KR20050029384A - 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드를 PCB 상에 함께 실장함으로써 동작중 발생하는 열을 신속히 배출하여 광출력 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 발광 다이오드에서 발생하는 광을 반사시키기 위하여 반사홀이 형성된 PCB: 상기 PCB의 반사홀 상에 배치되어 있는 반사 코팅층; 상기 PCB의 반사 코팅층 상에 실장되어 있는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드가 실장되어 있는 반사홀 상에 주입된 충진제; 상기 충진제 상에 결합되어 있는 몰드 렌즈; 및 상기 PCB의 반사 코팅층 상에 배치되어 있는 하나 이상의 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 발광 다이오드는 상기 PCB의 반사홀 상에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩에 의하여 실장되어 있고, 상기 PCB의 반사홀 상에 주입되는 충진제의 형상은 평면형, 오목형, 볼록형 또는 요철형 중 어느 하나의 형상을 갖으며, 상기 반사 코팅층은 Ag 금속을 사용하는 것을 특징으로 한다.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 발광 다이오드를 PCB(Printed Circuit Board) 상에 실장함으로써, 발광 다이오드의 광출력 효율을 향상시키고, 아울러 패키지 제조 공정을 간소화할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 LED(Light Emitting Diode)란 발광 다이오드라고도 부르며, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.
보통 LED의 사용 범위는 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)와 VLED(Visible Light Emitting Diode)로 나뉘어 진다.
상기의 LED의 구조는 일반적으로 다음과 같다.
일반적으로 적색 LED와 달리 청색 LED는 사파이어 기판 상에 N형 GaN 층이 형성되고, 상기 N형 GaN 층 표면의 일측 상에 N-메탈이 있고, 상기 N-메탈이 형성된 영역 이외에 활성층을 형성되어 있다.
그리고, 상기 활성층 상에 P형 GaN 층이 형성되고, 상기 P형 GaN 층 상에 P-메탈이 형성되어져 있다.
상기 활성층은 P 메탈을 통하여 전송되어 오는 정공과 N 메탈을 통하여 전송해오는 전자가 결합하여 광을 발생시키는 층이다.
상기와 같은 LED는 출력되는 광의 세기에 따라, 가정용 가전 제품, 전광판 등에 사용되는데, 다음은 백라이트용 리드 프레임 상에 LED를 패키지한 구조를 도시한 것이다.
특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화(slim) 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며 PCB(Printed Circuit Board: 이하 PCB라고 함) 기판에 직접 장착하기 위하여 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있다.
이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다. 이러한 SMD는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
상기와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전동 등 요구되는 휘도의 량도 갈수록 높아져서, 최근에는 고출력 발광 다이오드가 널리 쓰이고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지 구조를 분해한 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 블루 LED 패키지 구조는 외부 PCB로부터 상기 발광 다이오드에 전원을 인가시키기 위한 전극 리드 프레임(102)이 발광 다이오드 패키지 몸체(100)에 각각 형성 배치되어 있다.
상기 발광 다이오드 패키지 몸체(100) 상부에는 발광 다이오드(10)에서 발생되는 광을 높은 광효율로 발산하기 위한 몰드 렌즈(111)가 부착된다.
상기 발광 다이오드 패키지 몸체(100) 하측으로는 발광 다이오드(10)를 실장한 어셈블리가 결합하는데, 먼저 전기적 전도체(20) 상에 광반사율이 높은 반사컵(21)을 결합한다.
상기 발광 다이오드(10)는 실리콘으로 형성된 서브 마운트(15) 상에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩에 의하여 실장되는데, 도면에는 도시하지 않았지만, 서브 마운트(15)를 식각하여 서브 마운트에 반사홀을 형성하고 상기 반사홀 상에 반사층을 형성한 다음 상기 발광 다이오드(10)를 실장한다.
이렇게 상기 서브 마운트(15) 상에 발광 다이오드(10)가 실장되면 상기 서브 마운트(15)를 상기 전도체(20) 상에 형성되어 있는 반사컵(21) 상에 실장한 다음, 전원을 인가될 수 있도록 상기 발광 다이오드 몸체(100)의 전극 리드 프레임(102)과 전기적 연결 공정을 진행한다.
이렇게 조립된 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드(10)에서 발생한 광을 상기 반사컵(21)에서 반사시킨 다음, 상기 몰드 렌즈(111)를 통하여 외부로 발산하게 된다.
그러나, 상기와 같은 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지는 높은 출력의 광을 얻기 위하여 전류의 크기를 높일 경우에는 발광 다이오드 내에서 높은 열이 발생하는데, 발광 다이오드 패키지 내부가 열에 의하여 온도가 상승할 경우 저항이 매우 높아져 광효율이 저하되는 문제가 있다.
또한, 종래 발광 다이오드 패키지는 전도체, 반사컵, 패키지 몸체등이 각각 분리되어 있으므로 열저항체들이 많이 존재하여 상기 발광 다이오드에서 발생하는 열이 쉽게 외부로 전달되지 않는 단점이 있다.
본 발명은, MCPCB을 이용하여 열전도와 전기 전도도가 우수한 반사홀을 형성한 다음, 직접 발광 다이오드를 실장함으로써 고출력에 의한 열발생을 줄이면서, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는,
발광 다이오드에서 발생하는 광을 반사시키기 위하여 반사홀이 형성된 PCB:
상기 PCB의 반사홀 상에 배치되어 있는 반사 코팅층;
상기 PCB의 반사 코팅층 상에 실장되어 있는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드가 실장되어 있는 반사홀 상에 주입된 충진제;
상기 충진제 상에 결합되어 있는 몰드 렌즈; 및
상기 PCB의 반사 코팅층 상에 배치되어 있는 하나 이상의 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 발광 다이오드는 상기 PCB의 반사홀 상에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩에 의하여 실장되어 있고, 상기 PCB의 반사홀 상에 주입되는 충진제의 형상은 평면형, 오목형, 볼록형 또는 요철형 중 어느 하나의 형상을 갖으며, 상기 반사 코팅층은 Ag 금속을 사용하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 몰드 렌즈의 형태는 사각형, 원형, 오각형 또는 육각형중 어느 하나의 형태를 갖고, 상기 반사 코팅층은 절연층과 금속 코팅층으로 이루어지며, 상기 PCB의 반사 코팅층 상에 배치되는 전극 단자 수는 2개 이상이고, 상기 PCB는 MCPCB인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 의한 발광 다이오드 패키지 제조방법은,
PCB 기판 상에 반사홀을 형성하는 단계;
상기 반사홀이 형성되어 있는 PCB 상에 반사 코팅층을 형성하는 단계;
상기 반사 코팅층 상에 발광 다이오드를 실장하는 단계;
상기 발광 다이오드가 실장되어 있는 반사홀에 충진제를 주입하는 단계;
상기 충진제가 주입되어 있는 반사홀 상에 몰드 렌즈를 부착하는 단계; 및
상기 몰드 렌즈가 부착되어 있는 PCB의 반사 코팅층 상에 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 반사 코팅층은 상기 발광 다이오드에 전원을 인가하기 위하여 반사홀 영역의 중심 영역을 전기적으로 분리시키고, 상기 반사 코팅층은 절연층과 Ag 금속 코팅층으로 이루어져 있으며, 상기 발광 다이오드는 금속 솔더에 의하여 플립칩 본딩으로 실장하고, 상기 발광 다이오드는 금속 와이어에 의하여 와이어 본딩으로 실장하며, 상기 반사홀 상에 주입한 충진제의 표면 형상은 평면형, 오목형, 볼록형 또는 요철형상을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드 패키지의 열저항체를 최소화함으로써 발광 다이오드의 광출력을 높일 경우에도 일정한 온도를 유지할 수 있기 때문에 온도 변화에 따른 색좌표, 피크파장, 반치폭에 대한 변화를 방지할 수 있다.
또한, PCB 상에 직접 발광 다이오드를 실장하므로 패키지 제조 공정을 단순화할 수 있는 이점이 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 패키지 구조를 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board)을 이용하여 제조된 발광 다이오드 패키지로써, 상기 PCB(200)에 발광 다이오드(210)에서 발생하는 광을 반사시킬 반사홀을 형성한 다음, 상기 발광 다이오드(210)를 플립칩 본딩 하였다.
첫째로 상기 PCB(200)에 상기 발광 다이오드(210)가 실장될 반사홀을 형성한 다음 내부에 열전도성 및 고반사를 위하여 반사 코팅층(201)을 형성한다.
상기 반사 코팅층(201)은 열전도성이 우수한 절연층과 상기 절연층 상에 반사율이 높은 고반사 전도성 재질인 Ag로 코팅된 금속 코팅층으로 형성되어 상기 발광 다이오드(210)에서 발생하는 광을 반사하는 역할을 할 뿐만 아니라, 이후 상기 발광 다이오드(210)에 전원을 인가할 패키지 전극(230, 220)과 연결되기 때문에 중심부에 분리 영역을 형성한다.
즉, 상기 PCB(200) 상에 형성된 반사홀 내측에 형성되는 상기 반사 코팅층(201)은 중심 영역이 전기적으로 단선된 구조가 되도록 형성한다.
이와 같이, 상기 PCB(200) 상에 상기 반사 코팅층(201)이 형성되면, 상기 발광 다이오드(210)의 플립칩 본딩에 의하여 상기 PCB(200) 상에 실장하는데, 상기 발광 다이오드(210)의 P전극과 N전극이 금속 솔더(SOLDER:218)에 의하여 상기 반사 코팅층(201)과 전기적으로 연결된다.
상기와 같이 발광 다이오드(210)가 실장되면 상기 반사 코팅층(201)의 양측에 캐소드 전극(230)과 애노드 전극(220)을 솔더 본딩 방식에 의하여 형성한다.
그런 다음, 상기 발광 다이오드(210)가 실장되어 있는 PCB(200)의 반사홀 상에 플립칩 본딩된 발광 다이오드(210) 전극 영역의 산화 방지와 공기 저항에 의한 광손실을 줄이면서, 열전도율을 높이기 위하여 이후 실장되는 몰드 렌즈(250)와 굴절율이 비슷한 충진제(231)를 주입한다.
상기 충진제(231)는 일반적으로 실리콘 계열의 수지를 사용하며 상기 반사홀 상에 충진되는 충진제(231)의 표면은 상기 반사홀의 단차층과 수평이 되게 하거나 광효율 향상을 위하여 오목 구조, 볼록 구조 및 요철 구조 등으로 형성할 수 있다.
상기 충진제(231)가 상기 PCB(200)의 반사홀 상에 주입되면 몰드 렌즈(250)를 부착하는데, 본 발명에서와 같은 공정에 의하여 PCB(200) 상에 반사홀을 형성한 경우에는 상기 몰드 렌즈(250)의 높이를 줄여 패키지의 부피를 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에서는 발광 다이오드를 직접 PCB의 반사홀 상에 실장하기 때문에 패키지 제조 공정이 단순화되는 이점이 있다.
도 3은 본 발명에 따른 다른 실시 예에 의한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board)에 발광 다이오드(210)에서 발생하는 광을 반사시킬 반사홀을 형성한 다음, 상기 발광 다이오드(210)를 와이어(218) 본딩에 의하여 실장하였다.
상기 도 2에서 설명한데로, 상기 PCB(200)에 상기 발광 다이오드(210)가 실장될 반사홀을 형성한 다음 내부에 열전도성 및 고반사를 위하여 Ag 금속으로 반사 코팅층(201)을 형성한다.
상기 반사 코팅층(201)은 열전도성이 우수한 절연층과 상기 절연층 상에 반사율이 높은 고반사 전도성 재질인 Ag로 코팅된 금속 코팅층으로 형성되어 상기 발광 다이오드(210)에서 발생하는 광을 반사하는 역할 뿐만 아니라 이후, 상기 발광 다이오드(210)에 전원을 인가할 패키지 전극(230, 220)과 연결되기 때문에 중심부에 분리 영역을 형성한다.
즉, 상기 PCB(200) 상에 형성된 반사홀 내측에 형성되는 반사 코팅층(201)은 중심 영역이 전기적으로 단선된 구조를 하도록 형성한다.
이와 같이 PCB(200) 상에 반사 코팅층(201)이 형성되면, 상기 발광 다이오드(210)를 상기 반사홀 하측에 실장하고, 상기 발광 다이오드(210)의 P 전극과 N 전극을 상기 반사 코팅층(201) 상에 전기적으로 연결시킨다.
상기와 같이 발광 다이오드(210)가 실장되면 상기 반사 코팅층(201)의 양측에 캐소드 전극(220)과 애노드 전극(230)을 솔더 본딩 방식에 의하여 형성한다.
그런 다음, 상기 발광 다이오드(210)가 실장되어 있는 PCB(200)의 반사홀 상에 와이어(218)의 산화 방지와 공기 저항에 의한 광손실을 줄이면서 열전도율을 높이기 위하여 이후 실장되는 몰드 렌즈(250)와 굴절율이 비슷한 충진제(231)를 주입한다.
상기 충진제(231)는 일반적으로 실리콘 계열의 수지를 사용하고, 그 구조를 볼록 구조, 요철 구조 등으로 형성한다. 이때 상기 와이어(218)의 높이를 고려하여 일정한 높이를 유지할 수 있도록 충진제(231)를 주입하여야 한다.
상기 충진제(231)가 상기 PCB(200)의 반사홀 상에 주입되면 몰드 렌즈(250)를 부착하는데, 본 발명에서와 같이 PCB(200) 상에 반사홀을 형성한 경우에는 상기 몰드 렌즈(250)의 높이를 줄여 패키지의 부피를 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에서는 발광 다이오드를 직접 PCB의 반사홀 상에 실장하기 때문에 패키지 제조 공정이 단순화되는 이점이 있다.
도 4는 본 발명에 따른 MCPCB에 구성된 반사 코팅층을 상세하게 도시한 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 도 2와 도 3에서 MCPCB(200)에 형성되어 있는 반사 코팅층(201)의 구조는 반사홀이 형성된 PCB(200) 상에 열전도성이 우수한 재질을 이용하여 절연층(201b)이 형성되어 있고, 상기 절연층(201b) 상에는 Ag와 같은 반사율이 높은 고반사 전도성 재질로 금속 코팅층(201a)이 형성되어 있다.
상기 반사 코팅층(201a, 201b)은 실장된 발광 다이오드에 전원을 공급하는 전극 역할도 하기 때문에 전기적 전도도가 우수하고 반사율이 높은 금속을 사용한다.
도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도로서, 도시된 바와 같이 최종적으로 발광 다이오드 패키지를 제작할 경우 외부적 형태는 사각형 또는 원형 형태로 제작할 수 있으나, 이에 한정하지 않고 다양한 구조를 갖도록 할 수 있다.
또한, 전기적 접속을 위하여 전극을 4군데 영역으로 배치할 수 있어 다양한 형태의 모듈을 구성하더라도 전원 공급에 문제가 없도록 하였다.
따라서, 본 발명에서는 열전도가 우수할 뿐만 아니라 저항이 낮고, 반사율이 높은 PCB 상에 발광 다이오드를 직접 실장 함으로써, 광효율을 향상시킬 수 있고, 발광 다이오드 칩 내부의 온도를 일정하게 유지할 수 있으므로, 온도 변화에 따른 색좌표, 피크 파장, 반치폭등의 변화를 방지할 수 있다.
그리고 발광 다이오드에서 발생하는 광을 반사하는 반사컵을 PCB로 형성하기 때문에 발광 다이오드 패키지의 몰드 렌지의 높이를 낮출수 있고, 종래 실리콘 서브 마운트에 발광 다이오드를 실장하여 다시 PCB 상에 실장하던 공정을 생략할 수 있어 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 발광 다이오드 패키지의 열저항체를 최소화함으로써 발광 다이오드의 광출력을 높일 경우에도 일정한 온도를 유지할 수 있기 때문에 온도 변화에 따른 색좌표, 피크파장, 반치폭에 대한 변화를 방지하는 효과가 있다.
또한, PCB 상에 직접 발광 다이오드를 실장하므로 패키지 제조 공정을 단순화할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지 구조를 분해한 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 패키지 구조를 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 다른 실시 예에 의한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 MCPCB에 구성된 반사 코팅층을 상세하게 도시한 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
200: PCB 201: 반사 코팅층
210: 발광 다이오드 218: 솔더(SOLDER)
220: 캐소드 전극 230: 애노드 전극
231: 충진제 250: 몰드 렌즈

Claims (14)

  1. 발광 다이오드에서 발생하는 광을 반사시키기 위하여 반사홀이 형성된 PCB:
    상기 PCB의 반사홀 상에 배치되어 있는 반사 코팅층;
    상기 PCB의 반사 코팅층 상에 실장되어 있는 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드가 실장되어 있는 반사홀 상에 주입된 충진제;
    상기 충진제 상에 결합되어 있는 몰드 렌즈; 및
    상기 PCB의 반사 코팅층 상에 배치되어 있는 하나 이상의 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 상기 PCB의 반사홀 상에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩에 의하여 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 PCB의 반사홀 상에 주입되는 충진제의 형상은 평면형, 오목형, 볼록형 또는 요철형 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 코팅층은 Ag 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰드 렌즈의 형태는 사각형, 원형, 오각형 또는 육각형중 어느 하나의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 코팅층은 절연층과 금속 코팅층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 PCB의 반사 코팅층 상에 배치되는 전극 단자 수는 2개 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 PCB는 MCPCB인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. PCB 기판 상에 반사홀을 형성하는 단계;
    상기 반사홀이 형성되어 있는 PCB 상에 반사 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 반사 코팅층 상에 발광 다이오드를 실장하는 단계;
    상기 발광 다이오드가 실장되어 있는 반사홀에 충진제를 주입하는 단계;
    상기 충진제가 주입되어 있는 반사홀 상에 몰드 렌즈를 부착하는 단계; 및
    상기 몰드 렌즈가 부착되어 있는 PCB의 반사 코팅층 상에 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반사 코팅층은 상기 발광 다이오드에 전원을 인가하기 위하여 반사홀 영역의 중심 영역을 전기적으로 분리시킨 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 반사 코팅층은 절연층과 Ag 금속 코팅층으로 이루어져있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 금속 솔더에 의하여 플립칩 본딩으로 실장하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 금속 와이어에 의하여 와이어 본딩으로 실장하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 반사홀 상에 주입한 충진제의 표면 형상은 평면형, 오목형, 볼록형 또는 요철형상을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050099386A (ko) * 2004-04-09 2005-10-13 서울반도체 주식회사 광 지향각이 향상된 발광 다이오드 렌즈 및 이를 구비하는발광 다이오드
KR100646155B1 (ko) * 2005-04-14 2006-11-14 주식회사 코스텍시스 발광다이오드 모듈
KR100699578B1 (ko) * 2005-08-02 2007-03-23 삼성전기주식회사 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지
KR100731678B1 (ko) * 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
KR100764420B1 (ko) * 2005-12-23 2007-10-05 삼성전기주식회사 슬림형 엘이디 패키지
KR100852100B1 (ko) * 2006-11-06 2008-08-13 주식회사 이츠웰 초박형 표면실장 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100910716B1 (ko) * 2007-09-28 2009-08-04 서울반도체 주식회사 몰딩형 ｌｅｄ 패키지
KR100934494B1 (ko) * 2007-12-26 2009-12-30 희성전자 주식회사 백라이트 광원용 엘이디 패키지
WO2010044548A3 (ko) * 2008-10-16 2010-07-01 엘지이노텍주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법, 발광 장치
WO2010132526A2 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Light Prescriptions Innovators, Llc Dimmable led lamp
CN103931002A (zh) * 2011-01-31 2014-07-16 克里公司 用于倒装芯片安装的水平led的反射安装衬底
KR20150102907A (ko) * 2015-08-21 2015-09-09 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN106058027A (zh) * 2016-06-29 2016-10-26 深圳市源磊科技有限公司 一种带透镜的led光源及其制作方法
KR20170023308A (ko) * 2015-08-20 2017-03-03 주식회사 코런 엘이디 전광판이 내장된 플렉스 간판

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100999699B1 (ko) 2008-09-01 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101007131B1 (ko) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102006388B1 (ko) 2012-11-27 2019-08-01 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050099386A (ko) * 2004-04-09 2005-10-13 서울반도체 주식회사 광 지향각이 향상된 발광 다이오드 렌즈 및 이를 구비하는발광 다이오드
KR100646155B1 (ko) * 2005-04-14 2006-11-14 주식회사 코스텍시스 발광다이오드 모듈
KR100699578B1 (ko) * 2005-08-02 2007-03-23 삼성전기주식회사 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지
KR100764420B1 (ko) * 2005-12-23 2007-10-05 삼성전기주식회사 슬림형 엘이디 패키지
TWI415291B (zh) * 2006-05-08 2013-11-11 Seoul Semiconductor Co Ltd 晶片型ｌｅｄ封裝以及具有該封裝的發光裝置
US7999276B2 (en) 2006-05-08 2011-08-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-type LED package and light emitting apparatus having the same
WO2007129847A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-type led package and light emitting apparatus having the same
KR100731678B1 (ko) * 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
KR100852100B1 (ko) * 2006-11-06 2008-08-13 주식회사 이츠웰 초박형 표면실장 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100910716B1 (ko) * 2007-09-28 2009-08-04 서울반도체 주식회사 몰딩형 ｌｅｄ 패키지
KR100934494B1 (ko) * 2007-12-26 2009-12-30 희성전자 주식회사 백라이트 광원용 엘이디 패키지
WO2010044548A3 (ko) * 2008-10-16 2010-07-01 엘지이노텍주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법, 발광 장치
CN101981714A (zh) * 2008-10-16 2011-02-23 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及其制造方法和发光装置
US8618558B2 (en) 2008-10-16 2013-12-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light emitting apparatus
WO2010132526A3 (en) * 2009-05-13 2011-02-17 Light Prescriptions Innovators, Llc Dimmable led lamp
US8253316B2 (en) 2009-05-13 2012-08-28 Light Prescriptions Innovators, Llc Dimmable LED lamp
WO2010132526A2 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Light Prescriptions Innovators, Llc Dimmable led lamp
CN103931002A (zh) * 2011-01-31 2014-07-16 克里公司 用于倒装芯片安装的水平led的反射安装衬底
KR20170023308A (ko) * 2015-08-20 2017-03-03 주식회사 코런 엘이디 전광판이 내장된 플렉스 간판
KR20150102907A (ko) * 2015-08-21 2015-09-09 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN106058027A (zh) * 2016-06-29 2016-10-26 深圳市源磊科技有限公司 一种带透镜的led光源及其制作方法

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