JP5929714B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
かかる構成によれば、半導体発光素子は、第1電極の上に積まれる層において、金属膜による段差の影響を緩和することができる。これにより、第1電極の上に積まれる層において、層間の密着性を向上させると共に、亀裂の発生を抑制することができる。
かかる構成によれば、金属膜と第1電極との間に積まれる層において、金属膜による段差の影響を緩和することができる。これにより、金属膜と第1電極との間に積まれる層において、層間の密着性を向上させることができる。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、半導体構造体からの光が光反射膜中の絶縁膜で反射することにより、基板側から光を効率よく取り出すことができる。
かかる構成によれば、分布ブラッグ反射器は光反射による損失が少なく、金属膜は、反射可能な光の波長依存が小さい。よって、これらを組み合わせた光反射膜は、半導体構造体からの光を効率よく反射することができる。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、第1半導体層と第2半導体層の側面において、半導体構造体からの光が光反射膜中の金属膜で反射することにより、基板側から光を効率よく取り出すことができる。
[半導体発光素子の構造の概要]
図1から図3を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子1の構造の概要について説明する。なお、図2〜8及び図21では、分かり易くするために符号2,4,5,6,252には、断面を示すハッチングを記載していない。
図2に示すように、光反射膜20は、凹部7の底面からp側半導体層6上及び周辺部8に延在して半導体構造体3を覆っている。
光反射膜20上には、p側電極層32が設けられている。p側電極層32は、第1貫通孔21を介して透光性導電膜12と電気的に接続されている。つまり、第1貫通孔21内では電流が流れる。そのため、この領域を以下では導通部61と呼ぶ。
光反射膜20上には、保護膜40が設けられ、p側電極層32の一部を被覆している。保護膜40は、第2貫通孔22を介して透光性導電膜12と接触している。つまり、第2貫通孔22内では電流が流れない。そのため、この領域を以下では非導通部62と呼ぶ。
本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子1について、図4から図10を順次参照(適宜図1参照)して詳細に説明する。
具体的には、第2貫通孔22において、p側半導体層6の側から、透光性導電膜12/保護膜40/p側パッド電極52、の順番に積層されている。つまり、光反射膜20の第2貫通孔22が設けられた領域において、透光性導電膜12とp側パッド電極52とは保護膜40によって絶縁されているため、非導通部62(図2参照)になっている。
また、第1貫通孔21において、p側半導体層6の側から、透光性導電膜12/p側電極層32/保護膜40/p側パッド電極52、の順番に積層されている。つまり、導通部61(図2参照)において、p側電極層32が透光性導電膜12と導通するために、光反射膜20が貫通した状態となっている。
光反射膜20に含まれる金属膜26は、p側半導体層6の表面の一部から、半導体構造体3の周縁(側面及びn側半導体層4の上面)まで延設されている。
保護膜40は、光反射膜20の上面でp側電極層32が被覆していない領域と、p側電極層32の上面とに連続的に形成されているが、p側半導体層6上に開口部を有している。具体的には、p側開口部42の箇所において、p側パッド電極52がp側電極層32と導通するために、保護膜40が貫通した状態となっている。
p側電極層32は、図4に示した積層状態と同様に設けられている。ただし、C−C断面には、アンカー用開口部33が形成されていない。
保護膜40は、光反射膜20の上面でp側電極層32が被覆していない領域と、p側電極層32の上面とに連続的に形成されている。
p側電極層32は、p側半導体層6の上方、かつ光反射膜20の上で連続している。透光性導電膜12とp側電極層32との間には、光反射膜20が介在しているが、図4に示すように、光反射膜20は、p側電極層32が透光性導電膜12と導通するために、貫通した状態となっている。
保護膜40は、光反射膜20の上面でp側電極層32が被覆していない領域と、p側電極層32の上面とに連続的に形成されているが、p側半導体層6上に開口部を有している。具体的には、p側開口部42の箇所において、p側パッド電極52がp側電極層32と導通するために、保護膜40が貫通した状態となっている。
図9(a)に示す第1比較例は、n側電極層131を備え、図9(b)に示す本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子は、n側電極層31を備えている。図9(a)に示す第1比較例は、図9(b)に示す本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子と同様の光反射膜20(第1絶縁膜24、DBR25、金属膜26、第2絶縁膜27)を備えている。
なお、図2の領域Zにおいて、p側電極層32の端部は、例えば図9(b)に示すn側電極層31の端部と同様に形成されている。
以下、図2に示す半導体発光素子1における各構成部材について詳述する。
基板2の材料には、半導体構造体3に例えば窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合に好適な材料が用いられる。このような基板材料としては、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnOやGaN単結晶等が挙げられる。中でも結晶性の良い窒化ガリウムを量産性良く形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。基板2には、半導体構造体3が積層される面(電極側の面)に凹凸が形成されている。この凹凸により半導体構造体3からの光を散乱または回折させて光取り出し効率を高めることができる。
半導体構造体3において、第1半導体層であるn側半導体層4と、第2半導体層であるp側半導体層6とのうちの一方または双方を複数の半導体層で構成することもできる。また、活性層5も単層であっても多層であってもよい。したがって、例えば、n側半導体層4及びp側半導体層6をそれぞれ、コンタクト層、クラッド層等の必要な機能に対応させた複数の層で構成することができ、用途に応じた発光特性を実現することができる。
n側半導体層4のコンタクト層としては、例えば、Siドープのn型GaN層が挙げられる。n側半導体層4のクラッド層としては、例えば、Siドープのn型AlGaN層が挙げられる。
p側半導体層6のコンタクト層としては、例えば、Mgドープのp型GaN層が挙げられる。p側半導体層6のクラッド層としては、例えば、Mgドープのp型AlGaN層が挙げられる。
活性層5は、InGaN層、GaNとInGaNとの単一又は多重量子井戸層、InGaN障壁層とその層とは組成比の異なるInGaN井戸層からなる単一又は多重量子井戸層等である。
透光性導電膜11は、n側半導体層4の上に設けられ、オーミック電極として機能する。透光性導電膜11は、金属、合金または導電性の金属酸化物からなる薄膜で形成されている。例えば、n側半導体層4側から順にNi、Auを積層した金属薄膜、Ni、Auの合金の薄膜等を用いることができる。金属層や合金層の場合、薄膜で形成することにより透光性を確保することができる。
導電性の金属酸化物(酸化物半導体)としては、亜鉛、インジウム、スズ、ガリウム及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む導電性の酸化物膜が挙げられる。具体的には、錫を含む酸化インジウム(Indium Tin Oxide;ITO)、ZnO、In2O3またはSnO2等が挙げられる。特に導電性の金属酸化物については、導電性と透光性の観点からITOが最も好ましい。
透光性導電膜12は、p側半導体層6の上に設けられ、オーミック電極として機能する。透光性導電膜12の材料は、透光性導電膜11と同様である。透光性導電膜12は、例えばITO等で形成されている。
<第1絶縁膜24>
第1絶縁膜24は、DBR25の下地となる層である。第1絶縁膜24は、特に酸化膜からなるものが好ましい。酸化膜としては、Nb2O5、TiO2、SiO2、Al2O3、ZrO2等が挙げられる。このような第1絶縁膜は、例えば、スパッタリング法、ECR(Electron Cyclotron Resonance:電子サイクロトロン共鳴)スパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法、ECR−CVD法、ECR−プラズマCVD法、蒸着法、EB法(Electron Beam:電子ビーム蒸着法)等の公知の方法で形成することができる。
DBR25は、図3に示すように、低屈折率層251と高屈折率層252とからなる1組の誘電体を、複数組にわたって積層させた誘電体多層膜であり、所定の波長光を選択的に反射するものである。具体的には屈折率の異なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層し、所定の波長を高効率に反射できる。材料膜としては、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物または窒化物から選択されたものが好ましい。
金属膜26は、光反射膜20の中に含まれており、電流を流さないことを前提としている。金属膜26は、例えば、AlやAg等の反射率の高い金属や合金で形成される。Al単体の場合、高出力の素子とすることができる。Al合金の場合、Alと、例えばCu、Ag、Pt等の白金族系の金属との合金を用いることができる。中でもAlとCuの合金(AlCu)は、高信頼性の素子とすることができる。このような金属膜26は、例えば、スパッタリング法等の公知の方法で形成することができる。
金属膜26は、複数層で構成することもできる。金属膜26が2層の場合、例えば、DBR25の側からAlCu/Tiの順に積層された構造などが挙げられる。この場合、AlCuの上に積層される材料は、その上に形成される第2絶縁膜27の材料との密着性を考慮して設けられる。例えば、第2絶縁膜27の材料がSiO2の場合、AlCuの上に積層される材料はTiが好ましい。
第2絶縁膜27は、金属膜26を覆って保護する層である。n側電極層31は、この第2絶縁膜27を介して金属膜26の端部に重なるように延設されている。また、金属膜26の端部は、DBR25と第2絶縁膜27とで被覆されている。第2絶縁膜27は、第1絶縁膜24と同様に例えばSiO2等の酸化膜からなる。なお、第2絶縁膜27の材料は、第1絶縁膜24の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
光反射膜20は、第1貫通孔21、第2貫通孔22、第3貫通孔23を備えている(図14参照)。図14には、第1貫通孔21を、一例として8行10列の格子状に設けた。このうち、左上と左下の2箇所は、第2貫通孔22に置き換えている。第1貫通孔21及び第2貫通孔22の個数や配置は、これに限定されるものではない。第3貫通孔23は、凹部7の長手方向に沿った溝であり、凹部7の底面よりも狭小に形成されている。
n側電極層31は、透光性導電膜11とn側パッド電極51との間に設けられた電極層である。n側電極層31は、透光性導電膜11側から順に、例えばTi、Rh、Tiが積層されてなる。n側電極層31を構成する材料は、n側半導体層4とオーミック接触することができる材料であれば、他の金属を組み合わせた積層物、合金等、他の材料を用いることもできる。なお、変形例として、透光性導電膜11を介在させずにn側電極層31をn側半導体層4に直接接触させるようにしてもよい。
p側電極層32は、透光性導電膜12とp側パッド電極52との間に設けられた電極層である。p側電極層32は、透光性導電膜12の上に設けられている。p側電極層32の材料は、n側電極層31と同様である。p側電極層32は、透光性導電膜12側から順に、例えばTi、Rh、Tiが積層されてなる。
保護膜40は、半導体発光素子1の表面を覆って保護するものである。保護膜40は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。保護膜40は、例えば、SiO2やZr酸化膜(ZrO2)等からなる。保護膜40は、例えば、スパッタリング法、ECRスパッタリング法、CVD法、ECR−CVD法、ECR−プラズマCVD法、蒸着法、EB法等の公知の方法で形成することができる。例えば、SiO2で保護膜40を製膜する場合、TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)を原料としたCVD膜(CVD-TEOS)を用いることができる。
保護膜40は、貫通孔41,42を備えている(図2及び図16参照)。保護膜40のn側開口部(貫通孔)41は、その上のn側パッド電極51が形成される位置において、凹部7に設けられたn側電極層31の一部分を露出できる程度に小さく作製されている。
保護膜40のp側開口部(貫通孔)42は、その上のp側パッド電極52が形成される位置において、n側電極層31に近い部分(素子中央に近い部分)に設けられている。このような位置に形成することで、半導体構造体3における電流の拡散を阻害しないようにすることができる。p側開口部42は、抵抗が小さくなるようにできるだけ大きく作製されている。図16に示したp側開口部42の大きさは一例であり、図示した半分以下の大きさでも構わない。
n側パッド電極51は、半導体発光素子1を実装するときのn側の最表面となる電極層であり、n側電極層31と電気的に接続されている。n側パッド電極51は、例えば、n側電極層31側から順にTi、Pt、Auが積層されてなる。または、n側パッド電極51は、例えば、n側電極層31側から順にTi、Ni、Auを積層するようにしてもよい。
n側パッド電極51とp側パッド電極52は、図1に示すように、縦長の矩形の形状であるが、n側パッド電極51には切欠部53が形成されている。切欠部53は、カソード(n側電極)のマークの役割を果たしている。
p側パッド電極52は、半導体発光素子1を実装するときのp側の最表面となる電極層であり、p側電極層32と電気的に接続されている。p側パッド電極52は、n側パッド電極51と同様に、例えば、p側電極層32側から順にTi、Pt、Au等が積層されてなる。
本発明に係る半導体発光素子1を製造する方法について図11ないし図17を参照(適宜図1ないし図3参照)して説明する。実際に大量生産する際には、大判の基板の上に多数の半導体発光素子1をマトリクス状に配列して製造し、大判の基板をダイシングラインで切断して各素子に個片化する。図11ないし図17は、説明のため1つの半導体発光素子1に着目して本発明に係る素子の製造工程を示す模式的な平面図である。
また、半導体発光素子1によれば、光反射膜20に設けた第2貫通孔22を介して保護膜40が透光性導電膜12に密着してアンカーとして機能する。この第2貫通孔22を介して保護膜40と接触する透光性導電膜12は、保護膜40がp側電極層32から剥離することを防止する。したがって、半導体発光素子1は、p側電極層32と保護膜40との密着性を高めることができる。
さらに、半導体発光素子1は、p側半導体層6上に、n側パッド電極51とp側パッド電極52との双方が配置された構造であり、従来の単純構造に比べて、フリップチップ実装される際の接合領域が大きいため、接合強度・精度、放熱性を向上させることができる。
図18は、本発明の第2実施形態に係る半導体発光素子を電極面側から見た平面図である。図18に示すように、半導体発光素子1Aは、n側パッド電極51と、p側パッド電極52Aとを備えている。p側パッド電極52Aは、p側半導体層6上にだけ形成されており、凹部7には形成されていない点が図1及び図2に示した半導体発光素子1とは異なっている。この場合、パッド電極用の材料を低減しつつ第1実施形態の半導体発光素子1と同様の効果を奏することができる。
[製膜条件]
GaNからなる半導体構造体3の一部をRIEによってエッチングすることで凹部7を形成し、深さ1.2μmの位置のn側半導体層4を露出させた。
<透光性導電膜11,12>
ITOを120nmの膜厚で積層した。
<光反射膜20>
第1絶縁膜24は、SiO2を材料として500nmの膜厚で積層した。
DBR25は、第1絶縁膜24の側から高屈折率層252/低屈折率層251として順番に(Nb2O5/SiO2)3で構成した。
DBR25の総膜厚は1060nm(膜厚γ=177nm)とした。
金属膜26は、DBR25側からAlCu/Tiの2層構造とし、AlCuの膜厚を200nm、Tiの膜厚を10nmとした。なお、AlCu中のCuの含有率を3%とした。金属膜26は、図13で示す範囲に積層した。
第2絶縁膜27は、SiO2を材料として200nmの膜厚で積層した。
<n側電極層31,p側電極層32>
半導体構造体3側から順に、Ti(0.15nm)/Rh(250nm)/Ti(10nm)を積層して構成した。
<保護膜40>
TEOSを原料としたCVD膜(CVD-TEOS)を用い700nmのSiO2を製膜した。
<n側パッド電極51,p側パッド電極52>
半導体構造体3側から順に、Ti(200nm)/Ni(100nm)/Au(50nm)を積層して構成した。
実施例として、前記製膜条件で製膜した半導体発光素子1Aを製造した。比較例として、光反射膜20中の金属膜を形成する範囲を縮小した半導体発光素子を製造した。
図19に、比較例の金属膜226の範囲を示す。比較例では、図19に示すように、半導体構造体3のp側半導体層6上にのみ金属膜226を製膜した。この上に第2絶縁膜27を積層して光反射膜20とし、比較例の半導体発光素子を完成させた。つまり、比較例の半導体発光素子は、n側電極層31が金属膜226上に重なってはいない。
図20(a)に示すように、比較例では、凹部7の側面(内周面)から光が漏れていることが分かる。なお、図20(a)において右側では光が漏れていない。これは、凹部7の右側の一部をn側パッド電極51が被覆しているからである。
実施例では、半導体構造体3の凹部7の底面の一部及び側面を金属膜26が被覆しているため、図20(b)に示すように、凹部7の側面(内周面)から光が漏れていないことが分かる。
比較例及び実施例の半導体発光素子の発光出力(mW)を測定したところ、実施例の出力は比較例の出力よりも2%向上した。なお、発光素子に対して順方向に電流を流すために必要な電圧、すなわち発光素子が光を発光するために必要な電圧(順方向降下電圧)は同等であった。
本発明の第3実施形態に係る半導体発光素子は、光反射膜20内に備えるDBRが、図3に示したDBR25ではなく、図21(a)に示すDBR25aに置き換えた点が異なる。その他の構成は、前記した第1または第2実施形態に係る半導体発光素子と同様なので平面図を省略する。図21(a)に示すDBR25aは、低屈折率層251と高屈折率層252との積層順序を入れ替えた点が、図3に示したDBR25とは異なる。例えば、低屈折率層251をSiO2で形成し、高屈折率層252をNb2O5で形成した場合、DBR25aは、光反射膜20の第1絶縁膜24側から順番に例えば(SiO2/Nb2O5)n(ただしnは自然数)で構成される。なお、図21(a)には、n=3の場合を例示した。
(S12)反転工程を行う。すなわち、反転ベーク(リバーサルベーク)を行う。これにより、反転ネガレジストのマスクされていなかった部分の性質が反転する。
(S13)全面露光を行う。現像により、反転ネガレジストのマスク部分が除去され、マスクされていなかった部分が残る。また、現像により、ステップS11にてDBR25aの表面からの反射光が当たった部分は除去され、庇部311が作製される。
ステップS30において、強アルカリ溶液を用いた洗浄やレジスト剥離装置による剥離といった従来公知の除去方法によって、図21(c)に示すように、レジスト310を除去する。
本発明の第4実施形態に係る半導体発光素子は、図2に示した第2貫通孔22の位置を変更した点が異なり、その他の構成は、前記した第1〜第3実施形態に係る半導体発光素子と同様なので平面図を省略する。図2には、p側パッド電極52の下に、第2貫通孔22を備える半導体発光素子1を例示したが、n側パッド電極51の下に設けてもよい。半導体発光素子1の形状が、電極面側から見て矩形である場合、第2貫通孔22は、矩形の周辺に、複数個設けてもよい。矩形の周辺は、n側パッド電極51の側であってもよい。第2貫通孔22を矩形の周辺及び隅部に設けてもよい。電極面側から見た素子形状が矩形以外の円または多角形の場合、素子の周辺とは、円または多角形の外側の線を表し、この位置に第2貫通孔22が設けられる。第2貫通孔22の位置は、凹部7から離れて電流拡散に実質的に影響を与えない位置であれば、素子の周辺や隅部の位置でなくてもよい。
2 基板
3 半導体構造体
4 n側半導体層(第1半導体層)
5 活性層
6 p側半導体層(第2半導体層)
7 凹部
11,12 透光性導電膜
20 光反射膜
21 第1貫通孔
22 第2貫通孔
23 第3貫通孔
24 第1絶縁膜
25 DBR(分布ブラッグ反射器)
251 低屈折率層
252 高屈折率層
26 金属膜
27 第2絶縁膜
31,31a,31b n側電極層(第1電極)
32 p側電極層(第2電極)
33 アンカー用開口部(貫通孔)
40 保護膜
41 n側開口部(貫通孔)
42 p側開口部(貫通孔)
51 n側パッド電極(第1パッド電極)
52,52A p側パッド電極(第2パッド電極)
53 切欠部
61 導通部
62 非導通部
101 第1領域
102 第2領域
103 湾曲面
Claims (8)
- 第1半導体層と、前記第1半導体層上の一領域に設けられた第2半導体層とを備える半導体構造体と、
前記第1半導体層上の他の領域に設けられた第1電極と、
前記第2半導体層上に設けられた第2電極と、
前記半導体構造体を覆う光反射膜と、を備える半導体発光素子であって、
前記光反射膜は、前記半導体構造体上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた金属膜と、を有し、
前記第1電極は、その周縁部において前記光反射膜上に重なるように設けられており、前記金属膜に対向して重なる領域よりも、前記金属膜から露出した前記絶縁膜に対向して重なる領域の方が、前記半導体構造体に接近して配置されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1電極は、前記金属膜に対向して重なる領域において端部ほど膜厚が薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極は、前記金属膜に対向して重なる領域において前記金属膜に対向する面が凹面形状に湾曲していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記第2電極は、その半導体構造体の外周側の端部において前記光反射膜上に重なるように設けられており、前記金属膜に対向して重なる領域よりも、前記金属膜から露出した前記絶縁膜に対向して重なる領域の方が、前記半導体構造体に接近して配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁膜は、誘電体多層膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記光反射膜は、
前記半導体構造体の側から、
前記絶縁膜である分布ブラッグ反射器と、
該分布ブラッグ反射器に積層された前記金属膜と、
前記金属膜に積層された第2絶縁膜と、を備え、
前記第1電極は、前記第2絶縁膜を介して、前記金属膜の端部に重なるように延設されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。 - 前記金属膜の端部は、前記分布ブラッグ反射器と前記第2絶縁膜とで被覆されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子。
- 前記光反射膜の前記金属膜は、前記絶縁膜と共に前記第2半導体層上の一領域から、前記第1半導体層上の他の領域の一部まで延設されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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