JPH08274219A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH08274219A JPH08274219A JP7668295A JP7668295A JPH08274219A JP H08274219 A JPH08274219 A JP H08274219A JP 7668295 A JP7668295 A JP 7668295A JP 7668295 A JP7668295 A JP 7668295A JP H08274219 A JPH08274219 A JP H08274219A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の実装においてパッケージを配線板
に接続する際、リード端子の変形に起因する半田づけ不
良を防止し、さらに配線板上の実装面積を小さくし、実
装密度を高くできる構造のＩＣパッケージを提供する。 【構成】パッケージのリード端子４は配線板８のランド
７に直接接合されずに、樹脂モールド部６の下面からリ
ードフレームに到達するように設けた穴部９に挿入した
導電性の棒状端子１０を介して電気的に接続される。棒
状端子１０のモールド下面からの突出部は半球型または
円柱型とし、その材質には４２アロイやコバ−ル、Ｃｕ
等を用いる。さらに、突出部の半球型は直径を、円柱型
は高さを一定に定めることにより、各端子のモールド面
からの突出高さを一定にする。また、ＩＣチップ１の動
作時の発熱量が大きい場合は、銅系の放熱ブロック１１
を搭載して放熱性を高める構造とする。
に接続する際、リード端子の変形に起因する半田づけ不
良を防止し、さらに配線板上の実装面積を小さくし、実
装密度を高くできる構造のＩＣパッケージを提供する。 【構成】パッケージのリード端子４は配線板８のランド
７に直接接合されずに、樹脂モールド部６の下面からリ
ードフレームに到達するように設けた穴部９に挿入した
導電性の棒状端子１０を介して電気的に接続される。棒
状端子１０のモールド下面からの突出部は半球型または
円柱型とし、その材質には４２アロイやコバ−ル、Ｃｕ
等を用いる。さらに、突出部の半球型は直径を、円柱型
は高さを一定に定めることにより、各端子のモールド面
からの突出高さを一定にする。また、ＩＣチップ１の動
作時の発熱量が大きい場合は、銅系の放熱ブロック１１
を搭載して放熱性を高める構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップをプラスチックパッケージに
組立てる場合の一般的構造は、図４のようにＩＣチップ
１をタブ２上にエポキシ系接着剤などで固定し、パッド
電極３とリード端子４を金属細線５で接続し、しかる後
にこれらを覆うように樹脂モールド６するものであっ
た。
組立てる場合の一般的構造は、図４のようにＩＣチップ
１をタブ２上にエポキシ系接着剤などで固定し、パッド
電極３とリード端子４を金属細線５で接続し、しかる後
にこれらを覆うように樹脂モールド６するものであっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
の図４に示す構造では、半導体装置のリード端子４を配
線板８のランド部７に半田づけする際に、リード端子４
のランド部との接続部の変形に起因して半田づけ不可能
になる問題を有する。
の図４に示す構造では、半導体装置のリード端子４を配
線板８のランド部７に半田づけする際に、リード端子４
のランド部との接続部の変形に起因して半田づけ不可能
になる問題を有する。
【０００４】更に、従来技術の構造では、リード端子４
が樹脂モールド６より配線板の面方向に広がっているた
め配線板８の上に占める半導体装置の面積が大きく高密
度実装の観点からの問題が有った。
が樹脂モールド６より配線板の面方向に広がっているた
め配線板８の上に占める半導体装置の面積が大きく高密
度実装の観点からの問題が有った。
【０００５】本発明はこの様な問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、配線板のランドと接合さ
れる半導体装置の端子が変形しにくく、配線板上の実装
面積が小さい構造の半導体装置を提供するところにあ
る。
で、その目的とするところは、配線板のランドと接合さ
れる半導体装置の端子が変形しにくく、配線板上の実装
面積が小さい構造の半導体装置を提供するところにあ
る。
【０００６】特に、リ−ド端子が樹脂モ−ルド６より配
線板の面方向に広がることなく、実装面積のより小さい
構造の半導体装置を提供するところにある。
線板の面方向に広がることなく、実装面積のより小さい
構造の半導体装置を提供するところにある。
【０００７】更に別の目的としては、前記リ−ド端子の
高さの均一を図れる構造の半導体装置を提供するところ
にある。
高さの均一を図れる構造の半導体装置を提供するところ
にある。
【０００８】更に別の目的としては、上記に係る構造の
半導体装置の製造を簡易に行うことが可能な半導体装置
の製造方法を提供するところにある。
半導体装置の製造を簡易に行うことが可能な半導体装置
の製造方法を提供するところにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ＩＣチップと、リードフレームと、前記ＩＣチップと前
記リードフレームとを電気的に接続する金属細線と、前
記ＩＣチップと前記リードフレームと前記金属細線とを
覆うように形成された樹脂モールドと、を有する半導体
装置であって、前記樹脂モールドの表面から前記リード
フレームに到達するように設けられた穴部と、前記穴部
内に挿入され、前記リードフレームに接続された導電性
の棒状端子と、を有することを特徴とする。
ＩＣチップと、リードフレームと、前記ＩＣチップと前
記リードフレームとを電気的に接続する金属細線と、前
記ＩＣチップと前記リードフレームと前記金属細線とを
覆うように形成された樹脂モールドと、を有する半導体
装置であって、前記樹脂モールドの表面から前記リード
フレームに到達するように設けられた穴部と、前記穴部
内に挿入され、前記リードフレームに接続された導電性
の棒状端子と、を有することを特徴とする。
【００１０】また前記棒状端子は、前記樹脂モールド表
面より突出する突出部を有し、前記突出部が半球型から
なることを特徴とする。
面より突出する突出部を有し、前記突出部が半球型から
なることを特徴とする。
【００１１】また前記棒状端子は、前記樹脂モールド表
面より突出する突出部を有し、前記突出部が円柱型から
なることを特徴とする。
面より突出する突出部を有し、前記突出部が円柱型から
なることを特徴とする。
【００１２】また前記棒状端子の前記樹脂モールド内に
挿入されている部分が円柱型であり、該円柱型は０．０
１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを特徴とす
る。
挿入されている部分が円柱型であり、該円柱型は０．０
１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを特徴とす
る。
【００１３】また前記棒状端子の前記突出部の半球型
は、０．０１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを
特徴とする。
は、０．０１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを
特徴とする。
【００１４】また前記棒状端子の前記突出部の円柱型
は、０．０１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを
特徴とする。
は、０．０１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを
特徴とする。
【００１５】また前記棒状端子は、鉄系材料からなるこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【００１６】また棒状端子は、銅系材料からなることを
特徴とする。
特徴とする。
【００１７】また棒状端子の挿入は、モールドの上面，
下面または上下両面からとする事を特徴とする。
下面または上下両面からとする事を特徴とする。
【００１８】また本願発明の半導体装置の製造方法は、
ＩＣチップとリードフレームとを金属細線により電気的
に接続する工程と、樹脂モールド表面から前記リードフ
レームに到達するように穴部を形成するよう、前記ＩＣ
チップと前記リードフレームと前記金属細線とをモール
ドする工程と、導電性の棒状端子を前記穴部内に挿入
し、前記リードフレームに接合固定する工程と、を含
み、前記棒状端子と前記リードフレームとの接合固定
に、接合部材を用いることを特徴とする。
ＩＣチップとリードフレームとを金属細線により電気的
に接続する工程と、樹脂モールド表面から前記リードフ
レームに到達するように穴部を形成するよう、前記ＩＣ
チップと前記リードフレームと前記金属細線とをモール
ドする工程と、導電性の棒状端子を前記穴部内に挿入
し、前記リードフレームに接合固定する工程と、を含
み、前記棒状端子と前記リードフレームとの接合固定
に、接合部材を用いることを特徴とする。
【００１９】また前記接合部材に導電性接着剤を用いて
接合固定することを特徴とする。
接合固定することを特徴とする。
【００２０】また前記接合部材に絶縁性接着剤を用いて
接合固定することを特徴とする。
接合固定することを特徴とする。
【００２１】また前記接合部材に半田を用いて接合固定
することを特徴とする。
することを特徴とする。
【００２２】また前記半田は、あらかじめ前記棒状端子
にメッキ処理されていることを特徴とする。
にメッキ処理されていることを特徴とする。
【００２３】また前記半田は、前記棒状端子の固定後に
施されることを特徴とする。
施されることを特徴とする。
【００２４】また前記穴部の形成方法として、モールド
成形時に同時に金形により形成することを特徴とする。
成形時に同時に金形により形成することを特徴とする。
【００２５】また前記モールドの工程後に、前記穴部と
前記リードフレームとの間に形成された樹脂バリを除去
する工程を含むことを特徴とする。
前記リードフレームとの間に形成された樹脂バリを除去
する工程を含むことを特徴とする。
【００２６】また前記樹脂バリの除去方法として、ウォ
ータージェットを用いることを特徴とする。
ータージェットを用いることを特徴とする。
【００２７】また前記樹脂バリの除去方法として、液体
ホーニングを用いることを特徴とする。
ホーニングを用いることを特徴とする。
【００２８】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す模式図であり、
図５は棒状端子１０側から見た平面図である。なお前述
の従来例と同一部分には同じ符号を付してある。
図５は棒状端子１０側から見た平面図である。なお前述
の従来例と同一部分には同じ符号を付してある。
【００２９】本発明においては、リード端子４は配線板
８のランド７に直接的に接合されずに、モールド部６に
設けられた穴部９に挿入される導電性の棒状端子１０を
介して電気的にランド７と接続されるのである。
８のランド７に直接的に接合されずに、モールド部６に
設けられた穴部９に挿入される導電性の棒状端子１０を
介して電気的にランド７と接続されるのである。
【００３０】棒状端子１０のモールド表面からの突出部
は、図４のリード端子４に比べてモールド部６からの突
出寸法が短く変形が少なくなる。また、棒状端子１０は
モールド部６からランド７に対してほぼ垂直にでている
ので半導体装置の配線板８上の占有面積が大幅に減少す
るのである。
は、図４のリード端子４に比べてモールド部６からの突
出寸法が短く変形が少なくなる。また、棒状端子１０は
モールド部６からランド７に対してほぼ垂直にでている
ので半導体装置の配線板８上の占有面積が大幅に減少す
るのである。
【００３１】棒状端子１０のモールド表面からの突出部
は、ランド７と半田づけしやすいよう、また部品単体と
しても加工しやすい様図１の１０の如く半球型または図
２の如く円柱型にする事が望ましい。半球型は直径を一
定に定めることにより、円柱型は高さを一定に定める事
により、各端子のモールド面からの突出高さを一定にす
る事ができる。この事は、ランド７への半田づけに際し
ては、一般的に端子の高さの最大値と最小値の差がおよ
そ０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ以内に納めねばならないと
いう実装上の要求によく応え得るものである。半径型は
変形しにくいという利点が非常に大きい。円柱型は部品
単位の加工がしやすく安価であり特に図２の挿入部ａと
突出部ｂの寸法を同一にした場合はそれが顕著である。
は、ランド７と半田づけしやすいよう、また部品単体と
しても加工しやすい様図１の１０の如く半球型または図
２の如く円柱型にする事が望ましい。半球型は直径を一
定に定めることにより、円柱型は高さを一定に定める事
により、各端子のモールド面からの突出高さを一定にす
る事ができる。この事は、ランド７への半田づけに際し
ては、一般的に端子の高さの最大値と最小値の差がおよ
そ０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ以内に納めねばならないと
いう実装上の要求によく応え得るものである。半径型は
変形しにくいという利点が非常に大きい。円柱型は部品
単位の加工がしやすく安価であり特に図２の挿入部ａと
突出部ｂの寸法を同一にした場合はそれが顕著である。
【００３２】モ−ルド内に挿入される部分の直径ａは、
リ−ド端子４との接合強度の観点からは大きい方が安定
であるが、多ピン化に伴ないリ−ド端子４は細く、ピッ
チは狭くなる傾向にある。現在樹脂モ−ルド内のリ−ド
端子の幅は０．０８〜０．２ｍｍであるが、将来の動向
も見越して０．０１〜２．５ｍｍを考えておくのが良
い。太い側は、現状パッケ−ジの樹脂モ−ルド内のリ−
ド端子ピッチのＭａｘ値が約２．５ｍｍである事から定
めている。
リ−ド端子４との接合強度の観点からは大きい方が安定
であるが、多ピン化に伴ないリ−ド端子４は細く、ピッ
チは狭くなる傾向にある。現在樹脂モ−ルド内のリ−ド
端子の幅は０．０８〜０．２ｍｍであるが、将来の動向
も見越して０．０１〜２．５ｍｍを考えておくのが良
い。太い側は、現状パッケ−ジの樹脂モ−ルド内のリ−
ド端子ピッチのＭａｘ値が約２．５ｍｍである事から定
めている。
【００３３】棒状端子１０のモールド部６からの突出量
は、業界の一般用語でスタンドオフ高さと呼ばれるもの
（基板とモ−ルド部の間の隙間の寸法）に相当し、棒状
端子１０のランド７への半田づけ後の純水等による洗浄
性を左右するものである。ここではスタンドオフ高さ＝
１／２（半径の直径）であり、また将来の微細化と現状
パッケ−ジのリ−ド端子の樹脂モ−ルドからの出口部の
ピッチのＭａｘ値が約２．５ｍｍであることを考え合わ
せて隣の端子との接触を避けるために半球の直径を０．
０１〜２．５ｍｍにする事が望ましい。
は、業界の一般用語でスタンドオフ高さと呼ばれるもの
（基板とモ−ルド部の間の隙間の寸法）に相当し、棒状
端子１０のランド７への半田づけ後の純水等による洗浄
性を左右するものである。ここではスタンドオフ高さ＝
１／２（半径の直径）であり、また将来の微細化と現状
パッケ−ジのリ−ド端子の樹脂モ−ルドからの出口部の
ピッチのＭａｘ値が約２．５ｍｍであることを考え合わ
せて隣の端子との接触を避けるために半球の直径を０．
０１〜２．５ｍｍにする事が望ましい。
【００３４】モールド部６からの棒状端子１０の突出部
が円柱状の場合は、隣の端子との接触を避けるために半
球の場合と同様、円柱の直径を０．０１〜２．５ｍｍと
するのが望ましい。
が円柱状の場合は、隣の端子との接触を避けるために半
球の場合と同様、円柱の直径を０．０１〜２．５ｍｍと
するのが望ましい。
【００３５】棒状端子１０をリード端子４に固定するの
には、製造過程で図１のモールド部を上下逆にして、穴
部９にＡｇペ−スト等の導電性接着剤を流し込んで然る
後に４２アロイやＣｕなどの棒状端子１０を挿入してか
ら約１５０℃〜約２００℃の温度をおよそ１時間前後加
えて固定すれば良い。
には、製造過程で図１のモールド部を上下逆にして、穴
部９にＡｇペ−スト等の導電性接着剤を流し込んで然る
後に４２アロイやＣｕなどの棒状端子１０を挿入してか
ら約１５０℃〜約２００℃の温度をおよそ１時間前後加
えて固定すれば良い。
【００３６】棒状端子１０のリード端子４への別の固定
方法として、棒状端子１０のリード端子４側に半田クリ
ーム等予め塗布しておき、棒状端子１０を加熱する事に
より半田を溶融して半田づけする事もできる。
方法として、棒状端子１０のリード端子４側に半田クリ
ーム等予め塗布しておき、棒状端子１０を加熱する事に
より半田を溶融して半田づけする事もできる。
【００３７】更に別の棒状端子１０とリード端子４の固
定方法としては、エポキシ系接着剤等の絶縁性接着剤を
用いて棒状端子１０の側面と穴部９を接合するものもあ
げられる。この方法の利点は製造が簡単である事だが、
絶縁性接着剤が棒状端子１０とリード端子４の接続部に
付着して電気的導通を妨げないように工夫する事が重要
である。
定方法としては、エポキシ系接着剤等の絶縁性接着剤を
用いて棒状端子１０の側面と穴部９を接合するものもあ
げられる。この方法の利点は製造が簡単である事だが、
絶縁性接着剤が棒状端子１０とリード端子４の接続部に
付着して電気的導通を妨げないように工夫する事が重要
である。
【００３８】棒状端子１０をランド７に半田づけするに
当たっては、棒状端子１０の表面にメッキ等をして半田
を被覆させておく必要がある。その手段として棒状端子
１０には、部品単体の時に予め半田メッキしておく方法
が有る。この様にすればＩＣチップ１の組立工程で半田
メッキする工程が省けるので納期短縮に大幅に貢献でき
る。
当たっては、棒状端子１０の表面にメッキ等をして半田
を被覆させておく必要がある。その手段として棒状端子
１０には、部品単体の時に予め半田メッキしておく方法
が有る。この様にすればＩＣチップ１の組立工程で半田
メッキする工程が省けるので納期短縮に大幅に貢献でき
る。
【００３９】棒状端子１０への別の半田被覆法として
は、棒状端子１０をリード端子４に接合した後、半田メ
ッキを行う方法が挙げられる。特に棒状端子１０を加熱
してリード端子４に接合するような場合は、予め部品単
体の時棒状端子１０に半田メッキを施して有ると、熱に
より半田が劣化することがあるので、この方法が望まし
いのである。
は、棒状端子１０をリード端子４に接合した後、半田メ
ッキを行う方法が挙げられる。特に棒状端子１０を加熱
してリード端子４に接合するような場合は、予め部品単
体の時棒状端子１０に半田メッキを施して有ると、熱に
より半田が劣化することがあるので、この方法が望まし
いのである。
【００４０】棒状端子の材質としては、熱膨張率が小さ
く、強度の大きい４２アロイやコバ−ルなどの鉄系材料
が一般用途として推奨できる。
く、強度の大きい４２アロイやコバ−ルなどの鉄系材料
が一般用途として推奨できる。
【００４１】更にＩＣチップ１が動作時に発熱しやすい
場合には、熱伝導率が大きいＥＦＴＥＣ６４ＴやＯＬＩ
Ｎ−Ｃ７０２５等の銅系材料が望ましい。銅系の棒状端
子の場合は、低コスト用途としても推奨できる。
場合には、熱伝導率が大きいＥＦＴＥＣ６４ＴやＯＬＩ
Ｎ−Ｃ７０２５等の銅系材料が望ましい。銅系の棒状端
子の場合は、低コスト用途としても推奨できる。
【００４２】リード端子４も、鉄系または銅系を用いる
のが良いが、棒状端子１０を選ぶ場合、リード端子４と
同質の材料を選ぶ方が熱膨張率が同等となり、熱膨張率
の相違に伴うリード端子４と棒状端子１０の接合の不安
定を生まなくてすむのである。
のが良いが、棒状端子１０を選ぶ場合、リード端子４と
同質の材料を選ぶ方が熱膨張率が同等となり、熱膨張率
の相違に伴うリード端子４と棒状端子１０の接合の不安
定を生まなくてすむのである。
【００４３】ＩＣチップ１の搭載側をモールドの上面と
呼ぶ事にする。このとき棒状端子１０の挿入の向きは、
図１の如くモールドの下面からばかりでなく、上面から
でもよいし、上下両面からでもよい。これは、実装上の
都合に合わせて有利になるよう設計すればよいのであ
る。特に、上下両面にすれば、２枚の配線板に電気的に
接続する事も可能となる。
呼ぶ事にする。このとき棒状端子１０の挿入の向きは、
図１の如くモールドの下面からばかりでなく、上面から
でもよいし、上下両面からでもよい。これは、実装上の
都合に合わせて有利になるよう設計すればよいのであ
る。特に、上下両面にすれば、２枚の配線板に電気的に
接続する事も可能となる。
【００４４】棒状端子１０の挿入用の穴部９は、樹脂モ
ールド部６を成形する際に同一の金型で形成するのが最
も容易である。
ールド部６を成形する際に同一の金型で形成するのが最
も容易である。
【００４５】この様にモールド部６の成形時に穴部を形
成すると、リード端子４と穴部９の間に樹脂バリが発生
してリード端子４と棒状端子１０を電気的に絶縁してし
まうので、高圧力の水を付きつけて樹脂バリを除去する
ウォータージェットにより除去する事が必要である。
成すると、リード端子４と穴部９の間に樹脂バリが発生
してリード端子４と棒状端子１０を電気的に絶縁してし
まうので、高圧力の水を付きつけて樹脂バリを除去する
ウォータージェットにより除去する事が必要である。
【００４６】樹脂バリを効率的に除くには、水に研磨剤
を混入させて吹付ける液体ホーニングを用いると良い。
穴部の径が小さい時は、メディアの径も小さくする必要
がある。
を混入させて吹付ける液体ホーニングを用いると良い。
穴部の径が小さい時は、メディアの径も小さくする必要
がある。
【００４７】また、ＩＣチップ１の動作時の発熱量が極
めて大きい場合は、図３の１１の如く純銅やリ−ドフレ
−ムと同じＥＦＴＥＣ６４ＴあるいはＯＬＩＮ−Ｃ７０
２５等の銅系の放熱ブロックを搭載して放熱性を高める
構造が有効である。
めて大きい場合は、図３の１１の如く純銅やリ−ドフレ
−ムと同じＥＦＴＥＣ６４ＴあるいはＯＬＩＮ−Ｃ７０
２５等の銅系の放熱ブロックを搭載して放熱性を高める
構造が有効である。
【００４８】
【発明の効果】以上述べた様に本発明によれば、樹脂モ
ールドの表面からリードフレームに到達するように穴部
を設け導電性の棒状端子を挿入し前記リードフレームに
接続する事、棒状端子のモールド表面より突出している
部分が半球型または円柱型である事、モールド内に挿入
されている棒状端子の円柱の直径が０．０１〜２．５ｍ
ｍである事、棒状端子のモールド表面より突出した部分
の半球の直径が０．０１〜２．５ｍｍである事、棒状端
子のモールド表面より突出した部分の円柱の直径が０．
０１〜２．５ｍｍである事、棒状端子の固定方法として
導電性接着剤・半田または絶縁性接着剤を用いる事、棒
状端子は予め半田メッキされるかまたは棒状端子固定後
に半田メッキされる事、棒状端子の材質は鉄系材料また
は銅系材料である事、棒状端子の挿入はモールドの上面
・下面または上下両面からとした事、棒状端子挿入のた
めの穴部形成はモールド成形時に同時に金型で形成する
事、穴部とリードフレームの間の樹脂バリの除去方法と
してウォータージェットまたは液体ホーニングを用いる
事により、特に端的には請求項１の構造により配線板上
のランドに接合される、半導体装置の端子が変形しにく
くなり、変形に起因した半導体装置の配線板への実装上
のトラブルを防止し、接合部の品質を向上させる効果を
有する。
ールドの表面からリードフレームに到達するように穴部
を設け導電性の棒状端子を挿入し前記リードフレームに
接続する事、棒状端子のモールド表面より突出している
部分が半球型または円柱型である事、モールド内に挿入
されている棒状端子の円柱の直径が０．０１〜２．５ｍ
ｍである事、棒状端子のモールド表面より突出した部分
の半球の直径が０．０１〜２．５ｍｍである事、棒状端
子のモールド表面より突出した部分の円柱の直径が０．
０１〜２．５ｍｍである事、棒状端子の固定方法として
導電性接着剤・半田または絶縁性接着剤を用いる事、棒
状端子は予め半田メッキされるかまたは棒状端子固定後
に半田メッキされる事、棒状端子の材質は鉄系材料また
は銅系材料である事、棒状端子の挿入はモールドの上面
・下面または上下両面からとした事、棒状端子挿入のた
めの穴部形成はモールド成形時に同時に金型で形成する
事、穴部とリードフレームの間の樹脂バリの除去方法と
してウォータージェットまたは液体ホーニングを用いる
事により、特に端的には請求項１の構造により配線板上
のランドに接合される、半導体装置の端子が変形しにく
くなり、変形に起因した半導体装置の配線板への実装上
のトラブルを防止し、接合部の品質を向上させる効果を
有する。
【００４９】更に、半導体装置の配線板上に占める面積
を小さくすることができるため、高密度実装を可能に
し、最終的には、半導体装置を搭載した配線板を組込ん
だ装置全体を小型化するという効果を有する。
を小さくすることができるため、高密度実装を可能に
し、最終的には、半導体装置を搭載した配線板を組込ん
だ装置全体を小型化するという効果を有する。
【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示す模式図。
【図２】本発明の半導体装置の棒状端子の一形状を示す
模式図。
模式図。
【図３】本発明の半導体装置に、放熱用ブロックを搭載
した応用例を示す模式図。
した応用例を示す模式図。
【図４】従来の半導体装置の模式図。
【図５】本発明の半導体装置の一実施例を示す平面図。
１：ＩＣチップ ２：タブ ３：パッド電極 ４：リード端子 ５：金属細線 ６：樹脂モールド ７：ランド ８：配線板 ９：穴部 １０：棒状端子 １１：放熱ブロック ａ：棒状端子の挿入部の直径 ｂ：棒状端の突出部の直径
Claims (19)
- 【請求項１】ＩＣチップと、リードフレームと、前記Ｉ
Ｃチップと前記リードフレームとを電気的に接続する金
属細線と、前記ＩＣチップと前記リードフレームと前記
金属細線とを覆うように形成された樹脂モールドと、を
有する半導体装置であって、 前記樹脂モールドの表面から前記リードフレームに到達
するように設けられた穴部と、 前記穴部内に挿入され、前記リードフレームに接続され
た導電性の棒状端子と、を有することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】前記棒状端子は、前記樹脂モールド表面よ
り突出する突出部を有し、前記突出部が半球型からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記棒状端子は、前記樹脂モールド表面よ
り突出する突出部を有し、前記突出部が円柱型からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記棒状端子の前記樹脂モールド内に挿入
されている部分が円柱型であり、該円柱型は０．０１〜
２．５ｍｍの範囲の直径からなることを特徴とする請求
項１乃至３のいずれか記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記棒状端子の前記突出部の半球型は、
０．０１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを特徴
とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項６】前記棒状端子の前記突出部の円柱型は、
０．０１〜２．５ｍｍの範囲の直径からなることを特徴
とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項７】前記棒状端子は、鉄系材料からなることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の半導体装
置。 - 【請求項８】棒状端子は、銅系材料からなることを特徴
とする請求項１乃至６のいずれか記載の半導体装置。 - 【請求項９】棒状端子の挿入は、モールドの上面，下面
または上下両面からとする事を特徴とする請求項１乃至
８のいずれか記載の半導体装置。 - 【請求項１０】ＩＣチップとリードフレームとを金属細
線により電気的に接続する工程と、 樹脂モールド表面から前記リードフレームに到達するよ
うに穴部を形成するよう、前記ＩＣチップと前記リード
フレームと前記金属細線とをモールドする工程と、 導電性の棒状端子を前記穴部内に挿入し、前記リードフ
レームに接合固定する工程と、 を含み、 前記棒状端子と前記リードフレームとの接合固定に、接
合部材を用いることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１１】前記接合部材に導電性接着剤を用いて接
合固定することを特徴とする請求項１０記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１２】前記接合部材に絶縁性接着剤を用いて接
合固定することを特徴とする請求項１０記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１３】前記接合部材に半田を用いて接合固定す
ることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項１４】前記半田は、あらかじめ前記棒状端子に
メッキ処理されていることを特徴とする請求項１３記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】前記半田は、前記棒状端子の固定後に施
されることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１６】前記穴部の形成方法として、モールド成
形時に同時に金形により形成することを特徴とする請求
項１０記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】前記モールドの工程後に、前記穴部と前
記リードフレームとの間に形成された樹脂バリを除去す
る工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１８】前記樹脂バリの除去方法として、ウォー
タージェットを用いることを特徴とする請求項１７記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】前記樹脂バリの除去方法として、液体ホ
ーニングを用いることを特徴とする請求項１７記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7668295A JPH08274219A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7668295A JPH08274219A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274219A true JPH08274219A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13612216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7668295A Pending JPH08274219A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274219A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874400A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO1999013515A1 (en) * | 1997-09-09 | 1999-03-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit package employing a transparent encapsulant and a method of making the package |
| KR20030043172A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 오리엔트 세미컨덕터 일렉트로닉스 리미티드 | 방열판 및 그를 구비한 반도체 칩 패키지 |
| DE102008025705A1 (de) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
| KR101483033B1 (ko) * | 2013-11-19 | 2015-01-15 | 엘에스파워세미텍 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 실장방법 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7668295A patent/JPH08274219A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874400A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6084300A (en) * | 1997-04-21 | 2000-07-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Compact resin-sealed semiconductor device |
| WO1999013515A1 (en) * | 1997-09-09 | 1999-03-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit package employing a transparent encapsulant and a method of making the package |
| US5962810A (en) * | 1997-09-09 | 1999-10-05 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit package employing a transparent encapsulant |
| US6143588A (en) * | 1997-09-09 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Method of making an integrated circuit package employing a transparent encapsulant |
| KR20030043172A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 오리엔트 세미컨덕터 일렉트로닉스 리미티드 | 방열판 및 그를 구비한 반도체 칩 패키지 |
| DE102008025705A1 (de) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
| US7884455B2 (en) | 2007-08-31 | 2011-02-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| KR101483033B1 (ko) * | 2013-11-19 | 2015-01-15 | 엘에스파워세미텍 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 실장방법 |
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