KR102006388B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR102006388B1
KR102006388B1 KR1020120135565A KR20120135565A KR102006388B1 KR 102006388 B1 KR102006388 B1 KR 102006388B1 KR 1020120135565 A KR1020120135565 A KR 1020120135565A KR 20120135565 A KR20120135565 A KR 20120135565A KR 102006388 B1 KR102006388 B1 KR 102006388B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive region
light emitting
package substrate
stress
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020120135565A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140067823A (ko
Inventor
장성욱
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020120135565A priority Critical patent/KR102006388B1/ko
Priority to US14/011,388 priority patent/US9041283B2/en
Publication of KR20140067823A publication Critical patent/KR20140067823A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102006388B1 publication Critical patent/KR102006388B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

발광 소자 패키지는 패키지 기판과, 패키지 기판상에 실장된 발광 소자를 포함한다. 패키지 기판은 발광 소자와 오버랩되는 부분을 각각 포함하는 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역과, 패키지 기판을 관통하면서 패키지 기판을 횡단하여 연장되는 전극 분리부와, 패키지 기판의 에지부에서 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역 각각의 적어도 일부를 포위하도록 연장되고 전극 분리부를 사이에 두고 양측에서 서로 다른 폭을 가지는 스트레스 릴리즈부를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지 {Light emitting device package}
본 발명의 기술적 사상은 발광 소자 패키지에 관한 것으로, 특히 전극 분리부를 가지는 패키지 기판을 포함하는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드 (light emitting diode: LED)는 화합물 반도체 (compound semiconductor)의 PN 접합을 통해 전기적인 신호를 빛으로 변화시키는 반도체 발광소자이다. LED의 사용 분야가 실내외 조명, 자동차 헤드라이트, 디스플레이 장치의 백라이트 유닛 (back-light unit: BLU), 의료 기기 등 다양한 분야에 걸쳐 확대됨에 따라, 제조 단가 측면에서 유리한 재료를 포함하면서 제품의 신뢰성 및 장기 안정성을 확보할 수 있는 구조를 가지는 LED 패키지를 개발할 필요가 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 제품의 신뢰성 및 장기 안정성을 확보할 수 있는 구조를 가지는 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 기판과, 상기 패키지 기판상에 실장된 발광 소자를 포함한다. 상기 패키지 기판은 상기 발광 소자와 오버랩되는 부분을 각각 포함하는 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역과, 상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역을 전기적으로 분리하기 위하여 상기 제1 도전 영역과 상기 제2 도전 영역과의 사이에서 상기 패키지 기판을 관통하면서 상기 패키지 기판을 횡단하여 연장되는 전극 분리부와, 상기 패키지 기판의 에지부에서 상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 각각의 적어도 일부를 포위하도록 연장되고 상기 전극 분리부를 사이에 두고 양측에서 서로 다른 폭을 가지는 스트레스 릴리즈부 (stress release portion)를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 양태에 따른 발광 소자 패키지는 전극 분리부에 의해 서로 분리된 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역과, 상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 각각의 적어도 일부를 포위하는 스트레스 릴리즈부 (stress release portion)를 포함하는 패키지 기판과, 상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 위에 오버랩되고 상기 전극 분리부를 가로질러 연장되어 있는 발광 소자를 포함하고, 상기 스트레스 릴리즈부는 제1 폭을 가지고 상기 제1 도전 영역의 적어도 일부를 포위하는 제1 스트레스 릴리즈부와, 상기 제1 폭보다 더 큰 제2 폭을 가지고 상기 제2 도전 영역의 적어도 일부를 포위하는 제2 스트레스 릴리즈부를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 발광 소자 패키지는 전극 분리부를 중심으로 서로 분리된 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역을 포함하는 패키지 기판에서, 상기 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역의 주위의 적어도 일부를 포위하는 스트레스 릴리즈부를 포함한다. 특히, 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역이 각각 차지하는 면적의 차이를 줄이기 위하여, 상기 제1 도전 영역의 주위에 형성된 제1 스트레스 릴리즈부의 폭보다 상기 제2 도전 영역의 주위에 형성된 제2 스트레스 릴리즈부의 폭이 더 크다. 따라서, 패키지 기판의 온도가 상승할 때, 상기 패키지 기판상에 실장된 발광 소자에 미치는 열에 의한 영향이 상기 발광 소자 전체에 걸쳐서 비교적 고르게 분산될 수 있다. 또한, 상기 스트레스 릴리즈부가 없는 경우에 비하여, 상기 전극 분리부와 상기 제1 및 제2 도전 영역과의 열팽창 계수 차이로 인해 상기 발광 소자에서 받을 수 있는 열적 스트레스가 현저하게 감소될 수 있다. 그 결과, 열적 스트레스로 인해 발광 소자에서 크랙이 발생하거나, 수명이 단축되는 등의 문제를 방지할 수 있고, 발광 소자 패키지를 포함하는 제품의 신뢰성 및 장기 안정성을 확보할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부(要部) 구성을 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 B - B' 선 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 도 1a 및 도 1b에 예시한 패키지 기판의 예시적인 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1a 및 도 1b에 예시한 패키지 기판의 다른 예시적인 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 4 내지 도 9는 각각 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지들의 요부 구성을 도시한 평면도들이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조광 시스템 (dimming system)을 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광 처리 시스템의 블록 다이어그램이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것으로, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열을 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역, 부위, 또는 구성 요소를 다른 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소는 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
첨부 도면에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1a는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)의 요부(要部) 구성을 도시한 평면도이다. 도 1b는 도 1a의 B - B' 선 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 기판(110)과, 상기 패키지 기판(110)상에 실장된 발광 소자(150)를 포함한다. 상기 패키지 기판(110)은 상기 발광 소자(150)를 지지한다. 상기 패키지 기판(110)은 외부의 PCB (printed circuit board) (도시 생략)에 연결될 수 있다.
상기 패키지 기판(110)은 상기 발광 소자(150)와 오버랩(overlap)되는 부분을 각각 포함하는 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)과, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)을 전기적으로 분리하기 위한 전극 분리부(120)와, 상기 패키지 기판(110)의 에지부에 형성된 스트레스 릴리즈부 (stress release portion)(130)를 포함한다.
상기 발광 소자(150)와 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)을 각각 상호 전기적으로 연결하기 위하여 상기 발광 소자(150)와 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)과의 사이에 각각 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)이 개재되어 있다. 상기 발광 소자(150)의 캐소드(cathode) 및 애노드(anode) 중 어느 하나는 상기 제1 도전성 접합층(162)을 통해 상기 제1 도전 영역(112)에 연결되고, 상기 캐소드 및 애노드 중 다른 하나는 상기 제2 도전성 접합층(164)을 통해 상기 제2 도전 영역(114)에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 발광 소자(150)의 캐소드가 상기 제1 도전 영역(112)에 연결되고, 상기 애노드가 상기 제2 도전 영역(114)에 연결될 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 발광 소자(150)의 캐소드가 상기 제2 도전 영역(114)에 연결되고, 상기 애노드가 상기 제1 도전 영역(112)에 연결될 수 있다.
상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)이 상기 패키지 기판(110)에서 차지하는 면적은 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 도전 영역(112)의 면적보다 상기 제2 도전 영역(114)의 면적이 더 클 수 있다.
상기 패키지 기판(110)은 플라스틱 및 세라믹에 비해 열전도도가 높은 금속을 포함할 수 있다. 상기 패키지 기판(110)에서의 방열 특성을 극대화하기 위하여, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)은 각각 금속으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)은 Al, Cu, Mg, Zn, Ti, Ta, Hf, Nb, AlN, SiC, 및 이들의 합금 중에서 선택되는 적어도 하나의 재료로 이루어질 수 있다.
상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)이 금속으로 이루어짐으로써, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)이 상기 발광 소자(150)를 지지하는 역할 뿐 만 아니라, 상기 발광 소자(150)에서 발생되는 열을 외부로 방출하는 히트 싱크 (heat sink) 역할을 수행할 수도 있다.
일부 실시예들에서, 상기 발광 소자(150)는 발광다이오드(light emitting diode: LED) 칩으로 이루어질 수 있다. 상기 LED 칩은 상기 LED 칩을 구성하는 화합물 반도체의 종류에 따라 청색, 녹색, 적색 등을 발광할 수 있다. 또는, 상기 LED 칩은 자외선을 발광할 수도 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 발광 소자(150)는 UV 광 다이오드 칩, 레이저 다이오드 칩, 또는 유기 발광 다이오드 칩으로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상에 따르면, 상기 발광 소자(150)는 상기 예시된 것들에만 한정되는 것은 아니며, 다양한 광 소자로 구성될 수 있다.
상기 전극 분리부(120)는 상기 2 개의 도전 영역(112, 114) 사이에서 상기 패키지 기판(110)을 그 두께 방향으로 관통하면서 상기 패키지 기판(110)을 제1 방향 (도 1a에서 Y 방향)으로 횡단하여 연장된다.
상기 스트레스 릴리즈부(130)는 상기 발광 소자(150)에서의 열적 스트레스를 완화시키는 역할을 한다. 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)을 완전히 포위하도록 상기 기판(110)의 에지를 따라 연장되어 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 상기 제1 도전 영역(112)의 일부, 또는 제2 도전 영역(114)의 일부를 포위하도록 상기 패키지 기판(110)의 에지의 일부 영역을 따라 연장될 수도 있다. 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 상기 전극 분리부(120)의 폭보다 더 큰 폭을 가지고 연장되어 있다.
일부 실시예들에서, 상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
일부 실시예들에서, 상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 절연성 금속 산화막으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 Al, Mg, Zn, Ti, Ta, Hf, 또는 Nb의 애노다이징(anodizing) 처리에 의해 얻어진 절연성 금속 산화막으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 애노다이징 처리에 의해 얻어진 금속 산화막으로 이루어지는 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)를 얻기 위한 예시적인 공정에서, 금속 기판을 준비한 후, 상기 금속 기판상에서 분리하고자 하는 영역을 선택적으로 애노다이징 처리할 수 있다. 상기 애노다이징 처리를 위하여, 별도의 지그를 제작하여 직접 애노다이징 처리를 행할 수 있다. 또는, 원하는 마스크 패턴을 상기 금속 기판상에 형성한 후, 상기 금속 기판 중 상기 마스크 패턴을 통해 부분적으로 노출되는 영역들을 애노다이징 처리할 수도 있다. 상기 애노다이징 처리 후, 상기 마스크 패턴을 제거하고, 상기 마스크 패턴의 제거에 의해 노출된 상기 금속 기판의 표면과 상기 애노다이징 처리된 표면에서의 표면 조도를 조절하기 위하여 전해 연마 공정을 더 수행할 수 있다. 상기 마스크 패턴을 제거한 후 노출되는 금속 기판 부분을 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)으로 사용할 수 있다.
상기 전극 분리부(120)는 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)을 상호 전기적으로 분리시키는 역할 뿐 만 아니라, 상기 발광 소자(150)로부터 발생되는 열을 외부로 방출하는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 상기 발광 소자(150)에서의 열적 스트레스를 완화시키는 역할 뿐 만 아니라, 상기 발광 소자(150)로부터 발생되는 열을 외부로 방출하는 역할을 수행할 수도 있다.
다른 일부 실시예들에서, 상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 각각 금속을 포함하지 않는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)는 각각 절연성 수지로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 절연성 수지는 에폭시, PPA (polyphthal amide), LCP (liquid crystal polymer), PPS (polyphenylene sulfide), 또는 PEEK (polyetheretherketone)으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 금속을 포함하지 않는 절연 물질로 이루어지는 상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)를 형성하기 위한 예시적인 공정에서, 금속 기판의 상면에 마스크 패턴을 형성한 후, 상기 마스크 패턴을 통해 노출되는 영역을 식각하여 홀을 형성하고, 상기 홀 내부에 절연 물질을 채우는 공정을 이용할 수 있다.
상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)를 구성하는 재료 및 이들의 형성 방법들을 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상에 의하면 상기 전극 분리부(120) 및 상기 스트레스 릴리즈부(130)의 재료 및 형성 방법이 상기 예시된 바에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
상기 전극 분리부(120)는 패키지 기판(110)의 중심으로부터 일측으로 시프트된 위치에 형성되어 있다. 따라서, 상기 전극 분리부(120)를 기준으로 양 측에서 패키지 기판(110)의 면적이 서로 다르다. 상기 제1 도전 영역(112)은 상기 전극 분리부(120)에 의해 양분되는 패키지 기판(110)의 양측 부분 중 비교적 작은 면적을 가지는 부분에 위치되고, 상기 제2 도전 영역(114)은 상기 전극 분리부(120)에 의해 양분되는 패키지 기판(110)의 양측 부분 중 비교적 큰 면적을 가지는 부분에 위치된다.
상기 스트레스 릴리즈부(130)는 상기 전극 분리부(120)에 의해 양분되는 패키지 기판(110) 중 비교적 작은 면적을 가지는 부분에서 상기 전극 분리부(120)와 평행하게 연장되는 제1 스트레스 릴리즈부(132)와, 비교적 큰 면적을 가지는 부분에서 상기 전극 분리부(120)와 평행하게 연장되는 제2 스트레스 릴리즈부(134)를 포함한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132) 및 제2 스트레스 릴리즈부(134)는 상기 발광 소자(150)를 사이에 두고 양측에 위치된다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132)는 상기 제1 도전 영역(112)의 일부를 포위하고, 상기 제2 스트레스 릴리즈부(134)는 상기 제2 도전 영역(114)의 일부를 포위한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132) 및 제2 스트레스 릴리즈부(134)는 이들 사이에 연장되어 있는 연결부(136)를 통해 일체로 연결되어 있다. 도 1a에는 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132) 및 제2 스트레스 릴리즈부(134)가 서로 평행하게 연장되는 예를 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 스트레스 릴리즈부(132) 및 제2 스트레스 릴리즈부(134)는 서로 다른 폭을 가진다. 특히, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132) 및 제2 스트레스 릴리즈부(134)는 각각 상기 발광 소자(150)를 X 축 방향으로 지나는 어느 한 직선과 교차하는 부분에서 서로 다른 폭을 가질 수 있다. 도 1a 및 도 1b에 예시한 바와 같이, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132)는 상기 발광 소자(150)의 일측 근방에서 제1 폭(W1)을 가지고 제1 방향 (도 1a의 Y 방향)으로 연장되고, 상기 제2 스트레스 릴리즈부(134)는 상기 발광 소자(150)의 타측 근방에서 제1 폭(W1)보다 큰 제2 폭(W2)을 가지고 상기 제1 방향으로 연장될 수 있다.
상기 제2 방향 (도 1a의 X 방향)에서, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132)의 제1 폭(W1) 및 상기 제2 스트레스 릴리즈부(134)의 제2 폭(W2)은 상기 전극 분리부(120)의 폭(W3)보다 더 크다.
상기 패키지 기판(110)상에서 상기 제1 스트레스 릴리즈부(132), 제2 스트레스 릴리즈부(134), 및 전극 분리부(120)는 서로 평행하게 연장된다.
상기 발광 소자(150)는 상기 제1 도전 영역(112) 및 상기 제2 도전 영역(114)과 오버랩되도록 상기 전극 분리부(120)를 가로질러 배치되어 있다. 상기 발광 소자(150)와 상기 제1 도전 영역(112)과의 오버랩 면적보다 상기 발광 소자(150)와 상기 제2 도전 영역(114)과의 오버랩 면적이 더 클 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전극 분리부(120)를 포함하는 패키지 기판(110)에 상기 스트레스 릴리즈부(130)가 없는 경우, 상기 스트레스 릴리즈부(130)가 차지하는 면적만큼 상기 제1 도전 영역(112) 및 상기 제2 도전 영역(114) 각각의 면적이 더 확장되는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 상기 전극 분리부(120)를 사이에 두고 그 양측에 위치되는 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)이 각각 차지하는 면적 차이가 더 커질 수 있다. 따라서, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)으로부터 상기 발광 소자(150)에 인가되는 열적 스트레스 (thermal stress)가 커질 수 있다. 특히, 상기 발광 소자(150)를 상기 패키지 기판(110)상에 부착하기 위한 본딩 공정시 상기 패키지 기판(110)의 온도가 상승하면, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)과 상기 전극 분리부(120)의 열팽창 계수가 서로 다르기 때문에, 상기 패키지 기판(110)으로부터 상기 발광 소자(150)에 비교적 큰 열적 스트레스가 인가될 수 있다. 예를 들면, 유텍틱 다이 어태치 (Eutectic die attach) 공정에 의해 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)을 형성하여 상기 발광 소자(150)를 상기 패키지 기판(110)상에 고정시킬 때, 상기 패키지 기판(110)의 온도가 약 300 ℃ 또는 그 이상의 온도로 상승할 수 있다. 이 때, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)과 상기 전극 분리부(120)의 열팽창 계수 차이로 인해 상기 발광 소자(150)에 비교적 큰 열적 스트레스가 인가되고, 그 결과 상기 발광 소자(150) 중 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)에 인접한 부분에서 크랙 (crack)이 발생되어 발광 소자 패키지의 제조 과정에서 제품 불량을 야기할 수 있다. 또는, 발광 소자 패키지를 포함하는 제품을 사용하는 중에, 상기 발광 소자 패키지의 패키지 기판으로부터 발광 소자에 미치는 열적 스트레스로 인해 크랙 발생 등과 불량이 야기되어, 제품 수명이 단축될 수 있다.
그러나, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는 상기 전극 분리부(120)를 중심으로 서로 분리된 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)을 포함하는 패키지 기판(110)에서, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)의 주위를 포위하는 스트레스 릴리즈부(130)를 포함한다. 특히, 제1 도전 영역(112)이 차지하는 면적과 제2 도전 영역(114)이 차지하는 면적과의 차이를 줄이기 위하여, 상기 제2 도전 영역(114)의 주위에는 제1 스트레스 릴리즈부(132)보다 더 큰 폭을 가지는 제2 스트레스 릴리즈부(134)가 형성되어 있다. 따라서, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)에서 각각 발생되는 열로 인한 영향이 상기 발광 소자(150) 전체에 걸쳐서 비교적 고르게 분산될 수 있다. 따라서, 상기 스트레스 릴리즈부(130)가 없는 경우에 비하여 상기 발광 소자(150)에서의 열적 스트레스가 감소되고, 그 결과 열적 스트레스로 인한 크랙 발생, 수명 단축 등과 같은 문제가 야기되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 전기 전도성이 우수하며, 접합이 가능한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 각각 Au, Sn, Pb, Ag, In, Ge, Si, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 Au-Sn 합금, Pb-Ag-In 합금, Pb-Ag-Sn 합금, Pb-Sn 합금, Au-Ge 합금, Au-Si 합금, 또는 Au로 이루어질 수 있다. 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)은 유텍틱 다이 어태치 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
도 1a 및 도 1b에서는 상기 발광 소자(150)와 상기 패키지 기판(110)을 상호 전기적으로 연결시키기 위하여 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164)을 사용한 구조를 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 발광 소자(150)와 상기 패키지 기판(110)을 상호 전기적으로 연결하기 위하여 상기 제1 도전성 접합층(162) 및 제2 도전성 접합층(164) 대신 도전성 와이어들 또는 솔더 범프들을 이용할 수도 있다.
상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114) 중 어느 하나의 도전 영역 위에 실장된 제너 다이오드 (zener diode)(160)를 더 포함할 수 있다. 도 1a에는 제2 도전 영역(114) 위에 상기 제너 다이오드(160)가 부착된 구성을 예시하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다.
상기 제너 다이오드(160)는 상기 발광 소자 패키지(100) 주위에서 발생할 수 있는 정전기, 또는 발광 소자(150)에 공급되는 전압의 갑작스런 변동 등으로부터 상기 발광 소자(150)를 보호하는 역할을 할 수 있다. 상기 제너 다이오드(160)는 역방향으로 제너 전압 (항복 전압) 이상의 전위차가 인가되면 역방향으로 도통이 되는 성질을 갖는 다이오드이다. 상기 제너 다이오드(160)의 양극 및 음극 중 어느 하나의 전극은 상기 제2 도전 영역(114) 위에 직접 부착되어 상기 제2 도전 영역(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제너 다이오드(160)의 양극 및 음극 중 다른 하나의 전극은 와이어(162)를 통해 상기 제1 도전 영역(112)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제너 다이오드(160)는 상기 발광 소자(150)와 병렬적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자 패키지(100)에서 과전압이 발생했을 경우 제너 다이오드(160)를 통해 전류가 흘러 발광 소자(150)가 과전압으로부터 보호될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 제너 다이오드(160)를 포함하지 않을 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 도 1a 및 도 1b에 예시한 패키지 기판(110)의 예시적인 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 2a를 참조하면, 금속 기판(M1)을 준비한 후, 애노다이징 공정에 의해 상기 금속 기판(M1)의 일 표면에 소정 두께를 가지는 절연성 금속 산화막(S1)을 형성하여, 상기 금속 기판(M1) 및 절연성 금속 산화막(S1) 적층 구조의 서브구조체(U1)를 형성한다.
도 2b를 참조하면, 도 2a를 참조하여 설명한 바와 유사한 공정을 이용하여 금속 기판(M2, M3, ..., MN)의 일 표면에 제1 금속 산화막(S2, S3, ..., SN)이 각각 형성된 복수의 서브구조체(U2, U3, ..., UN)를 더 형성하고, 상기 복수의 서브구조체(U1, U2, U3, ..., UN)를 차례로 일렬로 접합한다.
상기 금속 기판(M1)은 Al, Mg, Zn, Ti, Ta, Hf, 또는 Nb로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 복수의 서브구조체(U1, U2, U3, ..., UN)를 접합하는 데 있어서 접합력을 높이기 위하여 접착제를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 복수의 서브구조체(U1, U2, U3, ..., UN)에서, 금속 산화막(S1, S2, S3, ..., SN)의 적어도 일부는 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 산화막(S1, S2, S3, ..., SN) 각각의 두께는 도 1a 및 도 1b에 예시한 발광 소자 패키지(100)의 패키지 기판(110)에 포함된 전극 분리부(120)의 폭 및 스트레스 릴리즈부(130)의 폭을 고려하여 결정될 수 있다.
도 2c를 참조하면, 도 2b의 결과물에서 상기 금속 기판(M1, M2, M3, ..., MN)의 노출 표면들에 애노다이징 공정을 수행하여, 상기 노출 표면들에 제2 금속 산화막(X1)이 형성된 구조체(10)를 형성한다.
도 2d를 참조하면, X 방향으로 연장된 점선(CL1)으로 표시한 컷팅 라인들 (cutting lines)을 따라 상기 구조체(10)를 일정한 크기로 절단한 후, 절단된 결과물을 다시 원하는 크기를 가지도록 Y 방향을 따라 절단하여, 일점쇄선 사각형(SUB1)으로 표시한 부분을 상면으로 가지는 복수의 패키지 기판을 형성한다. 이와 같이 형성된 복수의 패키지 기판은 각각 도 1a 및 도 1b에 예시한 패키지 기판(110)으로 사용될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1a 및 도 1b에 예시한 패키지 기판(110)의 다른 예시적인 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 3a를 참조하면, 금속 기판(20)을 준비한 후, 상기 금속 기판(20)의 상면 위에 원하는 패턴 형상을 가지는 마스크 패턴(22)을 형성하여, 상기 마스크 패턴(22)을 통해 상기 금속 기판(20)의 상면을 일부 노출시킨다.
상기 금속 기판(20)은 Al, Mg, Zn, Ti, Ta, Hf, 또는 Nb로 이루어질 수 있다. 상기 마스크 패턴(22)은 포토레지스트막으로 이루어질 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 마스크 패턴(22)을 통해 노출되는 상기 금속 기판(20)의 상면을 애노다이징 처리하여 상기 금속 기판(20)을 관통하는 절연성 금속 산화막(24)을 형성한다.
상기와 같이 형성된 절연성 금속 산화막(24)은 도 1a 및 도 1b에 예시한 발광 소자 패키지(100)의 패키지 기판(110)에 포함된 전극 분리부(120) 및 스트레스 릴리즈부(130)를 구성할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 마스크 패턴(22)을 제거하여, 상기 금속 기판(20)의 복수의 도전 영역(20A)을 노출시킨다.
일부 실시예들에서, 상기 복수의 도전 영역(20A)의 표면과 상기 절연성 금속 산화막(24)의 표면의 조도를 맞추기 위하여 전해 연마법 등을 이용하여 표면 조도를 조절할 수 있다.
도 3d를 참조하면, X 방향으로 연장되는 점선들(CL2) 및 Y 방향으로 연장되는 점선들(CL3)로 표시한 컷팅 라인들을 따라 상기 절연성 금속 산화막(24) 부분을 절단하여, 일점쇄선 사각형(SUB2)으로 표시한 부분을 상면으로 가지는 복수의 패키지 기판을 형성한다.
이와 같이 형성된 복수의 패키지 기판은 각각 도 1a 및 도 1b에 예시한 패키지 기판(110)으로 사용될 수 있다. 상기 복수의 도전 영역(20A)은 도 1a 및 도 1b에 예시한 발광 소자 패키지(100)의 패키지 기판(110)에 포함된 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)을 구성할 수 있다.
도 4 내지 도 9는 각각 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200, 300, 400, 500, 600, 700)의 요부(要部) 구성을 도시한 평면도들이다.
도 4 내지 도 9에 있어서, 도 1a 및 도 1b에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 도 4 내지 도 9에는 도 1a 및 도 1b에 예시한 제너 다이오드(160) 및 와이어(162)가 생략되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 제너 다이오드(160) 및 와이어(162)를 더 포함할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 패키지 기판(210)을 포함한다. 상기 패키지 기판(210)은 스트레스 릴리즈부(130) 대신 스트레스 릴리즈부(230)를 포함하는 것을 제외하고, 도 1a 및 도 1b에 예시한 패키지 기판(110)과 대체로 유사하다.
상기 스트레스 릴리즈부(230)는 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)을 완전히 포위하도록 패키지 기판(210)의 에지를 따라 연장되어 있다. 상기 스트레스 릴리즈부(230)는 전극 분리부(120)에 의해 상호 분리된 패키지 기판(110)의 양측 부분 중 비교적 작은 면적을 가지는 부분에 형성된 제1 스트레스 릴리즈부(232)와, 비교적 큰 면적을 가지는 부분에 형성된 제2 스트레스 릴리즈부(234)를 포함한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(232) 및 상기 제2 스트레스 릴리즈부(234)는 각각 상기 전극 분리부(120)의 폭보다 더 큰 폭을 가진다.
상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)는 상기 전극 분리부(120)와 평행하게 제1 방향 (Y 방향)을 따라 연장되고 상기 제1 도전 영역(114)의 일 부분을 포위하는 제1 부분(232A)과, 상기 제1 부분(232A)으로부터 제2 방향 (X 방향)으로 연장되고 상기 제1 도전 영역(112)의 다른 부분들을 포위하는 제2 부분(232B) 및 제3 부분(232C)을 포함한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제1, 제2 및 제3 부분(232A, 232B, 232C)은 각각 상기 전극 분리부(120)의 폭(W3)보다 더 큰 폭을 가진다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제1 부분(232A)은 제2 방향 (X 방향)에서 상기 폭(W3)보다 더 큰 제1 폭(W21A)을 가지고, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제2 부분(232B) 및 제3 부분(232C)은 제1 방향 (Y 방향)에서 각각 상기 제1 폭(W21A) 보다 더 큰 제2 폭(W21B) 및 제3 폭(W21C)을 가진다.
상기 제2 스트레스 릴리즈부(234)는 상기 전극 분리부(120)와 평행하게 제1 방향 (Y 방향)을 따라 연장되고 상기 제2 도전 영역(114)의 일 부분을 포위하는 제1 부분(234A)과, 상기 제1 부분(234A)으로부터 제2 방향 (X 방향)으로 연장되고 상기 제2 도전 영역(114)의 다른 부분들을 포위하는 제2 부분(234B) 및 제3 부분(234C)을 포함한다. 상기 제1, 제2 및 제3 부분(234A, 234B, 234C)은 각각 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제1 부분(232A)의 제1 폭(W21A)보다 더 큰 제1, 제2 및 제3 폭(W22A, W22B, W22C)을 가진다.
상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제2 부분(232B)과 상기 제2 스트레스 릴리즈부(234)의 제2 부분(234B)은 일체로 연결되어 있다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제2 부분(232B)의 폭(W21B)과 상기 제2 스트레스 릴리즈부(234)의 제2 부분(234B)의 폭(W22B)은 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제3 부분(232C)과 상기 제2 스트레스 릴리즈부(234)의 제3 부분(234C)은 일체로 연결되어 있다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(232)의 제3 부분(232C)의 폭(W21C)과 상기 제2 스트레스 릴리즈부(234)의 제3 부분(234C)의 폭(W22C)은 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지(300)는 패키지 기판(310)을 포함한다. 상기 패키지 기판(310)은 스트레스 릴리즈부(330)를 포함한다.
상기 스트레스 릴리즈부(330)는 제2 스트레스 릴리즈부(334)의 일부로부터 발광 소자(150)를 향하여 돌출되는 돌출부(334P)를 더 포함하는 것을 제외하고, 도 1a 및 도 1b에 예시한 스트레스 릴리즈부(130)의 구성과 대체로 동일하다.
상기 돌출부(334P)의 크기를 적절하게 조절함으로써, 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)으로부터의 열이 상기 발광 소자(150)에 미치는 영향이 비교적 균일하게 분산되도록 할 수 있다. 따라서, 상기 돌출부(334P)를 포함함으로써 상기 발광 소자(150)에서의 열적 스트레스가 감소될 수 있다.
도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(400)는 패키지 기판(410)을 포함한다. 상기 패키지 기판(410)은 스트레스 릴리즈부(430)를 포함한다.
상기 스트레스 릴리즈부(430)는 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)의 일부만을 포위하도록 패키지 기판(410)의 에지의 일부 영역을 따라 연장되어 있다. 상기 패키지 기판(410)의 스트레스 릴리즈부(430)는 발광 소자(150)를 사이에 두고 서로 이격되어 있는 제1 스트레스 릴리즈부(432) 및 제2 스트레스 릴리즈부(434)를 포함한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(432)는 제1 도전 영역(112)의 일부를 포위하고, 상기 제2 스트레스 릴리즈부(434)는 제4 도전 영역(114)의 일부를 포위한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(432) 및 제2 스트레스 릴리즈부(434)는 각각 X 방향에서 상기 전극 분리부(120)의 폭(W3)보다 더 큰 폭(W41, W42)을 가진다. 그리고, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(432)의 폭(W41)보다 상기 제2 스트레스 릴리즈부(434)의 폭(W42)이 더 크다.
도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(500)는 패키지 기판(510)을 포함한다. 상기 패키지 기판(510)은 스트레스 릴리즈부(530)를 포함한다.
상기 스트레스 릴리즈부(530)는 제1 도전 영역(512) 및 제2 도전 영역(514)을 완전히 포위하도록 패키지 기판(510)의 에지를 따라 연장되어 있다. 상기 스트레스 릴리즈부(530)는 전극 분리부(520)에 의해 상호 분리된 패키지 기판(510)의 양측 부분 중 비교적 작은 면적을 가지는 부분에 형성된 제1 스트레스 릴리즈부(532)와, 비교적 큰 면적을 가지는 부분에 형성된 제2 스트레스 릴리즈부(534)를 포함한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(532) 및 제2 스트레스 릴리즈부(534)는 이들 사이에 연장되어 있는 연결부(536)를 통해 일체로 연결되어 있다. 도 7에는 상기 제1 스트레스 릴리즈부(532) 및 제2 스트레스 릴리즈부(534)가 서로 평행하게 연장되는 예를 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 스트레스 릴리즈부(532) 및 상기 제2 스트레스 릴리즈부(534)는 각각 이들의 길이 방향 (Y 방향)에 수직인 폭 방향 (X 방향)에서, 상기 전극 분리부(120)의 폭(W53)보다 더 큰 폭(W51, W52)을 가진다. 그리고, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(532)의 폭(W51)보다 상기 제2 스트레스 릴리즈부(534)의 폭(W52)이 더 크다.
상기 제1 스트레스 릴리즈부(532) 및 상기 제2 스트레스 릴리즈부(534)는 서로 평행하게 연장되고, 상기 전극 분리부(520)는 상기 제1 스트레스 릴리즈부(532) 및 상기 제2 스트레스 릴리즈부(534)의 연장 방향과 교차하는 방향으로 연장된다.
도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(600)는 패키지 기판(610)을 포함한다. 상기 패키지 기판(610)은 스트레스 릴리즈부(630)를 포함한다.
상기 스트레스 릴리즈부(630)는 제1 도전 영역(612) 및 제2 도전 영역(614)을 완전히 포위하도록 패키지 기판(610)의 에지를 따라 연장되어 있다. 상기 스트레스 릴리즈부(630)는 패키지 기판(610)의 에지 부분 중 일부를 구성하는 제1 스트레스 릴리즈부(632)와, 패키지 기판(610)의 에지 부분 중 다른 일부를 구성하는 제2 스트레스 릴리즈부(634)를 포함한다.
상기 스트레스 릴리즈부(630)는 제2 스트레스 릴리즈부(634)의 일부로부터 발광 소자(150)를 향하여 돌출된 복수의 돌출부(634P)를 더 포함한다. 상기 복수의 돌출부(634P)의 크기를 적절하게 조절함으로써, 상기 제1 도전 영역(612) 및 제2 도전 영역(614)으로부터의 열이 상기 발광 소자(150)에 미치는 영향이 비교적 균일하게 분산되도록 할 수 있다. 따라서, 상기 복수의 돌출부(634P)를 포함함으로써 상기 발광 소자(150)에서의 열적 스트레스가 감소될 수 있다. 도 8에는 복수의 돌출부(634P)가 각각 동일한 폭(W62)을 가지는 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 복수의 돌출부(634P)는 각각 서로 다른 폭을 가질 수 있다.
상기 제1 스트레스 릴리즈부(632)의 폭(W61)과, 상기 복수의 돌출부(634P) 각각의 길이 방향에 수직인 폭 방향에서의 폭(W62)은 각각 상기 전극 분리부(620)의 폭(W63)보다 더 크다. 그리고, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(632)의 폭(W61)보다 상기 복수의 돌출부(634P)의 폭(W62)이 더 크다. 일부 실시예들에서, 상기 복수의 돌출부(634P)는 서로 다른 폭을 가질 수 있다.
도 9를 참조하면, 발광 소자 패키지(700)는 패키지 기판(710)을 포함한다. 상기 패키지 기판(710)은 스트레스 릴리즈부(730)를 포함한다.
상기 스트레스 릴리즈부(730)는 제1 도전 영역(712) 및 제2 도전 영역(714)의 일부만을 포위하도록 패키지 기판(710)의 에지의 일부 영역을 따라 연장되어 있다. 상기 스트레스 릴리즈부(730)는 패키지 기판(710)의 에지 부분 중 일부를 구성하는 제1 스트레스 릴리즈부(732)와, 패키지 기판(710)의 에지 부분 중 다른 일부를 구성하는 제2 스트레스 릴리즈부(734)를 포함한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(732) 및 제2 스트레스 릴리즈부(734)는 발광 소자(150)를 사이에 두고 서로 이격되어 있다.
상기 제1 스트레스 릴리즈부(732)는 제1 도전 영역(712)의 일부를 포위하고, 상기 제2 스트레스 릴리즈부(734)는 제2 도전 영역(714)의 일부를 포위한다. 상기 제1 스트레스 릴리즈부(732) 및 제2 스트레스 릴리즈부(734)는 각각 이들의 길이 방향에 수직인 폭 방향에서 상기 전극 분리부(720)의 폭(W73)보다 더 큰 폭(W71, W72)을 가진다. 그리고, 상기 제1 스트레스 릴리즈부(732)의 폭(W71)보다 상기 제2 스트레스 릴리즈부(734)의 폭(W72)이 더 크다.
도 4 내지 도 9에 예시한 발광 소자 패키지(200, 300, 400, 500, 600, 700)의 패키지 기판(210, 310, 410, 510, 610, 710)은 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 설명한 방법, 또는 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명한 방법을 이용하여 제조될 수 있다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(800)의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 10에 있어서, 도 1a 및 도 1b에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 10을 참조하면, 발광 소자 패키지(800)는 패키지 기판(110)상에 실장된 발광 소자(150)를 감싸는 렌즈부(830)를 포함한다.
일부 실시예들에서, 상기 렌즈부(830) 내부는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱, 또는 유리로 채워질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 렌즈부(830) 내부에 굴절 부재가 포함되어 있을 수 있다. 상기 굴절 부재는 발광 소자(150)로부터 방출되는 빛을 굴절 또는 반사시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(900)의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 11에 있어서, 도 1a, 도 1b, 및 도 10에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 11을 참조하면, 발광 소자 패키지(900)는 발광 소자(150)를 덮는 파장 변환층(902)과, 상기 발광 소자의 측면을 덮는 반사층(904)을 포함한다.
상기 파장 변환층(902)은 발광 소자(150)에서 방출되는 빛의 파장을 다른 파장으로 변환하는 기능을 할 수 있다. 도 11에는 상기 파장 변환층(902)이 발광 소자(150)의 상면을 덮는 것으로 예시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 파장 변환층(902)은 발광 소자(150)의 광 방출면 중 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 상기 파장 변환층(902)은 형광체 또는 양자점 (quantum dots)으로 이루어지는 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 상기 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체, 및 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반사층(904)은 패키지 기판(110)의 상면 중 일부와 발광 소자(150)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 반사층(904)은 저굴절률 수지와, 상기 저굴절률 수지 내에 분산된 광반사 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(150)로부터 반사층(904)을 향하는 빛은 상기 반사층(904) 내의 광반사 필러에 의해 반사될 수 있다. 상기 저굴절률 수지는 에폭시 수지로 이루어질 수 있다. 상기 광반사 필러는 TiO2 또는 SiO2 와 같은 광반사성 산화물로 이루어질 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 반사층(904)은 저굴절률 수지로만 이루어질 수 있다. 이 경우, 빛의 입사각에 따라 발광 소자(150)로부터의 빛이 상기 저굴절률 수지 내부로 진행하거나 발광 소자(150) 방향으로 반사될 수 있다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(1000)의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 12에 있어서, 도 1a 및 도 1b에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 12를 참조하면, 발광 소자 패키지(1000)는 캐비티(1010)를 한정하는 패키지 바디(1012)와, 상기 캐비티(1010)를 채우는 수지층(1020)과, 상기 패키지 바디(1012) 및 상기 수지층(1020) 위에 배치되는 렌즈부(1030)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 바디(1012)는 투광성 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 패키지 바디(1012)는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 또는 유리로 이루어질 수 있다.
상기 수지층(1020)은 실리콘 수지 또는 에폭시 수지와 같은 투광성 수지를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 수지층(1020)은 적어도 한 종류의 형광체, 또는 확산제를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체, 및 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 렌즈부(1030)는 발광 소자(150)에서 방출되는 빛을 수집할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 렌즈부(1030) 내부 중 적어도 일부에 형광체 또는 색 변환 물질을 포함할 수 있다. 상기 렌즈부(1030) 내에 형광체를 포함하는 경우, 상기 발광 소자(150)로부터 방출되는 광의 파장을 변환시킬 수 있다. 상기 렌즈부(1030)는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 플라스틱, 또는 유리로 채워질 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 수지층(1020) 및 렌즈부(1030)는 동일한 재료로 구성될 수 있으며, 상호 일체로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 수지층(1020) 및 렌즈부(1030)는 동시에 형성될 수도 있다.
도 13은 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(1100)의 요부 구성을 도시한 단면도이다.
도 13에 있어서, 도 1a, 도 1b, 및 도 12에서와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 13을 참조하면, 발광 소자 패키지(1100)는 도 12에 예시한 발광 소자 패키지(1000)와 대체로 동일한 구성을 갖는다. 단, 발광 소자(1050)는 제2 도전 영역(114) 위에 실장되어 있다. 상기 발광 소자(1050)의 캐소드(cathode) 및 애노드(anode)는 각각 본딩 와이어(1062, 1064)에 의해 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 발광 소자(1050)의 캐소드가 제1 도전 영역(112)에 연결되고, 상기 애노드가 상기 제2 도전 영역(114)에 연결될 수 있다. 다른 일부 실시예에서, 상기 발광 소자(1050)의 캐소드가 제2 도전 영역(114)에 연결되고, 상기 애노드가 상기 제1 도전 영역(112)에 연결될 수 있다.
패키지 기판(110)의 저면에는 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)에 각각 전기적으로 연결 가능한 제1 배면 전극(1072) 및 제2 배면 전극(1074)이 형성되어 있다. 상기 제1 도전 영역(112) 및 제2 도전 영역(114)은 상기 제1 배면 전극(1072) 및 제2 배면 전극(1074)을 통해 외부로부터 전원을 공급받아 상기 발광 소자(1050) 및 제너 다이오드(160) (도 1a 참조)에 구동 전원을 공급할 수 있다. 상기 제1 배면 전극(1072) 및 제2 배면 전극(1074)은 스퍼터링, 전해 도금, 무전해 도금, 또는 스크린 프린팅 방법에 의해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 배면 전극(1072) 및 제2 배면 전극(1074)은 생략 가능하다.
도 14는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조광 시스템 (dimming system) (1200)을 도시한 도면이다.
도 14를 참조하면, 조광 시스템(1200)은 구조물(1210)상에 배치된 발광 모듈(1220) 및 전원 공급부(1230)를 포함한다.
상기 발광 모듈(1220)은 복수의 발광 소자 패키지(1224)를 포함한다. 상기 복수의 발광 소자 패키지(1224)는 도 1a 내지 도 13을 참조하여 설명한 발광 소자 패키지(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100) 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 전원 공급부(1230)는 전원을 입력받는 인터페이스(1232)와, 발광 모듈(1220)에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부(1234)를 포함한다. 상기 인터페이스(1232)는 과전류를 차단하는 퓨즈와 전자파 장애 신호를 차폐하는 전자파 차폐필터를 포함할 수 있다. 상기 전원 제어부(1234)는 전원으로서 교류 전원이 입력되는 경우 교류를 직류로 변환하는 정류부 및 평활화부와, 상기 발광 모듈(1220)에 적합한 전압으로 변환시켜주는 정전압 제어부를 포함할 수 있다. 상기 전원 공급부(1230)는 상기 복수의 발광 소자 패키지(1224) 각각에서의 발광량과 미리 설정된 광량과의 비교를 수행하는 피드백 회로 장치와, 원하는 휘도, 연색성 등과 같은 정보를 저장하기 위한 메모리 장치를 포함할 수 있다.
상기 조광 시스템(1200)은 화상 패널을 구비하는 액정 표시 장치 등의 디스플레이 장치에 이용되는 백라이트 유닛, 램프, 평판 조명 등의 실내 조명 가로등, 또는 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있다. 또는, 상기 조광 장치(1200)는 다양한 교통 수단용 조명 장치, 예를 들면 자동차, 선박, 또는 항공기용 조명 장치, TV, 냉장고 등과 같은 가전 제품, 또는 의료기기 등에 사용될 수 있다.
도 15는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광 처리 시스템(1300)의 블록 다이어그램이다.
도 15를 참조하면, 광 처리 시스템(1300)은 카메라 시스템(1310)과, 광원 시스템(1320)과, 데이터 처리 및 분석 시스템(1330)을 포함한다.
상기 카메라 시스템(1310)은 광 처리 대상물에 직접 접촉하거나 광 처리 대상물로부터 소정 거리 이격된 상태에서 상기 광처리 대상물을 향하도록 배치하여 사용할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 광처리 대상물은 피부 또는 치료 부위와 같은 생체 조직일 수 있다. 상기 카메라 시스템(1310)은 광가이드(1312)를 통해 광원 시스템(1320)에 연결되어 있다. 상기 광 가이드(1312)는 광 전송이 가능한 광 섬유(optical fiber) 광 가이드, 또는 액상 광 가이드 (liquid light guide)를 포함할 수 있다.
상기 광원 시스템(1320)은 상기 광 가이드(1312)를 통해 광 처리 대상물에 조사되는 빛을 제공한다. 상기 광원 시스템(1320)은 도 1a 내지 도 13을 참조하여 설명한 발광 소자 패키지(100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100) 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시예들에서, 상기 광원 시스템(1320)에서 자외선을 발생 및 발진시켜 피부 또는 질환 부위와 같은 생체 조직에 조사할 수 있다.
상기 카메라 시스템(1310)은 케이블(1314)을 통해 데이터 처리 및 분석 시스템(1330)에 연결되어 있다. 상기 카메라 시스템(1310)으로부터 출력되는 영상 신호가 케이블(1314)을 통해 데이터 처리 및 분석 시스템(1330)으로 전송될 수 있다. 상기 데이터 처리 및 분석 시스템(1330)은 제어기(1332) 및 모니터(1334)를 포함한다. 상기 데이터 처리 및 분석 시스템(1330)에서는 카메라 시스템(1310)으로부터 전송된 영상 신호를 처리, 분석, 및 저장할 수 있다.
도 15에 예시한 광 처리 시스템(1300)은 피부 진단, 의료용 치료 기기, 소독 장치, 살균 장치, 세정 장치, 수술 용품, 미용 의료기기, 조명 장치, 정보 감지 장치 등과 같은 다양한 응용 분야에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100: 발광 소자 패키지, 110: 패키지 기판, 112: 제1 도전 영역, 114: 제2 도전 영역, 120: 전극 분리부, 130: 스트레스 릴리즈부, 150: 발광 소자, 160: 제너 다이오드.

Claims (10)

  1. 패키지 기판과,
    상기 패키지 기판상에 실장된 발광 소자를 포함하고,
    상기 패키지 기판은
    상기 발광 소자와 오버랩되는 부분을 각각 포함하는 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역과,
    상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역을 전기적으로 분리하기 위하여 상기 제1 도전 영역과 상기 제2 도전 영역과의 사이에서 상기 패키지 기판을 상기 패키지 기판의 두께 방향으로 관통하면서 상기 패키지 기판을 횡단하여 연장되는 전극 분리부와,
    상기 패키지 기판의 에지부에서 상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 각각의 적어도 일부를 포위하도록 연장되고 상기 전극 분리부를 사이에 두고 양측에서 서로 다른 폭을 가지는 스트레스 릴리즈부 (stress release portion)를 포함하고,
    상기 전극 분리부의 최저면과 상기 스트레스 릴리즈부의 최저면은 동일 평면 상에 배치되고,
    상기 스트레스 릴리즈부는 상기 패키지 기판의 두께 방향에서 상기 전극 분리부, 상기 제1 도전 영역, 및 상기 제2 도전 영역과 오버랩되지 않고,
    상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역은 각각 Al, Cu, Mg, Zn, Ti, Ts, Hf, 또는 Nb로 이루어지고, 상기 전극 분리부 및 상기 스트레스 릴리즈부는 각각 Al, Cu, Mg, Zn, Ti, Ts, Hf, 또는 Nb를 포함하는 절연성 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전극 분리부는 제1 방향을 따라 길게 연장되고,
    상기 스트레스 릴리즈부는 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향에서의 폭이 상기 전극 분리부의 상기 제2 방향에서의 폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 상기 제1 도전 영역이 위치되고 제1 면적을 가지는 제1 기판 부분과, 상기 제2 도전 영역이 위치되고 상기 제1 면적보다 큰 제2 면적을 가지는 제2 기판 부분을 포함하고,
    상기 제1 도전 영역과 상기 발광 소자가 오버랩되는 제1 오버랩 면적보다 상기 제2 도전 영역과 상기 발광 소자가 오버랩되는 제2 오버랩 면적이 더 크고,
    상기 스트레스 릴리즈부는 상기 제1 기판 부분에서 한 방향을 따라 제1 폭을 가지는 제1 스트레스 릴리즈부와, 상기 제2 기판 부분에서 상기 한 방향을 따라 상기 제1 폭보다 더 큰 제2 폭을 가지는 제2 스트레스 릴리즈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 스트레스 릴리즈부는 상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역을 완전히 포위하도록 상기 패키지 기판의 에지를 따라 연장되어 있고,
    상기 스트레스 릴리즈부 및 상기 전극 분리부는 일체로 연결된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 스트레스 릴리즈부는 상기 발광 소자를 향하여 돌출된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 발광 소자는 상기 패키지 기판의 두께 방향에서 상기 전극 분리부와 오버랩되도록 상기 전극 분리부를 가로질러 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 중 어느 하나의 도전 영역 위에 실장된 제너 다이오드와,
    상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 중 다른 하나의 도전 영역과 상기 제너 다이오드와의 사이에 연결된 도전성 와이어와,
    상기 발광 소자와 상기 제1 도전 영역과의 사이, 및 상기 발광 소자와 상기 제2 도전 영역과의 사이에 각각 개재된 도전성 접합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  9. 전극 분리부에 의해 서로 분리된 제1 도전 영역 및 제2 도전 영역과, 상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 각각의 적어도 일부를 포위하는 스트레스 릴리즈부 (stress release portion)를 포함하는 패키지 기판과,
    상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역 위에 오버랩되고 상기 전극 분리부를 가로질러 연장되어 있는 발광 소자를 포함하고,
    상기 스트레스 릴리즈부는 제1 폭을 가지고 상기 제1 도전 영역의 적어도 일부를 포위하는 제1 스트레스 릴리즈부와, 상기 제1 폭보다 더 큰 제2 폭을 가지고 상기 제2 도전 영역의 적어도 일부를 포위하는 제2 스트레스 릴리즈부를 포함하고,
    상기 전극 분리부의 최저면과 상기 스트레스 릴리즈부의 최저면은 동일 평면 상에 배치되고,
    상기 스트레스 릴리즈부는 상기 패키지 기판의 두께 방향에서 상기 전극 분리부, 상기 제1 도전 영역, 및 상기 제2 도전 영역과 오버랩되지 않고,
    상기 제1 도전 영역 및 상기 제2 도전 영역은 각각 Al, Cu, Mg, Zn, Ti, Ts, Hf, 또는 Nb로 이루어지고, 상기 전극 분리부 및 상기 스트레스 릴리즈부는 각각 Al, Cu, Mg, Zn, Ti, Ts, Hf, 또는 Nb를 포함하는 절연성 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  10. 삭제
KR1020120135565A 2012-11-27 2012-11-27 발광 소자 패키지 KR102006388B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120135565A KR102006388B1 (ko) 2012-11-27 2012-11-27 발광 소자 패키지
US14/011,388 US9041283B2 (en) 2012-11-27 2013-08-27 Light-emitting device package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120135565A KR102006388B1 (ko) 2012-11-27 2012-11-27 발광 소자 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140067823A KR20140067823A (ko) 2014-06-05
KR102006388B1 true KR102006388B1 (ko) 2019-08-01

Family

ID=50772624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120135565A KR102006388B1 (ko) 2012-11-27 2012-11-27 발광 소자 패키지

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9041283B2 (ko)
KR (1) KR102006388B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104425694A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
DE102014110960A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 GOM - Gesellschaft für Optische Meßtechnik mbH Messeinrichtung zum dreidimensionalen optischen Vermessen von Objekten mit einem topometrischen Sensor sowie Verwendung eines Multi-Laserchip-Bauelementes
KR102407337B1 (ko) * 2017-09-12 2022-06-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 모듈
US11608947B2 (en) * 2019-09-19 2023-03-21 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light bar, backlight assembly and display device
CN113363367A (zh) 2020-03-06 2021-09-07 隆达电子股份有限公司 发光二极管结构
KR102272672B1 (ko) * 2020-09-16 2021-07-05 대성앤텍 주식회사 광원용 기판 어레이 및 그 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005210057A (ja) * 2003-12-24 2005-08-04 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064479A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
KR100580765B1 (ko) 2003-09-22 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100593935B1 (ko) 2005-03-24 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR100616692B1 (ko) 2005-08-01 2006-08-28 삼성전기주식회사 금속 기판을 이용한 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법
KR100703218B1 (ko) 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100902357B1 (ko) 2007-11-05 2009-06-12 아로 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20090104513A (ko) 2008-03-31 2009-10-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2011035264A (ja) 2009-08-04 2011-02-17 Zeniya Sangyo Kk 発光素子用パッケージ及び発光素子の製造方法
KR101124254B1 (ko) 2010-02-22 2012-03-27 (주)포인트엔지니어링 광소자 디바이스용 기판과 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
KR20110119200A (ko) * 2010-04-27 2011-11-02 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101677063B1 (ko) 2010-12-09 2016-11-17 (주)에이엘에스 엘이디 패키지용 리드 프레임 기판 및 그의 제조 방법
TWI430717B (zh) * 2011-07-15 2014-03-11 Lite On Electronics Guangzhou 基板結構、半導體裝置陣列及其半導體裝置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005210057A (ja) * 2003-12-24 2005-08-04 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140145582A1 (en) 2014-05-29
KR20140067823A (ko) 2014-06-05
US9041283B2 (en) 2015-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109964323B (zh) 发光器件封装和包括该发光器件封装的光源设备
KR102006388B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101958418B1 (ko) 발광 소자 패키지
EP2950358B1 (en) Light emitting device package
EP3154096B1 (en) Light emitting device, integrated light emitting device and light emitting module comprising the same
US20050045903A1 (en) Surface-mounted light-emitting diode and method
US20130033885A1 (en) Light emitting module and head lamp including the same
US9515242B2 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US7402842B2 (en) Light emitting diode package
JP6964345B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
KR102008315B1 (ko) 발광 소자 패키지
TW201431135A (zh) 紫外線發光裝置
EP3471156A1 (en) Light-emitting device package
KR20190006889A (ko) 발광소자 패키지
KR20160146367A (ko) 자외선 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치
KR20150097021A (ko) 발광 다이오드 패키지
US20210367125A1 (en) System and method of manufacture for led packages
US9748215B2 (en) Light emitting device
KR20140145409A (ko) 발광모듈 및 이를 구비한 발광 장치
US11329205B2 (en) Light emitting device package
KR101976547B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101459555B1 (ko) 발광 소자
KR20190049506A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
KR102607890B1 (ko) 반도체 소자 패키지
JP2009278012A (ja) Ｌｅｄ装置用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)