CN107210352A - 发光元件 - Google Patents

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Abstract

在实施例中公开的发光元件包括：主体，该主体具有腔体；第一和第二引线框架，该第一和第二引线框架被设置在腔体中；第三引线框架，该第三引线框架被设置在腔体中的第一和第二引线框架之间；第四引线框架，该第四引线框架被设置在第一和第二引线框架之间并且远离腔体中的第三框架；第一发光芯片，该第一发光芯片被设置在第一引线框架上；以及第二发光芯片，该第二发光芯片被设置在第二引线框架上，其中主体包括：第一和第二侧，该第一和第二侧被设置在彼此相对的侧面上；以及第三和第四侧，该第三和第四侧被设置在彼此相对的侧面上，第一引线框架包括朝向第一和第二侧突出的第一和第二引线部，第二引线框架包括朝着第一和第二侧突出的第三和第四引线部，第三框架包括朝着第一侧突出的第五引线部，并且第四引线框架包括朝着第二侧突出的第六引线部。

Description

发光元件
技术领域
本公开涉及一种发光器件和包括发光器件的照明设备。
背景技术
发光器件可以具有例如发光二极管。发光二极管是一种用于将电能转换成光的半导体器件，作为替代传统荧光灯和白炽灯的下一代光源已经受到关注。
因为发光二极管通过使用半导体器件产生光，所以与通过加热钨产生光的白炽灯或者使得通过高压放电产生的紫外线与荧光体碰撞而产生光的荧光灯相比较，发光二极管可以表现出非常低的功耗。
此外，因为发光二极管通过使用半导体器件的位势差产生光，所以与传统的光源相比，发光二极管表现出更长的寿命、更快的响应特性和更加环境友好的特征。
在这一点上，已经进行了各种研究以将传统光源替换为发光二极管。发光二极管已经越来越多地被用作诸如在室内和室外使用的各种灯、液晶显示器、电子招牌和路灯的照明设备的光源。
发明内容
技术问题
实施例提供一种发光器件，其中与多个发光芯片电连接的多个引线框架在朝向主体的侧面之中的具有较长长度的侧面的方向中突出。
实施例提供一种发光器件，其中被布置在主体中的腔体的底部上的多个引线框架在垂直于主体的长度方向(lengthwise direction)的宽度方向(widthwise direction)中突出。
实施例提供一种发光器件，其中被布置在主体中的至少三个引线框架在主体的宽度方向中突出。
实施例提供一种发光器件，其中相互不同的引线框架从主体的侧面之中的具有较长长度的侧面的中心突出。
实施例提供一种发光器件，其中发光芯片或者保护芯片被布置在被布置在主体中的多个引线框架中的每个上。
实施例提供一种发光器件，其中多个发光芯片在主体中布置的多个引线框架上彼此相互平行地连接。
实施例提供一种发光芯片，该发光芯片能够增强主体的侧面之中的具有较长长度的侧面的刚度。
技术方案
根据实施例，提供一种发光器件，包括主体，该主体具有腔体；第一和第二框架，该第一和第二框架被布置在腔体中；第三引线框架，该第三引线框架被布置在腔体中并且被布置在第一和第二引线框架之间；第四引线框架，该第四引线框架被布置在腔体中，被布置在第一和第二引线框架之间，并且与第三引线框架分开；第一发光芯片，该第一发光芯片被布置在第一引线框架上；以及第二发光芯片，该第二发光芯片被布置在第二引线框架上。主体包括彼此相对的第一和第二横向侧(lateral side)以及被布置为彼此相对的第三和第四横向侧。第一引线框架包括第一和第二引线部，该第一和第二引线部通过第一和第二横向侧突出。第二引线框架包括第三和第四引线部，该第三和第四引线部通过第一和第二横向侧突出。第三引线框架包括第五引线部，该第五引线部通过第一横向侧突出，并且第四引线框架包括第六引线部，该第六引线部通过第二横向侧突出。
根据实施例，提供一种发光器件，包括：主体，该主体具有腔体；第一和第二框架，该第一和第二框架被布置在腔体中；第三和第四引线框架，该第三和第四引线框架被布置在腔体中并且被布置在第一和第二引线框架之间；第一发光芯片，该第一发光芯片被布置在第一引线框架上；第二发光芯片，该第二发光芯片被布置在第二引线框架上；第一保护芯片，该第一保护芯片被布置在第三引线框架上；以及第二保护芯片，该第二保护芯片被布置在第四引线框架上；第一和第二引线框架中的每个包括多个引线部，所述多个引线部通过主体的横向侧之中的具有较长长度的第一和第二横向侧突出。第三和第四引线框架包括引线部，该引线部通过主体的横向侧之中的具有较长长度的第一或第二横向侧突出。第三引线框架的引线部在与第四引线框架的引线部突出的方向相反的方向中突出。
有益效果
实施例可以增强在具有大于宽度的长度的发光器件的中心部分处的刚度。
实施例可以改进发光器件的结构中的可靠性。
实施例可以改进发光器件的热辐射效率。
实施例可以改进发光器件和包括发光器件的照明设备的可靠性。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件的顶视图。
图2是示出图1的发光器件的后视图。
图3是沿着图1的发光器件的线A-A截取的截面图。
图4是沿着图1的发光器件的线B-B截取的截面图。
图5是沿着图1的发光器件的线C-C截取的截面图。
图6是沿着图1的发光器件的线D-D截取的截面图。
图7是沿着图1的发光器件的线E-E截取的截面图。
图8是示出在图2的发光器件中的第三和第四引线框架的另一示例的视图。
图9是沿着图8的发光器件的线F-F截取的截面图。
图10是示出图3的发光器件的另一示例的视图。
图11是示出具有图1的发光器件的发光模块的视图。
图12是示出根据实施例的发光器件的发光芯片的示例的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当基板、框架、片、层或者图案被称为是在基板、框架、片、层或者图案“上”或者“下”面时，每个能够“直接地/间接地”在基板、框架、片、层或者图案上面和下面，或者也可以存在一个或者多个中间元件。将会参考附图描述每个元件的这样的位置。
在下文中，将会参考附图更加显然地理解实施例。另外，在参考附图的描述中相同的附图标记将会被指配给相同的元件。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件。
图1是示出根据实施例的发光器件的顶视图，图2是示出图1的发光器件的后视图，并且图3是沿着图1的发光器件的线A-A截取的截面图。图4是沿着图1的发光器件的线B-B截取的截面图，图5是沿着图1的发光器件的线C-C截取的截面图，并且图6是沿着图1的发光器件的线D-D截取的截面图。图7是沿着图1的发光器件的线E-E截取的截面图。
参考图1至图7，发光器件200包括主体110，该主体110包括腔体140；多个引线框架125、135、145以及155，其部分被耦接到主体110，其被布置在腔体140中；多个发光芯片110和101，其被布置在腔体140中并且与引线框架125、135、145以及155电连接；以及多个保护芯片102和103，其被布置在腔体140中并且与发光芯片100和101电连接。
根据实施例的发光器件200可以包括发光芯片100和101。在根据实施例的发光器件200中，发光芯片100和101可以通过引线框架125、135、145以及155被相互平行地连接。根据实施例的发光器件200包括其中引线框架125、135、145以及155在朝向主体110的侧面之中的具有较长长度的侧面的方向中突出的结构。在根据实施例的发光器件200中，引线框架125、135、145以及155可以被设置在主体110的第二方向(y)中而不是第一方向(x)中，并且第二方向(y)可以垂直于第一方向(x)。
根据实施例的发光器件200的主体110可以包括绝缘材料。主体110可以是由具有比透射率高的反射率，例如，相对于从发光芯片100和101发射的光的波长的至少70％的反射率的材料形成。如果反射率至少是70％，则主体110可以是由非透射材料或者反射材料形成。主体110可以是由树脂基绝缘材料，例如，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料形成。主体110可以包括包含硅酮基材料、环氧基材料、或者塑料材料、高耐热材料、或者高耐光材料的热固性树脂。包括硅酮基材料的主体110包括白色基树脂。另外，主体110可以选择性地包括酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光学反射体、无机填充剂、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂、二氧化钛。可以使用从由环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅树脂、改性有机硅树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂组成的组中的至少一个来模制主体110。例如，主体110可以通过使用B级固体环氧树脂组合物来形成，该组合物可以通过以下步骤来获得：将环氧树脂(如三缩水甘油基异氰脲酸酯或氢化物双酚A二缩水甘油醚)与酸酐促进剂(如六氢邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢邻苯二甲酸酐或4-甲基六氢邻苯二甲酸酐)混合，接着在向环氧树脂添加用作硬化促进剂的DBU(1.8-二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯-7)和用作环氧树脂的促进剂的乙二醇、二氧化钛颜料或玻璃纤维后通过加热来部分地硬化，但是实施例不限于此。另外，主体110可以包括热固树脂和从由扩散剂、颜料、荧光体材料、反射材料、遮光材料、光稳定剂以及润滑剂组成的组中选择的至少一种的混合物。
主体110可以包括反射材料，例如，通过将金属氧化物添加到诸如环氧树脂或者硅树脂的树脂材料形成的树脂材料，并且金属氧化物可以包括TiO2、SiO2以及Al2O3中的至少一个。主体110可以有效地发射入射光。可替选地，主体110可以由透射性的树脂材料或者具有转换入射光的波长的荧光体的树脂材料形成。
参考图1和图2，主体110可以包括多个外表面，例如，至少四个横向侧111、112、113以及114。四个横向侧111、112、113以及114中的至少一个或者全部可以相对于主体110的底表面被倾斜。
关于主体110的第一至第四横向侧111、112、113以及114，第一和第二横向侧111和112彼此相对，并且第三和第四横向侧113和114彼此相对。
第一和第二横向侧111和112中的每个的第二长度D2可以不同于第三和第四横向侧113和114中的每个的第一长度D1。例如，第一和第二横向侧111和112中的每个的第二长度D2可以比第三和第四横向侧113和114中的每个的第一长度D1长。第一和第二横向侧111和112的第二长度D2可以形成比第三和第四横向侧113和114的第一长度D1长的侧面。第三和第四横向侧113和114的第一长度D1可以形成比第一和第二横向侧111和112的第二长度D2短的侧面。
第一横向侧111或者第二横向侧112的第二长度D2可以是第三横向侧113和第四横向侧114之间的距离。第二长度D2可以是在第一轴(x)方向中延伸的长度，并且第一长度D1可以是在第二轴(y)方向中延伸的长度。第二轴(y)方向是主体110的宽度方向或者较长侧方向。第一轴(x)方向是主体110的长度方向或者较长侧方向。第二轴(y)方向垂直于第一轴(x)方向。
在第一至第四横向侧111、112、113以及114之中的边界区域的拐角部可以具有成角度的表面或者弯曲的表面，但是实施例不限于此。
主体110的较长侧的第二长度D2的范围可以从较短侧的第一长度D1的大于一倍到至少两倍。详细地，第二长度D2的范围可以从第一长度D1的1.3倍到2倍。如果第二长度D2变成大于第一长度D1的两倍，则在引线框架125、135、145以及155之中的边界区域中刚度可能被削弱。如果第二长度D2变成小于第一长度D1的一倍，则可能难以在一个发光器件内平行地设置具有大的面积的多个发光芯片或者设置发光芯片。在这样的情况下，发光芯片100和101中的每个可以被定义为在宽度和长度上具有0.6mm或者更大——例如，1mm或者更大的大小的芯片。具有这样的大小的芯片可以是大面积的芯片。因为主体110的较长侧的第二长度D2是第一长度D1的两倍或者更少，所以可以防止主体110的中间部分在诸如注入模制工艺的制造工艺中被弯曲或者破坏。
在根据实施例的发光器件的主体110中，第一和第二横向侧111和112的第二长度D2可以比第三和第四横向侧113和114的第一长度D1长。其上布置有发光芯片100和101的第一和第二引线框架125和135可以在主体110的第二轴(y)方向中以较长长度被设置。在具有布置在其上的发光芯片100和101的第一和第二引线框架125和135被设置在主体110的第一轴(x)方向中并且第一和第二引线框架125和135的引线部通过第三和第四横向侧113和114突出的情况下，当具有布置在其上的保护芯片102和103的第一和第二引线框架145和155被布置在第一和第二引线框架125和135之间时，难以确保其中具有保护芯片102和103的第一和第二引线框架145和155的空间，并且难以确保具有发光芯片100和101的第一和第二引线框架125和135的散热面积。因此，发光器件的散热效率可以被降低。
根据实施例，具有布置在其上的发光芯片100和101的第一和第二引线框架125和135被纵向地设置在主体110的宽度方向中。另外，第一和第二引线框架125和125的引线部可以通过第一和第二横向侧111和112突出。因此，具有布置在其上的发光芯片100和101的第一和第二引线框架125和135的散热面积可以被确保，并且发光器件的散热效率可以被改进。
主体110包括具有敞开的上部的腔体140。腔体140可以被设置成从主体110的顶表面115凹形地凹进的形状，但是实施例不限于此。
被设置在腔体140周围的内侧壁可以包括相对于与主体110的底部水平的直线倾斜的表面。如在图4至图7中所示，腔体140的内侧壁R1和R2包括相对于腔体140的底部倾斜的第一侧壁R1和被布置在第一侧壁R1和腔体140的底部之间的第二侧壁R2。相对于水平直线，第二侧壁R2可以具有小于第一侧壁R1的角度的角。
第一侧壁R1可以相对于水平地延伸到第一引线框架125的顶表面的线以115°或者更大的角，例如，以115°到175°的范围的角被倾斜，以便于反射从发光芯片100或者101发射的光。第二侧壁R2可以相对于水平地延伸到第一引线框架125的顶表面的线以90°或者更大的角，例如，以90°到110°的范围的角被倾斜。因为第二侧壁R2很难被倾斜，所以第二侧壁R2可以防止主体110的一部分在引线框架125、135、145以及155上以毛刺的形式存在并且可以防止光损耗或者由毛刺造成的粘合力的降低。腔体140的侧壁R1和R2的拐角部可以具有弯曲的表面或者成角度的表面，但是实施例不限于此。
如在图4和图5中所示，在主体110中，与第一和第二横向侧111和112相邻的顶表面115的宽度B1可以和与第三和第四横向侧113和114相邻的顶表面115的宽度A1相等或者比其更宽。因此，发光器件200的第一长度D1可以增加与第一和第二横向侧111和112相邻的顶表面115的宽度B1。因此，在第一和第二横向侧111和112和第一至第四引线框架125、135、145以及155之中的耦接力(coupling force)可以被加强。因此，可以增强在主体110的较长侧处的刚度。
引线框架125、135、145以及155被布置在主体110的腔体140中。引线框架125、135、145以及155可以包括至少三个或者四个引线框架。引线框架125、135、145以及155可以被布置在主体110的宽度方向中而不是长度方向中。引线框架125、135、145以及155可以在第二轴(y)方向中而不是第一轴(x)方向中以较长长度被布置。在引线框架125、135、145以及155的长度之中的较长长度的方向可以是主体110的宽度方向。引线框架125、135、145以及155中的至少两个可以具有比在主体110的第二轴(y)方向中延伸的长度D1长的长度。引线框架125、135、145以及155中的至少两个可以具有比在主体110的第二轴(y)方向中延伸的长度D1短的长度。
引线框架125、135、145以及155可以被相互分开并且可以被耦接到主体110。引线框架125、135、145以及155中的至少三个可以通过主体110的第一横向侧111突出。引线框架125、135、145以及155中的至少三个可以通过主体110的第二横向侧112突出。
发光芯片100和101和保护芯片102和103中的任意一个可以被布置在引线框架125、135、145以及155中的每个中。引线框架125、135、145以及155可以包括第一至第四引线框架125、135、145以及155。第一和第二引线框架125和135在主体110的第一轴(x)方向或者长度方向中被彼此分开，并且第三和第四引线框架145和155可以在主体110的第二轴(y)方向或者宽度方向中被分开。第三和第四引线框架145和155可以被布置在第一和第二引线框架125和135之间。第三和第四引线框架145和155可以在第一和第二引线框架125和135之间以直线对齐。第一、第三以及第二引线框架125、145以及135可以彼此平行地设置。第一、第四以及第二引线框架125、155以及135可以彼此平行地设置。
如在图1、图2、图3以及图5中所示，第一引线框架125被布置在腔体140的第一区域下面并且被耦接到主体110。通过腔体140暴露的第一引线框架125的长度L1和宽度W1可以彼此相等或者可以彼此不同。例如，第一引线框架125的长度L1或者宽度W1可以是1.0mm或者更多，详细地，在1.0mm和3.5mm的范围中。如果长度L1或者宽度W1小于该范围中的值，则第一发光芯片100的安装可能是困难的。如果长度L1或者宽度W1可以大于该范围中的值，则封装尺寸可能增加。第一引线框架125包括多个引线部。例如，第一引线框架125包括在彼此相对的方向中突出的第一和第二引线部127和128。第一引线部127从被布置在腔体140中的第一引线框架125通过主体110的第一横向侧110突出。第二引线部128从被布置在腔体140中的第一引线框架125通过主体110的第二横向侧112突出。
如在图1、图2、图3以及图6中所示，第二引线框架135被布置在腔体140的第二区域下面并且被耦接到主体110。通过腔体140暴露的第二引线框架135的长度L2和宽度W2可以彼此相等或者可以相互不同。例如，第二引线框架135的长度L2或者宽度W2可以是1.0mm或者更大，详细地，在1.0mm和3.5mm的范围中。如果长度L2或者宽度W2小于该范围中的值，则第二发光芯片101的安装可能是困难的。如果长度L2或者宽度W2可能大于该范围中的值，则封装尺寸可能增加。长度L2可以等于或者不同于第一引线框架125的长度L1。例如，L1:L2的比率可以是在3:1至1:3的范围中，但是实施例不限于此。第二引线框架135包括多个引线部。例如，第二引线框架135包括在彼此相对的方向中突出的第三和第四引线部137和138。第三引线部137从被布置在腔体140中的第二引线框架135通过主体110的第一横向侧111突出。第四引线部138从被布置在腔体140中的第二引线框架135通过主体110的第二横向侧112突出。
腔体130中的第一区域可以与主体110的第一、第二、以及第三横向侧111、112、以及113相邻。第二区域可以与主体110的第一、第二、以及第四横向侧111、112以及114相邻。
如在图1、图2、图3以及图7中所示，第三引线框架145被布置在腔体140中的第一区域和第二区域之间的第三区域中。第三区域可以是被布置在第一和第二区域之间并且与第一横向侧111相邻的区域。通过腔体140暴露的第三引线框架145的区域的长度L3可以是120μm或者更多，例如，150μm或者更多，用于第一保护芯片102的安装。如果长度L3是较小值，则在第一保护芯片102的针脚式接合工艺中可能存在困难。如在图3和图7中所示，在第三引线框架145中，通过腔体140暴露的区域的宽度W3可以大于第三引线框架145的长度L3。因此，用于与第一保护芯片102的连接的引线接合空间可以被提供。
第三引线框架145被布置在第一和第二引线框架125和135之间的区域中并且包括至少一个引线部，例如，第五引线部147。第五引线部147可以从被布置在腔体140中的第三引线框架145通过主体110的第一横向侧111突出。第五引线部147可以被布置在主体110的第一横向侧111的外部处并且可以被布置在第一和第三引线部127和137之间。因为具有比第三引线框架145的内宽度宽的外宽度的第五引线部147可以被耦接到主体110的内部，所以在第五引线部147和主体110之间的耦接力可以被加强。因此，第三引线框架145的分离可以被防止。在此，在第三引线框架145中，内宽度可以是被布置在腔体140内部的区域的宽度，并且外宽度可以是被布置在第一横向侧111下面的区域的宽度。
如在图1、图2、图4以及图7中所示，第四引线框架155被布置在腔体140中的第一区域和第二区域之间的第四区域中。第四区域可以是被布置在第一和第二区域之间并且与第二横向侧112相邻的区域。第四引线框架155的长度L4可以是120μm或者更大，例如，150μm或者更大，用于第二保护芯片103的安装。如果长度L4是较小值，则在第二保护芯片102的针脚式接合工艺中可能存在困难。如在图3和图7中所示，在第四引线框架155中，通过腔体140暴露的区域的宽度W4可以大于长度L4。因此，用于与第二保护芯片103的连接的引线接合空间可以被提供。
第四引线框架155被布置在第一和第二引线框架125和135之间的区域中并且包括至少一个引线部，例如，第六引线部157。第六引线部157可以从被布置在腔体140中的第四引线框架155通过主体110的第二横向侧112突出。第六引线部157可以被布置在主体110的第二横向侧112的外部处并且可以被布置在第二和第四引线部128和138之间。第六引线部157可以在与第五引线部147突出的方向相对的方向中突出。因为具有比第四引线框架155的内宽度宽的外宽度的第六引线部157可以被耦接到主体110的内部，在第六引线部157和主体110之间的耦接力可以被加强。因此，第四引线框架155的分离可以被防止。在此，在第三引线框架155中，内宽度可以是被布置在腔体140中的区域的宽度，并且外宽度可以是被布置在第一横向侧112下面的区域的宽度。
关于在第三和第四引线框架145和155之间的距离，在顶表面之间的距离G5是在0.8mm±0.1mm的范围内，并且在底表面之间的距离可以是在0.6mm±0.05mm的范围内。由于在第三和第四引线框架145和155之间的距离可以防止电气干扰，并且在第三和第四引线框架145和155与突出部118之间的耦接力可以被削弱。
如在图1和图2中所示，在第一和第二引线框架125和135中，在腔体140的外部的区域C2和C3可以具有圆形并且可以以引线部127、128、137以及138的形式延伸。在第三引线框架145中，在腔体140外部的区域C5可以具有圆形并且可以以第五引线部147的形式延伸。在第四引线框架155中，在腔体140外部的区域C6可以具有圆形并且可以以第六引线部157的形式延伸。因此，与主体110的耦接可能由于具有圆形的区域C2、C3、C5以及C6被增强。第三引线框架145的具有圆形的区域C5可以被布置在第一和第二引线框架125和135的具有圆形的区域C2的外部。第四引线框架155的具有圆形的区域C6可以被布置在第一和第二引线框架125和135的具有圆形的区域C3的外部。在这样的情况下，非弯曲的区域C1可以被布置在第一和第二引线框架125和135的在腔体140的外部的区域C2和C3之间。
如在图1和图2中所示，第一、第三以及第五引线部127、137以及147通过主体110的第一横向侧111突出，并且第二、第四以及四六引线部128、138以及157通过主体110的第二横向侧112突出。第二、第四以及第六引线部128、138以及157基于主体110在与第一、第三以及第五引线部127、137以及147突出的方向相对的方向中突出。通过主体110的第一横向侧111的引线部127、137以及147和通过第二横向侧112突出的引线部128、138以及157可以被用作测试端子或者接合端子。
在通过第一横向侧111突出的第一、第三以及第五引线部127、137以及147之中的直径G1和G2可以彼此相等或者可以彼此不同。直径G1和G2可以比图3中示出的第一和第二间隔部(spacer part)116和117的宽度G3和G4更宽。在通过第二横向侧112突出的第二、第四以及第六引线部128、138以及157之中的距离可以彼此相等或者可以彼此不同。距离可以比图3中示出的第一和第二间隔部116和117的宽度G3和G4更宽。在相邻的引线部之间的距离G3或者G4可以比引线部127或者128的宽度D7、引线部137或者138的宽度D8、或者引线部147或者157的宽度D9更窄。
被布置在腔体140中的第一至第四引线框架125、135、145以及155的底表面可以被暴露于主体110的底部。第一至第六引线框架127、128、137、138、147以及157可以被设置在与主体110的底部相同的水平面上。第一至第六引线部127、128、137、138、147以及157的底表面可以被暴露于主体110的底部的外部。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以与第一至第六引线部127、128、137、138、147以及157一起被接合到电路板。第一至第六引线部127、128、137、138、147以及157可以通过主体110的横向侧111和112突出了0.10mm或者更多，详细地，0.15mm或者更多。引线部127、128、137、138、147以及157的突出长度可以被设置为足以用作测试端子或者引线端子的长度。
参考图1和图4，第一间隔部116可以被耦接到在第一引线框架125和第三和第四引线框架145和155之间的区域。第一间隔部116可以是由与主体110相同的材料形成或者可以包括不同于主体110的材料的绝缘材料。第二间隔部117可以被耦接到第二引线框架135和第三和第四引线框架145和155之间的区域。第一间隔部117可以是由与主体110的相同的材料形成或者可以包括不同于主体110的材料的绝缘材料。第一和第二间隔部116和117可以被相互连接。第一和第二间隔部116和117可以通过在第三和第四引线框架145和155之间的区域被相互连接。第一和第二间隔部116和117可以被相互连接。主体110可以包括第一和第二间隔部116和117。
参考图1、图4以及图7，突出部118可以从第一和第二间隔部116和117之间的区域突出。突出部118可以是由与第一和第二间隔部116和117相同的材料形成并且可以被连接第一和第二间隔部116和117。突出部118可以是由与主体110相同的材料形成。当从顶视图中看时，突出部118可以具有圆形、多边形、椭圆形以及具有弯曲的拐角的多边形中的至少一个，但是实施例不限于此。突出部118可以以具有朝向其顶表面变窄的宽度的棱柱体的形状突出。另外，当突出部118的横向侧是弯曲表面时，弯曲表面的曲率的半径可以是在0.2mm±0.05mm的范围中。由于弯曲的表面，入射光可以在不同的方向中被反射。突出部118的横向侧可以以弯曲表面而不是成角度的表面的形式被设置，用于光反射。
突出部118可以从在第三和第四引线框架145和155之间的区域突出。突出部118可以从第三和第四引线框架145和155的顶表面的位置向上延伸。突出部118可以被耦接到第三和第四引线框架145和155并且可以与垂直方向中的第三和第四引线框架145和155的顶表面的部分重叠。突出部118的外周表面可以是倾斜表面。与突出部118相对的区域可以包括凹陷区域251。凹槽区域251可以被设置在主体110的下部中。凹陷区域251可以是在注入模制工艺中要被咬合浇口的孔。凹槽区域251的侧截面图形状可以是多边形或者半球形，但是实施例不限于此。凹槽区域215的深度可以小于第三和第四引线框架245和255的高度。如果凹槽区域215被形成有抵达第三和第四引线框架245和255的顶表面处的深度，则在第一和第二间隔部116和117中可能削弱刚度。
因为凹槽区域251具有离第三和第四引线框架145和155的范围在0.05mm和0.3mm之间的距离，所以可以防止在凹槽区域251和第三和第四引线框架145和155之间的区域被破坏。
突出部118的顶表面可以高于第三和第四引线框架145和155的顶表面并且可以低于主体110的顶表面115。突出部118的顶表面可以高于第一间隔部116和第二间隔部117的顶表面。如果突出部118没有突出，则在第三和第四引线框架145和155之间的耦接力可以被削弱或者第三和第四引线框架145和155可以被破坏。如果突出部118具有比厚度T1厚的厚度，则保护芯片102和103可以不被安装。如在图7中所示，突出部118的宽度W5可能比通过腔体140的底部暴露的第三和第四引线框架145和155的部分的宽度W3和W5更窄。在突出部118中，当从如在图1中所示的顶视图中看时宽度与长度的比率范围可以是从3:1到1:3，但是本实施例不限于此。突出部118和第一和第二间隔部116和117被耦接到第三和第四引线框架145和155以支撑第三和第四引线框架145和155。
突出部118可以被定位在第一和第二引线框架125和135之间的中心区域处并且可以被定位在第三和第四引线框架145和155之间的中心区域处。腔体140的形状可以是关于突出部118线对称的形状。
如在图2至图4中所示，第一引线框架125的外部分可以包括第一和第二台阶结构211和212。主体110的部分可以被耦接到第一和第二台阶结构211和212。第一和第二台阶结构211和212可以沿着第一引线框架125的外部，例如，沿着第一引线框架125的两个边缘被设置。第一台阶结构211可以沿着主体110的第三横向侧113被耦接到第三横向侧113的内部。第一台阶结构211可以在主体110的第一和第二横向侧111和112的内部延伸。第二台阶结构212可以沿着第一间隔部116被耦接到第一间隔部116。第一台阶结构212可以在主体110的第一和第二横向侧111和112的内部延伸。第一和第二台阶结构211和212的深度离第一引线框架125的边缘可以是0.01mm或者更多，详细地，0.02mm或者更多。如果深度小于此数值，则耦接力可能被削弱。第一和第二台阶结构211和212的凹槽高度可以是在第一引线框架125的厚度的1/3至1/2的范围中。如果第一和第二台阶结构211和212的凹槽高度超出此范围，则耦接力可能被削弱或者台阶部可能被破坏。
被布置在第一引线框架125的外部处的第一和第二台阶结构211和212的长度D13可以大于图1的腔体140的宽度D11。因此，在第一和第二台阶结构211和212与主体110之间的接触面积可以被增加。第一和第二台阶结构211和212的长度D13可以小于主体110的第二长度D1。第一和第二台阶结构211和212可以与主体110的第一和第二横向侧111和112的表面分开。
在第一引线框架125中，底表面的宽度D3可以比顶表面的宽度窄。在第一引线框架125中，顶表面的面积可能比底表面面积的更宽。第一引线框架125的底表面的宽度D3可以比第一和第二引线部127和128的宽度D7更宽。在第一引线框架125中，在底表面的宽度D3和宽度D7之间的差可以是0.05mm或者更多，详细地，在0.05mm到0.2mm的范围中。如果在底表面的宽度D3和宽度D7之间的差小于范围内的值，则与主体110的耦接力可能被削弱。如果在底表面的宽度D3和宽度D7之间的差大于该范围的值，则第一和第二引线部127和128的功能可能被降低。
第一和第二引线部127和128可以被布置在主体110的下面。第一和第二引线部127和128以比第一引线框架125的底表面的宽度D3更窄的宽度D7突出，从而防止刚度在主体110的第一和第二横向侧111和112中被削弱。
第二引线框架135可以包括被形成在其外部处的第三和第四台阶结构215和216。主体110的部分可以被耦接到第三和第四台阶结构215和216。第三和第四台阶结构215和216可以沿着第二引线框架135的两个外部，例如，第二引线框架135的两个边缘被设置。第三台阶结构215可以沿着主体110的第四横向侧114被耦接到第四横向侧114的内部。第三台阶结构215可以在主体110的第一和第二横向侧111和112的内部延伸。第四台阶结构216可以沿着第一间隔部117被耦接到第二间隔部117。第四台阶结构216可以在主体110的第一和第二横向侧111和112的内部延伸。第三和第四台阶结构215和216的深度可以离第二引线框架135的边缘0.01mm或者更大，详细地，0.02mm或者更大。如果深度小于此数值，则耦接力可能被削弱。第三和第四台阶结构215和216的凹槽高度可以是在第二引线框架135的厚度的1/3至1/2的范围内。如果第三和第四台阶结构215和216的凹槽高度超出此范围，则耦接力可能被削弱或者台阶部可能被破坏。
第三和第四台阶结构215和216的长度D13可以大于图1的腔体140的宽度D11。第三和第四台阶结构215和216可能由于长度D13增加与主体110的接触面积。第三和第四台阶结构215和216可以以比主体110的第一长度D1短的长度被布置。第三和第四台阶结构215和216可以与主体110的第一和第二横向侧111和112的表面分开。
在第二引线框架135中，底表面的宽度D4可以比顶表面的宽度更窄。在第二引线框架135中，顶表面的面积可能比底表面的面积宽。在被布置在腔体140中的第二引线框架135中，底表面的宽度D4可能比第三和第四引线部137和138的宽度D8更宽。在第二引线框架135中，在底表面的宽度D4与宽度D8之间的差可以是0.05mm或者更大，详细地，在0.05mm至0.2mm的范围中。如果在底表面的宽度D4和宽度D8之间的差小于该范围中的值，则与主体110的耦接力可能被削弱。如果在底表面的宽度D4和宽度D8之间的差大于该范围中的值，则第三和第四引线部137和138的功能可能被降低。第三和第四引线部137和138以比被布置在主体110的下面的第二引线框架135的宽度D4窄的宽度D8突出，从而防止在主体110的第一和第二横向侧111和112中削弱刚度。
具有第一和第二引线部127和128的第一引线框架125和具有第三和第四引线部137和138的第二引线框架135的长度D21可以大于主体110的第一宽度D1。因此，因为第一和第二引线框架125和135具有通过第一和第二横向侧111和112在彼此相对的方向中突出的引线部127、128、137以及138，所以第一和第二引线框架125和135的表面积被增加，从而改进散热效率。
参考图2、图3以及图7，第三引线框架145可以包括被形成在其外部处的第五台阶结构213。第五台阶结构213被形成在第三引线框架135的外围上并且被耦接到主体110的一部分。第五台阶结构213可以被耦接到第一和第二间隔部116和117和突出部118。如在图7中所示，突出部118可以以预先确定的厚度T1突出，并且厚度T1可以等于或者高于第一和第二保护芯片102和103的顶表面的高度。在第三引线框架145中，由于第五台阶结构213，顶表面的区域可以比底表面的更宽。第五台阶结构213可以与主体110的第一横向侧111的表面分开。第五台阶结构213的深度可以是0.01mm或者更大，详细地，离第三引线框架145的边缘0.02mm或者更大。如果深度小于此数值，则耦接力可能被削弱。第五台阶结构213的凹槽高度可以在第三引线框架145的厚度的1/3至1/2的范围中。如果第五台阶结构213的凹槽高度超出该范围，则耦接力可能被削弱或者台阶部可能被破坏。
参考图2、图4以及图7，第四引线框架155可以包括被形成在其外部处的第六台阶结构214。第六台阶结构214被形成在第四引线框架155的外围上并且被耦接到主体110的一部分。第六台阶结构214可以被耦接到第一和第二间隔部116和117和突出部118。在第四引线框架155中，由于第六台阶结构214，顶表面的面积可能比底表面的更宽。第六台阶结构215的深度可以是0.01mm或者更多，详细地，离第四引线框架155的边缘0.02mm或者更大。如果深度小于此数值，则耦接力可能被削弱。第六台阶结构214的凹槽高度可以是第四引线框架155的厚度的1/3至1/2的范围中。如果第六台阶结构215的凹槽高度超出此范围，则耦接力可能被削弱或者台阶部可能被破坏。
第五和第六引线框架145和155的底表面的宽度D5可以比第五和第六引线部147和157的宽度D9窄。在第五和第六引线框架145和155中，在底表面的宽度D5和宽度D9之间的差可以是0.05mm或者更多，详细地，在0.05mm到0.2mm的范围中。如果在底表面的宽度D5和宽度D9之间的差小于该范围中的值，则与主体110的耦接力可能被削弱。如果在底表面的宽度D5和宽度D9之间的差大于该范围中的值，则第五和第六引线部147和157的功能可能被降低。在此，在第五和第六引线框架145和155的底表面中，用作内宽度的底表面宽度D5，可以是0.03mm或者更多，详细地，在0.03mm至1.0mm的范围中。用作外宽度的宽度D9可以是0.08mm或者更多，详细地，在0.08mm至1.2mm的范围中。如果底表面宽度D5小于该范围中的值，则保护芯片102和103的安装或者引线接合工艺可能是困难的。如果底表面宽度D5大于该范围中的值，则第一和第二间隔部116和117的大小或者第一和第二引线框架125和135的大小可能被影响。
第五和第六引线框架145和155的底表面的宽度D5可能比第五和第六引线部147和157的宽度D9窄，从而防止在主体110的中心区域中削弱刚度。第五引线部147的底表面的宽度D9可以等于第六引线部157的底表面的宽度。
第一至第四125、135、145以及155的台阶结构211、212、213、214、215以及216可以加强与主体110的耦接力并且可以防止湿气被渗透。
如在图2和图5中所示，第一引线框架125可以包括多个孔H1和H2。孔H1和H2可以与主体110重叠并且被布置在与第一和第二横向侧111和112相邻的区域中。例如，孔H1和H2可以包括第一和第二孔H1和H2。第一孔H1可以被布置为与第一横向侧111相邻并且第二孔H2可以被布置为与横向侧112相邻。在第一和第二孔H1和H2之间的距离D2可能比腔体110的宽度D11(参见图11)更宽。第一和第二孔H1和H2可以与发光芯片100和101的横向侧分开并且可以具有大于发光芯片100和101的侧面中的任意一个的长度的距离D12。第一和第二孔H1和H2可以在垂直方向中与主体110重叠以加强与主体110的耦接力。当从底视图看时，第一和第二孔H1和H2可以具有多边形、圆形、椭圆形以及具有弯曲的角的多边形中的至少一个。第一孔H1可以被布置在第一台阶结构211和第二台阶结构212的圆形区域C2之间。第二孔H2可以被布置在第一台阶结构211和第二台阶结构212的圆形区域C3之间。第一引线框架125可以通过第一和第二孔H1和H2和圆形区域C2和C3加强与主体110的耦接力。
第一引线框架125的第一和第二孔H1和H2可以包括第七和第八台阶结构217和218。第七和第八台阶结构217和218可以被设置使得第一和第二孔H1和H2的下部的宽度比其上部的宽度宽。第一和第二耦接部225和226可以被咬合第一引线框架125的第一和第二孔H1和H2。第一和第二耦接部225和226可以与第一和第二孔H1和H2咬合使得第一和第二耦接部225和226的下部的宽度比其上部的宽度宽。第七和第八台阶结构217和218具有离第一引线框架125的底表面的预先确定的高度。例如，高度可以被凹进第一引线框架125的厚度的1/2至1/3的范围中的值。如果高度超出该范围，则与主体110的耦接力可能被削弱，或者台阶部可能被破坏。
如在图2和图6中所示，第二引线框架135可以包括多个孔H3和H4。孔H3和H4可能与主体110重叠并且可以被布置在与第一和第二横向侧111和112相邻的区域中。例如，孔H3和H4可以包括第三和第四孔H3和H4。第三孔H3可以被布置为与第一横向侧111相邻并且第四孔H4可以被布置为与第二横向侧112相邻。在第三和第四孔H3和H4之间的距离D13可以比腔体140的宽度D11(参见图11)宽。第三和第四孔H3和H4可以在垂直方向中与主体110重叠以加强在第二引线框架135和主体110之间的耦接力。当从底视图看时，第三和第四孔H3和H4可以具有多边形、圆形、椭圆形以及具有弯曲的角的多边形中的至少一个。第三孔H3可以被布置在第三台阶结构215和第四台阶结构216的圆形区域C2之间。第四孔H4可以被布置在第三台阶结构215和第四台阶结构216的圆形区域C3之间。第二引线框架135可以通过第三和第四孔H3和H4和圆形区域C2和C3加强与主体110的耦接力。
第一引线框架135的第三和第四孔H3和H4可以包括第九和第十台阶结构219和220。第九和第十台阶结构219和220可以被设置使得第三和第四孔H3和H4的下部的宽度比其上部的宽度宽。第三和第四耦接部235和236与第二引线框架135中的第三和第四孔H3和H4咬合。第三和第四耦接部235和236与第三和第四孔H3和H4咬合，使得第三和第四耦接部235和236的宽度大于其上部的宽度。第三和第四孔H3和H4可以与第二发光芯片101的两个横向侧分开并且可以具有大于发光芯片101的侧面中的任意一个的长度的距离D13。第九和第十台阶结构219和220可以具有离第二引线框架135的底表面的预先确定的高度。例如，第九和第十台阶结构219和220的高度可以被凹进第二引线框架135的厚度的1/2到1/3的范围中的值。如果高度超出该范围，则与主体110的耦接力可能被削弱或者台阶部可能被破坏。
参考图1、图5以及图7，在被设置在主体10中的腔体140的内侧壁之中的被耦接到第三引线框架145的内侧壁141与第一横向侧111之间的距离可以被设置为比在腔体140的被耦接到第一和第二引线框架125和135的第二内侧壁R2与第一横向侧111或者第二横向侧112之间的距离窄。在被设置在主体110中的腔体140的内侧壁之中的被耦接到第四引线框架155的内侧壁142与第二横向侧112之间的距离可以被设置为比腔体140的被耦接到第一或者第二引线框架125或者135的第二内侧壁R2和第二横向侧112之间的距离窄。被布置在被设置在主体110中的腔体140的内侧壁之中的被耦接到第三引线框架145的内侧壁141和第一横向侧111之间的顶表面115的宽度B2可以等于被设置在被耦接到第四引线框架146的内侧壁142和第二横向侧112之间的顶表面115的宽度。宽度B2可以比被布置在被耦接到第一或者第二引线框架125或者135的腔体140和第一横向侧111之间的顶表面115的宽度B1窄。如在图1中所示，腔体140的内侧壁141和142可以被布置在外部分处并且与第一内侧壁R1相比较被布置为更加靠近第一和第二横向侧111和112。朝向第一横向侧111和第二横向侧112可以以弯曲形状设置内侧壁141和142。内侧壁141和142可以包括垂直地倾斜的表面和/或垂直表面。因此，第三和第四引线框架145和155的顶表面的区域可以被确保在腔体140中，从而提供用于第一和第二保护芯片102和103的针脚式接合的空间。
第一至第四引线框架125、135、145以及155的底表面可以被布置在如在图1至图7中示出的相同水平面上。如在图2中所示，第一和第二引线框架125和135的底表面的宽度D3和D4可以比第五和第六引线框架145和155的底表面的宽度D5宽并且可以比第一至第四引线部127、128、137、以及138的宽度D7、D8以及D9宽。第三和第四引线框架145和155的底表面的宽度D5可以比第一和第二引线框架125和135的底表面的宽度D3和D4窄并且可以比第五和第六引线部157和158的底表面的宽度D9窄。例如，第三和第四引线框架145和155的底表面的宽度D5可以最多是第一和第二引线框架125和135的底表面的宽度D3和D4的三倍。例如，第三和第四引线框架145和155的底表面的宽度D5可以在0.4mm至0.6mm的范围中。如果第三和第四引线框架145和155的底表面的宽度D5小于该范围中的值，则与间隔部116和117的耦接力可能被减弱并且因此湿气可以被渗透到在第三和第四引线框架145和155和间隔部116和117之间的空间中。如果第三和第四引线框架145和155的宽度D5大于该范围中的值，则第一和第二引线框架125和135的底表面的宽度D3和D4可能被减少或者主体10的第二长度D2可能被增加。
在这样的情况下，如在图2中所示，第一至第四引线部127、128、137以及138的宽度D7和D8可以彼此相等，但是实施例不限于此。第一至第四引线部127、128、137以及138的宽度D7和D8与第五和第六引线部156和157的宽度D9的比率可以处于2:1到1:1的范围中。该比率可以防止散热面积由于第一至第四引线部127、128、137以及138的面积而被减少，并且可以防止第五和第六引线部156和157的功能被降低。
第一至第四引线框架125、135、145以及155可以包括金属材料，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)以及磷(P)中的至少一个。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以包括单个金属层或者多个金属层。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以被形成有相等的厚度。第一至第四引线框架125、135、145以及155用作供电端子。
发光芯片100和101可以被布置在腔体140中并且可以被布置在第一和第二引线框架125和135上。发光芯片100和101可以包括至少两个发光芯片。例如，发光芯片100和101可以包括第一和第二发光芯片100和101。保护芯片102和103可以被布置在腔体140中并且可以被布置在第三和第四引线框架145和145上。保护芯片102和103可以包括至少两个发光芯片。例如，保护芯片102和103可以包括第一和第二保护芯片102和103。
第一发光芯片100被布置在第一引线框架125上，并且第二发光芯片101被布置在第二引线框架135上。第一保护芯片102被布置在第三引线框架145上，并且第二保护芯片103被布置在第四引线框架155上。
第一发光芯片100可以通过粘合剂，例如，导电粘合剂粘附到第一引线框架125上并且因此可以与第一引线框架125电连接。第一发光芯片100可以通过第一连接构件171与第三引线框架145相连接，并且第一连接构件171包括导线。导电粘合剂可以包括诸如焊料的粘接材料。因为第一引线框架125通过导电粘合剂与第一发光芯片100相连接，所以对于在第一引线框架125和第一发光芯片100之间的电气连接不需要附加的连接构件。
第二发光芯片101可以通过粘合剂，例如，导电粘合剂粘附到第二引线框架135，并且因此可以与第二引线框架135电连接。第二发光芯片101可以通过第二连接构件172与第二引线框架135相连接。第二连接构件172包括导线。第一和第二发光芯片101和102可以被相互平行地连接并且可以被单独地驱动。因为第二引线框架135通过导电粘合剂与第二发光芯片101相连接，所以对于在第二引线框架135和第二发光芯片101之间的电气连接不需要附加的连接构件。
第一和第二发光芯片100和101可以在可视光带到紫外光带的范围中选择性地发射光。例如，第一和第二发光芯片100和101可以选择性地包括红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿LED芯片或者白色LED芯片。第一和第二发光芯片100和101包括LED芯片，该LED芯片包括III-V族元素的化合物半导体和II-VI族元素的化合物半导体中的至少一个。发光器件200可以包括具有至少0.6mmⅹ0.6mm或者至少1mmⅹ1mm的大面积的第一和第二发光芯片100和101以增加光强度。
第一保护芯片102可以通过导电粘合剂粘附到第三引线框架145并且因此可以于第三引线框架145电连接。第一保护芯片102可以与第一引线框架125和第三连接构件173相连接。第三连接构件173包括导线。
第二保护芯片103可以通过导电粘合剂粘附到第四引线框架155并且因此可以与第四引线框架155电连接。第二保护芯片103可以与第二引线框架135和第四连接构件174相连接。第四连接构件174包括导线。
第一和第二保护芯片102和103可以以半导体闸流管、齐纳二极管、或者瞬态电压抑制二极管(TVS)中的至少一个来实现。第一发光芯片100可以被平行地连接第一保护芯片102。第二发光芯片101可以被平行地连接第二保护芯片102。第一和第二引线框架125和135可以用作每个发光芯片100和101的阴极电极，并且第三和第四引线框架145和155可以用作每个发光芯片100和101中的阳极电极。
第一和第二保护芯片102和103可以电气地保护第一和第二发光芯片100和101。反射材料可以被布置在第一和第二保护芯片102和103的表面上。反射材料可以包括诸如硅树脂或者环氧树脂的树脂材料和诸如TiO2、SiO2或者Al2O3.的金属氧化物中的至少一个。反射材料可以防止光被第一和第二保护芯片102和103吸收。
模制构件(molding member)150可以被布置在腔体140中。模制构件150可以包括诸如硅树脂或者环氧树脂的透光材料并且可以被形成为单层或者多层。
模制构件150可以包括荧光体以转换从发光芯片100或者101向上发射的光的波长。荧光体可以选择性地包括YAG、TAG、硅酸盐、氮化物或者氮氧化物基材料。荧光体可以包括红、黄、蓝以及绿色荧光体中的至少一个，但是实施例不限于此。荧光体可以被布置在第一和第二发光芯片100和101上使得第一和第二发光芯片100和101以相互不同的颜色发射光，但是实施例不限于此。
模制构件150可以被布置有以平坦的形状、凹形、以及凸形中的至少一个形成的表面，但是实施例不限于此。模制构件150的表面可以用作光出射表面。光学透镜可以被布置在模制构件150上。对于发光芯片100和101来说，光学透镜可以包括凸透镜、凹透镜、或者在其中心部分处具有全反射表面的凸透镜，但是实施例不限于此。
图8是示出图2的发光器件的第三和第四引线框架的另一示例的视图。图9是沿着图8的发光器件的线F-F截取的截面图。在参考图8和图9的下面的描述中，通过参考上面描述的实施例将会理解与上述描述的实施例的相同的部分。
参考图8和图9，在发光器件中，第一凹槽149被布置在第三引线框架145中，并且第二凹槽159被布置在第四引线框架155中。
第一凹槽149从第三引线框架145的第五引线部147被凹进，并且在朝向主体110的第一横向侧111的方向中具有闭合结构。第三耦接部245可以被布置在第一凹槽149中。第三耦接部245可以由组成主体110的材料形成并且可以被耦接到第一凹槽149。第三耦接部245可以防止第三引线框架145被分离。
第二凹槽159从第四引线框架155的第六引线部157被凹进，并且在朝向主体110的第一横向侧112的方向中具有闭合结构。第五耦接部255可以被布置在第二凹槽159中。第五耦接部255可以由组成主体110的材料形成并且可以被耦接到第二凹槽159。第四耦接部255可以防止第五引线框架155被分离。
图10是示出图4中的发光器件的另一示例的视图。在参考图10的下面的描述中，将会通过参考上面描述的实施例理解在上面描述的实施例的相同部分。
参考图10和图1，发光器件包括：主体110，其具有腔体140；多个引线框架125、135、145以及155，其具有被耦接到主体110的至少部分并且被布置在腔体140中；多个发光芯片100和101，其被布置在腔体140中并且与引线框架125、135、145以及155电连接；以及多个保护芯片102和103，其被布置在腔体140中并且与发光芯片100和101电连接。
发光器件的第一和第二间隔部116和117可以包括比第一和第二引线框架125和135的顶表面更高地突出的第一和第二反射部116A和117A。第一反射部116A可以在第一引线框架125和第三和第四引线框架145和155之间的区域中突出，从而反射从第一发光芯片100发射的光。第二反射部117A可以在第一引线框架135和第三和第四引线框架145和155之间的区域中突出，从而反射从第二发光芯片101中发射的光。
第一和第二反射部116A和117A的厚度T2可以等于或者高于第一和第二保护芯片102和103的顶表面高度，从而减少第一和第二保护芯片102和103的光吸收。另外，根据实施例，反射材料可以被应用于第一和第二保护芯片102和103的表面，从而防止光吸收。反射材料可以包括诸如硅树脂或者环氧树脂的树脂材料和诸如TiO2、SiO2或者Al2O3的金属氧化物中的至少一个。反射材料可以防止光被第一和第二保护芯片102和103吸收。
在腔体140的下部的第一区域140A中，反射结构可以被设置在第一发光芯片100周围。在第二区域140B中，反射结构可以被设置在第二发光芯片101周围。反射结构可以通过腔体140上的侧壁和第一和第二反射部116A和117A来形成。反射部116A和117A可以不被形成。
第一荧光体膜300可以被布置在第一发光芯片100上并且第二荧光体膜301可以被布置在第二发光芯片101上。第一荧光体膜300和第二荧光体膜301可以包括相同的荧光体或者相互不同的荧光体。例如，在相互不同的荧光体的情况下，当第一和第二发光芯片100和101发射蓝光，第一荧光体膜300可以具有黄色荧光体并且第二荧光体膜301可以具有红色荧光体。
可替选地，当第一和第二发光芯片100和101发射蓝光时，第一荧光体膜300可以具有绿色荧光体并且第二荧光体膜301可以具有红色荧光体。
另外，当第一和第二发光芯片100和101发射蓝光时，第一荧光体膜300可以具有黄色和绿色荧光体并且第二荧光体膜301可以具有红色和绿色荧光体。
另外，当第一和第二发光芯片100和101发射紫外光时，第一荧光体膜300可以具有蓝色和红色荧光体并且第二荧光体膜301可以具有绿色荧光体。被包含在荧光体膜300和301中的荧光体的类型可以取决于发光芯片100和101，并且荧光体可以被包含在模制构件150中，但是实施例不限于此。
图11是示出具有图4的发光器件的发光模块的视图。通过参考上面描述的实施例将会进行参考图11的下面的描述。
参考图11和图1，在发光模块中，发光器件100可以被布置在模块基板400上。一个发光器件100或者多个发光器件100可以被布置在模块基板400上。模块基板400可以通过接合构件401、402以及403被接合到第一至第四引线框架125、135、145以及155。接合构件401、402、以及403可以包括诸如焊料的粘合材料。
模块基板400可以是印制电路板(PCB)。例如，模块基板400可以包括包含树脂材料的PCB、具有由金属材料形成的散热层(金属核PCB；MCPCB)的PCB；或者柔性的PCB，但是实施例不限于此。
图12是示出图1的发光芯片的视图。
参考图12，发光芯片100和101可以包括具有多个半导体层11、12以及13的发光结构10、在发光结构10下面的第一电极层20、在第一电极层20下面的第二电极层50、在第一和第二电极层20和50之间的绝缘层41以及焊盘25。
发光结构10可以包括第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13。有源层12可以被布置在第一半导体层11和第二半导体层13之间。有源层12可以被布置在第一半导体层11下面并且第二半导体层13可以被布置在有源层12下面。
例如，第一半导体层11可以包括被掺杂有第一导电掺杂物，例如，n型掺杂物的n型半导体层，并且第二半导体层13可以包括被掺杂有第二导电掺杂物，例如，p型掺杂物的p型半导体层。另外，第一半导体层11可以被制备为p型半导体层并且第二半导体层13可以被制备为n型半导体层。
例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。第一半导体层11可以以化合物半导体来实现。例如，第一半导体层11可以以II-VI族化合物半导体和III-V族化合物半导体中的至少一个来实现。
详细地，第一半导体层11可以以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料来实现。例如，第一半导体层11可以选择性地包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等等，并且可以被掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se、Te等等的n型掺杂物。
通过第一半导体层11注入的电子(或者空穴)和通过第二半导体层13注入的空穴(或者电子)被组合在有源层12中使得有源层12发射与根据组成有源层12的材料的能带隙差相对应的光。有源层12可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子点结构或者量子线结构中的一个，但是实施例不限于此。
有源层12可以以化合物半导体来实现。例如，有源层12可以以II-VI族和III-V族化合物半导体中的至少一个来实现。例如，有源层12可以以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料来实现。当有源层12以多量子阱结构来实现时，可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层形成有源层12。例如，有源层12可以以InGaN阱层/GaN势垒层、InGaN阱层/AlGaN势垒层、InAlGaN阱层/InAlGaN势垒层、或者GaN阱层/AlGaN势垒层的循环来实现。
例如，第二半导体层13可以以p型半导体层来实现。例如，第二半导体层13可以以化合物半导体来实现。例如，第二半导体层13可以以II-VI族化合物半导体和III-V族化合物半导体中的至少一个来实现。
例如，第二半导体层13可以以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料来实现。例如，第二半导体层13可以选择性地包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等等，并且可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等等的p型掺杂物。
同时，第一半导体层11可以包括p型半导体层并且第二半导体层13可以包括n型半导体层。另外，具有不同于第二半导体层13的导电性的包括n型或者p型半导体层的半导体层可以进一步被设置在第二半导体层13下面。因此，发光结构10可以具有np、pn、npn、以及pnp结的结构中的至少一个。另外，杂质可以以均匀的或者非均匀的掺杂浓度被掺杂在第一半导体层11和第二半导体层13中。换言之，发光结构10的结构可以被不同地形成，并且实施例不限于此。
另外，通过交替地设置相互不同的半导体层形成的InGaN/GaN超晶格结构或者InGaN/InGaN超晶格结构，可以被形成在第一半导体层11和有源层12之间或者在第二半导体层13和有源层12之间。另外，被掺杂有第二导电掺杂物的AlGaN层可以被形成在第二半导体层13和有源层12之间。
粗糙的凹凸部11A可以被形成在第一半导体层11的顶表面上。凹凸表面11A可以增加光提取效率。凹凸表面11A的侧截面可以具有多边形或者半球形。
第一电极层20被布置在发光结构10和第二电极层50之间，与发光结构10的第二半导体层13电连接，并且与第二电极层50电连接。第一电极层20包括第一接触层15、反射层17、以及覆盖层19。第一接触层15被布置在反射层17和第二半导体层13之间。反射层17可以被布置在第一接触层15和覆盖层19之间。第一接触层15、反射层17、以及覆盖层19可以是由相互不同的材料形成，但是实施例不限于此。
第一接触层15可以接触第二半导体层13。例如，第一接触层15可以欧姆接触第二半导体层13。例如，第一接触层15可以是由导电氧化膜、导电氮化物或者金属形成。例如，第一接触层15可以是由铟锡氧化物(ITO)、ITO氮化物(ITON)、铟锌氧化物(IZO)、IZO氮化物(IZON)、铝锌氧化物(AZO)、铝镓锌氧化物(AGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZO氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti中的至少一个形成。
反射层17可以与第一接触层15和覆盖层19电连接。反射层17从发光结构109反射被入射的光以增加要被提取到外部的光的量。
反射层17可以是由至少70％的反射率的金属形成。例如，发射层17可以是由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、以及Hf或者其合金中的至少一个的金属形成。另外，使用金属或者合金或者诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌锡(IZON)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、以及锑锡氧化物(ATO)的透射导电材料，反射层17可以被形成为多个层。例如，根据实施例，反射层17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或者Ag-Cu合金中的至少任意一个。例如，反射层17可以通过交替Ag层和Ni层来形成，或者可以包括Ni/Ag/Ni、Ti层或者Pt层。可替选地，第一接触层15可以被形成在反射层17下面并且第一接触层15的一部分可以通过反射层17接触第二半导体层13。可替选地，反射层17可以被形成在第一接触层15下面并且反射层17的一部分可以通过第一接触层15接触第二半导体层13。
根据实施例，发光芯片100和101可以包括被布置在反射层17下面的覆盖层19。覆盖层19接触反射层17的底表面并且用作布线层以当接触部34连接焊盘25时传送从焊盘25馈送的电力。覆盖层19可以是由金属形成。例如，覆盖层19可以包括诸如Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe、以及Mo的材料中的至少一个。
覆盖层19的接触部34被布置在垂直方向中不重叠发光结构10并且在垂直方向中重叠焊盘25的区域中。覆盖层19的接触部34被布置在垂直方向中不重叠第一接触层15和反射层17的区域中。覆盖层19的接触部34可以被布置在低于发光结构10的位置处并且可以直接地接触焊盘25。
焊盘25可以被形成在单层中或者在多层中。在单层的情况下，焊盘25可以包括Au。在多层的情况下，焊盘25可以包括Ti、Ag、Cu、以及Au中的至少两个。在此，在多层的情况下，焊盘25可以包括Ti/Ag/Cu/Au的堆叠结构或者Ti/Cu/Au的堆叠结构。反射层17和第一接触层15中的至少一个可以直接地接触焊盘25，但是实施例不限于此。
焊盘25可以被布置在第一电极层20的外侧壁和发光结构10之间的区域A1中。保护层30和透射层45可以接触焊盘25的外周。焊盘25可以在垂直方向中重叠第一和第二电极层20和50。
保护层30被布置在发光结构10的底表面下面。保护层30可以接触第一接触层15和第二半导体层13的底表面并且可以接触反射层17。
保护层30的在垂直方向中重叠发光结构10的内部可以被布置为在垂直方向中重叠突出部16的区域。保护层30的外部被布置以从覆盖层19的接触部34向上延伸并且在垂直方向中重叠接触部34。保护层30的外部可以接触焊盘25。详细地，保护层30的外部可以被布置在焊盘25的外周表面上。
保护层30的内部可以被布置在发光结构10和第一电极层20之间，并且保护层30的外部可以被布置在覆盖层19的接触部34和透射层45之间。保护层30的外部在存在于发光结构10的侧壁的外部处的区域A1中延伸，从而防止湿气被渗透。
保护层30可以被定义为沟道层和隔离层。保护层30可以是由低折射率材料形成。保护层30可以以绝缘材料来实现。例如，保护层30可以以氧化物或者氮化物来实现。例如，保护层30可以是由从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、以及AlN组成的组中选择的至少一个形成。保护层30可以是由透明材料形成。
根据实施例的发光芯片100和101可以包括使第一电极层20与第二电极层50电隔离的绝缘层41。绝缘层41可以被布置在第一电极层20和第二电极层50之间。绝缘层41的上部可以接触保护层30。绝缘层41可以以例如氧化物或者氮化物来实现。例如，绝缘层41可以是由从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、以及AlN组成的组中的至少一个来形成。
例如，绝缘层41可以以在100nm到2000nm的范围中的厚度来形成。如果绝缘层41以小于100nm的厚度来形成，则在绝缘层41的绝缘性中可能引起问题。如果绝缘层41以大于2000nm的厚度来形成，则在后续的工艺步骤中绝缘层41可能被破坏。绝缘层41可以接触第一电极层20的底表面和第二电极层50的顶表面。绝缘层41可以被形成有比保护层30、覆盖层19、接触层15、以及反射层17中的每个的厚度厚的厚度。
第二电极层50可以包括扩散阻挡层52，该扩散阻挡层52被布置在绝缘层41下面；接合层54，该接合层54被布置在扩散阻挡层52下面；以及导电支撑构件56，该导电支撑构件56被布置在接合层54下面。第二电极层50可以与第一半导体层11电连接。另外，第二电极层50可以选择性地包括扩散阻挡层52、接合层54以及导电支撑构件56中的一个或者两个，并且扩散阻挡层52或者接合层54中的至少一个可以不被形成。
扩散阻挡层52可以包括诸如Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe、以及Mo的材料中的至少一个。扩散阻挡层52可以用作在绝缘层41和接合层54之间的扩散势垒层。扩散阻挡层52可以与接合层54和导电支撑构件56电连接，并且可以与第一半导体层11电连接。
扩散阻挡层52可以在接合层54被设置的工艺中执行防止被包括在接合层54中的材料朝向反射层17扩散的功能。扩散阻挡层52可以防止被包括在接合层54中的材料，诸如锡(Sn)，影响反射层17。
接合层54可以包括势垒金属或者接合金属。例如，接合层54可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd、或者Ta中的至少一个。导电支撑构件56可以支撑发光结构10同时执行根据实施例的散热功能。接合层54可以包括晶籽层。
导电支撑构件56可以包括包含例如，Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W的的金属基板或载流子基板或者包括杂质的半导体基板(例如，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC、或者SiGe)中的至少一个。导电支撑构件56是支撑发光器件100的层，可以具有第二电极层50的厚度的至少80％的厚度，详细地，至少30μm。
同时，第二接触层33被布置在第一半导体层11内部以接触第一半导体层11。第二接触层33的顶表面可以被布置在第一半导体层11的底表面上方。第二接触层33与第一半导体层11电连接并且与有源层12和第二半导体层12绝缘。
第二接触层33可以与第二电极层50电连接。第二接触层33可以被布置使得第二接触层33穿过第一电极层20、有源层12、以及第二绝缘层15。第二接触层33被布置在被布置在发光结构10中的凹槽2中并且通过保护层30与有源层12和第二半导体层15绝缘。多个第二接触层33可以被布置成被相互分开。
第二接触层33可以与第二电极50的突出51相连接。突出51可以从扩散阻挡层52突出。突出51可以穿过被布置在绝缘层41和保护层30中的孔41A并且可以与第一电极层20绝缘。
例如，第二接触层33可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au、以及Mo中的至少一个。可替选地，突出51可以包括组成扩散阻挡层52和接合层54的材料中的至少一个，但是实施例不限于此。例如，突出51可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd、或者Ta中的至少一个。
焊盘25可以与第一电极层20电连接并且可以被暴露于存在于发光结构10的侧壁的外部的区域A1。一个焊盘25或者多个焊盘25可以被布置。焊盘25可以包括诸如Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe、以及Mo中的材料中的至少一个。
透射层45可以保护发光结构10的表面并且可以使焊盘25与发光结构10绝缘。透射层45可以接触保护层30的外围部分。透射层45可以具有低于组成发光结构10的半导体层的材料的折射率，从而增加光提取效率。绝缘层45可以以例如氧化物或者氮化物来实现。例如，透射层45可以是由从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、以及AlN组成的组中选择的至少一个被形成。同时，透射层45可以根据设计被省略。根据实施例，发光结构10可以通过第一电极层20和第二电极层50来驱动。
即，关于根据实施例的发光芯片，被单独地驱动的多个发光结构可以被包括在一个芯片中。根据实施例，虽然在上面已经描述了两个发光结构被布置在一个发光芯片中，但是至少三个发光结构可以被实现为被布置在一个发光芯片中并且被单独地驱动。例如，具有这样的结构的发光芯片和具有该结构的发光器件可以被有用地应用于诸如车辆的大灯或者尾灯的照明设备。
另外，在根据实施例的发光器件中，荧光体膜(未示出)可以被设置在发光结构10上。
虽然已经描述了本公开的示例性实施例，但是显然地理解的是，本公开不应限于这些实施例，而是在如在下文中要求保护的本公开的精神和范围内本领域的技术人员能够进行各种变化和修改。因此，本公开的技术范围不应限于本发明的详细描述，而应被限定在下面的权利要求的范围内。
工业实用性
实施例可以增加发光器件的可靠性。
实施例可以适应于诸如各种照明灯、信号灯、车辆大灯、或者电子显示器的照明设备。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
主体，所述主体具有腔体；
第一和第二框架，所述第一和第二框架被布置在所述腔体中；
第三引线框架，所述第三引线框架被布置在所述腔体中并且被布置在所述第一和第二引线框架之间；
第四引线框架，所述第四引线框架被布置在所述腔体中，被布置在所述第一和第二引线框架之间，并且与所述第三引线框架分开；
第一发光芯片，所述第一发光芯片被布置在所述第一引线框架上；以及
第二发光芯片，所述第二发光芯片被布置在所述第二引线框架上，
其中，所述主体包括：被布置为彼此相对的第一和第二横向侧；以及被布置为彼此相对的第三和第四横向侧，
其中，所述第一引线框架包括第一和第二引线部，所述第一和第二引线部通过所述第一和第二横向侧突出，
其中，所述第二引线框架包括第三和第四引线部，所述第三和第四引线部通过所述第一和第二横向侧突出，
其中，所述第三引线框架包括第五引线部，所述第五引线部通过所述第一横向侧突出；以及
其中，所述第四引线框架包括第六引线部，所述第六引线部通过所述第二横向侧突出。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述主体中，所述第一和第二横向侧具有的长度比所述第三和第四横向侧的长度长。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第五引线部被布置在所述第一和第三引线部之间，以及
其中，所述第六引线部被布置在所述第二和第四引线部之间。
4.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括：
第一连接构件，所述第一连接构件与所述第一发光芯片和所述第三引线框架相连接；
第二连接构件，所述第二连接构件与所述第二发光芯片和所述第四引线框架相连接；
第一保护芯片，所述第一保护芯片被布置在所述第三引线框架上；以及
第三连接构件，所述第三连接构件与所述第一保护芯片和所述第一引线框架相连接。
5.根据权利要求4所述的发光器件，进一步包括：
第二保护芯片，所述第二保护芯片被布置在所述第四引线框架上；以及
第四连接构件，所述第四连接构件与所述第二保护芯片和所述第二引线框架相连接。
6.根据权利要求2至5中的任意一项所述的发光器件，进一步包括：
突出部，所述突出部被布置在所述主体的腔体中并且通过在所述第三和第四引线框架之间的区域从所述主体突出，
其中，所述突出部的上部被设置在所述第三和第四引线框架的顶表面的上方。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述主体包括间隔部，所述间隔部被布置在所述第一至第四引线框架之中，
其中，所述间隔部包括：
第一间隔部，所述第一间隔部被布置在所述第一引线框架和所述第三和第四引线框架之间的区域中；以及
第二间隔部，所述第二间隔部被布置在所述第二引线框架和所述第三和第四引线框架之间的区域中，以及
其中，所述突出部被布置在所述第一和第二间隔部之间的区域中。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一和第二间隔部包括第一和第二反射部，所述第一和第二反射部比所述第一至第四引线框架的顶表面更高地向上突出。
9.根据权利要求1至5中的任意一项所述的发光器件，其中，所述第一至第四引线框架具有被耦接到所述主体的部分的台阶结构。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第一引线框架包括多个孔，所述多个孔被布置为与所述主体的第一和第二横向侧相邻并且具有台阶结构，
其中，所述第二引线框架包括多个孔，所述多个孔被布置为与所述主体的第一和第二横向侧相邻并且具有台阶结构，
其中，在所述第一引线框架的孔之间的距离比所述第一发光芯片的宽度宽，以及
其中，在所述第二引线框架的孔之间的距离比所述第二发光芯片的宽度宽。
11.根据权利要求2至5中的任意一项所述的发光器件，其中，所述第一和第二横向侧的长度的范围是从所述第三和第四横向侧的长度的1.3倍到2倍。
12.根据权利要求1至5中的任意一项所述的发光器件，进一步包括：
第一荧光体膜，所述第一荧光体膜被布置在所述第一发光芯片上；
第二荧光体膜，所述第二荧光体膜被布置在所述第二发光芯片上；以及
模制构件，所述模制构件在所述腔体中。
13.根据权利要求1至5中的任意一项所述的发光器件，其中，所述第一发光芯片与所述第一和第三引线框架电连接，
其中，所述第二发光芯片与所述第二和第四引线框架电连接，以及
其中，所述第一和第二发光芯片被单独地驱动。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述第一至第四引线框架具有在相同水平面上布置的底表面。
15.根据权利要求1至5中的任意一项所述的发光器件，其中，所述第一至第四引线框架具有底表面，所述底表面具有的面积比所述第一至第四引线框架中的每个的顶表面的面积窄。
16.一种发光器件，包括：
主体，所述主体具有腔体；
第一和第二框架，所述第一和第二框架被布置在所述腔体中；
第三和第四引线框架，所述第三和第四引线框架被布置在所述腔体中并且在所述第一和第二引线框架之间彼此成直线设置；
第一发光芯片，所述第一发光芯片被布置在所述第一引线框架上；
第二发光芯片，所述第二发光芯片被布置在所述第二引线框架上；
第一保护芯片，所述第一保护芯片被布置在所述第三引线框架上；以及
第二保护芯片，所述第二保护芯片被布置在所述第四引线框架上；
其中，所述第一和第二引线框架中的每个包括多个引线部，所述多个引线部通过所述主体的横向侧之中的具有较长长度的第一和第二横向侧突出，
其中，所述第三和第四引线框架中的每个包括引线部，所述引线部通过所述主体的横向侧之中的具有较长长度的第一或第二横向侧突出，以及
其中，所述第三引线框架的引线部在与所述第四引线框架的引线部突出的方向相反的方向中突出。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述第一和第二横向侧是所述主体的彼此相对的横向侧，以及
其中，所述第三引线框架的引线部被布置在所述主体的第一横向侧处的所述第一引线框架的引线部和所述第二引线框架的引线部之间。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中，所述第四引线框架的引线部被布置在所述主体的第二横向侧处的所述第一引线框架的引线部和所述第二引线框架的引线部之间。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中，所述第一、第二以及第三引线框架被相互平行地布置。
20.根据权利要求16至19中的任意一项所述的发光器件，进一步包括：
第一荧光体膜，所述第一荧光体膜被布置在所述第一发光芯片上；
第二荧光体膜，所述第二荧光体膜被布置在所述第二发光芯片上；以及
模制构件，所述模制构件在所述腔体中，
其中，所述第一发光芯片与所述第一和第三引线框架电连接，
其中，所述第二发光芯片与所述第二和第四引线框架电连接，
其中，所述第一和第二发光芯片被单独地驱动，以及
其中，所述第一和第二荧光体膜具有相互不同的荧光体。
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