KR20150097021A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기술적 사상에 의한 발광 다이오드 패키지는, 발광 구조물과, 상기 발광 구조물과 연결되는 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드, 상기 발광 구조물의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드를 한정하는 절연 패턴층과, 상기 절연 패턴층의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드의 일부를 노출시키는 비아홀이 형성된 기판과, 상기 비아홀의 내벽 및 상기 기판의 하면을 덮는 절연층과, 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드와 각각 연결되도록 상기 절연층이 덮힌 상기 비아홀 내에 형성되는 제1 관통 전극 및 제2 관통 전극과, 상기 발광 구조물상에 형성되는 형광 물질층과, 상기 형광 물질층을 사이에 두고 상기 발광 구조물과 이격된 글래스를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지이다.

Description

발광 다이오드 패키지 {LED package}
본 발명의 기술적 사상은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히 초소형으로 제작이 가능한 발광 다이오드 패키지 구조에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임 기판을 포함하는 패키지 내에 칩을 실장하는 것이 일반적이다. 그러나 이 같은 패키지의 경우 별도의 기판이 필요할 뿐만 아니라 패키지 사이즈의 스케일이 커지기 때문에 재료비가 증가하고, 별도 패키지 공정에 따른 총 제조 원가가 높아지는 문제가 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광 다이오드 패키지의 제작에 있어서 증가된 패키지 사이즈 문제 및 별도 패키지 공정을 함에 따른 제조 원가 상승 문제를 해결하기 위한 초소형의 발광 다이오드 패키지를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 발광 다이오드 패키지는, 발광 구조물과, 상기 발광 구조물과 연결되는 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드, 상기 발광 구조물의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드를 한정하는 절연 패턴층과, 상기 절연 패턴층의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드의 일부를 노출시키는 비아홀이 형성된 기판과, 상기 비아홀의 내벽 및 상기 기판의 하면을 덮는 절연층과, 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드와 각각 연결되도록 상기 절연층이 덮힌 상기 비아홀 내에 형성되는 제1 관통 전극 및 제2 관통 전극과, 상기 발광 구조물상에 형성되는 형광 물질층과, 상기 형광 물질층을 사이에 두고 상기 발광 구조물과 이격된 글래스를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 형광 물질층은 접착성 형광 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 형광 물질층과 상기 글래스 사이에 형성되는 접착 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 기판의 제1 폭은 상기 발광 구조물의 하면의 상기 제2 폭보다 넓고, 상기 접착 물질층과 상기 절연 패턴층 사이에서 상기 발광 구조물을 한정하도록 형성되는 지지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 지지층은 접착성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 글래스 상면의 제3 폭은 상기 기판의 제1 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 발광 다이오드 패키지는, 발광 구조물과, 상기 발광 구조물과 연결되는 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드과, 상기 발광 구조물의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드를 한정하는 절연 패턴층과, 상기 절연 패턴층의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드를 노출시키는 비아홀이 형성된 기판과, 상기 비아홀의 내벽 및 상기 기판 하면을 덮는 절연층과, 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드와 각각 연결되도록 상기 절연층이 덮힌 상기 비아홀 내에 형성되는 제1 관통 전극 및 제2 관통 전극과, 상기 발광 구조물 상에서 상기 기판의 제1 폭보다 좁은 제2 폭을 가지도록 형성되는 형광 물질층과, 상기 접착 물질층과 상기 발광 구조물 사이에서 상기 형광물질층을 한정하도록 형성되는 제1 지지층과, 상기 형광 물질층을 사이에 두고 상기 발광 구조물과 이격된 글래스를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 지지층은 접착성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 지지층은 형광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 기판의 제1 폭보다 상기 발광 구조물 하면의 제3 폭이 더 좁고, 상기 제1 지지층과 상기 형광 물질층으로 구성되는 상부층과 상기 절연 패턴층으로 구성되는 하부층 사이에서 상기 발광 구조물을 한정하는 제2 지지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임과 같은 별도의 기판을 필요로 하지 않아 초소형으로 제조되어 재료비를 감소시킬 수 있고, 웨이퍼 레벨로 제작되어 제조 공정의 단순화에 따른 전체 제조 원가를 절감시킬 수 있다. 또한 글래스에 의해 외부 충격에 강하고, 상기 글래스가 기계적인 강도를 유지함에 따라 관통 전극이 형성되는 비아에 보이드(void)의 발생을 억제할 수 있으므로 발광 다이오드의 구동에 신뢰성이 향상된다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(100, 200, 300, 400, 500, 600)의 개략적인 단면도이다.
도 7 내지 도 17은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(100, 200)의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 18은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(300)의 제조 방법을 설명하기 위하여 추가되는 공정을 도시한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(400)의 제조 방법을 설명하기 위하여 추가되는 공정을 도시한 단면도이다.
도 20은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(500, 600)의 제조 방법을 설명하기 위하여 도 13 대신 수행되는 공정을 도시한 단면도이다.
도 21은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 반도체 발광 소자를 포함하는 조광 시스템 (dimming system)을 도시한 도면이다.
도 22는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 포함하는 광 처리 시스템의 블록 다이어그램이다.
첨부 도면에 나타난 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명 개념의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 안되며, 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다. 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려졌으므로, 본 발명 개념은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명 개념을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “갖는다” 등의 표현은 명세서에 기재된 특징, 개수, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 개수, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
이하의 설명에서 상면과 하면은 각각 도면상에서의 상부와 하부를 지칭한다.
이하의 도면을 참조하여 본 발명 개념의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 도면은 발명의 기술적 사상에 따른 반도체 소자의 실시예를 요부로 나타낸 것이다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(100)의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 발광 구조물(20a)과, 상기 발광 구조물(20a)을 기준으로 그 하부에서 상기 발광 구조물(20a)과 연결된 제1 전극 패드(31) 및 제2 전극 패드(33)와, 상기 제1 전극 패드(31)와 제2 전극 패드(33)를 한정하고 상기 발광 구조물(20a)의 하면과 접하는 절연 패턴층(35)과, 상기 절연 패턴층(35)의 하면과 접하고 상기 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(51)를 노출시키는 비아홀(40H)이 형성된 기판(40)과, 상기 기판(40)의 하면과 상기 비아홀(40H)의 내벽을 덮는 절연층(41)과, 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)과 각각 연결되어 있는 제1 관통 전극(51) 및 제2 관통 전극(53)을 포함한다. 또한, 상기 발광 구조물(20a)의 상부에는, 상기 발광 구조물(20a)의 상면에 형성된 형광 물질층(70)과, 상기 형광 물질층(70)상에 형성되어 있는 접착 물질층(80)과, 상기 접착 물질층(80)상에 형성된 글래스(90)를 포함한다.
상기 발광 구조물(20a)은 제1 반도체층(21a), 제2 반도체층(25a), 및 상기 제1 반도체층(21a)과 상기 제2 반도체층(25a)의 사이에 개재되는 활성층(23a)을 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체층(21a) 및 상기 제2 반도체층(25a)은 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층일 수 있고, 그 반대로 형성될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 반도체층(21a)은 n-GaN층을 포함하고, 상기 제2 반도체층(25a)는 p-GaN층을 포함할 수 있다.
상기 활성층(23a)은 전자와 전공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자 우물층과 양자 장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자 우물(Multi Quantum Well: MQW) 구조로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 다중 양자 우물 구조는 InGaN/GaN구조가 사용될 수 있다.
상기 발광 구조물(20a)을 기준으로 그 하부 구성을 먼저 설명하도록 한다. 상기 발광 구조물(20a)에는 상기 제2 반도체층(25a) 및 상기 활성층(23a)을 관통하여 상기 제1 반도체층(23a)의 일부가 노출되도록 콘택홀(20H)이 형성되어 있다.
상기 제1 전극 패드(31)는 상기 콘택홀(20H)의 내부에서 상기 제1 반도체층(21a)과 연결되도록 형성되어 있고, 상기 제2 전극 패드(33)는 제2 반도체층(25a)와 연결되도록 형성되어 있다. 상기 제2 전극 패드(33)는 상기 제1 전극 패드(31)보다 넓게 형성될 수 있다. 상기 절연 패턴(35)은 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)를 한정하도록 상기 콘택홀(20H)의 내부 및 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)의 측벽을 덮도록 형성되어 있다. 상기 절연 패턴(35)은 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)의 일부 gk면을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 패드(31)는 상기 절연 패턴(35)에 의해 둘러 싸여 상기 활성층(23a) 및 상기 제2 전극 패드(33)와 전기적으로 분리될 수 있다.
상기 기판(40)은 상기 절연 패턴(35)의 하면과 접하고, 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)의 일부를 노출시키는 비아홀(40H)들이 형성되어 있다. 상기 비아홀(40H)은 상기 제1 전극 패드(31)와 상기 제1 관통 전극(51)간 및 상기 제2 전극 패드(33)과 상기 제2 관통 전극(53)간의 접촉 저항이 낮아지도록 형상, 피치 등이 적절히 조절될 수 있다. 상기 비아홀(40H)의 내벽과 상기 기판(40)의 하부면에는 절연층(41)이 형성된다. 일부 실시예들에서, 상기 기판(40)은 Si, 불순물이 도핑된 Si로 이루어질 수 있다.
상기 제1 관통 전극(51) 및 상기 제2 관통 전극(53)은 상기 절연층(41)이 덮힌 상기 비아홀(40H)의 내부를 채워서 각각 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)와 연결되도록 형성되어 있다. 상기 제1 관통 전극(51) 및 상기 제2 관통 전극(53)은 상기 절연층(41)이 덮힌 상기 기판(40)의 하면의 일부를 덮도록 형성되는 제1 외부 연결 단자 및 제2 외부 연결 단자와 각각 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 관통 전극(51)와 상기 제1 외부 연결 단자, 및 상기 제2 관통 전극(53)과 상기 제2 외부 연결 단자는 각각 일체로 형성될 수 있다.
다음은 상기 발광 구조물(20a)을 기준으로 그 상부 구성을 설명한다.
상기 발광 구조물(20a)의 상면에는 상기 형광 물질층(70)이 형성되어 있다. 상기 형광 물질층(70)은 메틸계 형광 물질, 페닐계 형광 물질 또는 YAG (Y3Al5O12) 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다. 상기 형광 물질층(70)은 상기 발광 구조물(20a)로부터 발생하는 빛을 목적하는 색으로 변환시켜주는 역할을 한다. 상기 형광 물질층(70)상에는 상기 접착 물질층(80)이 형성되어 있다. 상기 접착 물질층(80)은 상기 형광 물질층(70)과 상기 글래스(90)를 접착시키기 위한 물질층이다. 일부 실시예들에서, 상기 접착 물질층(80)은 실리콘(Silicone) 수지 또는 에폭시(Epoxy) 수지를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 형광 물질층(70)은 접착성 형광 물질층을 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 접착 물질층(80)은 생략될 수 있다.
상기 접착 물질층(80) 상에는 상기 글래스(90)가 형성되어 있다. 상기 활성층(23a)으로부터 나오는 빛이 상기 글래스(90)를 통해 통과하게 된다. 상기 글래스(90)는 상기 발광 다이오드 패키지(100)가 외부 충격에 견디도록 내구성을 높이는 역할을 한다. 또한 상기 기판(40)에 상기 비아홀(40H)을 형성하는 공정에서, 상기 글래스(90)가 기계적인 강도가 낮은 상기 기판(40)을 지지하여 줌으로써, 상기 기판(40)을 충분히 얇게 그라인딩할 수 있게 한다. 이에 따라, 상기 비아홀(40H)의 피치 사이즈를 축소시킬 수 있어 비아홀(40H) 내부의 보이드(void)의 발생을 억제하고, 발광 다이오드의 구동시에 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(200)의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2 내지 도 20에서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타내며, 중복되는 구성에 대하여는 자세한 설명을 생략하도록 한다.
도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(200)는 도 1에서 나타낸 발광 다이오드 패키지(100)의 구성에서, 상기 발광 구조물(20a)과 상기 형광 물질층(70) 사이에 개재되는 상기 발광 구조물(20a)의 성장 기판(11)을 더 포함하는 차이가 있다.
상기 성장 기판(11)은 상기 발광 구조물(20a)의 증착 공정에서 사용되었던 구성으로, 도 1의 발광 다이오드 패키지(200)에서는 상기 성장 기판(11)상에 제1 반도체층(21a), 활성층(23a), 및 제2 반도체층(25a)이 순차적으로 증착시켜 발광 구조물(20a)을 형성한 후, 상기 성장 기판(11)은 모두 제거되고 상기 발광 구조물(20a)상에 형광층(70)이 형성된다. 그러나, 필요에 따라 상기 성장 기판(11)은 전부 또는 일부가 제거되지 않는 발광 다이오드 패키지(200)가 있을 수 있다. 도 7 내지 도 17의 제조 방법에서 상기 성장 기판(10)의 일부가 제거되어 도 2의 성장 기판(11)이 형성된다. 일부 실시예들에서, 상기 성장 기판(11)은 투명한 물질로 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(300)의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(300)는 도 1에서 나타낸 발광 다이오드 패키지(100)의 구성에서 발광 구조물(20b)의 형상을 달리하고 지지층(82)을 더 포함하는 차이가 있다.
상기 발광 구조물(20b) 하면의 제1 폭(D1) 및 상기 발광 구조물(20b) 상면의 제2 폭(D2)는 상기 기판(40)의 제3 폭(D3)보다 좁게 형성되어 있다. 이것은 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지가 웨이퍼 레벨로 형성이 되고 최종적으로 칩 사이즈로 절단(sawing)을 하는 경우 그 절단선이 상기 발광 구조물(20b)에 접하지 않게 하기 위함이다. 상기 발광 구조물(20b)를 이루는 제1 반도체층(21b), 활성층(23b), 및 제2 반도체층(25b)에 직접 기계적인 절단을 하는 경우 상기 반도체층에 크랙(crack)이 발생할 수 있다. 상기 발광 다이오드 패키지(300)는 이러한 문제를 방지하고 상기 발광 구조물(20b)을 보호하기 위한 것이다.
상기 제1 폭(D1)는 상기 제2 폭(D2)보다 넓을 수 있다. 도 2에서는 상기 제1 폭(D1)은 상기 제2 폭(D2)보다 넓게 형성된 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 발광 구조물(20b) 높이에 따른 폭의 형상은 상기 발광 구조물(20b)의 가장자리를 제거하는 식각 공정에 의해 형성될 수 있는 다양한 형상을 포함할 수 있다.
상기 형광 물질층(70)과 상기 절연 패턴층(35) 사이에서 상기 발광 구조물(20b)을 한정하도록 지지층(82)이 형성되어, 상기 절연 패턴(35)과 상기 접착 물질층(82) 사이를 지지하는 기능을 한다. 상기 지지층(82)은 접착성 물질층을 포함하여 상기 절연 패턴(35)과 상기 접착 물질층(80) 사이를 접착하는 기능을 할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상기 지지층(82)은 실리콘 수지 또는 에폭시 수지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 발광 구조물(20b)의 하면의 상기 제1 폭(D1)보다 상기 발광 구조물(20b)의 상면의 상기 제2 폭(D2)이 더 좁은 형상일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 발광 구조물(20b) 하면의 제1 폭(D1)은 상기 기판(40)의 제3 폭(D3)과 동일할 수 있다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(400)의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(400)는 도 1에서 나타낸 발광 다이오드 패키지(100)의 구성에서, 글래스(91)의 형상을 달리하는 차이가 있다.
발광 다이오드 패키지(400)의 상기 글래스(91)의 상면의 제1 폭(L1)은 상기 기판(40)의 제2 폭(L2)보다 작게 형성될 수 있다. 이것은 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지가 웨이퍼 레벨로 형성이 되고 최종적으로 칩 사이즈로 절단(sawing)을 하는 경우, 절단선에 따른 기계적 절단 공정 이전에 상기 절단선을 따라 식각 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 상기 절단선에 따른 식각 공정에 의하여 상기 글래스(91) 상면으로부터 상기 글래스(91)의 임의의 깊이(H)까지 상기 글래스(91)의 가장자리 부분에 홈이 형성된다. 이에 따라, 상기 글래스(91)의 상면의 제1 폭(L1)이 상기 기판(40)의 제2 폭(L2)보다 작게 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 글래스(91)는 상기 글래스(91)의 수직 높이 중 어느 임의의 지점으로부터 상기 글래스(91)의 상면으로 갈수록 폭이 좁아지는 테이퍼(taper)형상을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 글래스(91)는 상기 글래스(91)의 하면으로부터 상기 글래스(91)의 상면으로 갈수록 폭이 좁아지는 형상을 가질 수 있다.
도 4에서는 상기 제2 폭(L2)으로부터 상기 제1 폭(L1)에 이르기까지 갈수록 폭이 좁아지는 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 글래스(91)의 높이에 따른 폭의 형상은 상기 글래스(91)의 절단면을 따라 수행되는 식각 공정에 의해 형성될 수 있는 다양한 형상을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(500)의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(500)는 도 1에 나타낸 발광 다이오드 패키지(100)의 구성에서, 형광 물질층(71)의 형상을 달리하고, 지지층(84)을 더 포함하는 하는 차이가 있다.
발광 구조물(20a)상에 형성되는 형광 물질층(71)의 제1 폭(M1)은 상기 기판(40)의 제2 폭(M2)보다 작을 수 있다. 이러한 구조는 형광 물질층(71)이 칩 사이즈로 분리되어 상기 발광 구조물(20a)상에 배치되어 형성될 수 있다.
접착 물질층(80)과 발광 구조물(20a)의 사이에는 상기 형광 물질층(71)을 한정하는 지지층(84)이 형성될 수 있다. 상기 지지층(84)은 상기 접착 물질층(80)과 상기 발광 구조물(20a)의 사이를 지지하는 기능을 한다. 또한, 상기 지지층(84)은 접착성 물질층을 포함하여 상기 접착 물질층(80)과 발광 구조물(20a) 사이를 접착하는 기능을 할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상기 지지층(84)은 실리콘 수지 또는 에폭시 수지일 수 있다.
상기 지지층(84)은 형광성 물질층을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 발광 구조물(20a)로부터 발생하는 빛 중 일부가 상기 지지층(84)을 통해 통과하게 되는 때에도 목적하는 빛으로 변환될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 지지층(84)은 접착성 형광 물질층을 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(600)의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(600)는 도 5에 나타낸 발광 다이오드 패키지(500)의 구성에서, 발광 구조물(20b)의 형상을 달리하고, 제2 지지층(82)을 더 포함하는 차이가 있다.
상기 발광 구조물(20b)의 하면의 제1 폭(S1) 및 상기 발광 구조물(20b)의 상면의 제2 폭(S2)은 상기 기판(40)의 제3 폭(S3)보다 좁게 형성되어 있다. 이러한 발광 구조물(20b)의 형상이 반도체층에 직접 기계적인 절단을 하는 경우 상기 반도체층에 발생할 수 있는 크랙(crack)을 방지하기 위함인 것은 상술한 바와 같다.
상기 발광 구조물(20b)의 상기 제1 폭(S1)은 상기 제2 폭(S2)보다 넓게 형성되어 있다. 도 6에서는 상기 제1 폭(S1)은 상기 제2 폭(S2)보다 넓게 형성된 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 발광 구조물(20b)의 높이에 따른 폭의 형상은 상기 발광 구조물(20b)의 가장자리를 제거하는 식각 공정에 의해 형성될 수 있는 다양한 형상을 포함할 수 있다.
접착 물질층(80)과 발광 구조물(20a)의 사이에는 상기 형광 물질층(71)을 한정하는 제1 지지층(84)이 형성되어 있다. 상기 제1 지지층(84)과 상기 형광 물질층(71)로 구성된 상부층과 상기 절연 패턴층(35)으로 구성되는 하부층 사이에서 상기 발광 구조물(20b)을 한정하도록 제2 지지층(82)이 형성되어 있다. 상기 제2 지지층(82)은 상기 제1 지지층(84) 및 상기 형광 물질층(71)으로 구성되는 상부층과 상기 절연 패턴(35)으로 구성되는 상기 하부층 사이를 지지하는 기능을 한다. 상기 제2 지지층(82)은 접착성 물질층을 포함하여 상기 상부층과 상기 하부층을 접착하는 기능을 할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 지지층(82)은 실리콘 수지 또는 에폭시 수지일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 발광 구조물(20b) 하면의 제1 폭(S1)는 상기 기판의 제3 폭(S3)과 동일할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 지지층(84)과 상기 제2 지지층(82)은 동일한 물질층을 포함할 수 있다. 예를들어, 상기 제1 지지층(84) 및 상기 제2 지지층(82)은 접착성 물질, 형광성 물질층, 또는 접착성 형광 물질층을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 형광 물질층(71)의 제4 폭(S4)은 상기 발광 구조물(20b) 하면의 제1 폭(S1)보다 넓을 수 있다.
도 7 내지 도 20에서는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7 내지 도 17에서는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따라 도 1에서 보인 발광 다이오드 패키지(100)의 제조 방법을 설명한다.
도 7 내지 도 10을 참조하면, 반도체층의 성장 기판(10)의 주면에 제1 반도체층(21a), 활성층(23a), 및 제2 반도체층(25a)을 포함하는 발광 구조물(20a)을 순차적으로 성장시킨다. 상기 기판(10)은 사파이어, SiC, GaN 등의 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제1 반도체층(21a)의 적어도 일부가 노출되도록 상기 활성층(23a) 및 상기 제2 반도체층(25a)의 일부를 식각하여 상기 발광 구조물(20a)에 콘택홀(20H)을 형성한다. 상기 콘택홀(20H)내에 노출된 상기 제1 반도체층(21a)과 연결되는 제1 전극 패드(31), 및 상기 제2 반도체층(25a)과 연결되는 제2 전극 패드(33)를 형성하기 위하여, 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)를 한정하는 마스크 패턴(도시하지 않음)을 이용하여 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33)를 형성하고, 상기 마스크 패턴은 제거한다. 상기 결과물에 상기 제1 전극 패드(31)와 상기 제2 전극 패드(33)를 한정하고, 상기 발광 구조물(20a)의 표면을 덮도록 절연 패턴(35)을 형성한다. 이 경우, 상기 절연 패턴(35)은 상기 제1 전극 패드(31)와 상기 제2 전극 패드(33)의 상부 표면을 덮도록 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 절연 패턴(35)상에 기판(40)을 웨이퍼 레벨로 접착한다. 제조 공정시의 지지 강도를 위하여, 상기 기판(40)의 두께는 완성된 발광 다이오드 패키지(100)에서 요구되는 기판의 두께보다 더 두꺼울 수 있다. 후술하는 바와 같이, 도 14 단계에서 상기 기판(40)의 두께는 충분히 얇게 그라인딩되어 발광 다이오드 패키지(100)에서 요구되는 기판의 두께를 충족시킬 수 있다.
도 12를 참조하면, 발광 구조물(20a)의 성장 기판(10)은 식각 공정 또는 기계적인 제거 공정에 의해 상기 발광 구조물(20a)로부터 제거되거나 분리된다. 상기 성장 기판(10)의 제거 공정은 상기 도 11 단계를 거친 결과물의 상, 하면을 바꾸어도 진행될 수 있다.
상기 성장 기판(10)은 필요에 따라 전부 또는 일부가 제거되지 않을 수도 있다. 도 2에 나타나는 발광 다이오드 패키지(200)는, 도 12의 상기 성장 기판(10)의 일부만이 제거되어, 발광 구조물(20a)을 성장시킬 때보다 얇은 두께를 갖는 성장 기판(11)이 상기 발광 구조물(20a)과 상기 형광 물질층(70)사이에 잔류하여 완성된다.
도 13을 참조하면, 형광 물질층(70)은 발광 구조물(20a)의 상면을 모두 덮도록 웨이퍼 레벨로 형성된다. 상기 형광 물질층(70)이 상기 발광 구조물(20a)의 제1 반도체층(21a)상에 접착되도록, 상기 형광 물질층(70) 및 상기 제1 반도체층(21a) 사이에 접착 물질층이 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 상기 형광 물질층(70)의 전면을 덮도록 접착 물질층(80)이 형성될 수 있다. 다만, 상술한 바와 같이 상기 형광 물질층(70)이 접착성 형광 물질층을 포함하는 경우, 상기 접착 물질층(80)을 형성하는 공정은 생략될 수 있다.
상기 접착 물질층(80)상에 글래스(90)가 형성된다. 상기 글래스(90)는 도 1에서 나타난 발광 다이오드 패키지(100)의 기계적인 강도를 유지할 수 있을 정도로 충분히 두껍게 형성될 수 있다. 상기 글래스(70)가 접착됨에 따라 웨이퍼 레벨의 상기 발광 다이오드 패키지(100)는 기판(40)에 의하지 않고도 충분한 지지 강도를 유지할 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 기판(40)은 발광 다이오드 패키지(100)에서 요구되는 기판의 두께를 만족하도록 충분히 얇게 그라인딩되는 단계를 거칠 수 있다. 상기 기판(40)이 충분히 얇게 그라인딩됨에 따라 상기 기판(40)의 깊이가 얕아지므로 상기 기판(40)에 형성되는 비아홀의 피치를 선택적으로 조정할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 비아홀의 내부를 채워 관통 전극을 형성하는 경우 발생할 수 있는 보이드(void)의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 15를 참조하면, 상기 기판(40)은 제1 전극 패드(31) 및 제2 전극 패드(33)의 일부 표면이 노출되도록 비아홀(40H)을 형성한다. 상기 비아홀(40H)은 마스크 패턴(도시하지 않음)을 이용하여 식각 공정을 거쳐 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 상기 제1 전극 패드(31)와 상기 제2 전극 패드(33)의 일부 표면은 노출시키고, 상기 비아홀(40H)의 내벽 및 상기 기판(40)의 상면을 덮는 절연층(41)이 형성된다. 상기 절연층(41)으로 덮힌 내벽과 상기 제1 전극 패드(31)의 일부 상면이 노출된 상기 비아홀(40H)에 전극 물질을 채워 제1 관통 전극(51)을 형성한다. 마찬가지로, 상기 절연층(41)으로 덮힌 내벽과 상기 제2 전극 패드(33)의 일부 상면이 노출된 상기 비아홀(40H)에 전극 물질을 채워 제2 관통 전극(53)을 형성한다. 일부 실시예들에서, 이 후 상기 제1 관통 전극(51) 상면 및 상기 제2 관통 전극(53)의 상면과 각각 연결되는 제1 외부 연결 단자 및 제2 외부 연결 단자를 더 형성할 수 있다.
도 17을 참조하면, 도 16 단계를 거친 결과물의 상, 하면을 바꾸어 공정을 진행할 수 있다. 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33) 쌍을 적어도 하나 포함하도록 칩 단위를 결정하고, 웨이퍼 레벨로 형성된 상기 결과물을 칩 사이즈로 절단하는 공정을 거쳐서 상기 발광 다이오드 패키지(100)를 완성한다.
도 18은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(300)의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 상기 발광 다이오드 패키지(300)의 제조 방법은 기본적으로 상기 도 7 내지 도 17의 제조 단계를 따르나, 도 12의 단계와 도 13의 단계 사이에 상기 도 18의 단계가 추가되는 차이가 있다.
도 18을 참조하면, 도 12 단계에 형성된 발광 구조물(20a)에 추후 칩 사이즈로 절단하게 될 절단선을 따라 상기 발광 구조물(20a)의 일부분을 제거하여 상기 발광 구조물(20a)내에 좁은 트렌치(82H)를 형성하는 공정을 거친다. 상기 트렌치(82H)에 의해 웨이퍼 레벨의 상기 발광 구조물(20b)은 칩 사이즈로 분리될 수 있다. 상기 트렌치(82H)내에 접착성 물질인 지지층(82)을 형성한다. 상기 지지층(82)은 웨이퍼 레벨의 상기 발광 다이오드(300)를 추후 칩 사이즈로 절단하는 단계에서 상기 발광 구조물(20b)에 발생할 수 있는 크랙을 방지하기 위하여 그 절단선으로부터 상기 발광 구조물(20b)이 이격되도록 한 것이다.
상기 발광 구조물(20b)과 지지층(82)이 형성된 상기 결과물 전면에 대하여, 도 13 내지 도 17의 후속 공정을 수행하여 상기 발광 다이오드 패키지(300)를 완성할 수 있다. 이 경우, 후속 공정인 도 13 내지 도 17에서 상기 발광 구조물(20a)은 상기 발광 구조물(20b)과 지지층(82)가 형성된 것으로 보아야 한다.
도 19은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(400)의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 상기 발광 다이오드 패키지(400)의 제조 방법은 기본적으로 상기 도 7 내지 도 17의 제조 단계를 따르나, 도 16의 단계와 도 17의 단계 사이에 도 19의 단계를 추가하는 차이가 있다.
도 19를 참조하면, 도 16 단계에 형성된 글래스(90)에 추후 칩 사이즈로 절단하게 될 절단선을 따라 상기 글래스(90)를 식각하여 상기 글래스(90)상에 좁은 홈(90H)을 형성하는 공정을 거친다. 상기 글래스(91)에 형성된 상기 홈(90H)은 웨이퍼 레벨의 상기 발광 다이오드 패키지(400)를 칩 사이즈로 절단할 때 상기 글래스(91)의 기계적인 강도로 인하여 쉽게 절단되지 않는 문제를 보완할 수 있다.
상기 글래스(91)가 형성된 결과물 전면에 대하여, 도 17의 후속 공정을 수행하여 상기 발광 다이오드 패키지(400)을 완성할 수 있다. 이 경우, 후속 공정상인 도 17에서 글래스(90)는 도 19의 글래스(91)인 것으로 보아야 한다.
도 20은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(500)의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 상기 발광 다이오드 패키지(500)의 제조 방법은 기본적으로 상기 도 7 내지 도 17의 제조 단계를 따르나, 도 13의 단계 대신 도 20의 단계를 거치는 차이가 있다.
도 20을 참조하면, 도 13에서 발광 다이오드 패키지(100)를 제조하는 경우 형광 물질층(70)은 발광 구조물(20a)의 상면을 모두 덮도록 웨이퍼 레벨로 형성한다. 그러나 도 13 단계를 대신하여 도 20 단계에 따르면, 형광 물질층(71)은 칩 사이즈로 분리된 형태로 상기 발광 구조물(20a)상에 형성된다. 이 경우 상기 형광 물질층(71)은 상기 제1 전극 패드(31) 및 상기 제2 전극 패드(33) 쌍을 적어도 하나 포함하는 상기 발광 구조물(20a)의 상면을 덮도록 형성된다. 그 결과 복수의 상기 형광 물질층(71)은 상기 발광 구조물(20a)상에서 일정 간격을 두고 형성될 수 있다.
상기 결과물의 상면에 접착성 물질, 형광성 물질, 또는 접착성 형광 물질을 도포하고 결과물 전면을 일부 식각하여, 상기 형광 물질층(71)간의 간격을 채우면서 상기 발광구조물(20a)의 상면과 접하는 지지층(84)이 형성한다.
상기 형광 물질층(71) 및 상기 지지층(84)이 형성된 결과물 전면에 대하여, 도 14 내지 도 17의 후속 공정을 수행하여 상기 발광 다이오드 패키지(500)을 완성할 수 있다. 이 경우, 후속 공정인 도 14 내지 도 17에서 형광 물질층(70)은 도 20의 형광 물질층(71) 및 지지층(84)이 형성된 것으로 보아야 한다.
다시 도 18 및 도 20을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(600)의 제조 방법을 설명한다. 도 12의 단계 다음에 추가되는 도 18의 단계에 따라, 제2 지지층(82) 및 발광 구조물(20b)이 형성되고, 상기 결과물 전면에 도 13의 단계 대신에 도 20의 단계에 따른 제1 지지층(84) 및 형광 물질층(71)이 형성될 수 있다. 이 후, 도 14 내지 도 17의 후속 공정을 거쳐 발광 다이오드 패키지(600)를 완성할 수 있다. 이 경우, 후속 공정인 도 14 내지 도 17에서 상기 발광 구조물(20a)은 상기 발광 구조물(20b)과 지지층(82)으로, 형광 물질층(70)은 형광 물질층(71) 및 제1 지지층(84)이 형성된 것으로 보아야 한다.
도 21은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 반도체 발광 소자를 포함하는 조광 시스템 (dimming system)을 도시한 도면이다.
도 21을 참조하면, 조광 시스템(1000)은 구조물(1100)상에 배치된 발광 모듈(1200) 및 전원 공급부(1300)를 포함한다.
상기 발광 모듈(1200)은 복수의 발광 다이오드 패키지(1220)를 포함할 수 있다. 상기 다이오드 패키지(1220)는 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 적어도 하나를 포함한다.
전원 공급부(1300)는 전원을 입력받는 인터페이스(1310)와, 발광 모듈(1200)에 공급되는 전원을 제어하는 전원 제어부(1320)를 포함한다. 인터페이스(1310)는 과전류를 차단하는 퓨즈와 전자파 장애 신호를 차폐하는 전자파 차폐필터를 포함할 수 있다. 전원 제어부(1320)는 전원으로서 교류 전원이 입력되는 경우 교류를 직류로 변환하는 정류부 및 평활화부와, 발광 모듈(1200)에 적합한 전압으로 변환시켜주는 정전압 제어부를 포함할 수 있다. 전원 공급부(1300)는 복수의 반도체 발광 소자(1220) 각각에서의 발광량과 미리 설정된 광량과의 비교를 수행하는 피드백 회로 장치와, 원하는 휘도, 연색성 등과 같은 정보를 저장하기 위한 메모리 장치를 포함할 수 있다.
조광 시스템(1000)은 화상 패널을 구비하는 액정 표시 장치 등의 디스플레이 장치에 이용되는 백라이트 유닛, 램프, 평판 조명 등의 실내 조명 가로등, 또는 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있다. 또는, 조광 시스템(1000)는 다양한 교통 수단용 조명 장치, 예를 들면 자동차, 선박, 또는 항공기용 조명 장치, TV, 냉장고 등과 같은 가전 제품, 또는 의료기기 등에 사용될 수 있다.
도 22는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 포함하는 광 처리 시스템의 블록 다이어그램이다.
도 22를 참조하면, 광 처리 시스템(2000)은 카메라 시스템(2100)과, 광원 시스템(2200)과, 데이터 처리 및 분석 시스템(2300)을 포함한다.
카메라 시스템(2100)은 광 처리 대상물에 직접 접촉하거나 광 처리 대상물로부터 소정 거리 이격된 상태에서 상기 광처리 대상물을 향하도록 배치하여 사용할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 광처리 대상물은 피부 또는 치료 부위와 같은 생체 조직일 수 있다. 카메라 시스템(2100)은 광가이드(2150)를 통해 광원 시스템(2200)에 연결되어 있다. 광 가이드(2150)는 광 전송이 가능한 광 섬유(optical fiber) 광 가이드, 또는 액상 광 가이드 (liquid light guide)를 포함할 수 있다.
광원 시스템(2200)은 광 가이드(2150)를 통해 광 처리 대상물에 조사되는 빛을 제공한다. 광원 시스템(2200)은 도 1 내지 도 6을 통해 설명한 발광 다이오드 패키지(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시예들에서, 광원 시스템(2200)에서 자외선을 발생 및 발진시켜 피부 또는 질환 부위와 같은 생체 조직에 조사할 수 있다.
카메라 시스템(2100)은 케이블(2160)을 통해 데이터 처리 및 분석 시스템(2300)에 연결되어 있다. 카메라 시스템(2100)으로부터 출력되는 영상 신호가 케이블(2160)을 통해 데이터 처리 및 분석 시스템(2300)으로 전송될 수 있다. 데이터 처리 및 분석 시스템(2300)은 제어기(2320) 및 모니터(2340)를 포함한다. 데이터 처리 및 분석 시스템(2300)에서는 카메라 시스템(2100)으로부터 전송된 영상 신호를 처리, 분석, 및 저장할 수 있다.
도 22에 예시한 광 처리 시스템(2000)은 피부 진단, 의료용 치료 기기, 소독 장치, 살균 장치, 세정 장치, 수술 용품, 미용 의료기기, 조명 장치, 정보 감지 장치 등과 같은 다양한 응용 분야에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
20a, 20b: 발광 구조물, 31: 제1 전극 패드, 33: 제2 전극 패드, 51: 제1 관통 전극, 53: 제2 관통 전극, 70, 71: 형광 물질층, 82, 84: 지지층, 90, 91: 글래스, 100, 200, 300, 400, 500, 600: 발광 다이오드 패키지

Claims (10)

  1. 발광 구조물;
    상기 발광 구조물과 연결되는 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드;
    상기 발광 구조물의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드를 한정하는 절연 패턴층과, 상기 절연 패턴층의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드의 일부를 노출시키는 비아홀이 형성된 기판;
    상기 비아홀의 내벽 및 상기 기판의 하면을 덮는 절연층과, 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드와 각각 연결되도록 상기 절연층이 덮힌 상기 비아홀 내에 형성되는 제1 관통 전극 및 제2 관통 전극;
    상기 발광 구조물상에 형성되는 형광 물질층;
    상기 형광 물질층을 사이에 두고 상기 발광 구조물과 이격된 글래스;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
  2. 제1 항에 있어서, 상기 형광 물질층은 접착성 형광 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 형광 물질층과 상기 글래스 사이에 형성되는 접착 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 기판의 상기 제1 폭은 상기 발광 구조물의 하면의 제2 폭보다 넓고, 상기 접착 물질층과 상기 절연 패턴층 사이에서 상기 발광 구조물을 한정하도록 형성되는 지지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 지지층은 접착성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 글래스 상면의 제3 폭은 상기 기판의 제1 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 발광 구조물;
    상기 발광 구조물과 연결되는 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드;
    상기 발광 구조물의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드를 한정하는 절연 패턴층과, 상기 절연 패턴층의 하면과 접하고 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드를 노출시키는 비아홀이 형성된 기판;
    상기 비아홀의 내벽 및 상기 기판 하면을 덮는 절연층과, 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드와 각각 연결되도록 상기 절연층이 덮힌 상기 비아홀 내에 형성되는 제1 관통 전극 및 제2 관통 전극;
    상기 발광 구조물 상에서 상기 기판의 제1 폭보다 좁은 제2 폭을 가지도록 형성되는 형광 물질층;
    상기 접착 물질층과 상기 발광 구조물 사이에서 상기 형광물질층을 한정하도록 형성되는 제1 지지층;
    상기 형광 물질층을 사이에 두고 상기 발광 구조물과 이격된 글래스;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 제1 지지층은 접착성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 제1 지지층은 형광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제7 항에 있어서, 상기 기판의 제1 폭보다 상기 발광 구조물 하면의 제3 폭이 더 좁고, 상기 제1 지지층과 상기 형광 물질층으로 구성되는 상부층과 상기 절연 패턴층으로 구성되는 하부층 사이에서 상기 발광 구조물을 한정하는 제2 지지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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