JPH08316394A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 はんだディップによる予備はんだ皮膜の外面
を平坦にする。 【構成】 ＴＳＯＰ・ＩＣ１９のアウタリード１０の少
なくとも接地面にははんだディップによる予備はんだ皮
膜１５が表面張力で盛り上がるのを抑制する凹曲面１６
が形成されている。アウタリード１０が予備はんだ皮膜
１５の被着のために溶融はんだで濡らされた際に、溶融
はんだが凹曲面１６の凹所内に収容されることで溶融は
んだの表面張力による円弧形の半径は大きくなるため、
予備はんだ皮膜１５の表面は凸曲面にならずに平面状に
なる。 【効果】 ＴＳＯＰ・ＩＣの電気的特性試験時、アウタ
リードが接続装置のコンタクト部に押接された際、接地
面の予備はんだ皮膜１５は平坦面であるため、シーソー
のように揺れず、その揺動でアウタリードが変形される
のは防止され、アウタリードの平坦度不良や先端の不揃
い等は発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装技
術、特に、表面実装形パッケージを備えている半導体装
置のはんだ付け実装技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体集積回路装置（以下、Ｉ
Ｃという。）の製造工程においては、実装基板に対する
アウタリードのはんだ濡れ性および耐食性を高めるため
に、予め、アウタリードの表面に予備はんだ皮膜がはん
だめっき法またははんだディップ法によって被着されて
いる。はんだディップ法による予備はんだ皮膜は、有機
物の共析がない良質な皮膜であり、かつまた、美しい金
属光沢を有する外観が得られる。

【０００３】なお、ＩＣのアウタリードの予備はんだ皮
膜被着処理（外装処理）技術を述べてある例としては、
日経ＢＰ社発行 「実践講座ＶＬＳパッケージング技術
（下）」 １９９３年５月３１日 Ｐ４３〜Ｐ４７、が
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】現在、アウタリードの
断面形状は四角形形状に形成されており、この四角形断
面のアウタリードに予備はんだ皮膜が被着される場合、
はんだめっき法によれば、アウタリードの表面に比較的
均一厚さのはんだ皮膜が被着形成される。

【０００５】しかしながら、はんだディップ法によって
アウタリードに予備はんだ皮膜が被着されると、溶融は
んだの表面張力のために、アウタリードの表面には予備
はんだ皮膜がコーナー部から中央部に向かって円弧形に
盛り上がる凸曲面に形成されてしまう。このように中央
部が円弧形に盛り上がったアウタリードに対して半導体
装置の電気的特性試験が実施されると、アウタリードの
平坦度（コープラナリティ）不良や、アウタリード先端
の不揃い不良（スキュー）が発生することがある。すな
わち、アウタリードの接地面における予備はんだ皮膜の
表面が中央部が盛り上がった凸曲面になっていると、ア
ウタリードが接続装置のコンタクト部に上から押接され
た際、アウタリードがシーソーのように傾いて変形する
ため、アウタリードの平坦度不良や、アウタリード先端
の不揃い不良が発生する。

【０００６】はんだディップ法による予備はんだ皮膜は
上記問題を有しているため、表面実装形パッケージを備
えているＩＣのアウタリードの予備はんだ皮膜ははんだ
めっき法によって形成されるのが一般的である。

【０００７】しかし、はんだめっき法は洗浄装置、めっ
き装置、めっき廃液の処理施設等に多大な投資を必要と
する。しかも、めっき技術は経験を必要とする難度の高
い技術であり、半導体装置の自動化ラインに組み込むの
も難しい。このため、前述したはんだディップ処理等の
溶融はんだ被着法によってアウタリードに予備はんだ皮
膜を形成することが望まれている。

【０００８】本発明の目的は、はんだディップ処理等の
溶融はんだ被着法によってアウタリードの表面に予備は
んだ皮膜を被着する場合において、予備はんだ皮膜が凸
曲面に盛り上がらずにできるだけ平面状になるように形
成されるようにした半導体装置を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１１】すなわち、表面実装形パッケージを備えて
いる半導体装置の各アウタリードにおけるはんだ付け実
装部の少なくとも接地面には、溶融はんだ被着法により
被着される予備はんだ皮膜が表面張力によって盛り上が
るのを小さくするための盛り上がり抑制凹所が形成され
ている。

【００１２】

【作用】前記した手段によれば、アウタリードにおける
はんだ付け実装部の少なくとも接地面に凹所が形成され
ていることにより、予備はんだ皮膜の被着工程におい
て、アウタリードが溶融はんだによって濡らされた際
に、溶融はんだが凹所内に収容されることによって溶融
はんだの表面張力による円弧形の半径は大きくなるた
め、その溶融はんだが固化して形成された予備はんだ皮
膜は円弧形に盛り上がらずに平面状に形成される。

【００１３】したがって、半導体装置の電気的特性試験
時において、アウタリードが接続装置のコンタクト部に
押接された際、アウタリードの実装部の接地面はコンタ
クト部に対して全面が密着するように接触される状態に
なる。その結果、アウタリードの実装部がシーソーのよ
うに揺れることはなく、アウタリードが変形するのが防
止されるため、アウタリードの平坦度不良や先端の不揃
い等が発生するのは防止されることになる。

【００１４】

【実施例】図１は本発明の一実施例であるシン（Ｔｈｉ
ｎ）タイプのスモール・アウトライン・パッケージを備
えている半導体集積回路装置（以下、ＴＳＯＰ・ＩＣと
いう。）を示しており、（ａ）は一部切断正面図、
（ｂ）はアウタリードの縦断面図である。図２はそのＴ
ＳＯＰ・ＩＣの樹脂封止後のリードフレーム状態を示す
一部切断平面図、図３はその切断工程後を示す一部切断
平面図、図４はその予備はんだ処理後を示す一部切断平
面図である。図５は電気特性試験時の変形作用を説明す
るための図であり、（ａ）はＴＳＯＰ・ＩＣが接続装置
に配置された状態の正面断面図、（ｂ）は接地面の押接
状態を示す拡大部分断面図、（ｃ）は比較例の拡大部分
断面図である。図６は図１のＴＳＯＰ・ＩＣの実装状態
を示す一部切断正面図である。

【００１５】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、表面実装形パッケージを備えている半導体装置の
一例であるＴＳＯＰ・ＩＣとして構成されている。この
ＴＳＯＰ・ＩＣ１９のシン・スモール・アウトライン・
パッケージ（以下、ＴＳＯＰという。）は、長方形の平
盤形状に形成された樹脂封止体１４と、この樹脂封止体
１４の短辺側の２側面から突設されてガル・ウイング形
状に屈曲成形された複数本のアウタリード１０とを備え
ており、各アウタリード１０の表面に予備はんだ皮膜１
５がはんだディップ法によって被着されている。アウタ
リード１０には盛り上がり抑制凹所としての凹曲面１６
が形成されているため、予備はんだ皮膜１５の外面の形
状は図１の（ｂ）に示されているように平坦面に形成さ
れている。そして、このＴＳＯＰ・ＩＣ１９は以下に説
明する製造方法によって製造されている。

【００１６】以下、ＴＳＯＰ・ＩＣの製造方法を説明す
る。この説明により、前記したＴＳＯＰ・ＩＣの構成の
詳細が共に明らかにされる。この製造方法には図２に示
されている多連リードフレーム１が使用される。この多
連リードフレーム１は燐青銅や無酸素銅等の銅系（銅ま
たはその合金）材料から成る薄板、または、４２アロイ
やコバール等の鉄系（鉄またはその合金）材料から成る
薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工またはエッチン
グ加工等の適当な手段により一体成形されており、この
多連リードフレーム１の表面にはめっき処理が適宜施さ
れる。この多連リードフレーム１には複数の単位リード
フレーム２が一方向に１列に並設されている。但し、図
では一単位のみが示されている。

【００１７】単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが
明けられている外枠３を一対備えており、両外枠３は所
定の間隔で平行一連にそれぞれ延設されている。隣り合
う単位リードフレーム２、２間には一対のセクション枠
４が両外枠３、３間に互いに平行に配されて一体的に架
設されており、これら外枠、セクション枠により形成さ
れる略正方形の枠体内に単位リードフレーム２が構成さ
れている。

【００１８】各単位リードフレーム２において、外枠３
にはタブ吊りリード５が直角方向に配されて一体的に突
設されており、タブ吊りリード５の先端には略長方形の
平板形状に形成されたタブ６が、外枠３、３およびセク
ション枠４、４の枠形状と略同心的に配されて一体的に
吊持されている。そして、タブ吊りリード５が中間部に
おいて屈曲されることにより、タブ６は後記するリード
群と平行な状態で一方向に下げられる（所謂タブ下
げ。）

【００１９】外枠３、３間にはダム部材７が一対、タブ
６の両脇位置に互いに対称形に配されて直角に架設され
ており、両ダム部材７、７には複数本のリード８が長手
方向に等間隔に配されて、互いに平行で、ダム部材７と
直交するように一体的に突設されている。そして、各リ
ード８のタブ側端部は先端をタブ６に近接してこれを取
り囲むように配されることにより、インナリード９をそ
れぞれ構成している。他方、各リード８の反タブ側延長
部分はその先端がセクション枠４にそれぞれ接続されて
おり、セクション枠４から離間して切り離されることに
よりアウタリード１０をそれぞれ構成するようになって
いる。また、ダム部材７における隣り合うリード８、８
間の部分はパッケージ成形時にレジンの流れをせき止め
るダム７ａを実質的に構成するようになっている。

【００２０】以上のように構成されている多連リードフ
レーム１における各単位リードフレーム２のタブ６上に
は集積回路を作り込まれたペレット１２が適当な手段に
より形成されたボンディング層１１によって、図２に示
されているようにボンディングされている。そして、ボ
ンディングされたペレット１２の電極パッドには各イン
ナリード９との間にワイヤ１３がそれぞれボンディング
されている。この状態において、ペレット１２に作り込
まれた集積回路は電極パッド、ワイヤ１３、インナリー
ド９およびアウタリード１０を介して電気的に外部に引
き出されるようになっている。

【００２１】そして、このように構成されてペレット１
２が搭載された単位リードフレーム２にはＴＳＯＰの樹
脂封止体１４が、トランスファ成形装置（図示せず）に
より成形材料として樹脂が使用されて、図２に示されて
いるように略長方形の平盤形状に一体成形される。そし
て、この樹脂封止体１４により前記インナリード９、ペ
レット１２、ワイヤ１３およびタブ６が樹脂封止され
る。この状態において、タブ６等以外のアウタリード１
０群は樹脂封止体１４の短辺側の２側面からそれぞれ突
出された状態になっている。

【００２２】その後、単位リードフレーム２は図３に示
されているように、タブ吊りリード５の樹脂封止体１４
からの突出部、セクション枠４とアウタリード１０との
接続部、およびダム７ａをそれぞれ切断される。

【００２３】本実施例においては、アウタリード１０群
が切断される以前または以後に、アウタリード１０の両
方の主面（以下、上面および下面とする。）にははんだ
盛り上がり抑制凹所としての凹曲面１６がリード成形装
置（図示せず）が使用されて、図１（ｂ）に示されてい
るように断面鼓形状に成形加工される。例えば、アウタ
リード１０の上面および下面に凸曲面を有する上型およ
び下型が押し付けられて、凹曲面１６、１６が塑性加工
によってそれぞれ没設される。なお、この凹曲面１６、
１６の塑性加工時には、アウタリード１０の幅方向の両
側に余肉がはみ出るため、凹曲面１６、１６の塑性加工
後に、この余肉は打抜き加工によって切除することが望
ましい。

【００２４】以上のようにして上面および下面に凹曲面
１６、１６をそれぞれ形成されたアウタリード１０群の
表面には予備はんだ皮膜１５が、はんだディップ処理に
よって図４に示されているように被着される。例えば、
アウタリード１０群が溶融はんだが貯留されているはん
だ浴槽中や、溶融はんだが噴き上げられている噴流中に
浸漬されて、はんだ皮膜１５がアウタリード１０の表面
に被着される。

【００２５】この際、アウタリード１０の上面および下
面には凹曲面１６、１６が形成されているため、アウタ
リード１０の表面に被着された予備はんだ皮膜１５の外
面は図１（ｂ）に示されているように平面状に形成され
る。すなわち、アウタリード１０が溶融はんだ液中に浸
漬されると、溶融はんだ液がアウタリード１０の表面に
付着し、付着した溶融はんだ液の表面は表面張力によっ
てできるだけ直径の小さい球面を形成しようとする。し
かし、アウタリード１０の上面と下面とにそれぞれ付着
した溶融はんだ液は凹曲面１６、１６の凹所内に収容さ
れるため、その表側に形成される表面張力による表面の
円弧の直径は大きくなる。つまり、凹曲面１６によって
溶融はんだ液の接触面積が増加されるとともに、その接
触状態を維持するために溶融はんだ液の大部分は凹曲面
１６の凹所内にそれぞれ収容される状態になり、その結
果、盛り上がるのに必要な溶融はんだ液は無くなってし
まう状態になり、表面張力があっても盛り上がりは起こ
らない状態になる。

【００２６】アウタリード１０群は予備はんだ皮膜１５
が被着された以後または以前に、リード成形装置（図示
せず）により、図１（ａ）に示されているように、樹脂
封止体１４の外部において下方に屈曲され、かつ、水平
外方向に屈曲されることにより所謂ガル・ウイング形状
に成形される。このようにしてアウタリード１０群がガ
ル・ウイング形状に成形された状態において、各アウタ
リード１０における実装部の接地面群は全体的に略水平
な状態になっている。この状態において、ＴＳＯＰ・Ｉ
Ｃ１９が製造されたことになる。

【００２７】上記ＴＳＯＰ・ＩＣ１９は電気的特性を検
査するために、エージング試験やバーンイン試験等が実
施される。このような試験において、被検査物としての
ＴＳＯＰ・ＩＣを試験装置のテスタに電気的に接続する
ために接続装置が使用されている。図５はこの接続装置
の一例を示しており、この接続装置はデバイスボード２
０を備えている。このデバイスボード２０の上に真空吸
着コレット２３によって保持されたＴＳＯＰ・ＩＣ１９
が移載されて位置規制されるとともに、デバイスボード
２０の上に配置されたＴＳＯＰ・ＩＣ１９はコレット２
３によってデバイスボード２０の上に押接されてセッテ
ィングされる。

【００２８】他方、デバイスボード２０は絶縁材料が用
いられて平盤形状に形成された本体２１を備えており、
本体２１の上面にはＴＳＯＰ・ＩＣ１９に電気的に接続
するためのコンタクト２２が多数個、２列縦隊に配設さ
れている。コンタクト２２はＴＳＯＰ・ＩＣ１９のアウ
タリード１０と同数のものを一群としてテスタ（図示せ
ず）にそれぞれ電気的に接続されており、対向するＴＳ
ＯＰ・ＩＣ１９のアウタリード１０群にそれぞれ接触す
るように構成されている。

【００２９】電気的特性試験に際して、ＴＳＯＰ・ＩＣ
１９はデバイスボード２０上の所定位置に配置される
と、アウタリード１０群における実装部の接地面はデバ
イスボード２０上面のコンタクト２２に当接されて、コ
レット２３によりそれぞれ押し付けられる。この状態
で、ＴＳＯＰ・ＩＣ１９はアウタリード１０およびコン
タクト２２を通じてテスタに電気的に接続され、テスタ
との間で信号を交わすことにより電気的特性試験が実施
される。

【００３０】ところで、図５の（ｃ）に示されているよ
うに、アウタリード１０の実装部における接地面に凸曲
面の予備はんだ皮膜１５Ａが形成されている従来例の場
合、コレット２３によってＴＳＯＰ・ＩＣ１９が押し下
げられてアウタリード１０の接地面がコンタクト２２に
押し付けられた際に、予備はんだ皮膜１５Ａの凸曲面に
倣ってアウタリード１０の接地面がシーソーのように揺
動する現象（矢印参照）が起こるため、アウタリード１
０が変形されてしまう。

【００３１】しかし、本実施例においては、図５（ｂ）
に示されているように、ＴＳＯＰ・ＩＣ１９のアウタリ
ード１０の接地面における予備はんだ皮膜１５の表面は
平面状に形成されているため、ＴＳＯＰ・ＩＣ１９がコ
レット２３によって押し下げられて接地面がコンタクト
２２に押接された際に、接地面はコンタクト２２の上面
に対して全面が密着するように接触される状態になる。
その結果、アウタリード１０の接地面がシーソーのよう
に揺動する現象が発生することはなく、それによってア
ウタリード１０が変形するのは未然に防止されるため、
アウタリード１０の平坦度不良や先端の不揃い等が生じ
るのは防止されることになる。

【００３２】前記構成に係るＴＳＯＰ・ＩＣ１９は実装
基板（以下、プリント配線基板ということがある。）
に、図６に示されているように表面実装されて使用され
る。ＴＳＯＰ・ＩＣ１９が実装されるプリント配線基板
３０は基板本体３１を備えており、この基板本体３１は
ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料が用いられて長方形の
平板形状に形成されている。基板本体３１の一主面には
複数個のランド３２が形成されており、各ランド３２は
銅箔等の導電材料が用いられてリソグラフィーおよびエ
ッチング処理等の適当な手段により、アウタリード１０
の接地面よりも若干大きめの微小な長方形の薄板に形成
されている。そして、各ランド３２の上にははんだペー
ストがスクリーン印刷法等の適当な手段により、それぞ
れ塗布されている。また、各ランド３２には基板本体３
１に敷設された電気配線（図示せず）が電気的にそれぞ
れ接続されている。

【００３３】そして、ランド３２群は前記ＴＳＯＰ・Ｉ
Ｃ１９のアウタリード１０における接地面にそれぞれ対
応するように配列されている。すなわち、ランド３２群
はＴＳＯＰ・ＩＣ１９のアウタリード１０における接地
面の２列縦隊に対応して２列縦隊に整列されているとと
もに、各列のランド３２、３２間のピッチはアウタリー
ド１０、１０間のピッチに対応されている。したがっ
て、ＴＳＯＰ・ＩＣ１９が実装される実装基板３０にお
いて、ランド３２は大きさがアウタリード１０の接地面
に対応して微小に形成されているとともに、そのランド
間ピッチも微小に設定されていることになる。

【００３４】ＴＳＯＰ・ＩＣ１９がこのプリント配線基
板３０に表面実装される際、ＴＳＯＰ・ＩＣ１９はプリ
ント配線基板３０の上に各アウタリード１０の接地面が
各ランド３２のはんだペースト内に少し埋設されるよう
にして各ランド３２に載置される。

【００３５】その後、ＴＳＯＰ・ＩＣ１９がセットされ
たプリント配線基板３０は、赤外線リフロー等の適当な
リフローはんだ付け処理方法によって、はんだ付け処理
される。

【００３６】このリフローはんだ付け処理において、各
ランド３２にそれぞれ塗布されているはんだペーストが
加熱溶融するとともに、各アウタリード１０に被着され
ている予備はんだ皮膜１５が加熱溶融する。そして、ラ
ンド３２のはんだペーストが溶融してなる液状のはんだ
はアウタリード１０の表面を覆うように流れて行く。こ
の際、アウタリード１０の表面に切れ目なく連続して予
備はんだ皮膜１５が被着されているため、ランド３２の
はんだペーストが溶融してなる液状のはんだはアウタリ
ード１０の接地部における上側表面に沿って円滑に流れ
て行きアウタリード１０の接地部の全周面を覆うはんだ
付け部３４が形成される。このようにして、ＴＳＯＰ・
ＩＣ１９はプリント配線基板３０に電気的かつ機械的に
接続され、図６に示されているように表面実装された状
態になる。

【００３７】前記実施例によれば次の効果が得られる。 アウタリード１０に凹曲面１６が形成されているこ
とにより、アウタリード１０にはんだディップ処理によ
って予備はんだ皮膜１５を被着される際に、予備はんだ
皮膜１５の外側表面は溶融はんだの表面張力にかかわら
ず、凸曲面にならずに平面状に形成される。そのため、
はんだディップ処理された後の電気的特性試験時におい
て、アウタリード１０が接続装置２０のコンタクト２２
に上から押接された際、アウタリード１０の接地面がコ
ンタクト２２の上面に対して全面が密着するようにして
接触するため、アウタリード１０が変形するのが防止さ
れ、アウタリード１０の平坦度不良やアウタリード先端
の不揃い等の不具合が発生するのを防止することができ
る。

【００３８】 上記により、電気的特性試験の作業
を良好に行うことができる。また、特性試験は電気的に
実施されるため、万一、アウタリードの外観不良が発生
しても良品として判定してしまう。したがって、アウタ
リードの外観不良検査が電気的特性試験以後に実施され
ない場合には電気的特性試験で発生したアウタリード不
良品が出荷されてしまう可能性がある。しかし、上記
により、これを未然に回避することができる。

【００３９】 上記で述べたように、予備はんだ皮
膜１５をはんだディップ処理によって被着することがで
きるため、作業が容易で、コストも低減することがで
き、また、ＴＳＯＰ・ＩＣの製造工程中に組み込むこと
が可能になる。さらに、はんだディップ処理によって形
成された予備はんだ皮膜１５は有機物の共析がなく、美
しい金属光沢を有するため外観が優れている。

【００４０】図７（ａ）および（ｂ）は本発明の実施例
２を示しており、（ａ）は予備はんだ皮膜被着前におけ
るアウタリードの接地面を示す底面図、（ｂ）は同じく
接地部の拡大正面断面図である。

【００４１】本実施例２が前記実施例１と異なる点は、
アウタリード１０は矩形断面であり、その上面１０ａと
下面１０ｂとに盛り上がり抑制凹所としての凹条１７が
多数条、ローレット加工等の適当な手段により縦横に刻
設されている点である。

【００４２】本実施例２によれば、アウタリード１０の
表面にはんだディップ処理によって予備はんだ皮膜被着
処理を行った場合に、アウタリード１０の上面１０ａと
下面１０ｂとに刻設された凹条１７の凹所内に溶融はん
だが収容されるため、溶融はんだの表面張力によって形
成される予備はんだ皮膜の表面の盛り上がりを減少させ
て、予備はんだ皮膜を平面状に形成することができ、前
記実施例１と同様の作用および効果が得られる。

【００４３】図７（ｃ）および（ｄ）は本発明の実施例
３を示しており、（ａ）は予備はんだ皮膜被着前におけ
るアウタリードの接地面を示す底面図、（ｂ）は同じく
接地部の拡大正面断面図である。

【００４４】本実施例３が前記実施例２と異なる点は、
アウタリード１０の上面１０ａと下面１０ｂとに盛り上
がり抑制凹所としての凹条１７が複数条、一方向にだけ
延在するように刻設されている点である。すなわち、凹
条１７はアウタリード１０の長手方向に延びており、幅
方向に間隔をおいて複数本形成されている。

【００４５】本実施例３によれば、前記実施例２と同様
に、アウタリード１０の表面にはんだディップ処理によ
って予備はんだ皮膜被着処理を行った場合に、アウタリ
ード１０の上面１０ａと下面１０ｂとに刻設された凹条
１７の凹所内に溶融はんだが収容されるため、溶融はん
だの表面張力によって形成される予備はんだ皮膜の表面
の盛り上がりを減少させて、予備はんだ皮膜を平面状に
形成することができ、前記実施例１と同様の作用および
効果が得られる。

【００４６】図７（ｅ）および（ｆ）は本発明の実施例
４を示しており、（ａ）は予備はんだ皮膜被着前におけ
るアウタリードの接地面を示す底面図、（ｂ）は同じく
接地部の拡大正面断面図である。

【００４７】本実施例４が前記実施例１と異なる点は、
アウタリード１０は矩形断面であり、その接地部に盛り
上がり抑制凹所としての透孔１８が複数個、上面１０
ａ、下面１０ｂを貫通するように打ち抜き加工によって
形成されている点である。

【００４８】本実施例４によれば、前記実施例１と同様
に、アウタリード１０の表面にはんだディップ処理によ
って予備はんだ皮膜被着処理を行った場合に、溶融はん
だを透孔１８の凹所内に収容することができるため、ア
ウタリード１０の接地部における上面１０ａと下面１０
ｂとに被着される予備はんだ皮膜の表面の盛り上がりを
減少させて平面状に形成させることができ、前記実施例
１と同様の作用および効果が得られる。

【００４９】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５０】例えば、予備はんだ皮膜の表面を平面状に
するための凹所としての凹曲面１６や複数条の凹条１７
は、予備はんだ皮膜１５の凸曲面によるアウタリードの
変形を防止するためには、アウタリード１０における接
地部の少なくとも接地面に形成すればよい。

【００５１】また、凹曲面１６や凹条１７および透孔１
８の成形加工はエッチング加工によって行うこともでき
る。

【００５２】予備はんだ皮膜をアウタリードに被着する
方法としては、はんだディップ処理を使用するに限ら
ず、固形または半流動のはんだ材料をアウタリードの表
面に供給した後に加熱溶融させて被着する方法等の溶融
はんだ被着法全般を使用することができる。

【００５３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＴＳＯ
Ｐ・ＩＣの実装技術につき説明したが、それに限定され
るものではなく、アウタリードが４方向に突設されてい
るクワッド・フラット・パッケージを備えているＩＣ
（ＱＦＰ・ＩＣ）等の実装技術についても適用すること
ができる。また、本発明は表面実装形樹脂封止パッケー
ジの半導体装置の他、表面実装形気密封止パッケージの
半導体装置にも適用することができる。

【００５４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５５】表面実装形パッケージのアウタリードの少
なくとも接地面に、溶融はんだ被着法で被着される予備
はんだ皮膜が表面張力によって盛り上がるのを小さくす
るための盛り上がり抑制凹所を形成することにより、溶
融はんだ被着法によっても表面が平面状の予備はんだ皮
膜を形成させることができるため、半導体装置の電気的
特性試験時等においてアウタリードの平坦度不良やアウ
タリード先端の不揃い等の不具合の発生を防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるＴＳＯＰ・ＩＣを示し
ており、（ａ）は一部切断正面図、（ｂ）はアウタリー
ドの縦断面図である。

【図２】そのＴＳＯＰ・ＩＣの樹脂封止後のリードフレ
ーム状態を示す一部切断平面図である。

【図３】その切断工程後を示す一部切断平面図である。

【図４】その予備はんだ処理後を示す一部切断平面図で
ある。

【図５】電気的特性検査時の変形作用を説明するための
図であり、（ａ）はＴＳＯＰ・ＩＣが接続装置に配置さ
れた状態を示す断面図、（ｂ）は接地面の押接状態を示
す拡大部分断面図、（ｃ）は比較例を示す拡大部分断面
図である。

【図６】ＴＳＯＰ・ＩＣの実装状態を示す一部切断正面
図である。

【図７】本発明の他の実施例をそれぞれ示しており、
（ａ）と（ｂ）は実施例２、（ｃ）と（ｄ）は実施例
３、（ｅ）と（ｆ）は実施例４であり、（ａ）、（ｃ）
および（ｅ）は予備はんだ皮膜被着前におけるアウタリ
ードの接地面を示す各底面図、（ｂ）、（ｄ）および
（ｆ）は同じく接地部の各拡大正面断面図である。

【符号の説明】

１…多連リードフレーム、２…単位リードフレーム、３
…外枠、３ａ…位置決め孔、４…セクション枠、５…タ
ブ吊りリード、６…タブ、７…ダム部材、８…リード、
９…インナリード、１０…アウタリード、１０ａ…上
面、１０ｂ…下面、１１…ボンディング層、１２…ペレ
ット、１３…ワイヤ、１４…樹脂封止体、１５…予備は
んだ皮膜、１６…凹曲面（盛り上がり抑制凹所）、１７
…凹条（盛り上がり抑制凹所）、１８…透孔（盛り上が
り抑制凹所）、１９…ＴＳＯＰ・ＩＣ（半導体装置）、
２０…デバイスボード、２１…本体、２２…コンタク
ト、２３…コレット、３０…プリント配線基板（実装基
板）、３１…基板本体、３２…ランド、３４…はんだ付
け部。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面実装形パッケージを備えており、各
   アウタリードにおけるはんだ付け実装部に溶融はんだ被
   着処理により予備はんだ皮膜が形成されている半導体装
   置において、 前記各アウタリードにおけるはんだ付け実装部の少なく
   とも接地面に盛り上がり抑制凹所が形成されており、前
   記予備はんだ皮膜の少なくとも凹所に対応する部位の表
   面が表面張力によって盛り上がるのを小さく抑制されて
   いることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記盛り上がり抑制凹所が、前記はんだ
   付け実装部の少なくとも接地面を円弧形に没設された凹
   曲面により構成されていることを特徴とする請求項１記
   載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記盛り上がり抑制凹所が、はんだ付け
   実装部の少なくとも接地面に形成された複数条の凹条に
   よって構成されていることを特徴とする請求項１記載の
   半導体装置。
4. 【請求項４】 前記盛り上がり抑制凹所が、前記はんだ
   付け実装部の上下面に貫通して開設された透孔によって
   形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導
   体装置。