JPH0714970A - 半導体装置およびその実装方法 - Google Patents

半導体装置およびその実装方法

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JPH0714970A
JPH0714970A JP17475993A JP17475993A JPH0714970A JP H0714970 A JPH0714970 A JP H0714970A JP 17475993 A JP17475993 A JP 17475993A JP 17475993 A JP17475993 A JP 17475993A JP H0714970 A JPH0714970 A JP H0714970A
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solder
outer lead
semiconductor device
lead
mounting
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JP17475993A
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English (en)
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Suguru Ozoegawa
英 小副川
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 はんだディップ処理やはんだコート処理によ
ってアウタリードの表面をはんだ濡れ性が良好な表面に
でき、実装基板へ良好にはんだ付け実装することができ
る半導体装置を提供する。 【構成】 ICの樹脂封止パッケージ本体14の側面か
ら突出しているアウタリード10の断面形状が上に凸の
切欠円形状に形成されている。 【効果】 はんだディップ処理やはんだコート処理によ
ってアウタリード10に予備はんだ処理を行うと、アウ
タリード10の円弧表面には比較的均一に予備はんだ皮
膜19が形成され、良好なはんだ濡れ性が得られるの
で、実装基板に良好にはんだ付けできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装技
術、特に、パッケージ本体およびアウタリードが実装基
板の表面においてはんだ付け実装されるように構成され
ている表面実装形パッケージを備えている半導体装置の
実装基板への実装に利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路装置(以下、I
Cという。)の製造工程においては、実装基板に対する
アウタリードのはんだ付け性およびはんだ付け強度を高
めるために、予め、アウタリードの表面に予備はんだ皮
膜がはんだめっき、はんだディップ処理、あるいは、は
んだコート処理等のような適当な手段によって被着され
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現在、アウタリードの
断面形状は矩形形状に形成されており、この矩形断面の
アウタリードに予備はんだ皮膜を被着する場合、前述し
たはんだめっき法によれば、アウタリードの表面に比較
的均一厚さのはんだ皮膜が被着形成される。
【0004】しかしながら、はんだディップ処理やはん
だコート処理によってアウタリードに予備はんだ皮膜を
被着すると、はんだが表面張力によってアウタリードの
コーナー部(エッジ部)から平面部に移動するため、コ
ーナー部でのはんだ皮膜は薄くなり、さらにはコーナー
部にはんだ皮膜が被着されない場合も生じる。
【0005】この状態で、半導体装置を、実装基板に形
成されはんだペーストが塗布されているランド部にアウ
タリード群をそれぞれ当接させてセットした後、リフロ
ーはんだ付け処理により各アウタリードを各ランドにそ
れぞれはんだ付け処理すると、アウタリードのコーナー
部でのはんだ濡れ性が悪いために、加熱溶融されたはん
だペーストがアウタリードの上面まで届かず、アウタリ
ードの全周面にはんだ付け部が形成されないことにな
る。
【0006】はんだディップ処理やはんだコート処理は
上記問題を有しているため、アウタリードの予備はんだ
ははんだめっき法によって行われている。
【0007】しかし、はんだめっき法は洗浄装置、めっ
き装置、めっき廃液の処理施設等に多大な投資を必要と
し、かつ、めっき技術が経験を必要とする難度の高い技
術であり、かつ、半導体装置の自動化ラインに組み込む
のも難しい。このため、前述したはんだディップ処理や
はんだコート処理によってアウタリードの予備はんだを
行うことが望まれる。
【0008】本発明の目的は、はんだディップ処理やは
んだコート処理によってアウタリードの表面をはんだ濡
れ性が良好な表面に形成させることができ、実装基板へ
良好にはんだ付け実装することができる半導体装置およ
びその実装方法を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0011】すなわち、表面実装形パッケージを備えて
いる半導体装置において、前記表面実装形パッケージの
各アウタリードにおける少なくともはんだ付け実装部の
上部の表面が円弧形状あるいはコーナー部が鈍角である
角形状に形成されていることを特徴とする。
【0012】
【作用】前記した手段によれば、アウタリードにおける
少なくともはんだ付け実装部の上部の表面が円弧形状に
形成されていることにより、アウタリードがはんだディ
ップ処理やはんだコート処理によって予備はんだされた
場合、アウタリードの上部の表面に形成されるはんだ皮
膜は切れることなく連続して均一厚さで被着され、はん
だ濡れ性が良好となる。
【0013】したがって、アウタリードを実装基板上の
はんだペーストが塗布されているランド部にリフローは
んだ付け実装する際、加熱溶融されたはんだペーストは
アウタリードの上部の表面を均一に流れて行き、アウタ
リードの全周面がはんだ付け部で均一に覆われる。
【0014】アウタリードにおける少なくともはんだ付
け実装部の上部の表面が角が鈍角である角形状に形成さ
れている場合は、上記円弧形状に形成されている表面に
比較して予備はんだ皮膜の均一性は劣るが、角が略90
度をなす従来の矩形形状のアウタリードに比べて、アウ
タリードの表面に被着される予備はんだ皮膜の均一性は
優れており、はんだ濡れ性が従来に比べて改善される。
【0015】
【実施例】図1は本発明の一実施例であるシン(Thi
n)タイプのスモール・アウトライン・パッケージを備
えている半導体集積回路装置(以下、TSOP・ICと
いう。)のリフローはんだ付け処理時を示す拡大部分斜
視図、図2は本発明の一実施例であるTSOP・ICの
樹脂封止後のリードフレーム状態を示す一部切断平面
図、図3はその切断工程後を示す一部切断平面図、図4
はアウタリードの断面を成形する成形装置の要部を示す
縦断面図で、(a)は成形前、(b)は成形後を示し、
図5はその予備はんだ処理後を示す一部切断平面図、図
6は本発明の一実施例であるTSOP・ICを示す一部
切断正面図、図7は図6におけるアウタリードの縦断面
図、図8は図6のTSOP・ICの実装後を示す一部切
断正面図である。
【0016】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、表面実装形パッケージを備えている半導体装置の
一例であるTSOP・ICとして構成されている。この
TSOP・ICはインナリード群およびアウタリード群
から成るリード群を備えており、このリード群はアウタ
リード成形以前には図2に示されているように多連リー
ドフレーム1として構成されている。
【0017】この多連リードフレーム1は燐青銅や無酸
素銅等の銅系(銅またはその合金)材料から成る薄板、
または、42アロイやコバール等の鉄系(鉄またはその
合金)材料から成る薄板が用いられて、打ち抜きプレス
加工またはエッチング加工等の適当な手段により一体成
形されており、この多連リードフレーム1の表面にはめ
っき処理が適宜なされている(図示せず)。この多連リ
ードフレーム1には複数の単位リードフレーム2が一方
向に1列に並設されている。但し、図では一単位のみが
示されている。
【0018】単位リードフレーム2は位置決め孔3aが
明けられている外枠3を一対備えており、両外枠3は所
定の間隔で平行一連にそれぞれ延設されている。隣り合
う単位リードフレーム2、2間には一対のセクション枠
4が両外枠3、3間に互いに平行に配されて一体的に架
設されており、これら外枠、セクション枠により形成さ
れる略正方形の枠体内に単位リードフレーム2が構成さ
れている。
【0019】各単位リードフレーム2において、外枠3
にはタブ吊りリード5が直角方向に配されて一体的に突
設されており、タブ吊りリード5の先端には略長方形の
平板形状に形成されたタブ6が、外枠3、3およびセク
ション枠4、4の枠形状と略同心的に配されて一体的に
吊持されている。そして、タブ吊りリード5が中間部に
おいて屈曲されることにより、タブ6は後記するリード
群と平行な状態で一方向に下げられる(所謂タブ下
げ。)
【0020】外枠3、3間にはダム部材7が一対、タブ
6の両脇位置に互いに対称形に配されて直角に架設され
ており、両ダム部材7、7には複数本のリード8が長手
方向に等間隔に配されて、互いに平行で、ダム部材7と
直交するように一体的に突設されている。そして、各リ
ード8のタブ側端部は先端をタブ6に近接してこれを取
り囲むように配されることにより、インナリード9をそ
れぞれ構成している。他方、各リード8の反タブ側延長
部分はその先端がセクション枠4にそれぞれ接続されて
おり、セクション枠4から離間して切り離されることに
よりアウタリード10をそれぞれ構成するようになって
いる。また、ダム部材7における隣り合うリード8、8
間の部分はパッケージ成形時にレジンの流れをせき止め
るダム7aを実質的に構成するようになっている。
【0021】以上のように構成されている多連リードフ
レーム1における各単位リードフレーム2のタブ6上に
は集積回路を作り込まれたペレット12が適当な手段に
より形成されたボンディング層11によって、図2に示
されているようにボンディングされている。そして、ボ
ンディングされたペレット12の電極パッドには各イン
ナリード9との間にワイヤ13がそれぞれボンディング
されている。この状態において、ペレット12に作り込
まれた集積回路は電極パッド、ワイヤ13、インナリー
ド9およびアウタリード10を介して電気的に外部に引
き出されるようになっている。
【0022】そして、このように構成されてペレット1
2が搭載された単位リードフレーム2には、表面実装形
パッケージのパッケージ本体である樹脂封止パッケージ
本体14が、トランスファ成形装置(図示せず)により
成形材料として樹脂が使用されて、図2に示されている
ように略長方形の平盤形状に一体成形される。そして、
この樹脂封止パッケージ本体14により前記インナリー
ド9、ペレット12、ワイヤ13およびタブ6が樹脂封
止される。この状態において、タブ6等以外のアウタリ
ード10群は樹脂封止パッケージ本体14の短辺側2側
面からそれぞれ突出された状態になっている。
【0023】その後、単位リードフレーム2は図3に示
されているように、タブ吊りリード5の樹脂封止パッケ
ージ本体14からの突出部、セクション枠4とアウタリ
ード10との接続部、およびダム7aをそれぞれ切断さ
れる。
【0024】次に、所定のアウタリード10群が樹脂封
止パッケージ本体14の短辺側2側面からそれぞれ突出
している組立体は、図4に示されているように、リード
成形装置が使用されてアウタリード10の断面形状が矩
形形状から上に凸の切欠円形状に成形加工される。
【0025】図4はリード成形装置の要部を示してい
る。リード成形装置は上型16と下型17を備えてお
り、上型16はシリンダ装置(図示せず)によって上下
動されることにより、下型17に接近、離反するように
構成されている。上型16の底面は円弧形状の凹面18
をアウタリード10群のピッチに対応して備えており、
下型17の上面は平面に形成されており、上型16は下
型17と協動して各アウタリード10の断面形状を上に
凸の切欠円形状に成形し得るように構成されている。
【0026】次に、図5に示されているように、上に凸
の切欠円形状に成形加工されたアウタリード10群の表
面に予備はんだ皮膜がはんだディップ処理やはんだコー
ト処理によって被着される。
【0027】この際、アウタリード10の表面に被着さ
れた予備はんだ皮膜19は、図7に示されているよう
に、円弧表面20上では略均一な厚さに連続して被着さ
れるため、アウタリード10の上面におけるはんだ濡れ
性が良好である。そして、予備はんだ皮膜19は平坦面
21上で中央部が最も厚く端部に行くに従い薄くなり、
平坦面21と円弧表面20とが交わる角部で最も薄くな
る。しかし、この部分は後述する実装基板のランドに塗
布されているはんだペーストに接触する部分であるの
で、はんだ濡れ性が多少悪くても問題はない。
【0028】予備はんだ皮膜19が被着されたアウタリ
ード10群は、次に、リード成形装置(図示せず)によ
り、図6に示されているように、樹脂封止パッケージ本
体14の外部において下方に屈曲され、かつ、水平外方
向に屈曲される。このようにしてアウタリード10群が
所謂ガル・ウイング形状に成形された状態において、各
アウタリード10における実装部10aは全体的に略水
平な状態になっている。この状態において、TSOP・
IC22が製造されたことになる。
【0029】次に、本発明の一実施例であるTSOP・
ICの実装方法を、前記構成に係るTSOP・IC22
を実装基板上にリフローはんだ付け処理により表面実装
する場合について説明する。
【0030】前記構成に係るTSOP・IC22は実装
基板(以下、プリント配線基板ということがある。)
に、図8に示されているように表面実装されて使用され
る。TSOP・IC22が実装されるプリント配線基板
30は基板本体31を備えており、この基板本体31は
ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料が用いられて長方形の
平板形状に形成されている。基板本体31の一主面には
複数個のランド32が形成されており、各ランド32は
銅箔等の導電材料が用いられてリソグラフィーおよびエ
ッチング処理等の適当な手段により、アウタリード10
の実装部10aよりも若干大きめの微小な長方形の薄板
に形成されている。そして、各ランド32上にははんだ
ペースト33がスクリーン印刷法等の適当な手段によ
り、それぞれ塗布されている。また、各ランド32には
基板本体31に敷設された電気配線(図示せず)が電気
的にそれぞれ接続されている。
【0031】そして、ランド32群は前記TSOP・I
C22のアウタリード10における実装部10aにそれ
ぞれ対応するように配列されている。すなわち、ランド
32群はTSOP・IC22のアウタリード10におけ
る実装部10aの2列縦隊に対応して2列縦隊に整列さ
れているとともに、各列のランド32、32間のピッチ
はアウタリード10、10間のピッチに対応されてい
る。したがって、TSOP・IC22が実装される実装
基板30において、ランド32は大きさがアウタリード
10の実装部10aに対応して微小に形成されていると
ともに、そのランド間ピッチも微小に設定されているこ
とになる。
【0032】TSOP・IC22がこのプリント配線基
板30に表面実装される際、TSOP・IC22はプリ
ント配線基板30上に、各アウタリード10の実装部1
0aの裏面(接地面)が各ランド32のはんだペースト
33内に少し埋設されるようにして各ランド32に載置
される。
【0033】その後、TSOP・IC22がセットされ
たプリント配線基板30は、赤外線リフロー等の適当な
リフローはんだ付け処理方法によって、はんだ付け処理
される。
【0034】このリフローはんだ付け処理において、各
ランド32にそれぞれ塗布されているはんだペースト3
3が加熱溶融するとともに、各アウタリード10に被着
されている予備はんだ皮膜19が加熱溶融する。そし
て、ランド32のはんだペースト33が溶融してなる液
状のはんだは、アウタリード10の表面を覆うように流
れていく。この際、アウタリード10の表面は上に凸の
滑らかな円弧表面20に形成されており、この円弧表面
20に切れ目なく連続して予備はんだ皮膜19が被着さ
れているため、ランド32のはんだペースト33が溶融
してなる液状のはんだはアウタリード10の円弧表面2
0に沿って円滑に流れて行きアウタリード10の全周面
を覆うはんだ付け部34が形成される。このようにし
て、TSOP・IC22はプリント配線基板30に電気
的かつ機械的に接続され、図8に示されているように表
面実装された状態になる。
【0035】ところで、図13(a)に示されているよ
うに、アウタリード100の断面形状が矩形形状に形成
されている場合にあっては、はんだディップ処理やはん
だコート処理によってアウタリード100の表面に予備
はんだ皮膜101を被着すると、図13(b)に示され
ているように、はんだが表面張力によってコーナー部か
ら平坦部に移動するため、コーナー部でのはんだ皮膜は
薄くなり、あるいはコーナー部がはんだ皮膜で覆われず
露出する場合もある。この状態で、アウタリード100
をプリント配線基板30のランド32にリフローはんだ
付け処理すると、アウタリード100のコーナー部での
はんだ濡れ性が悪いために、はんだがアウタリードの上
面に流れて行かず、はんだ付け不良やはんだ付け強度が
低下する等の問題がある。
【0036】しかし、本実施例においては、前述したよ
うに、予備はんだ皮膜19がアウタリード10の円弧表
面20の全体にわたって均一に被着されているため、は
んだ濡れ性が良好であり、アウタリード10の全周面を
覆うようにしてはんだ付け部34が形成され、充分なは
んだ付け強度を確保することができる。
【0037】前記実施例によれば次の効果が得られる。 アウタリードの断面形状が上に凸の切欠円形状に形
成されていることにより、アウタリードにはんだディッ
プ処理やはんだコート処理によって予備はんだ皮膜を被
着した場合に、予備はんだ皮膜は円弧表面上で略均一な
厚さに連続して被着されるため、アウタリードの上面に
おけるはんだ濡れ性が良好なものが得られる。そして、
予備はんだ皮膜は平坦面上で中央部が最も厚く端部に行
くに従い薄くなり、平坦面と円弧表面とが交わる角部で
最も薄くなるが、この部分は実装基板のランドに塗布さ
れているはんだペーストに接触する部分であるので、は
んだ濡れ性が多少悪くても問題はない。
【0038】 上記により、アウタリードの実装基
板へのリフローはんだ付け処理時に、ランドに塗布され
ているはんだペーストが加熱溶融してなる液状のはんだ
は、予備はんだ皮膜が連続して略均一に形成されはんだ
濡れ性が良好である円弧表面を覆うように流れて行き、
アウタリードの全周面を覆うようにしてはんだ付け強度
の優れたはんだ付け部が形成される。
【0039】 上記、により、半導体装置の実装
基板へのはんだ付け実装作業を良好に行うことができ、
実装不良を低減させることができる。
【0040】 上記、により、リフローはんだ付
け処理時間も短縮されるため、リフローはんだ付け処理
時の加熱による樹脂封止パッケージ本体のクラックの発
生を防止することができる。
【0041】 上記、、により、実装不良にな
った半導体装置の実装工程での再リフローはんだ付け処
理が低減するため、コストが低減できる。また、再リフ
ローはんだ付け処理時の加熱による樹脂封止パッケージ
本体のクラックの発生を防止することができる。
【0042】 上記、で述べたように、予備はん
だ処理をはんだディップ処理やはんだコート処理で行え
るため、作業が容易で、コストも低減でき、また、半導
体装置の製造工程中に組み込むことが可能になる。
【0043】図9は本発明の実施例2であるTSOP・
ICにおけるアウタリードの縦断面図で、(a)は予備
はんだ処理前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【0044】本実施例2が前記実施例1と異なる点は、
アウタリード10Aの断面形状が円形形状に形成されて
いる点にある。
【0045】本実施例2によれば、アウタリード10A
の表面にはんだディップ処理やはんだコート処理によっ
て予備はんだ処理を行った場合に、アウタリード10A
の全周面に均一に予備はんだ皮膜19Aが被着され、は
んだ濡れ性が良好なものが得られる。したがって、前記
実施例1と同様の作用および効果が得られる。
【0046】図10は本発明の実施例3であるTSOP
・ICにおけるアウタリードの縦断面図で、(a)は予
備はんだ処理前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【0047】本実施例3が前記実施例1と異なる点は、
アウタリード10Bの断面形状が楕円形状に形成されて
いる点にある。
【0048】本実施例3によれば、アウタリード10B
の全周面に均一に予備はんだ皮膜19Bを被着でき、前
記実施例2と同様に、前記実施例1と同様の作用および
効果が得られる。
【0049】図11は本発明の実施例4であるTSOP
・ICにおけるアウタリードの縦断面図で、(a)は予
備はんだ処理前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【0050】本実施例4が前記実施例1と異なる点は、
アウタリード10Cの断面形状が八角形形状に形成され
ている点にある。
【0051】本実施例4によれば、アウタリード10C
の表面にはんだディップ処理やはんだコート処理によっ
て予備はんだ処理を行った場合に、アウタリード10C
のコーナー部での予備はんだ皮膜は表面張力によって薄
くなる。しかしながら、コーナー部は鈍角であるため、
角が略90度である矩形断面に比較して、コーナー部に
おける予備はんだ皮膜19Cの厚さは厚くなり、かつ、
隣接する平坦面に被着されている予備はんだ皮膜19C
の間隔も近いために、はんだ濡れ性は従来の矩形断面の
ものよりも改善される。したがって、前記実施例1に比
較して多少劣るが、同様の作用および効果が得られる。
【0052】図12は本発明の実施例5であるTSOP
・ICにおけるアウタリードの縦断面図で、(a)は予
備はんだ処理前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【0053】本実施例5が前記実施例1と異なる点は、
矩形断面のアウタリードが円弧状に曲げ加工されて、ア
ウタリード10dの断面形状が上に凸の円弧形状に形成
されている点にある。
【0054】本実施例5によれば、アウタリード10d
の表面にはんだディップ処理やはんだコート処理によっ
て予備はんだ処理を行った場合に、アウタリード10d
の円弧表面20dは比較的均一厚さの予備はんだ皮膜1
9dが被着されるため、はんだ濡れ性が良好となり、前
記実施例1と同様の作用および効果が得られる。なお、
コーナー部では表面張力によって予備はんだ皮膜が薄く
なるが、この部分は実装基板のランドに塗布されている
はんだペースト内に実装時配置されることによって、は
んだ付け性に問題は生じない。
【0055】本実施例5のアウタリード10dに予備は
んだ皮膜19dを被着する工程は、矩形断面のアウタリ
ードを円弧状に成形加工する工程の前あるいは後のいず
れでもよい。
【0056】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0057】例えば、上記実施例においては、アウタリ
ードの全体にわたって上部の表面を円弧形状、コーナー
部が鈍角である角形状に形成したが、アウタリードの少
なくともはんだ付け実装部の上部の表面を円弧形状コー
ナー部が鈍角である角形状に形成すればよい。
【0058】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるガル・
ウィング形状のアウタリードを備えているICの実装技
術につき説明したが、それに限定されるものではなく、
Iリーディッド形状(バッドリード形状)やJリーディ
ッド形状のアウタリードを備えているIC等の実装技術
についても適用することができるし、アウタリードが2
方向に突設されている表面実装形パッケージを備えてい
るICに限らず、アウタリードが4方向に突設されてい
るクワッド・フラット・パッケージを備えているICの
実装技術についても適用することができる。また、本発
明は表面実装形樹脂封止パッケージ本体の半導体装置の
他、表面実装形気密封止パッケージの半導体装置にも適
用することができる。
【0059】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0060】表面実装形パッケージの各アウタリードに
おける少なくともはんだ付け実装部の上部の表面が円弧
形状あるいはコーナー部が鈍角である角形状に形成され
ていることにより、はんだディップ処理やはんだコート
処理によって、アウタリードの表面に予備はんだ皮膜が
被着されはんだ濡れ性が良好である表面を得ることがで
きる。その結果、半導体装置の実装基板への実装時には
んだ付け不良やはんだ付け強度不足の発生を防止するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるTSOP・ICのリフ
ローはんだ付け処理時を示す拡大部分斜視図である。
【図2】本発明の一実施例であるTSOP・ICの樹脂
封止後のリードフレーム状態を示す一部切断平面図であ
る。
【図3】その切断工程後を示す一部切断平面図である。
【図4】アウタリードの断面を成形する成形装置の要部
を示す縦断面図で、(a)は成形前、(b)は成形後を
示す。
【図5】その予備はんだ処理後を示す一部切断平面図で
ある。
【図6】本発明の一実施例であるTSOP・ICを示す
一部切断正面図である。
【図7】図6におけるアウタリードの縦断面図である。
【図8】図6のTSOP・ICの実装後を示す一部切断
正面図である。
【図9】本発明の実施例2であるTSOP・ICにおけ
るアウタリードの縦断面図で、(a)は予備はんだ処理
前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【図10】本発明の実施例3であるTSOP・ICにお
けるアウタリードの縦断面図で、(a)は予備はんだ処
理前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【図11】本発明の実施例4であるTSOP・ICにお
けるアウタリードの縦断面図で、(a)は予備はんだ処
理前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【図12】本発明の実施例5であるTSOP・ICにお
けるアウタリードの縦断面図で、(a)は予備はんだ処
理前、(b)は予備はんだ処理後を示す。
【図13】従来のTSOP・ICにおけるアウタリード
の縦断面図で、(a)は予備はんだ処理前、(b)は予
備はんだ処理後を示す。
【符号の説明】
1…多連リードフレーム、2…単位リードフレーム、3
…外枠、3a…位置決め孔、4…セクション枠、5…タ
ブ吊りリード、6…タブ、7…ダム部材、8…リード、
9…インナリード、10…アウタリード、10a…実装
部、11…ボンディング層、12…ペレット、13…ワ
イヤ、14…樹脂封止パッケージ本体、16…上型、1
7…下型、18…凹面、19…予備はんだ皮膜、20…
円弧表面、21…平坦面、22…TSOP・IC(半導
体装置)、30…プリント配線基板(実装基板)、31
…基板本体、32…ランド、33…はんだペースト、3
4…はんだ付け部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面実装形パッケージを備えている半導
    体装置において、 前記表面実装形パッケージの各アウタリードにおける少
    なくともはんだ付け実装部の上部の表面が、円弧形状あ
    るいはコーナー部が鈍角である角形状に形成されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記各アウタリードにおける少なくとも
    はんだ付け実装部が、円形、楕円形、五角形以上の多角
    形、あるいは円形や楕円形の一部が切り欠かれている形
    状の断面に実質的に形成されていることを特徴とする請
    求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記各アウタリードにおける少なくとも
    はんだ付け実装部が、上に凸の円弧形の断面に実質的に
    形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体
    装置。
  4. 【請求項4】 表面実装形パッケージを備えている請求
    項1記載の半導体装置を実装基板に実装する半導体装置
    の実装方法において、 前記半導体装置の各アウタリードの少なくともはんだ付
    け実装部にはんだディップ処理またははんだコート処理
    によって予備はんだ皮膜を被着しておき、この半導体装
    置を、実装基板に形成されはんだペーストが塗布されて
    いるランド部にアウタリード群をそれぞれ当接させてセ
    ットした後、リフローはんだ付け処理により各アウタリ
    ードを各ランドにそれぞれはんだ付けすることを特徴と
    する半導体装置の実装方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007221043A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Nihon Almit Co Ltd 電子部品

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JP2007221043A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Nihon Almit Co Ltd 電子部品

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