JP5278175B2 - 発光装置 - Google Patents
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(実施の形態)
本実施の形態の発光装置では、所謂貼り合わせ基板5を有する裏面電極の発光素子1を用いている。まず、サファイア基板上に大きく分けてn側GaN系半導体(AlInGaN)層、活性層、p側GaN系半導体の順にエピタキシャル成長させる。p化のためのアニールを行った後、p側最表面のGaN系半導体に活性層からの光を反射するp電極2となるAg/Ni/Ti/Ptを順に成膜する。その後、p電極2を成膜していない領域に二酸化珪素からなる絶縁部材3を成膜する。接着部材4となるAuSnを用いて発光素子のp電極2と貼り合せ基板5を貼り合せた後、サファイア基板を剥離し、n側GaN系半導体を露出させる(n側GaN系半導体、活性層、p側GaN系半導体からなる半導体積層構造が本発明の発光素子1及び半導体積層構造体に相当する)。
2・・・p電極
3、6・・・絶縁部材
4・・・接着部材
5・・・貼り合わせ基板
7・・・n電極
8・・・蛍光部材
Claims (3)
- 発光素子と、
前記発光素子の上面の周縁部に連続して設けられた電極と、
前記電極の内側のみに設けられた蛍光部材と、を有し、
前記電極は、絶縁部材を介して、前記発光素子の上面に隣接した側面を被覆していることを特徴とする発光装置。 - 前記発光素子の上面に設けられた電極と極性の異なる電極が、前記発光素子の下面に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子の上面に設けられた電極の高さは、20um以上400um以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
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