JP2016082231A - 発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置 - Google Patents

発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016082231A
JP2016082231A JP2015199279A JP2015199279A JP2016082231A JP 2016082231 A JP2016082231 A JP 2016082231A JP 2015199279 A JP2015199279 A JP 2015199279A JP 2015199279 A JP2015199279 A JP 2015199279A JP 2016082231 A JP2016082231 A JP 2016082231A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
electrode
emitting device
device package
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015199279A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6783048B2 (ja
JP2016082231A5 (ja
Inventor
イ，サンヨル
San-Yoru Yi
チェ，カンキ
Kwang Ki Choi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of JP2016082231A publication Critical patent/JP2016082231A/ja
Publication of JP2016082231A5 publication Critical patent/JP2016082231A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6783048B2 publication Critical patent/JP6783048B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】改善された信頼性を有する発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置を提供する。
【解決手段】基板１１０と、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含む発光構造物１２０と、第１及び第２導電型半導体層とそれぞれ接続された第１電極１３２及び第２電極１３４と、第２導電型半導体層及び活性層を貫通して第１導電型半導体層を露出させる第１貫通孔の一部である第１−１貫通孔ＴＨ１１において第１電極に接続された第１パッド１４２と、第１パッドと第２導電型半導体層との間及び第１パッドと活性層との間に配置され、第１電極を覆うように配置された第１絶縁層１５０と、第２導電型半導体層の下に配置された第１絶縁層を貫通する第２貫通孔ＴＨ２を介して第２電極に接続された第２パッド１４４とを含み、第２パッドは第１−２貫通孔に位置した第１絶縁層と発光構造物の厚さ方向に重ならずに配置される。
【選択図】図２

Description

実施形態は、発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、化合物半導体の特性を用いて電気を赤外線または光に変換させて信号をやり取りしたり、光源として使用される半導体素子の一種である。
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体（ｇｒｏｕｐ ＩＩＩ−Ｖ ｎｉｔｒｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は、物理的及び化学的特性により、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）などのような発光素子の核心素材として脚光を浴びている。
このような発光ダイオードは、白熱灯と蛍光灯などの既存の照明器具に使用される水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないので環境性に優れ、長寿命及び低電力消費特性などのような利点があるので、既存の光源を代替している。このような発光ダイオードを含む既存の発光素子パッケージの信頼性を改善するための多方面の研究が行われている。
実施形態は、改善された信頼性を有する発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置を提供する。
実施形態による発光素子パッケージは、基板；前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物；第１及び第２導電型半導体層とそれぞれ接続された第１及び第２電極；前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層を露出させる第１貫通孔の一部である第１−１貫通孔において前記第１電極に接続された第１パッド；前記第１パッドと前記第２導電型半導体層との間及び前記第１パッドと前記活性層との間に配置され、前記第１貫通孔の他部である第１−２貫通孔において前記第１電極を覆うように配置された第１絶縁層；及び前記第２導電型半導体層の下に配置された前記第１絶縁層を貫通する第２貫通孔を介して前記第２電極に接続され、前記第１パッドと電気的に離隔した第２パッドを含み、前記第２パッドは、前記第１−２貫通孔に位置した前記第１絶縁層と前記発光構造物の厚さ方向に重ならずに配置され得る。前記第１及び第２パッドのそれぞれは、楕円形または多角形の平面形状を有することができる。
例えば、前記第１電極は、平面視でストリップ（ｓｔｒｉｐ）形状を有することができる。前記第２パッドは、前記第１−２貫通孔の周辺において前記第１電極の長手方向に形成された少なくとも１つのスリットを含むことができる。前記少なくとも１つのスリットの幅は、前記第１電極の幅以上であってもよい。前記第１電極の前記ストリップ形状の数と前記スリットの数は同一であってもよい。
例えば、前記発光素子パッケージは、前記第１及び第２パッドとそれぞれ接続された第１及び第２ソルダ部と；前記第１及び第２ソルダ部にそれぞれ接続された第１及び第２リードフレームとをさらに含むことができる。前記第２ソルダ部の少なくとも一部は、前記第１−２貫通孔に埋め込まれて配置されてもよい。前記第２ソルダ部は、前記第１−２貫通孔に埋め込まれずに前記第２パッドの下に配置されてもよい。前記第２ソルダ部は、前記第１絶縁層によって前記第１電極と電気的に離隔して配置されてもよい。
例えば、前記第２貫通孔は、前記第１電極の長手方向と垂直な方向に前記第１電極の間に配置された平面形状を有することができる。
例えば、前記第１導電型半導体層はｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層はｐ型半導体層であってもよい。
例えば、前記第２パッドは、平面視で、前記第１電極とギャップを置いて離隔してもよい。前記ギャップは、前記第１電極の長手方向に沿って形成された第１ギャップと；前記第１電極の幅方向に沿って形成された第２ギャップとを含むことができる。例えば、前記第１及び第２ギャップのそれぞれは、５μｍ〜２０μｍであってもよい。前記第２パッドの下部面は平坦であってもよい。例えば、前記第２パッドは、前記基板と対面する上部面と；前記上部面の反対側の面であって、平坦な断面形状を有する下部面とを含むことができる。
例えば、前記第２電極は光反射層を含むことができる。前記第１導電型半導体層の下部面と前記第１電極の下部面は段差をもって形成されてもよい。
他の実施形態による照明装置は前記発光素子パッケージを含むことができる。
実施形態に係る発光素子パッケージは、第２導電型半導体層と活性層を貫通して形成された第１−２貫通孔において、第１絶縁層と第２パッドとが発光構造物の厚さ方向に重ならないので、第１絶縁層にクラックが存在するとしても、第２パッドが第１電極と電気的に接続されるおそれが根本的に解消されて、改善された信頼性を有することができる。
下記の図面を参照して実施形態について詳細に説明する。ただし、図面中、同一の構成要素には同一の参照符号を付する。
一実施形態に係る発光素子パッケージの平面図である。 図１に示された発光素子パッケージをＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。 図１に示された発光素子パッケージをＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一実施形態の断面図である。 図３に示された‘Ａ’部分の比較例に係る拡大断面図である。 図１に示された発光素子パッケージをＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した他の実施形態の断面図である。 図１に示された発光素子パッケージの製造方法を説明するための工程平面図である。 図１に示された発光素子パッケージの製造方法を説明するための工程平面図である。 図１に示された発光素子パッケージの製造方法を説明するための工程平面図である。 図１に示された発光素子パッケージの製造方法を説明するための工程平面図である。
以下、本発明を具体的に説明するために実施形態を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために、添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施形態は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が、以下に詳述する実施形態に限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
本発明に係る実施形態の説明において、各構成要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の「上（上部）または下（下部）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上（上部）または下（下部）は、２つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記２つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上（上部）」または「下（下部）」と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
また、以下で使用される「第１」及び「第２」、「上／上部／上側」及び「下／下部／下側」などのような関係的用語は、かかる実体または要素間のいかなる物理的又は論理的関係、または順序を必ず要求したり、内包したりすることなく、ある一つの実体または要素を他の実体または要素と区別するためにのみ用いることもできる。
図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。
図１は、一実施形態に係る発光素子パッケージ１００の平面図を示し、図２は、図１に示された発光素子パッケージ１００をＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図を示し、図３は、図１に示された発光素子パッケージ１００をＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した一実施形態１００Ａの断面図を示す。
実施形態に係る発光素子パッケージ１００はデカルト座標系を用いて説明するが、他の座標系を用いて説明できることは勿論である。デカルト座標系において、各図に示されたｘ軸とｙ軸とｚ軸は互いに直交し、ｘ’軸とｙ’軸とｚ’軸は互いに直交する。
図１及び図２を参照すると、実施形態による発光素子パッケージ１００は、パッケージボディー１０２、基板１１０、発光構造物１２０、第１及び第２電極（又は、コンタクト層）１３２，１３４、第１及び第２パッド（ｐａｄ）１４２，１４４、第１及び第２絶縁層１５０，１５２、第１及び第２ソルダ部１６２，１６４、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４及びモールディング部材１８０を含むことができる。
説明の便宜上、図１において、図２に示されたパッケージボディー１０２、第２絶縁層１５２、第１及び第２ソルダ部１６２，１６４、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４及びモールディング部材１８０の図示は省略された。すなわち、図１は、発光素子に該当し得る。
パッケージボディー１０２は、キャビティ（Ｃ：Ｃａｖｉｔｙ）を形成することができる。例えば、図２に例示されたように、パッケージボディー１０２は、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４と共にキャビティＣを形成することができる。すなわち、キャビティＣは、パッケージボディー１０２の内側面１０４と第１及び第２リードフレーム１７２，１７４の各上部面によって定義され得る。しかし、実施形態はこれに限定されない。他の実施形態によれば、図２に例示したものとは異なり、パッケージボディー１０２のみでキャビティＣを形成することもできる。または、上部面が平坦なパッケージボディー１０２上に隔壁（ｂａｒｒｉｅｒ ｗａｌｌ）（図示せず）が配置され、隔壁及びパッケージボディー１０２の上部面によってキャビティが定義されてもよい。パッケージボディー１０２は、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などで具現されてもよいが、実施形態は、パッケージボディー１０２の材質に限定されない。
発光構造物１２０は基板１１０の下に配置される。基板１１０は、導電型物質または非導電型物質を含むことができる。例えば、基板１１０は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、ＧａＡｓ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含むことができるが、実施形態は基板１１０の物質に限定されない。
基板１１０と発光構造物１２０との間の熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）の差及び格子不整合を改善するために、これら１１０，１２０の間にバッファ層（又は転移層）（図示せず）がさらに配置されてもよい。バッファ層は、例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎ及びＧａで構成される群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができるが、これに限定されない。また、バッファ層は、単層または多層構造を有してもよい。
発光構造物１２０は、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含むことができる。基板１１０から第１及び第２リードフレーム１７２，１７４に向かう方向（即ち、−ｙ’軸方向）に第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６が順次積層されて形成され得る。
第１導電型半導体層１２２は、基板１１０の下に配置される。第１導電型半導体層１２２は、第１導電型ドーパントがドープされたＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体で具現されてもよい。第１導電型半導体層１２２がｎ型半導体層である場合、第１導電型ドーパントは、ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されない。
例えば、第１導電型半導体層１２２は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。第１導電型半導体層１２２は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰのいずれか１つ以上を含むことができる。
活性層１２４は、第１導電型半導体層１２２と第２導電型半導体層１２６との間に配置されてもよい。活性層１２４は、第１導電型半導体層１２２を介して注入される電子（又は正孔）と第２導電型半導体層１２６を介して注入される正孔（又は電子）とが互いに会って、活性層１２４をなす物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。活性層１２４は、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造のうちの少なくともいずれか１つで形成されてもよい。
活性層１２４の井戸層／障壁層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか１つ以上のペア構造で形成されてもよいが、これに限定されない。井戸層は、障壁層のバンドギャップエネルギーよりも低いバンドギャップエネルギーを有する物質で形成することができる。
活性層１２４の上又は／及び下には導電型クラッド層（図示せず）が形成されてもよい。導電型クラッド層は、活性層１２４の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも高いバンドギャップエネルギーを有する半導体で形成することができる。例えば、導電型クラッド層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮまたは超格子構造などを含むことができる。また、導電型クラッド層は、ｎ型またはｐ型にドープされてもよい。
実施形態によれば、活性層１２４は、紫外線波長帯域の光を放出することができる。ここで、紫外線波長帯域とは、１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長帯域を意味する。特に、活性層１２４は、１００ｎｍ〜２８０ｎｍの波長帯域の光を放出することができる。しかし、実施形態は、活性層１２４から放出される光の波長帯域に限定されない。
第２導電型半導体層１２６は、活性層１２４の下に配置されてもよい。第２導電型半導体層１２６は、半導体化合物で形成することができ、ＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体で具現されてもよい。例えば、第２導電型半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。第２導電型半導体層１２６には第２導電型ドーパントがドープされてもよい。第２導電型半導体層１２６がｐ型半導体層である場合、第２導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。
第１導電型半導体層１２２はｎ型半導体層として、第２導電型半導体層１２６はｐ型半導体層として具現することができる。または、第１導電型半導体層１２２はｐ型半導体層として、第２導電型半導体層１２６はｎ型半導体層として具現することもできる。
発光構造物１２０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のいずれか１つの構造で具現することができる。
第１電極１３２は、メサエッチング（ｍｅｓａ ｅｔｃｈｉｎｇ）によって露出された第１導電型半導体層１２２と電気的に接続可能である。すなわち、第２導電型半導体層１２６、活性層１２４及び第１導電型半導体層１２２の一部をメサエッチングすることによって、第２導電型半導体層１２６と活性層１２４を貫通する第１貫通孔が形成される。このとき、第１貫通孔の一部である第１−１貫通孔ＴＨ１１を通じて露出された第１導電型半導体層１２２上に第１電極１３２が形成される。ここで、第１−１貫通孔ＴＨ１１とは、第１貫通孔において、第１パッド１４２が第１電極１３２と電気的に接続される貫通孔に該当する。図１に例示されたように、第１電極１３２は、ｚ軸方向に長細い形状に形成された、平面視でストリップ（ｓｔｒｉｐ）形状を有することができる。
理解を助けるために、図３に例示されたように、第１絶縁層１５０によって覆われる第１電極１３２を図１において点線で表し、図２に例示されたように、第１パッド１４２によって覆われる第１−１貫通孔ＴＨ１１を図１において点線で表した。また、図２に例示されたように、第１−１貫通孔ＴＨ１１において、第１電極１３２は、露出された第１導電型半導体層１２２の下に配置され、第１−１貫通孔ＴＨ１１のｚ’軸方向への幅は、第１電極１３２のｚ’軸方向への幅よりも大きいが、図１では、説明の便宜上、第１−１貫通孔ＴＨ１１と第１電極１３２を同一にして示した。しかし、第１−１貫通孔ＴＨ１１と第１電極１３２の平面形状は、図６Ａ及び図６Ｂを参照して詳細に後述する。
また、図１の場合、第１−１貫通孔ＴＨ１１の数は６個であることを示しているが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、第１−１貫通孔ＴＨ１１の数は、６個より多くても少なくてもよい。
第１電極１３２は、オーミック接触する物質を含んでオーミックの役割を果たすことによって、別途のオーミック層（図示せず）を配置しなくてもよく、別途のオーミック層が第１電極１３２の上又は下に配置されてもよい。
第２電極１３４は、第２導電型半導体層１２６の下に配置され、第２導電型半導体層１２６と電気的に接続可能である。第２電極１３４は、透明電極（図示せず）及び光反射層（図示せず）を含むことができる。
光反射層は、銀（Ａｇ）のような反射物質からなることができる。透明電極は、光反射層と第２導電型半導体層１２６との間に配置され、光反射層は、透明電極の下に配置されてもよい。透明電極は、透明伝導性酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）であってもよい。例えば、透明電極は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうちの少なくとも１つを含むことができ、このような材料に限定されない。
第２電極１３４は、オーミック特性を有することができ、第２導電型半導体層１２６とオーミック接触する物質を含むことができる。もし、第２電極１３４がオーミックの役割を果たす場合、別途のオーミック層（図示せず）は形成しなくてもよい。
このように、第２電極１３４が光反射層を含む場合、活性層１２４から放出されて第１及び第２リードフレーム１７２，１７４側に向かう光が反射されることによって、光抽出効率を改善することができる。
図１乃至図３に例示された発光素子パッケージ１００，１００Ａは、フリップチップボンディング（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ ｂｏｎｄｉｎｇ）構造であるので、活性層１２４から放出された光は、第１電極１３２、第１導電型半導体層１２２及び基板１１０を介して出射され得る。そのために、第１電極１３２、第１導電型半導体層１２２及び基板１１０は、光透過性を有する物質からなることができる。このとき、第２導電型半導体層１２６及び第２電極１３４は、光透過性や非透過性を有する物質、または反射性を有する物質からなってもよいが、実施形態は、特定の物質に限定されない。
第１及び第２電極１３２，１３４のそれぞれは、活性層１２４から放出された光を吸収せずに反射させたり透過させたりすることができ、第１及び第２導電型半導体層１２２，１２６の上に良質に成長することができれば、いかなる物質で形成されてもよい。例えば、第１及び第２電極１３２，１３４のそれぞれは金属で形成することができ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組み合わせからなることができる。
一方、第１パッド１４２は、第１−１貫通孔ＴＨ１１を介して第１電極１３２に接続され得る。このとき、第１絶縁層１５０は、第１パッド１４２と第２導電型半導体層１２６との間に配置され、これら１４２，１２６を互いに電気的に離隔させることができる。また、第１絶縁層１５０は、第１パッド１４２と活性層１２４との間に配置され、これら１４２，１２４を互いに電気的に離隔させることができる。
第２パッド１４４は、第１パッド１４２と電気的に離隔し、第２導電型半導体層１２６の下に配置された第１絶縁層１５０を貫通する第２貫通孔ＴＨ２を介して第２電極１３４に接続され得る。
図１を参照すると、第２貫通孔ＴＨ２は、第１電極１３２の長手方向（即ち、ｚ軸方向）（又は、第１パッド１４２と第２パッド１４４が互いに離隔した方向）と垂直な方向（即ち、ｘ軸方向）に第１電極１３２の間に配置された平面形状を有することができる。図１の場合、第２貫通孔ＴＨ２の長軸はｘ軸方向であり、短軸はｚ軸方向であることを示しているが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、他の実施形態によれば、第２貫通孔ＴＨ２の短軸はｘ軸方向であり、長軸はｚ軸方向であってもよい。
また、図１に例示されたように、第２パッド１４４は、複数個の部分に分離される代わりに、一つのボディーで具現されてもよい。
また、他の実施形態によれば、図２の例示とは異なり、第２パッド１４４は、第１絶縁層１５０を貫通せずに第２電極１３４に接続されてもよい。
第１及び第２パッド１４２，１４４のそれぞれは、電気的伝導性を有する金属物質を含むことができ、第１及び第２電極１３２，１３４のそれぞれの物質と同一又は異なる物質を含むことができる。
図３を参照すると、前述したように、第２導電型半導体層１２６と活性層１２４と第１導電型半導体層１２２の一部をメサエッチングすることによって、第２導電型半導体層１２６と活性層１２４を貫通して第１貫通孔が形成される。第１絶縁層１５０は、第１貫通孔のうち第１−２貫通孔ＴＨ１２において第１電極１３２を覆うように配置され得る。第１−２貫通孔ＴＨ１２とは、第１貫通孔において、第１電極１３２と第１パッド１４２が電気的に接続されない貫通孔に該当する。
図３に例示されたように、第１電極１３２は、露出された第１導電型半導体層１２２の下に配置され、第１−２貫通孔ＴＨ１２のｘ軸方向への幅は、第１電極１３２のｘ軸方向への幅よりも大きいが、説明の便宜上、図１では、第１電極１３２と第１−２貫通孔ＴＨ１２を同一にして示した。第１−２貫通孔ＴＨ１２と第１電極１３２の平面形状は、図６Ａ及び図６Ｂを参照して詳細に後述する。
このとき、実施形態によれば、図３に例示されたように、第２パッド１４４は、第１−２貫通孔ＴＨ１２に位置した第１絶縁層１５０とｙ軸方向（即ち、発光構造物１２０の厚さ方向）に重ならずに配置され得る。すなわち、第２パッド１４４は、第１−２貫通孔ＴＨ１２に埋め込まれずに、第１−２貫通孔ＴＨ１２の周辺に配置され得る。
もし、図３に示したものとは異なり、第２パッド１４４が第１−２貫通孔ＴＨ１２に埋め込まれる場合、第２パッド１４４の下部面１４４Ａは平坦でなく屈曲した断面形状を有し得る。なぜなら、第１−２貫通孔ＴＨ１２の内部に配置された第１絶縁層１５０が、屈曲した断面形状を有するためである。しかし、実施形態によれば、第２パッド１４４が第１−２貫通孔ＴＨ１２に埋め込まれないので、第２パッド１４４の下部面１４４Ａは平坦な断面形状を有することができる。ここで、第２パッド１４４の下部面１４４Ａは、基板１１０と対面する上部面１４４Ｂの反対側の面を意味する。
図１及び図３を参照すると、第２パッド１４４は、第１−２貫通孔ＴＨ１２の周辺において第１電極１３２の長手方向（即ち、ｚ軸方向）に形成された少なくとも１つのスリットＳ（Ｓｌｉｔ）を含むことができる。図１及び図３に例示された発光素子パッケージ１００，１００Ａの場合、３個のスリットＳが示されているが、実施形態は、スリットＳの数に限定されない。すなわち、スリットＳは、３個より多くても少なくてもよい。
発光素子パッケージ１００の平面の大きさ（即ち、ｘ軸の長さｘｚ軸の長さ）が大きい場合、例えば、８００μｍｘ８００μｍである場合、キャリアのスプレディングを円滑にするために、第１電極１３２のストリップ形状は複数個であってもよい。また、第１電極１３２のストリップ形状の数と第２パッド１４４のスリットＳの数は同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、図１を参照すると、少なくとも１つのスリットＳの第１幅Ｗ１は、第１電極１３２（又は、第１−２貫通孔ＴＨ１２）の第２幅Ｗ２以上であってもよい。
また、第２パッド１４４は、平面視で、第１電極１３２とギャップＧ（Ｇａｐ）を置いて離隔して配置されてもよい。ここで、ギャップＧは、第１ギャップＧ１と第２ギャップＧ２を含むことができる。第１ギャップＧ１は、第１電極１３２の長手方向（即ち、ｚ軸方向）に沿って形成され、ｘ軸方向に第２パッド１４４と第１電極１３２が互いに離隔した距離を示し、第２ギャップＧ２は、第１電極１３２の幅Ｗ２方向（即ち、ｘ軸方向）に沿って形成され、ｚ軸方向に第２パッド１４４と第１電極１３２が互いに離隔した距離を示す。
もし、第１及び第２ギャップＧ１，Ｇ２のそれぞれが５μｍよりも小さいと、製造工程が難しくなり、第１電極１３２の下に配置された第１絶縁層１５０がストレス（ｓｔｒｅｓｓ）を受けることがある。また、第１及び第２ギャップＧ１，Ｇ２のそれぞれが２０μｍよりも大きいと、第１電極１３２と第１導電型半導体層１２２との接触面積の減少により、放熱特性が悪化し、抵抗が増加し得る。したがって、第１及び第２ギャップＧ１，Ｇ２のそれぞれは、５μｍ〜２０μｍであってもよいが、実施形態はこれに限定されない。
図４は、図３に示された‘Ａ’部分の比較例Ａ１による拡大断面図を示す。
図３に示された実施形態とは異なり、図４に示された比較例の場合、第１−２貫通孔ＴＨ１２において、第１電極１３２を覆う第１絶縁層１５０と第２パッド４４はｙ軸方向に互いに重なる。ここで、比較例の第２パッド４４は、実施形態の第２パッド１４４と配置位置のみが異なるだけで、同一の役割を果たす。この場合、第１絶縁層１５０にクラックＣ（Ｃｒａｃｋ）が引き起こされる場合、クラックＣを介して第２パッド４４と第１電極１３２とが互いに電気的に接続されて短絡（ｓｈｏｒｔ）されるという問題が発生し得る。
しかし、実施形態によれば、図３に示されたように、第１−２貫通孔ＴＨ１２において、第１絶縁層１５０と第２パッド１４４がｙ軸方向に重ならない。したがって、第１絶縁層１５０に、図４に示したようにクラックＣが存在するとしても、第２パッド１４４が第１電極１３２と電気的に接続されるおそれを根本的に解消することができる。
一般に、メサエッチングにより露出された第１導電型半導体層１２２の下部面１２２Ａと、第１電極１３２の下部面１３２Ａとは段差をもって形成される。したがって、第１−２貫通孔ＴＨ１２に第１絶縁層１５０を形成する過程において、前述した段差により、第１絶縁層１５０にクラックＣが発生することがある。そこで、実施形態ではこれを考慮して、第２パッド１４４を、前述したように第１−２貫通孔ＴＨ１２に形成しないので、第２パッド１４４と第１電極１３２が電気的に接続されるおそれを除去し、信頼性を改善することができる。
図５は、図１に示された発光素子パッケージ１００をＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した他の実施形態１００Ｂの断面図を示す。
一方、図２に示された発光素子パッケージ１００の第１及び第２ソルダ部１６２，１６４は、第１及び第２パッド１４２，１４４とそれぞれ電気的に接続可能である。
一実施形態によれば、図３に示したように、第２ソルダ部１６４Ａは、第１−２貫通孔ＴＨ１２に埋め込まれずに第２パッド１４４の下に配置されてもよい。
または、他の実施形態によれば、第２ソルダ部１６４は、第１−２貫通孔ＴＨ１２の少なくとも一部を埋めるようにして配置されてもよい。例えば、図５に例示されたように、第２ソルダ部１６４Ｂは、第１−２貫通孔ＴＨ１２の全体を埋めるように発光構造物１２０と第２リードフレーム１７４との間に配置され、第２パッド１４４と第２リードフレーム１７４との間に配置されてもよい。
このとき、図５の場合、第２ソルダ部１６４Ｂは、第１絶縁層１５０によって第１電極１３２と電気的に離隔したことを示している。このとき、図４に例示されたように、第１−２貫通孔ＴＨ１２において第１絶縁層１５０にクラックＣが存在するとしても、第２ソルダ部１６４Ｂは第１電極１３２と電気的に短絡されない。なぜなら、第２パッド１４４とは異なり、第２ソルダ部１６４Ｂはストレスを発生させないからである。
前述したように、第２ソルダ部１６４Ａ，１６４Ｂが配置された形状が異なること以外は、図５に示された発光素子パッケージ１００Ｂは、図３に示された発光素子パッケージ１００Ａと同一であるので、同一の参照符号を使用し、重複する説明を省略する。
発光素子パッケージ１００，１００Ａ，１００Ｂの第１ソルダ部１６２は、第１リードフレーム１７２に電気的に接続され、第２ソルダ部１６４，１６４Ａ，１６４Ｂは、第２リードフレーム１７４に電気的に接続され得る。すなわち、第１ソルダ部１６２は、第１リードフレーム１７２と第１パッド１４２との間に配置され、これら１７２，１４２を互いに電気的に接続させ、第２ソルダ部１６４，１６４Ａ，１６４Ｂは、第２リードフレーム１７４と第２パッド１４４との間に配置され、これら１７４，１４４を互いに電気的に接続させることができる。
第１ソルダ部１６２及び第２ソルダ部１６４，１６４Ａ，１６４Ｂのそれぞれは、ソルダペースト（ｓｏｌｄｅｒ ｐａｓｔｅ）またはソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）であってもよい。
図２を参照すると、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４は、発光構造物１２０の厚さ方向（即ち、ｙ’軸方向）と垂直な方向（例えば、ｚ’軸方向）に互いに離隔して配置されてもよい。第１及び第２リードフレーム１７２，１７４のそれぞれは、導電型物質、例えば、金属からなることができ、実施形態は、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４のそれぞれの物質の種類に限定されない。第１及び第２リードフレーム１７２，１７４を電気的に分離させるために、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４の間には第２絶縁層１５２が配置されてもよい。
また、パッケージボディー１０２が導電型物質、例えば、金属物質からなる場合、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４は、パッケージボディー１０２の一部であってもよい。この場合にも、第１及び第２リードフレーム１７２，１７４を形成するパッケージボディー１０２は、第２絶縁層１５２によって互いに電気的に分離され得る。
第１及び第２絶縁層１５０，１５２のそれぞれは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含むことができるが、実施形態は、第１及び第２絶縁層１５０，１５２の物質に限定されない。
前述した第１及び第２ソルダ部１６２，１６４は、第１及び第２パッド１４２，１４４を介して、第１及び第２導電型半導体層１２２，１２６を第１及び第２リードフレーム１７２，１７４にそれぞれ電気的に接続させることで、ワイヤの必要性をなくすことができる。しかし、他の実施形態によれば、ワイヤを用いて第１及び第２導電型半導体層１２２，１２６を第１及び第２リードフレーム１７２，１７４にそれぞれ接続させることもできる。
また、第１ソルダ部１６２及び第２ソルダ部１６４，１６４Ａ，１６４Ｂは省略されてもよい。この場合、第１パッド１４２が第１ソルダ部１６２の役割を果たし、第２パッド１４４が第２ソルダ部１６４，１６４Ａ，１６４Ｂの役割を果たすことができる。第１ソルダ部１６２と第２ソルダ部１６４，１６４Ａ，１６４Ｂが省略される場合、第１パッド１４２は第１リードフレーム１７２と直接接続され、第２パッド１４４は第２リードフレーム１７４と直接接続され得る。
一方、モールディング部材１８０は、発光素子１１０，１２０，１３２，１３４，１４２，１４４，１５０、第１ソルダ部１６２及び第２ソルダ部１６４，１６４Ａ，１６４Ｂを包囲して保護することができる。モールディング部材１８０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）で具現することができ、蛍光体を含むので、発光素子から放出された光の波長を変化させることができる。蛍光体には、発光素子から発生した光を白色光に変換させることができるＹＡＧ系、ＴＡＧ系、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系、Ｓｕｌｆｉｄｅ系またはＮｉｔｒｉｄｅ系のいずれか１つの波長変換手段である蛍光物質が含まれてもよいが、実施形態は蛍光体の種類に限定されない。
ＹＡＧ及びＴＡＧ系蛍光物質としては、（Ｙ，Ｔｂ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｓｍ）３（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｆｅ）５（Ｏ，Ｓ）１２：Ｃｅから選択して使用可能であり、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系蛍光物質としては、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：（Ｅｕ，Ｆ，Ｃｌ）から選択して使用可能である。
また、Ｓｕｌｆｉｄｅ系蛍光物質としては、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕから選択して使用可能であり、Ｎｉｔｒｉｄｅ系蛍光体は、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ）Ｎ：Ｅｕ（例、ＣａＡｌＳｉＮ４：Ｅｕ β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）またはＣａ−α ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ系である（Ｃａｘ，Ｍｙ）（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６、ここで、Ｍは、Ｅｕ、Ｔｂ、ＹｂまたはＥｒのうちの少なくとも１つの物質であり、０．０５＜ｘ＋ｙ＜０．３、０．０２＜ｘ＜０．２７及び０．０３＜ｙ＜０．３、蛍光体成分から選択して使用することができる。
赤色蛍光体としては、Ｎ（例、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）を含む窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体を使用することができる。このような窒化物系赤色蛍光体は、硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系蛍光体よりも熱、水分などの外部環境に対する信頼性に優れているだけでなく、変色のおそれが低い。
以下、図１に示された発光素子パッケージ１００の製造方法を、添付の図６Ａ乃至図６Ｄを参照して次のように説明する。しかし、実施形態はこれに限定されず、様々な製造方法により、図１に示された発光素子パッケージ１００を製造できることは勿論である。
図６Ａ乃至図６Ｄは、図１に示された発光素子パッケージ１００の製造方法を説明するための工程平面図を示す。
図６Ａを参照すると、基板１１０上に発光構造物１２０を形成する。ここで、図２、図３及び図５に例示されたように、基板１１０上に第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を順次形成することができる。このように発光構造物１２０が形成される場合、図６Ａに示したように、発光素子パッケージ１００の平面形状において一番上の第２導電型半導体層１２６のみが見られる。
その後、メサエッチングにより、第２導電型半導体層１２６と活性層１２４と第１導電型半導体層１２２の一部を除去して、第１導電型半導体層１２２が露出される第１−１及び第１−２貫通孔ＴＨ１１，ＴＨ１２を形成する。
その後、図６Ｂを参照すると、第２導電型半導体層１２６上に第２電極１３４を形成し、第１−１及び第１−２貫通孔ＴＨ１１，ＴＨ１２から露出された第１導電型半導体層１２２上に第１電極１３２を形成する。
その後、図６Ｃを参照すると、第１−１貫通孔ＴＨ１１の第１電極１３２及び第２貫通孔ＴＨ２の第２電極１３４を除外した発光素子パッケージ１００の全体の上部に第１絶縁層１５０を形成する。
その後、図６Ｄを参照すると、第１パッド１４２及び第２パッド１４４を第１絶縁層１５０の上部に形成する。このとき、第１パッド１４２は、第１−１貫通孔ＴＨ１１から露出された第１導電型半導体層１２２に形成された第１電極１３２とｙ軸方向（即ち、発光構造物１２０の厚さ方向）に重なるように配置され得る。また、第２パッド１４４は、第２貫通孔ＴＨ２から露出された第２電極１３４とｙ軸方向に重なるように配置され得る。
図１に示された発光素子パッケージ１００は、図２に示された断面形状に限定されず、様々な断面形状を有してもよい。すなわち、第２パッド１４４が、図１に示されたように、第１−２貫通孔ＴＨ１２と発光構造物１２０の厚さ方向に重ならない限り、図１に示された発光素子パッケージ１００は様々な断面形状を有してもよい。
また、図１の場合、第１及び第２パッド１４２，１４４のそれぞれは、四角形の平面形状を有することを示しているが、実施形態はこれに限定されない。例えば、他の実施形態によれば、第１及び第２パッド１４２，１４４のそれぞれは、楕円形の平面形状や、三角形又は五角形のような様々な多角形の平面形状を有してもよい。
実施形態に係る発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされてもよく、発光素子パッケージの光経路上に、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されてもよい。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、バックライトユニットとして機能することができる。
また、実施形態に係る発光素子パッケージは、表示装置、指示装置、照明装置に適用することができる。
ここで、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバー上に配置される反射板と、光を放出する発光モジュールと、反射板の前方に配置され、発光モジュールから発散される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと接続され、ディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルターとを含むことができる。ここで、ボトムカバー、反射板、発光モジュール、導光板、及び光学シートはバックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）をなすことができる。
また、照明装置は、基板と実施形態に係る発光素子パッケージを含む光源モジュール、光源モジュールの熱を発散させる放熱体、及び外部から提供された電気的信号を処理又は変換して光源モジュールに提供する電源提供部を含むことができる。例えば、照明装置は、ランプ、ヘッドランプ、または街灯を含むことができる。
ヘッドランプは、基板上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を一定の方向、例えば、前方に反射させるリフレクタ（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、リフレクタによって反射される光を前方に屈折させるレンズ、及びリフレクタによって反射されてレンズに向かう光の一部分を遮断又は反射し、設計者の所望の配光パターンをなすようにするシェード（ｓｈａｄｅ）を含むことができる。
実施形態に係る発光素子パッケージは、第２導電型半導体層と活性層を貫通して形成された第１−２貫通孔において、第１絶縁層と第２パッドとが発光構造物の厚さ方向に重ならないので、第１絶縁層にクラックが存在するとしても、第２パッドが第１電極と電気的に接続されるおそれが根本的に解消されて、改善された信頼性を有することができる。
以上、実施形態を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない種々の変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施形態に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用による差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。

Claims (20)

  1. 基板と、
    前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
    第１及び第２導電型半導体層とそれぞれ接続された第１及び第２電極と、
    前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層を露出させる第１貫通孔の一部である第１−１貫通孔において前記第１電極に接続された第１パッドと、
    前記第１パッドと前記第２導電型半導体層との間及び前記第１パッドと前記活性層との間に配置され、前記第１貫通孔の他部である第１−２貫通孔において前記第１電極を覆うように配置された第１絶縁層と、
    前記第２導電型半導体層の下に配置された前記第１絶縁層を貫通する第２貫通孔を介して前記第２電極に接続され、前記第１パッドと電気的に離隔した第２パッドと、を含み、
    前記第２パッドは、前記第１−２貫通孔に位置した前記第１絶縁層と前記発光構造物の厚さ方向に重ならずに配置された、発光素子パッケージ。
  2. 前記第１電極は、平面視でストリップ（ｓｔｒｉｐ）形状を有する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
  3. 前記第２パッドは、前記第１−２貫通孔の周辺において前記第１電極の長手方向に形成された少なくとも１つのスリットを含む、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
  4. 前記発光素子パッケージは、
    前記第１及び第２パッドとそれぞれ接続された第１及び第２ソルダ部と、
    前記第１及び第２ソルダ部にそれぞれ接続された第１及び第２リードフレームと、をさらに含む、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
  5. 前記第２ソルダ部は、
    前記第１−２貫通孔に少なくとも一部を埋め込んで配置されるか、または
    前記第１−２貫通孔に埋め込まれずに前記第２パッドの下に配置された、請求項４に記載の発光素子パッケージ。
  6. 前記第２貫通孔は、前記第１電極の長手方向と垂直な方向に前記第１電極の間に配置された平面形状を有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  7. 前記第１導電型半導体層はｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層はｐ型半導体層である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  8. 前記少なくとも１つのスリットの幅は、前記第１電極の幅以上である、請求項３乃至７のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  9. 前記第２パッドは、平面視で、前記第１電極とギャップを置いて離隔した、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  10. 前記ギャップは、
    前記第１電極の長手方向に沿って形成された第１ギャップと、
    前記第１電極の幅方向に沿って形成された第２ギャップと、を含む、請求項９に記載の発光素子パッケージ。
  11. 前記第２パッドの下部面は平坦である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  12. 前記第２電極は光反射層を含む、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  13. 前記第２パッドは、前記第１−２貫通孔に埋め込まれずに前記第１−２貫通孔の周辺に配置された、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  14. 前記第２パッドは、
    前記基板と対面する上部面と、
    前記上部面の反対側の面であって、平坦な断面形状を有する下部面と、を含む、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  15. 前記第１電極はストリップ形状を有し、
    前記第１電極の前記ストリップ形状の数と前記スリットの数とは同一である、請求項３乃至１４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  16. 前記第１及び第２ギャップのそれぞれは、５μｍ〜２０μｍである、請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  17. 前記第１導電型半導体層の下部面と前記第１電極の下部面は段差をもって形成された、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  18. 前記第２ソルダ部は、前記第１絶縁層によって前記第１電極と電気的に離隔して配置された、請求項５及び６乃至１７のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  19. 前記第１及び第２パッドのそれぞれは、楕円形または多角形の平面形状を有する、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
  20. 請求項１乃至１９のいずれか一項に記載の発光素子パッケージを含む、照明装置。
JP2015199279A 2014-10-17 2015-10-07 発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置 Active JP6783048B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0140871 2014-10-17
KR1020140140871A KR101888608B1 (ko) 2014-10-17 2014-10-17 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016082231A true JP2016082231A (ja) 2016-05-16
JP2016082231A5 JP2016082231A5 (ja) 2018-11-22
JP6783048B2 JP6783048B2 (ja) 2020-11-11

Family

ID=54252161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015199279A Active JP6783048B2 (ja) 2014-10-17 2015-10-07 発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置

Country Status (5)

Country Link
US (4) US9735328B2 (ja)
EP (2) EP3010049B1 (ja)
JP (1) JP6783048B2 (ja)
KR (1) KR101888608B1 (ja)
CN (2) CN105529387B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10164153B2 (en) 2016-12-26 2018-12-25 Nichia Corporation Light-emitting element
JP2021027073A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11024770B2 (en) 2017-09-25 2021-06-01 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101888608B1 (ko) * 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
WO2017222279A1 (ko) * 2016-06-20 2017-12-28 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
CN109478586B (zh) * 2016-07-05 2022-06-21 苏州乐琻半导体有限公司 半导体元件
US10205075B2 (en) * 2016-12-01 2019-02-12 Glo Ab Semiconductor light emitting device including cap structure and method of making same
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
US20190296188A1 (en) * 2017-01-10 2019-09-26 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro light-emitting diode chip
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
CN106941108B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN109244211A (zh) * 2017-07-10 2019-01-18 罗冠杰 冲压封装发光二极管装置及其制造方法
KR20190019745A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 주식회사 루멘스 발광소자 및 그 제조방법
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102605339B1 (ko) * 2018-07-18 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US20210074880A1 (en) * 2018-12-18 2021-03-11 Bolb Inc. Light-output-power self-awareness light-emitting device
CN112993114A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 深圳第三代半导体研究院 一种发光二极管
CN112992957A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 深圳第三代半导体研究院 一种发光二极管

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093970A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
US20110062474A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Light-emitting diode device and fabrication method thereof
JP2011187958A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Lg Innotek Co Ltd 発光素子
JP2012138499A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP2014093480A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
WO2014128574A1 (en) * 2013-02-19 2014-08-28 Koninklijke Philips N.V. A light emitting die component formed by multilayer structures
JP2014158001A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2014195055A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5915504A (ja) 1982-07-10 1984-01-26 佐藤　亮拿 水難用保温服
JPS5929714A (ja) 1982-08-11 1984-02-17 Honda Motor Co Ltd 油圧式ラツシユアジヤスタのオイル供給構造
JP2932769B2 (ja) * 1991-06-28 1999-08-09 豊田合成株式会社 半導体発光素子
US6275205B1 (en) * 1998-03-31 2001-08-14 Intel Corporation Method and apparatus for displaying information with an integrated circuit device
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
DE10144875A1 (de) * 2001-09-12 2003-03-27 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Berechnung eines zeitlichen Füllstandssignals
JP4053926B2 (ja) 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
US7274040B2 (en) * 2004-10-06 2007-09-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices
KR101448996B1 (ko) * 2007-07-26 2014-10-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법, 반도체 발광 소자패키지
KR100930195B1 (ko) * 2007-12-20 2009-12-07 삼성전기주식회사 전극 패턴을 구비한 질화물 반도체 발광소자
KR20110008550A (ko) * 2009-07-20 2011-01-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
US9236532B2 (en) * 2009-12-14 2016-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
KR101055768B1 (ko) 2009-12-14 2011-08-11 서울옵토디바이스주식회사 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR100974787B1 (ko) * 2010-02-04 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101110937B1 (ko) * 2010-05-17 2012-03-05 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
US8647900B2 (en) * 2010-09-20 2014-02-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-structure phosphor coating
JP2012074441A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Toshiba Corp 電力用半導体装置
KR101813891B1 (ko) * 2010-12-09 2018-01-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2013024746A (ja) 2011-07-21 2013-02-04 Hitachi High-Technologies Corp 自動分析装置
US8497146B2 (en) * 2011-08-25 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods
KR101902392B1 (ko) * 2011-10-26 2018-10-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101888604B1 (ko) * 2011-10-28 2018-08-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
TWI453948B (zh) * 2012-03-12 2014-09-21 Univ Chang Gung The structure of the press - fit type flip - chip light emitting element and its making method
KR20130109319A (ko) * 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US20130292719A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Chi Mei Lighting Technology Corp. Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same
TW201347141A (zh) * 2012-05-04 2013-11-16 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體結構及其製造方法
JP2014009468A (ja) 2012-06-28 2014-01-20 Oiles Ind Co Ltd 摺動板および分岐器用床板
CN102769077A (zh) * 2012-07-12 2012-11-07 江苏扬景光电有限公司 一种倒装焊发光二极管的制造方法
CN108493308A (zh) * 2012-07-18 2018-09-04 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
KR101944411B1 (ko) * 2012-10-17 2019-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102087933B1 (ko) * 2012-11-05 2020-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이
JP5929714B2 (ja) 2012-11-07 2016-06-08 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2014097945A (ja) 2012-11-14 2014-05-29 Momotani Juntendo:Kk チロシナーゼ誘導抑制剤及びメラニン合成抑制剤
KR20140062945A (ko) * 2012-11-15 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR102065398B1 (ko) * 2013-02-27 2020-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101433261B1 (ko) * 2013-01-15 2014-08-27 루미마이크로 주식회사 발광소자
TWI557942B (zh) * 2013-02-04 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 發光二極體
KR101423717B1 (ko) * 2013-02-08 2014-08-01 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR102086365B1 (ko) * 2013-04-19 2020-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102162437B1 (ko) * 2014-05-15 2020-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101888608B1 (ko) * 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093970A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
US20110062474A1 (en) * 2009-09-14 2011-03-17 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Light-emitting diode device and fabrication method thereof
JP2011187958A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Lg Innotek Co Ltd 発光素子
JP2012138499A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP2014093480A (ja) * 2012-11-06 2014-05-19 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP2014158001A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
WO2014128574A1 (en) * 2013-02-19 2014-08-28 Koninklijke Philips N.V. A light emitting die component formed by multilayer structures
JP2014195055A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10164153B2 (en) 2016-12-26 2018-12-25 Nichia Corporation Light-emitting element
US11024770B2 (en) 2017-09-25 2021-06-01 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device
JP2021027073A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7368696B2 (ja) 2019-07-31 2023-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101888608B1 (ko) 2018-09-20
US20180254396A1 (en) 2018-09-06
US20160111614A1 (en) 2016-04-21
CN105529387B (zh) 2019-06-18
US9735328B2 (en) 2017-08-15
CN110246949A (zh) 2019-09-17
EP3582272A1 (en) 2019-12-18
US20170317253A1 (en) 2017-11-02
US10224471B2 (en) 2019-03-05
CN105529387A (zh) 2016-04-27
JP6783048B2 (ja) 2020-11-11
EP3010049A1 (en) 2016-04-20
KR20160045397A (ko) 2016-04-27
US9991433B2 (en) 2018-06-05
US10475978B2 (en) 2019-11-12
EP3010049B1 (en) 2019-08-28
US20190148612A1 (en) 2019-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6783048B2 (ja) 発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置
JP6811715B2 (ja) 発光素子パッケージ及び照明装置
KR102239627B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP6796078B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
JP6810927B2 (ja) 発光素子パッケージ及びこれを含む照明装置
KR20160115309A (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR102569249B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP2016082229A (ja) 発光素子、発光素子パッケージ、及びパッケージを含む照明装置
JP2016086159A (ja) 発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置
KR102464028B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 장치
KR102408617B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 장치
KR20160115868A (ko) 발광 소자, 이 소자를 포함하는 발광 소자 패키지, 및 이 패키지를 포함하는 조명 장치
KR102455091B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101941034B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR102087948B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102346157B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102320866B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101977281B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160115307A (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20160036293A (ko) 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181003

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181003

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190710

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191018

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200407

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200804

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20200812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201013

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201021

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6783048

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250