CN103190006A - 白色陶瓷led封装 - Google Patents

白色陶瓷led封装 Download PDF

Info

Publication number
CN103190006A
CN103190006A CN2011800530125A CN201180053012A CN103190006A CN 103190006 A CN103190006 A CN 103190006A CN 2011800530125 A CN2011800530125 A CN 2011800530125A CN 201180053012 A CN201180053012 A CN 201180053012A CN 103190006 A CN103190006 A CN 103190006A
Authority
CN
China
Prior art keywords
joint sheet
housing
emitter package
encapsulation
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800530125A
Other languages
English (en)
Inventor
A·C·K·张
C·C·H·彭
V·Y·K·罗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cree Hong Kong Ltd
Original Assignee
Cree Hong Kong Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Hong Kong Ltd filed Critical Cree Hong Kong Ltd
Publication of CN103190006A publication Critical patent/CN103190006A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

本发明针对利用白色陶瓷壳体和薄型/低外形的封装的无引线LED封装和LED显示器，具有改善的混色和结构完整性。在一些实施例中，部分地通过白色陶瓷封装壳体，其可以帮助将从每个LED发射的光反射至远离器件的很多方向，提供了改善的混色。LED的非线性布置也可以有助于改善混色。通过与壳体协作实现更强的封装结构的接合垫的各种特征，可以提供改善的结构完整性。此外，在一些实施例中，每个封装的薄型/低外形归因于其无引线结构，接合垫与电极经由贯通孔电连接。在一些实施例中，封装的结构完整性还可以归因于沿着其侧部的凹槽，其不使如此多的镀覆材料积累在侧部，并帮助在制造期间的封装切割工艺。凹槽还可以有助于具有更紧密且密集包装的LED阵列的显示器。

Description

白色陶瓷LED封装
技术领域
本发明一般涉及电子封装，更具体而言涉及具有多个发射体的白色、薄型/低外形（thin/low profile）的封装。
背景技术
发光二极管（LED）是将电能转换为光的固态器件，一般包括夹在相反掺杂的层间的半导体材料的一个或多个活性层。当偏压施加在掺杂层两端时，空穴和电子被注入至活性层，空穴和电子在活性层中复合以产生光。从活性层并从LED的所有面发射光。
近年来，LED技术已有了显著改善，使得已提出了具有增加的亮度和颜色保真度、更小的占用面积、以及发光效率整体改善的LED。LED具有比其它发射体增加的操作寿命。例如，LED的操作寿命可以超过50000小时，而白炽灯泡的操作寿命是大约2000小时。LED还可以比其它光源更稳健（robust），却消耗更少的电力。由于这些和其它原因，LED变得越来越普及，并且现在被使用于越来越多传统上是白炽、荧光、卤素和其它发射体的领域的应用中。
至少部分由于这些改善的LED和改善的图像处理技术，LED可以被用作用于各种显示类型的光源。为了在这些类型的应用中使用LED芯片，本领域已知的是将一个或多个LED芯片封入在封装中，以提供环境的和/或机械的保护、颜色选择、光聚焦等。LED封装还包含电导线、触点或者迹线（trace），用于将LED封装电连接至外部电路。LED封装通常装载在印制电路板（PCB）上。
不同的LED封装可以被用作大大小小的显示器的光源。基于LED的大屏幕显示器在很多室内和室外位置变得越来越常见，且基于LED的较小屏幕的显示器（诸如电视、游戏机、用于手持设备的屏幕、以及计算机监控器）在很多家庭、商业和移动设备中变得越来越常见。这些基于LED的显示器可以包括数千“像素”或者“像素模块”，每个可以含有多个LED。像素模块可以使用高效率且高亮度的LED，允许显示器从各种距离并在各种环境光照条件下可见。
大多数基于常规LED的显示器由计算机系统控制，该计算机系统接受导入信号（例如电视信号），并基于在像素模块处需要的特定颜色来形成整个显示图像，计算机系统确定每个像素模块中的哪个或哪些LED发射光、以及亮度如何。提供导体以施加适当的电力信号给像素模块中的每个LED。还可以包含提供电力给每个像素模块的电力系统，可以调制向每个LED的电力，使得光以期望的亮度发射。
像素模块可以具有少至三个或者四个LED，允许像素从红色、绿色、蓝色和/或有时黄色光的组合发射很多不同颜色的光。为了使显示器示出精确和高质量的图像，从每个像素模块中的LED发射的光应该被有效混合，以提供期望的颜色。此外，当像素模块经由从一个或多个其LED发射的光照亮时，模块中的每个单独LED及其相应的发射不应容易且单独可见。
薄的平板显示器和/或小的面板显示器在室内和室外应用中变得越来越常见。随着平的和/或小的面板显示器的普及率上升，并入至该显示器的LED封装必然变得比其前代产品更薄型/外形更低且更小。薄型/低外形的封装和/或小封装期待能在制造和使用期间维持其结构完整性，但是该封装的完整性可能被损害。例如，封装结构可能在回流处理中变形，或者在切割处理中损伤。此外，在制造和使用期间封装可能经历封装壳体与接合垫之间的分离。
发明内容
本发明提供用于LED显示器等的无引线发射体封装，提供了改善的混色和发光，其中发射体封装对于平板应用为薄型/低外形，和/或对于小面板应用为小。本发明还提供具有改善的结构完整性的发射体封装，其中封装具有适当的面积来装载期望数量的LED芯片和相应的组件。
一个实施例包括一种发射体封装，其中该封装包括：壳体，具有从壳体的顶面延伸至壳体的内部的空腔；导电的接合垫，集成到壳体，其中，第一组接合垫包括芯片载体部，且第二组接合垫包括连接部。多个发光器件布置在第一组接合垫上，其中发光器件和接合垫的部分经由空腔暴露。多个电极设置在壳体的至少底面上，并提供了集成到每个接合垫的贯通孔。贯通孔从接合垫延伸穿过壳体，以提供接合垫与电极之间的电路径。
根据另一个实施例，提供了一种陶瓷发射体封装，包括：白色壳体，具有从壳体的顶面延伸至壳体的内部的空腔；和导电的接合垫，集成到壳体，其中，第一组接合垫包括芯片载体部，且第二组接合垫包括连接部。多个发光器件布置在第一组接合垫上，发光器件和接合垫的部分经由空腔暴露。还提供了多个电极，其至少设置在壳体的底面上。在壳体的一个或多个侧面中还提供了U形的凹槽。一个或多个接合垫包括用于改善接合垫与壳体之间的连接的特征件。
依据又一个实施例，提供了一种薄型发射体封装，包括：白色陶瓷壳体，具有从壳体的顶面延伸至壳体的内部的空腔；和导电的接合垫，集成到壳体，其中，第一组接合垫包括芯片载体部，且第二组接合垫包括连接部。还提供了多个LED，LED布置在第一组接合垫上，LED和接合垫的部分经由空腔暴露。至少在壳体的底面上设置了多个电极。还提供了集成到每个接合垫的贯通孔，其中贯通孔从接合垫延伸穿过壳体，以提供接合垫与电极之间的电路径。封装的高度小于1.0mm。
在根据本发明的又一个实施例中，提供了一种LED显示器，包括：载有发射体封装的阵列的基板；和电连接驱动电路，用于选择性激励（energize）阵列以在显示器上产生视觉图像。每个发射体封装包括:白色陶瓷壳体，具有从壳体的顶面延伸至壳体的内部的空腔；和导电的接合垫，集成到壳体，其中，第一组接合垫包括芯片载体部，且第二组接合垫包括连接部。还提供了多个LED，LED布置在第一组接合垫上，其中LED和接合垫的部分经由空腔暴露。至少在壳体的底面上设置了多个电极。还提供了集成到每个接合垫的贯通孔，其中贯通孔从接合垫延伸穿过壳体，以提供接合垫与电极之间的电路径。
本领域的技术人员通过下面的详细说明以及附图可知本发明的上述这些和此外进一步的特征和优点，其中：
附图说明
图1是根据本发明的发射体封装的透视图；
图2是图1所示的实施例的俯视平面图；
图3是沿着图2的线3-3观察的图1的实施例的剖视图；
图4是图1所示的实施例的底视图；
图5a是图1所示的实施例的端视图，其中，相反端实质类似；
图5b是图1所示的实施例的另一端视图，其中，相反端实质类似；
图6是依据可以使用于图1的器件的一个实施例的LED封装的顶视图；
图7是依据可以使用于图1的器件的一个实施例的接合垫的顶视图；
图8是沿着图7的线8-8观察的，用于封装完整性稳定化机构的一个可能的实施例的剖视图；
图9是根据本发明的LED封装的顶三维视图；
图10是根据本发明的LED封装的底三维视图；以及
图11是根据本发明的一个实施例的侧三维视图。
具体实施方式
本文参考一些实施例说明了本发明，但要理解的是本发明可以以很多不同的形式实施，而不应解释为限于本文记载的实施例。
在根据本发明的一些实施例中，对多个发射体封装提供了结构，通过提供反射白色陶瓷封装并在封装内非线性地放置发射体，允许封装发射具有改善的混色的光。此外，本发明的一些实施例提供的无引线封装可以帮助减小封装的总体深度，并仍然维持经由贯通孔的电极与发光器件之间的电连接。由此，无引线配置可以使得整个封装更薄以用于薄型应用。
此外，本发明的一些实施例提供的发射体封装在制造和使用期间维持结构完整性，部分由于封装接合垫中使得封装壳体与接合垫能彼此强烈附着因此提供它们之间的稳健连接的特征件。该特征件可以包含独特的接合垫布局，具有接合垫的相邻的部分之间的变化尺寸的间隙、接合垫中的切口、接合垫中的贯通孔，接合垫中的凹槽等。封装的结构完整性还可以通过沿着每个封装的侧部的一个或多个凹槽实现，其可以被提供以便于同时制造的封装之间的切割。
在又一个实施例中，多个封装可以密集包装（densely packed），用于各种显示器的使用。可以部分通过提供无引线封装，来实现密集包装的显示器。引线框架可能体积大，会增加整个封装的高度和宽度。无引线封装可以消除一些该体积，并导致整个封装更轻薄以用于薄型应用。缺少从封装的侧部延伸的引线还可以有助于可以彼此相邻地更密集包装的封装。密集包装的显示器还可以通过提供具有沿着其侧和底面的焊料垫的封装来实现。这些垫的放置允许相邻的发射体封装紧密配合在一起，并维持其与底层印制电路板（PCB）之间的电连接。
本发明适用于不同类型的发射体封装，诸如表面装载器件（SMD），其可以被用于很多不同光照应用，诸如LED彩色屏幕或者装饰光照。下述的发射体封装的不同实施例利用发光二极管作为其发射体，但是要理解的是其它发射体封装实施例可以使用不同类型的发射体。
应该理解的是，当元件被称为“在…上”、“连接至”，“耦接至”，或者“接触”另一个元件时，其可以直接在另一个元件上、连接或者耦接、或者接触另一个元件，或者其间可以存在介入元件。相比之下，当元件被称为“直接在…上”、“直接连接至”、“直接耦接至”或者“直接接触”另一个元件时，则不存在介入元件。同样，当第一元件被称为“电接触至”或者“电耦接至”第二元件时，有允许电流流过第一元件与第二元件之间的电路径。电路径可以包含电容器、耦合电感器和/或即使导电元件之间没有直接接触也允许电流流过的其它元件。
尽管本文可以使用术语第一、第二等来说明各种元件、组件、区域和/或部，但这些元件、组件、区域和/或部不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、或者部与另一个元件、组件、区域、或者部区分开。因此，下述的第一元件、组件、区域、或者部可以称为第二元件、组件、区域、或者部，而没有脱离本发明的教导。
本文参考剖视图说明本发明的实施例，剖视图是本发明的实施例的示意性图示。由此，组件的实际上厚度可能不同，且预计到例如作为制造技术和/或公差的结果而相对于图示的形状的变化。发明的实施例不应解释为限于本文示出的区域的特定形状，而包含例如由于制造导致的形状的偏离。由于正常制造公差，示出或者说明为方形或者矩形的区域典型地具有圆角或者弯曲特征。因此，图中示出的区域在本质上是示意性的，且其形状不是为了示出器件的区域的精确形状，也不是为了限制本发明的范围。
图1-11示出根据本发明的无引线的薄型/低外形的多个发射体封装10的一个可能的实施例，该发射体封装10包括表面装载器件（SMD）。如上所述，要理解的是本发明可以用于除SMD外的其它类型的发射体封装。封装10包括壳体12，其载有集成的接合垫14、16、18、20、22和24。接合垫导电，使得电信号可以传输至封装的光发射体。接合垫还可以在由封装的发射体产生了显著量的热量的情况下辅助消散由应用中的发射体产生的热量。
接合垫14、16、18、20、22和24可以以很多不同的方式布置，且不同数量的部件可以在不同的封装实施例中利用。下述的封装10利用三个发射体，且在示出的实施例中，接合垫被布置为使得每个发射体由相应的电信号驱动。另外，在示出的实施例中，接合垫16、20和24包括附接有发光器件的芯片载体部。接合垫14、18和22构成电连接各个发光器件的连接部。然而，要理解的是发光器件可以以任何期望的配置布置在所述接合垫上，因此可以改变哪些接合垫将具有集成的芯片载体部，以及哪些接合垫将具有集成的连接部。
在具有三个发射体的实施例中，有六个导电的电极部，该电极部包括用于每个发射体的一对电极部，经由其电极部对而将电信号施加至每个发射体。对于封装10，导电的电极部包括阴极和阳极部62、64、66、68、70和72（最佳如图4所示）。各个电极部经由贯通孔76、78、80、82、84和86电连接至相应的接合垫。本领域已知的来自标准电路板（诸如6管脚电路板）的管脚可以被用于所述贯通孔，使得电极与接合垫之间能电连接。要理解的是，电路板上的管脚的数量对应于被提供以进行电连接的贯通孔的数量。替代地，在贯通孔可以设置其它导电材料来使得能电连接，诸如用于电极和/或用于接合垫的相同的材料。要理解的是一些实施例可以包括少于三个LED，其它实施例可以包括少于六个LED，此外的其它实施例可以包括多于三个LED。这些各种实施例中的每个LED可以具有其自己的相应导电部对，或者可以与其它LED共享导电部。带有更少的LED芯片的封装的成本和复杂性一般更低。
壳体12可以具有很多不同形状和尺寸，在示出的实施例中一般是方形或者矩形，具有上下面28和30、端面32和34、以及侧面36和38。壳体的上部分还包括凹口或者空腔40，其从上面28延伸至壳体12的体部中到达接合垫14、16、18、20、22和24的部分。可以在侧面36、38提供凹槽，诸如图1和2示出的U形的凹槽46。可以提供该凹槽以减小设置在封装的边缘的电极材料的量，这可以改善在制造中发射体封装的切割效率。附加地，通过减小在封装的侧面的电极材料的量，当封装以并排配置来布置用于显示器等时，凹槽还可以在封装之间提供紧密配合。要理解的是凹槽可以包括任何适当形状，并可以放置在沿着壳体的任何适当位置中。
发射体布置在接合垫上，使得来自发射体的光从封装10经由空腔40发射。在一些实施例中，反射器组件，诸如反射插件或者环42（如图3所示）可以沿着空腔40的侧或者壁44的至少一部分放置并固定。通过使空腔40和其内载有的环42为朝壳体的内部向内的锥形，可以增强环42的反射率的有效性和封装的发射角。
示出的实施例中的空腔40的形状一般是圆形，但是要理解的是空腔可以包括根据本发明并根据每个封装的期望的发射特性的任何适当形状。此外，空腔40的底部分和顶部分可以包括不同形状，用以定制每个封装的期望的发射特性。
在一些实施例中，空腔40可以至少部分填充有填充材料/密封剂48，该填充材料/密封剂48可以保护并在位置上稳定其上载有发射体的接合垫。在一些实例中，填充材料/密封剂48可以覆盖发射体，且接合垫的部分经由空腔40暴露。可以选择填充材料/密封剂48以具有预定的光学性质，以便增强来自LED的光的投射，且在一些实施例中，对于由封装的发射体发射的光实质上呈透明。填充材料/密封剂48可以沿着其顶面实质是平的，或者还可以是带形状的，诸如半球或者子弹形，或者可以完全或者部分凹在空腔40中。填充材料/密封剂48可以由硅酮、树脂、环氧树脂、热塑性缩聚物、玻璃、和/或其它适当材料或者材料的组合形成。在一些实施例中，材料可以添加至填充材料/密封剂48，以增强来自和/或向LED的光的发射、吸收和/或色散（dispersion）。
壳体12可以由电绝缘的材料制造，其还可以导热。该材料是本领域熟知的并可以包含，但不限于：陶瓷、热塑性缩聚物（例如聚邻苯二甲酰胺（PPA））、树脂、环氧树脂和玻璃。壳体12还可以由白色或者实质反射材料形成，以为了更好的图像质量而改善发光器件的混色。
封装10及其壳体12可以经由本领域已知的各种已知的方法中的任何一个形成和/或组装。例如，壳体12可以围绕接合垫14、16、18、20、22和24形成或者成型（mold），诸如通过注射成型。替代地，壳体可以分部（例如顶部和底部）形成，其中经由诸如金属或者金属合金镀覆的方法，接合垫形成于顶部中且电极形成在底部上。然后顶部和底部可以使用已知的方法和材料（诸如通过环氧树脂、粘结剂或者其它适当接合材料）接合在一起。
在说明的示例性实施例中，封装10利用第一、第二和第三LED50、52、54，每个LED都可以发射与其它LED相同颜色的光或者不同颜色的光。在示出的实施例中，LED50、52、54分别发射绿、红和蓝颜色的光，以便当适当激励时，LED组合地产生实质上全范围的颜色。此外，当适当激励时，LED50、52、54可以发射不同颜色温度的白色光组合。要理解的是根据本发明，在封装中可以利用多于或少于三个LED，其中LED发射任何期望的颜色。
封装10还可以包括防止免受静电放电（ESD）的损伤的元件。可以使用不同的元件，诸如各种垂直齐纳二极管，并行布置且反向偏压给LED芯片50、52、54的不同的LED、表面装载压敏电阻、以及横向硅二极管。在使用齐纳二极管的实施例中，可以使用已知的装载技术，将其装载至单独的附接垫。二极管可以相对小，从而其不覆盖在由空腔40暴露的接合垫的表面上的过多的面积。当利用串联耦接的LED组时，对于每个串联组仅需要一个ESD元件。
LED结构、特征及其制造和操作是本领域通常已知的，本文仅简要说明。LED可以具有以不同方式布置的很多不同半导体层，可以发射不同的颜色。LED的层可以使用已知的工艺来制造，其中一个适当的工艺是使用金属有机化学汽相淀积（MOCVD）来制造。LED芯片的层一般包括夹在第一和第二相反掺杂的外延层之间的活性层/区域，所有这些层在生长基板或者晶片上连续形成。在晶片上形成的LED芯片可以单片化，并被用于不同应用，诸如装载至封装中。要理解的是生长基板/晶片可以保持作为最终单片化的LED的部分，或者生长基板可以完全或者部分去除。
还要理解的是在LED中还可以包含附加的层和元件，包含但不限于缓冲层、成核层、触点层、电流扩展层以及光取出层和元件。活性区域可以包括单量子阱（SQW）、多量子阱（MQW）、双异质结或者超晶格结构。
活性区域和掺杂层可以由不同的材料系统制造，其中一个此类系统是基于III族氮化物的材料系统。III族氮化物是指氮与周期表的III族的元素（通常为铝（Al）、镓（Ga）和铟（In））之间形成的半导体化合物。该术语还指三价和四价化合物，诸如氮化铝镓（AlGaN）和氮化铝铟镓（AlInGaN）。在可能的实施例中，掺杂层是氮化镓（GaN），且活性区域是InGaN。在替代的实施例中，掺杂层可以是AlGaN、砷化铝镓（AlGaAs）或者磷化铝镓铟砷（AlGalnAsP）或者磷化铝铟镓（AlInGaP）或者氧化锌（ZnO）。
生长基板/晶片可以由很多材料制成，诸如硅、玻璃、蓝宝石、碳化硅、氮化铝（A1N）、氮化镓（GaN），其中一个适当的基板是4H多型体的碳化硅，尽管还可以使用其它碳化硅的多型体（包含3C、6H和15R多型体）。碳化硅具有一些优点，诸如晶格匹配比蓝宝石更接近III族氮化物，导致III族氮化膜的更高质量。碳化硅还具有非常高的导热性，以便碳化硅上的III族氮化物器件的总输出功率不受基板的散热的限制（该限制在蓝宝石上形成的一些器件的情况下可能发生）。碳化硅基板可从北加州Durham的Cree Research,Inc.得到，生产该基板的方法记载于科学文献以及美国专利Re.34861、4946547和5200022中。
LED还可以包括附加的特征，诸如导电电流扩展结构、电流扩展层、导线接合垫，其全部可以使用已知的方法，由已知的材料沉积制成。一些或者所有的LED可以涂有一个或多个磷光体，其中磷光体吸附至少一些LED光并发射不同波长的光，使得LED发射来自LED和磷光体的光的组合。LED芯片可以使用很多不同方法涂有磷光体，其中一个适当的方法在序列号为11/656759和11/899790的美国专利申请中有说明，两者名称均为“晶片级磷光体涂覆方法、以及利用该方法制造的器件”，两者通过引用被并入本文。替代地，LED可以使用其它方法（诸如电泳沉积（EPD））涂覆，其中一个适当的EPD方法在序列号为11/473089、名称为“半导体器件的闭环电泳沉积”的美国专利申请中有说明，其通过引用也被并入本文。
此外，LED可以具有本领域已知的垂直或者横向几何形状。包括垂直几何形状的此类LED可以在基板上具有第一触点，并在p型层上具有第二触点。施加至第一触点的电信号扩散至n型层，且施加至第二触点的信号扩散至p型层。在III族氮化物器件的情况，熟知的是薄的半透明体典型地覆盖一部分或者整个p型层。要理解的是第二触点可以包含这样的层，其典型的是诸如铂（Pt）的金属或者诸如氧化铟锡（ITO）的透明的导电氧化物。
LED还可以包括横向几何形状，其中，两个触点在LED的顶部上（如图1和2所示）。p型层和活性区域的一部分诸如通过蚀刻被去除，以暴露n型层上的触点台面（contact mesa）。第二横向n型触点提供在n型层的台面上。触点可以包括使用已知的沉积技术沉积的已知的材料。
在示出的示例性实施例中，电极62、64、66、68、70和72被镀覆/设置在壳体12的底面30和侧面32、34、36、和38的部分上（参见图4-5b）。电极被布置为以阳极和阴极对操作，以当封装10被表面装载用于操作时将电信号传导至其相应的光发射体。在示出的实施例中，电极被物理地与接合垫和其相应的发光器件隔离，但是经由贯通孔76、78、80、82、84和86电连接至接合垫。电极与壳体12的底实质上齐平，便于连接至底层机械/电子支持结构95（诸如PCB）。电极还与壳体12的侧面实质上齐平，便于当它们相邻地布置而用于显示器时，发射体封装的密集包装。
如图3最好地所示，电极68、70、72、76、78和80（仅电极64和70可见）可以使用多种熟知的连接技术（包含焊接）中的任一种，电连接或者接合至支持结构95上的迹线或者垫。当封装彼此相邻地放置用于显示器等时，可以利用相同的方法来将相邻的发射体封装经由侧面处的电极部电连接。
接合垫的芯片载体部包括装载垫，用于以如图所示的非线性阵列装载LED芯片50、52、54。与具有以线性方式布置的LED的封装相比，这种排布允许改善的LED芯片之间的混色。要理解的是，以不同于所示方式布置的非线性阵列也会允许改善的混色，并被本发明考虑。
接合垫的芯片载体部可以向壳体12的中心延伸，这允许LED50、52、54装载得更接近壳体12的中心，使得它们可以从空腔40中发射。接合垫还包含：电连接部（此处示出为垫14、18和22），放置得与芯片载体部68、70、72相邻，但是经由垫间的间隙与芯片载体部68、70、72间隔开。
如图1和2最好地所示，空腔40延伸至壳体内部足够的深度以将接合垫14、16、18、20、22和24的芯片载体和连接部暴露。在可能的实施例中，每个LED50、52、54具有：其自身的触点或者电极对，布置为当电信号施加在触点两端时，LED发射光。LED的触点电连接至阳极和阴极部对。由于多个原因（诸如向每个LED提供更简便的电控制），确保LED50、52、54中的每个具有其自身阴极和阳极对可以有利。
依据示出的实施例的典型的实施方式，LED50、52、54的一个触点耦接至接合垫的芯片载体部，其它LED50、52、54的触点耦接至接合垫的连接部。然而，要理解的是连接部替代地可以载有芯片，其中连接部电连接至芯片载体部。不同的已知结构和方法可以用于实现该连接，其中一个该结构是使用已知的方法施加的接合导线56、58、60。尽管示了一个可能的接合导线配置，要理解的是取决于每个芯片的结构，各种其它适当的接合导线配置是可能的。例如，在一个芯片上可以有多于一个接合导线，其中一个接合导线附接至连接垫，且另一个接合导线附接至芯片载体垫。
电极62、64、66、68、70、72可以由导电金属或者金属合金制成，诸如铜、铜合金、银（Ag）、银合金和/或其它适当导电、低电阻率、耐腐蚀材料或者材料的组合。接合垫也可以由这些材料组成。要注意的是，接合垫和电极的导热性可以一些程度上辅助将热量传导远离通过SMD装载的LED50、52、54。然而，在本实施例的低功率封装中（诸如以～20-60mA操作的封装），热管理可能不是关注重点。
LED50、52、54中的每个可以通过电和热的导电接合材料26（诸如焊料、粘结剂、涂层、膜、密封剂、浆料、脂和/或其它适当材料），与接合垫的其相应的芯片载体部电耦接。在一个实施例中，LED可以使用在LED的底上的焊料垫，电耦接并固定至其相应的垫。接合垫和电极的制造可以通过冲压、注射成型、切割、蚀刻、弯曲或者经由其它已知的方法和/或方法的组合来完成，以实现期望的配置。例如，在形成壳体的一部分或者全部之后，接合垫可以部分金属冲压（例如，从相关材料的单板同时冲压），适当成形，并最终完全分离。
在一些制造方法中，可以在围绕接合垫成型和/或组装壳体12之前，将LED耦接至芯片载体部。替代地，可以在接合垫68已被部分装入至壳体之后，将LED耦接至接合垫68。延伸至壳体中的空腔40可以配置为使得接合垫的足够的部分暴露，以接收LED和相关联的接合导线，以允许LED经由空腔40发射出光。
在常规封装中，接合垫与壳体的上下部分之间的平滑表面和狭窄路径使得难以进行可靠的附着。在使用和制造工艺期间，接合垫的金属间隙之间的这些平滑面和狭窄路径会降低发射体封装的结构完整性，并会增加由壳体从接合垫分离而致使组件故障的机会。为了使封装更稳健，通过增加壳体与接合垫之间的附着可靠性，改善了封装的结构完整性。这可以由一个或多个接合垫完成，该接合垫包含一个或多个凹槽（诸如图8所示的V型切口74）、贯通孔、凹槽、扩展部和/或有助于SMD封装的稳定性、完整性和/或稳健性的其它特征件。此外，可以在相邻的接合垫之间的各个位置处提供金属间隙88、90、92和94，其中这些间隙比常规发射体封装中见到的狭窄路径具有更大且变化的宽度。还可以提供凹槽（诸如96和98）以提供附加的路径供壳体材料来占据。之后用壳体材料填充间隙和凹槽，以形成与不包括较大的金属间隙和凹槽特征件的封装相比，更厚的路径和/或路径段以及这些接合垫部分之间的附加的路径。
当壳体材料在接合垫14、16、18、20、22和24上成型时，其填充在较大的金属间隙88、90、92、94和凹槽96、98中以改善壳体12与接合垫之间的附着，并改善封装10的整个结构完整性/稳健性。电极也可以含有该特征。接合垫的稳定化特征还可以与填充材料/密封剂至少部分地协作以增强封装10的结构的稳定性和完整性。壳体材料和/或填充材料/密封剂至少部分延伸至引线框架的该特征件中和/或穿过引线框架的该特征件，以增加稳健性。如果没有用于改善封装的结构完整性的这些类型的特征，在制造期间封装可能损伤，或者在封装操作期间引线框架和壳体可能分离。
现在参考图9-10，示出发射体封装10的各个组件的维度特性的一些示例。以示例而非限制的方式，封装10可以具有2.50mm的总体长度100，2.50mm的总体宽度112，0.90mm的高度104。在其它实施例中，长度可以小于2.50mm，小于2.0mm，或大于2.50mm。总体宽度可以小于2.50mm，小于2.0mm，或大于2.50mm。根据用于薄型/低外形发射体封装的可能的实施例，封装的高度/薄度可以在0.9-1.0mm的范围内，可以小于0.90mm，或者可以小于1.0mm。
在根据本发明的LED显示器中，驱动器PCB可以提供在可以根据本发明装载的大数量的SMD上。SMD可以以行和列布置，其中每个SMD限定像素。SMD可以包括发射体封装，诸如由封装10呈现的那些。SMD可以电连接至PCB上的迹线或者垫，并经由在其侧面上的垫彼此电连接，其中连接PCB以响应适当的电信号处理和驱动器电路。
如上所述，每个SMD载有蓝色、红色和绿色LED的非线性阵列。已经发现LED的非线性方位以改善来自各个LED的发射的光的混色。然而，要理解的是每个SMD可以替代地载有LED的各种线性导向的阵列。LED可以是以任何顺序布置，并可以依据本发明提供按任何期望的颜色组合的少于或多于三个LED。
示出并说明了本发明的若干示例性实施例，而本领域的技术人员可以想到大量变化和替代的实施例，诸如将本发明用于LED装饰光照等。该变化和替代的实施例可以想到并做出，而没有脱离添附的权利要求限定的发明的精神和范围。

Claims (42)

1.一种发射体封装，包括：
壳体，包括从所述壳体的顶面延伸至所述壳体的内部的空腔；
导电的接合垫，集成到所述壳体，其中，第一组所述接合垫包括芯片载体部，且第二组所述接合垫包括连接部；
多个发光器件，布置在所述第一组接合垫上，所述接合垫的部分和所述发光器件经由所述空腔而暴露；
多个电极，至少设置在所述壳体的底面上；以及
贯通孔，集成到每个所述接合垫，所述贯通孔从所述接合垫延伸穿过所述壳体，以提供所述接合垫与所述电极之间的电路径。
2.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述电极包括：
多个导电阴极部；以及
对应的多个导电阳极部，与所述阴极部分离，
其中，所述阴极部和阳极部中的每个电连接至一个所述发光器件。
3.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述发光器件适于被激励来组合地产生实质上全范围的颜色。
4.如权利要求2所述的发射体封装，其中，每个所述发光器件包括至少两个触点，其中的一个触点电耦接至所述阴极部中的至少一个，其中的另一个触点电耦接至所述阳极部中的至少一个。
5.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述接合垫和所述电极包括导电金属或者金属合金。
6.如权利要求5所述的发射体封装，其中，所述电极包括Ag或者Ag合金。
7.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述发光器件包括红色、蓝色和绿色LED。
8.如权利要求1所述的发射体封装，其中，每个所述发光器件经由焊料附接至一个所述芯片载体部，且经由接合导线附接至一个所述连接部。
9.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述壳体包括白色陶瓷，其中白色陶瓷辅助所述发光器件的混色。
10.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述接合垫包括：特征件，与所述壳体协作以提供所述接合垫与所述壳体之间的稳健连接，以改善整个封装的结构完整性。
11.如权利要求10所述的发射体封装，其中，所述特征件包括如下的一个或多个：贯通孔，切口，所述接合垫的相邻的部分之间的间隙，以及所述接合垫的部分中的凹槽。
12.如权利要求1所述的发射体封装，还包括所述封装上的密封剂。
13.如权利要求12所述的发射体封装，其中，所述密封剂耐紫外线，并包括硅酮。
14.如权利要求12所述的发射体封装，其中，所述密封剂的顶部实质是平的。
15.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述空腔包括反射器。
16.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述封装的高度小于或者等于0.9mm。
17.如权利要求1所述的发射体封装，还包括：电连接至所暴露的接合垫部分和所述发光器件的一个或多个齐纳二极管。
18.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述封装的一个或多个侧面包括U形凹槽，以减小所述侧面上的电极材料的量。
19.如权利要求1所述的发射体封装，其中，所述壳体在其底面的部分和其一个或多个侧面的部分上被所述电极镀覆。
20.如权利要求19所述的发射体封装，其中，所镀覆的部分还包括焊料垫，使得所述焊料垫设置在所述封装的底面和侧面二者上。
21.如权利要求20所述的发射体封装，其中，在所述壳体的底面处的所述焊料垫将所述封装连接至印制电路板，且在所述壳体的侧面处的所述焊料垫将所述封装连接至一个或多个相邻的封装。
22.一种陶瓷发射体封装，包括：
白色壳体，包括从所述壳体的顶面延伸至所述壳体的内部的空腔；
导电的接合垫，集成到所述壳体，其中，第一组所述接合垫包括芯片载体部，且第二组所述接合垫包括连接部；
多个发光器件，布置在所述第一组接合垫上，其中所述接合垫的部分和所述发光器件经由所述空腔而暴露；
多个电极，至少设置在所述壳体的底面上；
U形凹槽，在所述壳体的一个或多个侧面中；以及
特征件，集成到一个或多个所述接合垫，以改善所述接合垫与所述壳体之间的连接。
23.如权利要求22所述的发射体封装，还包括集成到每个所述接合垫的贯通孔，所述贯通孔从所述接合垫延伸穿过所述壳体，以提供所述接合垫与所述电极之间的电路径。
24.如权利要求22所述的发射体封装，其中，所述电极包括：
多个导电阴极部；以及
对应的多个导电阳极部，与所述阴极部分离，所述阴极部和阳极部中的每个电连接至一个所述接合垫；
其中，每个所述发光器件经由焊料附接至一个所述芯片载体部，并经由接合导线附接至一个所述连接部，其中所述接合垫中的贯通孔提供所述接合垫与所述电极之间的电路径。
25.如权利要求22所述的发射体封装，其中，所述发光器件包括：多个颜色的LED，适于被激励来组合地产生实质上全范围的颜色。
26.如权利要求22所述的发射体封装，其中，所述电极包括Ag或者Ag合金。
27.如权利要求22所述的发射体封装，其中，所述特征件包括如下的一个或多个：贯通孔，切口，所述接合垫的相邻的部分之间的间隙，以及所述接合垫的部分中的凹槽。
28.如权利要求22所述的发射体封装，还包括所述封装上的硅酮密封剂，所述密封剂的顶部实质是平的。
29.如权利要求22所述的发射体封装，其中，所述空腔包括反射器。
30.如权利要求22所述的发射体封装，其中，所述封装的高度小于或者等于1.0mm。
31.如权利要求22所述的发射体封装，其中，所述壳体在其底面的部分和其一个或多个侧面的部分上被所述电极镀覆，所镀覆的部分还包括焊料垫，使得所述焊料垫设置在所述封装的底面和侧面二者上，其中，在所述壳体的底面处的所述焊料垫将所述封装连接至印制电路板，且在所述壳体的侧面处的所述焊料垫将所述封装连接至一个或多个相邻的封装。
32.一种薄型发射体封装，包括：
白色陶瓷壳体，包括从所述壳体的顶面延伸至所述壳体的内部的空腔；
导电接合垫，集成到所述壳体，其中，第一组所述接合垫包括芯片载体部，且第二组所述接合垫包括连接部；
多个LED，布置在所述第一组接合垫上，其中所述接合垫的部分和所述LED经由所述空腔而暴露；
多个电极，至少设置在所述壳体的底面上；以及
贯通孔，集成到每个所述接合垫，所述贯通孔从所述接合垫延伸穿过所述壳体，以提供所述接合垫与所述电极之间的电路径，
其中，所述封装的高度小于或者等于1.0mm。
33.如权利要求32所述的发射体封装，其中，所述壳体的一个或多个侧面包括U形凹槽，以减小所述侧面上的电极材料的量。
34.如权利要求32所述的发射体封装，其中，所述电极包括：
多个导电阴极部；以及
对应的多个导电阳极部，与所述阴极部分离，所述阴极部和阳极部中的每个电连接至一个所述LED，
其中，每个所述LED经由焊料附接至一个所述芯片载体部，经由接合导线附接至一个所述连接部。
35.如权利要求32所述的发射体封装，其中，所述LED包括：红色、蓝色和绿色LED，适于被激励来组合地产生实质上全范围的颜色。
36.如权利要求32所述的发射体封装，还包括：所述接合垫中的特征件，用于改善所述接合垫与所述壳体之间的连接，其中，所述特征件包括如下的一个或多个：贯通孔，切口，所述接合垫的相邻的部分之间的间隙，以及所述接合垫的部分中的凹槽。
37.如权利要求32所述的发射体封装，其中，所述壳体在其底面的部分和其一个或多个侧面的部分上被所述电极镀覆，所镀覆的部分还包括焊料垫，使得所述焊料垫设置在所述封装的底面和侧面二者上，其中，在所述壳体的底面处的所述焊料垫将所述封装连接至印制电路板，且在所述壳体的侧面处的所述焊料垫将所述封装连接至一个或多个相邻的封装。
38.一种LED显示器，包括：
载有发射体封装的阵列的基板，每个所述发射体封装包括：
白色陶瓷壳体，包括从壳体的顶面延伸至所述壳体的内部的空腔；
导电接合垫，集成到所述壳体，其中，第一组所述接合垫包括芯片载体部，且第二组所述接合垫包括连接部；
多个LED，布置在所述第一组接合垫上，所述接合垫的部分和所述LED经由所述空腔而暴露；
多个电极，至少设置在所述壳体的底面上；以及
贯通孔，集成到每个所述接合垫，所述贯通孔从所述接合垫延伸穿过所述壳体，以提供所述接合垫与所述电极之间的电路径，以及
电连接的驱动电路，用于选择性激励所述阵列以在所述显示器上产生视觉图像。
39.如权利要求38所述的显示器，其中，所述发射体封装中的每个所述LED被相应的电信号驱动，其中每个所述发射体封装限定所述显示器的一个像素。
40.如权利要求38所述的显示器，其中，所述接合垫包括：特征件，与所述壳体协作以提供所述接合垫与所述壳体之间的稳健连接，以改善每个封装的结构完整性，其中所述特征件包括如下的一个或多个：贯通孔，切口，所述接合垫的相邻的部分之间的间隙，以及所述接合垫的部分中的凹槽。
41.如权利要求38所述的显示器，其中，每个所述封装的高度小于或者等于1.0mm。
42.如权利要求38所述的显示器，其中，每个所述封装的壳体在其底面的部分和其一个或多个侧面的部分上被所述电极镀覆，其中每个镀覆的部分还包括焊料垫，使得所述焊料垫设置在所述封装的底面和侧面二者上，使得在所述壳体的底面处的所述焊料垫将每个所述封装连接至印制电路板，且在每个所述壳体的侧面处的所述焊料垫将每个封装连接至一个或多个相邻的封装，以形成密集包装的显示器。
CN2011800530125A 2010-11-03 2011-11-03 白色陶瓷led封装 Pending CN103190006A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/939,096 2010-11-03
US12/939,096 US10431567B2 (en) 2010-11-03 2010-11-03 White ceramic LED package
PCT/CN2011/081752 WO2012059063A1 (en) 2010-11-03 2011-11-03 White ceramic led package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103190006A true CN103190006A (zh) 2013-07-03

Family

ID=45995691

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180000369.7A Active CN102792474B (zh) 2010-11-03 2011-03-02 具有大引脚垫的微型表面安装器件
CN2011800530125A Pending CN103190006A (zh) 2010-11-03 2011-11-03 白色陶瓷led封装

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180000369.7A Active CN102792474B (zh) 2010-11-03 2011-03-02 具有大引脚垫的微型表面安装器件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10431567B2 (zh)
CN (2) CN102792474B (zh)
WO (2) WO2012058852A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105322085A (zh) * 2014-06-30 2016-02-10 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置
CN107210352A (zh) * 2015-01-19 2017-09-26 Lg 伊诺特有限公司 发光元件
CN108347502A (zh) * 2017-01-24 2018-07-31 Lg电子株式会社 照明装置和包括其的移动终端
US10824054B2 (en) 2017-01-24 2020-11-03 Lg Electronics Inc. Mobile terminal

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5340763B2 (ja) 2009-02-25 2013-11-13 ローム株式会社 Ｌｅｄランプ
CN102456826A (zh) * 2010-11-01 2012-05-16 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 发光二极管导线架
KR20120119395A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US10842016B2 (en) * 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
JP2013026510A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造
KR101933189B1 (ko) * 2012-01-31 2019-04-05 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
US9515055B2 (en) * 2012-05-14 2016-12-06 Cree, Inc. Light emitting devices including multiple anodes and cathodes
JP6056213B2 (ja) * 2012-06-26 2017-01-11 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及び照明装置
KR101886157B1 (ko) * 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
CN103682066B (zh) * 2012-09-21 2016-08-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组及其制造方法
CN103682018B (zh) * 2012-09-21 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN103682019B (zh) * 2012-09-21 2017-04-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN103325924A (zh) * 2013-06-06 2013-09-25 成卓 一种大可视角度平滑图像led灯
CN103307485A (zh) * 2013-06-06 2013-09-18 成卓 一种光晕笼罩led灯
US9736895B1 (en) 2013-10-03 2017-08-15 Ketra, Inc. Color mixing optics for LED illumination device
CN104811247A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 温成 非可见光发射装置
US9437793B2 (en) * 2014-02-21 2016-09-06 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package support, fabrication method and LED package
JP6576094B2 (ja) * 2014-06-16 2019-09-18 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
EP3511147B1 (en) * 2014-09-29 2020-11-11 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
TWI559577B (zh) * 2014-11-06 2016-11-21 Sinogerman Entpr Co Ltd SMT type LED package element, its manufacturing method and light emitting device
JP1531505S (zh) * 2015-03-10 2015-08-17
US10026721B2 (en) * 2015-06-30 2018-07-17 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
TW201806201A (zh) * 2016-05-05 2018-02-16 億光電子工業股份有限公司 封裝支架結構及其製造方法
CN115566122A (zh) * 2016-06-30 2023-01-03 苹果公司 用于减少的非辐射侧壁复合的led结构
US10243107B2 (en) 2016-09-28 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing thereof
CN106549010A (zh) * 2017-01-12 2017-03-29 东莞市春瑞电子科技有限公司 三色led显示单元及其生产方法
KR101981124B1 (ko) * 2017-01-24 2019-05-22 엘지전자 주식회사 이동 단말기
WO2019151826A1 (ko) * 2018-02-05 2019-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
US10782270B2 (en) * 2018-07-16 2020-09-22 Infineon Technologies Ag Photoacoustic gas sensor package
TWI663754B (zh) * 2018-07-20 2019-06-21 大陸商光寶光電（常州）有限公司 發光結構及其製造方法
TWI713237B (zh) * 2018-08-01 2020-12-11 大陸商光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040079957A1 (en) * 2002-09-04 2004-04-29 Andrews Peter Scott Power surface mount light emitting die package
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
CN101582419A (zh) * 2008-05-16 2009-11-18 科锐香港有限公司 用于小型表面安装器件的装置和系统
US20100084681A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Production process for surface-mounting ceramic led package, surface-mounting ceramic led package produced by said production process, and mold for producing said package
US20100090239A1 (en) * 2008-10-13 2010-04-15 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Ceramic package structure of high power light emitting diode and manufacturing method thereof

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5266617A (en) 1991-04-22 1993-11-30 Allied-Signal Inc. Lewis base catalyzed phase transfer coating process for polyanilines
JPH058960A (ja) 1991-07-09 1993-01-19 Hitachi Ltd エレベータの運転装置
US5266817A (en) 1992-05-18 1993-11-30 Lin Paul Y S Package structure of multi-chip light emitting diode
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US7535719B2 (en) 1999-08-04 2009-05-19 Super Talent Electronics, Inc. Single chip USB packages with contact-pins cover
US20020070387A1 (en) * 2000-12-07 2002-06-13 Bily Wang Focusing cup on a folded frame for surface mount optoelectric semiconductor package
JP3891115B2 (ja) 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US6813853B1 (en) 2002-02-25 2004-11-09 Daktronics, Inc. Sectional display system
US20040007995A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Visteon Global Technologies, Inc. Vector control system for permanent magnet sychronous machines using an open-loop parameter observer
TWI292961B (en) 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP4633333B2 (ja) 2003-01-23 2011-02-16 株式会社光波 発光装置
EP1513059A1 (en) 2003-09-08 2005-03-09 Barco N.V. A pixel module for use in a large-area display
CN100454588C (zh) 2003-11-06 2009-01-21 夏普株式会社 光学器件外壳结构
DE10361801A1 (de) 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070295975A1 (en) 2004-06-25 2007-12-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-Emitting Device
TWI245437B (en) 2004-11-16 2005-12-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure of a surface mount device light emitting diode
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
JP4857594B2 (ja) 2005-04-26 2012-01-18 大日本印刷株式会社 回路部材、及び回路部材の製造方法
US7394148B2 (en) 2005-06-20 2008-07-01 Stats Chippac Ltd. Module having stacked chip scale semiconductor packages
US7749295B2 (en) 2005-12-10 2010-07-06 Lg Electronics Inc. Vacuum cleaner with removable dust collector, and methods of operating the same
JP4890872B2 (ja) 2006-01-30 2012-03-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 光半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体集積回路装置
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP4830768B2 (ja) 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP4300223B2 (ja) 2006-06-30 2009-07-22 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置および照明装置を用いた表示装置
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US20080151143A1 (en) * 2006-10-19 2008-06-26 Intematix Corporation Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays
JP2008218764A (ja) 2007-03-06 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
CN100470785C (zh) 2007-04-29 2009-03-18 江苏长电科技股份有限公司 改善半导体塑料封装体内元器件分层的有效封装方法
KR100801621B1 (ko) 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US7737546B2 (en) 2007-09-05 2010-06-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface mountable semiconductor package with solder bonding features
CN101388161A (zh) 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US9135837B2 (en) * 2007-11-16 2015-09-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Illumination assembly having multiple reflective cavities each with a single emitter
US7524087B1 (en) 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
JP5358104B2 (ja) 2008-02-25 2013-12-04 豊田合成株式会社 発光装置
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
US8045679B2 (en) * 2008-05-22 2011-10-25 Vladimir Balakin Charged particle cancer therapy X-ray method and apparatus
DE102008032806A1 (de) * 2008-07-11 2010-01-14 Gabler Thermoform Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Herstellen von Hohlkörpern aus thermoplastisch verformbaren Kunststoff-Folien
TWM351985U (en) 2008-07-25 2009-03-01 Bi Chi Corp LED base structure capable of enhancing effect of mixture of light
CN201294227Y (zh) 2008-10-30 2009-08-19 一诠精密工业股份有限公司 发光二极管的导线架结构
US20110037083A1 (en) 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
TWI393275B (zh) 2009-02-04 2013-04-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝體及其製造方法
US20100237378A1 (en) 2009-03-19 2010-09-23 Tzu-Han Lin Light emitting diode package structure and fabrication thereof
CN102054920A (zh) 2009-10-27 2011-05-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN201527994U (zh) * 2009-11-06 2010-07-14 先进开发光电股份有限公司 侧光式发光元件封装壳体及封装结构
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
CN101887889B (zh) 2010-05-20 2012-07-04 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led集成电路模块和led显示模块
US9882094B2 (en) 2011-03-14 2018-01-30 Intellectual Discovery Co., Ltd. Light source with inner and outer bodies comprising three different encapsulants
JP2013015648A (ja) 2011-07-04 2013-01-24 Sony Corp 表示装置
CN202662602U (zh) 2012-05-30 2013-01-09 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 多晶片led结构
CN102737555B (zh) 2012-07-19 2015-07-08 广东威创视讯科技股份有限公司 一种发光二极管显示屏,及其制造方法
CN102945845B (zh) 2012-11-13 2015-01-21 佛山市国星光电股份有限公司 一种显示屏用的led器件及显示模组
US9494302B2 (en) 2013-03-11 2016-11-15 Shenzhen Aoto Electronics Co., Ltd High-definition LED display screen and surface-mounted LED composite lamp with ultra-small point distance thereof
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040079957A1 (en) * 2002-09-04 2004-04-29 Andrews Peter Scott Power surface mount light emitting die package
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
CN101582419A (zh) * 2008-05-16 2009-11-18 科锐香港有限公司 用于小型表面安装器件的装置和系统
US20100084681A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Production process for surface-mounting ceramic led package, surface-mounting ceramic led package produced by said production process, and mold for producing said package
US20100090239A1 (en) * 2008-10-13 2010-04-15 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Ceramic package structure of high power light emitting diode and manufacturing method thereof

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105322085A (zh) * 2014-06-30 2016-02-10 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置
CN105322085B (zh) * 2014-06-30 2018-07-31 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置
CN107210352A (zh) * 2015-01-19 2017-09-26 Lg 伊诺特有限公司 发光元件
US10340433B2 (en) 2015-01-19 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
CN108347502A (zh) * 2017-01-24 2018-07-31 Lg电子株式会社 照明装置和包括其的移动终端
CN108347502B (zh) * 2017-01-24 2020-09-08 Lg电子株式会社 照明装置和包括其的移动终端
US10824054B2 (en) 2017-01-24 2020-11-03 Lg Electronics Inc. Mobile terminal

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012059063A1 (en) 2012-05-10
WO2012058852A1 (en) 2012-05-10
CN102792474A (zh) 2012-11-21
US10431567B2 (en) 2019-10-01
CN102792474B (zh) 2017-05-24
US20120104426A1 (en) 2012-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103190006A (zh) 白色陶瓷led封装
US10679973B2 (en) Multiple pixel surface mount device package
US8901583B2 (en) Surface mount device thin package
US9831393B2 (en) Water resistant surface mount device package
US9240395B2 (en) Waterproof surface mount device package and method
US9722158B2 (en) Aligned multiple emitter package
CN102163666B (zh) 混合发光二极管芯片和具有其的发光二极管器件及制造法
TWI523273B (zh) 具有對比面之發光二極體封裝體
US8362500B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
CN105977246A (zh) 发光器件
CN103765585B (zh) 具有倒装芯片式安装的固态辐射传感器的固态辐射传感器装置及其相关联系统及方法
CN104218135A (zh) 固态发射器封装、多像素发射封装和led显示器
CN202142527U (zh) 发射器封装
CN203707120U (zh) 固态发射器封装及多像素发射封装
CN202134534U (zh) 导电性引线框和发光器件封装体
CN103456725A (zh) 发射体封装及发光装置显示器
CN202585525U (zh) 发光器封装体和发光器件显示器
CN202758884U (zh) 发射体封装
CN202111155U (zh) Led封装
CN202259287U (zh) 发光器件显示器
CN202142528U (zh) 光发射器件显示器
CN203351143U (zh) Led显示器
CN202259406U (zh) Led显示器
CN203406282U (zh) 发射体封装结构
KR20140096185A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130703