KR20160036293A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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박규형
오성주
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예의 발광 소자 패키지는 기판과, 기판 아래에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물과, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 연결된 제1 및 제2 패드부와, 제1 및 제2 패드부와 연결된 제1 및 제2 솔더부 및 제1 및 제2 솔더부와 연결된 제1 및 제2 리드 프레임을 포함하고, 제1 패드부, 제2 패드부, 제1 솔더부 또는 제2 솔더부 중 적어도 하나는 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는다.

Description

발광 소자 패키지{Light emitting device package}
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.
한편, 기존의 발광 소자 패키지는 서로 다른 열 팽창 계수를 갖는 여러 층이 적층된 구조를 갖는데, 층간의 열 팽창 계수의 차이로 인해 발광 소자 패키지가 파괴될 수 있는 문제점이 있다.
실시 예는 서로 다른 층들 간의 열 팽창 계수 차이로 인한 손상을 최소화하거나 방지하여 개선된 신뢰성을 갖는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 의한 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판 아래에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 연결된 제1 및 제2 패드부; 상기 제1 및 제2 패드부와 연결된 제1 및 제2 솔더부; 및 상기 제1 및 제2 솔더부와 연결된 제1 및 제2 리드 프레임을 포함하고, 상기 제1 패드부, 상기 제2 패드부, 상기 제1 솔더부 또는 상기 제2 솔더부 중 적어도 하나는 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 리드 프레임은 상기 제1 솔더부와 연결되는 제1 연결 프레임; 및 상기 제1 연결 프레임을 지지하는 제1 지지 프레임을 포함하고, 상기 제1 연결 프레임은 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 리드 프레임은 상기 제2 솔더부와 연결되는 제2 연결 프레임; 및 상기 제2 연결 프레임을 지지하는 제2 지지 프레임을 포함하고, 상기 제2 연결 프레임은 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
상기 복수 개의 부분 간의 평면상 이격 거리는 서로 동일하거나 다를 수 있다.
상기 복수 개의 부분은 다각형 평면 형상, 원형 또는 타원형 평면 형상을 가질 수 있다.
사각 평면 형상을 갖는 상기 복수 개의 부분 각각의 한 변과 다른 변의 길이는 서로 다르거나 동일할 수 있다.
사각 평면 형상을 갖는 상기 복수 개의 부분 각각의 한 변은 200 ㎛ 내지 400 ㎛의 길이를 갖고, 다른 변은 190 ㎛ 내지 390 ㎛의 길이를 가질 수 있다.
상기 복수의 부분의 이격 거리의 최소값은 200 ㎛일 수 있다.
상기 제1 패드부, 상기 제1 솔더부 또는 상기 제1 연결 프레임의 복수의 부분이 배열된 평면 형상과 상기 제2 패드부, 상기 제2 솔더부 또는 상기 제2 연결 프레임의 복수의 부분이 배열된 평면 형상은 서로 동일하거나 서로 다를 수 있다.
상기 복수의 부분은 상기 제1 패드부와 상기 제2 패드부가 서로 대향하는 제1 방향과 상기 발광 구조물의 두께 방향인 제2 방향에 수직한 제3 방향으로 배열된 평면 형상을 가질 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 패드와 상기 제2 도전형 반도체층 사이 및 상기 제1 패드와 상기 활성층의 사이에 배치된 제1 절연층; 상기 제1 패드부와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 배치된 제1 콘택층; 및 상기 제2 패드부와 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 제2 콘택층을 더 포함할 수 있다.
실시 예에 의한 발광 소자 패키지는 제1 패드부, 제2 패드부, 제1 솔더부, 제2 솔더부, 제1 리드 프레임 또는 제2 리드 프레임 중 적어도 하나가 복수 개의 부분으로 분할 배열된 평면 형상을 갖기 때문에 열적 스트레스를 줄임으로써, 작은 CTE를 갖는 절연층이 열적 스트레스에 의해 파괴될 가능성을 최소화되거나 방지할 수 있어 개선된 신뢰성을 갖는다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지를 I-I'선을 따라 절개한 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절개한 단면도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 5는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 6은 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)를 I-I'선을 따라 절개한 단면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)를 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절개한 단면도를 나타낸다. 편의상, 데카르트 좌표계를 사용하여 실시 예를 설명하지만, 다른 좌표계를 사용할 수 있음은 물론이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 발광 소자 패키지(100A)는 패키지 몸체(110), 제1 및 제2 리드 프레임(lead frame)(122, 124), 제1 및 제2 솔더(solder)부(132, 134), 제1 패드(pad)부(142A, 142A-1, 142A-2), 제2 패드부(144A, 144A-1, 144A-2), 제1 및 제2 절연층(152, 154), 제1 및 제2 콘택층(162, 164), 발광 구조물(170), 기판(180) 및 몰딩 부재(190)를 포함할 수 있다.
패키지 몸체(110)는 캐비티(C:Cavity)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 캐비티(C)는 패키지 몸체(110)의 측면(112)과 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)의 각 상부면에 의해 정의될 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
다른 실시 예에 의하면, 도 2 및 도 3에 예시된 바와 달리, 패키지 몸체(110)만으로 캐비티(C)를 형성할 수도 있다.
또 다른 실시 예에 의하면, 상부면이 평평한 패키지 몸체(110) 위에 격벽(barrier wall)(미도시)이 배치되고, 격벽와 패키지 몸체(110)의 상부면에 의해 캐비티가 정의될 수도 있다.
패키지 몸체(110)는 EMC(Epoxy Molding Compound) 등으로 구현될 수 있으나, 실시 예는 패키지 몸체(110)의 재질에 국한되지 않는다.
제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)은 발광 구조물(170)의 두께 방향과 수직한 방향인 y축 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124) 각각은 도전형 물질 예를 들면 금속으로 이루어질 수 있으며, 실시 예는 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124) 각각의 물질의 종류에 국한되지 않는다. 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)을 전기적으로 분리시키기 위해, 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124) 사이에는 제1 절연층(152)이 배치될 수도 있다.
또한, 패키지 몸체(110)가 도전형 물질 예를 들면 금속 물질로 이루어질 경우, 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)은 패키지 몸체(110)의 일부일 수도 있다. 이 경우에도, 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)을 형성하는 패키지 몸체(110)는 제1 절연층(152)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
제1 솔더부(132)는 제1 리드 프레임(122)과 제1 패드부(142A) 사이에 배치되어 이들(122, 142A)을 서로 전기적으로 연결시키고, 제2 솔더부(134)는 제2 리드 프레임(124)과 제2 패드부(144A) 사이에 배치되어 이들(124, 144A)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제1 및 제2 솔더부(132, 134) 각각은 솔더 페이스트(solder paste), 솔더 볼(solder ball), 전도성 고분자일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
전술한 제1 및 제2 솔더부(132, 134)는 제1 및 제2 패드부(142A, 144A)와 각각 전기적으로 연결된 제1 및 제2 도전형 반도체층(172, 176)을 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)에 각각 전기적으로 연결시켜, 와이어의 필요성을 없앨 수 있다. 그러나, 다른 실시 예에 의하면, 와이어를 이용하여 제1 및 제2 도전형 반도체층(172, 176)을 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)에 각각 연결시킬 수도 있다.
한편, 제2 절연층(154), 제1 콘택층(162), 제2 콘택층(164), 발광 구조물(170) 및 기판(180), 제1 패드부(142A, 142A-1, 142A-2) 및 제2 패드부(144A, 144A-1, 144A-2)는 캐비티(C)의 내부에 배치될 수 있다.
기판(180) 아래에 발광 구조물(170)이 배치될 수 있다. 기판(180)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(180)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시 예는 기판(180)의 물질에 국한되지 않는다.
기판(180)과 발광 구조물(170) 간의 열 팽창 계수(CTE:Coefficient of Thermal Expansion)의 차이 및 격자 부정합을 개선하기 위해, 이들(180, 170) 사이에 버퍼층(또는, 전이층)(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 버퍼층은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.
발광 구조물(170)은 제1 도전형 반도체층(172), 활성층(174), 및 제2 도전형 반도체층(176)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(170)은 기판(180)과 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124) 사이에 배치될 수 있다. 기판(180)으로부터 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124) 방향으로 즉, -z축 방향으로 제1 도전형 반도체층(172), 활성층(174) 및 제2 도전형 반도체층(176)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(172)은 기판(180) 아래에 배치되며, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(172)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(172)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(172)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
활성층(174)은 제1 도전형 반도체층(172)과 제2 도전형 반도체층(176) 사이에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(172)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(176)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(174)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 활성층(174)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW:Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
활성층(174)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(174)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(174)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
실시 예에 의하면, 활성층(174)은 자외선 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 자외선 파장 대역이란, 100 ㎚ 내지 400 ㎚의 파장 대역을 의미한다. 특히, 활성층(174)은 100 ㎚ 내지 280 ㎚ 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 그러나, 실시 예는 활성층(174)에서 방출되는 광의 파장 대역에 국한되지 않는다.
제2 도전형 반도체층(176)은 활성층(174) 아래에 배치되며, 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(176)은 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(176)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(176)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(176)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(172)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(176)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(172)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(176)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.
발광 구조물(170)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
도 1 내지 도 3에 예시된 발광 소자 패키지(100A)는 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 구조이기 때문에, 활성층(174)에서 방출된 광은 제1 콘택층(162), 제1 도전형 반도체층(172) 및 기판(180)을 통해 출사될 수 있다. 이를 위해, 제1 콘택층(162), 제1 도전형 반도체층(172) 및 기판(180)은 광 투과성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 도전형 반도체층(176)과 제2 콘택층(164)은 광 투과성이나 비투과성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으나, 실시 예는 특정한 물질에 국한되지 않을 수 있다.
제1 콘택층(162)은 제1 도전형 반도체층(172)과 제1 패드부(142A) 사이에 배치되어, 제1 패드부(142A)와 제1 도전형 반도체층(172)을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있다. 제1 콘택층(162)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행함으로써 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 콘택층(162) 위 또는 아래에 배치될 수도 있다.
제2 콘택층(164)은 제2 도전형 반도체층(176)과 제2 패드부(144A) 사이에 배치되어, 제2 패드부(144A)와 제2 도전형 반도체층(176)을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있다. 이를 위해, 도시된 바와 같이 제2 콘택층(164)은 제2 도전형 반도체층(176)과 접촉할 수 있다.
제1 및 제2 콘택층(162, 164) 각각은 활성층(174)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(172, 176) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 콘택층(162, 164) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.
제2 콘택층(164)은 반사 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어 투명 전극(미도시) 및 반사층(미도시)을 포함할 수 있다. 반사층은 은(Ag)과 같이 광 반사성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 투명 전극은 반사층과 제2 도전형 반도체층(176) 사이에 배치되고, 반사층은 투명 전극 아래에 배치될 수 있다. 투명 전극은 투명 전도성 산화막(TCO:Tranparent Conductive Oxide)일 수 있다. 예를 들어, 투명 전극은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다.
제2 콘택층(164)은 오믹 특성을 가질 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(176)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 만일, 제2 콘택층(164)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.
한편, 제1 패드부(142A)는 제1 솔더부(132)와 제1 도전형 반도체층(172) 사이에 배치되어, 제1 도전형 반도체층(172)과 제1 솔더부(132)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(142A)는 제2 도전형 반도체층(176) 및 활성층(174)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(172)과 전기적으로 연결되는 관통 전극의 형태를 포함할 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 비록 도시되지는 않았지만, 제1 패드부(142A)는 제2 도전형 반도체층(176) 및 활성층(174)을 우회하여 제1 도전형 반도체층(172)과 전기적으로 연결될 수도 있다. 이와 같이, 제1 패드부(142A)는 제1 전극의 역할을 수행할 수 있다.
제2 패드부(144A)는 제2 솔더부(134)와 제2 도전형 반도체층(176) 사이에 배치되어 제2 도전형 반도체층(176)과 제2 솔더부(134)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이때, 제2 패드부(144A)는 제2 절연층(154)을 관통하여 제2 콘택층(164)에 접촉하는 관통 전극의 형태를 포함할 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 제2 패드부(144A)는 제2 절연층(154)을 관통하지 않고 제2 콘택층(164)에 연결될 수도 있다. 이와 같이, 제2 패드부(144A)는 제2 전극의 역할을 수행할 수 있다.
제1 및 제2 패드부(142A, 144A) 각각은 전극용 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 제1 패드부(142A), 제2 패드부(144A), 제1 솔더부(132) 또는 제2 솔더부(134) 중 적어도 하나는 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 도 1을 참조하면, 제1 패드부(142A)는 2개의 제1-1 및 제1-2 패드부(142A-1, 142A-2)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 제2 패드부(144A)는 2개의 제2-1 및 제2-2 패드부(144A-1, 144A-2)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
도 4는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 평면도를 나타내고, 도 5는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)의 평면도를 나타낸다.
도 1의 경우, 제1 및 제2 패드부(142A, 144A) 각각은 2개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 제1 및 제2 패드부(142A, 144A) 각각은 2개보다 더 많은 개수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수도 있다.
다른 실시 예에 의하면, 도 4에 예시된 바와 같이, 제1 패드부(142B)는 4개의 제1-1 내지 제1-4 패드부(142B-1, 142B-2, 142B-3, 142B-4)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다. 마찬가지로, 제2 패드부(144B)는 4개의 제2-1 내지 제2-4 패드부(144B-1, 144B-2, 144B-3, 144B-4)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
또 다른 실시 예에 의하면, 도 5에 예시된 바와 같이, 제1 패드부(142C)는 3개의 제1-1 내지 제1-3 패드부(142C-1, 142C-2, 142C-3)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다. 마찬가지로, 제2 패드부(144C)는 3개의 제2-1 내지 제2-3 패드부(144C-1, 144C-2, 144C-3)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각의 분할된 개수가 도 1에 예시된 발광 소자 패키지(100A)와 다름을 제외하면, 도 4 및 도 5에 예시된 발광 소자 패키지(100B, 100C)는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로, 동일한 참조부호를 사용하였으며, 중복되는 설명을 생략한다.
또한, 전술한 실시 예에서, 제1 패드부(142A, 142B, 142C)과 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 모두가 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는 것으로 도시되었지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 제1 패드부(142A, 142B, 142C)는 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는 반면 제2 패드부(144A, 144B, 144C)는 복수의 부분으로 분할되지 않은 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다. 또는, 제2 패드부(144A, 144B, 144C)는 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는 반면 제1 패드부(142A, 142B, 142C)는 복수의 부분으로 분할되지 않은 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C)가 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는 것과 마찬가지로, 제1 또는 제2 솔더부(132, 134) 중 적어도 하나도 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 제1 솔더부(132)는 2개의 제1-1 및 제1-2 솔더부(132-1, 132-2)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 비록 도시되지는 않았지만, 제2 솔더부(134)는 2개의 제2-1 및 제2-2 솔더부(134-1, 134-2)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
즉, 도 3을 참조하면, 제1-1 및 제1-2 솔더부(132-1, 132-2)는 제1 간격(D1)만큼 이격될 수 있다. 여기서, D1은 '0' 이상일 수 있다. 만일, D1이 '0'인 경우, 제1 솔더부(132)는 복수 개의 부분으로 분할되지 않고 단일체인 평면 형상을 가질 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 솔더부(134)는 복수 개의 부분으로 분할되지 않고 단일체인 평면 형상을 가질 수 있다.
또한, 제1 솔더부(132)만이 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖고, 제2 솔더부(134)는 복수의 부분으로 분할 배치되지 않고 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다. 이와 반대로, 제2 솔더부(134)만이 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖고, 제1 솔더부(132)는 복수의 부분으로 분할 배치되지 않고 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다.
한편, 도 3을 참조하면, 제1 리드 프레임(122)은 제1 연결 프레임(122-1)과 제1 지지 프레임(122-2)을 포함할 수 있다. 제1 연결 프레임(122-1)은 제1 솔더부(132)와 연결되는 부분이고, 제1 지지 프레임(122-2)은 제1 연결 프레임(122-1)을 지지하는 부분이다.
비록 도시되지는 않았지만, 제1 리드 프레임(122)과 마찬가지로, 제2 리드 프레임(124)도 제2 연결 프레임과 제2 지지 프레임을 포함할 수 있다. 제2 연결 프레임은 제2 솔더부(134)와 연결되는 부분이고, 제2 지지 프레임은 제2 연결 프레임을 지지하는 부분이다.
전술한 바와 같이, 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각이 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가짐과 마찬가지로, 제1 연결 프레임(122-1) 또는 제2 연결 프레임 중 적어도 하나는 복수의 부분으로 분할된 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면, 제1 연결 프레임(122-1)은 2개의 제1-1 및 제1-2 연결 프레임(122-1-1, 122-1-2)로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 비록 도시되지는 않았지만, 제2 연결 프레임도 2개의 제2-1 및 제2-2 연결 프레임으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1-1 및 제1-2 연결 프레임(122-1-1, 122-1-2)은 z축 방향으로 제2 간격(D2)만큼 이격될 수 있다. 여기서, D2는 '0' 이상일 수 있다. 만일, D2가 '0'인 경우, 제1 연결 프레임(122-1)은 복수 개의 부분으로 분할되지 않고 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 연결 프레임도 복수 개의 부분으로 분할되지 않고 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다.
또한, 제1 연결 프레임(122-1)만이 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖고, 제2 연결 프레임은 복수의 부분으로 분할 배치되지 않고 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다. 이와 반대로, 제2 연결 프레임만이 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖고, 제1 연결 프레임(122-1)은 복수의 부분으로 분할 배치되지 않고 단일체의 평면 형상을 가질 수 있다.
또한, 비록 도시되지는 않았지만 제1 패드부(142A, 142B, 142C) 또는 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 중 적어도 하나는 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖지 않고, 제1 솔더부(132), 제2 솔더부(134), 제1 리드 프레임(122) 또는 제2 리드 프레임(124) 중 적어도 하나가 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 수도 있다.
이하, 설명의 편의상, 도 1 내지 도 5에 도시된 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각에 대한 복수의 부분을 중심으로 설명하지만, 이러한 설명은 복수의 부분으로 분할된 제1 및 제2 솔더부(132, 134)와 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)에 대해서도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 1에 예시된 바와 같이, 제1 및 제2 패드부(142A, 144A)의 복수 개의 부분들(142A-1, 142A-2, 144A-1, 144A-2) 간의 평면상 이격 거리(d1, d2, d3, d4)는 서로 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
또한, 도 1 및 도 4에 예시된 바와 같이 제1 패드부(142A, 142B) 및 제2 패드부(144A, 144B) 각각의 복수 개의 부분은 사각형 평면 형상을 가질 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
또한, 도 5에 예시된 바와 같이 제1 패드부(142C) 및 제2 패드부(144C) 각각의 복수 개의 부분은 원형 평면 형상을 가질 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
또한, 제1 패드부(142A, 142B) 및 제2 패드부(144A, 144B) 각각의 복수 개의 부분은 삼각형이나 오각형 등의 다양한 다각형 단면 형상 또는 타원형 단면 형상을 가질 수 있다.
또한, 제1 패드부(142A, 142B, 142C) 및 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각의 사각 평면 형상을 갖는 복수 개의 부분(142A-1, 142A-2, 142B-1, 142B-2, 142B-3, 142B-4, 144A-1, 144A-2, 144B-1, 144B-2, 144B-3, 144B-4) 각각의 한 변(L1)과 다른 변(L2)의 길이는 서로 다를 수도 있고, 서로 동일할 수도 있다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 한 변(L1)의 길이는 200 ㎛ 내지 400 ㎛ 예를 들어, 300 ㎛일 수 있고, 다른 변(L2)의 길이는 190 ㎛ 내지 390 ㎛ 예를 들어 290 ㎛일 수 있다.
복수의 부분의 이격 거리(d1, d2, d3, d4)의 최소값은 200 ㎛일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
또한, 제1 패드부(142A, 142B, 142B), 제1 솔더부(132) 또는 제1 연결 프레임(122-1)의 복수의 부분이 배열된 평면 형상과 제2 패드부(144A, 144B, 144C), 제2 솔더부(134) 또는 제2 연결 프레임의 복수의 부분이 배열된 평면 형상은 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다.
예를 들어, 도 1에 예시된 바와 같이, 제1 패드부(142A)의 복수의 부분(142A-1, 142A-2)이 배열된 평면 형상과 제2 패드부(144A)의 복수의 부분(144A-1, 144A-2)이 배열된 평면 형상은 서로 동일할 수 있다. 도 4에 예시된 바와 같이, 제1 패드부(142B)의 복수의 부분(142B-1 내지 142B-4)의 배열된 평면 형상과 제2 패드부(144B)의 복수의 부분(144B-1 내지 144B-4)이 배열된 평면 형상은 서로 동일할 수 있다. 또한, 도 5에 예시된 바와 같이, 제1 패드부(142C)의 복수의 부분(142C-1 내지 142C-3)이 배열된 평면 형상과 제2 패드부(144C)의 복수의 부분(144C-1 내지 144C-3)이 배열된 평면 형상은 서로 동일할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
또한, 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각의 복수의 부분은 제1 및 제2 방향과 수직인 제3 방향으로 배열된 평면 형상을 가질 수 있다. 여기서, 제1 방향이란 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C)가 서로 대향하는 y축 방향을 의미하고, 제2 방향이란 발광 구조물(170)의 두께 방향인 z축 방향을 의미한다. 따라서, 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각의 복수의 부분은 x축 방향으로 배열될 수 있다.
한편, 제2 절연층(154)은 제2 도전형 반도체층(176)과 제1 패드부(142A) 사이에 배치되어, 제2 도전형 반도체층(176)과 제1 패드부(142A)를 전기적으로 절연시킬 수 있다. 또한, 제2 절연층(154)은 활성층(174)과 제1 패드부(142A) 사이에 배치되어, 활성층(174)과 제1 패드부(142A)를 전기적으로 절연시킬 수 있다.
제1 및 제2 절연층(152, 154) 각각은 SiO2, TiO2, ZrO2, Si3N4, Al2O3, 또는 MgF2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 도 2 및 도 3을 다시 참조하면, 발광 소자 패키지(100A)의 몰딩 부재(190)는 발광 소자(154, 162, 164, 170, 180)를 포위하여 보호할 수 있다. 몰딩 부재(190)는 예를 들어 실리콘(Si)으로 구현될 수 있으며, 형광체를 포함하므로 발광 소자(154, 162, 164, 170, 180)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 형광체로는 발광 소자(154, 162, 164, 170, 180)에서 발생된 빛을 백색광으로 변환시킬 수 있는 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계 또는 Nitride계 중 어느 하나의 파장변환수단인 형광물질이 포함될 수 있으나, 실시 예는 형광체의 종류에 국한되지 않는다.
YAG 및 TAG계 형광물질에는 (Y, Tb, Lu, Sc ,La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서 선택하여 사용가능하며, Silicate계 형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서 선택 사용 가능하다.
또한, Sulfide계 형광물질에는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서 선택하여 사용가능하며, Nitride계 형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu (예, CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16, 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중 적어도 하나의 물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3, 형광체 성분 중에서 선택하여 사용 할 수 있다.
적색 형광체로는, N(예,CaAlSiN3:Eu)을 포함하는 질화물(Nitride)계 형광체를 사용할 수 있다. 이러한 질화물계 적색 형광체는 황화물(Sulfide)계 형광체보다 열, 수분 등의 외부 환경에 대한 신뢰성이 우수할 뿐만 아니라 변색 위험이 작다.
도 6은 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 6에 도시된 비교례에 의한 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(110), 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124), 제1 및 제2 패드(142, 144) 및 제2 절연층(152)을 포함할 수 있다.
일반적인 엥겔마이어 조인트(Engelmaier Joint) 피로 모델은 다음 수학식 1과 같다.
Figure pat00001
여기서, Δγ는 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각이 받은 열적 스트레스의 정도를 나타내고, C는 교정 계수를 나타내고, LD는 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각의 대각선 길이를 나타내고, h는 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각의 높이를 나타내고, Δα는 두 층 사이의 CTE 차이를 나타내고, ΔT는 온도차를 나타낸다. 또는, Δγ는 제1 솔더부(132)와 제2 솔더부(134) 각각이 받은 열적 스트레스의 정도를 나타내고, LD는 제1 솔더부(132)와 제2 솔더부(134) 각각의 대각선 길이를 나타내고, h는 제1 솔더부(132)와 제2 솔더부(134) 각각의 높이를 나타내고, Δα는 두 층 사이의 CTE 차이를 나타내고, ΔT는 온도차를 나타낸다.
만일, 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)이 구리로 구현되고, 제1 및 제2 솔더부(132, 134)가 SAC305로 구현되고, 제2 절연층(154)이 SiO2로 구현되고, 발광 구조물(170)이 GaN으로 구현되고, 기판(180)이 사파이어로 구현될 경우, 구리, SAC305, SiO2, GaN 및 사파이어의 CTE는 각각 16.5 x 10-6/℃, 22 x 10-6/℃, 0.55 x 10-6/℃, 5.59 x 10-6/℃ 및 7.5 x 10-6/℃일 수 있다. 이 경우 제1 및 제2 솔더부(132, 134) 및 제1 및 제2 리드 프레임(122, 124)으로 이루어진 패키지단과 제1 패드부(142A, 142B, 142C), 제2 패드부(144A, 144B, 144C), 제2 절연층(154), 제1 및 제2 콘택층(162, 164), 발광 구조물(170) 및 기판(180)으로 이루어진 발광 소자단 간의 CTE 차이가 크기 때문에, 가장 작은 CTE를 갖는 제2 절연층(154)이 파괴되어 저전류 불량이 야기될 수 있다.
따라서, 실시 예에 의하면, 제1 패드부(142A, 142B, 142C), 제2 패드부(144A, 144B, 144C), 제1 솔더부(132), 제2 솔더부(134), 제1 리드 프레임(122) 또는 제2 리드 프레임(124) 중 적어도 하나를 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상으로 구현한다. 이와 같이, 해당하는 부가 복수의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 가질 경우, CTE 차에 따른 열적 스트레스 감소할 수 있다. 그 이유에 대해 살펴보면 다음과 같다.
도 1, 도 4 및 도 5에 도시된 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 경우 수학식 1에서 대각선 거리(LD)는 다음 수학식 2와 같이 표현될 수 있다.
Figure pat00002
여기서, K는 제1 패드부(142A, 142B, 142C) 및 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각에서 분할된 부분의 개수를 의미한다. 즉, 도 1의 경우 K=2이고, 도 4의 경우 K=4이고, 도 5의 경우 K=3이다.
수학식 1을 참조하면, 대각선 거리(LD)와 열적 스트레스는 비례함을 알 수 있다. 이때, 도 6에 도시된 비교례의 발광 소자 패키지에서 제1 및 제2 패드(142, 144) 각각의 대각선 거리(LDR)보다 실시 예에 의한 도 1, 도 4 및 도 5에 도시된 제1 패드부(142A, 142B, 142C)와 제2 패드부(144A, 144B, 144C) 각각의 수학식 2와 같은 대각선 거리(LD)가 더 작다. 그러므로, 더 작은 대각선 거리를 갖는 도 1 내지 도 5에 도시된 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 열적 스트레스가 도 6에 도시된 비교 례에 의한 발광 소자 패키지의 열적 스트레스보다 더 적을 수 있다. 이로 인해, 작은 CTE를 갖는 제2 절연층(154)이 열적 스트레스에 의해 파괴될 가능성이 최소화되거나 방지될 수 있어 신뢰성이 개선될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치에 적용될 수 있다.
여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100A, 100B, 100C: 발광 소자 패키지 110: 패키지 몸체
122, 124: 제1 및 제2 리드 프레임
122-1: 제1 연결 프레임 122-2: 제1 지지 프레임
122-1-1: 제1-1 연결 프레임 122-1-2: 제1-2 연결 프레임
132, 134: 제1 및 제2 솔더부 132-1: 제1-1 솔더부
132-2: 제1-2 솔더부 142A, 142B, 142C: 제1 패드부
142A-1: 제1-1 패드부 142A-2: 제1-2 패드부
144A, 144B, 144C: 제2 패드부 152, 154: 제1 및 제2 절연층
162, 164: 제1 및 제2 콘택층 170: 발광 구조물
172: 제1 도전형 반도체층 174: 활성층
176: 제2 도전형 반도체층 180: 기판
190: 몰딩 부재

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판 아래에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층과 각각 연결된 제1 및 제2 패드부;
    상기 제1 및 제2 패드부와 연결된 제1 및 제2 솔더부; 및
    상기 제1 및 제2 솔더부와 연결된 제1 및 제2 리드 프레임을 포함하고,
    상기 제1 패드부, 상기 제2 패드부, 상기 제1 솔더부 또는 상기 제2 솔더부 중 적어도 하나는 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 리드 프레임은
    상기 제1 솔더부와 연결되는 제1 연결 프레임; 및
    상기 제1 연결 프레임을 지지하는 제1 지지 프레임을 포함하고,
    상기 제1 연결 프레임은 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제2 리드 프레임은
    상기 제2 솔더부와 연결되는 제2 연결 프레임; 및
    상기 제2 연결 프레임을 지지하는 제2 지지 프레임을 포함하고,
    상기 제2 연결 프레임은 복수 개의 부분으로 분할 배치된 평면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수 개의 부분 간의 평면상 이격 거리는 서로 동일한 발광 소자 패키지.
  5. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수 개의 부분 간의 평면상 이격 거리는 서로 다른 발광 소자 패키지.
  6. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수 개의 부분은 다각형 평면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.
  7. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수 개의 부분은 원형 또는 타원형 평면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.
  8. 제6 항에 있어서, 사각 평면 형상을 갖는 상기 복수 개의 부분 각각의 한 변과 다른 변의 길이는 서로 다른 발광 소자 패키지.
  9. 제6 항에 있어서, 사각 평면 형상을 갖는 상기 복수 개의 부분 각각의 한 변과 다른 변의 길이는 서로 동일한 발광 소자 패키지.
  10. 제6 항에 있어서, 사각 평면 형상을 갖는 상기 복수 개의 부분 각각의 한 변은 200 ㎛ 내지 400 ㎛의 길이를 갖고, 다른 변은 190 ㎛ 내지 390 ㎛의 길이를 갖는 발광 소자 패키지.
  11. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 부분의 이격 거리의 최소값은 200 ㎛인 발광 소자 패키지.
  12. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 패드부, 상기 제1 솔더부 또는 상기 제1 연결 프레임의 복수의 부분이 배열된 평면 형상과 상기 제2 패드부, 상기 제2 솔더부 또는 상기 제2 연결 프레임의 복수의 부분이 배열된 평면 형상은 서로 동일한 발광 소자 패키지.
  13. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 패드부, 상기 제1 솔더부 또는 상기 제1 연결 프레임의 복수의 부분이 배열된 평면 형상과 상기 제2 패드부, 상기 제2 솔더부 또는 상기 제2 연결 프레임의 복수의 부분이 배열된 평면 형상은 서로 다른 발광 소자 패키지.
  14. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 부분은 상기 제1 패드부와 상기 제2 패드부가 서로 대향하는 제1 방향과 상기 발광 구조물의 두께 방향인 제2 방향에 수직한 제3 방향으로 배열된 평면 형상을 갖는 발광 소자 패키지.
  15. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자 패키지는
    상기 제1 패드와 상기 제2 도전형 반도체층 사이 및 상기 제1 패드와 상기 활성층의 사이에 배치된 제1 절연층;
    상기 제1 패드부와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 배치된 제1 콘택층; 및
    상기 제2 패드부와 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 제2 콘택층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
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