JP2005019936A - 白色発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態は、第1領域と第2領域とに区分された第1面及び前記第1面に対向する第2面を有し透光性を有する導電性基板41と、前記導電性基板41の第1領域に順次に形成された第1クラッド層29、第1活性領域27、及び第2クラッド層25を含む第1発光部20と、前記導電性基板41の第2領域に順次に形成された第3クラッド層35、前記第1活性領域27から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第2活性領域33、及び第4クラッド層31を含む第2発光部30と、前記導電性基板41の第2面に連結された第1電極45と、前記第2クラッド層21に連結された第2電極47と、前記第4クラッド層31に連結された第3電極とを含む白色発光素子50を提供する。
【選択図】図1
Description
21 n型GaNクラッド層
23 GaN/InGaN青色活性層
25 アンドープGaNクラッド層
27 GaN/InGaN緑色活性層
29 p型AlGaNクラッド層
30 第2発光部
31 n型AlGaInPクラッド層
33 AlGaInP赤色活性層
35 p型AlGaInPクラッド層
41 GaN基板
43 絶縁膜
45 n側電極
47 p側電極
Claims (46)
- 第1領域と第2領域とに区分された第1面及び前記第1面に対向する第2面を具備し透光性を有する導電性基板と、
前記導電性基板の第1領域に順次に形成された第1クラッド層、第1活性領域、及び第2クラッド層を含む第1発光部と、
前記導電性基板の第2領域に順次に形成された第3クラッド層、前記第1活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第2活性領域、及び第4クラッド層を含む第2発光部と、
前記導電性基板の第2面に連結された第1電極と、前記第2クラッド層に連結された第2電極及び前記第4クラッド層に連結された第3電極と、
を有することを特徴とする白色発光素子。 - 前記導電性基板は少なくとも青色光を透過できる物質から成ることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。
- 前記導電性基板はGaN基板であることを特徴とする請求項2に記載の白色発光素子。
- 前記第1及び第3クラッド層は第1導電型半導体物質から成り、前記第2及び第4クラッド層は第2導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。
- 前記第1発光部の第1活性領域は前記第1クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層、及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成り、
前記第2発光部の第2活性領域は赤色光を発散するための活性層から成ることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。 - 前記第1クラッド層は第1導電型GaN系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はGaN系化合物半導体物質で、前記青色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記第2クラッド層は第2導電型AlGaN系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項5に記載の白色発光素子。
- 前記第2発光部はAlGaInP、GaP、GaAs及びInNのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項1または6に記載の白色発光素子。
- 前記第2及び第3電極は一体として形成されることを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。
- 前記第1発光部と前記第2発光部との間に形成される絶縁膜をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の白色発光素子。
- 前記絶縁膜は前記第2電極の形成領域を除く前記第1発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項9に記載の白色発光素子。
- 第1領域と第2領域とに区分された第1面及び前記第1面に対向する第2面を有する導電性基板と、
前記導電性基板の第1領域に順次に形成された第1クラッド層、第1活性領域及び第2クラッド層を含む第1発光部と、
前記導電性基板の第2領域に金属接合層により接合された第3クラッド層、前記第1活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第2活性領域及び第4クラッド層を含む第2発光部と、
前記導電性基板の第2面に連結された第1電極及び前記第2クラッド層に連結された第2電極と、
を有することを特徴とする白色発光素子。 - 前記第1発光部の第1活性領域は赤色光を発散するための活性層から成り、
前記第2発光部の第2活性領域は前記第3クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成ることを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。 - 前記第3クラッド層は第1導電型GaN系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はGaN系化合物半導体物質で、前記青色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記第4クラッド層は第2導電型AlGaN系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項12に記載の白色発光素子。
- 前記第1発光部はAlGaInP、GaP、GaAs及びInNのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項11または13に記載の白色発光素子。
- 前記導電性基板は第1導電型基板であることを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。
- 前記導電型基板は第1導電型GaAs基板であることを特徴とする請求項15に記載の白色発光素子。
- 前記第1及び第3クラッド層は第1導電型半導体物質から成り、前記第2及び第4クラッド層は第2導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。
- 前記第2発光部は前記第4クラッド層上に形成された第2導電型基板と、前記第2導電型基板上に形成された電極とをさらに有することを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。
- 前記導電性基板は第1導電型不純物領域を有する第2導電型GaAs基板であり、前記第2発光部の第3クラッド層は前記第2導電型不純物領域に接合されることを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。
- 前記第1及び第4クラッド層は第2導電型半導体物質から成り、前記第2及び第3クラッド層は第1導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。
- 前記第2発光部は少なくとも前記第3クラッド層及び第2活性領域の一部が除去され前記第1導電型基板と対向する前記第4クラッド層の露出面を有し、
前記第4クラッド層の露出面と第1導電型基板とは金属接合層により連結されることを特徴とする請求項19に記載の白色発光素子。 - 前記第2発光部は前記第4クラッド層上に形成されたGaN基板をさらに有することを特徴とする請求項19に記載の白色発光素子。
- 前記第1発光部と前記第2発光部との間に形成された絶縁膜をさらに有することを特徴とする請求項11に記載の白色発光素子。
- 前記絶縁膜は前記第2電極の形成領域を除く前記第1発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項23に記載の白色発光素子。
- 第1領域と第2領域とに区分された第1面及び前記第1面に対向する第2面を具備し透光性を有する導電性基板を提供する段階と、
前記導電性基板の第1領域に第1クラッド層、第1活性領域及び第2クラッド層を順次に積層して第1発光部を形成する段階と、
前記導電性基板の第2領域に第3クラッド層、前記第1活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第2活性領域及び第4クラッド層を順次に積層して第2発光部を形成する段階と、
前記導電性基板の第2面に第1電極を形成し、前記第2クラッド層と前記第4クラッド層上に各々第2及び第3電極を形成する段階と、
を有することを特徴とする白色発光素子の製造方法。 - 前記導電性基板はGaN基板で、前記第1及び第3クラッド層は第1導電型半導体物質から成り、前記第2及び第4クラッド層は第2導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項25に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第2及び第3電極は一体として形成されることを特徴とする請求項25に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1発光部を形成する段階は、
前記導電性基板の第1面に第1クラッド層、第1活性領域及び第2クラッド層を順次に積層する段階と、
前記導電性基板の第2領域に形成された前記積層構造物を除去する段階と、
前記残留した積層構造物のうち、少なくとも前記第2領域に隣接した側壁に絶縁膜を形成する段階と、
を有することを特徴とする請求項25に記載の白色発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜は第2電極の形成領域を除く第1発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項28に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1発光部はAlGaInP、GaP、GaAs及びInNのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項25に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1発光部の第1活性領域は前記第1クラッド層上に形成された青色活性層、前記青色活性層上に形成されたアンドープクラッド層及び前記アンドープクラッド層上に形成された緑色活性層から成り、
前記第2発光部の第2活性領域は赤色光を発散するための活性層から成ることを特徴とする請求項25に記載の白色発光素子の製造方法。 - 前記第1クラッド層は第1導電型GaN系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はGaN系化合物半導体物質で、前記青色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記第2クラッド層は第2導電型AlGaN系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項31に記載の白色発光素子の製造方法。
- 第1領域と第2領域とに区分された第1面及び前記第1面に対向する第2面を有する導電性基板を提供する段階と、
前記導電性基板の第1領域に第1クラッド層、第1活性領域、及び第2クラッド層を順次に積層して第1発光部を形成する段階と、
前記第1導電型基板の第2領域に第3クラッド層、前記第1活性領域から発散する光と合成され白色光を生成する波長の光を発散する第2活性領域、及び第4クラッド層が順次に形成された第2発光部を金属接合層により接合する段階と、
前記導電性基板の第2面と前記第2クラッド層上に各々第1及び第2電極を形成する段階と、
を有することを特徴とする白色発光素子の製造方法。 - 前記導電性基板は第1導電型GaAs基板であることを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1及び第3クラッド層は第1導電型半導体物質から成り、前記第2及び第4クラッド層は第2導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第2発光部は前記第4クラッド層上に形成された第2導電型GaN基板をさらに含み、前記第2発光部は前記第2導電型GaN基板上に形成された第3電極をさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記導電性基板は第2導電型GaAs基板であり、前記第2発光部を接合させる段階前に、前記第2導電型基板に第1導電型不純物領域を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1及び第4クラッド層は第2導電型半導体物質から成り、前記第2及び第3クラッド層は第1導電型半導体物質から成ることを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第2発光部を接合させる段階は、
前記第2発光部の第3クラッド層を金属接合層により前記第1導電型不純物領域に接合させる段階と、
前記第2発光部の第4クラッド層を他の金属接合層により前記第2導電型基板に接合させる段階と、
を有することを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。 - 前記第2発光部は少なくとも前記第3クラッド層及び第2活性層の一部領域が除去され前記第1導電型基板と対向する前記第4クラッド層の露出面を有し、
前記第2導電型基板に接合させる段階は、前記第2発光部の第4クラッド層の露出面を前記他の金属接合層により前記第2導電型基板に接合させる段階であることを特徴とする請求項39に記載の白色発光素子の製造方法。 - 前記第2発光部は前記第4クラッド層上に形成されたGaN基板をさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1発光部を形成する段階は、
前記導電性基板の第1面に第1クラッド層、第1活性領域及び第2クラッド層を順次に積層する段階と、
前記導電性基板の第2領域に形成された前記積層構造物を除去する段階と、
前記残留した積層構造物のうち、少なくとも前記第2領域に隣接した側壁に絶縁膜を形成する段階と、
を有することを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜は前記第2電極の形成領域を除く第1発光部の表面全体に形成されることを特徴とする請求項42に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1発光部はAlGaInP、GaP、GaAs及びInNのグループから選択された半導体物質から成ることを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。
- 前記第1発光部の第1活性領域は赤色光を発散するための活性層から成り、
前記第2発光部の第2活性領域は前記第1クラッド層上に形成された緑色活性層、前記緑色活性層上に形成されたアンドープクラッド層及び前記アンドープクラッド層上に形成された青色活性層から成ることを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。 - 前記第3クラッド層は第1導電型GaN系化合物半導体物質であり、前記青色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記アンドープクラッド層はGaN系化合物半導体物質で、前記緑色活性層はGaN/InGaN系多重量子井戸構造で、前記第4クラッド層は第2導電型AlGaN系化合物半導体物質であることを特徴とする請求項33に記載の白色発光素子の製造方法。
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Cited By (4)
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JP2006339646A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光素子およびその製造方法 |
JP2010093304A (ja) * | 2005-12-27 | 2010-04-22 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色発光装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100541111B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2006-01-11 | 삼성전기주식회사 | 다파장 반도체 레이저 제조방법 |
KR100541110B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2006-01-11 | 삼성전기주식회사 | 다파장 반도체 레이저 제조방법 |
KR101108148B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2012-02-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
EP1717643B1 (en) * | 2005-04-26 | 2009-12-09 | Ricoh Company, Ltd. | Developing device, and image forming apparatus and process cartridge using the developing device |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US7922352B2 (en) * | 2005-07-21 | 2011-04-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material |
WO2007112066A2 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
JP4908041B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-04-04 | 株式会社沖データ | 発光ダイオードアレイ、ledヘッド及び画像記録装置 |
US20080121907A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-05-29 | Way-Jze Wen | Light emitting diode and fabricating method thereof |
WO2008030574A1 (en) | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Amberwave Systems Corporation | Defect reduction using aspect ratio trapping |
US7875958B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures |
DE102006051745B4 (de) * | 2006-09-28 | 2024-02-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
TW200818537A (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-16 | Chih Chung Yang | Fabricating method of poly-wavelength light-emitting diode of utilizing nano-crystals and the light-emitting device thereof |
WO2008051503A2 (en) | 2006-10-19 | 2008-05-02 | Amberwave Systems Corporation | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
TWI360891B (en) * | 2007-04-09 | 2012-03-21 | Epistar Corp | Light emitting device |
US7825328B2 (en) | 2007-04-09 | 2010-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US8237151B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
WO2008124154A2 (en) | 2007-04-09 | 2008-10-16 | Amberwave Systems Corporation | Photovoltaics on silicon |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US8329541B2 (en) | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
KR101393745B1 (ko) * | 2007-06-21 | 2014-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101459752B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2014-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
GB2451884A (en) * | 2007-08-16 | 2009-02-18 | Sharp Kk | A Semiconductor Device and a Method of Manufacture Thereof |
KR101093588B1 (ko) | 2007-09-07 | 2011-12-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 멀티-정션 솔라 셀 |
JP2009076640A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 半導体発光素子 |
US8183667B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
KR101216541B1 (ko) | 2008-09-19 | 2012-12-31 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 에피텍셜층 과성장에 의한 장치의 형성 |
US20100072515A1 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Amberwave Systems Corporation | Fabrication and structures of crystalline material |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
JP4775865B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2011-09-21 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP5705207B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2015-04-22 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd. | 結晶物質の非極性面から形成される装置とその製作方法 |
KR101122020B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2012-03-09 | 한국광기술원 | 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
US8476652B2 (en) * | 2010-07-30 | 2013-07-02 | Invenlux Corporation | Three-dimensional light-emitting devices and method for fabricating the same |
CN102130143B (zh) * | 2010-09-28 | 2012-11-28 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 白色led芯片及其形成方法 |
CN102446947A (zh) * | 2010-10-11 | 2012-05-09 | 北京吉乐电子集团有限公司 | 发光二极管芯片 |
CN102446946A (zh) * | 2010-10-11 | 2012-05-09 | 北京吉乐电子集团有限公司 | 发光二极管芯片结构 |
KR101799451B1 (ko) * | 2011-06-02 | 2017-11-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101393605B1 (ko) | 2012-08-01 | 2014-05-09 | 광전자 주식회사 | 요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
KR101875416B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-06 | (재)한국나노기술원 | Si(111)/(001) SOI 기판 또는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법 및 그에 의해 제조된 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈 |
KR101890582B1 (ko) * | 2017-12-14 | 2018-08-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 칩, 마이크로 디스플레이 장치 |
CN114512617A (zh) * | 2020-11-17 | 2022-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法 |
US20220181516A1 (en) * | 2020-12-04 | 2022-06-09 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Mixed color light emitting device |
CN114967231A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-08-30 | 高创(苏州)电子有限公司 | 发光组件、背光模组及其驱动方法、显示装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6608330B1 (en) * | 1998-09-21 | 2003-08-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
TW497277B (en) * | 2000-03-10 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
-
2003
- 2003-06-24 KR KR1020030040959A patent/KR100631832B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-10-15 JP JP2003355277A patent/JP3934590B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-22 US US10/689,630 patent/US6914262B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-24 US US11/087,680 patent/US7091055B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006286935A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sharp Corp | 光源モジュール、バックライトユニット、液晶表示装置 |
JP4574417B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 光源モジュール、バックライトユニット、液晶表示装置 |
JP2006339646A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光素子およびその製造方法 |
JP2011044733A (ja) * | 2005-05-31 | 2011-03-03 | Samsung Led Co Ltd | 白色発光素子 |
US7935974B2 (en) | 2005-05-31 | 2011-05-03 | Samsung Led Co., Ltd. | White light emitting device |
JP4699287B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-06-08 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド. | 白色発光素子およびその製造方法 |
JP2010093304A (ja) * | 2005-12-27 | 2010-04-22 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色発光装置 |
US8593063B2 (en) | 2005-12-27 | 2013-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting device |
CN103229292A (zh) * | 2010-09-07 | 2013-07-31 | 深圳市众明半导体照明有限公司 | 一种高亮度高显色性暖白光led芯片 |
JP2013537003A (ja) * | 2010-09-07 | 2013-09-26 | 深▲セン▼市衆明半導体照明有限公司 | 高輝度・高演色性の温白色ledチップ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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