WO2023277302A1 - 무기 발광 소자, 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

무기 발광 소자, 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 Download PDF

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WO2023277302A1
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inorganic light
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김명희
박태순
백범기
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삼성전자주식회사
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Definitions

  • One embodiment of the present disclosure relates to an inorganic light emitting device, a display module, and a manufacturing method thereof.
  • the self-luminous display device displays an image without a color filter and a backlight, and may use an inorganic light-emitting device that emits light by itself.
  • the display module expresses various colors while being operated in units of pixels or sub-pixels made of inorganic light emitting devices.
  • the operation of each pixel or sub-pixel is controlled by a thin film transistor (TFT).
  • TFT thin film transistor
  • a plurality of TFTs are arranged on a flexible substrate, a glass substrate or a plastic substrate.
  • a substrate having a plurality of TFTs in this way is referred to as a TFT substrate.
  • ACF anisotropic conductive film
  • One or more embodiments provide an inorganic light emitting device capable of minimizing the occurrence of a short circuit between electrodes of the inorganic light emitting device, a display module, and a manufacturing method thereof.
  • a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first electrode connected to the first semiconductor layer, and the second semiconductor layer A second electrode connected to, an insulating layer covering the first electrode and the second electrode together and including via holes at positions corresponding to the first electrode and the second electrode, the first electrode and the insulating layer through the via holes and a first conductive member and a second conductive member respectively connected to a second electrode, wherein a distance between the first conductive member and the second conductive member is larger than a distance between the first electrode and the second electrode.
  • a device is provided.
  • a width of the first conductive member may be smaller than a width of the first electrode, and a width of the second conductive member may be smaller than a width of the second electrode.
  • the first conductive member and the second conductive member may include poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS).
  • the insulating layer may include benzo cyclo butene (BCB), polyimide, or epoxy.
  • BCB benzo cyclo butene
  • polyimide polyimide
  • epoxy epoxy
  • a thin film transistor (TFT) substrate including a TFT layer including a circuit and a plurality of electrode pads on the TFT layer, a first electrode and a second electrode connected to the electrode pads are provided.
  • a display device includes two conductive members, wherein a distance between the first conductive member and the second conductive member is greater than a distance between the first electrode and the second electrode.
  • the first conductive member is disposed between the first electrode and an electrode pad between the corresponding electrode pad among the plurality of electrode pads
  • the second conductive member is disposed between the second electrode and the corresponding electrode pad among the plurality of electrode pads. It may be disposed between other electrode pads between electrode pads.
  • a width of the first conductive member may be smaller than a width of the first electrode, and a width of the second conductive member may be smaller than a width of the second electrode.
  • the insulating layer may include vias formed at positions corresponding to the first and second electrodes, and the plurality of first conductive members and the second conductive members may be disposed in the vias.
  • Each of the plurality of inorganic light emitting devices may include the insulating layer, the first conductive member, and the second conductive member.
  • the substrate may include the insulating layer, the first conductive member, and the second conductive member.
  • an inorganic light emitting device on an epitaxial substrate, forming a first electrode and a second electrode on the inorganic light emitting device, and covering the first electrode and the second electrode with the inorganic light emitting device.
  • Forming an insulating layer on the light emitting element forming a first via and a second via at positions corresponding to the first electrode and the second electrode on the insulating layer, the first via and the second via
  • a method for manufacturing a display module is provided, which includes forming a first conductive member and a second conductive member by filling the substrate, and transferring the inorganic light emitting element to a substrate on which a TFT layer is formed.
  • a distance between the first and conductive member and the second conductive member may be greater than a distance between the first electrode and the second electrode.
  • a width of the first via may be smaller than a width of the first electrode, and a width of the second via may be smaller than a width of the second electrode.
  • the first conductive member may have a circular shape in a plan view
  • the second conductive member may have a ring shape in a plan view
  • the first conductive member and the second conductive member may include poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS).
  • a TFT layer including a first electrode and a second electrode, a substrate including the TFT layer, the first electrode and the second electrode electrically connected to the first electrode and the second electrode.
  • a plurality of inorganic light emitting elements each including an electrode, an insulating layer between the substrate and the plurality of inorganic light emitting elements, a first conductive member between the first electrode and the first electrode pad, and the second electrode
  • a display device including a second conductive member between the second electrode pads, wherein a distance between the first conductive member and the second conductive member is greater than a distance between the first electrode and the second electrode.
  • a width of the first conductive member may be narrower than a width of the first electrode.
  • a width of the second conductive member may be narrower than a width of the second electrode.
  • the inorganic light emitting device includes first and second conductive members connected to the first and second electrodes, respectively, the first and second conductive members are provided due to a narrow gap between the first and second electrodes. A short between electrodes can be prevented.
  • an insulating layer which is a non-conductive polymer, is used as a bonding material, thereby minimizing short-circuit defects compared to the case of using an anisotropic conductive film (ACF) as an adhesive layer. and defects due to squeeze-out compared to the electrode bonding method can be reduced.
  • ACF anisotropic conductive film
  • the inorganic light emitting element is formed by the pressing force during thermal compression. The occurrence of cracks can be minimized.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating an inorganic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II-II indicated in FIG. 2 .
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, and 14 are diagrams each illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • 15 is a cross-sectional view illustrating an inorganic light emitting device according to another embodiment of the present disclosure.
  • 16 is a cross-sectional view illustrating a display module according to another exemplary embodiment of the present disclosure.
  • the expression 'same' means not only completely matching, but also including a degree of difference considering a processing error range.
  • the display module may include a display panel having an inorganic light emitting diode for displaying an image.
  • the display panel may be a flat panel display panel or a curved display panel, and a plurality of inorganic light emitting diodes (eg, micro LEDs or mini LEDs) of 100 ⁇ m or less are mounted, compared to LCDs that require a backlight. It provides better contrast, response time and energy efficiency.
  • 'inorganic light emitting diode' and 'inorganic light emitting device' may be used interchangeably.
  • the inorganic light emitting device applied to the present disclosure has higher brightness, luminous efficiency, and longer lifetime than OLED.
  • the inorganic light emitting device may be a semiconductor chip capable of emitting light by itself when power is supplied.
  • Micro LED an inorganic light emitting device, has a relatively fast response speed, low power, and high luminance.
  • micro LEDs are more efficient at converting electricity into photons than conventional LCDs or OLEDs.
  • the brightness per watt of micro LEDs is higher than that of conventional LCD or OLED displays.
  • micro LEDs can produce the same brightness with about half the energy compared to conventional LEDs (width, length, and height each exceed 100 ⁇ m) or OLEDs.
  • micro LED can express relatively high resolution, excellent color, contrast and brightness, so it can accurately express a wide range of colors, and can implement a clear screen even outdoors in bright sunlight.
  • micro LED is resistant to burn-in and generates little heat, guaranteeing a long lifespan without deformation.
  • the micro LED may have a flip chip structure in which an anode and a cathode electrode are formed on the same first surface and a light emitting surface is formed on a second surface opposite to the first surface on which the electrodes are formed.
  • a TFT layer having a thin film transistor (TFT) circuit is disposed on the front surface of the substrate, and a power supply circuit for supplying power to the TFT circuit, a data driving driver, and a gate are disposed on the rear surface.
  • a driving driver and a timing controller controlling each driving driver may be disposed.
  • a plurality of pixels arranged in a TFT layer can be driven by a TFT circuit.
  • the TFT provided in the display module may be, for example, a low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) TFT, a low-temperature polycrystalline oxide (LTPO) TFT, or an oxide TFT.
  • LTPS low-temperature polycrystalline silicon
  • LTPO low-temperature polycrystalline oxide
  • oxide TFT oxide
  • the substrate is a glass substrate, a synthetic resin series having a flexible material (eg, PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PES (polyethersulfone), PEN (polyethylene naphthalate), PC (polycarbonate) ), etc.) or a ceramic substrate can be used.
  • PI polyimide
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PC polycarbonate
  • a TFT layer having a TFT circuit is disposed on the front surface of the substrate, and the circuit may not be disposed on the rear surface of the substrate.
  • the TFT layer may be integrally formed on the substrate or made in the form of a separate film and attached to one surface of the glass substrate.
  • the front surface of the substrate may be divided into an active region and an inactive region.
  • the active region may correspond to a region occupied by the TFT layer on the entire surface of the substrate, and the inactive region may be an area excluding the region occupied by the TFT layer on the entire surface of the substrate.
  • the edge region of the substrate may be the outermost region of the glass substrate. Also, the edge region of the substrate may be an area other than a region of the substrate where a circuit is formed. Also, the edge region of the substrate may include a portion of the front surface of the substrate adjacent to the side surface of the substrate and a portion of the rear surface of the substrate adjacent to the side surface of the substrate.
  • the substrate may be formed in a quadrangle type. For example, the substrate may be formed in a rectangle or square.
  • the edge region of the substrate may include at least one side of the four sides of the glass substrate.
  • the TFTs constituting the TFT layer are not limited to a specific structure or type.
  • the TFTs may include LTPS TFTs (Low-temperature polycrystalline silicon TFTs), oxide TFTs and Si It can be implemented with TFT (poly silicon, a-silicon), organic TFT, graphene TFT, etc., and only P-type (or N-type) MOSFET can be made and applied in the Si wafer CMOS process.
  • the substrate included in the display module is not limited to the TFT substrate.
  • the display module may be a substrate without a TFT layer on which a TFT circuit is formed.
  • the display module may include a substrate on which the micro IC is separately mounted and only the wiring is patterned.
  • a pixel driving method of the display module may be an active matrix (AM) driving method or a passive matrix (PM) driving method.
  • the display module may form a wiring pattern to which each micro LED is electrically connected according to an AM driving method or a PM driving method.
  • the display module includes a glass substrate on which a plurality of LEDs are mounted and side wires are formed.
  • a display module can be installed and applied to electronic products or electric vehicles that require wearable devices, portable devices, handheld devices, and various displays as a single unit, and can be applied as a matrix type. It can be applied to display devices such as monitors for personal computers (PCs), high-resolution TVs and signage (or digital signage), electronic displays, and the like through the assembly arrangement of .
  • PCs personal computers
  • high-resolution TVs and signage or digital signage
  • electronic displays and the like through the assembly arrangement of .
  • a display module may include a plurality of inorganic light emitting devices for displaying an image arranged on a substrate on which thin film transistors are formed.
  • a plurality of inorganic light emitting devices may be sub-pixels constituting a single pixel.
  • one 'micro LED' and one 'sub-pixel' may be used interchangeably.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
  • a display device 1 may include a display module 3 and a processor 5.
  • the display module 3 may display various images.
  • the image may include a still image and/or a moving image.
  • the display module 3 can display various images such as broadcast content and multimedia content. Also, the display module 3 may display a user interface and icons.
  • the display module 3 may include a display panel 9 and a display driver IC (DDI) 7 for controlling the display panel 9 .
  • DCI display driver IC
  • the display driver IC 7 may include an interface module 7-1, a memory 7-2 (eg, a buffer memory), an image processing module 7-3, or a mapping module 7-4. .
  • the display driver IC 7 transmits image information including, for example, image data or an image control signal corresponding to a command for controlling the image data to the display device 1 through the interface module 7-1.
  • image information may be received from a processor 5 (eg, a main processor (eg, an application processor) or an auxiliary processor (eg, a graphic processing unit) that operates independently of the function of the main processor).
  • a processor 5 eg, a main processor (eg, an application processor) or an auxiliary processor (eg, a graphic processing unit) that operates independently of the function of the main processor).
  • the display driver IC 7 can communicate with the sensor module through the interface module 7-1.
  • the display driver IC 7 may store at least a portion of the received image information in the memory 7-2, for example, in units of frames.
  • the image processing module 7-3 may pre-process or post-process (eg, resolution, brightness, or resizing) can be performed.
  • the mapping module 7-4 may generate a voltage value or current value corresponding to the image data pre-processed or post-processed through the image processing module 7-3.
  • the generation of the voltage value or the current value depends on the properties of the pixels of the display panel 9 (eg, the arrangement of pixels (RGB stripe or pentile structure) or the size of each sub-pixel). It can be performed based at least in part.
  • At least some pixels of the display panel 9 are driven at least partially based on the voltage value or current value, so that visual information (eg text, image, or icon) corresponding to the image data is displayed on the display panel ( 9) can be displayed.
  • the display driver IC 7 may transmit a driving signal (eg, a driver driving signal, a gate driving signal, etc.) to the display based on image information received from the processor 5 .
  • a driving signal eg, a driver driving signal, a gate driving signal, etc.
  • the display driver IC 7 may display an image based on the image signal received from the processor 5 .
  • the display driver IC 7 generates a driving signal for a plurality of subpixels based on the image signal received from the processor 5, and displays an image by controlling light emission of the plurality of subpixels based on the driving signal. can do.
  • the display module 3 may further include a touch circuit.
  • the touch circuit may include a touch sensor and a touch sensor IC for controlling the touch sensor.
  • the touch sensor IC may control the touch sensor to detect, for example, a touch input or a hovering input to a designated position of the display panel 9 .
  • the touch sensor IC may detect a touch input or a hovering input by measuring a change in a signal (eg, voltage, light amount, resistance, or charge amount) for a designated position of the display panel 9 .
  • the touch sensor IC may provide information (eg, location, area, pressure, or time) on the sensed touch input or hovering input to the processor 5 .
  • At least a part of the touch circuit is a display driver IC 7, a part of the display panel 9, or another component disposed outside the display module 3 ( eg as part of a co-processor).
  • the processor 5 includes a digital signal processor (DSP), a microprocessor, a graphics processing unit (GPU), an artificial intelligence (AI) processor, a neural processing unit (NPU), and a TCON for processing digital image signals. (time controller)
  • DSP digital signal processor
  • MCU graphics processing unit
  • AI artificial intelligence
  • NPU neural processing unit
  • TCON TCON for processing digital image signals.
  • CPU central processing unit
  • MCU micro controller unit
  • MPU micro processing unit
  • a controller an application processor (AP), or a communication processor (CP), or one or more of an ARM processor, or may be defined by the term.
  • the processor ( 5) may be implemented in the form of a system on chip (SoC) with a built-in processing algorithm, large scale integration (LSI), application specific integrated circuit (ASIC), or field programmable gate array (FPGA).
  • SoC system on chip
  • LSI large scale integration
  • ASIC application specific integrated circuit
  • FPGA field programmable gate array
  • the processor 5 may control hardware or software components connected to the processor 5 by driving an operating system or an application program, and may perform various data processing and operations. Also, the processor 5 may load a command or data received from at least one of the other components into a volatile memory, process the received command or data, and store various data in a non-volatile memory.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating an inorganic light emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the inorganic light emitting device according to an embodiment of the present disclosure taken along line II-II indicated in FIG. 2 .
  • the inorganic light emitting device 100 may be a micro light emitting diode (LED) having a size of about 50 ⁇ m or less.
  • the inorganic light emitting device 100 may be of a flip chip type in which both the first electrode 131 and the second electrode 133 are disposed on a surface opposite to the light emitting surface 110a.
  • embodiments are not limited thereto, and the inorganic light emitting device 100 may be a lateral chip type or a vertical chip type.
  • the epitaxially grown portion 110 on the epitaxial substrate 101 is composed of a first semiconductor layer 111, a second semiconductor layer 115, a first semiconductor layer 111, and a second semiconductor layer 111.
  • An active layer 113 disposed between the semiconductor layers 115 may be included.
  • the first semiconductor layer 111 may include, for example, a p-type semiconductor layer (anode, oxide electrode).
  • the p-type semiconductor layer is, for example, GaN (gallium nitride), AlN (gallium nitride), AlGaN (aluminum gallium nitride), InGaN (indium gallium nitride), InN (indium nitride), InAlGaN (indium aluminum gallium nitride), AlInN ( aluminum indium nitride) and the like, and may be doped with a p-type dopant such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), and barium (Ba).
  • Mg magnesium
  • Zn zinc
  • Ca calcium
  • Ba barium
  • the second semiconductor layer 115 may include, for example, an n-type semiconductor layer (cathode, reduction electrode).
  • the n-type semiconductor layer may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, etc., and may be doped with an n-type dopant such as Si (silicon), Ge (germanium), or Sn (tin). there is.
  • the epitaxially grown portion 110 of the inorganic light emitting device 100 is not limited to the above configuration, and for example, the first semiconductor layer 111 includes an n-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 115 ) may include a p-type semiconductor layer.
  • the active layer is a region in which electrons and holes are recombinated, and as the electrons and holes recombine, the active layer transitions to a lower energy level and can generate light having a wavelength corresponding thereto.
  • the active layer 113 may include a semiconductor material, for example, amorphous silicon or polycrystalline silicon. However, embodiments are not limited thereto, and may contain organic semiconductor materials and the like, and may be formed in a single quantum well (SQW) structure or a multi quantum well (MQW) structure.
  • a semiconductor material for example, amorphous silicon or polycrystalline silicon.
  • embodiments are not limited thereto, and may contain organic semiconductor materials and the like, and may be formed in a single quantum well (SQW) structure or a multi quantum well (MQW) structure.
  • a first electrode 131 and a second electrode 133 may be disposed on opposite sides of the light emitting surface 110a. If the first electrode 131 is an anode electrode, the second electrode 133 may be a cathode electrode.
  • the first and second electrodes 131 and 133 may be made of an alloy containing Ag (silver) or Au (gold), but are not limited thereto.
  • the second electrode 133 may surround the first electrode 131 .
  • the positions of the first and second electrodes 131 and 133 may be interchanged depending on circumstances without being limited thereto.
  • the inorganic light emitting device 100 includes an insulating layer 160 covering the first electrode 131 and the second electrode 133 , a first conductive member 151 , and a second conductive member 153 .
  • the first conductive member 151 may be physically and electrically connected to the first electrode 131 through a first via 161a formed in the insulating layer 160 .
  • the second conductive member 153 may be physically and electrically connected to the second electrode 133 through the second via 161b formed in the insulating layer 160 .
  • the first conductive member 151 is formed on the first electrode 131 , and the width of the first conductive member 151 may be smaller than that of the first electrode 131 .
  • the second conductive member 153 is formed on the second electrode 133 , and the width of the second conductive member 153 may be smaller than that of the second electrode 133 . In this case, the distance D2 between the first conductive member 151 and the second conductive member 153 may be wider than the distance D1 between the first electrode 131 and the second electrode 133. there is.
  • the first and second electrodes ( A short between 131 and 133 can be prevented in advance.
  • the first conductive member 151 and the second conductive member 153 may be made of a conductive material, for example, PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)), which is a conductive polymer.
  • PEDOT:PSS has excellent electrical conductivity, light transmittance, and flexibility.
  • the insulating layer 160 covers the surface opposite to the light emitting surface 110a and the first and second electrodes 131 and 133 .
  • the insulating layer 160 may be made of a non-conductive material and may be formed of, for example, benzo cyclo butene (BCB), polyimide, or epoxy.
  • the insulating layer 160 may function as an adhesive layer for fixing the inorganic light emitting device 100 to the substrate 210 during a bonding process (see FIG. 14 ).
  • the inorganic light emitting device 100 light may be emitted to the light emitting surface 110a and the side surface of the inorganic light emitting device 100 , respectively.
  • a passivation layer may be formed on the side surface of the inorganic light emitting device 100 to protect the side surface.
  • the transparency of the passivation layer is relatively low and the reflectance is relatively high, the amount of light emitted to the side of the inorganic light emitting device 100 can be greatly reduced, and the light emitted to the side is reflected by the passivation layer to the light emitting surface 110a. can be released
  • the inorganic light emitting device 100 When viewed from a plane, the inorganic light emitting device 100 is shown in a circular shape as shown in FIG. 2 , but is not limited thereto and may be manufactured in an appropriate shape according to required conditions, such as an elliptical shape or a rectangular shape.
  • FIGS. 5 to 14 are diagrams each illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • a plurality of inorganic light emitting devices 100 are epitaxially grown on an epitaxial substrate 101 (41).
  • only one inorganic light emitting device 100 is shown in the drawing for convenience of explanation, but the embodiments are not limited thereto.
  • the epitaxially grown portion 110 may include the first semiconductor layer 111, the second semiconductor layer 115, and the active layer 113 disposed between the first semiconductor layer 111 and the second semiconductor layer 115. It can be (see Figure 3).
  • the first semiconductor layer 111, the active layer 113, and the second semiconductor layer 115 may be formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), or plasma chemical vapor deposition (PECVD). ; plasma-enhanced chemical vapor deposition).
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • PECVD plasma chemical vapor deposition
  • plasma-enhanced chemical vapor deposition plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • One surface of the epitaxially grown portion 110 that is, a surface in contact with the epitaxial substrate 101 serves as a light emitting surface, and the first electrode 131 and the second electrode 133 may be disposed on the surface opposite to the light emitting surface. .
  • the first electrode 131 and the second electrode 133 may be formed to be connected to the first and second semiconductor layers of the epitaxially grown portion 110 at a predetermined interval D1, respectively. Yes (42).
  • the first and second electrodes 131 and 133 may be respectively formed on the first and second semiconductor layers by depositing a metal material through a deposition process such as sputtering, and through a photolithography process and an etching process, respectively. .
  • an insulating layer 160 may be formed to a predetermined thickness on the first and second semiconductor layers to cover the first and second electrodes 131 and 133 (43).
  • the insulating layer 160 may be formed through, for example, a deposition process.
  • first and second vias 161a and 161b may be formed in the insulating layer 160 (44).
  • the first via 161a may be formed to expose a portion of the first electrode 131 .
  • the width of the first via 161a may be smaller than that of the first electrode 131 .
  • the width of the first via 161a determines the width of the first conductive member 151 to be described later.
  • the second via 161b may be formed such that a portion of the second electrode 133 is exposed. In this case, the width of the second via 161b may be smaller than that of the second electrode 133 .
  • the second via 161b may have a ring shape corresponding to the shape of the second electrode 133 or an arc shape along the shape of the second electrode 133 .
  • the second via 161b thus formed may be formed of one element.
  • the embodiments are not limited thereto, and the second via 161b may be formed of multiple elements spaced apart from each other on the second electrode 133 at regular intervals.
  • the width of the second via 161b may determine the width of the second conductive member 153 to be described later.
  • conductive members 151 and 152 are filled in the first and second vias 161b, and conductive members 153 and 154 are filled in the second vias 161b (45).
  • portions 151 and 153 of the conductive member may fill the first and second vias 161a and 161b, and the rest of the conductive member 152 and 154 may be formed on the insulating layer 160 .
  • a polishing process is performed to remove the remaining portions 152 and 154 of the conductive member (46). In this case, as the rest of the conductive members 152 and 154 are removed, a portion of the top surface of the insulating layer 160 is also removed, so that overall flatness can be maintained.
  • the first conductive member 151 in contact with the first electrode 131 and the portion 151 and 153 in contact with the second electrode 133 of the conductive member are removed.
  • 2 may be the conductive member 153 .
  • the distance D2 between the first and second conductive members 151 and 153 may be wider than the distance D1 between the first and second electrodes 131 and 133 .
  • the first and second conductive members 151 and 153 are respectively attached to the first and second electrode pads 231 and 233 (see FIG. 13) of the substrate instead of the first and second electrodes 131 and 133 in a transfer process described later. can be directly connected. Accordingly, it is possible to prevent a short between the first and second electrodes 131 and 133 caused by the narrow distance D1 between the first and second electrodes 131 and 133 .
  • the inorganic light emitting device 100 fabricated through the above processes is separated from the epitaxial substrate 101 to be transferred to the substrate 210 (see FIG. 13 ).
  • the inorganic light emitting device 100 is attached to one surface of the temporary substrate 103 before separating the inorganic light emitting device 100 from the epitaxial substrate 101 .
  • the epitaxial substrate 101 and the inorganic light emitting device 100 are separated by a laser lift-off (LLO) method.
  • LLO laser lift-off
  • the inorganic light emitting device 100 transferred to the temporary substrate 103 is transferred to the relay substrate 105 for a transfer process.
  • the light emitting surface 110a of the inorganic light emitting device 100 may be attached to the relay substrate 105 .
  • the temporary substrate 103 may separate the inorganic light emitting device 100 using a laser lift-off (LLO) method.
  • the first and second conductive members 151 and 153 are the first and second electrode pads 231 of the TFT substrate 200, 233), it may be transferred to the TFT substrate 200.
  • the TFT substrate 200 is a glass substrate, a synthetic resin series having flexibility (for example, PI (polyimide), PET (polyethylene terephthalate), PES (polyethersulfone), PEN (polyethylene naphthalate), PC (polycarbonate, etc.) or a ceramic substrate.
  • a TFT layer having a TFT circuit formed thereon may be disposed on the entire surface of the TFT substrate 200 .
  • the TFT layer may be integrally formed on the substrate or made in the form of a separate film and attached to one surface of the substrate.
  • the inorganic light emitting device 100 may be transferred from the relay substrate 105 to the TFT substrate 200 through a transfer process such as stamping transfer, laser transfer, or rollable transfer.
  • the display module 300 may be manufactured by transferring the inorganic light emitting device 100 to the TFT substrate 200 through a transfer process.
  • the first and second conductive members 151 and 153 are electrically connected to the first and second electrode pads 231 and 233 of the TFT substrate 200, respectively. can be connected Accordingly, the first and second electrodes 131 and 133 of the inorganic light emitting device 100 are electrically connected to the first and second electrode pads 231 and 233 through the first and second conductive members 151 and 153. can be connected to
  • the inorganic light emitting device 100 may be thermally compressed to the TFT substrate 200 during a transfer process.
  • the pressure may be 200 MPa or less, and the temperature may be 120 to 170 ° C.
  • the insulating layer 160 may function as an adhesive layer capable of firmly attaching the inorganic light emitting device 100 to the TFT substrate 200 while being melted.
  • the insulating layer 160 which is a non-conductive polymer, is used as a bonding material, the first and second electrodes 131 and 133 and between the first and second electrodes 131 and 133 are separated, compared to the case where ACF according to the prior art is used as an adhesive layer. Short circuit defects between the electrode pads 231 and 233 can be prevented, and defects due to squeeze-out can be reduced compared to the electrode bonding method.
  • the insulating layer 160 which is a non-conductive polymer, can perform under-filling and encapsulation roles, thereby improving product reliability and reducing stress applied to the inorganic light emitting device 100. , and stress transferred between the first and second electrodes 131 and 133 caused by the warping of the TFT substrate 200 can be relieved.
  • 15 is a cross-sectional view illustrating an inorganic light emitting device according to another embodiment of the present disclosure.
  • an inorganic light emitting device has most of the same configuration as the inorganic light emitting device 100 described above, and includes an epitaxially grown portion 1110 on an epitaxial substrate, that is, a first semiconductor layer, A portion in which the active layer and the second semiconductor layer are stacked may have a substantially hexahedral shape as a whole.
  • the insulating layer 160 covers the surface opposite to the light emitting surface and the first and second electrodes 131 and 133 .
  • the distance D3 between the first and second conductive members 151 and 153 may be wider than the distance D3 between the first and second electrodes 131 and 133 .
  • the inorganic light emitting devices 100 and 1100 include the first and second conductive members 151 and 153 and the insulating layer 160, but are not limited thereto.
  • the first and second conductive members and the insulating layer are formed on the TFT substrate, like in a display module according to another embodiment of the present disclosure described below.
  • the inorganic light emitting devices 100 and 1100 may be transferred to a TFT substrate through a fluidic self-assembly (FSA) transfer method.
  • FSA fluidic self-assembly
  • 16 is a cross-sectional view illustrating a display module according to another exemplary embodiment of the present disclosure.
  • an insulating layer 2160 covering the first electrode pad 2231 and the second electrode pad 2233 may be formed on the TFT substrate 2200 .
  • vias may be formed at positions corresponding to the first and second electrode pads 2231 and 2233, and each via may be filled with a first conductive member 2251 and a second conductive member 2253. there is.
  • the width of the first conductive member 2251 may be smaller than that of the first electrode pad 2231
  • the width of the second conductive member 2253 may be smaller than that of the second electrode pad 2233 .
  • the interval between the first and second conductive members 2251 and 2253 may be wider than the interval between the first and second electrode pads 2231 and 2233 .
  • a general inorganic light emitting device 2100 may be transferred to the TFT substrate 2200 on which the insulating layer 2160 and the first and second conductive members 2251 and 2253 are formed.
  • the insulating layer 2160 is formed of a non-conductive polymer as in the above-described embodiments, when the inorganic light emitting element 2100 arranged on the relay substrate 1105 is thermally compressed to the TFT substrate 2200, the inorganic light emitting element Short circuits between the first and second electrodes 2131 and 2133 and between the first and second conductive members 2251 and 2253 may be prevented.
  • the pressure applied to the inorganic light emitting device 2100 and the TFT substrate 2200 during thermal compression can be buffered by the insulating layer 2160, stress on the inorganic light emitting device 2100 and the TFT substrate 2200 is reduced. The occurrence of cracks can be minimized.
  • the inorganic light emitting device 2100 is transferred to the TFT substrate 2210 through a fluidic self-assembly (FSA) transfer method.
  • FSA fluidic self-assembly
  • the guide member may be formed of a mold in which a plurality of guide grooves are formed. A plurality of guide grooves may be formed to correspond to positions where each inorganic light emitting device 2100 is connected to the TFT substrate 2200 .

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Abstract

무기 발광 소자, 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 무기 발광 소자는, 제1 반도체 층과, 제2 반도체 층과, 제1 반도체 층 및 제2 반도체 층 사이에 배치된 활성층과, 제1 반도체 층과 연결된 제1 전극과, 제2 반도체 층과 연결된 제2 전극과, 제1 및 제2 전극을 함께 덮고 제1 전극 및 제2 전극에 대응하는 위치에 있는 비아홀들을 포함하는 절연층과, 비아홀들을 통해 제1 전극 및 제2 전극과 각각 연결된 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재를 포함하며, 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재 사이의 간격은 제1 전극 및 제2 전극 사이의 간격보다 클 수 있다.

Description

무기 발광 소자, 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
본 개시의 일 실시 예들은 무기 발광 소자, 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
자발광 디스플레이 소자는 컬러 필터 및 백 라이트 없이 영상을 표시하는 것으로, 스스로 빛을 내는 무기 발광 소자를 이용할 수 있다.
디스플레이 모듈은 무기 발광 소자로 이루어진 픽셀 또는 서브 픽셀 단위로 동작이 되면서 다양한 색을 표현하고 있다. 각각의 픽셀 또는 서브 픽셀은 TFT(thin film transistor)에 의해 동작이 제어된다. 복수의 TFT는 연성 가능한 기판, 글라스 기판 또는 플라스틱 기판에 배열된다. 이와 같이 복수의 TFT를 구비한 기판을 TFT 기판이라고 한다.
최근 들어 TFT 기판에 100㎛이하의 마이크로 LED를 실장하는 디스플레이 모듈이 개발되고 있다. 그런데 마이크로 LED에 구비된 양극 전극과 음극 전극이 같은 면에 배치되는 경우 전극들 간의 간격이 대체로 작다. 따라서 TFT 기판에 마이크로 LED 전사 시 ACF(anisotropic conductive film)를 접합층으로 이용하는 경우, ACF에 포함된 전극들 사이에 위치하는 도전 볼들로 인해 전극 간 쇼트가 발생하는 문제가 있다.
하나 이상의 실시 예들은 무기 발광 소자의 전극 간 쇼트 발생을 최소화할 수 있는 무기 발광 소자, 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공한다.
일 실시 예의 목적에 따르면, 제1 반도체 층, 제2 반도체 층, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층 사이에 배치된 활성층, 상기 제1 반도체 층과 연결된 제1 전극, 상기 제2 반도체 층과 연결된 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 함께 덮고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대응하는 위치에 있는 비아홀들을 포함하는 절연층, 상기 비아홀들을 통해 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 각각 연결된 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재를 포함하며, 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이의 간격은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격보다 큰 무기 발광 소자가 제공된다.
상기 제1 도전 부재의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 작게 형성되고, 상기 제2 도전 부재의 폭은 상기 제2 전극의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate))을 포함할 수 있다.
상기 절연층은 BCB(benzo cyclo butene), 폴리이미드(polyimide) 또는 에폭시(epoxy)를 포함할 수 있다.
일 실시 예의 다른 목적에 따르면, TFT(thin film transistor) 회로가 포함된 TFT 층과 상기 TFT 층에 있는 다수의 전극 패드를 포함하는 기판, 상기 전극 패드들과 접속되는 제1 전극 및 제2 전극을 각각 포함하는 다수의 무기 발광 소자, 상기 기판과 상기 다수의 무기 발광 소자 사이에 있는 절연층, 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 함께 상기 다수의 전극 패드를 전기적으로 연결하는 제1 및 제2 도전 부재를 포함하며, 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이의 간격은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격보다 큰 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 제1 도전 부재는 상기 제1 전극과 상기 다수의 전극 패드 중에서 대응하는 전극 패드 사이에 있는 전극 패드 사이에 배치되고, 상기 제2 도전 부재는 상기 제2 전극과 상기 다수의 전극 패드 중에서 대응하는 전극 패드 사이에 있는 다른 전극 패드 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 도전 부재의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 작게 형성되고, 상기 제2 도전 부재의 폭은 상기 제2 전극의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
상기 절연층은 상기 제1 및 제2 전극에 대응하는 위치에 형성된 비아들을 포함하고, 상기 다수의 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재는 상기 비아들 안에 배치될 수 있다.
상기 다수의 무기 발광 소자는 각각, 상기 절연층과 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재를 포함할 수 있다.
상기 기판은, 상기 절연층과 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예의 다른 목적에 따르면, 에피 기판에 무기 발광 소자를 성장시키는 단계, 상기 무기 발광 소자에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮도록 상기 무기 발광 소자에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대응하는 위치에 제1 비아 및 제2 비아를 형성하는 단계, 상기 제1 비아 및 상기 제2 비아를 채워 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재를 형성하는 단계, 및 상기 무기 발광 소자를 TFT 층이 형성된 기판에 전사하는 단계를 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법이 제공된다.
상기 제1 및 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이의 간격을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격보다 크게 형성할 수 있다.
상기 제1 비아의 폭을 상기 제1 전극의 폭보다 작게 형성하고 상기 제2 비아의 폭을 상기 제2 전극의 폭보다 작게 형성할 수 있다.
상기 제1 도전 부재는 평면 뷰에서 원형을 가질 수 있으며, 상기 제2 도전 부재는 평면 뷰에서 링 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate))을 포함할 수 있다.
일 실시 예의 다른 목적에 따르면, 제1 전극 및 제2 전극이 포함된 TFT 층과 상기 TFT 층을 포함하는 기판, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 상기 제1 전극 및 제2 전극을 각각 포함하는 다수의 무기 발광 소자, 상기 기판과 상기 다수의 무기 발광 소자 사이에 있는 절연층, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극 패드 사이에 있는 제1 도전 부재, 및 상기 제2 전극과 상기 제2 전극 패드 사이에 있는 제2 도전 부재를 포함하며, 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이의 거리는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 거리보다 큰 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 제1 도전 부재의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 좁을 수 있다.
상기 제2 도전 부재의 폭은 상기 제2 전극의 폭보다 좁을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 무기 발광 소자의 제1 및 제2 전극에 각각 연결된 제1 및 제2 도전 부재를 구비함에 따라, 제1 및 제2 전극 사이의 좁은 간격으로 인해 발생하는 제1 및 제2 전극 간 쇼트(short)를 방지할 수 있다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 무기 발광 소자를 TFT 기판에 열압착 시 비전도성의 폴리머인 절연층을 본딩 소재로 사용함에 따라 ACF(anisotropic conductive film)를 접착층으로 사용한 경우에 비해 쇼트 불량을 최소화할 수 있고, 전극 접합 방식 대비 스퀴즈 아웃(squeeze-out)에 의한 불량을 감소할 수 있다.
또한, 본 개시에 따르면, 열압착 시 제1 및 제2 도전 부재와 제1 및 제2 전극 패드 간 발생하는 스트레스는 절연층에 의해 균등하게 분산됨에 따라, 열압착 시 가압력에 의해 무기 발광 소자에 크랙이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
본 개시의 상기 및/또는 다른 양태 및 특징은 첨부된 도면을 참조하여 그의 예시적인 실시 예를 상세히 설명함으로써 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 무기 발광 소자를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2에 표시된 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 및 14는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 각각 나타낸 도면들이다.
도 15는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 무기 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 16은 본 개시의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 나타낸 단면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시에서, 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 개시에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 개시에서, '동일하다'는 표현은 완전하게 일치하는 것뿐만 아니라, 가공 오차 범위를 감안한 정도의 상이함을 포함한다는 것을 의미한다.
그 밖에도, 일 실시 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 영상 표시용 무기 발광 다이오드(inorganic light emitting diode)를 구비한 디스플레이 패널을 포함할 수 있다. 여기서, 디스플레이 패널은 평판 디스플레이 패널 또는 커브드 디스플레이 패널일 수 있으며, 100㎛ 이하인 복수의 무기 발광 다이오드(inorganic LED)(예를 들면, 마이크로 LED 또는 미니 LED)가 실장되어 있어 백라이트가 필요한 LCD에 비해 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다.　본 개시에서는 '무기 발광 다이오드'와 '무기 발광 소자'는 혼용될 수 있다.
본 개시에 적용하는 무기 발광 소자는 OLED보다 밝기, 발광 효율, 수명이 길다. 무기 발광 소자는 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 무기 발광 소자인 마이크로 LED는 상대적으로 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있다. 예를 들면, 마이크로 LED는 기존 LCD 또는 OLED에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 예를 들면, 기존 LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 마이크로 LED의 와트당 밝기가 더 높다. 이에 따라 마이크로 LED는 기존의 LED(가로, 세로, 높이가 각각 100㎛를 초과한다) 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있게 된다. 이외에도 마이크로 LED는 상대적으로 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고 마이크로 LED는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다. 마이크로 LED는 애노드 및 캐소드 전극이 동일한 제1 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들이 형성된 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.
일 실시 예에서, 기판은 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 후면(rear surface)에 TFT 회로에 전원을 공급하는 전원 공급 회로와 데이터 구동 드라이버, 게이트 구동드라이버 및 각 구동 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러가 배치될 수 있다. TFT 층에 배열된 다수의 픽셀은 TFT 회로에 의해 구동될 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이 모듈에 제공되는 TFT는, 예를 들면, LTPS(low-temperature polycrystalline silicon) TFT, LTPO(low-temperature polycrystalline oxide) TFT, 또는 산화물 TFT일 수 있다.
일 실시 예에서, 기판은 글라스 기판, 가요성(flexibility) 재질을 가지는 합성수지 계열(예를 들면, PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PES(polyethersulfone), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 등)의 기판이나 세라믹 기판을 사용할 수 있다.
일 실시 예에서, 기판의 전면에는 TFT 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 기판의 후면에는 회로가 배치되지 않을 수 있다. TFT 층은 기판 상에 일체로 형성되거나 별도의 필름 형태로 제작되어 글라스 기판의 일면에 부착될 수 있다.
일 실시 예에서, 기판의 전면은 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역을 제외한 영역일 수 있다.
일 실시 예에서, 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 최 외곽 영역일 수 있다. 또한, 기판의 에지 영역은 기판의 회로가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한, 기판의 에지 영역은 기판의 측면에 인접한 기판의 전면 일부와 기판의 측면에 인접한 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다. 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다. 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 4변 중 적어도 하나의 변을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, TFT 층(또는 백 플레인(backplane))을 구성하는 TFT는 특정 구조나 타입으로 한정되지 않는다, 예를 들면, TFT는 LTPS TFT(Low-temperature polycrystalline silicon TFT) 외 oxide TFT 및 Si TFT(poly silicon, a-silicon), 유기 TFT, 그래핀 TFT 등으로도 구현될 수 있으며, Si 웨이퍼 CMOS 공정에서 P 타입(or N 타입) MOSFET만 만들어 적용할 수도 있다.
일 실시 예에서는 디스플레이 모듈에 포함되는 기판을 TFT 기판에 한정하지 않는다. 예를 들면, 디스플레이 모듈은 TFT 회로가 형성된 TFT 층이 없는 기판일 수 있다. 이 경우, 디스플레이 모듈은 마이크로 IC를 별도로 실장하고 배선만 패터닝된 기판을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이 모듈의 픽셀 구동 방식은 AM(Active Matrix) 구동 방식 또는 PM(Passive Matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 디스플레이 모듈은 다수의 LED가 실장되고 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 포함한다. 이와 같은 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 매트릭스 타입으로 복수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
일 실시 예의 디스플레이 모듈은 박막 트랜지스터가 일면에 형성된 기판 상에 배열된 다수의 영상 표시용 무기 발광 소자를 포함할 수 있다. 다수의 무기 발광 소자는 단일 픽셀을 이루는 서브 픽셀일 수 있다. 본 개시에서 하나의 '마이크로 LED'와 하나의 '서브 픽셀'은 혼용할 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 일 실시 예에 대하여 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.　그러나 일 실시 예는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 개시를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
나아가, 이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용을 참조하여 본 개시의 실시 예를 상세하게 설명하지만, 본 개시가 실시 예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
이하에서는 도면을 참고하여, 본 개시의 다양한 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치(1)는 디스플레이 모듈(3)과 프로세서(5)를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(3)은 다양한 영상을 표시할 수 있다. 여기에서, 영상은 정지 영상 및/또는 동영상을 포함할 수 있다. 디스플레이 모듈(3)은 방송 콘텐츠, 멀티미디어 콘텐츠 등과 같은 다양한 영상을 표시할 수 있다. 또한, 디스플레이 모듈(3)은 유저 인터페이스(user interface) 및 아이콘을 표시할 수도 있다.
디스플레이 모듈(3)은 디스플레이 패널(9) 및 디스플레이 패널(9)을 제어하기 위한 디스플레이 드라이버 IC(DDI, display driver IC)(7)를 포함할 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는 인터페이스 모듈(7-1), 메모리(7-2)(예: 버퍼 메모리), 이미지 처리 모듈(7-3), 또는 맵핑 모듈(7-4)을 포함할 수 있다. 디스플레이 드라이버 IC(7)는, 예를 들면, 영상 데이터, 또는 상기 영상 데이터를 제어하기 위한 명령에 대응하는 영상 제어 신호를 포함하는 영상 정보를 인터페이스 모듈(7-1)을 통해 디스플레이 장치(1)의 다른 구성요소로부터 수신할 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 영상 정보는 프로세서(5)(예: 메인 프로세서(예: 어플리케이션 프로세서) 또는 메인 프로세서의 기능과 독립적으로 운영되는 보조 프로세서(예: 그래픽 처리 장치)로부터 수신될 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는 센서 모듈과 인터페이스 모듈(7-1)을 통하여 커뮤니케이션 할 수 있다. 또한, 디스플레이 드라이버 IC(7)는 상기 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(7-2)에, 예를 들면, 프레임 단위로 저장할 수 있다. 이미지 처리 모듈(7-3)은, 예를 들면, 상기 영상 데이터의 적어도 일부를 상기 영상 데이터의 특성 또는 디스플레이 패널(9)의 특성에 적어도 기반하여 전처리 또는 후처리(예: 해상도, 밝기, 또는 크기 조정)를 수행할 수 있다. 맵핑 모듈(7-4)은 이미지 처리 모듈(7-3)을 통해 전처리 또는 후처리된 상기 영상 데이터에 대응하는 전압 값 또는 전류 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전압 값 또는 전류 값의 생성은 예를 들면, 디스플레이 패널(9)의 픽셀들의 속성(예: 픽셀들의 배열(RGB stripe 또는 pentile 구조), 또는 서브 픽셀들 각각의 크기)에 적어도 일부 기반하여 수행될 수 있다. 디스플레이 패널(9)의 적어도 일부 픽셀들은, 예를 들면, 상기 전압 값 또는 전류 값에 적어도 일부 기반하여 구동됨으로써 상기 영상 데이터에 대응하는 시각적 정보(예: 텍스트, 이미지, 또는 아이콘)가 디스플레이 패널(9)을 통해 표시될 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는, 프로세서(5)로부터 수신된 영상 정보에 기반하여, 디스플레이로 구동 신호(예: 드라이버 구동 신호, 게이트 구동 신호 등)를 전송할 수 있다.
디스플레이 드라이버 IC(7)는 프로세서(5)로부터 수신된 영상 신호에 기초하여 영상을 표시할 수 있다. 일 예로, 디스플레이 드라이버 IC(7)는 프로세서(5)로부터 수신된 영상 신호에 기초하여 복수의 서브 픽셀들의 구동 신호를 생성하고, 구동 신호에 기초하여 다수의 서브 픽셀의 발광을 제어함으로써 영상을 표시할 수 있다.
디스플레이 모듈(3)은 터치 회로를 더 포함할 수 있다. 터치 회로는 터치 센서 및 이를 제어하기 위한 터치 센서 IC를 포함할 수 있다. 터치 센서 IC는, 예를 들면, 디스플레이 패널(9)의 지정된 위치에 대한 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지하기 위해 터치 센서를 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC는 디스플레이 패널(9)의 지정된 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(5)에 제공할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 터치 회로의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC)는 디스플레이 드라이버 IC(7), 또는 디스플레이 패널(9)의 일부로, 또는 디스플레이 모듈(3)의 외부에 배치된 다른 구성요소(예: 보조 프로세서)의 일부로 포함될 수 있다.
프로세서(5)는 디지털 영상 신호를 처리하는 디지털 시그널 프로세서(digital signal processor(DSP), 마이크로 프로세서(microprocessor), GPU(graphics processing unit), AI(artificial intelligence) 프로세서, NPU (neural processing unit), TCON(time controller)으로 구현될 수 있다. 다만, 실시 예들은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 중앙처리장치(central processing unit(CPU)), MCU(micro controller unit), MPU(micro processing unit), 컨트롤러(controller), 어플리케이션 프로세서(application processor(AP)), 또는 커뮤니케이션 프로세서(communication processor(CP)), ARM 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함하거나, 해당 용어로 정의될 수 있다. 또한, 프로세서(5)는 프로세싱 알고리즘이 내장된 SoC(system on chip), LSI(large scale integration)로 구현될 수도 있고, ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array) 형태로 구현될 수도 있다.
프로세서(5)는 운영 체제 또는 응용 프로그램을 구동하여 프로세서(5)에 연결된 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소들을 제어할 수 있고, 각종 데이터 처리 및 연산을 수행할 수 있다. 또한, 프로세서(5)는 다른 구성요소들 중 적어도 하나로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리에 로드하여 상기 수신된 명령 또는 데이터를 처리하고, 다양한 데이터를 비휘발성 메모리에 저장할 수 있다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 무기 발광 소자를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2에 표시된 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 나타낸 본 개시의 일 실시 예에 따른 무기 발광 소자의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 무기 발광 소자(100)는 약 50㎛ 이하의 크기를 가지는 마이크로 LED(light emitting diode)일 수 있다. 무기 발광 소자(100)는 발광면(110a)의 반대면에 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)이 모두 배치된 플립칩(flip chip) 타입일 수 있다. 다만, 실시 예들은 이에 한정하지 않으며, 무기 발광 소자(100)는 래터럴칩(lateral chip) 타입 또는 버티컬칩(vertical chip) 타입일 수 있다.
무기 발광 소자(100)는 에피 기판(101, 도 5 참조)에서 에피 성장한 부분(110)이 제1 반도체층(111), 제2 반도체층(115), 제1 반도체층(111)과 제2 반도체층(115) 사이에 배치된 활성층(113)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(111)은 예를 들어, p형 반도체층(anode, 산화 전극)을 포함할 수 있다. p형 반도체층은 예를 들어 GaN(gallium nitride), AlN(gallium nitride), AlGaN(aluminum gallium nitride), InGaN(indium gallium nitride), InN(indium nitride), InAlGaN(indium aluminum gallium nitride), AlInN(aluminum indium nitride) 등에서 선택될 수 있으며, Mg(magnesium), Zn(zinc), Ca(calcium), Sr(strontium), Ba(barium) 등의 p형 도펀트(dopant)가 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(115)은 예를 들어, n형 반도체층(cathode, 환원 전극)을 포함할 수 있다. n형 반도체층은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si(silicon), Ge(germanium), Sn(tin) 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 무기 발광 소자(100)의 에피 성장된 부분(110)은 전술한 구성으로 한정되지 않으며 예를 들면, 제1 반도체층(111)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(115)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다. 활성층은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.
활성층(113)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 실시 예들은 이에 한정되지 않고 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있으며, 단일 양자 우물(SQW: single quantum well) 구조 또는 다중 양자 우물(MQW: multi quantum well) 구조로 형성될 수 있다.
무기 발광 소자(100)는 발광면(110a)의 반대면에 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)이 배치될 수 있다. 제1 전극(131)이 양극 전극이면, 제2 전극(133)은 음극 전극일 수 있다. 제1 및 제2 전극(131, 133)은 Ag(silver) 또는 Au(gold)를 함유한 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
무기 발광 소자(100)는 제2 전극(133)이 제1 전극(131)을 둘러싸는 형태로 형성될 수 있다. 하지만, 이에 제한되지 않고 경우에 따라, 제1 및 제2 전극(131, 133)위치는 서로 바뀔 수 있다.
무기 발광 소자(100)는 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)을 덮는 절연층(160)과, 제1 도전 부재(151)와, 제2 도전 부재(153)를 포함한다.
제1 도전 부재(151)는 절연층(160)에 형성된 제1 비아(via)(161a)를 통해 물리적 및 전기적으로 제1 전극(131)과 연결될 수 있다. 또한, 제2 도전 부재(153)는 절연층(160)에 형성된 제2 비아(161b)를 통해 물리적 및 전기적으로 제2 전극(133)과 연결될 수 있다.
제1 도전 부재(151)는 제1 전극(131) 상에 형성되며, 제1 도전 부재(151)의 폭은 제1 전극(131)의 폭보다 작게 형성될 수 있다. 제2 도전 부재(153)는 제2 전극(133) 상에 형성되며, 제2 도전 부재(153)의 폭은 제2 전극(133)의 폭보다 작게 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 도전 부재(151)와 제2 도전 부재(153) 사이의 간격(D2)은 제1 전극(131)과 제2 전극(133) 사이의 간격(D1) 보다 더 넓게 형성될 수 있다.
이에 따라, 본 개시의 일 실시 예에 따른 초소형 무기 발광 소자(100)는 전사 공정 시 제1 및 제2 전극(131, 133) 사이의 간격(D1)이 좁아서 발생하는 제1 및 제2 전극(131, 133) 간 쇼트(short)를 미연에 방지할 수 있다.
제1 도전 부재(151)와 제2 도전 부재(153)는 도전 물질로 이루어질 수 있으며 예를 들면, 전도성 고분자인 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate))일 수 있다. PEDOT:PSS는 우수한 전기 전도도, 광투과도, 및 유연성을 가지고 있다.
절연층(160)은 발광면(110a)의 반대면과 제1 및 제2 전극(131, 133)을 덮는다. 절연층(160)은 비도전 물질로 이루어질 수 있으며 예를 들면, BCB(benzo cyclo butene), 폴리이미드(polyimide), 에폭시(epoxy) 등으로 형성될 수 있다. 절연층(160)은 접합 공정 시 무기 발광 소자(100)를 기판(210)에 고정하는 접착층으로 기능할 수 있다(도 14 참조).
한편, 무기 발광 소자(100)는 발광면(110a)과 무기 발광 소자(100)의 측면으로 각각 광이 출사될 수 있다. 무길 발광 소자(100)의 측면에는 경우에 따라 측면을 보호하기 위한 패시베이션층이 형성될 수 있다. 패시베이션층의 투명도가 상대적으로 낮고 반사율이 상대적으로 높은 경우, 무기 발광 소자(100)의 측면으로 출사되는 광량은 크게 줄어들 수 있고, 측면으로 출사되었던 광은 패시베이션층에 반사되어 발광면(110a)으로 출사될 수 있다.
무기 발광 소자(100)는 평면에서 바라볼 때, 도 2와 같이 원형으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 타원형이나 사각형 등 요구되는 조건에 맞춰 적절한 형상으로 제작될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 방법을 설명한다.
도 4는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 5 내지 도 14는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 각각 나타낸 도면들이다.
도 5를 참조하면, 에피 기판(101) 상에 다수의 무기 발광 소자(100)를 에피 성장시킨다(41). 일 실시 예에서는 설명의 편의를 위해 도면에 하나의 무기 발광 소자(100)만 도시하지만, 실시예 들은 이에 한정되지 않는다.
에피 성장한 부분(110)은 이 제1 반도체층(111), 제2 반도체층(115), 제1 반도체층(111)과 제2 반도체층(115) 사이에 배치된 활성층(113)을 포함할 수 있다(도 3 참조).
제1 반도체층(111), 활성층(113) 및 제2 반도체층(115)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; metal organic chemical vapor deposition), 화학 증착법(CVD; chemical vapor deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; plasma-enhanced chemical vapor deposition) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
에피 성장된 부분(110)의 일면 즉, 에피 기판(101)과 접하는 면은 발광면으로 작용하고, 발광면의 반대면은 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)이 배치될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 전극(131) 및 제2 전극(133)은 각각 소정 간격(D1)을 두고 에피 성장된 부분(110)의 제1 및 제2 반도체 층에 각각 연결되도록 형성될 수 있다(42).
제1 및 제2 전극(131, 133)은 예를 들면, 스퍼터링과 같은 증착 공정으로 금속 물질을 증착하고, 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정을 통해 제1 및 제2 반도체 층 상에 각각 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제1 및 제2 전극(131, 133)을 함께 덮도록 제1 및 제2 반도체 층 상에 소정 두께로 절연층(160)을 형성할 수 있다(43). 절연층(160)은 예를 들면 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 절연층(160)에 제1 및 제2 비아(161a, 161b)를 형성할 수 있다(44).
제1 비아(161a)는 제1 전극(131)의 일부가 노출되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 비아(161a)의 폭은 제1 전극(131)의 폭보다 좁게 형성될 수 있다. 제1 비아(161a)의 폭은 후술하는 제1 도전 부재(151)의 폭을 결정한다.
또한, 제2 비아(161b)는 제2 전극(133)의 일부가 노출되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 비아(161b)의 폭은 제2 전극(133)의 폭보다 좁게 형성될 수 있다. 제2 비아(161b)는 제2 전극(133)의 형상에 대응하는 대략 링 형상으로 이루어지거나, 제2 전극(133)의 형상을 따라 원호 형상으로 이루어질 수 있다.
이렇게 형성된 제2 비아(161b)는 1개 요소로 형성될 수 있다. 하지만 실시 예들은 이에 제한되지 않고, 제2 비아(161b)는 제2 전극(133) 상에서 서로 일정한 간격을 두고 다수 요소로 형성될 수 있다.
제2 비아(161b)의 폭은 후술하는 제2 도전 부재(153)의 폭을 결정할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 제2 비아(161b)에 도전 부재(151, 152)를 채워 넣고, 제2 비아(161b)에 도전 부재(153, 154)를 채워 넣는다 (45). 이 경우, 도전 부재의 일부(151, 153)는 제1 및 제2 비아(161a, 161b)에 채워지고 도전 부재의 나머지(152, 154)는 절연층(160) 상에 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 도전 부재의 나머지 부분들(152, 154)을 제거하기 위해 폴리싱 공정을 진행한다(46). 이 경우, 도전 부재의 나머지(152, 154)가 제거되면서 절연층(160)의 상면 일부도 함께 제거되면서 전체적으로 편평도를 유지할 수 있다.
도전 부재의 나머지(152, 154)가 제거되면, 도전 부재의 일부(151, 153)는 제1 전극(131)과 접촉하는 제1 도전 부재(151)와 제2 전극(133)과 접촉하는 제2 도전 부재(153)이 될 수 있다.
제1 및 제2 도전 부재(151, 153) 사이의 간격(D2)은 제1 및 제2 전극(131, 133) 사이의 간격(D1)보다 넓게 형성될 수 있다. 제1 및 제2 도전 부재(151, 153)는 후술하는 전사 공정에서 제1 및 제2 전극(131, 133) 대신 기판의 제1 및 제2 전극 패드(231, 233, 도 13 참조)에 각각 직접 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(131, 133) 사이의 간격(D1)이 좁아서 발생하는 제1 및 제2 전극(131, 133) 간 쇼트(short)를 방지할 수 있다.
도 11을 참조하면, 전술한 공정들을 통해 제작된 무기 발광 소자(100)는 기판(210, 도 13 참조)에 전사하기 위해 에피 기판(101)으로부터 분리한다. 이 경우, 에피 기판(101)으로부터 무기 발광 소자(100)를 분리하기 전에 무기 발광 소자(100)를 임시 기판(103)의 일면에 부착시킨다. 이 상태에서 LLO(laser lift-off) 방식으로 에피 기판(101)과 무기 발광 소자(100)를 분리한다.
도 12를 참조하면, 임시 기판(103)으로 옮겨진 무기 발광 소자(100)는 전사 공정을 위해 중계 기판(105)으로 이송한다. 이 경우, 중계 기판(105)에는 무기 발광 소자(100)의 발광면(110a)이 부착될 수 있다. 임시 기판(103)은 LLO(laser lift-off) 방식으로 무기 발광 소자(100)를 분리될 수 있다.
도 13을 참조하면, 중계 기판(105)으로 이송된 무기 발광 소자(100)는 제1 및 제2 도전 부재(151, 153)가 TFT 기판(200)의 제1 및 제2 전극 패드(231, 233)를 향하도록 배치된 상태에서 TFT 기판(200)으로 전사될 수 있다.
이 경우, TFT 기판(200)은 글라스 기판, 가요성(flexibility) 재질을 가지는 합성수지 계열(예를 들면, PI(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PES(polyethersulfone), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 등)의 기판이나 세라믹 기판 중 하나로 이루어질 수 있다. 또한, TFT 기판(200)은 상기 기판의 전면에 TFT 회로가 형성된 TFT 층이 배치될 수 있다. 이 경우, TFT 층은 기판 상에 일체로 형성되거나 별도의 필름 형태로 제작되어 상기 기판의 일면에 부착될 수 있다.
무기 발광 소자(100)는 스탬핑 전사, 레이저 전사, 롤러블 전사 등의 전사 공정을 통해 중계 기판(105)에서 TFT 기판(200)으로 전사될 수 있다.
도 14를 참조하면, 전사 공정을 통해 무기 발광 소자(100)를 TFT 기판(200)에 전사함으로써, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(300)을 제조할 수 있다.
TFT 기판(200)에 전사된 무기 발광 소자(100)는 제1 및 제2 도전 부재(151, 153)가 각각 TFT 기판(200)의 제1 및 제2 전극 패드(231, 233)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 무기 발광 소자(100)의 제1 및 제2 전극(131, 133)은 제1 및 제2 도전 부재(151, 153)를 통해 제1 및 제2 전극 패드(231, 233)에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 무기 발광 소자(100)는 전사 공정 시 TFT 기판(200)에 열압착 될 수 있다. 열압착 시 가압력은 200MPa 이하이고, 온도는 120~170℃일 수 있다.
절연층(160)은 멜팅되면서 무기 발광 소자(100)를 TFT 기판(200)에 견고하게 부착할 수 있는 접착층으로 기능할 수 있다. 이와 같이, 비전도성의 폴리머인 절연층(160)을 본딩 소재로 사용함에 따라 종래기술에 따른 ACF를 접착층으로 사용한 경우에 비해 제1 및 제2 전극(131, 133) 간 및 제1 및 제2 전극 패드(231, 233) 간 쇼트 불량을 방지할 수 있고, 전극 접합 방식 대비 스퀴즈 아웃(squeeze-out)에 의한 불량을 감소할 수 있다.
또한, 열압착 시 제1 및 제2 도전 부재(151, 153)와 제1 및 제2 전극 패드(131, 133) 간 발생하는 스트레스는 절연층(160)에 의해 균등하게 분산됨에 따라, 열압착 시 가압력에 의해 무기 발광 소자에 크랙이 발생하는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 비전도성 폴리머인 절연층(160)은 언더 필링(under-filing) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 역할을 수행할 수 있으므로 제품의 신뢰성을 향상시키는 것을 물론 무기 발광 소자(100)에 가해지는 스트레스를 완충할 수 있고, TFT 기판(200)의 휨에 의한 제1 및 제2 전극(131, 133) 간에 전달되는 스트레스를 해소할 수 있다.
도 15는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 무기 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 15를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 무기 발광 소자는 전술한 무기 발광 소자(100)와 대부분의 구성이 유사하게 이루어지며, 에피 기판에서 에피 성장된 부분(1110) 즉, 제1 반도체 층, 활성층, 제2 반도체 층이 적층된 부분은 전체적으로 대략 육면체로 이루어질 수 있다. 절연층(160)은 발광면의 반대면과 제1 및 제2 전극(131, 133)을 덮는다.
이 경우, 제1 및 제2 도전 부재(151, 153) 사이의 간격()은 제1 및 제2 전극(131, 133) 사이의 간격(D3)보다 넓게 형성될 수 있다.
전술한 일 실시 예에 따른 실시 예들은 무기 발광 소자(100, 1100)가 제1 및 제2 도전 부재(151, 153)와 절연층(160)을 포함하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 이하에서 설명하는 본 개시의 또 다른 실시 예에 따른 디스플레이 모듈과 같이 제1 및 제2 도전 부재와 절연층이 TFT 기판에 형성되는 것도 가능하다.
한편, 일 실시 예에 따른 무기 발광 소자(100, 1100)는 유체 자가 조립(FSA, fluidic self-assembly) 전사 방식을 통해 TFT 기판에 전사하는 것도 가능하다.
도 16은 본 개시의 또 다른 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 16을 참조하면, TFT 기판(2200)은 TFT 층 상에 제1 전극 패드(2231) 및 제2 전극 패드(2233)를 덮는 절연층(2160)이 형성될 수 있다. 절연층(2160)은 제1 및 제2 전극 패드(2231, 2233)에 대응하는 위치에 각각 비아가 형성되고, 각 비아에는 제1 도전 부재(2251) 및 제2 도전 부재(2253)가 채워질 수 있다.
제1 도전 부재(2251)의 폭은 제1 전극 패드(2231)의 폭보다 좁게 형성되고, 제2 도전 부재(2253)의 폭은 제2 전극 패드(2233)의 폭보다 좁게 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 도전 부재(2251, 2253) 사이의 간격을 제1 및 제2 전극 패드(2231, 2233) 사이의 간격보다 넓게 형성될 수 있다.
이와 같이, 절연층(2160)과 제1 및 제2 도전 부재(2251, 2253)가 형성된 TFT 기판(2200)에는 일반적인 무기 발광 소자(2100)가 전사될 수 있다.
이 경우, 절연층(2160)은 전술한 실시 예들과 마찬가지로 비도전성 폴리머로 형성됨에 따라, 중계 기판(1105)에 배열된 무기 발광 소자(2100)를 TFT 기판(2200)에 열압착 시 무기 발광 소자(2100)의 제1 및 제2 전극(2131, 2133) 간 및 제1 및 제 도전 부재(2251, 2253) 간 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 열압착 시 무기 발광 소자(2100) 및 TFT 기판(2200)에 가해지는 압력은 절연층(2160)에 의해 완충될 수 있으므로, 무기 발광 소자(2100) 및 TFT 기판(2200)에 스트레스로 인한 크랙이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
일 실시 예에 따른 TFT 기판(2210) 상에 별도의 가이드 부재를 배치한 상태에서 유체 자가 조립(FSA, fluidic self-assembly) 전사 방식을 통해 무기 발광 소자(2100)를 TFT 기판(2210)에 전사할 수 있다. 이 경우, 가이드 부재는 다수의 가이드 홈이 형성된 몰드(mold)로 형성될 수 있다. 다수의 가이드 홈은 TFT 기판(2200)에 각 무기 발광 소자(2100)가 접속되는 위치에 대응하도록 형성될 수 있다.
이상에서는 본 개시의 다양한 실시예를 각각 개별적으로 설명하였으나, 각 실시예들은 반드시 단독으로 구현되어야만 하는 것은 아니며, 각 실시예들의 구성 및 동작은 적어도 하나의 다른 실시예들과 조합되어 구현될 수도 있다.
예시적인 실시 예가 도면을 참조하여 설명되었지만, 형태 및 세부사항의 다양한 변경이 하기 청구범위 및 그 청구범위에 의해 정의된 사상 및 범위를 벗어나지 않고 그 안에서 이루어질 수 있다는 것이 당업자에 의해 이해될 것이다.

Claims (15)

  1. 제1 반도체 층;
    제2 반도체 층;
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층 사이에 배치된 활성층;
    상기 제1 반도체 층과 연결된 제1 전극;
    상기 제2 반도체 층과 연결된 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 함께 덮고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대응하는 위치에 있는 비아홀들을 포함하는 절연층;
    상기 비아홀들을 통해 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 각각 연결된 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재;를 포함하며,
    상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이의 간격은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격보다 큰, 무기 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전 부재의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 작은, 무기 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전 부재의 폭은 상기 제2 전극의 폭보다 작은, 무기 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate))을 포함하는, 무기 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 BCB(benzo cyclo butene), 폴리이미드(polyimide) 또는 에폭시(epoxy)를 포함하는, 무기 발광 소자.
  6. 디스플레이 장치에 있어서,
    TFT(thin film transistor) 회로가 포함된 TFT 층과 상기 TFT 층에 있는 다수의 전극 패드를 포함하는 기판;
    상기 전극 패드들과 접속되는 제1 전극 및 제2 전극을 각각 포함하는 다수의 무기 발광 소자;
    상기 기판과 상기 다수의 무기 발광 소자 사이에 있는 절연층; 및
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극와 함께 상기 다수의 전극 패드를 전기적으로 연결하는 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재;를 포함하며,
    상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이의 간격은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격보다 큰, 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 도전 부재는 상기 제1 전극과 상기 다수의 전극 패드 중에서 대응하는 전극 패드 사이에 있는 전극 패드 사이에 배치되고,
    상기 제2 도전 부재는 상기 제2 전극과 상기 다수의 전극 패드 중에서 대응하는 전극 패드 사이에 있는 다른 전극 패드 사이에 배치된, 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 도전 부재의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 작은, 디스플레이 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 도전 부재의 폭은 상기 제2 전극의 폭보다 작은, 디스플레이 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대응하는 위치에 형성된 비아들을 포함하고,
    상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재는 상기 비아들 안에 배치된, 디스플레이 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 다수의 무기 발광 소자는 각각,
    상기 절연층과 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재를 포함하는, 디스플레이 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 기판은,
    상기 절연층과 상기 제1 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재를 포함하는, 디스플레이 장치.
  13. 디스플레이 장치의 제조 방법에 있어서,
    에피 기판에 무기 발광 소자를 성장시키는 단계;
    상기 무기 발광 소자에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮도록 상기 무기 발광 소자에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대응하는 위치에 제1 비아 및 제2 비아를 형성하는 단계;
    상기 제1 비아 및 상기 제2 비아를 채워 제1 도전 부재 및 제2 도전 부재를 형성하는 단계; 및
    상기 무기 발광 소자를 TFT 층이 형성된 기판에 전사하는 단계;를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 및 도전 부재 및 상기 제2 도전 부재 사이의 간격은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 간격보다 넓은, 디스플레이 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 비아의 폭을 상기 제1 전극의 폭보다 작게 형성하고, 상기 제2 비아의 폭을 상기 제2 전극의 폭보다 작게 형성하는, 디스플레이 장치의 제조 방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130062958A (ko) * 2013-04-29 2013-06-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR20150097021A (ko) * 2014-02-17 2015-08-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20170010132A (ko) * 2015-07-15 2017-01-26 서울바이오시스 주식회사 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR101873503B1 (ko) * 2011-10-24 2018-07-02 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20210005454A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 패널 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101873503B1 (ko) * 2011-10-24 2018-07-02 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20130062958A (ko) * 2013-04-29 2013-06-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR20150097021A (ko) * 2014-02-17 2015-08-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20170010132A (ko) * 2015-07-15 2017-01-26 서울바이오시스 주식회사 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR20210005454A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 패널 제조방법

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