KR100699578B1 - 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 상·하가 개방되어 있는 소정 형상으로 별도로 제작된 반사판과, 상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1 반사막 및 상기 반사판과 접촉하지 않는 상기 제1 반사막의 다른 면에 형성된 제2 반사막을 포함하는 발광소자용 반사부재를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 발광소자용 반사부재를 사용한 발광다이오드 패키지를 제공한다.

발광다이오드, 반사부재, 패키지, 휘도, 열방출

Description

발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지{REFLECTIVE ELEMENT FOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING IT}

도 1은 종래 기술에 따른 램프형 LED 패키지 구조를 나타낸 개략도.

도 2는 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 패키지 구조를 나타낸 개략도.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표면실장형 LED 패키지 구조를 나타낸 사시도.

도 4는 도 3에 도시된 표면실장형 LED 패키지를 Ⅳ-Ⅳ'선을 절단하여 나타낸 단면도.

도 5 및 도 6은 도 4에 나타낸 표면실장형 LED 패키지의 'A' 부분을 확대하여 나타낸 확대도.

도 7은 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 패키지와 본 발명에 따른 표면실장형 LED 패키지의 반사율을 비교하여 나타낸 그래프.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

20 : 표면실장형 LED 패키지 21 : 패키지

23 : 와이어 25 : LED 칩

27 : 리드프레임 30 : 반사부재

31 : 반사판 33 : 제1 반사막

35 : 제2 반사막 37 : 보호막

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휘도 및 휘도 각 분포의 조절 및 제조 공정이 용이할 뿐만 아니라 방열성을 향상시킬 수 있는 반사부재를 구비한 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.

발광다이오드(Light Emitting Diode, 이하, LED라 한다)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.

일반적으로, LED 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등이 있다. 이러한 LED 소자의 특성은 1차적으로 LED 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차원적인 요소로 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다.

이에 따라, 최근 고휘도와 사용자 요구에 따른 휘도각 분포를 얻기 위해서는 재료개발 등에 의한 1차적인 요소만으로 한계가 있어 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되었다. 특히, LED 패키지 구조에 의한 2차원적인 요인은 휘도와 휘도 각 분포에 큰 영향을 미친다.

그러면, 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 전형적인 램프형 LED와 표면실장형 LED의 각 패키지 구조를 비교하여 설명하기로 한다.

도 1은 종래 기술에 따른 램프형 LED 패키지 구조를 나타낸 개략도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 패키지 구조를 나타낸 개략도이다.

우선, 도 1에 도시된 램프형 LED 패키지(10)인 경우, 두 개의 리드프레임(13a, 13b) 중 하나의 리드프레임(13b) 상부는 컵(cup) 형상으로 일정한 각을 갖는 금속전극판이 구비되어 있고, 그 상부에는 LED 소자(15)가 실장되어 있으며, 투명 몰딩 수지류로 이루어진 반구형의 케이스(17)에 의해 패키징되는 구조를 갖는다.

반면에, 도 2에 도시된 표면실장형 LED 패키지(20)는 몰딩 에폭시 수지로 이루어진 패키지(21)를 가지며, 외형각이 적은 실장영역에 LED 소자(25)가 배치되고 와이어(23)로 전극(도시하지 않음)과 연결되는 구조를 갖는다.

이와 같은 패키지 구조에 의해서, 상기 램프형 LED 패키지(10)는 반구형의 케이스(17)가 렌즈역할을 하여 휘도 각 분포를 조절할 수 있으며, 특히, 휘도 분포를 좁게 조절하여 일정각에서 휘도를 높일 수 있고, 동시에 발광원으로부터 빛이 컵 형상인 금속전극판에 의해 반사되어 휘도의 세기를 증가시킬 수 있다.

그러나, 이에 비해, 상기 표면실장형 LED 패키지(20)는 그 구조에 따라 넓은 휘도 분포를 갖을 뿐만 아니라, LED 칩을 패키지 내에 실장하고 있기 때문에 패키지 내부의 흡수, 산란에 의하여 LED 칩 상태에서 발광하는 광도에 비하여 패키지 내에 실장된 후에 발광하는 광도가 낮아져 광효율이 떨어지게 되는 문제가 있다.

따라서, 몰딩 수지류를 이용하는 표면실장형 LED 패키지(20)의 경우에, 패키 지 내부의 흡수 및 산란을 최소화하여 LED 칩의 발광 광도를 증가시키기 위하여 실장영역의 측면에 일정한 반사각 구조로 형성하여 금속을 도금하는 방식으로 내부 반사부재를 추가하는 방법 등이 연구 개발되고 있다.

그런데, 상기와 같이, 표면실장형 LED 패키지(20)의 경우에는, 휘도 및 휘도 분포를 좋게 하기 위해 실장영역의 측면에 금속을 도금하는 방식으로 패키지 내부 측벽에 반사부재를 추가하여 휘도 분포 및 휘도는 향상시킬 수 있었으나, LED 소자가 실장되어 있는 실장영역의 측면에만 LED 소자와 단락되지 않도록 반사부재를 형성하는 금속 도금 공정이 매우 복잡한 문제가 있었다.

또한, 상기 실장영역의 측면을 제외한 영역을 마스크로 차단한 다음 실장영역 측면에 금속을 도금한다 하더라도 그 측면이 경사면으로 이루어져 있기 때문에, 경사면의 굴곡이 쉽게 발생되어, 도금된 반사부재 표면의 거칠기가 낮은 문제가 있었다. 또한, 반사부재의 표면 거칠기가 낮게 되면 난반사로 인하여 LED 칩에서 발광하는 광의 일부가 손실되기 때문에, 휘도를 향상시키는 점에 있어서 한계가 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 패키지 내부에 반사부재를 형성하여 발광다이오드 소자의 광효율을 향상시키되, 반사부재의 제조 공정을 용이하게 하여 발광다이오드 패키지의 전반적인 제조 공정을 단순화시킬 수 있는 발광소자용 반사부재 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지를 제공 하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 상·하가 개방되어 있는 소정 형상으로 별도로 제작된 반사판과, 상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1 반사막 및 상기 반사판과 접촉하지 않는 상기 제1 반사막의 다른 면에 형성된 제2 반사막을 포함하는 발광소자용 반사부재를 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 발광소자용 반사부재에서, 상기 반사판은 플라스틱 수지 또는 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 발광소자용 반사부재에서, 상기 제1 반사막은 Co, Ni, Ti, Cr, Fe, Rh 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되어 상기 반사판과 제2 반사막의 접착성을 우수하게 하는 접착층 역할을 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 발광소자용 반사부재에서, 상기 제2 반사막은 Ag, Al, Rh, Pd, Pt, Ru, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되어 반사층 역할을 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 발광소자용 반사부재에서, 상기 제1 및 제2 반사막은 PVD 또는 CVD와 같은 증착법을 사용하여 표면 평탄도를 우수하게 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 발광소자용 반사부재에서, 상기 제2 반사막의 외측벽 에 형성된 보호막을 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 보호막은 Au, Ni, Ti, Mo, Ru, Rh, Pd, Pt, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 발광소자용 반사부재에서, 상기 보호막은 PVD 또는 CVD와 같은 증착법을 사용하여 표면 평탄도를 우수하게 하는 것이 바람직하다.

상기한 또 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임과, 상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 실장된 LED 칩과, 상기 패키지 내부에 충진되어 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩재와, 상기 패키지 내부 측벽으로부터 반사판과 제1 반사막 및 제2 반사막이 순차 적층되어 있는 다층 구조로 이루어져 있으며, 상기 패키지 내부 측벽을 따라 측벽에 부착되어 있는 반사부재를 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지에서, 반사부재의 외부 측벽은 상기 패키지의 내부 측벽의 너비와 일치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.

또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지에서, 상기 반사부재는 상기 리드프레임과 연결되지 않거나, 또는 상기 반사부재의 일측만이 상기 리드프레임과 연결되어 리드프레임을 이루는 한쌍의 전극이 서로 단락되는 것을 방지한다.

또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지에서, 상기 반사부재를 상기 패키지 내부 측벽에 부착시키는 수단은 투명 에폭시 또는 실리콘계 수지를 주성분으로 하는 본딩제인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 열전도성을 가지는 투명 에폭시 또는 실리콘계 수지를 주성분으로 하는 본딩제를 사용한다. 따라서, 패키지의 외부로 열방출을 원할하게 하여 열방출 효율을 향상시킬 수 있다.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.

이제 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.

먼저, 도 3 내지 6을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 발광소자용 반사부재를 사용한 발광다이오드 패키지에 대하여 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표면실장형 LED 패키지 구조를 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 표면실장형 LED 패키지를 Ⅳ-Ⅳ'선을 절단하여 도시한 도면으로서, 표면실장형 LED 패키지의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표면실장형 LED 패키지는 투명 합성수지재 또는 불투명 합성수지재 둘 중 어느 하나로 이루어진 패키지(20)를 가지며, 상기 패키지(20)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창(도시하지 않음)이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(도시하지 않음)에 장착되도록 한쌍의 리드 전극으로 이루어진 리드프레임(27)이 형성되어 있다

그리고, 상기와 같이 구성된 패키지(20)의 내부에는 LED 칩(60)이 그 발광면이 상기 방사창을 향하도록 배치되며, 와이어(23)를 통해 상기 리드프레임(27)과 LED 칩(25)이 전기적으로 연결되어 있다.

상기 LED 칩(25)은 리드프레임(27) 상에 실장되어 있으며, 상기 LED 칩(25)이 실장된 패키지(20) 내부에는 LED 칩(25)을 보호하는 몰딩재(29)가 충진되어 있다.

또한, 상기 패키지(20)의 내부에는 반사부재(30)가 삽입되어 있다. 또한, 상기 삽입된 반사부재(30)은, 패키지(20)의 내부 측벽을 따라 투명 에폭시 또는 실리콘계 수지를 주성분으로 하는 본딩제(도시하지 않음)에 의해 부착되어 있다. 즉, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 별도의 공정에 의해 미리 형성된 반사부재(30)를 패키지(20) 내부에 삽입한 다음, 본딩재를 통해 패키지(20) 내부 측벽에 부착시켜 간접적으로 패키지(20) 내부에 반사부재(30)를 구비함으로써, 도금법에 의해 패키지 내부 측벽에 직접적으로 반사부재를 형성하던 종래 기술에 비해 반사부재 제조 공정을 용이하게 할 수 있다. 따라서, 패키지 내부에 반사부재를 구비하는 발광다이오드 패키지의 전반적인 제조 공정을 단순화시킬 수 있는 동시에 제조 수율 또한 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 본딩제는 패키지의 외부로 열방출을 원할하게 하여 열방출 효율을 향상시키기 위해 열전도성을 가지는 투명 에폭시 또는 실리콘계 수지를 주성분 으로 하는 본딩제를 사용하는 것이 바람직하다.

그러면, 이하, 본 발명의 실시예에 따른 반사부재(30)에 대하여, 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.

실시예 1

도 5 및 앞서 설명한 도 4를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사부재에 대하여 상세히 설명한다. 도 5는 도 4에 나타낸 표면실장형 LED 패키지의 'A' 부분을 확대하여 나타낸 확대도로서, 제1 실시예에 따른 반사부재의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사부재(30)는, 최외각 측벽이 상기 패키지(20)의 내부 측벽의 너비와 일치하도록 별도로 제작된 반사판(31)과 상기 반사판(31)의 내부 측벽으로부터 제1 및 제2 반사막(33, 35)이 순차 적층되어 있는 다층 구조로 이루어져 있다.

여기서, 상기 반사판(31)은 플라스틱 수지 또는 금속을 사용하여 상기 패키지(20)의 내부에 삽입되도록 별도로 제작된다. 플라스틱 수지의 경우 사출성형을 이용하여 제작한다.

또한, 상기 제1 반사막(33)은, Co, Ni, Ti, Cr, Fe, Rh 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되는 것이 바람직하며, 이는 상기 반사판(31)과 제2 반사막(35)의 접착성을 우수하게 하는 접착층 역할을 한다. 상기 제1 반사막(33)은 1 내지 30000Å의 두께를 가지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제2 반사막(35)은, 반사율을 높이기 위해 반사율이 높은 물질, 예를 들어, Ag, Al, Rh, Pd, Pt, Ru, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 제2 반사막(35)은 500 내지 30000Å의 두께를 가지는 것이 바람직하다.

특히, 본 발명에 따른 제1 및 제2 반사막(33, 35)은, PVD 또는 CVD와 같은 증착법을 사용하여 형성되므로, 종래 도금법에 따라 형성된 패키지의 내부 반사부재보다 매우 우수한 표면 평탄도를 가진다. 이와 같이, 반사부재(30)의 표면 평탄도가 우수하면, LED 칩에서 발광하는 광이 표면 거칠기로 인해 난반사되는 것을 방지할 수 있으며, 그에 따라, 고휘도 발광다이오드 소자를 구현하는 것이 가능하다.

그러면, 이하, 도 7을 참조하여 종래 기술과 같이 도금법으로 형성된 반사부재와 본 발명에 따른 증착법으로 형성된 반사부재에 따른 반사율에 대해 상세히 설명한다.

도 7은 종래 기술에 따른 표면실장형 LED 패키지와 본 발명에 따른 표면실장형 LED 패키지의 반사율을 비교하여 나타낸 그래프로서, 즉, 도금법에 의해 패키지 내부에 형성된 반사부재를 가지는 종래 표면실장형 LED 패키지와 증착법에 의해 형성된 제1 및 제2 반사막을 포함하는 반사부재를 가지는 본 발명에 따른 표면실장형 LED 패키지의 반사율을 비교하여 나타낸 그래프이다.

도 7을 참조하면, 표면실장형 LED 패키지가 증착법으로 이루어진 반사부재를 구비할 경우, 도금법으로 이루어진 반사부재를 구비하고 있을 경우에 비하여 반사율(%)이 2배 이상 높은 것을 알 수 있다.

또한, 상기 반사부재(30)는 상기 리드프레임(27)과 연결되지 않거나, 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 반사부재(30)의 일측만이 상기 리드프레임(27)과 연결되어 리드프레임(27)을 이루는 한쌍의 전극이 서로 단락되는 것을 방지하고 있다.

실시예 2

그러면, 다음으로, 도 6 및 앞서 설명한 도 4를 참고로, 본 발명의 제2 실시예에 대해 설명하기로 한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.

도 6은 도 4에 나타낸 표면실장형 LED 패키지의 'A' 부분을 확대하여 나타낸 확대도로서, 제2 실시예에 따른 반사부재의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.

도 4 및 도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반사부재(30)는 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 실시예에 따른 반사부재와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 제1 실시예에 따른 반사부재(30)의 제2 반사막(35) 중 제1 반사막(33)이 형성되지 않은 다른 면에 절연물로 형성된 보호막(37)을 더 포함한다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.

이때, 상기 보호막(37)은, Au, Ni, Ti, Mo, Ru, Rh, Pd, Pt, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 약 1~1000Å 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 1~50Å 두께로 형성되어 있다. 즉, 상기 보호막(37)은 상기 제2 반사막(35)을 외부의 다른 환경적, 화학적인 요인으로부터 보호하는 역할만 하기 때문에 전체적으로 균일한 두께를 가지고 있기 만 한다면 한정되지 않는다.

또한, 상기 보호막(37)은, 제1 및 제2 반사막(33, 35)과 마찬가지로 PVD 또는 CVD와 같은 증착법을 사용하여 형성되므로, 우수한 표면 평탄도를 가진다.

이러한 제2 실시예에 따른 반사부재는, 제1 실시예에 따른 반사부재와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있을 뿐 아니라, 제1 실시예에 비하여 보호막(37)을 더 포함하고 있기 때문에 보호막(37)에 의해 반사부재를 불필요한 외부전류 등과 같은 외부의 다른 환경적, 화학적인 요인으로부터 보호할 수 있어 발광다이오드 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 우수한 효과를 얻을 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 발광다이오드 패키지의 내부에 반사부재를 구비하되, 별도의 공정으로 제조된 반사부재를 패키지 내부에 삽입하므로, 반사부재의 제조 공정을 용이하게 하여 발광다이오드 패키지의 전반적인 제조 공정을 단순 화시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 발광다이오드 패키지의 내부 측벽에 열전도성이 높은 본딩제를 이용하여 반사부재를 부착시킴으로써, 발광다이오드 소자의 광효율을 높이는 동시에 방열 효과 또한 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 반사부재의 내측에 절연물로 형성된 보호막을 더 구비하여 다른 환경적, 화학적 요인으로부터 반사부재를 보호할 수 있다.

따라서, 본 발명은 발광다이오드 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (21)

1. 상·하가 개방되어 있는 소정 형상으로 별도로 제작된 반사판;

   상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1 반사막 및

   상기 반사판과 접촉하지 않는 상기 제1 반사막의 다른 면에 형성된 제2 반사막을 포함하는 발광소자용 반사부재.
2. 제1항에 있어서,

   상기 반사판은 플라스틱 수지 또는 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 발광소자용 반사부재.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제1 반사막은 Co, Ni, Ti, Cr, Fe, Rh 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되어 접착층 역할을 하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사부재.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제2 반사막은 Ag, Al, Rh, Pd, Pt, Ru, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되어 반사층 역할을 하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사부재.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 반사막은 증착법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사부재.
6. 제1항에 있어서,

   상기 제2 반사막의 외측벽에 형성된 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사부재.
7. 제1항에 있어서,

   상기 보호막은 Au, Ni, Ti, Mo, Ru, Rh, Pd, Pt, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사부재.
8. 제7항에 있어서,

   상기 보호막은 증착법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자용 반사부재.
9. 한 쌍의 리드 단자로 형성된 리드프레임;

   상기 리드프레임의 일부가 내측에 수용되도록 합성수지재로 형성된 패키지;

   상기 패키지 내부의 리드프레임 상에 실장된 LED 칩;

   상기 패키지 내부에 충진되어 상기 LED 칩을 보호하는 몰딩재;

   상기 패키지 내부에 삽입되는 반사부재로 이루어져 있으며, 상기 반사부재는 상기 패키지 내면의 형상으로 상하가 개방되도록 사출성형된 반사판과, 상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1반사막, 및 상기 반사판과 접촉되지 않는 상기 제1반사막의 다른 면에 형성된 제2반사막이 순차적으로 적층되어 있는 다층구조로 이루어져 상기 패키지 내부 측벽을 따라 측벽에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
10. 제9항에 있어서,

    상기 반사부재의 외부 측벽은 상기 패키지의 내부 측벽의 너비와 일치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
11. 제9항에 있어서,

    상기 반사부재는 상기 리드프레임과 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
12. 제9항에 있어서,

    상기 반사부재의 일측 하부는 상기 리드프레임과 연결되지 않는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
13. 제9항에 있어서,

    상기 반사부재를 상기 패키지 내부 측벽에 부착시키는 수단은 투명 에폭시 또는 실리콘계 수지를 주성분으로 하는 본딩제임을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
14. 제13항에 있어서,

    상기 본딩제는 열전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
15. 제9항에 있어서,

    상기 반사판은 플라스틱 수지 또는 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
16. 제9항에 있어서,

    상기 제1 반사막은 Co, Ni, Ti, Cr, Fe, Rh 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되어 접착층 역할을 하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
17. 제9항에 있어서,

    상기 제2 반사막은 Ag, Al, Rh, Pd, Pt, Ru, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성되어 반사층 역할을 하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
18. 제9항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 반사막은 증착법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
19. 제9항에 있어서,

    상기 제2 반사막의 외측벽에 형성된 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
20. 제19항에 있어서,

    상기 보호막은 Au, Ni, Ti, Mo, Ru, Rh, Pd, Pt, 백금족 원소 및 이를 포함하는 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
21. 제20항에 있어서,

    상기 보호막은 증착법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.

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