CN104241459A - 发光器件及发光器件封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件，该发光器件包括：设置在第一衬底上的发光结构，该发光结构包括至少第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第一导电半导体层上的第一电极；在第二导电半导体层上的第二电极；以及在第一电极和第二电极中的至少之一上的MIM(金属-绝缘体-金属)结构。

Description

发光器件及发光器件封装件
相关申请的交叉引用
本申请要求韩国专利申请第10-2013-0065595号(2013年6月10日提交的)的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本实施方案涉及一种发光器件。
本实施方案涉及一种发光器件封装件。
背景技术
已经积极进行对发光器件和发光器件封装件的研究和调查。
所述发光器件是将电能转换为光的由半导体材料形成的半导体发光器件或半导体发光二极管。
与其他光源例如荧光灯和白炽灯相比，LED由于低能耗、长寿命、快速响应时间、安全和环境友好所以是有利的。因此，已经进行许多研究和调查以利用发光二极管代替现有光源。
此外，发光器件越来越多地用作光源：用在室内和室外场所使用的各种灯、液晶显示器的背光单元、例如电子显示板的显示器和例如街灯的照明装置。
发明内容
本实施方案提供了一种具有高可靠性的发光器件。
本实施方案提供了一种能够提高产率的发光器件。
本实施方案提供了一种能够防止静电放电的发光器件。
本实施方案提供了一种包括这样的发光器件的发光器件封装件。
根据实施方案，提供了一种发光器件，该发光器件包括：第一衬底；设置在第一衬底上的发光结构，该发光结构包括至少第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第一导电半导体层上的第一电极；在第二导电半导体层上的第二电极；以及在第一电极和第二电极中的至少之一上的MIM(金属-绝缘体-金属)结构。
根据实施方案，提供了一种发光器件封装件，该发光器件封装件包括：具有腔的第二衬底；在第二衬底上的第一电极层和第二电极层；在第二衬底的腔中的发光器件；设置在第一电极上并且电连接到第一电极的第一凸块；设置在第二电极上并且电连接到第二电极的第二凸块；以及包围发光器件的模制构件。
根据实施方案，提供了一种发光器件封装件，该发光器件封装件包括：第三衬底；在第三衬底上的第一电极层和第二电极层；在第三衬底上的发光器件；设置在第一电极上并且电连接到第一电极的第一凸块；设置在第二电极上并且电连接到第二电极的第二凸块；以及包围发光器件的光学构件。
根据实施方案，该发光器件包括MIM结构以及发光结构，因此不另外需要静电保护电路，使得可以简化发光器件的结构。
根据实施方案，发光器件通过MIM结构保护，因此发光器件可以具有高可靠性。
根据实施方案，MIM结构可以防止发光器件由于静电放电而被破坏，因此可以提高发光器件的产率。
附图说明
图1是示出了根据第一实施方案的发光器件封装件的截面图。
图2是示出了图1的发光器件的放大截面图。
图3是示出了图1的发光器件的等效电路的图。
图4是示出了图1的MIM结构的V-I特性的图。
图5是示出了根据第二实施方案的发光器件封装件的截面图。
图6是示出了根据第三实施方案的发光器件封装件的截面图。
图7是示出了根据第四实施方案的发光器件封装件的截面图。
图8是示出了根据第五实施方案的发光器件封装件的截面图。
图9是示出了根据第六实施方案的发光器件封装件的截面图。
图10是示出了根据第七实施方案的发光器件封装件的截面图。
具体实施方式
在实施方案的描述中，应该理解，当元件被称为在另一元件“上(下)或下(上)”时，该元件它可以直接在另一元件上或者存在至少一个中间元件。此外，当表达为“向上(向下)或向下(向上)”时，其可以包括基于该一个元件的向上方向和向下方向。
在第一实施方案至第七实施方案中公开的本体和副安装座可以统称为衬底，但是实施方案不限于此。
图1是示出了根据第一实施方案的发光器件封装件的截面图。
参照图1，根据第一实施方案的发光器件封装件1可以包括本体3、第一电极层7和第二电极层9以及发光器件10。
根据实施方案的发光器件封装件1还可以包括配置成包围发光器件10的模制构件38，但是实施方案不限于此。模制构件38可以具有单层结构或多层结构，但是实施方案不限于此。多层结构可以由相互不同的模制材料或相同的模制材料形成，但是实施方案不限于此。
本体3可以支承发光器件10，并且可以与发光器件10电连接。为此，可以在本体3上形成第一电极层7和第二电极层9。从而，发光器件10可以电连接到第一电极层7和第二电极层9。
本体3可以包括表现出优异支承强度和优异热辐射性能的材料，但是实施方案不限于此。例如，本体3可以包括硅材料、合成树脂材料、陶瓷材料或金属材料。
本体3可以包括下部区域和形成在下部区域上的上部区域。在上部区域中可以形成有腔5。腔5可以是从上部区域的顶表面的一部分向下形成空的空间，但是实施方案不限于此。下部区域的顶表面可以部分地通过腔5露出。
上部区域可以包括通过腔5限定的内表面和底表面。底表面可以是通过腔5露出的下部区域的顶表面。内表面可以具有相对于底表面倾斜的倾斜表面，但是实施方案不限于此。
第一电极层7和第二电极层9可以彼此电绝缘且彼此空间隔开。
第一电极层7和第二电极层9可以形成在本体3的下部区域与上部区域之间，但是实施方案不限于此。第一电极层7和第二电极层9中的每一个均可形成在本体3的下部区域的顶表面上并且通过腔5露出。第一电极层7和第二电极层9中的每一个均可通过本体3的上部区域与下部区域之间的空间从本体3的下部区域的顶表面延伸到本体3的外部。从而，第一电极层7和第二电极层9可以连接到电源(未示出)以从电源接收功率。
延伸出本体3的第一电极层7和第二电极层9还可以延伸到本体3的侧面和/或底表面，但是实施方案不限于此。
尽管在附图中未示出，但是第一电极层7和第二电极层9可以通过纵向地穿过本体的下部区域形成，但是实施方案不限于此。
第一电极层7和第二电极层9可以由表现出优异导电性和耐腐蚀性的金属材料(例如，选自Cu、Al、Cr、Pt、Ni、Ti、Au、W和包括以上的至少两种的合金中的一种)形成，但是实施方案不限于此。
例如，本体3可以通过在第一电极层7和第二电极层9被定位在模具中的状态下通过注入模制工艺注入构成本体3的材料然后使该材料固化来形成。在这种情况下，第一电极层7和第二电极层9可以被固定到本体，但是实施方案不限于此。
发光器件10可以形成在腔5中。更具体地，发光器件10可以形成在第一电极层7和/或第二电极层9上。
发光器件10可以为倒装芯片型发光器件，但是实施方案不限于此。
发光器件10可以通过倒装芯片接合方案电连接到第一电极层7和第二电极层9。即，发光器件10可以通过利用第一凸块28和第二凸块30电连接到第一电极层7和第二电极层9。
第一凸块28和第二凸块30可以形成在发光器件10或第一电极层7和第二电极层9上，但是实施方案不限于此。
如图2所示，发光器件10可以包括生长衬底12、发光结构20、第一电极24和第二电极26以及MIM结构36。
生长衬底12用于在生长发光结构20的同时支承发光结构20。生长衬底12可以包括适合于发光结构20的生长的材料。生长衬底12可以包括具有热稳定性和与发光结构20的晶格常数近似的晶格常数的材料。生长衬底12可以包括导电衬底、化合物半导体衬底和绝缘衬底之一，但是实施方案不限于此。
生长衬底12可以包括选自蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP和Ge中的至少一种。
生长衬底12可以包括具有导电性的掺杂剂，但是实施方案不限于此。包括掺杂剂的生长衬底12可以用作电极层，但是实施方案不限于此。当生长衬底12用作电极层时，可以省略第一电极24，但是实施方案不限于此。
发光器件10还可以包括在生长衬底12与发光结构20之间的缓冲层(未示出)。缓冲层可以减少生长衬底12与发光结构20的晶格常数之差。此外，缓冲层可以防止生长衬底12的材料被扩散到发光结构20中，防止回熔现象(如在生长衬底12的顶表面上形成凹部)，或者控制应力以防止发光结构20中的裂纹并且防止生长衬底12破坏，但是实施方案不限于此。
发光结构20可以包括多个化合物半导体层。发光结构20可以包括至少第一导电半导体层14、有源层16和第二导电半导体层18，但是实施方案不限于此。
缓冲层、第一导电半导体层14、有源层16和第二导电半导体层18可以包括具有AlxInyGa(1-x-y)N(0＜x＜1，0＜y＜1，0＜x+y＜1)的组成式的第II-VI族或第III-V族化合物半导体材料。例如，缓冲层、第一导电半导体层14、有源层16和第二导电半导体层18可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN和AlInN中的至少一种，但是实施方案不限于此。
第一导电半导体层14可以包括掺杂有N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电半导体层18可以包括掺杂有P型掺杂剂的P型半导体层。N型掺杂剂包括Si、Ge、Sn、Se和Te中的至少一种，P型掺杂剂包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba中的至少一种，但是实施方案不限于此。
第一导电半导体层14可以产生第一载流子(即，电子)，并且第二导电半导体层18可以产生第二载流子(即，空穴)，但是实施方案不限于此。
在第一导电半导体层14与第二导电半导体层18之间可以插入有源层层16以通过来自第一导电半导体层14的电子与来自第二导电半导体层18的空穴的复合来发射具有与通过构成有源层16的材料确定的能带隙对应的波长的光。
有源层16可以具有多量子阱(MQW)结构、量子点结构或量子线结构之一。有源层16可以具有以一个阱层和一个势垒层为一个周期重复形成的阱层和势垒层。阱层和势垒层的重复周期可以根据发光器件10的特性而改变，但是本实施方案不限于此。
例如，有源层16可以以InGaN/GaN的周期、InGaN/AlGaN的周期、InGaN/InGaN的周期形成。势垒层的能带隙可以大于阱层的能带隙。
发光器件10还可以包括在第二导电半导体层18上(即，在第二导电半导体层18与第二电极26之间)的反射电极层22，但是实施方案不限于此。
反射电极层22在与第二导电半导体层18欧姆接触的同时反射从有源层16产生的光，使得可以更平稳地供应功率，但是实施方案不限于此。反射电极层22可以包括表现出优异反射特性的反射材料。例如，反射电极层22可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf之一，或其多层结构，但是实施方案不限于此。
由于反射电极层22反射从有源层16产生的光并且朝上引导，所以反射电极层22可以具有与第二导电半导体层18的尺寸相同的尺寸，但是实施方案不限于此。
参照图1，图2中示出的发光器件10被翻转180度，使得在从有源层16中产生的光朝下时反射电极层22可以将光朝上反射。
第二电极26的尺寸可以至少小于反射电极层22的尺寸，但是实施方案不限于此。
如果反射电极层22表现出差的欧姆接触特性，则表现出优异欧姆接触特性的透明电极层可以插入反射电极层22与第二导电半导体层18之间，但是实施方案不限于此。透明电极层可以包括传播光的透明导电材料。透明导电材料可以包括选自ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种，但是实施方案不限于此。
可以在第一导电半导体层14的一部分上形成第一电极24，可以在第二导电半导体层18的一部分上形成第二电极26。
例如，第一电极24和第二电极26可以包括选自Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo或其多层结构中的一种，但是实施方案不限于此。
第一电极24和第二电极26可以包括单层或多层。多层中的最上层可以包括接合到外部电极的接合焊盘，但是实施方案不限于此。当从顶部看时，接合焊盘可以具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状，但是实施方案不限于此。
尽管未示出，但是可以在第一电极24和第二电极26下设置电流阻挡层以防止电流在第一电极24和第二电极26的下部上聚集。可以在反射电极层22下形成电流阻挡层，但是实施方案不限于此。
第一电极24和第二电极26中每一个的尺寸均可以大于各个电流阻挡层中的尺寸，使得第一电极24和第二电极26可以分别向第一导电半导体层14和反射电极层22供应功率，但是实施方案不限于此。
此外，第一电极24可以通过电流阻挡层电连接到第一导电半导体层14，并且第二电极26可以通过电流阻挡层电连接到反射电极层22。例如，第一电极24可以包围电流阻挡层，第一电极24的底表面可以接触第一导电半导体层14。例如，第二电极26可以包围电流阻挡层，第二电极26的底表面可以与反射电极层22接触，但是实施方案不限于此。
发光器件10(即，倒装芯片型发光器件)可以包括分别形成在第一电极24和第二电极26上的第一凸块28和第二凸块30。第一凸块28和第二凸块30可以具有圆柱形形状，但是实施方案不限于此。
第一凸块28和第二凸块30可以在通过芯片接合方案与第一电极24和第二电极26物理连接的同时与第一电极24和第二电极26电连接。例如，第一电极24和第二电极26的接合焊盘被熔化使得可以在接合焊盘中形成用于第一凸块28和第二凸块30的接触表面，但是实施方案不限于此。
第一凸块28和第二凸块30可以包括表现出优异导电性的金属材料，例如，选自Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu、Mo和包括以上的至少两种的合金中的一种，但是实施方案不限于此。
可以在第一电极24上形成MIM结构36。第一电极24可以包括第一区域和第二区域。例如，MIM结构36可以形成在第一电极24的第一区域的一部分上，第一凸块28可以形成在第一电极24的第二区域的一部分上，但是实施方案不限于此。
MIM结构36和第一凸块28可以物理上和空间上彼此隔开，但是实施方案不限于此。
MIM结构36可以包括交替堆叠的多个金属层32a、32b和32c以及电介质膜34a和34b。
MIM结构36可以在用于发光器件10的操作电压范围内用作绝缘体，并且可以当电压超出操作电压范围(例如，在静电放电下)时用作导体。
为此，MIM结构36可以包括第一金属层、电介质膜和第二金属层的至少三层结构，但是实施方案不限于此。
参照图2，MIM结构36可以包括第一金属层32a、第一电介质膜34a、第二金属层32b、第二电介质膜34b和第三金属层32c，但是实施方案不限于此。例如，可以在第一电极24的第一区域的一部分上形成第一金属层32a，可以在第一金属层32a上形成第一电介质膜34a，可以在第一电介质膜34a上形成第二金属层32b，可以在第二金属层32b上形成第二电介质膜34b，以及可以在第二电介质膜34b上形成第三金属层32c。
第一金属层32a可以电连接到第一电极24，第三金属层32c可以电连接到第二电极26，但是实施方案不限于此。
MIM结构36的堆叠的数量可以根据构成电介质膜的电介质材料的击穿特性而变化。例如，MIM结构36的堆叠的数量可以随着电介质材料的击穿特性的增加而降低。
用于MIM结构36的电介质膜34a和电介质膜34b的电解质材料可以包括SiO2、Si3N4、Al2O3、ZrO2和La2O3中的至少一种，但是实施方案不限于此。
电介质膜34a和电介质膜34b中每一个均具有在3nm至300nm范围内的厚度。电介质膜34a和电介质膜34b中的每一个均具有在3nm至150nm范围内的厚度。电介质膜34a和电介质膜34b中的每一个均具有3nm至60nm范围内的厚度。
第一金属层32a、第二金属层32b和第三金属层32c可以包括金属，例如，第一金属层32a、第二金属层32b和第三金属层32c可以包括选自Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo以及包括以上的至少两种的合金中的一种，但是实施方案不限于此。
如图4所示，MIM结构36可以在操作电压范围(-5V至5V)内用作阻挡电流流动的绝缘体，并且可以当电压超出操作电压范围(-5V至5V)时用作使得电流能够流动的导体。
MIM结构36的最上层和最下层可以包括金属层，但是实施方案不限于此。
参照图1，第一凸块28的一侧和MIM结构36的第一金属层32a可以共同地与第一电极24接触。第一凸块28的另一侧可以与第一电极层7接触，MIM结构36的第三金属层32c可以与第二电极层9接触。
如图3所示，发光结构20和MIM结构36可以彼此平行连接。此外，发光结构20可以与电源连接。
发光结构20通过与驱动电压对应的正向电压驱动，使得可以从发光结构20产生光。
如果向第一电极层7或第二电极层9施加高电压(例如，静电放电)，则MIM结构36可以用作导体，使得除了发光结构20之外，电流可以流入MIM结构36中。
MIM结构36可以保护发光结构20免受静电放电的影响。
发光器件10可以在包括第一凸块28和第二凸块30的模块的形式下制备，MIM结构36可以安装到本体3上，但是实施方案不限于此。
模制构件38可以包围发光器件10。模制构件38可以形成在本体3的腔5中。
模制构件38的顶表面可以与本体3的顶表面在同一平面上对齐，或者可以高于本体3的顶表面或低于本体3的顶表面，但是实施方案不限于此。
模制构件38可以包括表现出传输特性、热辐射特性和/或绝缘特性的材料。例如，模制构件38可以包括硅材料或环氧树脂材料，但是实施方案不限于此。
模制构件38可以包含用于对光的波长进行转换的磷光体，但是实施方案不限于此。
图5是示出了根据第二实施方案的发光器件封装件的截面图。
除了MIM结构36的第三金属层32c与第二电极26接触之外，第二实施方案与第一实施方案基本上类似。在第二实施方案的下面描述中，相同的附图标记指代具有与第一实施方案的形状或功能相同的形状或功能的相同元件，并且省略其详细描述。
参照图5，根据第二实施方案的发光器件封装件1A可以包括本体3、第一电极层7和第二电极层9、发光器件10和模制构件38。
发光器件10可以包括发光结构20和MIM结构36。发光结构20可以形成在生长衬底12上，MIM结构36可以形成在发光结构20的一侧上。
在发光结构20的第一导电半导体层14上可以形成有第一电极24，在发光结构20的第二导电半导体层18上可以形成有第二电极26，但是实施方案不限于此。
MIM结构36可以包括第一金属层32a、第一电介质膜34a、第二金属层32b、第二电介质膜34b和第三金属层32c。
MIM结构36的第一金属层32a可以与第一电极24接触，MIM结构36的第三金属层32c可以与第二电极26接触，但是实施方案不限于此。
在MIM结构36与发光结构20之间可以形成有绝缘层40，以防止MIM结构36的第一金属层32a、第二金属层32b和第三金属层32c与发光结构20之间的电短路，但是实施方案不限于此。
可以在至少第一导电半导体层14的侧面、有源层16的侧面和第二导电半导体层18的侧面上形成绝缘层40。还可以在第二导电半导体层18或反射电极层22的底表面的一部分上形成绝缘层40，但是实施方案不限于此。还可以在第一电极24的侧面与发光结构20的第一导电半导体层14的侧面之间的第一导电半导体层14的底表面上形成绝缘层40，但是实施方案不限于此。
可以在反射电极层22、绝缘层40和MIM结构36的第三金属层32c的一部分下形成第二电极26。
第二电极26可以共同地连接到反射电极层22和MIM结构36的第三金属层32c。可以在第二电极26下形成第二凸块30。
第一电极24可以共同地连接到MIM结构36的第一金属层32a和第一凸块28。
第一凸块28可以电连接到第一电极层7，第二凸块30可以电连接到第二电极层9，但是实施方案不限于此。
根据第二实施方案，MIM结构36可以附接到绝缘层40的侧面，使得可以提高MIM结构36的稳固性质。
根据第二实施方案，发光结构20和MIM结构36可以共同地连接到第二电极26，使得该结构可以简化且稳定化。
图6是示出了根据第三实施方案的发光器件封装件的截面图。
除了MIM结构36的第一金属层32a与第一电极24一体地形成，MIM结构36的第三金属层32c与第二电极26一体地形成之外，第三实施方案与第二实施方案基本上类似。在第三实施方案的以下描述中，相同的附图标记指代具有与第一实施方案和第二实施方案的形状或功能相同的形状或功能的相同元件，并且省略其详细描述。
参照图6，根据第三实施方案的发光器件封装件1B可以包括本体3、第一电极层7和第二电极层9、发光器件10和模制构件38。
发光器件10可以包括发光结构20和MIM结构36。发光结构20可以形成在生长衬底12上，MIM结构36可以形成在发光结构20的一侧上。
在发光结构20的第一导电半导体层14上可以形成有第一电极24，在发光结构20的第二导电半导体层18上可以形成有第二电极26，但是实施方案不限于此。
MIM结构36可以包括第一金属层32a、第一电介质膜34a、第二金属层32b、第二电介质膜34b和第三金属层32c。
第一电极24可以与MIM结构36的第一金属层32a一体地形成。此外，第二电极26可以与MIM结构36的第三金属层32c一体地形成。
第一电极24和MIM结构36的第一金属层32a可以通过利用相同材料形成。第二电极26和MIM结构36的第三金属层32c可以通过利用相同材料形成。
可以在第一导电半导体层14的第一区域上形成第一电极24，可以在在第一导电半导体层14的第二区域上形成MIM结构36的第一金属层32a。
第一金属层32a可以从第一电极24延伸到接近有源层16的侧面。
第一电极24和MIM结构36的第一金属层32a可以由反射金属形成，但是实施方案不限于此。在这种情况下，从发光结构20的有源层16产生的并且由于生长衬底12在未被传播的情况下反射的光可以通过第一电极24和MIM结构36的第一金属层32a被反射，从而提高了发光效率。
第二电极26可以形成在反射电极层22上，第三金属层32c从第二电极26延伸以位于第二电介质膜34b下。
根据第三实施方案，第一电极24与MIM结构36的第一金属层32a一体地形成，使得可以简化结构并且可以减少过程的数量，由此与第一电极24与MIM结构36的第一金属层32a分开设置的情况相比降低了制造成本。
根据第三实施方案，第二电极26与MIM结构36的第三金属层32c一体地形成，使得可以简化结构并且可以减少过程的数量，由此与第二电极26与MIM结构36的第三金属层32c分开设置的情况相比降低了制造成本。
图7是示出了根据第四实施方案的发光器件封装件的截面图。
除了MIM结构36形成在第二电极26上之外，第四实施方案与第一实施方案基本上类似。在第四实施方案的以下描述中，相同的附图标记指代具有与第一实施方案的形状或功能相同的形状或功能的相同元件，并且省略其详细描述。
参照图7，根据第四实施方案的发光器件封装件1C可以包括本体3、第一电极层7和第二电极层9、发光器件10和模制构件38。
发光器件10可以包括发光结构20和MIM结构36。发光结构20可以形成在生长衬底12上，MIM结构36可以形成在发光结构20的一侧上。
在发光结构20的第一导电半导体层14上可以形成有第一电极24，在发光结构20的第二导电半导体层18上可以形成有第二电极26，但是实施方案不限于此。
在第二电极26的一侧上可以形成有MIM结构36。在第二电极的另一侧上可以形成有第二凸块30，但是实施方案不限于此。
MIM结构36可以与第二凸块30在物理上和空间上隔开，但是实施方案不限于此。
第二凸块30的一侧可以电连接到第二电极26，第二凸块30的另一侧可以电连接到第二电极层9。
MIM结构36可以包括第一金属层32a、第一电介质膜34a、第二金属层32b、第二电介质膜34b和第三金属层32c。
MIM结构36的第一侧(即，第一金属层32a)可以与第二电极26接触，MIM结构36的第二侧(即，第三金属层32c)可以与第一电极层7接触。
第一凸块28的一侧可以电连接到第一电极24，第一凸块28的另一侧可以电连接到第一电极层7。
根据第四实施方案，当向第一电极层7或第二电极层9施加高电压(例如，静电放电(ESD))时，MIM结构36可以用作导体，使得除了发光结构20之外，电流可以流过MIM结构36。从而，MIM结构36可以保护发光结构20免受ESD影响，使得可以提高发光器件10的可靠性。
图8是示出了根据第五实施方案的发光器件封装件的截面图。
参照图8，根据第五实施方案的发光器件封装件1D可以包括本体3、第一电极层7和第二电极层9、发光器件10和模制构件38。
发光器件10可以包括发光结构20和MIM结构36。发光结构20可以形成在生长衬底12上，MIM结构36可以形成在发光结构20的一侧上。
在发光结构20的第一导电半导体层14上可以形成有第一电极24，在发光结构20的第二导电半导体层18上可以形成有第二电极26，但是实施方案不限于此。
还可以在第二导电半导体层18与第二电极26之间形成反射电极层22，但是实施方案不限于此。
可以在反射电极层22的第一区域上形成第二电极26，可以在反射电极层22的第二区域上形成MIM结构36，但是实施方案不限于此。
MIM结构36可以包括第一金属层32a、第一电介质膜34a、第二金属层32b、第二电介质膜34b和第三金属层32c。
MIM结构36的第一金属层32a可以与第一电极24接触，MIM结构36的第三金属层32c可以与第二电极层26接触，但是实施方案不限于此。
第一电极24可以从第一导电半导体层14延伸到反射电极层22的第二区域上。MIM结构36的第一金属层32a可以形成在延伸到反射电极层22的第二区域上的第一电极24上，但是实施方案不限于此。
第二电极26可以从反射电极层22的第一区域延伸到MIM结构36的第三金属层32c上，但是实施方案不限于此。
可以在发光结构20与第一电极24之间形成第一绝缘层40。可以在MIM结构36与第二电极26之间以及在第一电极24与第二电极26之间形成第二绝缘层42。
第一绝缘层40可以防止第一电极24与发光结构20(例如有源层16)之间的电短路。第二绝缘层42可以防止第二电极26与MIM结构36(例如，第一金属层32a、第二金属层32b和第三金属层32c)之间的电短路。
可以在发光结构20的侧面上，即，在有源层16和第二导电半导体层18的侧面上以及反射电极层22的侧面上形成第一绝缘层40。可以在反射电极层22的底表面的一部分(即，与反射电极层22的第二区域对应的区域)上形成第一绝缘层40。
第二绝缘层42可以与第一绝缘层40接触，并且可以形成在第一电极24的侧面、MIM结构36的侧面和MIM结构36的底表面的一部分上。第二绝缘层42可以被第二电极26包围。
第一凸块28可以形成在第一电极24与第一电极层7之间以将第一电极24电连接到第一电极层7。
第二凸块30可以形成在第二电极26与第二电极层9之间以将第二电极26电连接到第二电极层9。第二凸块30可以形成在第二电极26下，所述第二电极26形成在MIM结构36的底表面上，但是实施方案不限于此。
根据第五实施方案，MIM结构36附接到第一绝缘层40的侧面和/或附接到第二绝缘层42上，从而可以提高MIM结构36的稳固性质。
根据第五实施方案，发光结构20和MIM结构36可以共同地连接到第二电极26，使得该结构可以简化且稳定化。
图9是示出了根据第六实施方案的发光器件封装件的截面图。
除了MIM结构36的第一金属层32a与第一电极24一体地形成，MIM结构36的第三金属层32c与第二电极26一体地形成之外，第六实施方案与第五实施方案基本上类似。在第六实施方案的以下描述中，相同的附图标记指代具有与第五实施方案的形状或功能相同的形状或功能的相同元件，并且省略其详细描述。
参照图9，根据第六实施方案的发光器件封装件1E可以包括本体3、第一电极层7和第二电极层9、发光器件10和模制构件38。
发光器件10可以包括发光结构20和MIM结构36。发光结构20可以形成在生长衬底12上，MIM结构36可以形成在发光结构20的一侧上。
在发光结构20的第一导电半导体层14上可以形成有第一电极24，在发光结构20的第二导电半导体层18上可以形成有第二电极26，但是实施方案不限于此。
MIM结构36可以形成在反射电极层22上。
MIM结构36可以包括第一金属层32a、第一电介质膜34a、第二金属层32b、第二电介质膜34b和第三金属层32c。
第一电极24可以与MIM结构36的第一金属层32a一体地形成。此外，第二电极26可以与MIM结构36的第三金属层32c一体地形成。
第一电极24与MIM结构36的第一金属层32a可以通过利用相同的材料形成。第二电极26与MIM结构36的第三金属层32c可以通过利用相同的材料形成。
可以在第一导电半导体层14的第一区域上形成第一电极24，可以在在反射电极层22的第二区域上形成MIM结构36的第一金属层32a。
第一金属层32a可以从第一电极24延伸以形成在反射电极层22的第二区域上。
第一电极24可以由反射金属形成，但是实施方案不限于此。在这种情况下，从发光结构20的有源层16产生的并且由于生长衬底12在未被传播的情况下反射的光可以通过第一电极24反射，从而提高了发光效率。
第二电极26可以形成在反射电极层22的第一区域上，第三金属层32c从第二电极26延伸以位于在第二电介质膜34b上。
根据第六实施方案，第一电极24与MIM结构36的第一金属层32a一体地形成，使得该结构可以简化并且可以减少过程的数量，由此与第一电极24与MIM结构36的第一金属层32a分开设置的情况相比降低了制造成本。
根据第六实施方案，第二电极26与MIM结构36的第三金属层32c一体地形成，使得可以简化结构并且可以减少过程的数量，由此与第二电极26与MIM结构36的第三金属层32c分开设置的情况相比降低了制造成本。
图10是示出了根据第七实施方案的发光器件封装件的截面图。
参照图10，根据第七实施方案的发光器件封装件1F可以包括副安装座50、第一电极层52和第二电极层54、发光器件10和光学构件44。
副安装座50可以在支承发光器件10的同时电连接到发光器件10。为了电连接，可以在副安装座50上形成第一电极层52和第二电极层54。从而，发光器件10可以电连接到第一电极层52和第二电极层54。
副安装座50可以由具有优异支承强度和辐射特性的材料形成，但是实施方案不限于此。副安装座50可以由塑料材料、金属材料、树脂材料和陶瓷材料中的一种形成，但是实施方案不限于此。如果副安装座50由金属材料形成，则在至少副安装座50上形成绝缘层以防止副安装座50与第一电极层52和第二电极层54之间的电短路，但是实施方案不限于此。
第一电极层52和第二电极层54可以电连接到发光器件10以向发光器件10供应功率。
可以在副安装座50上形成第一电极层52和第二电极层54。第一电极层52和第二电极层54可以物理上和空间上地彼此隔开以避免电短路。
可以在第一电极层52和第二电极层54上形成绝缘膜56以保护第一电极层52和第二电极层54，但是实施方案不限于此。
第一电极层52和第二电极层54可以被绝缘膜56包围使得第一电极层52和第二电极层54不会露出到外部。即，绝缘膜56可以局部地形成为与第一电极层52和第二电极层54对应。
此外，在副安装座50的整个区域上形成包括第一电极层52和第二电极层54的绝缘膜56。
绝缘膜56可以不与形成在第一电极层52和第二电极层54之间的副安装座50接触，但是实施方案不限于此。
此外，为了将第一电极层52和第二电极层54电连接到发光器件10，绝缘膜56可以包括与第一电极层52的局部区域对应的第一开口和与第二电极层54的局部区域对应的第二开口，但是实施方案不限于此。
发光器件10可以通过第一开口电连接到第一电极层52并且可以通过第二开口电连接到第二电极层54。
发光器件10可以包括发光结构20和MIM结构36。尽管在图10中示出的发光结构20与根据第一实施方案的发光结构20对应，但是第七实施方案也可以包括根据第二实施方案至第六实施方案之一的发光结构20，但是实施方案不限于此。
发光结构20可以形成在生长衬底12上，MIM结构36可以形成在发光结构20的一侧上。
在发光结构20的第一导电半导体层14上可以形成有第一电极24，在发光结构20的第二导电半导体层18上可以形成有第二电极26，但是实施方案不限于此。
MIM结构36可以包括第一金属层32a、第一电介质膜34a、第二金属层32b、第二电介质膜34b和第三金属层32c。
可以在第一电极24的第一区域的一部分上形成MIM结构36。可以在第一电极24的第二区域的一部分上形成第一凸块28，以及可以在第二电极26上形成第二凸块30，但是实施方案不限于此。
第一凸块28的一侧可以电连接到第一电极24的第二区域，第一凸块28的另一侧可以通过绝缘膜56的第一开口电连接到第一电极层52的一部分。
第二凸块30的一侧可以电连接到第二电极26，第二凸块30的另一侧可以通过绝缘膜56的第二开口电连接到第二电极层54的一部分。
光学构件44可以包围发光器件10。光学构件44可以与发光器件隔开，但是实施方案不限于此。
光学构件44可以调节从发光器件10发出的光的传播方向以实现期望的亮度。此外，光学构件44可以提取从发光器件10发出的光以提高光提取效率。
光学构件44可以包括透明玻璃或塑料，但是实施方案不限于此。
在发光器件10与光学构件44之间可以形成有介质层58，但是实施方案不限于此。
介质层58可以包括空气。此外，介质层58可以包括透明的且表现出优异绝缘性能的树脂材料，例如，环氧树脂材料或硅材料。
根据第七实施方案，可以将设置在发光结构10中的MIM结构36简单安装在副安装座50上，使得可以保护发光器件10免受静电放电的影响。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的第一电极；
在所述第二导电半导体层上的第二电极；以及
在所述第一电极和所述第二电极中的至少之一上的MIM(金属-绝缘体-金属)结构。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述MIM结构设置在所述第一电极上，所述发光器件还包括在所述MIM结构与所述有源层的侧面之间的第一绝缘层。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二电极设置在所述MIM结构上。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极设置在所述第二导电半导体层的局部区域上，所述MIM结构设置在与所述第二导电半导体层的所述局部区域对应的所述第一电极上。
5.根据权利要求4所述的发光器件，还包括在所述第一电极与所述有源层的侧面之间以及在所述第一电极与所述第二导电半导体层之间的第二绝缘层。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第二电极设置在所述MIM结构上，并且所述发光器件还包括在所述MIM结构与所述第二电极之间的第三绝缘层。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第三绝缘层设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
8.根据权利要求1至7中的一项所述的发光器件，还包括在所述第二导电半导体层与所述第二电极之间的反射电极层。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述MIM结构至少包括第一金属层、第一电介质膜和第二金属层。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一金属层与所述第一电极接触。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二金属层与所述第二电极接触。
12.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一金属层从所述第一电极延伸。
13.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二金属层从所述第二电极延伸。
14.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一金属层和所述第二金属层包括选自如下材料中的一种：Al；Ti；Cr；Ni；Pt；Au；W；Cu；Mo；和包括Al、Ti、Cr、Ni、Pt、Au、W、Cu和Mo中的至少两种的合金。
15.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一电介质膜包括SiO2、Si3N4、Al2O3、ZrO2和La2O3中的至少一种。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第一电介质膜的厚度在3nm至300nm的范围内。
17.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一金属层电连接到所述第一电极。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中在所述第二金属层上设置有第二电介质膜，在所述第二电介质膜上设置有第三金属层。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中所述第三金属层电连接到所述第二电极。
20.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中所述MIM结构在操作电压范围内具有绝缘体的功能并且在电压超出所述操作电压范围时具有导体的功能。
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