CN105529387B - 发光器件封装及包括该封装的照明装置 - Google Patents

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Abstract

本公开实施例提供一种发光器件封装及包括该封装的照明装置，该封装包括：衬底；发光结构，布置在衬底之下，并包括第一导电半导体层、有源层及第二导电半导体层；第一电极和第二电极，连接到第一导电半导体层和第二导电半导体层；第一焊盘，在第一‑第一通孔中连接到第一电极，第一‑第一通孔贯穿第二导电半导体层和有源层；及第一绝缘层，布置在第一焊盘与第二导电半导体层之间以及第一焊盘与有源层之间，以在第一‑第二通孔中覆盖第一电极；以及第二焊盘，通过第二通孔连接到第二电极，第二通孔贯穿第一绝缘层并与第一焊盘电间隔开。第二焊盘在发光结构的厚度方向上不与第一‑第二通孔中的第一绝缘层重叠。本公开能提高发光器件封装的可靠性。

Description

发光器件封装及包括该封装的照明装置
技术领域
本公开实施例涉及一种发光器件封装和包括该封装的照明装置。
背景技术
发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电转换成光的半导体器件，以便使能信号的发送/接收，或者其被用作光源。
由于其物理和化学特性，第III-V族氮化物半导体例如作为发光器件的核心材料而引人注目，发光器件例如为LED或激光二极管(LD)。
LED不包括例如为荧光灯和白炽灯泡的传统照明设备所使用的例如为汞(Hg)的对环境有害的物质，并且因此是非常环保的，而且具有若干优点，例如，长寿命和低功耗。因此，传统光源正在被LED迅速取代。改进包括发光二极管的传统发光器件封装的可靠性的研究正在从各种不同的角度实施。
发明内容
本公开实施例提供一种具有改进的可靠性的发光器件封装和包括该封装的照明装置。
在一个实施例中，一种发光器件封装包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底之下，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一电极和第二电极，分别连接到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层；第一焊盘，在多个第一-第一通孔中连接到多个所述第一电极，所述第一-第一通孔是第一通孔的一部分，所述第一通孔贯穿所述第二导电半导体层和所述有源层，以便暴露所述第一导电半导体层；第一绝缘层，布置在所述第一焊盘与所述第二导电半导体层之间以及所述第一焊盘与所述有源层之间，以便在第一-第二通孔中覆盖所述第一电极，所述第一-第二通孔是所述第一通孔的其余部分；以及第二焊盘，通过第二通孔连接到所述第二电极，所述第二通孔贯穿布置在所述第二导电半导体层下的所述第一绝缘层，所述第二焊盘与所述第一焊盘电间隔开。其中，所述第二焊盘被定位为在所述发光结构的厚度方向上不与位于所述第一-第二通孔中的所述第一绝缘层重叠。所述第二焊盘的位置可以邻近所述第一-第二通孔，而不是嵌入在所述第一-第二通孔中。在俯视图中，每个第一和第二焊盘可以具有椭圆或多边形的形状。
例如，第一电极在俯视图中可以具有带状。所述第二焊盘可以包括在所述第一电极的纵向方向上邻近所述第一-第二通孔的位置处形成的至少一个狭缝。所述至少一个狭缝的宽度可以等于或大于所述第一电极的宽度。所述带状的第一电极的数量可以与所述至少一个狭缝的数量相同。
例如，发光器件封装还可以包括：第一焊料和第二焊料，分别连接到所述第一焊盘和所述第二焊盘；以及第一引线框架和第二引线框架，分别连接到所述第一焊料和所述第二焊料。所述第二焊料可以嵌入在至少一部分所述第一-第二通孔中。所述第二焊料可以位于所述第二焊盘之下，而不是嵌入在所述第一-第二通孔中。所述第二焊料与所述第一电极可以通过所述第一绝缘层电间隔开。
例如，当俯视时，所述第二通孔可以在与所述第一电极的纵向方向垂直的方向上位于各所述第一电极之间。
例如，所述第一导电半导体层可以是n型半导体层，并且所述第二导电半导体层可以是p型半导体层。
例如，所述第二焊盘可以通过平面中的间隙与所述第一电极间隔开，并且所述间隙可以包括形成在所述第一电极的长度方向上的第一间隙和形成在所述第一电极的宽度方向上的第二间隙。例如，所述第一间隙和所述第二间隙中的每个可以处于5μm到20μm的范围内。第二焊盘可以具有平坦的下表面。例如，所述第二焊盘可以包括面向所述衬底的上表面和与所述上表面相对的下表面，所述下表面具有平坦的横截面形状。
例如，所述第二电极可以包括反射层。所述第一导电半导体层和所述第一电极可以具有阶梯状的下表面。
在另一个实施例中，照明装置包括根据权利要求1所述的发光器件封装。
附图说明
参照下面的附图，布置和实施例可被详细描述，其中类似的附图标记指代类似的元件，其中：
图1是根据一实施例的发光器件封装的俯视图；
图2是沿图1所示的发光器件封装的线I-I′截取的剖视图；
图3是沿图1所示的发光器件封装的线II-II′截取的一个实施例的剖视图；
图4是根据一比较实施例的图3中示出的部分‘A’的放大剖视图；
图5是沿图1所示的发光器件封装的线II-II′截取的另一个实施例的剖视图；以及
图6A到图6D是示出用于制造图1所示的发光器件封装的方法的过程俯视图。
具体实施方式
在下文中，将参照帮助理解实施例的附图详细地描述示例性实施例。然而，可以以各种方式改变实施例，并且实施例的范围不应该被解释为限于以下的说明。这些实施例旨在为本领域技术人员提供更完整的说明。
在这些实施例的以下描述中，将会理解的是，当每个元件被称为形成在另一元件“之上”或“之下”时，它可以直接位于这另一个元件“之上”或“之下”，或者在它们之间间接形成有一个或多个中间元件。此外，还将会理解的是，位于元件“之上”或“之下”可能意味着元件的向上方向和向下方向。
此外，相对性术语“第一”、“第二”、“顶/上/上方”、“底/下/之下”之类在说明书和权利要求中可以被用来在任何一个实体或元件与其他实体或元件之间进行区分，而不一定用于描述实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或特定的顺序。
在附图中，为了清楚和方便起见，每一层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性示出。另外，各构成元件的尺寸并不完全反映其实际尺寸。
图1是根据一实施例的发光器件封装100的俯视图，图2是图1所示的发光器件封装100沿线I-I′截取的剖视图，并且图3是图1所示的发光器件封装100沿线II-II′截取的一个实施例100A的剖视图。
尽管将使用笛卡尔坐标系来描述根据该实施例的发光器件封装100，当然也可以替代地通过使用其它坐标系来描述。在笛卡尔坐标系中，在各图中所示的x轴、y轴和z轴彼此垂直，并且x′轴、y′轴和z′轴也是彼此垂直。
参照图1和图2，根据该实施例的发光器件封装100可以包括封装本体102、衬底110、发光结构120、第一电极(或接触层)132和第二电极(或接触层)134、第一焊盘142和第二焊盘144、第一绝缘层150和第二绝缘层152、第一焊料162和第二焊料164、第一引线框架172和第二引线框架174、以及模制构件180。
为了描述的方便，封装本体102、第二绝缘层152、第一焊料162和第二焊料164、第一引线框架172和第二引线框架174、以及模制构件180在图2中示出，但在图1中未示出。也就是说，图1示出发光器件的配置。
封装本体102可以限定空腔C。例如，如在图2中示例性示出的，封装本体102可以连同第一引线框架172和第二引线框架174一起限定空腔C。也就是说，空腔C可以由封装本体102的内侧面104以及第一引线框架172和第二引线框架174的上表面限定。然而，实施例不限于此，并且在另一个实施例中，空腔C可仅由封装本体102限定，与图2所示不同。可替代地，阻挡壁(未示出)可以被布置在封装本体102的平坦的上表面上，并且所述空腔可以由阻挡壁和封装本体102的上表面限定。尽管封装本体102可以例如由环氧树脂模塑化合物(EMC)形成，但是，该实施例不受限于封装本体102的材料。
发光结构120被布置在衬底110之下。衬底110可包括导电材料或非导电材料。例如，衬底110可包括蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、GaP、InP、Ga2O3、GaAs或Si中的至少一种，但是该实施例不受限于衬底110的材料。
为了改进衬底110与发光结构120之间的热膨胀系数(CTE)的差异和晶格失配，缓冲层(或过渡层)(未示出)可以进一步被布置在衬底110和发光结构120两者之间。缓冲层例如可以包括选自由Al、In、N和Ga构成的组中的至少一种材料，但不限于此。另外，该缓冲层可以具有单层或多层结构。
发光结构120可以包括第一导电半导体层122、有源层124以及第二导电半导体层126。第一导电半导体层122、有源层124以及第二导电半导体层126可以被以这样的顺序将一个堆叠在另一个上，堆叠是从衬底110开始朝着第一引线框架172和第二引线框架174(即沿着-y轴)。
第一导电半导体层122被布置在衬底110之下。第一导电半导体层122可以例如以掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族或II-VI族化合物半导体来实现。当第一导电半导体层122是n型半导体层时，第一导电掺杂剂可以是n型掺杂剂并包括Si、Ge、Sn、Se或Te，但不限于此。
例如，第一导电半导体层122可以包括成分为AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。第一导电半导体层122可以包括选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的任何一种或多种材料。
有源层124可以被布置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层126之间。有源层124是这样的层：在该层中，通过第一导电半导体层122注入的电子(或空穴)和通过第二导电半导体层126注入的空穴(或电子)彼此相遇来发射光线，该光线具有由有源层124的构成材料的固有能带确定的能量。有源层124可以形成为选自单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱结构、量子点结构以及量子线结构中的至少一种结构。
有源层124可以包括阱层和阻挡层，具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs以及GaP(InGaP)/AlGaP中任何一种或多种的成对结构，但不限于此。该阱层可以由带隙能量低于阻挡层的带隙能量的材料形成。
导电覆层(未示出)可形成在有源层124之上和/或之下。该导电覆层可以由带隙能量高于有源层124的阻挡层的带隙能量的半导体形成。例如，导电覆层可包括GaN、AlGaN、InAlGaN或超晶格结构。此外，该导电覆层可以掺杂有n型或p型掺杂剂。
在一些实施例中，有源层124可以发射具有特定波长带的紫外光。这里，紫外光的波长带可以在从100nm到400nm的范围内。尤其，有源层124可以发射具有从100nm到280nm的范围内的波长带的光线。然而，该实施例不受限于从有源层124发射的光线的波长带。
第二导电半导体层126可以被布置在有源层124之下。第二导电半导体层126可以由半导体化合物形成，并且可以例如由III-V族或II-VI族化合物半导体形成。例如，第二导电半导体层126可以包括成分为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。第二导电半导体层126可以被掺杂有第二导电掺杂剂。当第二导电半导体层126是p型半导体层时，第二导电掺杂剂可以是p型掺杂剂，并且可以例如包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba中的至少一种。
第一导电半导体层122可以是n型半导体层，并且第二导电半导体层126可以是p型半导体层。可替代地，第一导电半导体层122可以是p型半导体层，并且第二导电半导体层126可以是n型半导体层。
发光结构120可以以选自n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的任意一种结构来实现。
第一电极132可以被电连接到通过台面蚀刻(mesa-etching)暴露出的第一导电半导体层122。也就是说，当第二导电半导体层126、有源层124以及一部分第一导电半导体层122被台面蚀刻时，第一通孔被形成为贯穿第二导电半导体层126和有源层124。此时，第一电极132被形成在通过第一通孔的那些第一-第一通孔TH11暴露出的第一导电半导体层122之上。这里，第一-第一通孔TH11对应于这些第一通孔：第一焊盘142通过其电连接到第一电极132。如在图1中示例性地示出的，俯视时第一电极132可以具有带状，以便沿z轴拉长。
为了帮助理解，覆盖有如图3中示例性所示的第一绝缘层150的第一电极132由图1中的虚线表示，并且覆盖有如图2中示例性所示的第一焊盘142的第一-第一通孔TH11由图1中的虚线表示。此外，如在图2中示例性所示的，在每个第一-第一通孔TH11中，虽然第一电极132被布置在暴露的第一导电半导体层122之下且第一-第一通孔TH11在Z′轴上的宽度大于第一电极132在Z′轴上的宽度，但为了便于说明，第一-第一通孔TH11和第一电极132在图1中示出为具有彼此相同的宽度。然而，第一-第一通孔TH11和第一电极132的平面形状将在下面参照图6A和6B详细描述。
另外，虽然图1示出了第一-第一通孔TH11的数目是6，但本实施例不限于此。也就是说，第一-第一通孔TH11的数量可大于或小于6。
第一电极132可包括欧姆接触材料，并用作欧姆层。因此，独立的欧姆层(未示出)可能是不必要的，或独立的欧姆层可以被布置在第一电极132之上或者之下。
第二电极134可被布置在第二导电半导体层126之下，以便电连接至第二导电半导体层126。第二电极134可以包括透明电极(未示出)和反射层(未示出)。
反射层可以由例如为银(Ag)的反射材料形成。透明电极可以布置在反射层和第二导电半导体层126之间，并且反射层可以布置在透明电极之下。透明电极可以是透明导电氧化物(TCO)膜。例如，透明电极可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、或Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种，并且不限于这些材料。
第二电极134可以具有欧姆特性，并且可以包括用于与第二导电半导体层126欧姆接触的材料。当第二电极134用作欧姆层时，独立的欧姆层(未示出)可以被省去。
如上所述，当第二电极134包括反射层时，从有源层124发射并且指向第一引线框架172和第二引线框架174的光线被第二电极134的反射层反射，这可以改善光提取效率。
如图1到3所示，发光器件封装100和100A具有倒装芯片接合结构，因此，从有源层124发射的光线可以被导向通过第一电极132、第一导电半导体层122和衬底110。为此，第一电极132、第一导电半导体层122和衬底110可以由透射材料形成。此时，虽然第二导电半导体层126和第二电极134可以由透射或不透射材料或反射材料形成，但本实施例可以不限于特定的材料。
第一电极132和第二电极134中的每个可以反射或透射从有源层124发射的光线，而不是吸收光线，并且可以由能在第一导电半导体层122和第二导电半导体层126上以良好质量生长的任何材料形成。例如，第一电极132和第二电极134中的每个都可以由金属形成，并且可以由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和它们的选择性组合形成。
同时，第一焊盘142可以通过第一-第一通孔TH11连接到第一电极132。此时，第一绝缘层150可以被布置在第一焊盘142和第二导电半导体层126之间，使得第一焊盘142和第二导电半导体层126两者被彼此电间隔开。此外，第一绝缘层150可以被布置在第一焊盘142和有源层124之间，使得第一焊盘142和有源层124两者被彼此电间隔开。
第二焊盘144可以与第一焊盘142电间隔开，并且可以经由第二通孔TH2连接到第二电极134，第二通孔TH2贯穿布置在第二导电半导体层126之下的第一绝缘层150。
参照图1，俯视时，第二通孔TH2可以在与第一电极132的纵向方向(即在z轴)(或在将第一焊盘142和第二焊盘144彼此间隔开的方向)垂直的方向上(即在x轴)位于第一电极132之间。在图1的情形中，虽然第二通孔TH2的长轴被示为x轴并且第二通孔TH2的短轴图示为z轴，但是该实施例不限于此。也就是说，在另一实施例中，第二通孔TH2的短轴可以是x轴并且第二通孔TH2的长轴可以是z轴。
另外，如在图1中示例性示出的，第二焊盘144可以形成为一个整体，而不是被分成几个部分。
另外，在另一个实施例中，不同于在图2中示出的，第二焊盘144可连接到第二电极134而不贯穿第一绝缘层150。
第一焊盘142和第二焊盘144中的每个可以包括导电金属材料，并且可以包括与第一电极132和第二电极134中的每个电极相同的材料或不同的材料。
参照图3，如上所述，当第二导电半导体层126、有源层124和一部分第一导电半导体层122被台面蚀刻时，第一通孔被形成为贯穿第二导电半导体层126和有源层124。第一绝缘层150可以被布置为在第一通孔中的第一-第二通孔TH12中覆盖第一电极132。第一-第二通孔TH12对应于这些第一通孔：第一电极132通过其未电连接到第一焊盘142。
如在图3中示例性地示出的，虽然第一电极132被布置在暴露的第一导电半导体层122之下并且第一-第二通孔TH12在x轴的宽度大于第一电极132在x轴的宽度，但是为了描述的方便，第一-第二通孔TH12和第一电极132在图1中被示出为具有彼此相同的宽度。第一-第二通孔TH12和第一电极132的平面形状将在下面参考图6A和6B详细描述。
此时，在该实施例中，如在图3中示例性所示的，第二焊盘144可被设置为在y轴上(即在发光结构120的厚度方向上)与位于所述第一-第二通孔TH12中的第一绝缘层150不重叠。也就是说，第二焊盘144可以被定位为邻近第一-第二通孔TH12，而不是嵌入在第一-第二通孔TH12中。
当不同于图3所示，第二焊盘144被嵌入在第一-第二通孔TH12中时，第二焊盘144的下表面144A可具有弯曲的横截面形状，而不是平坦的。这是因为位于第一-第二通孔TH12中的第一绝缘层150具有弯曲的横截面形状。然而，根据该实施例，由于第二焊盘144没有嵌入在所述第一-第二通孔TH12中，所以第二焊盘144的下表面144A可以具有平坦的横截面形状。这里，第二焊盘144的下表面144A意指与面向衬底110的上表面144B相对的表面。
参照图1和3，第二焊盘144可以包括在第一电极132的纵向方向(即在z轴)上形成并靠近第一-第二通孔TH12的一个或多个狭缝S。在图1和3示出的发光器件封装100和100A的情形中，虽然示出有三个狭缝S，但该实施例不受限于狭缝S的数量。也就是说，狭缝S的数量可以大于或小于3。
当发光器件封装100具有大的平面尺寸(即长的x轴长度和z轴长度的乘积)，例如，当发光器件封装100具有800μm×800μm的尺寸时，第一电极132可以采用多个带的形式，以确保顺畅的载流子传播(smooth carrier spreading)。此外，带状的第一电极132的数量可以与第二焊盘144的狭缝S的数量相同或不同。
另外，参照图1，至少一个狭缝S的第一宽度W1可以等于或大于第一电极132(或第一-第二通孔TH12)的第二宽度W2。
另外，俯视时，第二焊盘144可与第一电极132间隔开，其间存在间隙G。这里，间隙G可以包括第一间隙G1和第二间隙G2。第一间隙G1被限定在第一电极132的纵向方向(即在z轴)，并表示第二焊盘144和第一电极132之间在x轴上的间隔距离。第二间隙G2被限定在第一电极132的宽度(W2)方向(即，在x轴)，并且表示第二焊盘144和第一电极132之间在z轴上的间隔距离。
当第一间隙G1和第二间隙G2中的每个均小于5μm时，制造过程可能困难，并且应力可被施加到布置在第一电极132之下的第一绝缘层150。此外，当第一间隙G1和第二间隙G2中的每个均大于20μm时，第一电极132和第一导电半导体层122之间的接触面积减小，这可能使热辐射劣化并增大电阻(resistance)。因此，虽然第一间隙G1和第二间隙G2中的每个可以处于从5μm至20μm的范围内，但本实施例不限于此。
图4是根据一个比较实施例A1的图3中示出的部分‘A’的放大剖视图。
不同于在图3中所示的实施例，在图4所示的比较实施例的情形中，覆盖第一电极132的第一绝缘层150在第一-第二通孔TH12内和第二焊盘144在y轴上彼此重叠。这里，除了与第二焊盘144相比的位置差异之外，比较实施例的第二焊盘44起到与该实施例的第二焊盘144相同的作用。在该情形中，当第一绝缘层150中产生裂纹C时，第二焊盘44和第一电极132可以通过裂纹C彼此电连接，这可能引起短路。
然而，根据该实施例，如在图3中示例性示出的，在第一-第二通孔TH12内，第一绝缘层150和第二焊盘144在y轴上不彼此重叠。因此，即使如图4中示例性示出的那样裂纹C存在于第一绝缘层150中，也可以完全消除第二焊盘144和第一电极132彼此电连接的风险。
通常，由台面蚀刻暴露的第一导电半导体层122的下表面122A、和第一电极132的下表面132A构成阶梯。因此，在第一-第二通孔TH12中形成第一绝缘层150的过程中，由于上述阶梯形状，裂纹C可能在第一绝缘层150中产生。由于这个原因，在该实施例中，如上所述，第二焊盘144不形成在第一-第二通孔TH12中，这可以消除第二焊盘144和第一电极132彼此电连接的风险，从而提高了可靠性。
图5是沿图1所示的发光器件封装100的线II-II′截取的另一个实施例100B的剖视图。
同时，在图2中示出的发光器件封装100的第一焊料162和第二焊料164可以分别电连接到第一焊盘142和第二焊盘144。
在一个实施例中，如图3示例性示出的，第二焊料164A可以位于第二焊盘144之下，而不是嵌入在第一-第二通孔TH12中。
可替代地，在另一实施例中，第二焊料164可以被嵌入在第一-第二通孔TH12的至少一部分中。例如，如图5示例性示出的，第二焊料164B可以被嵌入在整个第一-第二通孔TH12中，并且还可以位于发光结构120和第二引线框架174之间以及第二焊盘144和第二引线框架174之间。
此时，在图5的情形中，第二焊料164B被示出为通过第一绝缘层150而与第一电极132电间隔开。此时，如图4示例性示出的，即使裂纹C存在于位于第一-第二通孔TH12内的第一绝缘层150中，在第二焊料164B和第一电极132之间也不会发生短路。这是因为第二焊料164B不会引发应力，这与第二焊盘144是不同的。
如上所述，除了第二焊料164A和164B的布置形状之外，在图5中示出的发光器件封装100B与在图3中示出的发光器件封装100A相同，因此由相同的附图标记标识并且省略了重复的描述。
在发光器件封装100、100A和100B中，第一焊料162可以电连接到第一引线框架172，并且第二焊料164、164A或164B可以电连接到第二引线框架174。也就是说，第一焊料162可以位于第一引线框架172和第一焊盘142之间，以便将第一引线框架172和第一焊盘142两者彼此电连接；并且第二焊料164、164A或164B可以位于第二引线框架174和第二焊盘144之间，以便将第二引线框架174和第二焊盘144两者彼此电连接。
第一焊料162和第二焊料164、164A或164B可以分别是焊膏或焊料球。
参照图2，第一引线框架172和第二引线框架174可以在与发光结构120的厚度方向(即在y’轴)垂直的方向(例如在Z′轴)上彼此间隔开。第一引线框架172和第二引线框架174中的每个可以由例如为金属的导电材料形成，并且该实施例不受限于第一引线框架172和第二引线框架174各自的材料种类。为了将第一引线框架172和第二引线框架174彼此电隔离，第二绝缘层152可以被布置在第一引线框架172和第二引线框架174之间。
此外，当封装本体102由例如为金属的导电材料形成时，第一引线框架172和第二引线框架174可以构成封装本体102的一部分。即使在该情形中，封装本体102的第一引线框架172和第二引线框架174也可以通过第二绝缘层152彼此电隔离。
虽然每个第一绝缘层150和第二绝缘层152可以包括SiO2、TiO2、ZrO2,Si3N4、Al2O3或MgF2中的至少一种，但该实施例不受限于第一绝缘层150和第二绝缘层152的材料。
通过将第一导电半导体层122和第二导电半导体层126分别经由第一焊盘142和第二焊盘144电连接到第一引线框架172和第二引线框架174，如上所述的第一焊料162和第二焊料164可以消除对于导线的需要。然而，根据另一实施例，第一导电半导体层122和第二导电半导体层126可以使用导线分别连接到第一引线框架172和第二引线框架174。
此外，可以省去第一焊料162和第二焊料164、164A或164B。在该情形中，第一焊盘142可以用作第一焊料162，并且第二焊盘144可以用作第二焊料164、164A或164B。当省去第一焊料162和第二焊料164、164A或164B时，第一焊盘142可以直接地连接到第一引线框架172，且第二焊盘144可以直接连接到第二引线框架174。
同时，模制构件180可以封闭和保护发光器件110、120、132、134、142、144和150、第一焊料162以及第二焊料164、164A或164B。模制构件180例如可以由硅(Si)形成并且含有荧光体，因此，其能够改变(或转换)从发光器件发射的光线的波长。虽然荧光体可以包括选自YAG基、TAG基、硅酸盐基、硫化物基或氮化物基的波长变换材料的荧光体(其可以将从发光器件100生成的光线变换为白光)，但该实施例不限于荧光体的类型。
YAG基和TAG基荧光体可以选自(Y，Tb，Lu，Sc，La，Gd，Sm)3(Al，Ga，In，Si，Fe)5(O，S)12:Ce，并且硅酸盐基荧光体可以选自(Sr，Ba，Ca，Mg)2SiO4:(Eu，F，Cl)。
此外，硫化物基荧光体可以选自(Ca，Sr)S:Eu、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4：Eu，并且氮化物基荧光体可以选自(Sr，Ca，Si，Al，O)N:Eu(例如，CaAlSiN4：Eu、β–SiAlON:Eu)或Ca-ɑSiAlON:Eu基(Cax，My)(Si，Al)12(O，N)16(这里，M是Eu、Tb、Yb或Er中的至少一种，0.05<(x+y)<0.3，0.02<x<0.27，并且0.03<y<0.3，其是荧光体)。
红色荧光体可以是包括N的氮化物基荧光体(例如，CaAlSiN3：Eu)。氮化物基红色荧光体具有耐受外部环境(例如热和湿气)的较高可靠性和低于硫化物基荧光体的变色风险。
在下文中，将参照图6A到6D描述用于制造在图1中示出的发光器件封装100的方法。然而，当然，本实施例不限于此，且在图1中示出的发光器件封装100可以使用任何各种其它方法来制造。
图6A到6D是示出用于制造在图1中示出的发光器件封装100的方法的过程俯视图。
参照图6A，发光结构120被形成在衬底110上。这里，如在图2、3和5中示例性示出的，可以在衬底110上顺序形成第一导电半导体层122、有源层124以及第二导电半导体层126。当如上所述形成发光结构120时，如在图6A中示例性示出的，只有最上面的第二导电半导体层126在发光器件封装100的俯视图中可见。
接着，通过台面蚀刻去除第二导电半导体层126、有源层124和一部分第一导电半导体层122，来形成第一-第一通孔TH11和第一-第二通孔TH12，第一导电半导体层122通过第一-第一通孔TH11和第一-第二通孔TH12而暴露出来。
接着，参照图6B，第二电极134形成在第二导电半导体层126上，并且第一电极132形成在通过第一-第一通孔TH11和第一-第二通孔TH12暴露的第一导电半导体层122上。
接着，参照图6C，第一绝缘层150形成在除了位于第一-第一通孔TH11内的第一电极132和通过第二通孔TH2暴露的第二电极134之外的整个发光器件封装100上。
接着，参考图6D，第一焊盘142和第二焊盘144形成在第一绝缘层150上。此时，第一焊盘142可以定位为在y轴(即在发光结构120的厚度方向)上与第一电极132重叠，该第一电极132形成在通过第一-第一通孔TH11暴露的第一导电半导体层122上。此外，第二焊盘144可以定位为在y轴上与通过第二通孔TH2暴露的第二电极134重叠。
在图1中示出的发光器件封装100并不限定于在图2中示出的横截面形状，并且可以具有任何其它的各种横截面形状。也就是说，如图1所示，只要第二焊盘144在发光结构120的厚度方向上不与第一-第二通孔TH12重叠，那么在图1中示出的发光器件封装100可以具有任何其它的各种横截面形状。
另外，在图1的情形中，虽然第一焊盘142和第二焊盘144中的每个在俯视图中被示出为具有矩形形状，但该实施例不限于此。例如，在另一个实施例中，第一焊盘142和第二焊盘144中的每个可具有任何各种多边形平面形状，例如椭圆形、三角形或五边形平面形状。
在根据该实施例的发光器件封装中，多个发光器件封装的阵列可以被布置在板上，并且诸如为导光板、棱镜片、以及散射片的光学构件可以被布置在发光器件封装的光路上。发光器件封装、板以及光学构件可以起到背光单元的作用。
此外，根据该实施例的发光器件封装可以被应用于显示装置、指示器装置以及照明装置。
这里，显示装置可以包括：底盖，布置在底盖上的反射板，被配置来发射光线的发光模块，布置在反射板的前面来将从发光模块发射的光线朝前导向的导光板，布置在导光板的前面包括棱镜片的光学片，布置在光学片前面的显示面板，连接到显示面板以提供图像信号给显示面板的图像信号输出电路，以及布置在显示面板前面的滤色片。这里，底盖、反射板、发光模块、导光板以及光学片可以构成背光单元。
另外，照明装置可以包括：光源模块，该光源模块包括板和根据实施例的发光器件封装；被配置为散发光源模块热量的散热器；以及被配置为处理或转换来自外部源的电信号以便将其提供给光源模块的电源单元。例如，照明装置可以包括灯、头灯(headlamp)或路灯。
头灯可以包括：发光模块，其包括安置在板上的发光器件封装；被配置为沿例如为朝前的给定方向反射从光源模块发射的光线的反射器；被配置为朝前折射由反射器反射的光线的透镜；以及被配置为通过阻断或反射一些由反射器反射并指向透镜的光线来实现由设计者选定的配光图案的遮光物。
从上面的描述中明显看出，在根据本实施例的发光器件封装中，在通过贯穿第二导电半导体层和有源层形成的第一-第二通孔内，第一绝缘层和第二焊盘在发光结构的厚度方向上不彼此重叠。因此，即使在第一绝缘层中存在裂纹，也可完全消除第二焊盘电连接到第一电极的风险，这使得可靠性提高。
虽然已经参照多个示例性实施例描述了实施方式，但应理解的是，本领域技术人员可以设想出落入本公开原理的精神和范围内的许多其它修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置可以有各种变型和修改。除了组成部件和/或布置的变型和修改之外，替代使用对本领域技术人员也将是显而易见的。

Claims (17)

1.一种发光器件封装，包括：
衬底；
发光结构，布置在所述衬底之下，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；
多个第一通孔，贯穿所述第二导电半导体层和所述有源层，以暴露所述第一导电半导体层；
第一电极，布置在所述多个第一通孔中，以连接到所述第一导电半导体层；
第二电极，连接到所述第二导电半导体层；
第一焊盘，连接到所述第一电极；
绝缘层，布置在所述第一焊盘与所述第二导电半导体层之间；以及
第二焊盘，通过第二通孔连接到所述第二电极，所述第二通孔贯穿所述绝缘层，所述第二焊盘被配置为与所述第一焊盘电间隔开，
其中，所述第二焊盘包括形成在所述第二焊盘的一侧的多个狭缝，
其中所述第一电极包括：
第一部分，接触所述第一导电半导体层，并与所述第一焊盘垂直地重叠；及
第二部分，连接到所述第一部分，而不与所述第一焊盘和第二焊盘垂直地重叠，并且布置在所述多个狭缝中的一个处，
其中所述第二焊盘通过平面中的间隙与所述第一电极的第二部分间隔开，所述间隙包括：
第一距离，形成在所述多个狭缝彼此间隔开的第一方向上；及
第二距离，形成在与所述第一方向垂直的第二方向上，以及
其中所述第一距离和第二距离中的每一个处于5μm到20μm的范围内。
2.根据权利要求1所述的封装，其中在俯视图中所述第一电极具有带状。
3.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一焊盘包括第一空腔。
4.根据权利要求3所述的封装，还包括：
第一焊料，连接到所述第一焊盘；以及
第二焊料，连接到所述第二焊盘。
5.根据权利要求4所述的封装，其中所述第一焊料嵌入在所述第一焊盘的第一空腔中。
6.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一电极的第二部分包括有多个第二部分，以及
其中所述第二通孔位于所述第一电极的所述多个第二部分之间。
7.根据权利要求1所述的封装，其中每个所述狭缝的宽度等于或大于所述第一电极的第二部分的宽度。
8.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一导电半导体层是n型半导体层，以及
其中所述第二导电半导体层是p型半导体层。
9.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一电极的第一部分被所述第二电极围绕。
10.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二焊盘具有平坦的下表面。
11.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二电极包括反射层。
12.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二焊盘位于所述第一电极的第二部分附近。
13.根据权利要求1所述的封装，还包括：
本体，包括第二空腔；以及
模制构件，布置在所述本体与所述衬底之间。
14.根据权利要求1所述的封装，还包括布置在所述衬底上的荧光体。
15.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一导电半导体层的下表面和所述第一电极的下表面构成阶梯。
16.根据权利要求1所述的封装，还包括：
第一引线框架，连接到所述第一焊料；以及
第二引线框架，连接到所述第二焊料。
17.一种照明装置，包括根据权利要求1至16中任一项所述的发光器件封装。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101888608B1 (ko) * 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US10205075B2 (en) * 2016-12-01 2019-02-12 Glo Ab Semiconductor light emitting device including cap structure and method of making same
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
JP6855787B2 (ja) 2016-12-26 2021-04-07 日亜化学工業株式会社 発光素子
US20190296188A1 (en) * 2017-01-10 2019-09-26 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro light-emitting diode chip
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
CN106941108B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN109244211A (zh) * 2017-07-10 2019-01-18 罗冠杰 冲压封装发光二极管装置及其制造方法
KR20190019745A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 주식회사 루멘스 발광소자 및 그 제조방법
US11024770B2 (en) 2017-09-25 2021-06-01 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102605339B1 (ko) * 2018-07-18 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US20210074880A1 (en) * 2018-12-18 2021-03-11 Bolb Inc. Light-output-power self-awareness light-emitting device
JP7368696B2 (ja) * 2019-07-31 2023-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN112993114A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 深圳第三代半导体研究院 一种发光二极管
CN112992957A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 深圳第三代半导体研究院 一种发光二极管

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8487374B2 (en) * 2010-09-28 2013-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor device
US8569772B2 (en) * 2009-07-20 2013-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting element and method of fabricating the same
CN103996775A (zh) * 2013-02-18 2014-08-20 丰田合成株式会社 第iii族氮化物半导体发光元件及其制造方法
CN104022202A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
TW201438300A (zh) * 2013-02-19 2014-10-01 Koninkl Philips Nv 由多層結構形成之發光晶粒組件

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5915504A (ja) 1982-07-10 1984-01-26 佐藤　亮拿 水難用保温服
JPS5929714A (ja) 1982-08-11 1984-02-17 Honda Motor Co Ltd 油圧式ラツシユアジヤスタのオイル供給構造
JP2932769B2 (ja) * 1991-06-28 1999-08-09 豊田合成株式会社 半導体発光素子
US6275205B1 (en) * 1998-03-31 2001-08-14 Intel Corporation Method and apparatus for displaying information with an integrated circuit device
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
DE10144875A1 (de) * 2001-09-12 2003-03-27 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Berechnung eines zeitlichen Füllstandssignals
JP4053926B2 (ja) 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
TWI220578B (en) 2003-09-16 2004-08-21 Opto Tech Corp Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region
US7274040B2 (en) * 2004-10-06 2007-09-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR101448996B1 (ko) * 2007-07-26 2014-10-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법, 반도체 발광 소자패키지
KR100930195B1 (ko) * 2007-12-20 2009-12-07 삼성전기주식회사 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자
CN102024882A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置及其制造方法
US9236532B2 (en) * 2009-12-14 2016-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
KR101055768B1 (ko) 2009-12-14 2011-08-11 서울옵토디바이스주식회사 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR100974787B1 (ko) * 2010-02-04 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
TWI470832B (zh) * 2010-03-08 2015-01-21 Lg Innotek Co Ltd 發光裝置
KR101110937B1 (ko) * 2010-05-17 2012-03-05 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
US8647900B2 (en) * 2010-09-20 2014-02-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-structure phosphor coating
KR101813891B1 (ko) * 2010-12-09 2018-01-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5777879B2 (ja) 2010-12-27 2015-09-09 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP2013024746A (ja) 2011-07-21 2013-02-04 Hitachi High-Technologies Corp 自動分析装置
US8497146B2 (en) * 2011-08-25 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods
KR101902392B1 (ko) * 2011-10-26 2018-10-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101888604B1 (ko) * 2011-10-28 2018-08-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
TWI453948B (zh) * 2012-03-12 2014-09-21 Univ Chang Gung The structure of the press - fit type flip - chip light emitting element and its making method
KR20130109319A (ko) * 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
TW201347141A (zh) * 2012-05-04 2013-11-16 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體結構及其製造方法
US20130292719A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Chi Mei Lighting Technology Corp. Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same
JP2014009468A (ja) 2012-06-28 2014-01-20 Oiles Ind Co Ltd 摺動板および分岐器用床板
CN102769077A (zh) * 2012-07-12 2012-11-07 江苏扬景光电有限公司 一种倒装焊发光二极管的制造方法
CN108598230A (zh) * 2012-07-18 2018-09-28 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
KR101944411B1 (ko) * 2012-10-17 2019-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102087933B1 (ko) * 2012-11-05 2020-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이
JP5915504B2 (ja) * 2012-11-06 2016-05-11 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5929714B2 (ja) 2012-11-07 2016-06-08 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2014097945A (ja) 2012-11-14 2014-05-29 Momotani Juntendo:Kk チロシナーゼ誘導抑制剤及びメラニン合成抑制剤
KR20140062945A (ko) * 2012-11-15 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR102065398B1 (ko) * 2013-02-27 2020-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101433261B1 (ko) * 2013-01-15 2014-08-27 루미마이크로 주식회사 발광소자
TWI557942B (zh) * 2013-02-04 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 發光二極體
KR101423717B1 (ko) * 2013-02-08 2014-08-01 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR102086365B1 (ko) * 2013-04-19 2020-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102162437B1 (ko) * 2014-05-15 2020-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101888608B1 (ko) * 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8569772B2 (en) * 2009-07-20 2013-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting element and method of fabricating the same
US8487374B2 (en) * 2010-09-28 2013-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor device
CN103996775A (zh) * 2013-02-18 2014-08-20 丰田合成株式会社 第iii族氮化物半导体发光元件及其制造方法
TW201438300A (zh) * 2013-02-19 2014-10-01 Koninkl Philips Nv 由多層結構形成之發光晶粒組件
CN104022202A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
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