻挡图案之间的缓冲层。
缓冲层可包括InxAlyG(1-x-y)、SixCyN(1-x-y)，其中0≤x≤1且0≤y≤1。
第一电极可括反射材料。
一种发光装置可包括发光器件；在基板上且电连接到第一电极的第一导电区；以及在基板上且电连接到第二电极的第二导电区。
发光装置是液晶显示器背光单元、投影器或灯。
第一电极可通过导电基板电连接到第一导电区，第二电极可经由电线电连接到第二导电区，在该导电基板上布置第一电极。
第一电极和第二电极可分别经过导电树脂电连接到第一导电区和第二导电区。
第一导电区和第二导电区可位于基板的第一侧，该发光装置还可进一步包括：在基板的第二侧的第三导电区；在基板的第二侧的第四导电区；将第一导电区连接到第三导电区的至少一个通路；以及将第二导电区连接到第四导电区的至少一个通路。
该器件还可包括在发光器件上的磷光体层。
磷光体层可包括透明树脂，其中磷光体分散在透明树脂内、分散在透明树脂上和/或分散在透明树脂和发光器件之间。
发光装置可包括多个发光器件，磷光体层以线型和/或点型方式布置在发光器件上。
至少一个上述和其它特征和优点可通过提供一种发光器件而分别实现，该发光器件包含：在导电基板上的第一电极；在第一电极上的第二电极；包括位于第一电极与第二电极之间的部分的发射图案；以及适于调节流经发射图案的电流的电流调节装置，其中至少部分电流调节装置沿第一电极与发射图案之间的电流路径布置，使得从第一电极流到发射图案的所有电流在到达发射图案之间经过至少部分电流调节装置。
电流调节装置可包括布置在第一电极与发射图案之间和/或与第一电极处于相同高度的第一调节(regulating)图案。
电流调节装置可包括绝缘体。
该器件还可包括导电图案和缓冲装置，该导电图案位于发射图案上，该缓冲装置用于保护电流调节装置和/或用于作为发射图案上的导电图案的籽晶。
实施方式的至少一个上述和其它特征和优点可通过提供一种制造发光器件的方法而分别实现，该方法包括：在基板上形成阻挡图案；在基板上形成导电图案；在基板上形成发射图案；在基板上形成另一导电图案；基本上和/或完全在发射图案的第一侧形成第一电极；以及基本上和/或完全在发射图案的第二侧形成第二电极，发射图案的第一侧与第二侧相反，其中阻挡图案包括位于发射图案与第一电极之间和/或与第一电极处于相同高度的部分。
该方法可包括在基板上形成另一阻挡图案，其中另一阻挡图案包括位于发射图案与第二电极之间和/或与第二电极处于相同高度的部分。
形成导电图案可至少部分发生在形成阻挡图案之前，阻挡图案形成于基板上的至少部分导电图案上。
该方法可包括在另一阻挡图案和另一导电图案的至少之一上形成缓冲层，在缓冲层上形成欧姆层，其中形成第二电极可包括在欧姆层上形成第二电极。
形成另一阻挡图案可发生在形成另一导电图案和形成阻挡图案之前，另一导电图案可形成于另一阻挡图案上，阻挡图案可形成于发射图案和另一导电图案上。
基板可以是临时基板，该方法还可包括将第一电极电连接到导电基板以及去除临时基板，其中形成第二电极可发生在去除临时基板之后且可包括在另一导电图案上形成第二电极，在去除临时基板之前，第二电极可形成于另一导电图案的面对临时基板的一侧。
该方法还可包括：在形成另一阻挡图案之前，依次在临时基板上形成牺牲层和缓冲层；以及在去除临时基板和牺牲层之后，在缓冲层上形成欧姆层以及在另一欧姆层上形成第二电极。
形成另一导电图案、形成发射图案和形成导电图案可包括：依次在另一阻挡图案上形成另一导电层、发射层和导电层；以及选择性地蚀刻导电层、发射层和另一导电层，以分别形成导电图案、发射图案和另一导电图案，其中导电图案、发射图案和另一导电图案可形成中间结构的发射结构。
形成阻挡图案可包括：在发射结构的暴露部分上形成阻挡层，选择性地构图阻挡层以形成阻挡图案，从而暴露部分导电图案，该方法还可包括至少在导电图案的暴露部分上形成欧姆图案。
形成发射结构可包括去除导电层、另一导电层和发射层的相应部分以在中间结构中形成沟槽。
形成阻挡图案和形成另一阻挡图案可包括分别以线型、点型和/或网型方式形成并构图阻挡绝缘层和另一阻挡绝缘层。
附图说明
通过结合附图对本发明的示范性实施方式进行详细描述，对本领域的技术人员来说，本发明的上述和其它特性和优点将变得更加清楚，附图中：
图1示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第一示例性实施方式的发光器件的横截面图；
图2A、图2B和图2C示出了可用于图1的发光器件中的阻挡图案的示例性实施方式的顶部侧视图；
图3A和图3B示出了在图1的发光器件中的阻挡图案的示例性配置的俯视图(top-down view)；
图4A和图4B分别示出了在运行期间图1的示例性发光器件的示例性光和电流图案的横截面图；
图5示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第二示例性实施方式的发光器件的横截面视图；
图6示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第三示例性实施方式的发光器件的横截面视图；
图7A和图7B示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第四示例性实施方式的发光器件的横截面视图；
图8示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第一示例性实施方式的发光装置的横截面视图；
图9A和图9B分别示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第二示例性实施方式的发光装置的横截面视图和顶部侧视图；
图10示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第三示例性实施方式的发光装置的横截面视图；
图11示出了在根据采用本发明的一个或多个方案的第一示例性实施方式的图9A的发光装置中磷光层的横截面视图；
图12示出了在根据采用本发明的一个或多个方案的第二示例性实施方式的图9A的发光装置中磷光层的横截面视图；
图13示出了在根据采用本发明的一个或多个方案的第三示例性实施方式的图9A的发光装置中磷光层的横截面视图；
图14示出了示例性发光装置的示例性第一导电区域和示例性第二导电区域的总示意图；
图15A和图15B示出了图11的磷光体和第二透明树脂的示例性配置；
图16示出了采用本发明的一个或多个方案的发光器件的示例性背光的横截面图；
图17示出了采用发光器件的示例性放映机的视图，该发光器件采用本发明的一个或多个方案；
图18A、图18B和图18C示出了采用发光器件的示例性照明器件，其中该发光器件采用本发明的一个或多个方案的发光器件；以及
图19A、图19B、图19C、图19D、图19E、图19F、图19G、图19H和图19I示出了用于制造图1的示例性发光器件的示例性方法的步骤。
具体实施方式
现将参考其中示出本发明的示例性实施方式的附图在其后更加全面地描述本发明的一个或多个方案的实施方式。然而，本发明的方案可以以不同的形式实现且不应解释为限于这里阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开充分和完整，且向那些本领域的技术人员全面地传达本发明的范围。
在附图中，为了图解清晰夸大了层和区域的尺寸。可以理解当元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在其他元件上或还可以存在中间的元件。另外，将理解当元件被称为在另一元件“下”时，它可以直接在其它元件下，或者也可以存在一个或多个中间元件。另外，将理解当元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是在这两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。另外，将理解例如当元件被称为在两个元件“之间”时，它可以物理配置在两个元件的面对/重叠部分之间，和/或它可以物理配置成使得两个元件中的其中之一在该元件下方而两个元件中的另一个在该元件上方。可以理解虽然术语第一和第二等可以用于此来描述各种元件，但是这些元件应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件与另一元件。因此，以下讨论的第一元件可以被称为例如第二元件，而不背离本发明的教导。通篇说明书中相似的附图标记指示相似的元件。
图1示出了采用本发明的一个或多个方案的发光器件100的第一示例性实施方式的横截面视图。图2A、图2B和图2C示出了可用于图1的发光器件100中的阻挡图案120、106的示例性实施方式的顶部侧视图。图3A和图3B示出了在图1的发光器件100中的示例性阻挡图案120、106的示例性配置的俯视图。
参照图1，发光器件100可包括发射结构110、第一电极140、第二电极150、第一阻挡图案120、第二阻挡图案106、第一欧姆层130、第二欧姆层145、缓冲层104、导电基板202和中间层210。发射结构110可包括第一导电图案112、发射图案114和第二导电图案116。
更具体地，中间层210可以在导电基板202上。导电基板202可包括例如Si、应变Si、Si合金、绝缘体上硅(SOI)、SiC、SiGe、SiGeC、Ge、Ge合金、GaAS、InAs、III-V化合物半导体、II-VI化合物半导体等。中间层210可将第一电极140接合到导电基板202。中间层210可包括例如Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr、Ti、W等。
第一电极140可在中间层210上。第一电极140可包括例如反射材料，使得在发射图案114产生且发射到第一电极140上的至少一些光可被反射而离开第一电极140。例如，第一电极140可包括Ag、Al等。
在一些实施方式中，例如，第一电极140可包括底部分140a和一个或多个侧部分140b，底部分140a可与中间层210和/或导电基板202的形状相似，例如，底部分140a可实质上沿例如平行于中间层210的x-y平面延伸。侧部分140b可沿一方向延伸，该方向与第一电极140的底部分140a延伸的平面交叉。更具体地，例如，参照图1，第一电极140的侧部分140b通常可相对于底部分140a呈大于90°角度延伸，使得相应的侧部分140b的对向(facing)下部分(例如，相对靠近导电基板202的部分)之间的距离小于相应的侧部分140b的对向上部分(例如，相对更远离导电基板202的部分)之间的距离。
侧部分140b中相邻或相应的侧部分可一起限定在发光器件100的第一电极140中的突起(protrusion)141。在一些实施方式中，第一电极140可包括限定第一电极140与导电基板202之间的凹槽118的至少一个突起141。图1的示例性发光器件100示出了具有单一突起141的实施方式。在一些实施方式中，例如，第一电极140的突起141和/或侧部分140b可限定一个或多个空腔(cavity)142a、142b。更具体地，例如，第一电极140可限定一个或多个空腔142a和一个或多个其它空腔142b，其中空腔142a相应于发光器件100的发光区，空腔142b相应于发光器件100的非发光区。
实施方式不限于此，原因在于，例如，由空腔例如空腔142a、142b产生的发光器件100的多个区域中的一个、一些或所有区域可对应于发光器件100的发光区。突起141可包括例如基本上类似倒U的形状或基本上类似倒V的形状。
另外，在一些实施方式中，第一电极140的部分140c可在发射图案114的高度(level)上方延伸，例如在关于z方向高于发射图案114的高度延伸。即，例如，参考图1，至少一些发射结构110可布置在由侧部分140b限定的空腔142a(例如，碗形空腔)内。更具体地，例如，发射图案114和第二导电图案116可完全位于空腔142a内。在一些实施方式中，第一电极140的部分140c可嵌入部分的第一导电图案112。应该理解，在一些实施方式中，第一电极140是完全和/或基本上平坦的，即，不包括任何侧部分140b或突起141。
第一阻挡图案120可在第一电极140上，例如直接在第一电极140上。参照图1，第一阻挡图案120可与第一电极140相似。更具体地，在图1中示出的示例性实施方式中，例如，第一阻挡图案120可包括至少一个突起121，突起121相应于第一电极140的突起141。另外，参照图1，部分第一阻挡图案120可与部分第一电极140处于关于z-方向的相同高度处和/或可关于z-方向高于部分第一电极140。至少部分第一阻挡图案120可低于发射图案114并与第一电极140处于相同高度和/或高于第一电极140。至少部分第一阻挡图案120可位于发射图案114与第一电极140之间。在图1示出的示例性实施方式中，阻挡图案120可完全覆盖第一电极140的侧部分140b并部分覆盖底部分140a，即部分暴露第一电极140的底部分140a。
参照图1，第一阻挡图案120可被构图以暴露第一电极140的一个或多个部分。例如，参照图2A、2B和2C，第一阻挡图案120可包括在图2A中示出的线图案、在图2B中示出的网图案(mesh pattern)、在图2C中示出的点图案等。在一些实施方式中，低于发射图案114的至少部分的第一阻挡图案120，例如重叠第一电极140的底部分140a的部分，可被构图以暴露第一电极140。更具体地，例如，在一些实施方式中，至少部分第一阻挡图案120可被构图以暴露部分第一电极140，其中该至少部分第一阻挡图案120基本上和/或完全平行于一平面例如x-y平面延伸，来自发光器件100的光穿过该平面发出；第一电极的其它部分例如140b、140c被第一阻挡图案120完全覆盖。
第一阻挡图案120可包括例如绝缘材料。例如，第一阻挡图案120可包括氮化物层、氧化物层和/或，更具体地，氧化物-氮化物层、铝氧化物层、铝氮化物层等。
参照图3A和图3B，第一阻挡图案120和第二阻挡图案106可配置为相对彼此偏离，例如，互补。例如，参照图3A，在其中第一阻挡图案120具有线图案且第二阻挡图案106具有线图案的实施方式中，第一阻挡图案120的线可至少部分和/或完全重叠第二阻挡图案106的线之间的间隔(space)，和/或第二阻挡图案106的线可至少部分和/或完全重叠第一阻挡图案120的线之间的间隔。更具体地，例如，在实施方式中，第一阻挡图案120和第二阻挡图案106可彼此完全互补，使得与发射图案114相关的阻挡图案(例如，第一阻挡图案120和第二阻挡图案106)的结合完全重叠发射图案114。
作为另一实例，参照图3B，在其中第一阻挡图案120具有点图案且第二阻挡图案106具有点图案的实施方式中，第一阻挡图案120的点可至少部分和/或完全重叠第二阻挡图案106的点之间的间隔，和/或第二阻挡图案106的点可至少部分重叠第一阻挡图案120的点之间的间隔。应该理解实施方式不限于此，例如，第一阻挡图案120和第二阻挡图案106的各自图案可具有不互补的图案。
第一欧姆层130可电连接第一电极140和发射结构110。第一欧姆层130可包括例如ITO(铟锡氧化物)、Zn、ZnO、Ag、Ti、Al、Au、Ni、In2O3、SnO2、Cu、W和Pt中的至少之一。第一欧姆层130可至少部分填充由第一阻挡层120的图案限定的开口。参照图1，第一欧姆层130和第一阻挡图案120可一起形成发光器件100中的层，例如连续层或图案。即，例如，在一些实施方式中，第一欧姆层130可占据由第一阻挡图案120限定的间隔。
参照图1，发射结构110可包括依次层叠在一起的第一导电图案112、发射图案114和第二导电图案116。第二导电图案116可在第一阻挡图案120和/或第一欧姆图案130上。发射图案114可在第二导电图案116上。发射图案114可位于与第一电极140相同高度处和/或高于至少部分第一电极140，并低于第二电极150。第一导电图案112可以在发射图案114上。
如上所讨论的，在一些实施方式中，第一电极140可包括侧部分140b和/或突起141。在该实施方式中，例如，发射结构110的底部分可包括对应于该侧部分140b和/或突起141的形状。例如，参照图1，侧部分140b和/或突起141可在发射结构110的相应部分之间延伸。更具体地，例如，突起141可在发射结构110在空腔142a内的部分与发射结构110在空腔142b内的其它部分之间延伸。参照图1，突起141可在第二导电图案116和发射图案114的高度上方延伸，并且可仅部分延伸到第一导电图案112中，即延伸到低于第一导电图案112上表面的高度。
第一导电图案112、发射图案114和/或第二导电图案116的每一个都可包括InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1且0≤y≤1。更具体地，例如，第一导电图案112、发射图案114和/或第二导电图案116可包括GaN，例如AlGaN、InGaN等。在实施方式中，第一导电图案112可以是n型和p型之一，第二导电图案116可以是p型和n型中的另一种。发射图案114可对应于发光器件100的由于第一导电图案112和第二导电图案116的载流子复合而产生光的区域。另外，第一导电图案112的表面可被纹理化(texture)以提高光提取(light extraction)效率。实施方式不限于此，例如，在一些实施方式中，例如，发射结构110可包括形成有机电致发光结构的多个有机层。
第二阻挡图案106可在第一导电图案112上和/或内。第二阻挡图案106可高于发射图案114以及在与第二电极150的相同高度处和/或低于第二电极150。
第二阻挡图案106可被构图以暴露部分的第一电极140。例如，参照图2A、2B和图2C，第二阻挡图案106可包括如在图2A中示出的线图案、在图2B中示出的网图案或在图2C中示出的点图案。第二阻挡图案106可包括，例如绝缘材料。例如，第二阻挡图案106可包括氮化物层、氧化物层和/或，更具体地，氧化物-氮化物层、铝-氧化物层和/或铝-氮化物层。
更具体地，第一阻挡图案120和第二阻挡图案106可布置在第一电极140与第二电极150之间的电流路径内。即，例如，在实施方式中，从第一电极140流到第二电极150或从第二电极150流到第一电极140的电流分别经过第一阻挡图案120和第二阻挡图案106。更具体地，例如，在第一电极140与第二电极150之间的电流路径经过至少部分第一阻挡图案120和第二阻挡图案106，使得沿电流路径流动的电流在到达发射图案114之前经过第一阻挡图案120和第二阻挡图案106的至少之一。例如，当第二电极150高于第一电极140且发射图案114与第一电极140处于相同高度和/或发射图案114高于第一电极140且低于第二电极150时，第一阻挡图案120可与第一电极140处于相同高度处和/或高于第一电极140，其中至少部分第一阻挡图案120低于发射图案114，至少部分第二阻挡图案106可高于发射图案114且与第二电极150处于相同高度和/或低于第二电极150。如果所有的第一阻挡图案120都低于第一电极140，则第一阻挡图案120不影响第一电极140与第二电极150之间的电流。
第一阻挡图案120和/或第二阻挡图案106可调节施加到第一电极140和/或第二电极150的偏置电流(bias current)。第一阻挡图案120和/或第二阻挡图案106可提高发射结构110的光效率。例如，通过例如促进流过至少在发光器件100的发光区内的发射图案114的所有和/或基本所有区域的电流，通过例如促进流过至少部分在相应于发光器件100发光区的空腔142a内的发射图案114的所有和/或基本所有区域的电流，第一阻挡图案120和第二阻挡图案106可提高光效率。更具体地，通过将第一阻挡图案120和第二阻挡图案106布置为互补，可促进经过发射图案114的所有和/或基本所有区域的电流。
参照图1，缓冲层104可在第一导电图案112和/或第二阻挡图案106上。缓冲层104可在激光剥离(LLO，laser lift off)期间保护第二阻挡图案106，如下所述。缓冲层104还可在第一导电图案112的形成，例如生长期间用作籽晶层(seed layer)。缓冲层104可改善第一导电图案112、发射图案114和/或第二导电图案116的结晶(crystallinity)。缓冲层104可包括例如可用作籽晶层的任意材料。缓冲层104可包括例如InxAlyG(1-x-y)、SixCyN(1-x-y)，其中0≤x≤1且0≤y≤1。
第二欧姆层145可以在缓冲层104上。第二欧姆层145可包括例如ITO、Zn、ZnO、Ag、Ti、Al、Au、Ni、In2O3、SnO2、Cu、W和/或Pt。第二欧姆层145可促进电流扩散(spreading)且有助于避免和/或减少例如在第二电极150与第一导电图案112之间流动的电流的电流拥挤(current crowding)。第二欧姆层145可以是透明的，从而使发射结构110产生的光能被射出。
第二电极150可在第二欧姆层145上。第二电极150可与第一导电图案112电连接。第二电极150可包括例如ITO、Cu、Ni、Cr、Au、Ti、Pt、Al、V、W、Mo和/或Ag。第二电极150可沿例如Z方向高于第一电极140和/或发射图案114。更具体地，在包括非发光区和发光区的实施方式中，例如，在图1的实施方式中，第二电极150可与相应于非发光区的空腔142b交叠，而不与相应于发光区的空腔142a交叠，即第二电极150不阻挡从发光区发出的光。
另外，在包括一个或多个发光区例如发光区142a和一个或多个非发光区例如非发光区142b的一些实施方式中，仅第一阻挡图案120和/或第二阻挡图案106被构图，以暴露发光区142a中第一电极140和/或第二电极150的相应部分，而第一阻挡图案120和第二阻挡图案106不被构图和/或分别完全与非发光区例如非发光区142b中的第一电极140和第二电极150交叠。
参照图4A和图4B，以下将描述在运行状态期间图1中示出的发光器件100的示例性光和电流图案。例如，在一些实施方式中，第一导电图案112是n型，而第二导电图案116是p型。在这些实施方式中，第一偏压，例如正偏压(V+或I+)可通过第一电极140和第一欧姆图案130施加到第二导电图案116，第二偏压，例如负偏压(V-或I-)可施加到第一导电图案112。正向偏压(forward bias)可施加到发射结构110，光在发射图案114处产生。参照图4A和图4B，在该状态下，例如流过发射图案114的电流可产生光L，部分光L可从第二阻挡图案106限定的一个或多个开口直接发出，部分光L可被第一电极140反射并经过由第二阻挡图案106限定的一个或多个开口发出。更具体地，如在图4B中示出，在正向偏压操作期间，电流(如图4B中箭头所示)可从第一电极140流到第二电极150。第一阻挡图案120和/或第二阻挡图案106可调节电流。更具体地，例如，在其中第一阻挡图案120和第二阻挡图案106彼此互补布置的实施方式中，电流可流经发射图案114的所有和/或基本所有区域。在其中电流流经发射图案114的所有和/或基本所有区域的实施方式中，光效率被改善，例如光效率被提高。
图5示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第二示例性实施方式的发光器件200的横截面视图。概括地，以下将仅描述在发光器件200与图1的发光器件100之间的差别。
参照图5，发光器件200可包括第一电极240。第一电极240可包括底部分240a和侧部分240b。然而，与图1的示例性发光器件100的第一电极140相比，示例性发光器件200的第一电极240不包含突起141。示例性发光器件200的第一电极240的侧部分240b可限定空腔242。更具体地，发光器件200的第一电极240可仅包括一个空腔242。即，例如，在一些实施方式中，发光器件200可不包含相应于非发光区的空腔。发射图案114可以至少部分在空腔242内。第二电极150与空腔242交叠。
图6示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第三示例性实施方式的发光器件300的横截面视图。概括地，以下将仅描述发光器件300与图1的发光器件100之间的差别。
参照图6，发光器件300可包括第一电极340。第一电极340可与中间层210的形状一致和/或与其上布置中间层210的导电基板202的一侧一致。例如，如果第一电极340布置在基本平坦的导电基板202一侧，则第一电极340可基本上沿平面延伸。与图1的发光器件100的第一电极140相比，发光器件300的第一电极340不包括任何侧部分140b和/或任何突起141。另外，发光器件300的第一电极340不限定任何空腔。在示例性发光器件300中，第一电极340仅沿发射结构110的底部布置。
图7A和图7B示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第四示例性实施方式的发光器件400的横截面视图。概括地，以下将仅描述发光器件400与图1的发光器件100之间的差别。
另外，本发明的一个或多个方案可应用到横向型发光器件。参照图7A，例如，发光器件400可包括第一电极440、第二导电图案第一部分116a和第二导电图案第二部分116b，以及基板201。基板201可包括例如Al2O3、ZnO、Si和/或SiC等。第二导电图案第一部分116a可以在(例如，直接在)基板201上。第一电极440可以在第二导电图案第一部分116a上，例如在第二导电图案第一部分116a的突出超出发射结构110的部分上。第一阻挡图案120可以布置在第二导电图案第一部分116a与第二导电图案第二部分116b之间。至少部分第一电极440可与部分第一阻挡图案120位于相对于基板201的相同高度处。发光器件400可不包括在基板201与第二导电图案第一部分116a之间的欧姆图案。
参照图7B，以下将描述在图7A中示出的发光器件400的示例性运行。例如，在一些实施方式中，第一导电图案112是n型，而第二导电图案部分116a、116b是p型。在该实施方式中，第一偏压，例如正偏压(V+或I+)可通过第一电极440施加到第二导电图案部分116a、116b，第二偏压，例如负偏压(V-或I-)可施加到第一导电图案112。正向偏压可施加到发射结构110，光在发射图案114处产生。在正向偏压运行期间，电流可从第一电极140流到第二电极150。第一阻挡图案120和/或第二阻挡图案106可通过发射图案114调节电流。更具体地，例如，在其中第一阻挡图案120和第二阻挡图案106彼此互补布置的实施方式中，电流可流经发射图案114的所有和/或基本所有区域中。在其中电流流经发射图案114的所有和/或基本所有区域的实施方式中，光效率可改善，例如增加。
以下将描述采用本发明的一个或多个方案的发光装置的示例性实施方式。应该理解，虽然采用上述示例性发光器件描述示例性装置，但是实施方式不限于此。可使用采用本发明的一个或多个方案的其它发光器件。
图8示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第一示例性实施方式的发光装置500的横截面视图。
参照图8，发光装置500可包括基板，例如电路板401；第一导电区410；第二导电区420；焊料凸块(solder bump)430以及图7A和图7B的发光器件400。更具体地，发光器件400可以倒装芯片(flip-chip)方式连接到电路板401。第一导电区410可与第二导电区420电隔离。发光器件400的第一电极440电连接到电路板401上的第一导电区410，第二电极150电连接到电路板401上的第二导电区420。焊料凸块430被用于分别将第一电极440电连接到第一导电区410以及将第二电极150电连接到第二导电区420。在该实施方式中，引线接合(wire bonding)可被用于分别将第一电极440连接到第一导电区410以及将第二电极150连接到第二导电区420。
图9A和图9B分别示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第二示例性实施方式的发光装置600的横截面视图和顶部侧视图。
参照图9A和图9B，发光装置600包括布置在导电基板例如电路板301上的图1的发光器件100。电路板301可包括第一导电区310和第二导电区320。第一导电区310可与第二导电区320电隔离。第一导电区310和第二导电区320可布置在电路板301的相同表面或相同侧。如在图9A和图9B中所示，第一导电区310可与发光器件100的导电基板202电连接，第二导电区320可与第二电极150电连接。更具体地，例如，第二导电区320可通过引线接合(wire bonding)而电连接到第二电极150。
图10示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第三示例性实施方式的发光装置700的横截面视图。
参照图10，发光装置700可包括含有多个导电区和通路(via)的导电基板，例如电路板302。更具体地，发光装置700可包括在电路板302的第一表面或第一侧上的第一导电区310和第二导电区320以及在电路板302的第二表面或第二侧上的第三导电区312和第四导电区322。第一导电区310可与第二导电区320电隔离。第三导电区312可与第四导电区322电隔离。第一导电区310可通过第一通路316电连接到第三导电区312。第二导电区320可通过第二通路326电连接到第四导电区322。第一导电区310可与发光器件100的导电基板202电连接。第二导电区320可与发光器件100的第二电极150电连接。在该实施方式中，导电区，例如第一导电区310、第二导电区320、第三导电区312和/或第四导电区322可与电路板302的多侧例如两侧(例如前侧和后侧)上的图案电连接。
图11示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第四示例性实施方式的发光装置800的横截面视图。图12示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第五示例性实施方式的发光装置810的横截面视图。图13示出了根据采用本发明的一个或多个方案的第六示例性实施方式的发光装置820的横截面视图。更具体地，图11、图12和图13示出了可用于采用根据本发明的一个或多个方案的发光器件的发光装置中(例如，图9A和图9B的发光装置600)的磷光体层的示例性实施方式。概括地，以下将仅描述图11、图12和图13的示例性实施方式之间的差别。
参照图11，发光装置800可包括磷光体层341。磷光体层341可包括第一透明树脂342和磷光体344。磷光体344可分散在磷光体层341中。更具体地，磷光体344可分散在第一透明树脂342上和/或分散在第一透明树脂342内。磷光体层341可形成于发光装置600上方。例如，磷光体层341可完全覆盖在电路板301上的发光装置600。第二透明树脂350可形成于磷光体层341上。第二透明树脂350可完全覆盖在电路板301上的磷光体层340。第二透明树脂350可包括透镜形状(lens shape)。第二透明树脂350可漫射由发光装置600产生的光。磷光体层341和电路板301可实质上一起封装(encapsulate)发光装置600。
参照图11，磷光体344可分散在透明树脂342内。磷光体344可吸收由发光装置600产生的光，并且将光转变为具有不同波长例如不同颜色的光。磷光体344可包括例如可由镧系元素如Eu、Ce等活化的氮化物基和/或氧化物基材料。
参照图12，在一些其它示例性实施方式中，例如，发光装置810可包括：在发光装置600上例如直接在第二欧姆层145和/或第二电极150上的磷光体444。更具体地，例如，磷光体444可直接和共形地形成在发光装置600上，即，沿发光装置600和/或电路板301的轮廓形成。透明树脂450可形成于磷光体444和发光装置600上方。
参照图13，在一些其它实施方式中，例如，发光装置820可包括：在发光装置600上的第一透明树脂542、在第一透明树脂542上的磷光体544以及在磷光体544上的第二透明树脂550。即，例如，磷光体544可位于第一透明树脂542与第二透明树脂550之间。
图14示出了可与根据本发明的一个或多个方案的发光装置(例如，图11的发射装置800)一起使用的示例性第一导电区310和第二导电区320的总示意图。更具体地，例如，发光器件例如图1的发光器件100，可以矩阵图案布置在电路板301上。第一导电区310和第二导电区320可在电路板301上平行地延长并交替布置。第一导电区310可基本上和/或完全重叠发光器件100。第二导电区320和发光器件100的第二电极150可经由电线330电连接。
图15A和图15B示出了图11的磷光体层341和第二透明树脂350的示例性布置。在一些实施方式中，磷光体层341和第二透明树脂350可以为线型和/或点型等。更具体地，参照图15A的示例性实施方式，以线型方式，单条的磷光体层341和第二透明树脂350可重叠多个发光器件100。在该实施方式中，可以矩形方式布置发光器件例如图1的发光器件100。参照图15B，以点型方式，例如磷光体层341和第二透明树脂350的每一部分都重叠单个发光器件100。
应该理解，虽然在图14、15A和图15B中示出了图1的示例性发光器件100，但是实施方式不限于此，原因在于可采用其它发光器件，例如分别采用例如图5、和图6中的发光器件200和300。另外，虽然在图15A和图15B中示出了图11的示例性磷光体层341和第二透明树脂350，但是本发明的实施方式不限于此。另外，图12的示例性磷光体444和透明树脂450可以以图15A和图15B的点型和/或线型布置。
图16示出了采用本发明的一个或多个方案的发光器件190的示例性背光的横截面图。发光器件190可以是，例如图1的发光器件100、图6的发光器件300等。背光可包括：包含发光器件190的发射封装(emitting package)14、封装体210(package body)、电路板301、透明树脂250和磷光体层260。磷光体层260可以是例如类似图13的磷光体544。如在图16中所示，背光可进一步包括反射片412、图案412a、传递片(transfer sheet)411、扩散片(spreading sheet)414、棱镜片416(prism sheet)和显示面板451。实施方式不限于在图16中示出的示例性配置。例如，在一些实施方式中，反射片412可平行于传递片410的前表面和/或多个发光器件190可越过反射片412布置。
图17示出了采用发光器件510的示例性投影器(projector)的示意图，该发光器件510采用本发明的一个或多个方案。参照图17，投影器可包括光源510、聚光透镜(condensing lens)520、滤色器530例如可旋转滤色器、成形透镜(shaping lens)540、数字微镜器件(DMD)550、投影透镜580。来自光源510的光在形成图像于屏幕590上之前可经过聚光透镜520、滤色器530和成形透镜510，被DMD 550反射，以及经过投影透镜580。更具体地，光源510可包括子安装基板(sub mount substrate)和根据本发明的一个或多个方案的发光器件，例如图1的发光器件100、例如图6的发光器件300等。
图18A、图18B和图18C示出了采用发光器件190的示例性照明器件，其中发光器件190采用本发明的一个或多个方案。更具体地，图18A、图18B和图18C分别示出了自动移动头灯、路灯和照明光，其中每个可包括一个或多个发光器件以发射光，例如图1的发光器件100、图5的发光器件200、图6的发光器件300等。
图19A、图19B、图19C、图19D、图19E、图19F、图19G、图19H和图19I示出了在用于制造图1的示例性发光器件100的示例性方法中的阶段。
参照图19A，为了制造图1的发光器件100，牺牲层102可形成于基板101上。缓冲层104可形成于牺牲层102上。第二阻挡图案106可形成于缓冲层104上。缓冲层104可在LLO期间保护第二阻挡图案106，并用作籽晶层以生长第一导电图案112。第二阻挡图案106可被构图为线型、网型、点型等。
参照图19B，第一导电层112a、发射层114a和第二导电层116a可依次形成于缓冲层104上。第一导电层112a、发射层114a和第二导电层116a可使用例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、液相外延、氢化气相外延、分子束外延和/或金属有机气相外延等形成。通过形成其中具有一个或多个开口以暴露缓冲层104的第二阻挡图案106，缓冲层104可用作籽晶层，且第一导电层112a、发射层114a和第二导电层116a可使用横向外延过生长(LEO，lateral epitaxial overgrowth)来形成。
参照图19C，发射结构110可通过蚀刻形成。即，第一导电层112a、发射层114a和/或第二导电层116a可被蚀刻以分别形成第一导电图案112、发射图案114和第二导电图案116。在一些实施方式中，发射结构110可包括倾斜侧。更具体地，如在图19C中所示，在一些实施方式中，在图19B中示出的结构可被蚀刻，使得剩余的突出结构的底部分宽于其上部分，即凹槽118的宽度朝向凹槽118的底部减小。
参照图19D，第一阻挡层可形成于发射结构110上并且被构图以形成第一阻挡图案120。更具体地，例如，第一阻挡层可共形地形成于发射结构110的轮廓上。另外，参照图19D，部分第一阻挡层，例如，第一阻挡层的在第二导电图案116上表面上的部分可被构图以形成第一阻挡图案120，并暴露第二导电图案116的各个部分。
参照图19E，第一欧姆层130可形成于第二导电层116上方。更具体地，第一欧姆层130可填充由于构图第一阻挡图案120而产生的间隙。第一电极140可形成于第一阻挡图案120和/或第一欧姆层130上。
参照图19F，多个图19E的产生结构可接合在导电基板202上。例如，如在图19F中所示，图19E的产生结构被反转且被接合到导电基板202上。更具体地，多个图19E的产生结构可接合在导电基板202上的中间层210上，如在图19G中所示。多个发光结构可形成于晶片级基板(wafer-scalesubstrate)上，即，基板101、202可以是晶片级基板。
参照图19H，LLO可用于去除基板101和牺牲层102。如在图19H中所示，由于去除基板101和牺牲层102，缓冲层104可被暴露。参照图19I，第二欧姆层145可形成于缓冲层104上。第二电极150可形成于第二欧姆层145上。然后实施切片(sawing)工艺，从而将发光器件100彼此分离。
在此已经公开了本发明的示例性实施方式，虽然采用了特定术语，但是它们仅以一般性和描述意义被使用和解释，并不用于限制。因此，本领域的技术人员将理解在不脱离由下列权利要求所阐述的本发明的精神和范围下，可以做出形式和细节上的不同变化。
在此结合2008年6月24日提交到韩国知识产权局、名称为“LIGHTEMITTING ELEMENT，LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THESAME，AND FABRICATING METHOD OF THE LIGHT EMITTINGELEMENT AND LIGHT EMITTING DEVICE”的韩国专利申请No.1-2008-0059569的全部内容作为参考。

Claims (49)

1.一种发光器件，包含：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极间隔开；
发射图案，包括在所述第一电极与所述第二电极之间的部分；以及
阻挡图案，包括在所述发射图案与所述第一电极之间的部分和/或与所述第一电极处于相同高度的部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括基本上沿第一方向延伸的第一部分以及基本上沿第二方向延伸的第二部分，所述第一方向与所述第二方向交叉。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括限定空腔的两个突起部分，所述空腔的上部分宽于所述空腔的下部分。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括限定发光区和非发光区的多个突起，所述第二电极与所述发光器件的非发光区交叠。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述阻挡图案包括绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述阻挡图案包括氧化物层、氮化物层、氮化物-氧化物层、铝氧化物层和/或铝氮化物层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中至少部分所述阻挡图案直接在所述第一电极上。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极是基本上和/或完全平坦的。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述阻挡图案包括第一阻挡图案和第二阻挡图案。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一阻挡图案和第二阻挡图案的每一个是线图案、网图案和点图案之一。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案布置为相对于彼此偏移，使得至少部分所述第一阻挡图案与由所述第二阻挡图案限定的间隔交叠，部分所述第二阻挡图案与由所述第一阻挡图案限定的间隔交叠。
12.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一阻挡图案的图案与所述第二阻挡图案的图案互补。
13.根据权利要求9所述的发光器件，其中至少部分所述第一阻挡图案位于所述发射图案与所述第一电极之间和/或与所述第一电极处于相同高度，至少部分所述第二阻挡图案位于所述发射图案与所述第二电极之间和/或与所述第二电极处于相同高度。
14.根据权利要求1所述的发光器件，还包含位于所述发射图案下方的第一导电图案和位于所述发射图案上方的第二导电图案。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第一导电图案、所述发射图案和/或所述第二导电图案的每个包括InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1且0≤y≤1。
16.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第一电极布置为使得部分所述第一导电图案高于所述第一电极且所述第一导电图案的另一部分低于所述第一电极。
17.根据权利要求14所述的发光器件，其中至少部分所述第一电极与所述发射图案的相应部分和/或所述阻挡图案的相应部分处于相同高度。
18.根据权利要求14所述的发光器件，其中至少部分所述阻挡图案与部分所述第二导电图案对准和/或嵌入在部分所述第二导电图案内。
19.根据权利要求14所述的发光器件，其中至少部分所述阻挡图案与部分所述第一导电图案对准和/或嵌入在部分所述第一导电图案内。
20.根据权利要求1所述的发光器件，还包含布置在所述第一电极与所述发射图案之间和/或所述第二电极与所述发射图案之间中的至少之一处的欧姆图案。
21.根据权利要求20所述的发光器件，其中所述欧姆图案包括与至少部分所述阻挡图案互补且与所述阻挡图案的互补部分布置在相同高度处的图案。
22.根据权利要求20所述的发光器件，其中所述欧姆图案包括位于所述第一电极与所述发射图案之间的第一欧姆图案以及位于所述发射图案与所述第二电极之间的第二欧姆图案。
23.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述阻挡图案包括突起。
24.根据权利要求1所述的发光器件，还包括位于所述第二电极与所述阻挡图案之间的缓冲层。
25.根据权利要求24所述的发光器件，其中所述缓冲层包括InxAlyG(1-x-y)和/或SixCyN(1-x-y)，其中0≤x≤1且0≤y≤1。
26.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括反射材料。
27.一种包括如权利要求1所述的发光器件的发光装置，该发光装置还包括：
在基础基板上且电连接到所述第一电极的第一导电区；以及
在所述基础基板上且电连接到所述第二电极的第二导电区。
28.根据权利要求27所述的发光装置，其中所述发光装置是液晶显示器背光单元、投影器或灯。
29.根据权利要求27所述的发光装置，其中所述第一电极通过导电基板电连接到所述第一导电区，在所述导电基板上布置所述第一电极，所述第二电极经由导线电连接到所述第二导电区。
30.根据权利要求27所述的发光装置，其中所述第一电极和所述第二电极分别利用导电树脂电连接到所述第一导电区和所述第二导电区。
31.根据权利要求27所述的发光装置，其中所述第一导电区和所述第二导电区位于所述基础基板的第一侧，所述发光装置还包括：
在所述基础基板的第二侧上的第三导电区；
在所述基础基板的第二侧上的第四导电区；
将所述第一导电区连接到所述第三导电区的至少一个通路；以及
将所述第二导电区连接到所述第四导电区的至少一个通路。
32.根据权利要求27所述的发光装置，还包含在所述发光器件上的磷光体层。
33.根据权利要求32所述的发光装置，其中所述磷光体层包括透明树脂，其中磷光体分散在所述透明树脂内、分散在所述透明树脂上和/或分散在所述透明树脂和所述发光器件之间。
34.根据权利要求26所述的发光装置，其中所述发光装置包括多个所述发光器件，所述磷光体层以线型和/或点型方式布置在所述发光器件上。
35.一种发光器件，包括：
在导电基板上的第一电极；
在所述第一电极上的第二电极；
发射图案，包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的部分；以及
电流调节装置，用于调节流经所述发射图案的电流，其中至少部分所述电流调节装置沿所述第一电极与所述发射图案之间的电流路径布置，使得从所述第一电极流到所述发射图案的所有电流在到达所述发射图案之前流过至少部分所述电流调节装置。
36.根据权利要求35所述的发光器件，其中所述电流调节装置包括布置在所述第一电极与所述发射图案之间和/或与所述第一电极处于相同高度的第一调节图案。
37.根据权利要求35所述的发光器件，其中所述电流调节装置包括绝缘体。
38.根据权利要求35所述的发光器件，还包括导电图案和缓冲装置，该导电图案位于所述发射图案上，该缓冲装置用于保护所述电流调节装置和/或用于作为所述发射图案上的导电图案的籽晶。
39.一种制造发光器件的方法，包括：
在基板上形成阻挡图案；
在所述基板上形成导电图案；
在所述基板上形成发射图案；
在所述基板上形成另一导电图案；
基本上和/或完全在所述发射图案的第一侧形成第一电极；以及
基本上和/或完全在所述发射图案的第二侧形成第二电极，所述发射图案的所述第一侧不同于所述第二侧，其中所述阻挡图案包括位于所述发射图案与所述第一电极之间的部分和/或与所述第一电极处于相同高度的部分。
40.根据权利要求39所述的方法，还包括在所述基板上形成另一阻挡图案，其中所述另一阻挡图案包括位于所述发射图案与所述第二电极之间的部分和/或与所述第二电极处于相同高度的部分。
41.根据权利要求40所述的方法，其中形成所述导电图案至少部分地发生在形成所述阻挡图案之前，所述阻挡图案形成在所述基板上的至少部分所述导电图案上。
42.根据权利要求41所述的方法，还包括在所述另一阻挡图案和所述另一导电图案的至少之一上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成欧姆层，其中形成所述第二电极包括在所述欧姆层上形成所述第二电极。
43.根据权利要求40所述的方法，其中形成所述另一阻挡图案发生在形成所述另一导电图案和形成所述阻挡图案之前，所述另一导电图案形成在所述另一阻挡图案上，所述阻挡图案形成于所述发射图案和所述另一导电图案上。
44.根据权利要求43所述的方法，其中所述基板是临时基板，所述方法还包括将所述第一电极电连接到导电基板以及去除所述临时基板，其中形成所述第二电极发生在去除所述临时基板之后且包括在所述另一导电图案上形成所述第二电极，所述第二电极形成在所述另一导电图案的在去除所述临时基板之前面对所述临时基板的一侧。
45.根据权利要求44所述的方法，还包括：
在形成所述另一阻挡图案之前，依次在所述临时基板上形成牺牲层和缓冲层；以及
在去除所述临时基板和所述牺牲层之后，在所述缓冲层上形成欧姆层以及在所述另一欧姆层上形成所述第二电极。
46.根据权利要求43所述的方法，其中形成所述另一导电图案、形成所述发射图案和形成所述导电图案包括：
依次在另一阻挡图案上形成另一导电层、发射层和导电层；以及
选择性地蚀刻所述导电层、所述发射层和所述另一导电层，以分别形成所述导电图案、所述发射图案和所述另一导电图案，其中所述导电图案、所述发射图案和所述另一导电图案形成中间结构的发射结构。
47.根据权利要求46所述的方法，其中形成所述阻挡图案包括在所述发射结构的暴露部分上形成阻挡层，选择性地构图所述阻挡层以形成所述阻挡图案，从而暴露部分所述导电图案，该方法还包括至少在所述导电图案的暴露部分上形成欧姆图案。
48.根据权利要求46所述的方法，其中形成所述发射结构包括去除所述导电层、所述另一导电层和所述发射层的相应部分以在所述中间结构中形成沟槽。
49.根据权利要求40所述的方法，其中形成所述阻挡图案和形成所述另一阻挡图案包括分别以线型、点型和/或网型方式形成并构图阻挡绝缘层和另一阻挡绝缘层。
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