JP7173487B2 - 半導体装置 - Google Patents

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    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84447—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84455—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/8446—Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/84815—Reflow soldering
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    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
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    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9221—Parallel connecting processes
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    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92246—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a strap connector
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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Description

本開示は、半導体装置に関する。
半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、第１リード、第２リード、接続リード、および封止樹脂を備える。半導体素子は、第１リードに搭載されており、１つの電極が当該第１リードに接合される。半導体素子の他の１つの電極は、板状の導電体である接続リードによって、第２リードに導通される。半導体素子の電極と接続リードとははんだによって接合される。また、接続リードと第２リードとを直接接合する場合、接続リードと第２リードともはんだによって接合される。
リフロー処理によりはんだ付けを行うとき、半導体素子および第２リードに対して、接続リードの位置ずれが生じる場合がある。この場合、半導体素子の電極と接続リードとの電気的接続、または、第２リードと接続リードとの電気的接続が不安定になることがある。また、リフロー処理の後の工程で、不都合が生じることもある。
特開２００５-２７７２３１号公報
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、接続リードの位置ずれを抑制できる半導体装置を提供することをその課題とする。
本開示によって提供される半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された第１電極と、前記素子主面に配置された第２電極とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記第１電極が接合された第１リードと、前記第２電極と導通する第２リードと、前記第２電極に接合された素子接続部、および、はんだによって前記第２リードに接合されたリード接続部を有する導電体である接続リードとを備え、前記リード接続部は、前記厚さ方向に直交する第１方向において、前記半導体素子側を向くリード接続部第１面と、前記リード接続部第１面とは反対側を向くリード接続部第２面と、前記リード接続部第１面および前記リード接続部第２面につながり、かつ、前記厚さ方向における前記素子裏面側を向くリード接続部端面とを備え、前記第２リードは、前記リード接続部第２面に対向する凹部第１側面を有し、かつ、前記半導体素子側が開放された接続部凹部を備え、前記リード接続部第２面とはんだとの接触領域である第２接触領域の面積が、前記リード接続部第１面とはんだとの接触領域である第１接触領域の面積より大きいことを特徴とする。
本開示にかかる半導体装置は、第２接触領域の面積が第１接触領域の面積より大きい。したがって、リフロー処理時に溶融したはんだの表面張力によって、接続リードのリード接続部第２面が第２リードの凹部第１側面に引き寄せられる。これにより、接続リードは第２リードに対して所定の位置に配置されるので、位置ずれを抑制できる。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図１に示す半導体装置の内部を透過させた平面図である。 図１に示す半導体装置の正面図である。 図１に示す半導体装置の底面図である。 図１に示す半導体装置の背面図である。 図１に示す半導体装置の右側面図である。 図１に示す半導体装置の要部拡大平面図である。 図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図７のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。 本開示の第２実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大断面図である。 本開示の第３実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 本開示の第４実施形態にかかる半導体装置を示す要部拡大平面図である。 本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の内部を透過させた平面図である。 本開示の第６実施形態にかかる半導体装置の内部を透過させた平面図である。 本開示の第７実施形態にかかる半導体装置の内部を透過させた平面図である。
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
〔第１実施形態〕
図１～図９に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１について説明する。半導体装置Ａ１は、第１リード１、２個の第２リード２、接続リード３、半導体素子６、および封止樹脂８を備える。
図１は、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図２は、半導体装置Ａ１の内部を透過させた平面図である。図２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図３は、半導体装置Ａ１を示す正面図である。図４は、半導体装置Ａ１を示す底面図である。図５は、半導体装置Ａ１を示す背面図である。図６は、半導体装置Ａ１を示す右側面図である。図７は、半導体装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図８は、図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図７のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図７～図９においては、理解の便宜上、封止樹脂８を省略している。
これらの図に示す半導体装置Ａ１は、様々な機器の回路基板に表面実装される装置である。半導体装置Ａ１の厚さ方向視の形状は矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１の一方の辺に沿う方向（図１における左右方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図１における上下方向）をｙ方向とする。以下の図においても同様である。ｚ方向が本開示の「厚さ方向」に相当し、ｙ方向が本開示の「第１方向」に相当する。半導体装置Ａ１の各寸法は特に限定されず、本実施形態においては、たとえばｘ方向寸法が２～６ｍｍ程度、ｙ方向寸法が２～６ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．５～１ｍｍ程度である。
第１リード１は、半導体素子６を支持するとともに、半導体素子６と導通している。第２リード２は、半導体素子６と導通している。第１リード１および第２リード２は、金属板に打ち抜き加工やエッチング処理等を施すことにより形成されている。第１リード１および第２リード２は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、第１リード１および第２リード２が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。第１リード１および第２リード２の厚さは、たとえば０．０８～０．３ｍｍであり、本実施形態においては０．２５ｍｍ程度である。
図２に示すように、第１リード１は、半導体装置Ａ１のｙ方向の一方端（図２においては上側）に配置され、ｘ方向の全体に広がっている。２個の第２リード２は、半導体装置Ａ１のｙ方向の他方端（図２においては下側）に、それぞれ第１リード１から離間して、また、ｘ方向に並んで互いに離間して配置されている。
第１リード１は、搭載部１１、第１リード端子部１２、薄肉部１３、およびタイバー部１４を備える。
搭載部１１は、ｚ方向視において、第１リード１の中央に位置し、ｚ方向視において略矩形状である。搭載部１１は、搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２を有する。搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。搭載部主面１１１は、図３、図５～図６の上方を向く面である。搭載部主面１１１は、半導体素子６が搭載される面である。搭載部裏面１１２は、図３、図５～図６の下方を向く面である。搭載部裏面１１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる（図４参照）。なお、搭載部１１の形状は限定されない。
第１リード端子部１２は、搭載部１１に繋がっており、ｚ方向視略矩形状である。第１リード端子部１２は、搭載部１１のｙ方向の一方端側（図２においては上側）に配置されている。第１リード端子部１２は、第１リード端子部主面１２１、第１リード端子部裏面１２２、および第１リード端子部端面１２３を有する。第１リード端子部主面１２１および第１リード端子部裏面１２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第１リード端子部主面１２１は、図３、図５～図６の上方を向く面である。第１リード端子部主面１２１と搭載部主面１１１とは、面一になっている（図２参照）。第１リード端子部裏面１２２は、図３、図５～図６の下方を向く面である。第１リード端子部裏面１２２と搭載部裏面１１２とは、面一になっている（図４参照）。第１リード端子部端面１２３は、第１リード端子部主面１２１および第１リード端子部裏面１２２を繋ぐ面であり、ｙ方向の一方側（図２においては上側）を向く面である。第１リード端子部端面１２３は、封止樹脂８から突出している。第１リード端子部裏面１２２および第１リード端子部端面１２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。なお、第１リード端子部１２の形状は限定されない。
薄肉部１３は、搭載部１１に繋がっており、ｚ方向視において、搭載部１１のｘ方向の両端にそれぞれ配置されている。薄肉部１３の厚さ（ｚ方向の寸法）は、搭載部１１の厚さの半分程度である。薄肉部１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。薄肉部１３は、薄肉部主面１３１および薄肉部裏面１３２を有する。薄肉部主面１３１および薄肉部裏面１３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。薄肉部主面１３１は、図３、図５～図６の上方を向く面である。薄肉部主面１３１と搭載部主面１１１とは、面一になっている。したがって、搭載部主面１１１、第１リード端子部主面１２１および薄肉部主面１３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。薄肉部裏面１３２は、図３、図５～図６の下方を向く面である。薄肉部裏面１３２は封止樹脂８から露出せず、薄肉部１３は封止樹脂８に埋設される。これにより、第１リード１が封止樹脂８から剥離することが抑制される。なお、第１リード１は、薄肉部１３を備えていなくてもよい。
タイバー部１４は、搭載部１１に繋がっており、搭載部１１のｘ方向の両端のｙ方向の他方端側（図２においては下側）にそれぞれ配置されている。タイバー部１４の一部は、封止樹脂８から突出している。タイバー部１４は、リードフレームにおいて第１リード１の搭載部１１とフレームとを繋いでいたタイバーを切断して残った部分である。タイバー部１４は、端面１４３を備える。端面１４３は、ｘ方向を向く面であり、タイバーを切断したことにより形成された切断面である。
本実施形態において、第１リード１は、第１リード端子部端面１２３から凹む端面凹部１２４を２個備える。各端面凹部１２４は、第１リード端子部端面１２３のｘ方向の両端と中央との間に、それぞれ配置されている。端面凹部１２４は、第１リード端子部端面１２３において、ｚ方向の両端まで延びている。端面凹部１２４は、後述するように、製造工程でリードフレームに貫通孔が設けられ、当該貫通孔の部分でリードフレームを切断することで形成される。
各第２リード２は、それぞれ、接続部２１および第２リード端子部２２を備える。
接続部２１は、ｚ方向視において略矩形状であり、第２リード２の第１リード１側に位置する。接続部２１は、接続部主面２１１、接続部裏面２１２、および接続部側面２１３を有する。接続部主面２１１および接続部裏面２１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。接続部主面２１１は、図３、図５～図６の上方を向く面である。接続部裏面２１２は、図３、図５～図６の下方を向く面である。接続部裏面２１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる（図４参照）。接続部側面２１３は、接続部主面２１１および接続部裏面２１２を繋ぐ面であり、ｙ方向において第１リード１側を向く面である。
接続部２１は、接続部凹部２４を備える。接続部凹部２４は、接続部主面２１１から接続部裏面２１２側に凹む凹部であり、ｚ方向視において矩形状である。本実施形態では、接続部凹部２４は、ハーフエッチング処理により形成される。なお、接続部凹部２４は、プレス加工処理により形成されてもよい。接続部凹部２４は、接続部主面２１１のｙ方向における第１リード１側の端部（図２において上端部）で、かつ、ｘ方向における一方の端部（図２において右端部）に配置されている。接続部凹部２４は、ｙ方向における第１リード１側（図２においては上側）およびｘ方向における一方側(図２においては右側)が開放しており、凹部底面２４１、凹部第１側面２４２、および凹部第２側面２４３を備える。凹部底面２４１は、ｚ方向の一方側（図６においては上側）を向く矩形状の面である（図７～図９参照）。凹部第１側面２４２は、凹部底面２４１に直交し、ｙ方向の一方側（図２においては上側）を向く矩形状の面である（図７，図８参照）。凹部第２側面２４３は、凹部底面２４１および凹部第１側面２４２に直交し、ｘ方向の一方側（図２においては右側）を向く矩形状の面である（図７，図９参照）。接続部凹部２４には、接続リード３のリード接続部３２が接合される。
なお、第２リード２においても、第１リード１と同様に、接続部２１に繋がり、かつ、封止樹脂８に埋設される薄肉部を設けてもよい。また、接続部２１は、接続部凹部２４を備えていればよく、その形状は限定されない。
第２リード端子部２２は、接続部２１に繋がっており、ｚ方向視略矩形状である。第２リード端子部２２は、接続部２１の第１リード１とは反対側に位置し、ｙ方向の他方端側（図２においては下側）に配置されている。第２リード端子部２２は、第２リード端子部主面２２１、第２リード端子部裏面２２２、および第２リード端子部端面２２３を有する。第２リード端子部主面２２１および第２リード端子部裏面２２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第２リード端子部主面２２１は、図３、図５～図６の上方を向く面である。第２リード端子部主面２２１と接続部主面２１１とは、面一になっている（図２参照）。第２リード端子部裏面２２２は、図３、図５～図６の下方を向く面である。第２リード端子部裏面２２２と接続部裏面２１２とは、面一になっている（図４参照）。第２リード端子部端面２２３は、第２リード端子部主面２２１および第２リード端子部裏面２２２を繋ぐ面であり、ｙ方向の他方側（図２においては下側）を向く面である。第２リード端子部端面２２３は、封止樹脂８から突出している。第２リード端子部裏面２２２および第２リード端子部端面２２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。なお、第２リード端子部２２の形状は限定されない。
本実施形態において、第２リード２は、第２リード端子部端面２２３から凹む端面凹部２２４を２個備える。各端面凹部２２４は、第２リード端子部端面２２３のｘ方向の両端と中央との間に、それぞれ配置されている。端面凹部２２４は、第２リード端子部端面２２３において、ｚ方向の両端まで延びている。端面凹部２２４は、後述するように、製造工程でリードフレームに貫通孔が設けられ、当該貫通孔の部分でリードフレームを切断することで形成される。
接続リード３は、半導体素子６と第２リード２とを電気的に接続する板状の導電体である。接続リード３は、金属板に打ち抜き加工やエッチング処理等を施すことにより形成されている。接続リード３は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＡｌのいずれか、またはこれらの合金などからなる。本実施形態においては、接続リード３が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。接続リード３の厚さは、たとえば０．０８～０．３ｍｍであり、本実施形態においては０．１５ｍｍ程度である。
接続リード３は、金属板を屈曲形成したものであり、素子接続部３１、リード接続部３２、連結部３３、およびタイバー部３４を備える。
素子接続部３１は、半導体素子６に接続する部位であり、ｘｙ平面に略平行でｚ方向視略矩形状である。素子接続部３１は、素子接続部第１面３１１および素子接続部第２面３１２を備える。素子接続部第１面３１１および素子接続部第２面３１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子接続部第１面３１１は、図３、図５～図６の下方を向く面である。素子接続部第１面３１１は、はんだによって、半導体素子６に接合されている。図６に示すように、素子接続部第１面３１１には、ｘ方向に延びる複数の突起が設けられている。これらの突起の間にはんだが入り込むことで、素子接続部第１面３１１と半導体素子６とが強固に接合される。素子接続部第２面３１２は、図３、図５～図６の上方を向く面である。
リード接続部３２は、第２リード２に接続する部位である。本実施形態では、半導体装置Ａ１が第２リード２を２個備えているので、接続リード３はリード接続部３２を２個備えている。各リード接続部３２は、ｘｚ平面に略平行でｙ方向視においてｚ方向に長い略矩形状である。つまり、リード接続部３２の厚さ（ｙ方向の寸法）Ｙは、ｚ方向の寸法Ｚより小さい（図８参照）。リード接続部３２は、接続部凹部２４内に配置され、第２リード２の接続部２１のｘ方向における中央付近であり、かつ、ｙ方向における第１リード１側付近に位置する。リード接続部３２は、リード接続部第１面３２１、リード接続部第２面３２２、リード接続部第１側面３２３、リード接続部第２側面３２４、およびリード接続部端面３２５を備える。
リード接続部第１面３２１およびリード接続部第２面３２２は、ｙ方向において互いに反対側を向いている。リード接続部第１面３２１は、図１～図２の上方を向く面であり、ｙ方向において第１リード１側を向く面である。リード接続部第２面３２２は、図１～図２の下方を向く面であり、第２リード２の凹部第１側面２４２に対向する面である（図８参照）。
リード接続部第１側面３２３およびリード接続部第２側面３２４は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。リード接続部第１側面３２３は、図１～図２の左方を向く面であり、第２リード２の凹部第２側面２４３に対向する面である（図９参照）。リード接続部第２側面３２４は、図１～図２の右方を向く面である。リード接続部第１側面３２３およびリード接続部第２側面３２４は、リード接続部第１面３２１およびリード接続部第２面３２２に対して直交する。
リード接続部端面３２５は、ｚ方向の他方側（図３、図５～図６の下方側）を向く面であり、第２リード２の凹部底面２４１に対向する面である（図８および図９参照）。リード接続部端面３２５は、リード接続部第１面３２１、リード接続部第２面３２２、リード接続部第１側面３２３、およびリード接続部第２側面３２４に対して直交する。
図７～図９に示すように、リード接続部３２は、第２リード２の接続部凹部２４内に配置されて、はんだ９によって接合されている。
図８に示すように、リード接続部３２のリード接続部第２面３２２と第２リード２の凹部第１側面２４２との間にははんだ９が介在し、第２リード２の凹部第１側面２４２と接続部主面２１１との境界付近からリード接続部第２面３２２にかけて、はんだフィレット９２が形成されている。また、第２リード２の凹部底面２４１と接続部側面２１３との境界付近からリード接続部第１面３２１にかけて、はんだフィレット９１が形成されている。リード接続部第２面３２２におけるはんだフィレット９２の先端から凹部底面２４１までの距離Ｌ２は、リード接続部第１面３２１におけるはんだフィレット９１の先端から凹部底面２４１までの距離Ｌ１より圧倒的に大きい。また、リード接続部第２面３２２とはんだ９との接触領域である第２接触領域Ｓ２の面積は、リード接続部第１面３２１とはんだ９との接触領域である第１接触領域Ｓ１の面積より圧倒的に大きい。
また、図８に示すように、ｙ方向における接続部側面２１３とリード接続部第１面３２１との距離Ｗ１は小さく、少なくとも、凹部第１側面２４２とリード接続部第２面３２２との距離Ｗ２以下である。本実施形態では、距離Ｗ２は、０．１ｍｍ程度である。距離Ｗ２は、リード接続部３２の厚さ（リード接続部第１面３２１とリード接続部第２面３２２との距離）Ｙ以下であり、１／３Ｙ以上であることが望ましい。
また、図９に示すように、リード接続部３２のリード接続部第１側面３２３と第２リード２の凹部第２側面２４３との間にははんだ９が介在し、第２リード２の凹部第２側面２４３と接続部主面２１１との境界付近からリード接続部第１側面３２３にかけて、はんだフィレット９３が形成されている。また、第２リード２の凹部底面２４１からリード接続部第２側面３２４にかけて、はんだフィレット９４が形成されている。リード接続部第１側面３２３におけるはんだフィレット９３の先端から凹部底面２４１までの距離Ｌ３は、リード接続部第２側面３２４におけるはんだフィレット９４の先端から凹部底面２４１までの距離Ｌ４より圧倒的に大きい。また、リード接続部第１側面３２３とはんだ９との接触領域である第３接触領域Ｓ３の面積は、リード接続部第２側面３２４とはんだ９との接触領域である第４接触領域Ｓ４の面積より圧倒的に大きい。
連結部３３は、素子接続部３１と２個のリード接続部３２とを連結する部位である。連結部３３は、ｘ方向の一方端で素子接続部３１に繋がり、他方端が２つに分かれて、各他方端がそれぞれリード接続部３２に繋がっている（図２参照）。連結部３３は、連結部第１面３３１および連結部第２面３３２を備える。連結部第１面３３１および連結部第２面３３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部第１面３３１は、図３、図５～図６の下方を向く面である。連結部第１面３３１は、素子接続部第１面３１１およびリード接続部第１面３２１に繋がっている。連結部第２面３３２は、図３、図５～図６の上方を向く面である。連結部第２面３３２は、素子接続部第２面３１２およびリード接続部第２面３２２に繋がっている。
タイバー部３４は、連結部３３に繋がっており、連結部３３のｘ方向の両端にそれぞれ配置されている。タイバー部３４は、リードフレームにおいて接続リード３とフレームとを繋いでいたタイバーを切断して残った部分である。タイバー部３４は、タイバーを切断したことにより形成された切断面である端面を備える。
半導体素子６は、半導体装置Ａ１の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子６の種類は特に限定さない。本実施形態では、半導体素子６は、ダイオードである。半導体素子６は、素子本体６０、素子主面６１、素子裏面６２、第１電極６３および第２電極６４を備える。
図６に示すように、素子主面６１および素子裏面６２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面６１は、図３、図５～図６の上方を向く面である。素子裏面６２は、図３、図５～図６の下方を向く面である。第１電極６３は、素子裏面６２に配置されている。第２電極６４は、素子主面６１に配置されている。本実施形態においては、第１電極６３はカソード電極であり、第２電極６４はアノード電極である。
図２に示すように、半導体素子６は、搭載部主面１１１のｘ方向中央で、かつ、ｙ方向中央に搭載されている。図６に示すように、半導体素子６は、素子裏面６２を搭載部主面１１１に向けて、図示しないはんだを介して、搭載部主面１１１に搭載される。これにより、半導体素子６の第１電極６３は、はんだによって搭載部主面１１１に接合され、第１リード１に電気的に接続されている。また、図６に示すように、接続リード３の素子接続部第１面３１１と半導体素子６の素子主面６１とは、図示しないはんだを介して接合される。これにより、半導体素子６の第２電極６４は、はんだによって接続リード３に接合され、接続リード３を介して第２リード２に電気的に接続されている。第１電極６３に導通する第１リード端子部１２が半導体装置Ａ１のカソード端子として機能し、第２電極６４に導通する第２リード端子部２２が半導体装置Ａ１のアノード端子として機能する。
封止樹脂８は、第１リード１および第２リード２の一部ずつと、接続リード３および半導体素子６とを覆っている。封止樹脂８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。
封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２および樹脂側面８３を有する。樹脂主面８１と樹脂裏面８２とは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面８１は、図３、図５～図６の上方を向く面であり、樹脂裏面８２は、図３、図５～図６の下方を向く面である。樹脂側面８３は、樹脂主面８１および樹脂裏面８２を繋ぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いている。樹脂側面８３は、第１側面８３１および第２側面８３２を備える。第２側面８３２は、樹脂裏面８２に繋がっており、ｘｚ平面またはｙｚ平面に平行である。第１側面８３１は、樹脂主面８１に繋がっており、ｘｚ平面またはｙｚ平面に対して傾斜している。
本実施形態においては、第１リード端子部１２、タイバー部１４、および第２リード端子部２２は、樹脂側面８３の第２側面８３２から突出しており、第１リード端子部端面１２３および端面凹部１２４と、第２リード端子部端面２２３および端面凹部２２４とは、樹脂側面８３の第２側面８３２から露出している。また、第１リード１の搭載部裏面１１２および第１リード端子部裏面１２２と、第２リード２の接続部裏面２１２および第２リード端子部裏面２２２とは、封止樹脂８の樹脂裏面８２と互いに面一である。２個の第２リード２は、樹脂側面８３のうち、ｙ方向の他方側（図２において下側）を向く面に沿って配置されている。
次に、半導体装置Ａ１の製造方法の一例について、図１０～図１４を参照して以下に説明する。なお、これらの図は、平面図であり、ｘ方向、ｙ方向およびｚ方向は、図２と同じ方向を示している。
まず、図１０に示すようにリードフレーム１０を用意する。リードフレーム１０は、第１リード１および第２リード２となる板状の材料である。なお、図１０においては、１個の第１リード１および２個の第２リード２となる領域のみを示している（図１３および図１４についても同様）。リードフレーム１０は、金属板にエッチング処理を行うことで形成される。なお、リードフレーム１０は、金属板に打ち抜き加工処理を行うことで形成されてもよい。
リードフレーム１０の主面１０１０は、搭載部主面１１１、第１リード端子部主面１２１、薄肉部主面１３１、接続部主面２１１、および第２リード端子部主面２２１となる面である。図中の比較的粗であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が厚い領域であり、搭載部１１、第１リード端子部１２、接続部２１、および第２リード端子部２２となる領域を含んでいる。図中の比較的密であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が薄い領域であり、薄肉部１３となる領域１０２０である。当該領域１０２０は、主面１０１０とは反対側を向く裏面だけをエッチングするハーフエッチング処理により形成される。図中の点描が施された領域１０３０は、厚さ（ｚ方向の寸法）が薄い領域であり、接続部凹部２４となる領域である。当該領域１０３０は、主面１０１０だけをエッチングするハーフエッチング処理により形成される。なお、領域１０２０および領域１０３０は、プレス加工処理により形成されてもよい。
また、第１リード端子部１２および第２リード端子部２２になる領域には、端面凹部１２４，２２４を形成するための貫通孔１０４０が形成されている。本実施形態においては、リードフレーム１０の母材は、Ｃｕからなる。
また、リードフレーム１０とは別に、図１１に示すようにリードフレーム２０を用意する。図１１においては、リードフレーム２０にハッチングを付している。リードフレーム２０は、接続リード３となる板状の材料である。なお、図１１においては、１個の接続リード３となる領域のみを示している（図１２についても同様）。リードフレーム２０は、金属板にエッチング処理を行うことで形成される。なお、リードフレーム２０は、金属板に打ち抜き加工処理を行うことで形成されてもよい。本実施形態においては、リードフレーム２０の母材は、Ｃｕからなる。次いで、図１２に示すように、リードフレーム２０において屈曲加工処理を行うことで、素子接続部３１、リード接続部３２および連結部３３を形成する。次いで、リードフレーム２０を、切断線１０５０（図１２において二点鎖線で示している）に沿って切断することにより、接続リード３が得られる。タイバー１０６０が切断線１０５０に沿って切断されることで、切断面である端面を有するタイバー部３４が形成される。
次いで、リードフレーム１０の主面１０１０のうち、第１リード１の搭載部主面１１１となる領域の中央に、はんだペーストを塗布して半導体素子６をボンディングする。次いで、図１３に示すように、半導体素子６の素子主面６１の第２電極６４にはんだペースト９００を塗布する。また、第２リード２の接続部凹部２４（領域１０３０）の内部にもはんだペースト９００を塗布する。このとき、はんだペースト９００は、凹部第２側面２４３に寄せて塗布される。
次いで、図１４に示すように、接続リード３を、半導体素子６の第２電極６４および接続部凹部２４にボンディングする。接続リード３の素子接続部３１は半導体素子６の第２電極６４にボンディングされ、接続リード３のリード接続部３２は接続部凹部２４にボンディングされる。次いで、リフロー処理を行う。リフロー処理によりはんだペースト９００が溶融し、溶融したはんだによって、素子接続部３１と第２電極６４とが接合され、リード接続部３２と接続部凹部２４とが接合される。このとき、溶融したはんだの表面張力によって、リード接続部３２は、凹部第１側面２４２および凹部第２側面２４３に引き寄せられる。これにより、接続リード３が位置決めされる。
次いで、樹脂材料を硬化させることにより、リードフレーム１０の一部、半導体素子６、および接続リード３を覆う封止樹脂８（図１４において一点鎖線で示している）を形成する。次いで、リードフレーム１０を、切断線１０７０（図１４において二点鎖線で示している）に沿って切断する。このとき、リードフレーム１０は、貫通孔１０４０を横断する切断線１０７０で切断されるので、切断面である第１リード端子部端面１２３および第２リード端子部端面２２３と、貫通孔１０４０の内壁であった端面凹部１２４，２２４とが形成される。また、タイバー１０８０が切断線１０７０に沿って切断されることで、切断面である端面１４３を有するタイバー部１４が形成される。
以上の工程を経ることにより、上述した半導体装置Ａ１が得られる。
次に、半導体装置Ａ１の作用効果について説明する。
本実施形態によると、接続リード３のリード接続部３２は、第２リード２の接続部凹部２４内で、接続部２１に接合される。リード接続部３２は、リフロー処理時に、リード接続部第２面３２２と凹部第１側面２４２との間に介在する溶融したはんだの表面張力によって、凹部第１側面２４２に引き寄せられる。このとき、リード接続部第２面３２２は、凹部第１側面２４２に略平行になる。したがって、ｚ方向視における接続リード３の向きが所定の向きからずれることを抑制できる。また、接続部凹部２４に塗布するはんだペースト９００の量を調整することで、リード接続部第２面３２２と凹部第１側面２４２との距離を一定にすることができる。したがって、ｙ方向における接続リード３の位置が、所定の位置からずれることを抑制できる。
また、リード接続部３２は、リフロー処理時に、リード接続部第１側面３２３と凹部第２側面２４３との間に介在する溶融したはんだの表面張力によって、凹部第２側面２４３に引き寄せられる。このとき、リード接続部第１側面３２３は、凹部第２側面２４３に略平行になる。したがって、ｚ方向視における接続リード３の向きが所定の向きからずれることをより抑制できる。また、接続部凹部２４に塗布するはんだペースト９００の量を調整することで、リード接続部第１側面３２３と凹部第２側面２４３との距離を一定にすることができる。したがって、ｘ方向における接続リード３の位置が、所定の位置からずれることを抑制できる。
また、本実施形態によると、ｙ方向における接続部側面２１３とリード接続部第１面３２１との距離Ｗ１は、凹部第１側面２４２とリード接続部第２面３２２との距離Ｗ２に比べて小さい。したがって、リード接続部第１面３２１に形成されたはんだフィレット９１は、リード接続部第２面３２２に形成されたはんだフィレット９２に比べて小さい。また、リード接続部第２面３２２とはんだ９との接触領域である第２接触領域Ｓ２の面積は、リード接続部第１面３２１とはんだ９との接触領域である第１接触領域Ｓ１の面積に比べて圧倒的に大きい。これらのことは、リフロー処理時に、リード接続部第２面３２２側にあった溶融したはんだの量が、リード接続部第１面３２１側にあった溶融したはんだの量より圧倒的に多いことを意味している。したがって、リード接続部第１面３２１側のはんだの表面張力は、リード接続部第２面３２２側のはんだの表面張力に比べて圧倒的に小さく、リード接続部３２のｙ方向の位置に影響を及ぼすおそれが小さい。
また、本実施形態によると、製造工程のはんだペーストの塗布工程において、はんだペースト９００は、凹部第２側面２４３に寄せて塗布される。したがって、リード接続部第１側面３２３とはんだ９との接触領域である第３接触領域Ｓ３の面積は、リード接続部第２側面３２４とはんだ９との接触領域である第４接触領域Ｓ４の面積に比べて圧倒的に大きくなっている。また、リード接続部第２側面３２４に形成されたはんだフィレット９４は、リード接続部第１側面３２３に形成されたはんだフィレット９３に比べて小さい。リフロー処理時に、リード接続部第１側面３２３側にあった溶融したはんだの量がリード接続部第２側面３２４側にあった溶融したはんだの量より圧倒的に多いので、リード接続部第２側面３２４側のはんだの表面張力は、リード接続部第１側面３２３側のはんだの表面張力に比べて圧倒的に小さく、リード接続部３２のｘ方向の位置に影響を及ぼすおそれが小さい。
また、本実施形態によると、半導体装置Ａ１は２個の第２リード２を備えている。そして、接続リード３は、連結部３３に繋がる２個のリード接続部３２を備えている。各リード接続部３２は、それぞれ第２リード２に接合される。したがって、第２リード２およびリード接続部３２がそれぞれ１個の場合と比べて、接続リード３の位置ずれをより抑制することができる。
〔第２実施形態〕
図１５に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２について説明する。図１５において、先述した半導体装置Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１５は、半導体装置Ａ２を示す要部拡大断面図であり、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１の図８に相当する図である。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ２は、第２リード２の接続部凹部２４の形成方法が半導体装置Ａ１と異なる。本実施形態にかかる接続部凹部２４は、ハーフエッチング処理ではなく、プレス加工処理により形成されている。接続部側面２１３は、突出部２１３ａを備える。突出部２１３ａは、プレス加工による塑性変形によって、ｙ方向の一方側（図８においては右側）に盛り上がって突出した部分であり、接続部側面２１３の接続部凹部２４側の端部に形成され、ｘ方向に延びている。
本実施形態においても、第２リード２および接続リード３の構成が第１実施形態の場合と同様なので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
〔第３実施形態〕
図１６に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３について説明する。図１６において、先述した半導体装置Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１６は、半導体装置Ａ３を示す要部拡大平面図であり、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１の図７に相当する図である。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ３は、接続部凹部２４の配置位置および形状が半導体装置Ａ１と異なる。本実施形態にかかる接続部凹部２４は、接続部主面２１１のｙ方向における第１リード１側の端部（図１６において上端部）で、かつ、ｘ方向における他方の端部（図１６において左端部）に配置されている。接続部凹部２４は、ｙ方向における第１リード１側（図１６においては上側）およびｘ方向における他方側(図１６においては左側)が開放している。凹部第２側面２４３は、ｘ方向の他方側（図１６においては左側）を向いており、接続リード３のリード接続部第２側面３２４に対向している。
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、リフロー処理時に、リード接続部第２面３２２と凹部第１側面２４２との間に介在する溶融したはんだの表面張力が作用し、リード接続部第１面３２１側の溶融したはんだの表面張力はあまり作用しない。また、リフロー処理時に、リード接続部第２側面３２４と凹部第２側面２４３との間に介在する溶融したはんだの表面張力が作用し、リード接続部第１側面３２３側の溶融したはんだの表面張力はあまり作用しない。したがって、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
〔第４実施形態〕
図１７に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４について説明する。図１７において、先述した半導体装置Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１７は、半導体装置Ａ４を示す要部拡大平面図であり、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１の図７に相当する図である。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ４は、接続部凹部２４の配置位置および形状が半導体装置Ａ１と異なる。本実施形態にかかる接続部凹部２４は、接続部主面２１１のｙ方向における第１リード１側の端部（図１７において上端部）に配置され、ｘ方向の両端まで広がっている。接続部凹部２４は、ｙ方向における第１リード１側（図１７においては上側）およびｘ方向の両側が開放している。接続部凹部２４は、第１実施形態にかかる凹部第２側面２４３に相当する面を備えていない。
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、リフロー処理時に、リード接続部第２面３２２と凹部第１側面２４２との間に介在する溶融したはんだの表面張力が作用し、リード接続部第１面３２１側の溶融したはんだの表面張力はあまり作用しない。したがって、ｚ方向視における接続リード３の向きが所定の向きからずれることを抑制できる。また、ｙ方向における接続リード３の位置が、所定の位置からずれることを抑制できる。なお、ｘ方向における接続リード３の位置は、接続部凹部２４におけるはんだペースト９００を塗布する位置を調整することで、ある程度所定の位置に合わせることができる。ただし、ｘ方向における接続リード３の位置ずれをより抑制するためには、第１～第３実施形態のように、接続部凹部２４が凹部第２側面２４３を備えることが望ましい。
〔第５実施形態〕
図１８に基づき、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５について説明する。図１８において、先述した半導体装置Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１８は、半導体装置Ａ５の内部を透過させた平面図であり、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１の図２に相当する図である。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ５は、備える第２リード２の数が半導体装置Ａ１と異なる。半導体装置Ａ５は、第２リード２を１個だけ備えている。また、接続リード３は、第２リード２の数に合わせて、リード接続部３２を１個だけ備えている。
本実施形態においても、第２リード２の接続部凹部２４および接続リード３のリード接続部３２の構成が第１実施形態の場合と同様なので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、第２リード２の数は限定されず、３個以上であってもよい。
〔第６実施形態〕
図１９に基づき、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６について説明する。図１９において、先述した半導体装置Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１９は、半導体装置Ａ６の内部を透過させた平面図であり、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１の図２に相当する図である。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ６は、半導体素子６の構成が半導体装置Ａ１と異なる。本実施形態においては、半導体素子６は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）などのトランジスタであり、素子主面６１に配置される第３電極６５をさらに備えている。また、半導体装置Ａ６は、第２リード２を１個だけ備え、１個の第３リード４をさらに備えている。接続リード３は、第２リード２の数に合わせて、リード接続部３２を１個だけ備えており、リード接続部３２が第２リード２に接合している。第３リード４は、接続部４１および第３リード端子部４２を備える。接続部４１は、接続部２１と同様であるが、接続部凹部２４を備えていない。第３リード端子部４２は、第２リード端子部２２と同様のものである。第３電極６５にはボンディングワイヤ７の一端が接合され、第３リード４の接続部４１にはボンディングワイヤ７の他端が接合されている。これにより、第３電極６５と第３リード４とが電気的に接続されている。第３リード４の表面には、ボンディングワイヤ７を接合しやすくするために、たとえばＡｇなどのめっき層が形成されていてもよい。
本実施形態においても、第２リード２の接続部凹部２４および接続リード３のリード接続部３２の構成が第１実施形態の場合と同様なので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態にかかる半導体装置Ａ６は、半導体素子６の素子主面６１に２種類の電極が配置されている場合に対応することができる。
〔第７実施形態〕
図２０に基づき、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置Ａ７について説明する。図２０において、先述した半導体装置Ａ６と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２０は、半導体装置Ａ７の内部を透過させた平面図であり、第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６の図１９に相当する図である。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ７は、第３電極６５と第３リード４との接続方法が半導体装置Ａ６と異なる。本実施形態において、第３電極６５と第３リード４とは、ボンディングワイヤ７ではなく、接続リード５で接続されている。本実施形態にかかる第３リード４の接続部４１は、第２リード２の接続部凹部２４と同様の接続部凹部４４を備えている。また、半導体装置Ａ７は、接続リード５をさらに備えている。接続リード５は、接続リード３と同様であり、素子接続部５１、リード接続部５２および連結部５３を備える。素子接続部５１は、素子接続部３１と同様であり、半導体素子６の第３電極６５に接続する。リード接続部５２は、リード接続部３２と同様であり、第３リード４に接続する。連結部５３は、連結部３３と同様であり、素子接続部５１とリード接続部５２とを連結する。接続リード５が本開示の「第２の接続リード」に相当する。
本実施形態においても、第２リード２および接続リード３の構成が第６実施形態の場合と同様であり、第３電極６５と第３リード４とが接続されているので、第６実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によると、第３電極６５と第３リード４とが接続リード５によって接続されている。第３リード４の接続部凹部４４の構成は第２リード２の接続部凹部２４と同様であり、接続リード５のリード接続部５２の構成は接続リード３のリード接続部３２の構成と同様である。したがって、本実施形態においては、接続リード５の位置ずれを抑制することができる。また、第５実施形態とは異なり、第２電極６４と第２リード２とを接続する工程と第３電極６５と第３リード４とを接続する工程とを、同じ工程で行うことができる。
本開示にかかる半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかる半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
〔付記１〕
厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された第１電極と、前記素子主面に配置された第２電極とを有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記第１電極が接合された第１リードと、
前記第２電極と導通する第２リードと、
前記第２電極に接合された素子接続部、および、はんだによって前記第２リードに接合されたリード接続部を有する導電体である接続リードと、
を備え、
前記リード接続部は、前記厚さ方向に直交する第１方向において、前記半導体素子側を向くリード接続部第１面と、前記リード接続部第１面とは反対側を向くリード接続部第２面と、前記リード接続部第１面および前記リード接続部第２面につながり、かつ、前記厚さ方向における前記素子裏面側を向くリード接続部端面と、を備え、
前記第２リードは、前記リード接続部第２面に対向する凹部第１側面および前記リード接続部端面に対向する凹部底面と、を有し、かつ、前記第１方向における前記半導体素子側が開放された接続部凹部を備え、
前記リード接続部第２面とはんだとの接触領域である第２接触領域の面積が、前記リード接続部第１面とはんだとの接触領域である第１接触領域の面積より大きい、
ことを特徴とする半導体装置。
〔付記２〕
前記接続部凹部は、前記凹部第１側面および前記凹部底面に交差する凹部第２側面と、をさらに備える、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記リード接続部は、前記リード接続部第１面および前記リード接続部端面に交差し、かつ、前記凹部第２側面に対向するリード接続部第１側面と、前記リード接続部第１側面とは反対側を向くリード接続部第２側面と、をさらに備え、
前記リード接続部第１側面とはんだとの接触領域である第３接触領域の面積が、前記リード接続部第２側面とはんだとの接触領域である第４接触領域の面積より大きい、
付記２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記接続部凹部は、前記リード接続部第２側面の向く側が開放されている、
付記３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記リード接続部第１面と前記リード接続部第２面との距離は、前記リード接続部第１面の前記厚さ方向の寸法より小さい、
付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記第２リードは、前記第１方向において前記半導体素子側を向き、かつ、前記凹部第１側面より前記半導体素子側に位置する接続部側面をさらに備える、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第１方向において、前記接続部側面と前記リード接続部第１面との距離は、前記リード接続部第２面と前記凹部第１側面との距離以下である、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記接続部側面は、前記接続部凹部側の端部に、前記半導体素子側に突出した突出部を備える、
付記６または７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記リード接続部第２面と前記凹部第１側面との距離は、前記リード接続部第１面と前記リード接続部第２面との距離以下であり、当該距離の１／３以上である、
付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記半導体素子を覆い、かつ、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、当該樹脂主面および樹脂裏面を繋ぐ樹脂側面とを有する封止樹脂をさらに備え、
前記第１リードおよび前記第２リードは、前記樹脂裏面から露出する、
付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１１〕
複数の前記第２リードを備え、
前記複数の第２リードは、前記樹脂側面に沿って配置されている、
付記１０に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第２リードを２個備え、
前記接続リードは、２個の前記リード接続部と、前記２個のリード接続部と前記素子接続部とを連結する連結部と、を備える、
付記１０または１１に記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記半導体素子はダイオードである、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第３電極をさらに備え、
前記第３電極と導通する第３リードをさらに備える、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記第３電極および前記第３リードに接合された導電体である第２の接続リードをさらに備える、
付記１４に記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記第３電極および前記第３リードに接合されたボンディングワイヤをさらに備える、
付記１４に記載の半導体装置。
〔付記１７〕
前記半導体素子はトランジスタである、
付記１４ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
Ａ１～Ａ７：半導体装置
１ ：第１リード
１１ ：搭載部
１１１ ：搭載部主面
１１２ ：搭載部裏面
１２ ：第１リード端子部
１２１ ：第１リード端子部主面
１２２ ：第１リード端子部裏面
１２３ ：第１リード端子部端面
１２４ ：端面凹部
１３ ：薄肉部
１３１ ：薄肉部主面
１３２ ：薄肉部裏面
１４ ：タイバー部
１４３ ：端面
２ ：第２リード
２１ ：接続部
２１１ ：接続部主面
２１２ ：接続部裏面
２１３ ：接続部側面
２１３ａ ：突出部
２２ ：第２リード端子部
２２１ ：第２リード端子部主面
２２２ ：第２リード端子部裏面
２２３ ：第２リード端子部端面
２２４ ：端面凹部
２４ ：接続部凹部
２４１ ：凹部底面
２４２ ：凹部第１側面
２４３ ：凹部第２側面
３ ：接続リード
３１ ：素子接続部
３１１ ：素子接続部第１面
３１２ ：素子接続部第２面
３２ ：リード接続部
３２１ ：リード接続部第１面
３２２ ：リード接続部第２面
３２３ ：リード接続部第１側面
３２４ ：リード接続部第２側面
３２５ ：リード接続部端面
３３ ：連結部
３３１ ：連結部第１面
３３２ ：連結部第２面
３４ ：タイバー部
４ ：第３リード
４１ ：接続部
４２ ：第３リード端子部
４４ ：接続部凹部
５ ：接続リード
５１ ：素子接続部
５２ ：リード接続部
５３ ：連結部
６ ：半導体素子
６０ ：素子本体
６１ ：素子主面
６２ ：素子裏面
６３ ：第１電極
６４ ：第２電極
６５ ：第３電極
７ ：ボンディングワイヤ
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂側面
８３１ ：第１側面
８３２ ：第２側面
９ ：はんだ
９１，９２，９３，９４ ：はんだフィレット
９００ ：はんだペースト
１０，２０：リードフレーム
１０１０ ：主面
１０２０ ：領域
１０３０ ：領域
１０４０ ：貫通孔
１０５０ ：切断線
１０６０ ：タイバー
１０７０ ：切断線
１０８０ ：タイバー

Claims (17)

  1. 厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された第１電極と、前記素子主面に配置された第２電極とを有する半導体素子と、
    前記半導体素子の前記第１電極が接合された第１リードと、
    前記第２電極と導通する第２リードと、
    前記第２電極に接合された素子接続部、および、はんだによって前記第２リードに接合されたリード接続部を有する導電体である接続リードと、
    を備え、
    前記リード接続部は、前記厚さ方向に直交する第１方向において、前記半導体素子側を向くリード接続部第１面と、前記リード接続部第１面とは反対側を向くリード接続部第２面と、前記リード接続部第１面および前記リード接続部第２面につながり、かつ、前記厚さ方向における前記素子裏面側を向くリード接続部端面と、を備え、
    前記第２リードは、前記リード接続部第２面に対向する凹部第１側面および前記リード接続部端面に対向する凹部底面を有し、かつ、前記第１方向における前記半導体素子側が開放された接続部凹部を備え、
    前記リード接続部第２面とはんだとの接触領域である第２接触領域の面積が、前記リード接続部第１面とはんだとの接触領域である第１接触領域の面積より大きい、
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記接続部凹部は、前記凹部第１側面および前記凹部底面に交差する凹部第２側面と、をさらに備える、
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記リード接続部は、前記リード接続部第１面および前記リード接続部端面に交差し、かつ、前記凹部第２側面に対向するリード接続部第１側面と、前記リード接続部第１側面とは反対側を向くリード接続部第２側面と、をさらに備え、
    前記リード接続部第１側面とはんだとの接触領域である第３接触領域の面積が、前記リード接続部第２側面とはんだとの接触領域である第４接触領域の面積より大きい、
    請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記接続部凹部は、前記リード接続部第２側面の向く側が開放されている、
    請求項３に記載の半導体装置。
  5. 前記リード接続部第１面と前記リード接続部第２面との距離は、前記リード接続部第１面の前記厚さ方向の寸法より小さい、
    請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 前記第２リードは、前記第１方向において前記半導体素子側を向き、かつ、前記凹部第１側面より前記半導体素子側に位置する接続部側面をさらに備える、
    請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 前記第１方向において、前記接続部側面と前記リード接続部第１面との距離は、前記リード接続部第２面と前記凹部第１側面との距離以下である、
    請求項６に記載の半導体装置。
  8. 前記接続部側面は、前記接続部凹部側の端部に、前記半導体素子側に突出した突出部を備える、
    請求項６または７に記載の半導体装置。
  9. 前記リード接続部第２面と前記凹部第１側面との距離は、前記リード接続部第１面と前記リード接続部第２面との距離以下であり、当該距離の１／３以上である、
    請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 前記半導体素子を覆い、かつ、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、当該樹脂主面および樹脂裏面を繋ぐ樹脂側面とを有する封止樹脂をさらに備え、
    前記第１リードおよび前記第２リードは、前記樹脂裏面から露出する、
    請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 複数の前記第２リードを備え、
    前記複数の第２リードは、前記樹脂側面に沿って配置されている、
    請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 前記第２リードを２個備え、
    前記接続リードは、２個の前記リード接続部と、前記２個のリード接続部と前記素子接続部とを連結する連結部と、を備える、
    請求項１０または１１に記載の半導体装置。
  13. 前記半導体素子はダイオードである、
    請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第３電極をさらに備え、
    前記第３電極と導通する第３リードをさらに備える、
    請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
  15. 前記第３電極および前記第３リードに接合された導電体である第２の接続リードをさらに備える、
    請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 前記第３電極および前記第３リードに接合されたボンディングワイヤをさらに備える、
    請求項１４に記載の半導体装置。
  17. 前記半導体素子はトランジスタである、
    請求項１４ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
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